JPH1051978A - 電源バックアップ回路 - Google Patents
電源バックアップ回路Info
- Publication number
- JPH1051978A JPH1051978A JP8206828A JP20682896A JPH1051978A JP H1051978 A JPH1051978 A JP H1051978A JP 8206828 A JP8206828 A JP 8206828A JP 20682896 A JP20682896 A JP 20682896A JP H1051978 A JPH1051978 A JP H1051978A
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- Japan
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- memory
- power supply
- diode
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 claims 1
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- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 論理回路がメモリに対して出力するコントロ
ール信号の電圧とメモリの電源電圧との間に生じる電圧
差がメモリの入力端子電圧許容値を越えると、メモリを
安定に動作させることができない。 【解決手段】 ダイオード10をダイオード8、ダイオ
ード9の直列接続回路と並列に接続し、装置電源1とメ
モリ3を接続することにより、論理回路2がメモリ3に
対して出力するコントロール信号の電圧とメモリ3の電
源電圧との間に生じる電圧差をメモリ3の入力端子電圧
許容値以内とする。
ール信号の電圧とメモリの電源電圧との間に生じる電圧
差がメモリの入力端子電圧許容値を越えると、メモリを
安定に動作させることができない。 【解決手段】 ダイオード10をダイオード8、ダイオ
ード9の直列接続回路と並列に接続し、装置電源1とメ
モリ3を接続することにより、論理回路2がメモリ3に
対して出力するコントロール信号の電圧とメモリ3の電
源電圧との間に生じる電圧差をメモリ3の入力端子電圧
許容値以内とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はメモリやタイマー等
をバックアップするための電源回路に関するものであ
る。
をバックアップするための電源回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体のメモリやタイマー等をバックア
ップするための電源としてリチウム電池等の一次電池を
組み込んだものがあり、上記一次電池では電池切れに伴
う交換が必要である。従って、上記一次電池の交換まで
の期間を長くする、または交換を不要にするために大容
量コンデンサを電源回路に組み込んだものがある。
ップするための電源としてリチウム電池等の一次電池を
組み込んだものがあり、上記一次電池では電池切れに伴
う交換が必要である。従って、上記一次電池の交換まで
の期間を長くする、または交換を不要にするために大容
量コンデンサを電源回路に組み込んだものがある。
【0003】図3は従来のバックアップ機能付き電源回
路を示す回路図である。図3において装置電源1は論理
回路2及びメモリ3へ電力を供給する電源である。論理
回路2は電源が遮断されている時にはバックアップが不
要な回路であり、一方、メモリ3は電源が遮断されてい
る時にもバックアップが必要なメモリである。
路を示す回路図である。図3において装置電源1は論理
回路2及びメモリ3へ電力を供給する電源である。論理
回路2は電源が遮断されている時にはバックアップが不
要な回路であり、一方、メモリ3は電源が遮断されてい
る時にもバックアップが必要なメモリである。
【0004】電源が遮断されている時メモリ3をバック
アップするための電力を供給するため一次電池4が一次
電池への充電防止のためダイオード7を介してメモリ3
に接続されている。また、メモリ3への電力の供給及び
一次電池4の消耗を遅らすための大容量コンデンサ5が
保護用の抵抗6及び一次電池4から充電されないように
するためのダイオード9を介してメモリ3に接続されて
いる。ダイオード8は大容量コンデンサ5の消耗を防ぐ
目的から装置電源1及び論理回路2に電流が流れないよ
うにするための逆流防止用ダイオードである。
アップするための電力を供給するため一次電池4が一次
電池への充電防止のためダイオード7を介してメモリ3
に接続されている。また、メモリ3への電力の供給及び
一次電池4の消耗を遅らすための大容量コンデンサ5が
保護用の抵抗6及び一次電池4から充電されないように
するためのダイオード9を介してメモリ3に接続されて
いる。ダイオード8は大容量コンデンサ5の消耗を防ぐ
目的から装置電源1及び論理回路2に電流が流れないよ
うにするための逆流防止用ダイオードである。
【0005】図3の電源回路によれば電源が遮断されて
いない時には装置電源1から論理回路2及びメモリ3に
直接電力を供給すると共にダイオード8、抵抗6を介し
て大容量コンデンサ5を充電する。また、停電、電源O
FF等により電源が遮断された時には先ず大容量コンデ
ンサ5からメモリ3に電力を供給し、大容量コンデンサ
5の電圧が低下した後は一次電池4により電力を供給し
てメモリ3の内容を保持している。
いない時には装置電源1から論理回路2及びメモリ3に
直接電力を供給すると共にダイオード8、抵抗6を介し
て大容量コンデンサ5を充電する。また、停電、電源O
FF等により電源が遮断された時には先ず大容量コンデ
ンサ5からメモリ3に電力を供給し、大容量コンデンサ
5の電圧が低下した後は一次電池4により電力を供給し
てメモリ3の内容を保持している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において
は、図4の従来の電源回路の動作を説明するための波形
図に示す如く電源が遮断されていない時メモリ3にはダ
イオード8及びダイオード9を介して電力が供給される
ため、ダイオードの順電圧をVfとすると2倍のVfの
電圧降下が発生する。
は、図4の従来の電源回路の動作を説明するための波形
図に示す如く電源が遮断されていない時メモリ3にはダ
イオード8及びダイオード9を介して電力が供給される
ため、ダイオードの順電圧をVfとすると2倍のVfの
電圧降下が発生する。
【0007】例えば、装置電源1の出力電圧を5.0
V、Vfを0.5Vとするとメモリ3の電源電圧は4.
0Vとなる。一方、装置電源1と直接接続されている論
理回路2の電源電圧は5Vとなり、論理回路2がメモリ
3に対して出力するコントロール信号の電圧はCMOS
出力であれば4.9Vである。従って、メモリ3の入力
端子電圧許容値が電源電圧+0.5Vであるとすると、
電源電圧が4.0Vのメモリ3に4.9Vの入力端子電
圧がかかり、入力端子電圧許容値を0.4V越えるた
め、メモリの誤動作、場合によってはメモリの破壊とい
う問題があった。
V、Vfを0.5Vとするとメモリ3の電源電圧は4.
0Vとなる。一方、装置電源1と直接接続されている論
理回路2の電源電圧は5Vとなり、論理回路2がメモリ
3に対して出力するコントロール信号の電圧はCMOS
出力であれば4.9Vである。従って、メモリ3の入力
端子電圧許容値が電源電圧+0.5Vであるとすると、
電源電圧が4.0Vのメモリ3に4.9Vの入力端子電
圧がかかり、入力端子電圧許容値を0.4V越えるた
め、メモリの誤動作、場合によってはメモリの破壊とい
う問題があった。
【0008】本発明が解決しようとする課題は論理回路
がメモリに対して出力するコントロール信号の電圧とメ
モリの電源電圧との間に生じる電圧差をメモリの入力端
子電圧許容値以内にし、メモリの誤動作、破壊という問
題を解決することにある。
がメモリに対して出力するコントロール信号の電圧とメ
モリの電源電圧との間に生じる電圧差をメモリの入力端
子電圧許容値以内にし、メモリの誤動作、破壊という問
題を解決することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体のメモリ
やタイマー等をバックアップするための電源回路におい
て、装置電源からのみ、電源の供給を受けるバックアッ
プ不要な素子と、装置電源またはバッテリまたは大容量
コンデンサから電源の供給を受けるバックアップの必要
な素子と、前記装置電源と前記大容量コンデンサを接続
する第1のダイオードと、前記第1のダイオードと直列
に接続され前記大容量コンデンサと前記バックアップの
必要な素子を接続する第2のダイオードと、前記バッテ
リと前記バックアップの必要な素子の電源を接続する第
3のダイオードにより構成される電源バックアップ回路
と、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの直
列接続回路と並列に接続し、前記装置電源と前記バック
アップの必要な素子を接続する第4のダイオードを備え
るものである。
やタイマー等をバックアップするための電源回路におい
て、装置電源からのみ、電源の供給を受けるバックアッ
プ不要な素子と、装置電源またはバッテリまたは大容量
コンデンサから電源の供給を受けるバックアップの必要
な素子と、前記装置電源と前記大容量コンデンサを接続
する第1のダイオードと、前記第1のダイオードと直列
に接続され前記大容量コンデンサと前記バックアップの
必要な素子を接続する第2のダイオードと、前記バッテ
リと前記バックアップの必要な素子の電源を接続する第
3のダイオードにより構成される電源バックアップ回路
と、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの直
列接続回路と並列に接続し、前記装置電源と前記バック
アップの必要な素子を接続する第4のダイオードを備え
るものである。
【0010】
【実施の形態】図1は本発明の一実施形態を示す電源回
路であり、従来技術に示す図3と同一番号にて示されて
いる構成要素についての機能は同一であるので説明を省
略する。ダイオード10はダイオード8とダイオード9
とに並列に接続し、装置電源1とメモリ3を接続するダ
イオードであり、大容量コンデンサ5及び一次電池4の
消耗を防ぐ目的から装置電源1及び論理回路2に電流が
流れないようにするための逆流防止用のダイオードであ
る。
路であり、従来技術に示す図3と同一番号にて示されて
いる構成要素についての機能は同一であるので説明を省
略する。ダイオード10はダイオード8とダイオード9
とに並列に接続し、装置電源1とメモリ3を接続するダ
イオードであり、大容量コンデンサ5及び一次電池4の
消耗を防ぐ目的から装置電源1及び論理回路2に電流が
流れないようにするための逆流防止用のダイオードであ
る。
【0011】図2の本発明の電源回路の動作を説明する
ための波形図に示す如く、電源が遮断されていない時に
は装置電源1とメモリ3はダイオード10により接続さ
れているため、ダイオード1個分の順電圧Vfの電圧降
下となる。例えば、発明が解決しようとする課題に示す
と同様の出力電圧値ではメモリ3の電源電圧は4.5V
であり、入力端子電圧は4.9Vで入力端子電圧許容値
以内となる。
ための波形図に示す如く、電源が遮断されていない時に
は装置電源1とメモリ3はダイオード10により接続さ
れているため、ダイオード1個分の順電圧Vfの電圧降
下となる。例えば、発明が解決しようとする課題に示す
と同様の出力電圧値ではメモリ3の電源電圧は4.5V
であり、入力端子電圧は4.9Vで入力端子電圧許容値
以内となる。
【0012】従って、ダイオード10をダイオード8と
ダイオード9とに並列に接続し、装置電源1とメモリ3
を接続することにより論理回路2がメモリ3に対して出
力するコントロール信号の電圧とメモリ3の電源電圧と
の間に生じる電圧差をメモリの入力端子電圧許容値以内
とすることができ、メモリ3の誤動作、破壊を防止でき
る。
ダイオード9とに並列に接続し、装置電源1とメモリ3
を接続することにより論理回路2がメモリ3に対して出
力するコントロール信号の電圧とメモリ3の電源電圧と
の間に生じる電圧差をメモリの入力端子電圧許容値以内
とすることができ、メモリ3の誤動作、破壊を防止でき
る。
【0013】
【発明の効果】本発明によればメモリへのバックアップ
手段と並列にダイオードを接続することにより、論理回
路がメモリに対して出力するコントロール信号の電圧と
メモリの電源電圧との間に生じる電圧差をメモリの入力
端子電圧許容値以内とすることができるので、メモリは
誤動作、破壊されることなく安定に動作させることがで
きる。
手段と並列にダイオードを接続することにより、論理回
路がメモリに対して出力するコントロール信号の電圧と
メモリの電源電圧との間に生じる電圧差をメモリの入力
端子電圧許容値以内とすることができるので、メモリは
誤動作、破壊されることなく安定に動作させることがで
きる。
【図1】 本発明の一実施形態を示すバックアップ機能
付き電源回路の回路図である。
付き電源回路の回路図である。
【図2】 本発明の電源回路の動作を説明するための波
形図である。
形図である。
【図3】 従来のバックアップ機能付き電源回路の回路
図である。
図である。
【図4】 従来の電源回路の動作を説明するための波形
図である。
図である。
1 装置電源、2 論理回路、3 メモリ、4 一次電
池、5 大容量コンデンサ、6 抵抗、7〜10 ダイ
オード。
池、5 大容量コンデンサ、6 抵抗、7〜10 ダイ
オード。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体のメモリやタイマー等をバックアッ
プするための電源回路において、装置電源からのみ、電
源の供給を受けるバックアップ不要な素子と、装置電源
またはバッテリまたは大容量コンデンサから電源の供給
を受けるバックアップの必要な素子と、 前記装置電源と前記大容量コンデンサを接続する第1の
ダイオードと、前記第1のダイオードと直列に接続され
前記大容量コンデンサと前記バックアップの必要な素子
を接続する第2のダイオードと、前記バッテリと前記バ
ックアップの必要な素子の電源を接続する第3のダイオ
ードにより構成される電源バックアップ回路と、 前記第1のダイオードと前記第2のダイオードの直列接
続回路と並列に接続し、前記装置電源と前記バックアッ
プの必要な素子を接続する第4のダイオードを備えるこ
とを特徴とする電源バックアップ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8206828A JPH1051978A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 電源バックアップ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8206828A JPH1051978A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 電源バックアップ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051978A true JPH1051978A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16529755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8206828A Pending JPH1051978A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 電源バックアップ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1051978A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300911C (zh) * | 2002-12-05 | 2007-02-14 | 华为技术有限公司 | 抗直流电源电压跌落的电路 |
| DE102005061830B3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Siemens Ag Österreich | Backup Schaltung mit Ladungsspeicher |
| WO2007031355A3 (de) * | 2005-09-14 | 2007-09-20 | Siemens Ag Oesterreich | Backup schaltung mit ladungsspeicher |
| CN100346555C (zh) * | 2003-08-01 | 2007-10-31 | 华为技术有限公司 | 一种电容电路 |
-
1996
- 1996-08-06 JP JP8206828A patent/JPH1051978A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300911C (zh) * | 2002-12-05 | 2007-02-14 | 华为技术有限公司 | 抗直流电源电压跌落的电路 |
| CN100346555C (zh) * | 2003-08-01 | 2007-10-31 | 华为技术有限公司 | 一种电容电路 |
| WO2007031355A3 (de) * | 2005-09-14 | 2007-09-20 | Siemens Ag Oesterreich | Backup schaltung mit ladungsspeicher |
| DE102005061830B3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Siemens Ag Österreich | Backup Schaltung mit Ladungsspeicher |
| WO2007073950A3 (de) * | 2005-12-23 | 2007-10-04 | Siemens Ag Oesterreich | Backup schaltung mit ladungsspeicher |
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