JPH1055070A

JPH1055070A - レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH1055070A
Application number: JP9077085A
Authority: JP
Inventors: Toshio Ito; 敏雄伊東; Yoshikazu Sakata; 美和坂田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-03-28
Publication date: 1998-02-24

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】パターニング特性へのパターニング時の水分
環境の影響を少なくする。レジストパターンの形成方法
を提供する。【解決手段】下記式で示されるポリ（ヒドロキシス
チレン）誘導体と、光照射により酸を発生する酸発生剤
とを含むフォトレジスト組成物を用意する。この組成物
の膜を下地上に形成する。該膜に選択的に露光をした後
に、該膜に熱処理をする。その後、現像液により現像す
る。（但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、水素、アルキル基又は
アリーる基であり、同一であっても異なっていても良
い。また、ＸはＯ（酸素）又はＳ（イオウ）である。ま
た、ｎは正の整数である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造等に用いられるレジストパターン形成方法およびこれ
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レジストパターンを高解像度かつ高スル
ープットで形成できる方法の１つとして、化学増幅型の
フォトレジスト組成物を用いる方法がある。そしてその
従来例として、特開昭６３−２９２１２８号公報に開示
の方法があった。

【０００３】この特開昭６３−２９２１２８号公報に開
示の方法では、シリル化ポリ（ヒドロキシスチレン）即
ちシリル化ポリ（ビニルフェノール）と、光照射により
酸を発生する化合物とから成るフォトレジスト組成物の
膜が下地上に形成される。次に、この膜を熱処理し、次
に波長２４０〜２６０ｎｍの光で露光し、次に熱処理を
し、次に現像をして、レジストパターンが形成される。

【０００４】パターン形成原理は次の通りである。シリ
ル化ポリ（ビニルフェノール）の光照射された部分では
酸が発生する。そして、シリル化ポリ（ビニルフェノー
ル）の光照射された部分は、上記酸の触媒作用によりフ
ェノール樹脂に再び戻るので、アルカリ現像液可溶性に
なる。そのため、現像によりレジストパターンが形成さ
れる。この特開昭６３−２９２１２８号公報に開示の方
法では、膜厚が１．０μｍのレジスト膜について、６０
ｍＪ／ｃｍ² の露光量で所望のレジストパターンが得ら
れるという。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−２９２１２８号公報に開示のフォトレジスト組成
物では、露光後にその試料を水に浸漬しその後アルカリ
現像液により現像を行った場合に比べ、水に浸漬しない
場合の現像時間は長くなり、またパターンの解像度は低
下してしまう。即ち、このフォトレジスト組成物の場
合、膜厚を１μｍ以上とする場合は、現像時に試料を水
に浸漬する必要があった。

【０００６】これは、酸によるシリル基の脱離でポリ
（ヒドロキシスチレン）が再生する反応に水が必要であ
ることを意味し、従って、製造工程中において水分管理
が必要であることを意味する。しかし、このような水分
管理は、それ自体が煩雑でありまたコストの増大を招く
ので好ましいことではない。

【０００７】したがって、酸の作用により現像液可溶性
になるフォトレジスト組成物を用いたレジストパターン
形成方法であってパターニング特性がパターニング時の
水分環境に影響されることが少ないレジストパターン形
成方法が望まれる。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のレジストパターン形成方法によれば、酸
により脱離するアセタール基によって水酸基が保護され
ているポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体と光照射によ
り酸を発生する酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物
の膜を、下地上に形成する第１の工程と、該膜に目的の
パターンに応じた選択的な露光をする第２の工程と、該
露光の済んだ膜に熱処理をする第３の工程と、該熱処理
の済んだ膜を現像する第４の工程とを含むことを特徴と
する。

【０００９】なお、この発明の実施に当たり、前記ポリ
（ヒドロキシスチレン）誘導体を下記の式又は式で
示されるものとするのが好適である（但し、式におい
て、Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は、水素、アルキル基又はアリ
ール基であり、同一であっても一部又は全部が異なって
いても良い。また、ＸはＯ（酸素）又はＳ（イオウ）で
ある。また、ｎは正の整数である。また、式におい
て、Ｒ⁴ は水素、アルキル基又はアリール基である。ま
た、Ｒ⁵ は置換基を有する炭素数が２又は３のアルキレ
ン基である。また、ＸはＯ（酸素）又はＳ（イオウ）で
ある。また、ｎは正の整数である。）。

【００１０】

【化３】

【００１１】上記の式で示されるポリ（ヒドロキシス
チレン）誘導体、即ちアセタール化ポリ（ヒドロキシス
チレン）は、例えば、下記反応式（Ｉ）に示すように、
ポリ（ヒドロキシスチレン）とアルキルビニルエーテル
とを酸触媒を用いて反応させることにより得られる（但
し、（Ｉ）式中のＲ² 、Ｒ³ 及びＲ⁶ は、水素又はアル
キル基であり、同一であっても一部又は全部が異なって
いても良い。また、Ｒ¹ はアルキル基である。また、ｎ
は正の整数である。）

【００１２】

【化４】

【００１３】また、式で示されるポリ（ヒドロキシス
チレン）誘導体も式のものの合成法に準じた方法によ
り得られる。ここで、ポリ（ヒドロキシスチレン）のフ
ェノール水酸基に対するアセタール化の度合（アセター
ル化率）については、当該フォトレジスト組成物の露光
部及び未露光部両者のアルカリ現像液に対する溶解速度
に充分な差が出る程度であれば良い。未露光部の現像後
の膜減りは実質的に０であることが望ましい訳であり、
この点を考慮すると、アセタール化率は少なくとも８０
％以上にするのが好ましい。しかし、未露光部を現像液
に不溶と出来るアセタール化率は、アセタールの種類に
よる疎水性の度合の違いによっても変わり、また、アセ
タール化率を狭い範囲でコントロールすること自体合成
上好ましいことではないので、アセタール化をほぼ１０
０％行ってしまう方が合成の点からいっても膜減り防止
の点からいっても好ましい。

【００１４】式で示される物質の具体例としては、こ
れに限られるものではないが、下記式で示されるポリ
（ヒドロキシスチレン）の１−メチル−１−メトキシメ
チルエーテル、下記式で示されるポリ（ヒドロキシス
チレン）の１−エトキシエチルエーテル等を挙げること
が出来る。

【００１５】

【化５】

【００１６】また、式で示される物質の具体例として
は、これに限られるものではないが、下記式で示され
るポリ（ヒドロキシスチレン）の２−テトラヒドロチオ
フラニルエーテル、下記式で示されるポリ（ヒドロキ
シスチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、下記
式で示されるポリ（ヒドロキシスチレン）のテトラヒド
ロフラニルエーテル、下記式で示されるポリ（ヒドロ
キシスチレン）の４−メトキシテトラヒドロピラニルエ
ーテル、下記式で示されるポリ（ヒドロキシスチレ
ン）のテトラヒドロチオピラニルエーテル等を挙げるこ
とが出来る。

【００１７】

【化６】

【００１８】

【化７】

【００１９】また、この発明の実施に当たり、前述の酸
発生剤をスルホニウム塩またはヨードニウム塩とするの
が好適であり、さらに好ましくはトリアリールスルホニ
ウム塩又はジアリールヨードニウム塩とするのが好適で
ある。酸発生剤としてジアゾニウム塩を用いることも考
えられるが、これは、熱安定性が悪いため不適当であ
る。

【００２０】用いて好適なヨードニウム塩としては、こ
れに限られるものではないが、下記(a) 〜(d) 式で示さ
れるものを挙げることが出来る。

【００２１】

【化８】

【００２２】また、用いて好適なスルホニウム塩として
は、これに限られるものではないが、下記(e) 〜(i) 式
で示されるものを挙げることが出来る。

【００２３】

【化９】

【００２４】また、酸発生剤のポリ（ヒドロキシスチレ
ン）誘導体に対する含有量であるが、その下限は触媒反
応（後に（II）式を参照して説明する反応。）を起すこ
とが出来かつ所望の感度が得られる量により主に規定さ
れ、またその上限はフォトレジストの成膜性を損なうこ
とがない量により主に規定される。具体的には、酸発生
剤を、ポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体１００重量部
に対し、１〜５０重量部の範囲内で含ませるのが好適で
ある。

【００２５】なお、この発明のフォトレジスト組成物の
実際の使用に当たっては、これを適当な溶媒に溶解させ
て塗布溶液を調製し、さらに、この塗布溶液をシリコン
基板等のような下地上に例えばスピンコート法により塗
布し、その後、露光前ベーク、露光、露光後ベーク及び
現像を順次に実施する。その際、このフォトレジスト組
成物の感度は、酸発生剤から発生される酸によりポリ
（ヒドロキシスチレン）誘導体の水酸基保護基が脱離す
る反応の速度に依存する。しかし、この脱離反応の速度
は、後述の触媒反応（II式）に依存しているのでリソグ
ラフィ工程における露光後ベークの温度以外の他の条件
を一定にした場合、このフォトレジストの感度は、露光
後ベークの温度に依存することになる。従って、ポスト
ベーク温度は、アセタール脱離反応における触媒反応を
起し得る温度以上でかつ未露光部の発生剤を分解する温
度以下である必要がある。具体的には、６０℃以上１５
０℃以下の範囲内の温度が良い。ただし、アセタール脱
離反応を速やかに起こさせること及びポリ（ヒドロキシ
スチレン）の一部に架橋が起こりパターニング不能とな
る危険性を減少させることを考えると、８０℃以上１２
０℃以下の温度とするのがより好適である。

【００２６】また、この出願の半導体装置の製造方法の
発明によれば、下地上にレジストパターンを形成する工
程を含む半導体装置の製造方法において、レジストパタ
ーンを、この出願の発明に係るレジストパターン形成方
法によって形成することを特徴とする。

【００２７】この出願の各発明によれば、当該フォトレ
ジスト組成物の光照射された部分では、ポリ（ヒドロキ
シスチレン）の水酸基を保護していた保護基が、酸発生
剤から発生された酸により引き抜かれる。この結果、こ
の部分はアルカリ現像液に対し可溶性を示すので、パタ
ーニングが行える。また、この保護基の引き抜きは、特
別な水分を必要とすることなく行える。

【００２８】特に、式又は式で示されるようなポリ
（ヒドロキシスチレン）誘導体を用いた構成の場合は、
水酸基保護基がアセタール炭素の隣接炭素原子上に少な
くとも１個の水素を有するアセタールであるので、化学
的には室温でも０．０１Ｎ塩酸や５％酢酸程度の酸性条
件下でＥ１反応（脱離反応）が容易に起こり、保護基で
あるアセタールがポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体か
ら容易に脱離する。そして、当該フォトレジスト組成物
に含まれる酸発生剤は、光照射により上記アセタールの
脱離に十分な強度の酸、具体的にはルイス酸（リューイ
ス酸）を発生するので、当該フォトレジスト組成物中に
おいては、上記脱離反応が容易に起こる。その反応の様
子を下記の（II）式に示す。なお、（II）式中、Ｅは酸
発生剤が光照射により分解して生成したルイス酸であ
る。また、Ｎｕは同じく分解して生成したルイス塩基
（リューイス塩基）又は樹脂の官能基を構成する酸素原
子である。

【００２９】

【化１０】

【００３０】この（II）式の反応によれば、最終的にフ
ェノール樹脂が生成すると同時にルイス酸Ｅが再生され
る。さらに、再生されたルイス酸Ｅが、当該フォトレジ
スト組成物中のポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体に再
び作用するのでこの反応は触媒的に進む。この触媒（ル
イス酸）は、当該フォトレジスト組成物の皮膜中に少量
生成すれば良いので、この触媒を生成させるために酸発
生剤に照射する露光量は少くて済み、高感度が確保され
る。

【００３１】

【実施例】以下、この出願のレジストパターンの形成方
法の発明および半導体装置の製造方法の発明の実施例に
ついて、併せて説明する。なお、以下の実施例の説明で
述べる使用材料や数値的条件は、この発明の範囲内の好
適例にすぎない。従って、この発明がこれら使用材料や
数値的条件にのみ限定されるものではないことは理解さ
れたい。

【００３２】１．実施例１１−１．合成例始めに、酸により脱離する保護基によって水酸基が保護
されているポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体の１種を
以下に説明するように合成する。

【００３３】重量平均分子量Ｍ_W が１１，０００のポリ
（ヒドロキシスチレン）（丸善石油化学（株）製）１．
２ｇと、パラトルエンスルホン酸０．０６ｇとを、テト
ラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、これを０℃に冷却す
る。

【００３４】次に、この溶液中にメチルビニルエーテル
１．１６ｇを加え８時間反応させる。

【００３５】次に、反応終了後の混合物を２００ｍｌの
冷メタノール中に加える。これにより白色沈殿が生じる
ので、白色沈殿を濾取した後２５℃で１夜真空乾燥して
１．０ｇの乾燥樹脂を得る。

【００３６】この乾燥樹脂は、ポリ（ヒドロキシスチレ
ン）の１メチル−１−メトキシメチルエーテル（上述の
式で示されるもの）に相当する。

【００３７】この乾燥樹脂は、ＩＲ（赤外）スペクトル
で水酸基の吸収がないこと、及び、ＮＭＲ（核磁気共
鳴）スペクトルの芳香族プロトンと１位メチル基との積
分強度比より、エーテル化率が９０％以上のものである
ことが分った。

【００３８】１−２．塗布溶液調製次に、上述の如く合成して得たポリ（ヒドロキシスチレ
ン）の１メチル−１−メトキシメチルエーテル５ｇと、
酸発生剤としてのジフェニルヨードニウムヘキサフルオ
ロアンチモネート（上述の(b) 式で示されるもの）０．
０５ｇとを、酢酸メトキシエチル１５ｍｌに溶解し、こ
の溶液をテフロンフィルタにより濾過して実施例１のフ
ォトレジスト組成物の塗布溶液を調製する。

【００３９】１−３．パターニング実験次に、上記調整したフォトレジスト組成物の塗布溶液
を、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）による疎水化
処理済みの２インチ（１インチは約２．５４ｃｍ）のシ
リコン基板に、回転数２５００／分の条件のスピンコー
ト法によって塗布する。次に、このシリコン基板をホッ
トプレートを用い８０℃の温度で１分間ベークする。こ
の実施例１での、フォトレジスト組成物のベーク後の膜
厚は１．１０μｍであった。

【００４０】次に、このシリコン基板に種々の寸法のラ
イン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）パタンを有するクロ
ムマスクを密着させ、Ｘｅ−Ｈｇランプにより露光をす
る。次に、露光済みのシリコン基板をホットプレートを
用い１００℃の温度で１分間ベークする。

【００４１】次に、０．１１Ｎの水酸化テトラメチルア
ンモニウム水溶液を用い現像を９０秒間行い、レジスト
パターンを形成する。

【００４２】このようなレジストパターン形成操作を露
光量を変えて複数回行う。

【００４３】次に、露光量を変えた試料毎のレジストパ
ターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、こ
れら試料の中から１．０μｍのＬ／Ｓパターンがマスク
パターン通りに形成出来ている試料を探したところ、露
光量を４０ｍＪ／ｃｍ² とした試料がこれに該当した。
さらに、この試料のレジストパターンの断面をＳＥＭに
より観察したところ、０．５μｍのＬ／Ｓパターンがテ
ーパー角度（レジスト側壁と基板面との成す角度）約７
０度を有する状態で形成出来ていることが分った。

【００４４】２．実施例２次に、酸発生剤としてのジフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロアンチモネートを０．１ｇとしたこと以外は実
施例１と同様にして実施例２のフォトレジスト組成物の
塗布溶液を調製する。即ち、実施例１のフォトレジスト
組成物に比べ酸発生剤の含有量が２倍のフォトレジスト
組成物の塗布溶液を調製する。

【００４５】次に、この塗布溶液を用い実施例１のパタ
ーニング実験と同様な手順でパターニング実験をする。
その結果、マスクパターン通りにパターンを解像する露
光量は、２５ｍＪ／ｃｍ² であることが分った。

【００４６】実施例１及び実施例２を比較することで明
らかなように、酸発生剤の含有量の増加に伴い感度が向
上することが分る。しかし、別の実験によれば、酸発生
剤の量が多すぎるとフォトレジスト組成物の成膜性が悪
化してしまう。

【００４７】３．実施例３次に、実施例１で合成したポリ（ヒドロキシスチレン）
の１メチル−１−メトキシメチルエーテル５ｇと、酸発
生剤としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアン
チモネート０．５ｇとを、酢酸メトキシエチル１５ｍｌ
に溶解しこの溶液をテフロンフィルタにより濾過して実
施例３のフォトレジスト組成物の塗布溶液を調製する。

【００４８】次に、この塗布溶液を用い実施例１のパタ
ーニング実験と同様な手順でパターニング実験を行う。
なお、このパターニング実験では、０．１１Ｎの水酸化
テトラメチルアンモニウムにより現像した場合と、０．
１２Ｎの水酸化テトラメチルアンモニウムにより現像し
た場合と、露光済み試料を現像前に純水中に浸漬しその
後０．１２Ｎの水酸化テトラメチルアンモニウムにより
現像した場合（詳細条件は後述する）との違いも調べ
る。

【００４９】その結果、０．１１Ｎの現像液を用いた場
合現像時間は７分必要であった。

【００５０】また、０．１２Ｎの現像液を用いた場合現
像時間は１４０秒であり、然も、マスクパターン通りに
パターンを解像する露光量は、２０ｍＪ／ｃｍ² であ
り、さらに、０．５μｍＬ／Ｓパターンを解像出来てい
ることが分った。一般に、現像液の濃度を上げると感度
及び解像度共に低下するが、実施例３を見る限り、この
発明のフォトレジスト組成物ではそのようなことは起き
ないことが分る。

【００５１】また、露光済み試料を現像前に純水中に５
分間浸漬し、これを風乾させ、その後１００℃の温度で
１分間ベークし、その後０．１２Ｎの水酸化テトラメチ
ルアンモニウムにより現像した場合、マスクパターン通
りにパターンを解像する露光量は２５ｍＪ／ｃｍ² であ
り、また０．５μｍＬ／Ｓパターンを解像出来ているこ
とが分り、通常の現像時とほぼ同じ特性が得られること
が分った。従って、この発明のフォトレジスト組成物
は、パターニング時の水分環境に影響されることなく所
望のパターニングが出来るものであることが分る。

【００５２】４．実施例４次に、実施例４について説明する。

【００５３】４−１．合成例始めに、実施例１同様に重量平均分子量Ｍ_W が１１，０
００のポリ（ヒドロキシスチレン）１．２ｇを用意す
る。次に、これと、２−クロロテトラヒドロチオフェン
１．４７ｇと、トリエチルアミン１．２１ｇとを、テト
ラヒドロフラン１００ｍｌ中に入れ、２５℃の温度で１
６時間反応させる。なお、２−クロロテトラヒドロチオ
フェンは、文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４３，ｐ．３
５４８（１９７８））に記載の方法により合成したもの
を用いる。

【００５４】得られた反応物を冷却メタノール３００ｍ
ｌ中に加えて沈殿を得る。この沈殿物を２５℃で１夜真
空乾燥して０．９ｇの乾燥樹脂を得る。

【００５５】この乾燥樹脂は、ポリ（ヒドロキシスチレ
ン）の２−テトラヒドロチオフラニルエーテル（上述の
式で示されるもの）に相当する。

【００５６】この乾燥樹脂は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）ス
ペクトルのイオウに隣接したプロトンと芳香族プロトン
との積分強度比よりエーテル化率が９０％以上のもので
あることが分った。

【００５７】４−２．塗布溶液調製次に、上述の如く合成して得たポリ（ヒドロキシスチレ
ン）の２−テトラヒドロチオフラニルエーテル７ｇと、
酸発生剤として実施例１と同じジフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート０．０５ｇとを酢酸メト
キシエチル１５ｍｌに溶解しこの溶液をテフロンフィル
タにより濾過して実施例４のフォトレジスト組成物の塗
布溶液を調製する。

【００５８】４−３．パターニング実験次に、この塗布溶液を用い実施例１のパターニング実験
と同様な手順でパターニング実験を行う。

【００５９】その結果、マスクパターン通りにパターン
を解像する露光量は６０ｍＪ／ｃｍ² であり、また０．
５μｍＬ／Ｓパターンを解像出来ていることが分った。

【００６０】この発明は上述の実施例に何ら限定される
ものではなく、多くの変形又は変更を行なうことができ
る。

【００６１】例えば上述の実施例では、酸により脱離す
る保護基によって水酸基が保護されているポリ（ヒドロ
キシスチレン）誘導体は、Ｍ_W が１１，０００のポリ
（ヒドロキシスチレン）を出発材料として合成していた
が、出発材料をレジストとして使用可能な分子量のもの
に変更して得たフォトレジスト組成物を用いた場合も実
施例と同様な効果が得られることは明らかである。

【００６２】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のレジストパターンの形成方法および半導体装置
の製造方法によれば、フォトレジスト組成物の構成成分
の１つであるベース樹脂が、酸により脱離するアセター
ル基によって水酸基が保護されているポリ（ヒドロキシ
スチレン）誘導体とされたフォトレジスト組成物を用い
てレジストパターンを形成する。具体的にはアセタール
炭素の隣接炭素原子上に少なくとも１個の水素を有する
構造のアセタール保護基によって水酸基が保護されてい
るポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体を、樹脂として含
むフォトレジスト組成物を用いて、レジストパターンを
形成する。すると、保護基の脱離は酸の作用により水分
の補助無く行える。このため、従来に比べ、リソグラフ
ィ工程での雰囲気の影響を受けにくい。

【００６３】従って、レジスト処理工程の雰囲気制御に
対する要求の緩和が期待出来、またレジスト塗布済み試
料の品質の経時的なバラツキの低減が期待出来る。その
ため、半導体装置を従来に比べて安価にかつ歩留り良く
製造することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸により脱離するアセタール基によって
水酸基が保護されているポリ（ヒドロキシスチレン）誘
導体と、光照射により酸を発生する酸発生剤とを含むフ
ォトレジスト組成物の膜を、下地上に形成する工程と、該膜に目的のパターンに応じた選択的な露光をする工程
と、該露光の済んだ膜に熱処理をする工程と、該熱処理の済んだ膜を現像する工程とを含むことを特徴
とするレジストパターンの形成方法。
【請求項２】請求項１に記載のレジストパターンの形
成方法において、前記ポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体として下記の
式で示されるものを用いることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法（但し、Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³は、水
素、アルキル基又はアリール基であり、同一であっても
異なっていても良い。また、ＸはＯ（酸素）又はＳ（イ
オウ）である。また、ｎは正の整数である。）。【化１】
【請求項３】請求項１に記載のレジストパターンの形
成方法において、前記ポリ（ヒドロキシスチレン）誘導体として下記の
式で示されるものを用いることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法（但し、Ｒ⁴ は水素、アルキル基又は
アリール基である。また、Ｒ⁵ は置換基を有する炭素数
が２又は３のアルキレン基である。また、ＸはＯ（酸
素）又はＳ（イオウ）である。また、ｎは正の整数であ
る。）。【化２】
【請求項４】請求項１に記載のレジストパターンの形
成方法において、前記酸発生剤としてトリアリールスルホニウム塩又はジ
アリールヨードニウム塩を用いることを特徴とするレジ
ストパターンの形成方法。
【請求項５】請求項１に記載のレジストパターンの形
成方法において、前記酸発生剤を、前記ポリ（ヒドロキシスチレン）誘導
体１００重量部に対し、１〜５０重量部の割合で用いる
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項６】請求項１に記載のレジストパターンの形
成方法において、前記熱処理の際の温度を６０℃〜１５０℃の範囲の温度
とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項７】下地上にレジストパターンを形成する工
程を含む半導体装置の製造方法において、前記レジストパターンを形成する工程として、請求項１
〜６のいずれか１項に記載のレジストパターンの形成工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。