JPH1054988A - 配向膜の配向処理方法 - Google Patents
配向膜の配向処理方法Info
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- JPH1054988A JPH1054988A JP22604996A JP22604996A JPH1054988A JP H1054988 A JPH1054988 A JP H1054988A JP 22604996 A JP22604996 A JP 22604996A JP 22604996 A JP22604996 A JP 22604996A JP H1054988 A JPH1054988 A JP H1054988A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パーティクルの発生を抑えることができ、し
かも比較的大きなプレチルト角を発生させることのでき
る配向処理方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板４上に形成された垂直配向膜
６に対して、真空中でイオンビーム１４を、当該配向膜
表面との間の照射角度φを９０度未満にして照射する。
かも比較的大きなプレチルト角を発生させることのでき
る配向処理方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板４上に形成された垂直配向膜
６に対して、真空中でイオンビーム１４を、当該配向膜
表面との間の照射角度φを９０度未満にして照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば液晶ディ
スプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子
を一定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理
を施す配向処理方法に関し、より具体的には、パーティ
クルの発生を抑えることができ、しかも比較的大きなプ
レチルト角を発生させることができる配向処理方法に関
する。
スプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子
を一定方向に配向させるための配向膜に対して配向処理
を施す配向処理方法に関し、より具体的には、パーティ
クルの発生を抑えることができ、しかも比較的大きなプ
レチルト角を発生させることができる配向処理方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を基板面に平行な一方向に配向
させるために、基板の表面にポリイミド等の高分子有機
材料から成る配向膜を塗布や印刷等によって形成するこ
とが行われている。
させるために、基板の表面にポリイミド等の高分子有機
材料から成る配向膜を塗布や印刷等によって形成するこ
とが行われている。
【０００３】この場合、基板の表面に単に配向膜を形成
しただけでは、液晶分子は基板面に平行ではあるけれど
もランダムな方向に配列するだけであって、液晶分子を
基板面に平行な一方向に配列（即ち配向）させることは
できない。
しただけでは、液晶分子は基板面に平行ではあるけれど
もランダムな方向に配列するだけであって、液晶分子を
基板面に平行な一方向に配列（即ち配向）させることは
できない。
【０００４】そこで従来は、基板上に形成された水平配
向膜の表面をナイロンやレーヨン等から成るラビング布
で一定方向に機械的にラビングする（擦る）ことによっ
て配向処理を施したり、あるいは基板上に形成された水
平配向膜にイオンビームを一定方向から照射することに
よって配向処理を施したりしていた。
向膜の表面をナイロンやレーヨン等から成るラビング布
で一定方向に機械的にラビングする（擦る）ことによっ
て配向処理を施したり、あるいは基板上に形成された水
平配向膜にイオンビームを一定方向から照射することに
よって配向処理を施したりしていた。
【０００５】水平配向膜は、液晶分子を基板面に対して
ほぼ平行に配向させる性質を有する配向膜であり、これ
を用いた液晶ディスプレイでは、電圧無印加時に液晶分
子は基板面に対してほぼ平行に並んでおり、電圧印加時
に液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に起き上がる。
ほぼ平行に配向させる性質を有する配向膜であり、これ
を用いた液晶ディスプレイでは、電圧無印加時に液晶分
子は基板面に対してほぼ平行に並んでおり、電圧印加時
に液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に起き上がる。
【０００６】なお、通常は配向処理を施す前に配向膜を
焼成しておく。即ち、基板上に配向膜を塗布等によって
形成し、この配向膜に所定の温度と時間（例えば８０〜
１００度、２分間程度）でプリベークを行う。焼成前に
プリベークを行うのは、簡単に言えば、ウエット状態の
膜を均一にし、均一加熱で溶媒を均一に蒸発させ均一な
膜面を得ることと、溶媒の突沸を防いで配向膜にクラッ
クや剥がれ等の不具合が生じることを防止するためであ
る。更にプリベーク後の配向膜に所定の温度と時間（例
えば２００〜２５０度、３０分間程度）で焼成を行う。
焼成を行うのは、簡単に言えば、高分子有機材料を反応
重合させ、硬化させるためである。そして焼成後の配向
膜に対して上記のようにして配向処理を施す。
焼成しておく。即ち、基板上に配向膜を塗布等によって
形成し、この配向膜に所定の温度と時間（例えば８０〜
１００度、２分間程度）でプリベークを行う。焼成前に
プリベークを行うのは、簡単に言えば、ウエット状態の
膜を均一にし、均一加熱で溶媒を均一に蒸発させ均一な
膜面を得ることと、溶媒の突沸を防いで配向膜にクラッ
クや剥がれ等の不具合が生じることを防止するためであ
る。更にプリベーク後の配向膜に所定の温度と時間（例
えば２００〜２５０度、３０分間程度）で焼成を行う。
焼成を行うのは、簡単に言えば、高分子有機材料を反応
重合させ、硬化させるためである。そして焼成後の配向
膜に対して上記のようにして配向処理を施す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にラビングによって水平配向膜に配向処理を施す方法で
は、ラビングの際にパーティクル（ゴミ）が発生するた
め、これが液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいて
は歩留まりを低下させる要因になるという問題がある。
例えば、パーティクルが発生してそれが配向膜に付着し
ていると、それによって表示むらが生じて表示品質が低
下したり、電気的にショートする箇所が生じたりする。
にラビングによって水平配向膜に配向処理を施す方法で
は、ラビングの際にパーティクル（ゴミ）が発生するた
め、これが液晶ディスプレイの特性を悪化させ、ひいて
は歩留まりを低下させる要因になるという問題がある。
例えば、パーティクルが発生してそれが配向膜に付着し
ていると、それによって表示むらが生じて表示品質が低
下したり、電気的にショートする箇所が生じたりする。
【０００８】また、イオンビームによって水平配向膜に
配向処理を施す方法では、非接触処理であるのでパーテ
ィクルの発生を抑えることができるけれども、プレチル
ト角（電圧無印加時に液晶分子を配向膜面から起き上が
らせる角度）を発生させるのが難しく、発生させること
ができたとしても通常は１度未満と非常に小さく、その
ために、液晶ディスプレイ内で電圧印加時に液晶分子の
起き上がりが一方向に起こらないためにディスクリネー
ションと呼ばれる表示むらが発生し、表示品質が低下す
るという問題がある。
配向処理を施す方法では、非接触処理であるのでパーテ
ィクルの発生を抑えることができるけれども、プレチル
ト角（電圧無印加時に液晶分子を配向膜面から起き上が
らせる角度）を発生させるのが難しく、発生させること
ができたとしても通常は１度未満と非常に小さく、その
ために、液晶ディスプレイ内で電圧印加時に液晶分子の
起き上がりが一方向に起こらないためにディスクリネー
ションと呼ばれる表示むらが発生し、表示品質が低下す
るという問題がある。
【０００９】そこでこの発明は、パーティクルの発生を
抑えることができ、しかも比較的大きなプレチルト角を
発生させることのできる配向処理方法を提供することを
主たる目的とする。
抑えることができ、しかも比較的大きなプレチルト角を
発生させることのできる配向処理方法を提供することを
主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の配向処理方法は、基板上に形成されてい
て液晶分子を基板面に対してほぼ垂直に配向させる性質
を有する垂直配向膜に対して、真空中でイオンビーム
を、当該配向膜表面との間の照射角度を９０度未満（０
度を含まない）にして照射することを特徴とする。
め、この発明の配向処理方法は、基板上に形成されてい
て液晶分子を基板面に対してほぼ垂直に配向させる性質
を有する垂直配向膜に対して、真空中でイオンビーム
を、当該配向膜表面との間の照射角度を９０度未満（０
度を含まない）にして照射することを特徴とする。
【００１１】従来の水平配向膜にイオンビームを照射す
る配向処理方法では、イオンビーム照射によって、配向
膜を構成する高分子の主鎖を少し切断して一定方向に並
べることができ、これによって液晶分子を一定方向に配
向させることはできるけれども、水平配向膜は高分子の
側鎖の長さが短くかつ数も少ないので、イオンビーム照
射によってこの側鎖がほぼ完全に切断されて側鎖が殆ど
残らなくなる。高分子の側鎖に沿って液晶分子が配向す
ることによってプレチルト角が生じるので、側鎖が殆ど
残らなくなることによって、プレチルト角は殆ど発生し
なくなる。これが、従来の水平配向膜にイオンビームを
照射する配向処理方法でプレチルト角が殆ど発生しない
理由であると考えられる。
る配向処理方法では、イオンビーム照射によって、配向
膜を構成する高分子の主鎖を少し切断して一定方向に並
べることができ、これによって液晶分子を一定方向に配
向させることはできるけれども、水平配向膜は高分子の
側鎖の長さが短くかつ数も少ないので、イオンビーム照
射によってこの側鎖がほぼ完全に切断されて側鎖が殆ど
残らなくなる。高分子の側鎖に沿って液晶分子が配向す
ることによってプレチルト角が生じるので、側鎖が殆ど
残らなくなることによって、プレチルト角は殆ど発生し
なくなる。これが、従来の水平配向膜にイオンビームを
照射する配向処理方法でプレチルト角が殆ど発生しない
理由であると考えられる。
【００１２】これに対してこの発明では、垂直配向膜に
イオンビームを照射角度が９０度未満で照射して配向処
理を施す。垂直配向膜は、本来は、液晶分子を基板面に
対してほぼ垂直に配向させる性質を有する配向膜であ
り、これを用いた液晶ディスプレイでは、電圧無印加時
に液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に並んでおり、電
圧印加時に液晶分子は基板面に対してほぼ平行に寝る。
イオンビームを照射角度が９０度未満で照射して配向処
理を施す。垂直配向膜は、本来は、液晶分子を基板面に
対してほぼ垂直に配向させる性質を有する配向膜であ
り、これを用いた液晶ディスプレイでは、電圧無印加時
に液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に並んでおり、電
圧印加時に液晶分子は基板面に対してほぼ平行に寝る。
【００１３】このような垂直配向膜は、それを構成する
高分子の側鎖の長さおよび数が水平配向膜のそれよりも
長くかつ多い。このような垂直配向膜にイオンビームを
照射角度が９０度未満で照射すると、その高分子の主鎖
が少し切断され、その切断された主鎖がイオンビーム照
射方向にほぼ沿って並び、それに沿って液晶分子が配向
するようになる。従って、当該垂直配向膜に配向処理を
施すことができる。更に、高分子の側鎖が長くかつ数も
多いので、イオンビーム照射によって側鎖が切断される
としても、ある程度の長さおよび数の側鎖が残るように
なり、この側鎖に沿って液晶分子が配向するので、比較
的大きなプレチルト角を発生させることができる。
高分子の側鎖の長さおよび数が水平配向膜のそれよりも
長くかつ多い。このような垂直配向膜にイオンビームを
照射角度が９０度未満で照射すると、その高分子の主鎖
が少し切断され、その切断された主鎖がイオンビーム照
射方向にほぼ沿って並び、それに沿って液晶分子が配向
するようになる。従って、当該垂直配向膜に配向処理を
施すことができる。更に、高分子の側鎖が長くかつ数も
多いので、イオンビーム照射によって側鎖が切断される
としても、ある程度の長さおよび数の側鎖が残るように
なり、この側鎖に沿って液晶分子が配向するので、比較
的大きなプレチルト角を発生させることができる。
【００１４】しかもこの方法では、従来の機械的ラビン
グ法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことが
できるので、パーティクルの発生を抑えることができ
る。
グ法と違って、非接触で配向膜に配向処理を施すことが
できるので、パーティクルの発生を抑えることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る配向処理
方法を実施する装置の一例を示す概略図である。図示し
ない真空容器内に、配向処理を施そうとする配向膜付基
板２を保持するホルダ８が設けられている。このホルダ
８は、この例では、垂直配向膜６の表面に対するイオン
ビーム１４の照射角度φを変えることができるように回
転軸１０を中心にして矢印Ａのように回転可能である。
方法を実施する装置の一例を示す概略図である。図示し
ない真空容器内に、配向処理を施そうとする配向膜付基
板２を保持するホルダ８が設けられている。このホルダ
８は、この例では、垂直配向膜６の表面に対するイオン
ビーム１４の照射角度φを変えることができるように回
転軸１０を中心にして矢印Ａのように回転可能である。
【００１６】ホルダ８の上方には、ホルダ８上の配向膜
付基板２の垂直配向膜６に向けてイオンビーム１４を照
射するイオン源１２および同垂直配向膜６に電子１８を
供給するフィラメント１６が設けられている。
付基板２の垂直配向膜６に向けてイオンビーム１４を照
射するイオン源１２および同垂直配向膜６に電子１８を
供給するフィラメント１６が設けられている。
【００１７】配向膜付基板２は、この例ではガラス基板
４の表面に、垂直配向用の有機高分子から成る垂直配向
膜６を塗布したものである。この垂直配向膜６は、例え
ば、アルキル鎖を持つアルコキシラン、フッ素やシ
リコーン等を導入して多数の側鎖アルキル基を持たせた
ポリイミド、等から成る。なお、液晶ディスプレイを構
成する場合は、ガラス基板４と垂直配向膜６との間に、
ＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）あるいはＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）等が形成される。
４の表面に、垂直配向用の有機高分子から成る垂直配向
膜６を塗布したものである。この垂直配向膜６は、例え
ば、アルキル鎖を持つアルコキシラン、フッ素やシ
リコーン等を導入して多数の側鎖アルキル基を持たせた
ポリイミド、等から成る。なお、液晶ディスプレイを構
成する場合は、ガラス基板４と垂直配向膜６との間に、
ＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）あるいはＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）等が形成される。
【００１８】上記のような装置を用いて、例えば５×１
０-5Ｔｏｒｒ程度の真空中で、配向膜付基板２上の垂直
配向膜６に対して、イオン源１２から引き出したイオン
ビーム１４をその電流密度を種々に変えて照射した。
０-5Ｔｏｒｒ程度の真空中で、配向膜付基板２上の垂直
配向膜６に対して、イオン源１２から引き出したイオン
ビーム１４をその電流密度を種々に変えて照射した。
【００１９】なお、イオンビーム照射の際には、イオン
ビーム照射と同時に、フィラメント１６から引き出した
電子１８を垂直配向膜６に供給して、イオンビーム１４
による正電荷を中和させるのが好ましい。これは、イオ
ンビーム１４による正電荷が垂直配向膜６の表面に溜ま
ると、それがイオンビーム１４の飛来の邪魔をして、垂
直配向膜６の処理が困難になったり、不均一になったり
するので、更には配向処理後に液晶セルを構成したとき
に電荷によって液晶分子の配向が乱れたりするので、そ
れを電子供給によって防止することができるからであ
る。
ビーム照射と同時に、フィラメント１６から引き出した
電子１８を垂直配向膜６に供給して、イオンビーム１４
による正電荷を中和させるのが好ましい。これは、イオ
ンビーム１４による正電荷が垂直配向膜６の表面に溜ま
ると、それがイオンビーム１４の飛来の邪魔をして、垂
直配向膜６の処理が困難になったり、不均一になったり
するので、更には配向処理後に液晶セルを構成したとき
に電荷によって液晶分子の配向が乱れたりするので、そ
れを電子供給によって防止することができるからであ
る。
【００２０】上記イオンビーム１４の加速エネルギー
は、特に限定はないが、この実施例では１００〜５００
ｅＶとした。
は、特に限定はないが、この実施例では１００〜５００
ｅＶとした。
【００２１】上記イオンビーム１４には、例えばヘリウ
ム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスイオンビームまた
は窒素、酸素等の無機ガスイオンビームを用いるのが好
ましい。この例ではアルゴンイオンビームを用いた。
ム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスイオンビームまた
は窒素、酸素等の無機ガスイオンビームを用いるのが好
ましい。この例ではアルゴンイオンビームを用いた。
【００２２】そして、上記のようにして処理された配向
膜付基板２を用いて液晶セルを構成し、その液晶の配向
状況を調べたところ、液晶セルは光学的異方性を示し、
液晶の配向が確認できた。
膜付基板２を用いて液晶セルを構成し、その液晶の配向
状況を調べたところ、液晶セルは光学的異方性を示し、
液晶の配向が確認できた。
【００２３】更に、処理の際のイオンビーム１４の電流
密度と、その処理によって得られた配向膜付基板２にお
ける液晶分子のプレチルト角との関係を測定したとこ
ろ、図２に示す結果が得られた。なお、このときのイオ
ンビーム１４の照射角度φは３０度とした。
密度と、その処理によって得られた配向膜付基板２にお
ける液晶分子のプレチルト角との関係を測定したとこ
ろ、図２に示す結果が得られた。なお、このときのイオ
ンビーム１４の照射角度φは３０度とした。
【００２４】この図から、イオンビーム１４の電流密度
が０近くでは、イオンビーム照射効果が非常に小さいの
で、プレチルト角は、垂直配向膜６の本来のプレチルト
角である９０度に近い値になっており、イオンビーム１
４の電流密度が大きくなるほど、プレチルト角は小さく
なることが分かる。これは、イオンビーム１４の電流密
度が大きいほど、垂直配向膜６を構成する高分子の側鎖
を切断する確率が高くなるからであると考えられる。従
って、この方法によれば、イオンビーム１４の電流密度
を変化させることによって、容易に、プレチルト角を０
度近くから９０度近くまで広範囲に制御することができ
る。
が０近くでは、イオンビーム照射効果が非常に小さいの
で、プレチルト角は、垂直配向膜６の本来のプレチルト
角である９０度に近い値になっており、イオンビーム１
４の電流密度が大きくなるほど、プレチルト角は小さく
なることが分かる。これは、イオンビーム１４の電流密
度が大きいほど、垂直配向膜６を構成する高分子の側鎖
を切断する確率が高くなるからであると考えられる。従
って、この方法によれば、イオンビーム１４の電流密度
を変化させることによって、容易に、プレチルト角を０
度近くから９０度近くまで広範囲に制御することができ
る。
【００２５】もっとも、単純マトリクス型、ＳＴＮ（ス
ーパーツイストネマチック）型あるいはアクティブマト
リクス型の液晶ディスプレイを構成する場合のプレチル
ト角は、通常は、１度〜８度程度、大きくてもせいぜい
十数度あれば十分であるので、そのようなプレチルト角
を実現するためには、この例の場合は、垂直配向膜６に
照射するイオンビーム１４の電流密度は、０．１〜０．
３ｍＡ／ｃｍ2 の範囲内にするのが好ましい。
ーパーツイストネマチック）型あるいはアクティブマト
リクス型の液晶ディスプレイを構成する場合のプレチル
ト角は、通常は、１度〜８度程度、大きくてもせいぜい
十数度あれば十分であるので、そのようなプレチルト角
を実現するためには、この例の場合は、垂直配向膜６に
照射するイオンビーム１４の電流密度は、０．１〜０．
３ｍＡ／ｃｍ2 の範囲内にするのが好ましい。
【００２６】また、イオンビーム１４の加速エネルギー
は、上記例では１００〜５００ｅＶとしたが、この加速
エネルギーが大きくなるほど、垂直配向膜６を構成する
高分子の側鎖を切断する確率は高くなるので、プレチル
ト角は小さくなる傾向を示す。
は、上記例では１００〜５００ｅＶとしたが、この加速
エネルギーが大きくなるほど、垂直配向膜６を構成する
高分子の側鎖を切断する確率は高くなるので、プレチル
ト角は小さくなる傾向を示す。
【００２７】また、垂直配向膜６に対するイオンビーム
１４の照射角度φは、基本的には９０度未満であれば良
いが、照射角度φがあまり大きいと、垂直配向膜６を構
成する高分子の側鎖を切断する作用が小さくてビーム電
流密度や加速エネルギーの割にはプレチルト角を小さく
することができないので処理の効率が悪く、照射角度φ
があまり小さいと、垂直配向膜６の表面をスパッタする
作用が強過ぎて当該表面が荒れるので、照射角度φは、
２０〜６０度の範囲内にするのが好ましく、その内でも
３０〜４０度の範囲内にするのがより好ましいと言え
る。
１４の照射角度φは、基本的には９０度未満であれば良
いが、照射角度φがあまり大きいと、垂直配向膜６を構
成する高分子の側鎖を切断する作用が小さくてビーム電
流密度や加速エネルギーの割にはプレチルト角を小さく
することができないので処理の効率が悪く、照射角度φ
があまり小さいと、垂直配向膜６の表面をスパッタする
作用が強過ぎて当該表面が荒れるので、照射角度φは、
２０〜６０度の範囲内にするのが好ましく、その内でも
３０〜４０度の範囲内にするのがより好ましいと言え
る。
【００２８】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルの発生を
抑えることができる。その結果、液晶ディスプレイの特
性を悪化させる要因が少なくなるので、液晶ディスプレ
イの歩留まりを向上させることができる。
ビーム照射によって非接触で配向膜に配向処理を施すこ
とができるので、配向処理の際のパーティクルの発生を
抑えることができる。その結果、液晶ディスプレイの特
性を悪化させる要因が少なくなるので、液晶ディスプレ
イの歩留まりを向上させることができる。
【００２９】しかも、従来の水平配向膜にイオンビーム
を照射する配向処理方法では困難であった、比較的大き
なプレチルト角を容易に発生させることができるので、
液晶ディスプレイの表示むらやチラツキの原因になるデ
ィスクリネーションの発生を防止することができる。従
って、表示品質の優れた液晶ディスプレイの実現に大き
く寄与することができる。
を照射する配向処理方法では困難であった、比較的大き
なプレチルト角を容易に発生させることができるので、
液晶ディスプレイの表示むらやチラツキの原因になるデ
ィスクリネーションの発生を防止することができる。従
って、表示品質の優れた液晶ディスプレイの実現に大き
く寄与することができる。
【００３０】また、垂直配向膜に照射するイオンビーム
の電流密度を変化させることによって、容易にプレチル
ト角を広範囲に制御することができるので、液晶ディス
プレイのタイプに応じた最適のプレチルト角を容易に実
現することができる。
の電流密度を変化させることによって、容易にプレチル
ト角を広範囲に制御することができるので、液晶ディス
プレイのタイプに応じた最適のプレチルト角を容易に実
現することができる。
【図１】この発明に係る配向処理方法を実施する装置の
一例を示す概略図である。
一例を示す概略図である。
【図２】イオンビームの電流密度と液晶分子のプレチル
ト角との関係の測定結果の一例を示す図である。
ト角との関係の測定結果の一例を示す図である。
２ 配向膜付基板 ４ ガラス基板 ６ 垂直配向膜 １２ イオン源 １４ イオンビーム φ 照射角度
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されていて液晶分子を基板
面に対してほぼ垂直に配向させる性質を有する垂直配向
膜に対して、真空中でイオンビームを、当該配向膜表面
との間の照射角度を９０度未満（０度を含まない）にし
て照射することを特徴とする配向膜の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604996A JPH1054988A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配向膜の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22604996A JPH1054988A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配向膜の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1054988A true JPH1054988A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16838997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22604996A Pending JPH1054988A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 配向膜の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1054988A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7125587B2 (en) * | 2002-05-20 | 2006-10-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. | Ion beam for enhancing optical properties of materials |
| CN100520533C (zh) | 1999-06-01 | 2009-07-29 | 维迪奥肯全球有限公司 | 获得液晶垂直排列或倾斜垂直排列的方法及制得的结构 |
| US8780142B2 (en) | 2005-03-02 | 2014-07-15 | Innolux Corporation | Active matrix display devices and methods of driving the same |
| CN115220254A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-21 | 合肥工业大学 | 一种反应离子刻蚀处理取向层控制液晶分子预倾角方法 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP22604996A patent/JPH1054988A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100520533C (zh) | 1999-06-01 | 2009-07-29 | 维迪奥肯全球有限公司 | 获得液晶垂直排列或倾斜垂直排列的方法及制得的结构 |
| US7125587B2 (en) * | 2002-05-20 | 2006-10-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. | Ion beam for enhancing optical properties of materials |
| US8780142B2 (en) | 2005-03-02 | 2014-07-15 | Innolux Corporation | Active matrix display devices and methods of driving the same |
| CN115220254A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-10-21 | 合肥工业大学 | 一种反应离子刻蚀处理取向层控制液晶分子预倾角方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041124 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |