JPH1054917A - 光導波路型モジュール - Google Patents
光導波路型モジュールInfo
- Publication number
- JPH1054917A JPH1054917A JP21147896A JP21147896A JPH1054917A JP H1054917 A JPH1054917 A JP H1054917A JP 21147896 A JP21147896 A JP 21147896A JP 21147896 A JP21147896 A JP 21147896A JP H1054917 A JPH1054917 A JP H1054917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- light
- groove
- substrate
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＤ−光導波路結合部及び光導波路素子内で
発生するクラッドモードが、ＬＤと対向する光ファイバ
に漏れ込まない光導波路型モジュールを提供する。 【解決手段】 ＬＤ−光導波路結合部及び光導波路素子
内で生じる波長λ２の光の放射モードが、Ｓｉからなる
基板１０とクラッド層２１の上部の空気の層で閉じ込め
られ、クラッドモードとなっても、遮光性の金属膜３０
が施された溝２８で反射又は吸収されるので、クラッド
モードがＬＤと対向する光ファイバ１８への漏れ込みが
抑制される。
発生するクラッドモードが、ＬＤと対向する光ファイバ
に漏れ込まない光導波路型モジュールを提供する。 【解決手段】 ＬＤ−光導波路結合部及び光導波路素子
内で生じる波長λ２の光の放射モードが、Ｓｉからなる
基板１０とクラッド層２１の上部の空気の層で閉じ込め
られ、クラッドモードとなっても、遮光性の金属膜３０
が施された溝２８で反射又は吸収されるので、クラッド
モードがＬＤと対向する光ファイバ１８への漏れ込みが
抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路型モジュ
ールに関する。
ールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信、特に光加入者系の普及
のためには光導波路型モジュールの小型化と低価格化と
が重要な課題である。この課題の解決のためにＳｉ基板
上に光導波路を形成し、チップレベルのＬＤ（レーザダ
イオード）、ＰＤ（フォトダイオード）を表面実装する
光導波路型モジュールが検討されている（ＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉハイブリッド光集積プラットフォームを用いたＬＤチ
ップ表面実装；１９９４年信学春季大会Ｃ−２８７参
照）。
のためには光導波路型モジュールの小型化と低価格化と
が重要な課題である。この課題の解決のためにＳｉ基板
上に光導波路を形成し、チップレベルのＬＤ（レーザダ
イオード）、ＰＤ（フォトダイオード）を表面実装する
光導波路型モジュールが検討されている（ＳｉＯ2 ／Ｓ
ｉハイブリッド光集積プラットフォームを用いたＬＤチ
ップ表面実装；１９９４年信学春季大会Ｃ−２８７参
照）。
【０００３】図４はＬＤを基板上に表面実装した光導波
路型モジュールのプラットフォーム構造の概略図であ
り、図５は図４に示したプラットフォーム構造の光導波
路型モジュールの従来例を示す外観斜視図である。
路型モジュールのプラットフォーム構造の概略図であ
り、図５は図４に示したプラットフォーム構造の光導波
路型モジュールの従来例を示す外観斜視図である。
【０００４】図４に示す光導波路型モジュールのプラッ
トフォーム構造は、コア１、バッファ層２及びクラッド
層３からなる埋め込み型石英系の光導波路とテラス構造
付きＳｉ基板４とを組み合わせたものである。Ｓｉベン
チからなるテラス５は半導体素子（ＬＤ）６を支持する
と共にヒートシンクとしての機能も有している。
トフォーム構造は、コア１、バッファ層２及びクラッド
層３からなる埋め込み型石英系の光導波路とテラス構造
付きＳｉ基板４とを組み合わせたものである。Ｓｉベン
チからなるテラス５は半導体素子（ＬＤ）６を支持する
と共にヒートシンクとしての機能も有している。
【０００５】光導波路型モジュールは、映像信号（波長
λ１）と通信信号（波長λ２：λ２≠λ１）とを、光導
波路上に挿入された波長λ２の光を透過し、波長λ１の
光を反射する特性を持つフィルタで合分波する方法が検
討されており、図５に示すようなものが用いられてい
る。
λ１）と通信信号（波長λ２：λ２≠λ１）とを、光導
波路上に挿入された波長λ２の光を透過し、波長λ１の
光を反射する特性を持つフィルタで合分波する方法が検
討されており、図５に示すようなものが用いられてい
る。
【０００６】図５に示す光導波路型モジュールは、Ｓｉ
からなる基板１０上にｙ字型石英ガラス系の単一モード
の光導波路１１を形成し、ｙ字型の分岐部１２ａに、波
長λ２の光を透過し、波長λ１（λ１≠λ２）の光を反
射するフィルタ１３を配置したものである。
からなる基板１０上にｙ字型石英ガラス系の単一モード
の光導波路１１を形成し、ｙ字型の分岐部１２ａに、波
長λ２の光を透過し、波長λ１（λ１≠λ２）の光を反
射するフィルタ１３を配置したものである。
【０００７】次にこのような光導波路型モジュールを伝
搬する光を順をおって説明する。
搬する光を順をおって説明する。
【０００８】共通ポート１４に光ファイバ１５から波長
λ１の光と波長λ２の光とを入射すると、波長λ２の光
は光導波路１１のコアを通ってフィルタ１３を透過し、
分岐部１２ｂで所望の分配比で分岐され、ＰＤポート１
６を通ってＰＤへ達する。共通ポート１４に入射された
波長λ１の光は、光導波路１１のコアを通ってフィルタ
１３で反射され、反射ポート１７へ導波されて光ファイ
バ１８に入射される。
λ１の光と波長λ２の光とを入射すると、波長λ２の光
は光導波路１１のコアを通ってフィルタ１３を透過し、
分岐部１２ｂで所望の分配比で分岐され、ＰＤポート１
６を通ってＰＤへ達する。共通ポート１４に入射された
波長λ１の光は、光導波路１１のコアを通ってフィルタ
１３で反射され、反射ポート１７へ導波されて光ファイ
バ１８に入射される。
【０００９】一方、ＬＤから波長λ２の光が出射される
と波長λ２の光は、ＬＤポート１９、分岐部１２ｂ及び
フィルタ１３を透過して共通ポート１４へ導波される。
と波長λ２の光は、ＬＤポート１９、分岐部１２ｂ及び
フィルタ１３を透過して共通ポート１４へ導波される。
【００１０】尚、２０はバッファ層、２１はクラッド
層、２２はＰＤからの信号電流を取り出すための金属膜
としてのＰＤ用電極、２３は斜めカット、２４は気密用
蓋、２７はＬＤへの電流を供給するための金属膜として
のＬＤ用電極をそれぞれ示す。
層、２２はＰＤからの信号電流を取り出すための金属膜
としてのＰＤ用電極、２３は斜めカット、２４は気密用
蓋、２７はＬＤへの電流を供給するための金属膜として
のＬＤ用電極をそれぞれ示す。
【００１１】次にこのような光導波路型モジュールの製
造工程について説明する。
造工程について説明する。
【００１２】図６は図５に示した光導波路型モジュール
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【００１３】まず、Ｓｉからなる基板１０を準備する
（図６（ａ））。
（図６（ａ））。
【００１４】基板１０をエッチングすることによりＬＤ
及びＰＤをマウントする位置に素子側ベンチ２５を形成
する（図６（ｂ））。
及びＰＤをマウントする位置に素子側ベンチ２５を形成
する（図６（ｂ））。
【００１５】素子側ベンチ２５を形成した基板１０上
に、この素子側ベンチ２５が露出するようにバッファ層
２０を形成し、バッファ層２０及び素子側ベンチ２５の
上にコア２６及びクラッド層２１を形成することにより
石英ガラス系の光導波路１１を形成する（図６
（ｃ））。
に、この素子側ベンチ２５が露出するようにバッファ層
２０を形成し、バッファ層２０及び素子側ベンチ２５の
上にコア２６及びクラッド層２１を形成することにより
石英ガラス系の光導波路１１を形成する（図６
（ｃ））。
【００１６】クラッド層２１をエッチングすることによ
り素子側ベンチ２５を露出させる（図６（ｄ））。
り素子側ベンチ２５を露出させる（図６（ｄ））。
【００１７】露出した素子側ベンチ２５にＰＤ用電極２
２とＬＤ用電極２７とを形成すると共にクラッド層２１
にもＰＤ用電極２２とＬＤ用電極２７とを形成する（図
６（ｅ））。
２とＬＤ用電極２７とを形成すると共にクラッド層２１
にもＰＤ用電極２２とＬＤ用電極２７とを形成する（図
６（ｅ））。
【００１８】その後、フィルタ１３の配置工程、ＬＤ及
びＰＤアライメント工程等実装工程を経て光導波路型モ
ジュールが形成される。
びＰＤアライメント工程等実装工程を経て光導波路型モ
ジュールが形成される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
０上に形成する石英系光導波路は、ＬＤ−光導波路結合
部及び光導波路素子内で生じる波長λ２の光の放射モー
ドが、基板１０とクラッド層２１上部の空気の層で閉じ
込められ、クラッドモードとなってＬＤと対向する反射
ポート１７に接続された光ファイバ１８へ漏れ込んでし
まい、現在の通信システムにおいては、その光通信の品
質に悪影響を与えてしまうという問題があった。
０上に形成する石英系光導波路は、ＬＤ−光導波路結合
部及び光導波路素子内で生じる波長λ２の光の放射モー
ドが、基板１０とクラッド層２１上部の空気の層で閉じ
込められ、クラッドモードとなってＬＤと対向する反射
ポート１７に接続された光ファイバ１８へ漏れ込んでし
まい、現在の通信システムにおいては、その光通信の品
質に悪影響を与えてしまうという問題があった。
【００２０】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ＬＤ−光導波路結合部及び光導波路素子内で発生す
るクラッドモードが、ＬＤと対向する光ファイバに漏れ
込まない光導波路型モジュールを提供することにある。
し、ＬＤ−光導波路結合部及び光導波路素子内で発生す
るクラッドモードが、ＬＤと対向する光ファイバに漏れ
込まない光導波路型モジュールを提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光ファイバに接続するための光導波路を基
板上に形成し、その光導波路に発光素子及び受光素子を
接続した光導波路型モジュールにおいて、光導波路の両
側に光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内壁
に遮光性の膜を施したものである。
に本発明は、光ファイバに接続するための光導波路を基
板上に形成し、その光導波路に発光素子及び受光素子を
接続した光導波路型モジュールにおいて、光導波路の両
側に光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内壁
に遮光性の膜を施したものである。
【００２２】上記構成に加え本発明は、基板にＳｉを用
い、発光素子にレーザダイオードを用い、受光素子にフ
ォトダイオードを用いると共に、基板にレーザダイオー
ド及びフォトダイオードを搭載するための素子側ベンチ
を形成し、かつ溝が形成される位置に溝側ベンチを形成
するのが好ましい。
い、発光素子にレーザダイオードを用い、受光素子にフ
ォトダイオードを用いると共に、基板にレーザダイオー
ド及びフォトダイオードを搭載するための素子側ベンチ
を形成し、かつ溝が形成される位置に溝側ベンチを形成
するのが好ましい。
【００２３】上記構成に加え本発明は、レーザダイオー
ドへの電流供給とフォトダイオードからの信号電流を取
り出すための金属膜を素子側ベンチ及びクラッド層に形
成し、かつ、遮光性の膜に金属膜を用いるのが好まし
い。
ドへの電流供給とフォトダイオードからの信号電流を取
り出すための金属膜を素子側ベンチ及びクラッド層に形
成し、かつ、遮光性の膜に金属膜を用いるのが好まし
い。
【００２４】上記構成に加え本発明は、溝を、その深さ
が基板まで達するように形成するのが好ましい。
が基板まで達するように形成するのが好ましい。
【００２５】上記構成に加え本発明は、光導波路をｙ字
型導波路に形成し、ｙ字型の分岐部に波長λ２の光を透
過すると共に波長λ２と異なる波長λ１の光を反射する
フィルタを配置し、フィルタによって反射される光の出
射側光導波路端面と分岐部との間に少なくとも一つの溝
を形成するのが好ましい。
型導波路に形成し、ｙ字型の分岐部に波長λ２の光を透
過すると共に波長λ２と異なる波長λ１の光を反射する
フィルタを配置し、フィルタによって反射される光の出
射側光導波路端面と分岐部との間に少なくとも一つの溝
を形成するのが好ましい。
【００２６】上記構成によって、ＬＤ−光導波路結合部
及び光導波路素子内で生じる波長λ２の光の放射モード
が、Ｓｉ基板とクラッド層上部の空気の層で閉じ込めら
れ、クラッドモードとなっても、遮光性の膜が施された
溝で反射又は吸収されるので、クラッドモードがＬＤと
対向する光ファイバへの漏れ込みが抑制される。
及び光導波路素子内で生じる波長λ２の光の放射モード
が、Ｓｉ基板とクラッド層上部の空気の層で閉じ込めら
れ、クラッドモードとなっても、遮光性の膜が施された
溝で反射又は吸収されるので、クラッドモードがＬＤと
対向する光ファイバへの漏れ込みが抑制される。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２８】図１は本発明の光導波路型モジュールの一
実施の形態を示す外観斜視図であり、図２（ａ）は図１
のＡ−Ａ線断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面
図、図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図である。尚、図
５に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用い
た。
実施の形態を示す外観斜視図であり、図２（ａ）は図１
のＡ−Ａ線断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面
図、図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図である。尚、図
５に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用い
た。
【００２９】光導波路型モジュールは、Ｓｉ単結晶から
なる基板１０上にバッファ層２０を形成し、バッファ層
２０の上にクラッド層２１及び後述するコア２６（図２
（ａ））を形成することにより石英系の光導波路１１が
形成され、さらに基板１０上にＬＤ及び、ＰＤを配置
し、ＬＤ及びＰＤを気密用蓋２４で覆い、ＰＤ用電極２
２及びＬＤ用電極２７を形成し、光導波路１１を横切る
ようにフィルタ１３を配置し、かつ、光導波路１１の両
側のクラッド層２１に光導波路１１を横切る方向の溝２
８を形成したものである（図では溝２８が２組形成され
ているがこれに限定されるものではない）。
なる基板１０上にバッファ層２０を形成し、バッファ層
２０の上にクラッド層２１及び後述するコア２６（図２
（ａ））を形成することにより石英系の光導波路１１が
形成され、さらに基板１０上にＬＤ及び、ＰＤを配置
し、ＬＤ及びＰＤを気密用蓋２４で覆い、ＰＤ用電極２
２及びＬＤ用電極２７を形成し、光導波路１１を横切る
ようにフィルタ１３を配置し、かつ、光導波路１１の両
側のクラッド層２１に光導波路１１を横切る方向の溝２
８を形成したものである（図では溝２８が２組形成され
ているがこれに限定されるものではない）。
【００３０】ＬＤのマウント部はガラスエッチングによ
って基板１０が露出しているので、ＬＤの発光時の熱が
効率的に放出される。光導波路１１の端面の斜めカット
２３は、光導波路１１の端面からＬＤへの戻り光及び光
導波路１１の端面からの反射減衰量を低減するためのも
のである。
って基板１０が露出しているので、ＬＤの発光時の熱が
効率的に放出される。光導波路１１の端面の斜めカット
２３は、光導波路１１の端面からＬＤへの戻り光及び光
導波路１１の端面からの反射減衰量を低減するためのも
のである。
【００３１】光導波路１１は、ｙ字型に形成されてお
り、分岐部１２ａには波長（λ２）１．３μｍの光を透
過し、波長（λ２）１．５５μｍの光を反射する短波長
域透過型の誘電体多層膜構造のフィルタ１３が配置され
ている。反射ポート１７側の光導波路１１の端面とｙ字
型光導波路の分岐部１２ａとの間と、ｙ字型光導波路の
分岐部１２ａと分岐部１２ｂとの間には幅約３００μｍ
の溝２８が形成されており、この溝２８の内壁には両電
極２２，２７と同じ材質からなる金属膜３０が蒸着され
ている。
り、分岐部１２ａには波長（λ２）１．３μｍの光を透
過し、波長（λ２）１．５５μｍの光を反射する短波長
域透過型の誘電体多層膜構造のフィルタ１３が配置され
ている。反射ポート１７側の光導波路１１の端面とｙ字
型光導波路の分岐部１２ａとの間と、ｙ字型光導波路の
分岐部１２ａと分岐部１２ｂとの間には幅約３００μｍ
の溝２８が形成されており、この溝２８の内壁には両電
極２２，２７と同じ材質からなる金属膜３０が蒸着され
ている。
【００３２】このような光導波路型モジュールの製造工
程について図３（ａ）〜図３（ｅ）を参照して説明す
る。図３（ａ）〜図３（ｅ）は図１に示した光導波路型
モジュールの製造工程図である。
程について図３（ａ）〜図３（ｅ）を参照して説明す
る。図３（ａ）〜図３（ｅ）は図１に示した光導波路型
モジュールの製造工程図である。
【００３３】まず、Ｓｉからなる基板１０を準備する
（図３（ａ））。
（図３（ａ））。
【００３４】基板１０をエッチングすることによりＬＤ
及びＰＤをマウントする位置に素子側ベンチ２５を形成
すると共に、溝２８を形成する位置に溝側ベンチ２９を
形成する（図３（ｂ））。
及びＰＤをマウントする位置に素子側ベンチ２５を形成
すると共に、溝２８を形成する位置に溝側ベンチ２９を
形成する（図３（ｂ））。
【００３５】両ベンチ２５，２９を形成した基板１０上
に両ベンチ２５，２９が露出するようにバッファ層２０
を形成し、バッファ層２０及び素子側ベンチ２５の上に
コア２６及びクラッド層２１からなる石英ガラス系の光
導波路１１を形成する（図３（ｃ））。
に両ベンチ２５，２９が露出するようにバッファ層２０
を形成し、バッファ層２０及び素子側ベンチ２５の上に
コア２６及びクラッド層２１からなる石英ガラス系の光
導波路１１を形成する（図３（ｃ））。
【００３６】クラッド層２１をエッチングすることによ
り両ベンチ２５，２９を露出させる（図３（ｄ））。
り両ベンチ２５，２９を露出させる（図３（ｄ））。
【００３７】クラッド層２１及び露出した素子側ベンチ
２５にＰＤ用電極２２とＬＤ用電極２７とを形成し、溝
２８の内壁に遮光性膜としての金属膜３０を蒸着により
形成する（図３（ｅ））。
２５にＰＤ用電極２２とＬＤ用電極２７とを形成し、溝
２８の内壁に遮光性膜としての金属膜３０を蒸着により
形成する（図３（ｅ））。
【００３８】その後、フィルタ１３の配置工程、ＬＤ及
びＰＤアライメント工程等実装工程を経て光導波路型モ
ジュールが形成される。
びＰＤアライメント工程等実装工程を経て光導波路型モ
ジュールが形成される。
【００３９】このような光導波路型モジュールが動作す
ると、ＬＤから出射される波長（λ２）１．３μｍの光
は、ＬＤポート１９、分岐部１２ｂ、フィルタ１３を透
過して共通ポート１４へと導波される。このとき、ＬＤ
と光導波路１１との結合部、分岐部１２ａ及びｙ字型導
波路の分岐部１２ｂにおいてクラッドモードが生じる。
このクラッドモードは、基板１０とクラッド層２１の上
部の空気層との間に閉じ込められて伝搬するが、金属膜
３０が施された溝２８で反射又は吸収され、かつ溝側ベ
ンチ２９で遮断される。このため、ＬＤからのクラッド
モードが反射ポート１７の光ファイバ１８へ漏れ込むの
を抑えることができる。本実施の形態では、ＬＤからの
波長（λ２）１．３μｍの光の反射ポート側の光ファイ
バへの漏れ込み損失が５５ｄＢであり、溝のない従来の
光導波路型モジュールの漏れ込み損失４０ｄＢに比べて
１５ｄＢ改善された。
ると、ＬＤから出射される波長（λ２）１．３μｍの光
は、ＬＤポート１９、分岐部１２ｂ、フィルタ１３を透
過して共通ポート１４へと導波される。このとき、ＬＤ
と光導波路１１との結合部、分岐部１２ａ及びｙ字型導
波路の分岐部１２ｂにおいてクラッドモードが生じる。
このクラッドモードは、基板１０とクラッド層２１の上
部の空気層との間に閉じ込められて伝搬するが、金属膜
３０が施された溝２８で反射又は吸収され、かつ溝側ベ
ンチ２９で遮断される。このため、ＬＤからのクラッド
モードが反射ポート１７の光ファイバ１８へ漏れ込むの
を抑えることができる。本実施の形態では、ＬＤからの
波長（λ２）１．３μｍの光の反射ポート側の光ファイ
バへの漏れ込み損失が５５ｄＢであり、溝のない従来の
光導波路型モジュールの漏れ込み損失４０ｄＢに比べて
１５ｄＢ改善された。
【００４０】以上において本発明によれば、光導波路の
両側に光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内
壁に遮光性の膜を施すことにより、光導波路を伝搬する
クラッドモードがブロックされ、光の漏れ込みの少ない
光導波路型モジュールが得られ、これにより高アイソレ
ーションを得ることができる。
両側に光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内
壁に遮光性の膜を施すことにより、光導波路を伝搬する
クラッドモードがブロックされ、光の漏れ込みの少ない
光導波路型モジュールが得られ、これにより高アイソレ
ーションを得ることができる。
【００４１】尚、本実施の形態では金属膜を蒸着によっ
て形成したが、これに限定されるものではなく、溝に光
を吸収する材料を挿入してもよい。また、溝に灰色系の
シリコーン樹脂を施したところ、ＬＤからの波長（λ
２）１．３μｍの光の反射ポート側の光ファイバへの漏
れ込み損失が５５ｄＢであった。このように溝に施す遮
光性の膜は反射材、吸収材のいずれでもよい。さらに、
本実施の形態では光の波長を１．３μｍ及び１．５５μ
ｍの場合で説明したが、これに限定されるものではな
い。
て形成したが、これに限定されるものではなく、溝に光
を吸収する材料を挿入してもよい。また、溝に灰色系の
シリコーン樹脂を施したところ、ＬＤからの波長（λ
２）１．３μｍの光の反射ポート側の光ファイバへの漏
れ込み損失が５５ｄＢであった。このように溝に施す遮
光性の膜は反射材、吸収材のいずれでもよい。さらに、
本実施の形態では光の波長を１．３μｍ及び１．５５μ
ｍの場合で説明したが、これに限定されるものではな
い。
【００４２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４３】光導波路型モジュールの光導波路の両側に
光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内壁に遮
光性の膜を施したので、ＬＤ−光導波路結合部及び光導
波路素子内で発生するクラッドモードが、ＬＤと対向す
る光ファイバに漏れ込まない光導波路型モジュールを実
現することができる。
光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝の内壁に遮
光性の膜を施したので、ＬＤ−光導波路結合部及び光導
波路素子内で発生するクラッドモードが、ＬＤと対向す
る光ファイバに漏れ込まない光導波路型モジュールを実
現することができる。
【図１】本発明の光導波路型モジュールの一実施の形態
を示す外観斜視図である。
を示す外観斜視図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図１
のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図であ
る。
のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ線断面図であ
る。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は図１に示した光導波路型モジ
ュールの製造工程図である。
ュールの製造工程図である。
【図４】ＬＤを基板上に表面実装した光導波路型モジュ
ールのプラットフォーム構造の概略図である。
ールのプラットフォーム構造の概略図である。
【図５】図４に示したプラットフォーム構造の光導波路
型モジュールの従来例を示す外観斜視図である。
型モジュールの従来例を示す外観斜視図である。
【図６】図５に示した光導波路型モジュールの製造工程
図である。
図である。
１０ 基板 １８ 光ファイバ ２１ クラッド層 ３０ 遮光性膜（金属膜） ＬＤ レーザダイオード ＰＤ フォトダイオード
フロントページの続き (72)発明者 柳澤 雅弘 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 照井 博 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 大川 正浩 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 上塚 尚登 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 金谷 達憲 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 岩藤 泰典 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】 光ファイバに接続するための光導波路を
基板上に形成し、その光導波路に発光素子及び受光素子
を接続した光導波路型モジュールにおいて、上記光導波
路の両側に光導波路を横切る方向の溝を形成し、その溝
の内壁に遮光性の膜を施したことを特徴とする光導波路
型モジュール。 - 【請求項２】 上記基板にＳｉを用い、上記発光素子に
レーザダイオードを用い、上記受光素子にフォトダイオ
ードを用いると共に、上記基板にレーザダイオード及び
フォトダイオードを搭載するための素子側ベンチを形成
し、かつ上記溝が形成される位置に溝側ベンチを形成し
た請求項１に記載の光導波路型モジュール。 - 【請求項３】 上記レーザダイオードへの電流供給と上
記フォトダイオードからの信号電流を取り出すための金
属膜を上記素子側ベンチ及びクラッド層に形成し、か
つ、上記遮光性の膜に金属膜を用いた請求項１又は２に
記載の光導波路型モジュール。 - 【請求項４】 上記溝を、その深さが基板まで達するよ
うに形成した請求項１から３のいずれかに記載の光導波
路型モジュール。 - 【請求項５】 上記光導波路をｙ字型導波路に形成し、
ｙ字型の分岐部に波長λ２の光を透過すると共に波長λ
２と異なる波長λ１の光を反射するフィルタを配置し、
上記フィルタによって反射される光の出射側光導波路端
面と上記分岐部との間に少なくとも一つの溝を形成した
請求項１から４のいずれかに記載の光導波路型モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21147896A JP3324936B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光導波路型モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21147896A JP3324936B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光導波路型モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1054917A true JPH1054917A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3324936B2 JP3324936B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=16606623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21147896A Expired - Fee Related JP3324936B2 (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 光導波路型モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3324936B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6735366B2 (en) | 1999-12-21 | 2004-05-11 | Nec Corporation | Optical waveguide module |
| KR100460840B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2004-12-09 | 한국전자통신연구원 | 광 및 전기 크로스톡을 동시에 억제할 수 있는 광모듈 |
| WO2007025992A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Eblana Photonics Limited | Semiconductor laser with a waveguide having a void filled with an absorbing material |
| US7248801B2 (en) | 2001-12-04 | 2007-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bidirectional optical communications module |
| US7403676B2 (en) | 2004-06-09 | 2008-07-22 | Nec Corporation | Optical waveguide module |
| KR100878022B1 (ko) * | 2002-09-27 | 2009-01-13 | 주식회사 케이티 | 광점퍼코드 |
| CN112180514A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-05 | 温州大学 | 一种光纤表面波导模谐振产生装置及其调控方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4040517A4 (en) | 2019-09-30 | 2023-10-25 | Kyocera Corporation | Optical waveguide package and light-emitting device |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21147896A patent/JP3324936B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6735366B2 (en) | 1999-12-21 | 2004-05-11 | Nec Corporation | Optical waveguide module |
| US7248801B2 (en) | 2001-12-04 | 2007-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bidirectional optical communications module |
| KR100460840B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2004-12-09 | 한국전자통신연구원 | 광 및 전기 크로스톡을 동시에 억제할 수 있는 광모듈 |
| KR100878022B1 (ko) * | 2002-09-27 | 2009-01-13 | 주식회사 케이티 | 광점퍼코드 |
| US7403676B2 (en) | 2004-06-09 | 2008-07-22 | Nec Corporation | Optical waveguide module |
| WO2007025992A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Eblana Photonics Limited | Semiconductor laser with a waveguide having a void filled with an absorbing material |
| US8040932B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-10-18 | Patchell John A | Semiconductor laser and method of manufacture |
| CN112180514A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-05 | 温州大学 | 一种光纤表面波导模谐振产生装置及其调控方法 |
| CN112180514B (zh) * | 2020-10-09 | 2023-08-01 | 温州大学 | 一种光纤表面波导模谐振产生装置及其调控方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3324936B2 (ja) | 2002-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3792040B2 (ja) | 双方向光半導体装置 | |
| US6157765A (en) | Planar waveguide optical amplifier | |
| EP0905536B1 (en) | Optical module | |
| JP3062884B2 (ja) | Ｓｏｉ光導波路を利用したハイブリッド光集積回路用基板の製造方法 | |
| US6360047B1 (en) | Optical waveguide circuit and method of fabricating same | |
| JPH1168705A (ja) | 双方向ｗｄｍ光送受信モジュール | |
| US5930421A (en) | Optical fiber and method for coupling optical fibers | |
| JPH11248954A (ja) | 光ハイブリッドモジュール | |
| JPH09107142A (ja) | 光増幅器 | |
| US20220270986A1 (en) | Enhanced bonding between iii-v material and oxide material | |
| JP3324936B2 (ja) | 光導波路型モジュール | |
| KR910005948B1 (ko) | 기판 지지 도파관과 정렬된 콤포넌트를 구비한 소자 | |
| JPH08190026A (ja) | 光送受信モジュール | |
| JP2010032921A (ja) | 平面光導波回路 | |
| JPH10227930A (ja) | 温度無依存光導波路およびその製造方法 | |
| JP3147327B2 (ja) | 光導波回路及びその製造方法 | |
| US20060188207A1 (en) | Planar lightwave circuit with an optical protection layer and integrated optical circuit using the same | |
| WO2020080196A1 (ja) | 光接続構造 | |
| US6941048B2 (en) | Optical fiber transmission link having passive, directionally dependent attenuation | |
| JPH0756032A (ja) | ガラス導波路及びその製造方法 | |
| KR100416999B1 (ko) | 평면 도파로 소자형 광증폭기 | |
| JPH11101926A (ja) | 光モジュール | |
| SUMIDA et al. | High-silica guided-wave hybrid optical transmitting-receiving module | |
| CN216013727U (zh) | 一种平面光波导芯片 | |
| JP3920201B2 (ja) | サブキャリアおよびそれを用いた光モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |