JPH1053878A - 無電解めっき析出阻害用組成物 - Google Patents
無電解めっき析出阻害用組成物Info
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- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 40
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 34
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 abstract description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 10
- -1 and the like Chemical class 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229940075103 antimony Drugs 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-(4,4-dimethyl-2-oxoimidazolidin-1-yl)-n-[3-(trifluoromethyl)phenyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1NC(C)(C)CN1C(N=C1N)=NC=C1C(=O)NC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910000377 hydrazine sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012493 hydrazine sulfate Substances 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-nitroaniline Chemical compound NC1=C(Br)C=CC=C1[N+]([O-])=O KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPFYXYFORQJZEC-FOCLMDBBSA-N Phenazopyridine Chemical class NC1=NC(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 QPFYXYFORQJZEC-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- PPKVREKQVQREQD-UHFFFAOYSA-N antimony pentasulfide Chemical compound S=[Sb](=S)S[Sb](=S)=S PPKVREKQVQREQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001283 antimony pentasulfide Drugs 0.000 description 2
- 229940007424 antimony trisulfide Drugs 0.000 description 2
- NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Sb+3].[Sb+3] NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000417 bismuth pentoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) carbonochloridate Chemical compound FC1=CC=C(OC(Cl)=O)C=C1 MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000289581 Macropus sp. Species 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N aminoazanium;chloride Chemical compound Cl.NN BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZOADBKOANDULT-UHFFFAOYSA-K antimonous acid Chemical compound O[Sb](O)O SZOADBKOANDULT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PYRZPBDTPRQYKG-UHFFFAOYSA-N cyclopentene-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CCCC1 PYRZPBDTPRQYKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 1
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HFJNHTDBULDRRH-UHFFFAOYSA-N oxobismuthanyl nitrate hydrate Chemical compound O.[O-][N+](=O)O[Bi]=O HFJNHTDBULDRRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N palladium tin Chemical compound [Pd].[Sn] ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- AVTYONGGKAJVTE-OLXYHTOASA-L potassium L-tartrate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O AVTYONGGKAJVTE-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000001472 potassium tartrate Substances 0.000 description 1
- 229940111695 potassium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 235000011005 potassium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 150000004684 trihydrates Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】無電解めっきの析出を防止する作用が強く、従
来のエンジニアリングプラスチック等に対する無電解め
っきの処理工程で用いた場合にも、無電解めっきが析出
を防止でき、部分めっきのためのレジストやめっき用治
具の絶縁コーティングとして有用性の高い無電解めっき
析出阻害用組成物を提供する。 【解決手段】樹脂成分100重量部、及び周期律表第5
族b元素の化合物1〜100重量部を有機溶剤中に溶解
乃至分散させてなる無電解めっき析出阻害用組成物。
来のエンジニアリングプラスチック等に対する無電解め
っきの処理工程で用いた場合にも、無電解めっきが析出
を防止でき、部分めっきのためのレジストやめっき用治
具の絶縁コーティングとして有用性の高い無電解めっき
析出阻害用組成物を提供する。 【解決手段】樹脂成分100重量部、及び周期律表第5
族b元素の化合物1〜100重量部を有機溶剤中に溶解
乃至分散させてなる無電解めっき析出阻害用組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき析出
阻害用組成物に関する。
阻害用組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、プラスチック製品に金属めっきを
施す際には、無電解めっき用触媒の付与が比較的容易で
無電解めっき皮膜を形成し易いABS樹脂が広く用いら
れてきた。ABS樹脂に対する無電解めっき処理は、通
常、脱脂、エッチング、エッチング中和、触媒化、活性
化、無電解めっきという工程で行われている。
施す際には、無電解めっき用触媒の付与が比較的容易で
無電解めっき皮膜を形成し易いABS樹脂が広く用いら
れてきた。ABS樹脂に対する無電解めっき処理は、通
常、脱脂、エッチング、エッチング中和、触媒化、活性
化、無電解めっきという工程で行われている。
【0003】近年、耐熱性、耐久性、機械的性質等が良
好なプラスチックスとして、いわゆるエンジニアリング
プラスチックが広く利用されるに至っているが、一般
に、エンジニアリングプラスチックは、無電解めっき用
触媒の付着性が劣るために、上記した従来のABS製品
に対する処理方法では、良好な無電解めっきを形成する
ことができない。このため、エンジニアリングプラスチ
ックに対する無電解めっきの処理方法が各種検討されて
おり、通常、コンディショニングと称されるカチオン系
界面活性剤溶液への浸漬により触媒の付着性を向上させ
る処理を含むめっき方法が広く行われている。
好なプラスチックスとして、いわゆるエンジニアリング
プラスチックが広く利用されるに至っているが、一般
に、エンジニアリングプラスチックは、無電解めっき用
触媒の付着性が劣るために、上記した従来のABS製品
に対する処理方法では、良好な無電解めっきを形成する
ことができない。このため、エンジニアリングプラスチ
ックに対する無電解めっきの処理方法が各種検討されて
おり、通常、コンディショニングと称されるカチオン系
界面活性剤溶液への浸漬により触媒の付着性を向上させ
る処理を含むめっき方法が広く行われている。
【0004】ところで、プラスチック製品に対して、装
飾性や各種の機能を付与する目的で部分めっき処理が行
われており、ABS樹脂を被めっき物として部分めっき
を行なう場合には、耐酸性、耐アルカリ性、耐薬品性な
どに優れた塗料、インク等を用いて、非めっき部分にレ
ジスト皮膜を形成した後、めっき処理工程に供されてい
る。しかしながら、エンジニアリングプラスチックを被
めっき物とし、コンディショニング処理を含むめっき方
法を行う場合には、従来のめっきレジストを用いて皮膜
を形成しても、この部分にも触媒が付着して無電解めっ
き皮膜が析出し、良好な部分めっきを行うことができな
い。このため、従来は、エンジニアリングプラスチック
に部分めっきを行う場合には、触媒を付与した後、めっ
き工程の途中で製品を取り出してレジストを塗布又は印
刷して、再度めっき工程に投入する方法で部分めっきが
行われており、処理工程が非常に煩雑になるという問題
点がある。
飾性や各種の機能を付与する目的で部分めっき処理が行
われており、ABS樹脂を被めっき物として部分めっき
を行なう場合には、耐酸性、耐アルカリ性、耐薬品性な
どに優れた塗料、インク等を用いて、非めっき部分にレ
ジスト皮膜を形成した後、めっき処理工程に供されてい
る。しかしながら、エンジニアリングプラスチックを被
めっき物とし、コンディショニング処理を含むめっき方
法を行う場合には、従来のめっきレジストを用いて皮膜
を形成しても、この部分にも触媒が付着して無電解めっ
き皮膜が析出し、良好な部分めっきを行うことができな
い。このため、従来は、エンジニアリングプラスチック
に部分めっきを行う場合には、触媒を付与した後、めっ
き工程の途中で製品を取り出してレジストを塗布又は印
刷して、再度めっき工程に投入する方法で部分めっきが
行われており、処理工程が非常に煩雑になるという問題
点がある。
【0005】又、一般に、めっき用治具には、塩化ビニ
ル系、エポキシ樹脂系等のコーティングゾルを用いて絶
縁コーティングが施こされているが、この様な治具をエ
ンジニアリングプラスチックに対するめっき方法で用い
ると、絶縁コーティング部分にも触媒が付着して無電解
めっきが析出するために、電気めっき処理を行う前に、
他の治具へ被めっき物を掛け替えることが必要であり、
連続した処理方法で電気めっきを行うことができないと
いう問題点もある。
ル系、エポキシ樹脂系等のコーティングゾルを用いて絶
縁コーティングが施こされているが、この様な治具をエ
ンジニアリングプラスチックに対するめっき方法で用い
ると、絶縁コーティング部分にも触媒が付着して無電解
めっきが析出するために、電気めっき処理を行う前に、
他の治具へ被めっき物を掛け替えることが必要であり、
連続した処理方法で電気めっきを行うことができないと
いう問題点もある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
無電解めっきの析出を防止する作用が強く、従来のエン
ジニアリングプラスチック等に対する無電解めっきの処
理工程で用いた場合にも、無電解めっきの析出を防止で
き、部分めっきのためのレジストやめっき用治具の絶縁
コーティングとして有用性の高い無電解めっき析出阻害
用組成物を提供することである。
無電解めっきの析出を防止する作用が強く、従来のエン
ジニアリングプラスチック等に対する無電解めっきの処
理工程で用いた場合にも、無電解めっきの析出を防止で
き、部分めっきのためのレジストやめっき用治具の絶縁
コーティングとして有用性の高い無電解めっき析出阻害
用組成物を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した如
き課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、従来用いら
れているレジスト用塗料、レジスト用インクなどに、周
期律表第5族bに属する元素の化合物を配合した組成物
から形成される皮膜は、エンジニアリングプラスチック
に対するめっき方法であるコンディショニング工程を含
むめっき処理方法を行った場合にも、皮膜上に無電解め
っきが析出することがなく、部分めっきのためのレジス
トや、めっき用治具の絶縁コーティングとして極めて有
用性が高いものとなることを見出し、ここに本発明を完
成するに至った。
き課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、従来用いら
れているレジスト用塗料、レジスト用インクなどに、周
期律表第5族bに属する元素の化合物を配合した組成物
から形成される皮膜は、エンジニアリングプラスチック
に対するめっき方法であるコンディショニング工程を含
むめっき処理方法を行った場合にも、皮膜上に無電解め
っきが析出することがなく、部分めっきのためのレジス
トや、めっき用治具の絶縁コーティングとして極めて有
用性が高いものとなることを見出し、ここに本発明を完
成するに至った。
【0008】即ち、本発明は、下記の無電解めっき析出
阻害用組成物、並びに該組成物を用いて得られるエンジ
ニアリングプラスチック製品及びめっき用治具を提供す
るものである。
阻害用組成物、並びに該組成物を用いて得られるエンジ
ニアリングプラスチック製品及びめっき用治具を提供す
るものである。
【0009】(1)樹脂成分100重量部、及び周期律
表第5族b元素の化合物1〜100重量部を有機溶剤中
に溶解乃至分散させてなる無電解めっき析出阻害用組成
物。
表第5族b元素の化合物1〜100重量部を有機溶剤中
に溶解乃至分散させてなる無電解めっき析出阻害用組成
物。
【0010】(2)周期律表第5族b元素の化合物が、
砒素化合物、アンチモン化合物及びビスマス化合物の少
なくとも一種である請求項1に記載の組成物。
砒素化合物、アンチモン化合物及びビスマス化合物の少
なくとも一種である請求項1に記載の組成物。
【0011】(3)上記(1)又は(2)に記載の組成
物を用いてレジスト皮膜を形成した後、無電解めっき皮
膜を形成してなるエンジニアリングプラスチック製品。
物を用いてレジスト皮膜を形成した後、無電解めっき皮
膜を形成してなるエンジニアリングプラスチック製品。
【0012】(4)上記(1)又は(2)に記載の組成
物を用いて絶縁コーティングを形成してなるめっき用治
具。
物を用いて絶縁コーティングを形成してなるめっき用治
具。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の無電解めっき析出阻害用
組成物は、樹脂成分及び周期律表第5族bに属する元素
の化合物を、有機溶剤に溶解乃至分散したものである。
組成物は、樹脂成分及び周期律表第5族bに属する元素
の化合物を、有機溶剤に溶解乃至分散したものである。
【0014】樹脂成分は、主として、形成される皮膜の
バインダーとしての働きとめっきレジストとしての機能
を補助する働きをするものであり、その種類は特に限定
されず、無電解めっきの各処理工程で用いる処理液に侵
されない皮膜を形成できるものから、使用目的に応じて
適宜適当な樹脂を選択すればよい。本発明の組成物での
使用に適した樹脂成分の例としては、塩化ビニル樹脂、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、イソシアネート硬化型のウレ
タン樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂成分は
単独又は適宜混合して用いることができる。特に、塩化
ビニル樹脂、アクリル樹脂、アクリル樹脂と塩化ビニル
樹脂の混合物等は、取り扱いが良好で、しかも無電解め
っき析出防止性能、皮膜特性等が良好である点で好適で
ある。
バインダーとしての働きとめっきレジストとしての機能
を補助する働きをするものであり、その種類は特に限定
されず、無電解めっきの各処理工程で用いる処理液に侵
されない皮膜を形成できるものから、使用目的に応じて
適宜適当な樹脂を選択すればよい。本発明の組成物での
使用に適した樹脂成分の例としては、塩化ビニル樹脂、
塩化ビニリデン樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、イソシアネート硬化型のウレ
タン樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂成分は
単独又は適宜混合して用いることができる。特に、塩化
ビニル樹脂、アクリル樹脂、アクリル樹脂と塩化ビニル
樹脂の混合物等は、取り扱いが良好で、しかも無電解め
っき析出防止性能、皮膜特性等が良好である点で好適で
ある。
【0015】周期律表第5族bに属する元素の化合物
は、無電解めっきの析出を阻害する働きをするものであ
る(以下、「析出阻害成分」という)。析出阻害成分の
例としては、砒素化合物、アンチモン化合物、ビスマス
化合物等を挙げることができ、水に対して難溶性又は不
溶性の化合物が適当であり、これらの化合物の内から適
宜選択して、単独又は二種以上混合して用いればよい。
又、析出阻害成分は、樹脂成分に対して分散性が良く均
一な微粒であり、比重が組成物の比重に近く組成物中で
分離し難く、安定性が高く組成物中や皮膜形成中に分解
を生じることのない化合物が好ましい。本発明での使用
に適した析出阻害成分の具体例としては、砒素化合物と
しては、三酸化二砒素、砒化カルシウム三水和物等を挙
げることができ、アンチモン化合物としては、塩化アン
チモン、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチ
モン酸カリウム、水酸化アンチモン、三硫化アンチモ
ン、五硫化アンチモン等の不溶性乃至難溶性無機アンチ
モン化合物、酒石酸アンチモン・カリウム、グルコン酸
アンチモン・ナトリウム、ピロガロール・アンチモンキ
レートなどの有機アンチモン化合物などを挙げることが
でき、ビスマス化合物としては、三酸化ビスマス、五酸
化ビスマス、三硫化ビスマス、硫酸ビスムチル、硝酸酸
化ビスマス(III)水和物、炭酸酸化ビスマス(III)半
水和物、リン酸ビスマス等の無機ビスマス化合物、クエ
ン酸ビスマス、ピロガロール・ビスマスキレート等の有
機ビスマス化合物等を挙げることができる。
は、無電解めっきの析出を阻害する働きをするものであ
る(以下、「析出阻害成分」という)。析出阻害成分の
例としては、砒素化合物、アンチモン化合物、ビスマス
化合物等を挙げることができ、水に対して難溶性又は不
溶性の化合物が適当であり、これらの化合物の内から適
宜選択して、単独又は二種以上混合して用いればよい。
又、析出阻害成分は、樹脂成分に対して分散性が良く均
一な微粒であり、比重が組成物の比重に近く組成物中で
分離し難く、安定性が高く組成物中や皮膜形成中に分解
を生じることのない化合物が好ましい。本発明での使用
に適した析出阻害成分の具体例としては、砒素化合物と
しては、三酸化二砒素、砒化カルシウム三水和物等を挙
げることができ、アンチモン化合物としては、塩化アン
チモン、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチ
モン酸カリウム、水酸化アンチモン、三硫化アンチモ
ン、五硫化アンチモン等の不溶性乃至難溶性無機アンチ
モン化合物、酒石酸アンチモン・カリウム、グルコン酸
アンチモン・ナトリウム、ピロガロール・アンチモンキ
レートなどの有機アンチモン化合物などを挙げることが
でき、ビスマス化合物としては、三酸化ビスマス、五酸
化ビスマス、三硫化ビスマス、硫酸ビスムチル、硝酸酸
化ビスマス(III)水和物、炭酸酸化ビスマス(III)半
水和物、リン酸ビスマス等の無機ビスマス化合物、クエ
ン酸ビスマス、ピロガロール・ビスマスキレート等の有
機ビスマス化合物等を挙げることができる。
【0016】特に、これらの化合物の内で、均一な微粒
子が安価で得られ、無電解めっき抑制効果の高い酸化
物、硫化物などが好ましい。又、毒性の点等を考慮する
と、アンチモン化合物及びビスマス化合物が好ましい。
これらの点から、本発明において、特に好適な析出阻害
成分は、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、三硫化
アンチモン、五硫化アンチモン、三酸化ビスマス、五酸
化ビスマス、三硫化ビスマス等である。
子が安価で得られ、無電解めっき抑制効果の高い酸化
物、硫化物などが好ましい。又、毒性の点等を考慮する
と、アンチモン化合物及びビスマス化合物が好ましい。
これらの点から、本発明において、特に好適な析出阻害
成分は、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、三硫化
アンチモン、五硫化アンチモン、三酸化ビスマス、五酸
化ビスマス、三硫化ビスマス等である。
【0017】本発明では、特に、分散性を考慮すると、
析出阻害成分としては、粒径が0.02〜1.0μm程
度のものを用いることが好ましい。
析出阻害成分としては、粒径が0.02〜1.0μm程
度のものを用いることが好ましい。
【0018】析出阻害成分の使用量は、上記した樹脂成
分100重量部に対して1〜100重量部程度の範囲と
すれば良く、使用する樹脂成分の種類、使用目的等に応
じて、適宜決定すればよい。特に、形成される皮膜の物
性、めっきの析出防止効果等を考慮すると、析出阻害成
分の使用量は、樹脂成分100重量部に対して10〜4
0重量部程度とすることが好ましい。
分100重量部に対して1〜100重量部程度の範囲と
すれば良く、使用する樹脂成分の種類、使用目的等に応
じて、適宜決定すればよい。特に、形成される皮膜の物
性、めっきの析出防止効果等を考慮すると、析出阻害成
分の使用量は、樹脂成分100重量部に対して10〜4
0重量部程度とすることが好ましい。
【0019】有機溶剤としては、使用する樹脂成分を溶
解乃至分散して安定な溶液乃至分散液を形成でき、処理
対象とするプラスチックス等に悪影響のないものであれ
ば、特に限定なく使用できる。この様な有機溶剤として
は、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセト
ン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチル
ケトン(MIBK)等のケトン系溶剤、イソプロピルア
ルコール(IPA)、ジアセトンアルコール等のアルコ
ール系溶剤などを例示することができ、必要に応じて、
適宜混合して用いてもよい。有機溶剤の種類や混合比等
は、使用する樹脂の種類や塗布対象物に応じて適宜決め
ればよい。例えば、樹脂成分としてアクリル樹脂を使用
し、塗布対象物がポリフェニレンエーテル(PPE)樹
脂成形品の場合には、トルエンとジアセトンアルコール
を前者:後者(重量比)=90:10〜95:5程度、
好ましくは、93:7程度で混合して用いることが適当
であり、樹脂成分としてアクリル樹脂を使用し、塗布対
象物がポリカーボネート/ABS(PC/ABS)樹脂
成形品である場合には、トルエンとジアセトンアルコー
ルを前者:後者(重量比)=75:25〜85:15程
度、好ましくは、80:20程度で混合して用いること
が適当である。
解乃至分散して安定な溶液乃至分散液を形成でき、処理
対象とするプラスチックス等に悪影響のないものであれ
ば、特に限定なく使用できる。この様な有機溶剤として
は、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセト
ン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチル
ケトン(MIBK)等のケトン系溶剤、イソプロピルア
ルコール(IPA)、ジアセトンアルコール等のアルコ
ール系溶剤などを例示することができ、必要に応じて、
適宜混合して用いてもよい。有機溶剤の種類や混合比等
は、使用する樹脂の種類や塗布対象物に応じて適宜決め
ればよい。例えば、樹脂成分としてアクリル樹脂を使用
し、塗布対象物がポリフェニレンエーテル(PPE)樹
脂成形品の場合には、トルエンとジアセトンアルコール
を前者:後者(重量比)=90:10〜95:5程度、
好ましくは、93:7程度で混合して用いることが適当
であり、樹脂成分としてアクリル樹脂を使用し、塗布対
象物がポリカーボネート/ABS(PC/ABS)樹脂
成形品である場合には、トルエンとジアセトンアルコー
ルを前者:後者(重量比)=75:25〜85:15程
度、好ましくは、80:20程度で混合して用いること
が適当である。
【0020】本発明の無電解めっき析出阻害用組成物
は、上記した樹脂成分及び析出阻害成分を有機溶剤中に
溶解乃至分散させたものである。 又、ウレタン系樹脂
などの二液性の組成物については、イソシアネート類又
はポリオール類のいずれかに析出阻害成分を配合して、
使用前に混合して用いることができる。
は、上記した樹脂成分及び析出阻害成分を有機溶剤中に
溶解乃至分散させたものである。 又、ウレタン系樹脂
などの二液性の組成物については、イソシアネート類又
はポリオール類のいずれかに析出阻害成分を配合して、
使用前に混合して用いることができる。
【0021】本発明の無電解めっき析出阻害用組成物
は、無電解めっきの析出を防止する目的で各種の形態で
使用することができる。例えば、レジスト用塗料、レジ
スト用インク、絶縁コーティング用コーティングゾル等
として用いることができる。
は、無電解めっきの析出を防止する目的で各種の形態で
使用することができる。例えば、レジスト用塗料、レジ
スト用インク、絶縁コーティング用コーティングゾル等
として用いることができる。
【0022】ここで、レジスト用塗料とは、一般に、プ
ラスチック製品に部分めっきを行う際に、非めっき部分
に無電解めっきの析出防止用の皮膜を形成するために用
いられる塗料である。レジスト用インクも、プラスチッ
ク製品に部分めっきを行なう際に、非めっき部分に無電
解めっきの析出防止用の皮膜を形成するために用いられ
るものであり、通常、印刷により皮膜を形成するもので
ある。絶縁コーティング用コーティングゾルとは、めっ
き用治具に絶縁コーティングを形成するために用いられ
る比較的高粘度のコーティング液である。
ラスチック製品に部分めっきを行う際に、非めっき部分
に無電解めっきの析出防止用の皮膜を形成するために用
いられる塗料である。レジスト用インクも、プラスチッ
ク製品に部分めっきを行なう際に、非めっき部分に無電
解めっきの析出防止用の皮膜を形成するために用いられ
るものであり、通常、印刷により皮膜を形成するもので
ある。絶縁コーティング用コーティングゾルとは、めっ
き用治具に絶縁コーティングを形成するために用いられ
る比較的高粘度のコーティング液である。
【0023】本発明の組成物では、樹脂成分等の濃度は
特に限定的ではなく、使用目的に応じた適度な粘度とな
るように濃度を調節すればよい。通常は、樹脂成分と析
出阻害成分の合計量が組成物中に20〜98重量%程度
となるように調節すればよい。特に、レジスト用塗料と
して用いる場合には、樹脂成分と析出阻害成分の合計量
の濃度を20〜80重量%程度とすることが好ましく、
レジスト用インクとして用いるためには、樹脂成分と析
出阻害成分の合計量の濃度を20〜65重量%程度とす
ることが好ましい。又、めっき治具の絶縁コーティング
のための、いわゆるコーティングゾルとして用いる場合
には、通常、浸漬法で塗布され、塗布量も多いので、樹
脂成分と析出阻害成分の合計量を85〜98重量%程度
の高濃度とすることが好ましい。
特に限定的ではなく、使用目的に応じた適度な粘度とな
るように濃度を調節すればよい。通常は、樹脂成分と析
出阻害成分の合計量が組成物中に20〜98重量%程度
となるように調節すればよい。特に、レジスト用塗料と
して用いる場合には、樹脂成分と析出阻害成分の合計量
の濃度を20〜80重量%程度とすることが好ましく、
レジスト用インクとして用いるためには、樹脂成分と析
出阻害成分の合計量の濃度を20〜65重量%程度とす
ることが好ましい。又、めっき治具の絶縁コーティング
のための、いわゆるコーティングゾルとして用いる場合
には、通常、浸漬法で塗布され、塗布量も多いので、樹
脂成分と析出阻害成分の合計量を85〜98重量%程度
の高濃度とすることが好ましい。
【0024】本発明の組成物は、レジスト用塗料、レジ
スト用インク、絶縁コーティング用コーティングゾル等
として市販されている製品に、上記した析出阻害成分を
配合し、適度な濃度となるように調整することによって
得ることもできる。
スト用インク、絶縁コーティング用コーティングゾル等
として市販されている製品に、上記した析出阻害成分を
配合し、適度な濃度となるように調整することによって
得ることもできる。
【0025】本発明の組成物には、更に、必要に応じ
て、通常のレジスト用塗料、レジスト用インク等に配合
されているハジキ防止剤、表面調整材、分散剤等の添加
剤や、顔料などを配合してもよい。
て、通常のレジスト用塗料、レジスト用インク等に配合
されているハジキ防止剤、表面調整材、分散剤等の添加
剤や、顔料などを配合してもよい。
【0026】本発明の組成物は、上記した各種の用途に
おいて、常法に従って、無電解めっきの析出を防止すべ
き部分に、塗布又は印刷して皮膜を形成して用いること
ができる。例えば、レジスト用塗料は、通常、スプレー
コーティング、刷毛塗りなどの方法で被めっき物に塗布
される。レジスト用インクは、通常、スクリーン印刷、
タンポ印刷等の方法で被めっき物に必要な形状に印刷さ
れる。絶縁コーティング用コーティングゾルは、通常、
浸漬法によってめっき用治具に塗布される。
おいて、常法に従って、無電解めっきの析出を防止すべ
き部分に、塗布又は印刷して皮膜を形成して用いること
ができる。例えば、レジスト用塗料は、通常、スプレー
コーティング、刷毛塗りなどの方法で被めっき物に塗布
される。レジスト用インクは、通常、スクリーン印刷、
タンポ印刷等の方法で被めっき物に必要な形状に印刷さ
れる。絶縁コーティング用コーティングゾルは、通常、
浸漬法によってめっき用治具に塗布される。
【0027】本発明の組成物を塗布した後、樹脂の種類
に応じて、乾燥、加熱、紫外線照射などの適当な方法で
皮膜を硬化させることによって、レジスト皮膜又はめっ
き治具用絶縁コーティングを形成することができる。
に応じて、乾燥、加熱、紫外線照射などの適当な方法で
皮膜を硬化させることによって、レジスト皮膜又はめっ
き治具用絶縁コーティングを形成することができる。
【0028】皮膜の厚さは、使用目的に応じて、従来か
ら用いられている皮膜と同様の範囲の厚さとすればよ
く、一般に、レジスト用塗料は、2〜50μm程度の厚
さ、レジスト用インクは、1〜10μm程度の厚さ、め
っき治具の絶縁コーティングは、0.1〜1mm程度の
厚さとすればよい。
ら用いられている皮膜と同様の範囲の厚さとすればよ
く、一般に、レジスト用塗料は、2〜50μm程度の厚
さ、レジスト用インクは、1〜10μm程度の厚さ、め
っき治具の絶縁コーティングは、0.1〜1mm程度の
厚さとすればよい。
【0029】本発明の組成物を用いて皮膜を形成した被
めっき物又はめっき用治具は、各種の無電解めっき処理
工程において用いることができるが、特に、エンジニア
リングプラスチックに対する無電解めっき処理として広
く行われているコンディショニング処理を含む無電解め
っき処理工程で用いる場合に、無電解めっきの析出を防
止できる点で、非常に有用性が高いものである。コンデ
ィショニング処理を含むめっき工程の代表的な処理方法
について、以下に簡単に説明する。
めっき物又はめっき用治具は、各種の無電解めっき処理
工程において用いることができるが、特に、エンジニア
リングプラスチックに対する無電解めっき処理として広
く行われているコンディショニング処理を含む無電解め
っき処理工程で用いる場合に、無電解めっきの析出を防
止できる点で、非常に有用性が高いものである。コンデ
ィショニング処理を含むめっき工程の代表的な処理方法
について、以下に簡単に説明する。
【0030】(1)脱脂:被めっき物の表面の汚れを除
去して、次工程のエッチング液による濡れを良くする処
理である。通常は、アルカリ性脱脂剤溶液に浸漬する
が、溶剤を用いて脱脂することもできる。又、軽度の汚
れであれば、エッチング工程で分解することがあるの
で、脱脂を省略できる場合もある。
去して、次工程のエッチング液による濡れを良くする処
理である。通常は、アルカリ性脱脂剤溶液に浸漬する
が、溶剤を用いて脱脂することもできる。又、軽度の汚
れであれば、エッチング工程で分解することがあるの
で、脱脂を省略できる場合もある。
【0031】(2)エッチング:被めっき物の表面をエ
ッチングしてめっき皮膜の密着性を良好にする処理であ
る。例えば、被めっき物がポリフェニレンエーテル(P
PE)の場合には、通常、クロム酸/硫酸の混酸等が用
いられる。
ッチングしてめっき皮膜の密着性を良好にする処理であ
る。例えば、被めっき物がポリフェニレンエーテル(P
PE)の場合には、通常、クロム酸/硫酸の混酸等が用
いられる。
【0032】(3)エッチング中和:エッチング液(特
に、6価クロム)が被めっき物の表面に残留している
と、触媒の分解や付着量減少が生じて、無電解めっきの
析出不良が生じるので、これを防止するために、6価ク
ロムを3価クロムに還元中和する処理である。通常は、
希塩酸、又は希塩酸にヒドラジン、硫酸ヒドラジン等の
還元剤を適量添加したものが用いられる。
に、6価クロム)が被めっき物の表面に残留している
と、触媒の分解や付着量減少が生じて、無電解めっきの
析出不良が生じるので、これを防止するために、6価ク
ロムを3価クロムに還元中和する処理である。通常は、
希塩酸、又は希塩酸にヒドラジン、硫酸ヒドラジン等の
還元剤を適量添加したものが用いられる。
【0033】(4)コンディショニング:エンジニアリ
ングプラスチックに対する触媒の吸着量を増加させるた
めの処理であり、通常は、カチオン系界面活性剤の水溶
液に浸漬して、被めっき物の表面に極薄の界面活性剤の
膜を形成することによって行なう。カチオン系界面活性
剤としては、例えば、アルキルアミン塩、アミド結合ア
ミン塩、エステル結合アミン塩等のアミン塩、アルキル
アンモニウム塩、アミド結合アンモニウム塩、エステル
結合アンモニウム塩、エーテル結合アンモニウム塩等の
第4級アンモニウム塩、アルキルピリジウム塩、アミド
結合ピリジウム塩、エーテル結合ピリジウム塩等のピリ
ジニウム塩等を単独又は混合して用いることができる。
ングプラスチックに対する触媒の吸着量を増加させるた
めの処理であり、通常は、カチオン系界面活性剤の水溶
液に浸漬して、被めっき物の表面に極薄の界面活性剤の
膜を形成することによって行なう。カチオン系界面活性
剤としては、例えば、アルキルアミン塩、アミド結合ア
ミン塩、エステル結合アミン塩等のアミン塩、アルキル
アンモニウム塩、アミド結合アンモニウム塩、エステル
結合アンモニウム塩、エーテル結合アンモニウム塩等の
第4級アンモニウム塩、アルキルピリジウム塩、アミド
結合ピリジウム塩、エーテル結合ピリジウム塩等のピリ
ジニウム塩等を単独又は混合して用いることができる。
【0034】(5)触媒化:無電解めっき反応の開始に
必要な触媒(Au,Pt,Pd,Agなどの貴金属)を
被めっき物の表面に付着させる処理である。公知の各種
方法を適用でき、例えば、強酸性のパラジウム−錫コロ
イド溶液中に浸漬して、被めっき物表面に該コロイドを
付与した後、酸又はアルカリで処理して、触媒活性を発
現させる、いわゆるキャタリスト−アクセレーター法、
強酸性の塩化第一錫溶液に浸漬した後、強酸性の塩化パ
ラジウム溶液に浸漬する、いわゆるセンシタイジング−
アクチベーター法等によって触媒化することができる。
必要な触媒(Au,Pt,Pd,Agなどの貴金属)を
被めっき物の表面に付着させる処理である。公知の各種
方法を適用でき、例えば、強酸性のパラジウム−錫コロ
イド溶液中に浸漬して、被めっき物表面に該コロイドを
付与した後、酸又はアルカリで処理して、触媒活性を発
現させる、いわゆるキャタリスト−アクセレーター法、
強酸性の塩化第一錫溶液に浸漬した後、強酸性の塩化パ
ラジウム溶液に浸漬する、いわゆるセンシタイジング−
アクチベーター法等によって触媒化することができる。
【0035】(6)無電解めっき:触媒化した被めっき
物を無電解めっき液に浸漬して、無電解めっき皮膜を形
成する工程である。無電解めっき液としては、上記触媒
によりめっき反応が開始するものであれば、特に限定な
く使用できる。この様な無電解めっき液の例として、無
電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解錫めっ
き、無電解銀めっき、無電解金めっき等を例示できる。
物を無電解めっき液に浸漬して、無電解めっき皮膜を形
成する工程である。無電解めっき液としては、上記触媒
によりめっき反応が開始するものであれば、特に限定な
く使用できる。この様な無電解めっき液の例として、無
電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解錫めっ
き、無電解銀めっき、無電解金めっき等を例示できる。
【0036】(7)電気めっき:無電解めっきを行って
導電性を付与した後、必要に応じて、電気めっきを行う
ことができる。電気めっき液としては、特に限定はな
く、目的に応じて、公知の各種のめっき液を使用でき
る。
導電性を付与した後、必要に応じて、電気めっきを行う
ことができる。電気めっき液としては、特に限定はな
く、目的に応じて、公知の各種のめっき液を使用でき
る。
【0037】本発明の組成物の処理対象物は、特に限定
はなく、プラスチックス、金属、セラミックス等の各種
の物品に皮膜を形成して、無電解めっきの析出を防止す
ることができる。特に、本発明の組成物を用いることが
好適な適用対象は、無電解めっき処理において、触媒の
付着性向上のためにコンディショニング処理が不可欠な
エンジニアリングプラスチックやこの様な処理工程のお
いて用いられるめっき用治具である。本発明の組成物に
より処理することが適当なエンジニアリングプラスチッ
クの例としては、ポリフェニレンエーテル(PPE)、
ポリプロピレン(PP)、ポリカーボネート(PC)、
ポリカーボネート/ABS(PC/ABS)、ジシクロ
ペンタジエン(DCP)、液晶ポリマー(LCP)、ポ
リフタルアミド、シンジオタクチックポリスチレン(S
PS)等を挙げることができる。又、めっき用治具は、
各種の金属で製造されており、銅、銅合金製等の治具が
最もよく用いられている。
はなく、プラスチックス、金属、セラミックス等の各種
の物品に皮膜を形成して、無電解めっきの析出を防止す
ることができる。特に、本発明の組成物を用いることが
好適な適用対象は、無電解めっき処理において、触媒の
付着性向上のためにコンディショニング処理が不可欠な
エンジニアリングプラスチックやこの様な処理工程のお
いて用いられるめっき用治具である。本発明の組成物に
より処理することが適当なエンジニアリングプラスチッ
クの例としては、ポリフェニレンエーテル(PPE)、
ポリプロピレン(PP)、ポリカーボネート(PC)、
ポリカーボネート/ABS(PC/ABS)、ジシクロ
ペンタジエン(DCP)、液晶ポリマー(LCP)、ポ
リフタルアミド、シンジオタクチックポリスチレン(S
PS)等を挙げることができる。又、めっき用治具は、
各種の金属で製造されており、銅、銅合金製等の治具が
最もよく用いられている。
【0038】本発明の組成物を用いて無電解めっき析出
防止用の皮膜を形成して部分めっき処理を行うことが適
当なエンジニアリングプラスチック製品の例としては、
例えば、ラジエターグリル、ドアミラー、ドアハンド
ル、センターキャップ、バンパー、エアダムスカート、
カンガルーバンパー、エクゾーストパイプ等の自動車用
部品、洗面所、トイレ、浴槽等に用いるエンジニアリン
グプラスチック製のいわゆる水洗金具部品、カメラハウ
ジング、コンピューターハウジング、携帯電話等の部分
的な電磁波シールドめっき、立体プリント配線板等を挙
げることができる。
防止用の皮膜を形成して部分めっき処理を行うことが適
当なエンジニアリングプラスチック製品の例としては、
例えば、ラジエターグリル、ドアミラー、ドアハンド
ル、センターキャップ、バンパー、エアダムスカート、
カンガルーバンパー、エクゾーストパイプ等の自動車用
部品、洗面所、トイレ、浴槽等に用いるエンジニアリン
グプラスチック製のいわゆる水洗金具部品、カメラハウ
ジング、コンピューターハウジング、携帯電話等の部分
的な電磁波シールドめっき、立体プリント配線板等を挙
げることができる。
【0039】
【発明の効果】本発明の組成物によって形成される皮膜
は、無電解めっきの析出を防止する働きが非常に強く、
エンジニアリングプラスチックに対する無電解めっき処
理として広く行われているコンディショニング処理を含
むめっき処理工程においても、無電解めっきの析出を有
効に防止することができる。
は、無電解めっきの析出を防止する働きが非常に強く、
エンジニアリングプラスチックに対する無電解めっき処
理として広く行われているコンディショニング処理を含
むめっき処理工程においても、無電解めっきの析出を有
効に防止することができる。
【0040】このため、本発明の組成物を用いてレジス
ト皮膜を形成することによって、エンジニアリングプラ
スチック製品に部分めっきを行う際に、連続しためっき
処理が可能となり、処理効率が向上する。又、めっき用
治具に対する無電解めっきの析出を防止できるので、め
っき治具の掛け替えを行うことなく、エンジニアリング
プラスチックス製品に連続した操作で電気めっき皮膜を
形成することができる。
ト皮膜を形成することによって、エンジニアリングプラ
スチック製品に部分めっきを行う際に、連続しためっき
処理が可能となり、処理効率が向上する。又、めっき用
治具に対する無電解めっきの析出を防止できるので、め
っき治具の掛け替えを行うことなく、エンジニアリング
プラスチックス製品に連続した操作で電気めっき皮膜を
形成することができる。
【0041】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【0042】実施例1 市販の塩化ビニル系レジスト塗料(商標:イサムオール
パッククリア、イサム塗料(株)社製)に、三酸化アン
チモン(商標:PATOX−U、日本精鉱(株)社製、
粒径0.02μm)を、樹脂分100重量部に対して1
5重量部、30重量部、及び50重量部の3種類の配合
量で添加して、無電解めっき析出防止用のレジスト塗料
を製造した。
パッククリア、イサム塗料(株)社製)に、三酸化アン
チモン(商標:PATOX−U、日本精鉱(株)社製、
粒径0.02μm)を、樹脂分100重量部に対して1
5重量部、30重量部、及び50重量部の3種類の配合
量で添加して、無電解めっき析出防止用のレジスト塗料
を製造した。
【0043】被めっき物として、ポリプロピレン(P
P)樹脂成形品(商標:J−460、出光石油化学
(株)社製)及びポリフェニレンエーテル(PPE)樹
脂成形品(商標:PN265、日本ジーイープラスチッ
ク(株)社製)の二種類のエンジニアリングプラスチッ
ク製品を用い、上記レジスト塗料をシンナーで固形分量
が40%となるように希釈し、これを被めっき物の一部
に20〜30μm(乾燥膜厚)となるようにスプレー塗
装し、60℃で30分間乾燥した後、下記の処理工程で
めっき処理を行った。尚、比較として、三酸化アンチモ
ン無添加のレジスト塗料を用いて、同様の試験を行っ
た。得られためっき品について、レジスト塗料塗布面と
非塗布面におけるめっきの析出の有無を目視で判定し
た。結果を下記表1に示す。
P)樹脂成形品(商標:J−460、出光石油化学
(株)社製)及びポリフェニレンエーテル(PPE)樹
脂成形品(商標:PN265、日本ジーイープラスチッ
ク(株)社製)の二種類のエンジニアリングプラスチッ
ク製品を用い、上記レジスト塗料をシンナーで固形分量
が40%となるように希釈し、これを被めっき物の一部
に20〜30μm(乾燥膜厚)となるようにスプレー塗
装し、60℃で30分間乾燥した後、下記の処理工程で
めっき処理を行った。尚、比較として、三酸化アンチモ
ン無添加のレジスト塗料を用いて、同様の試験を行っ
た。得られためっき品について、レジスト塗料塗布面と
非塗布面におけるめっきの析出の有無を目視で判定し
た。結果を下記表1に示す。
【0044】めっき工程: (1)脱脂:浸漬脱脂用脱脂剤(商標:エースクリーン
A−220、奥野製薬工業(株)製)50g/l水溶液
に、50℃で3分間浸漬。
A−220、奥野製薬工業(株)製)50g/l水溶液
に、50℃で3分間浸漬。
【0045】(2)エッチング:無水クロム酸400g
/l及び硫酸200ml/lを含有する水溶液に70℃
で10分間浸漬した後、無水クロム酸200g/l及び
硫酸300ml/lを含有する水溶液に60℃で15分
間浸漬。
/l及び硫酸200ml/lを含有する水溶液に70℃
で10分間浸漬した後、無水クロム酸200g/l及び
硫酸300ml/lを含有する水溶液に60℃で15分
間浸漬。
【0046】(3)中和:35%塩酸80ml/l及び
硫酸ヒドラジン6g/lを含有する水溶液に、室温で3
分間浸漬。
硫酸ヒドラジン6g/lを含有する水溶液に、室温で3
分間浸漬。
【0047】(4)コンディショニング:市販のコンデ
ィショニング液(商標:B−200ニュートライザー、
奥野製薬工業(株)製、脂肪族アミン化合物25重量%
水溶液)、60ml/l及び中和用添加剤(商標:TM
P中和用添加剤、奥野製薬工業(株)製、塩酸ヒドラジ
ン含有水溶液)10ml/lを含有する水溶液に50℃
で6分間浸漬。
ィショニング液(商標:B−200ニュートライザー、
奥野製薬工業(株)製、脂肪族アミン化合物25重量%
水溶液)、60ml/l及び中和用添加剤(商標:TM
P中和用添加剤、奥野製薬工業(株)製、塩酸ヒドラジ
ン含有水溶液)10ml/lを含有する水溶液に50℃
で6分間浸漬。
【0048】(5)触媒化前浸漬:35%塩酸60ml
/lの水溶液に室温で30秒間浸漬。
/lの水溶液に室温で30秒間浸漬。
【0049】(6)触媒化:無電解めっき用触媒液(パ
ラジウムコロイド含有液)(商標:キャタリストC、奥
野製薬工業(株)製)50ml/l及び35%塩酸15
0ml/lを含有する水溶液に、40℃で3分間浸漬。
ラジウムコロイド含有液)(商標:キャタリストC、奥
野製薬工業(株)製)50ml/l及び35%塩酸15
0ml/lを含有する水溶液に、40℃で3分間浸漬。
【0050】(7)活性化:98%硫酸50ml/l、
35%塩酸20ml/l及び硫酸ヒドラジン0.5g/
lを含有する水溶液に、40℃で3分間浸漬。
35%塩酸20ml/l及び硫酸ヒドラジン0.5g/
lを含有する水溶液に、40℃で3分間浸漬。
【0051】(8)無電解ニッケルめっき:アルカリ性
無電解ニッケルめっき液(商標:化学ニッケルSSC
浴、奥野製薬工業(株)製)に、40℃で8分間浸漬。
無電解ニッケルめっき液(商標:化学ニッケルSSC
浴、奥野製薬工業(株)製)に、40℃で8分間浸漬。
【0052】(9)電気めつき:ストライクNiめっき
(50℃、1A/dm2、5分)、光沢硫酸銅めっき
(22℃、3A/dm2、45分)、半光沢ニッケルめ
っき(55℃、3A/dm2、15分)、光沢ニッケル
めっき(50℃、3A/dm2、22分)、、及びクロ
ムめっき(45℃、10A/dm2、4分)を順次行っ
た。
(50℃、1A/dm2、5分)、光沢硫酸銅めっき
(22℃、3A/dm2、45分)、半光沢ニッケルめ
っき(55℃、3A/dm2、15分)、光沢ニッケル
めっき(50℃、3A/dm2、22分)、、及びクロ
ムめっき(45℃、10A/dm2、4分)を順次行っ
た。
【0053】
【表1】
【0054】実施例2 市販の軟質塩化ビニル系コーティングゾル(商標:アル
ファーゾル、アルファー化成(株)、固形分濃度97〜
98重量%)に、三酸化アンチモン(商標:PATOX
−U、日本精鉱(株)社製、粒径0.02μm)を、樹
脂分100重量部に対して、5重量部、10重量部及び
15重量部の3種類の配合量で添加して、絶縁コーティ
ング用コーティングゾルを製造した。
ファーゾル、アルファー化成(株)、固形分濃度97〜
98重量%)に、三酸化アンチモン(商標:PATOX
−U、日本精鉱(株)社製、粒径0.02μm)を、樹
脂分100重量部に対して、5重量部、10重量部及び
15重量部の3種類の配合量で添加して、絶縁コーティ
ング用コーティングゾルを製造した。
【0055】上記コーティングゾルに200×50×3
mmの銅板を浸漬した後、180℃で13分間焼き付け
て絶縁コーティングを形成し、実施例1と同様のめっき
工程で処理を行い、めっき皮膜の析出の有無を目視で判
定した。比較として、三酸化アンチモン無添加のコーテ
ィングゾルを用いて、同様の試験を行った。結果を下記
表2に示す。
mmの銅板を浸漬した後、180℃で13分間焼き付け
て絶縁コーティングを形成し、実施例1と同様のめっき
工程で処理を行い、めっき皮膜の析出の有無を目視で判
定した。比較として、三酸化アンチモン無添加のコーテ
ィングゾルを用いて、同様の試験を行った。結果を下記
表2に示す。
【0056】
【表2】
Claims (4)
- 【請求項1】樹脂成分100重量部、及び周期律表第5
族b元素の化合物1〜100重量部を有機溶剤中に溶解
乃至分散させてなる無電解めっき析出阻害用組成物。 - 【請求項2】周期律表第5族b元素の化合物が、砒素化
合物、アンチモン化合物及びビスマス化合物の少なくと
も一種である請求項1に記載の組成物。 - 【請求項3】請求項1又は2に記載の組成物を用いてレ
ジスト皮膜を形成した後、無電解めっき皮膜を形成して
なるエンジニアリングプラスチック製品。 - 【請求項4】請求項1又は2に記載の組成物を用いて絶
縁コーティングを形成してなるめっき用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208080A JPH1053878A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 無電解めっき析出阻害用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208080A JPH1053878A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 無電解めっき析出阻害用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053878A true JPH1053878A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16550317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8208080A Pending JPH1053878A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 無電解めっき析出阻害用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1053878A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006169623A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Hitachi Maxell Ltd | 機能性粒子及びその製造方法 |
| JP2008532326A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | サンミナ−エスシーアイ コーポレーション | めっきレジストによるビア構造の同時かつ選択的な分割 |
| JP2011219788A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Hitachi Ltd | 脱脂装置 |
| KR20170041813A (ko) * | 2014-08-07 | 2017-04-17 | 맥더미드 애큐맨, 인코포레이티드 | 랙 금속화를 방지하기 위한 전기도금 랙의 처리 |
| US9781830B2 (en) | 2005-03-04 | 2017-10-03 | Sanmina Corporation | Simultaneous and selective wide gap partitioning of via structures using plating resist |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP8208080A patent/JPH1053878A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006169623A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Hitachi Maxell Ltd | 機能性粒子及びその製造方法 |
| JP2008532326A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | サンミナ−エスシーアイ コーポレーション | めっきレジストによるビア構造の同時かつ選択的な分割 |
| US9781830B2 (en) | 2005-03-04 | 2017-10-03 | Sanmina Corporation | Simultaneous and selective wide gap partitioning of via structures using plating resist |
| US10667390B2 (en) | 2005-03-04 | 2020-05-26 | Sanmina Corporation | Simultaneous and selective wide gap partitioning of via structures using plating resist |
| US11765827B2 (en) | 2005-03-04 | 2023-09-19 | Sanmina Corporation | Simultaneous and selective wide gap partitioning of via structures using plating resist |
| JP2011219788A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Hitachi Ltd | 脱脂装置 |
| KR20170041813A (ko) * | 2014-08-07 | 2017-04-17 | 맥더미드 애큐맨, 인코포레이티드 | 랙 금속화를 방지하기 위한 전기도금 랙의 처리 |
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