JPH1056006A - 半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置 - Google Patents

半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置

Info

Publication number
JPH1056006A
JPH1056006A JP9153085A JP15308597A JPH1056006A JP H1056006 A JPH1056006 A JP H1056006A JP 9153085 A JP9153085 A JP 9153085A JP 15308597 A JP15308597 A JP 15308597A JP H1056006 A JPH1056006 A JP H1056006A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
etching
chamber
processing chamber
protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9153085A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2989565B2 (ja
Inventor
Josef Dipl Phys Mathuni
マツーニ ヨーゼフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH1056006A publication Critical patent/JPH1056006A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2989565B2 publication Critical patent/JP2989565B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/128—Preparing bulk and homogeneous wafers by edge treatment, e.g. chamfering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学薬品を多量に消費することなく、破損区
域のエッチングを可能にする。 【解決手段】 本発明は、半導体基板１１の表面１２及
び裏面１３にレジスト塗布がなくても、半導体基板１１
の周縁部１４をエッチングすることのできる装置及び方
法を提供する。半導体基板１１は排気可能な処理室２内
に配設された保護室３内に導入される。半導体基板表面
１２及び半導体基板裏面１３はエッチングすべき半導体
基板縁部１４を除いて保護室３によって覆われる。この
半導体基板の周縁部１４上にはエッチング剤が施され、
そしてエッチング生成物及び過剰なエッチング剤は排出
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト塗布のな
い表面及びレジスト塗布のない裏面を有する半導体基板
の周縁部の破損区域のエッチング方法及びこのエッチン
グ方法に好適なエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハを製造する際、ウエハ周
縁部を適当な形状にするためにこのウエハ周縁部が研削
される。この研削プロセスによって結晶には次の加工プ
ロセス時に周縁部から後の活性領域へ伸びるおそれのあ
る擾乱が生じる。活性領域での擾乱は一般に対応するデ
バイスの破損もしくは故障に繋がる。
【０００３】現在、このような損傷を除去するために主
として２つの方法が用いられている。第１の方法はウエ
ハ周縁部を機械的に再研磨することである。しかしなが
ら、この方法では深いところに位置する欠陥は除去する
ことができない。第２の方法はウエットケミカルオーバ
ーエッチング、いわゆる化学的研磨である。その場合、
半導体基板の表面及び裏面を一緒に切除してはならな
い。というのは、半導体基板の表面及び裏面を切除する
とウエハの厚みの均一性が悪化するからである。従っ
て、半導体基板の表面及び裏面は適当に保護するため、
特にレジストで被覆される。このレジスト被覆は化学薬
品を多量に消費する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、化学
薬品を多量に消費することなく破損区域のエッチングを
可能にするように冒頭で述べた種類のエッチング方法及
び装置を開発することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題は、本発
明によれば、レジスト塗布のない表面及び同じくレジス
ト塗布のない裏面を有する半導体基板の周縁部の破損区
域のエッチング方法であって、 ａ）半導体基板を処理室内に配設された保護室内へ導入
して、この保護室によって半導体基板の表面及び裏面を
エッチングすべき半導体基板の周縁部を除いて覆い、 ｂ）半導体基板の周縁部にエッチング剤を施し、エッチ
ング生成物及び過剰なエッチング剤を排出するようにす
ることによって解決される。
【０００６】破損区域（“ダメージ層”）のエッチング
にこの完全にレジスト塗布のない方法を採用することに
よって、半導体基板周縁部を経済的にかつ非常に迅速に
エッチングすることができる。
【０００７】本発明による方法において、半導体基板の
表面及び裏面上に保護ガスを導くと好適である。この保
護ガスの導入によって半導体基板の表面及び裏面はエッ
チング剤によるエッチング攻撃から特に良好に保護され
ることが保証される。通常保護室の内部はエッチング剤
の侵入を充分に阻止する僅かな過圧にすればよい。
【０００８】優れた一実施態様においては、エッチング
剤としてガス又は混合ガスが使用される。このガス又は
混合ガスが処理室から分離したプラズマ発生装置内でマ
イクロ波又は高周波によって励起されてプラズマにさ
れ、それによりエッチングプロセスがラジカルによって
実行されると好適である。この方法は公知のように真空
条件下で行われる。
【０００９】別の実施態様においては、エッチング剤と
してエッチング液が使用される。このエッチング液はエ
ッチングすべき半導体基板周縁部上に微細な液滴で吹付
けられる。その場合、半導体基板周縁部とエッチング液
との特に良好な化学反応を保証するために、半導体基板
及び／又は処理室が１００℃以下の温度に加熱されると
好適である。さらにこれによって、半導体基板及び処理
室にはエッチング液の凝結が生じない。加熱は加熱装置
によって又は保護ガスの熱伝達によって行うことができ
る。
【００１０】レジスト塗布のない半導体基板の表面及び
裏面を有する半導体基板の周縁部の破損区域の本発明に
よるエッチング装置は、 α）処理室と、 β）この処理室内に配設され、半導体基板の表面を第１
の保護室部によってかつ半導体基板の裏面を第２の保護
室部によってエッチングすべき半導体基板周縁部を除い
て覆う保護室と、 γ）処理室に配設され、エッチング剤を半導体基板周縁
部へもたらすエッチング剤流入口とから構成される。
【００１１】優れた一実施態様においては、第１の保護
室部の領域及び第２の保護室部の領域にはそれぞれ保護
ガス流入口が配設され、レジスト塗布のない半導体基板
の表面及び裏面をエッチング作用から効果的に保護する
ために、保護ガスがその保護ガス流入口を通ってレジス
ト塗布のない半導体基板の表面及び裏面上に導入され
る。
【００１２】さらに第１の保護室部の領域には、半導体
基板の表面の上方の中央に位置して保護ガスを流入させ
る少なくとも１つの開口部を備えた上板を設け、第２の
保護室部の領域には、半導体基板の裏面の下方の中央に
位置して保護ガスを流入させる少なくとも１つの開口部
を備えた下板を設けることができる。
【００１３】さらに、上板及び下板はその外側周縁部に
半導体基板の方向へ向いたフードを備えることができ
る。しかもその場合処理室又は各保護室部にはこのフー
ドの周囲にエッチングすべき半導体基板周縁部を規定す
る外側フードが設けられ、フードと外側フードとの間に
は導入された保護ガスを排気装置によって吸引する間隙
が設けられる。
【００１４】半導体基板を製造するために、第２の保護
室部の領域には少なくとも３本のピンを設けることがで
きる。
【００１５】特に優れた実施態様においては、３本のピ
ンの代わりに、処理室内には半導体基板をその半導体基
板の外側エッジのみで点状に載せる保持フードを設ける
ことができる。このような措置を講ずることによって、
半導体基板はその表面及び裏面が接触することがなくな
り、これにより破損から保護される。
【００１６】本発明によるエッチング装置がいわゆるマ
ルチチャンバ装置に組込まれ、それによりエッチングす
べき半導体基板の搬入及び搬出が完全に自動的に行わ
れ、そしてこのマルチチャンバ装置内で他のもしくは上
述のプロセス工程を直接行うことができるようにすると
好適である。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【００１８】図１に示されているように、本発明による
エッチング装置１はここでは処理室２に接続された排気
装置（図示されていない）を有している。
【００１９】処理室２内には保護室３が配置されてい
る。この保護室３内には、レジスト塗布のない裏面１３
及び同じくレジスト塗布のない表面１２を有する円板状
半導体基板（シリコンウエハ）１１が導入されている。
この実施例においては、レジスト塗布のない半導体基板
の表面１２はその面が上方に向けられている、すなわち
その表面１２は加工されていない状態で保護室３内へ導
入されている。
【００２０】保護室３は処理室２内で上側に配置された
第１の保護室部４と、処理室２内で下側に配置された第
２の保護室部５とから構成されている。第１の保護室部
４は半導体基板の表面１２を覆い、第２の保護室部５は
半導体基板の裏面１３を覆い、その場合エッチングすべ
き半導体基板の周縁部１４は覆われていない。
【００２１】第１の保護室部４及び第２の保護室部５に
はそれぞれ保護ガス流入口７が配置されている。レジス
ト塗布のない半導体基板の表面１２及び裏面１３をエッ
チング作用から保護するために、保護ガス１６がその保
護ガス流入口７を通ってレジスト塗布のない半導体基板
の表面１２上及び裏面１３上に導入される。
【００２２】第１の保護室部４の領域には半導体基板の
表面１２の上方の中央に位置する開口部１７を有する上
板９が設けられており、その開口部１７を通って保護ガ
ス１６が半導体基板の表面１２上へ流入する。
【００２３】第２の保護室部５の領域には対応して下板
１０が設けられている。この下板１０は同様に半導体基
板の裏面１３の下方の中央に位置する開口部１７を有し
ており、その開口部１７を通って保護ガス１６が半導体
基板の裏面１３上へ流入する。
【００２４】上板９ならびに下板１０はその外側周縁部
に半導体基板１１に向けられたフード１８、１９をそれ
ぞれ有している。さらに、このフード１８、１９の外側
には外側フード２０、２１が処理室２内に配置されてお
り、この外側フード２０、２１によってエッチングすべ
き半導体基板の周縁部１４が予め定められる。
【００２５】フード１８、１９と外側フード２０、２１
との間には、導入された保護ガス１６を吸引装置によっ
て吸引するために使う間隙２２、２３が設けられてい
る。
【００２６】特に図２に示されているように、半導体基
板１１はこの実施例においては処理室内に配置された多
数のピンから構成された保持装置２４によって半導体基
板の外側エッジ２７だけで保持されている。外側フード
２０と半導体基板１１の表面１２との間、及び外側フー
ド２１と半導体基板１１の裏面１３との間には約０．１
ｍｍの間隔８がそれぞれ設けられており、この間隔を通
って、流入した保護ガスが吸引される。フード１８と外
側フード２０と間の間隙２２、及びフード１９と外側フ
ード２１と間の間隙２３は標準的に約２ｍｍの幅を有す
る。流入した保護ガスはこの間隙２２、２３を通っても
吸引される。保護ガスとして通常窒素が使用される。し
かしながら保護ガスは同様にアルゴンもしくは他の不活
性ガスを使用することもできる。
【００２７】さらに処理室２にはエッチング剤流入口６
が設けられており、このエッチング剤流入口６を通って
エッチング剤１５が処理室２内に導入される。エッチン
グ剤１５としてこの場合混合ガスが使用される。この混
合ガスはＣＦ4 及びＯ2 から成る混合ガスであるが、し
かしながら他の混合ガスを使用することも可能である。
【００２８】導入された混合ガスはこの場合処理室２か
ら分離したプラズマ発生室２５内でマイクロ波によって
励起されてプラズマにされる。
【００２９】このようにして発生したラジカルがエッチ
ングすべき半導体基板周縁部１４に到達し、そこで破損
区域内の半導体材料と反応する。エッチング生成物及び
過剰なエッチング混合ガスは、半導体基板周縁部１４と
同じ高さで処理室２に設けられた環状空所２６を介して
処理室２に接続された吸引装置（図示されていない）に
よって吸引される。
【００３０】外側フード２０、２１及びフード１８、１
９は処理室２内に横方向に位置をずらせて配置されてお
り、それゆえエッチングすべき半導体基板周縁部１４の
幅は調整可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるエッチング装置を示す概略図。
【図２】図１に示されたエッチング装置における範囲Ｉ
の部分拡大概略図。
【符号の説明】
１ エッチング装置 ２ 処理室 ３ 保護室 ４ 第１の保護室部 ５ 第２の保護室部 ６ エッチング剤流入口 ７ 保護ガス流入口 ８ 間隔 ９ 上板 １０ 下板 １１ 半導体基板 １２ 半導体基板の表面 １３ 半導体基板の裏面 １４ 半導体基板の周縁部 １５ エッチング剤 １６ 保護ガス １７ 開口部 １８ フード １９ フード ２０ 外側フード ２１ 外側フード ２２ 間隙 ２３ 間隙 ２４ 保持装置 ２５ プラズマ発生装置 ２６ 環状空所 ２７ 半導体基板の外側エッジ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レジスト塗布のない表面（１２）及び同
    じくレジスト塗布のない裏面（１３）を有する半導体基
    板（１１）の周縁部（１４）の破損区域のエッチング方
    法であって、 ａ）半導体基板（１１）を処理室（２）内に配設された
    保護室（３）内へ導入して、この保護室（３）によって
    半導体基板の表面（１２）及び裏面（１３）をエッチン
    グすべき半導体基板の周縁部（１４）を除いて覆い、 ｂ）半導体基板の周縁部（１４）にエッチング剤を施
    し、エッチング生成物及び過剰なエッチング剤を排出す
    ることを特徴とする半導体基板周縁部の破損区域のエッ
    チング方法。
  2. 【請求項２】 半導体基板の表面（１２）及び裏面（１
    ３）上に保護ガス（１６）を導くことを特徴とする請求
    項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 エッチング剤（１５）としてガス又は混
    合ガスを使用することを特徴とする請求項１又は２記載
    の方法。
  4. 【請求項４】 ガス又は混合ガスはマイクロ波又は高周
    波によって励起されてプラズマにされ、処理室（２）は
    排気されることを特徴とする請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 プラズマは処理室（２）から分離したプ
    ラズマ発生室（２５）内で発生されることを特徴とする
    請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 エッチング剤（１５）としてエッチング
    液が使用され、このエッチング液は半導体基板周縁部
    （１４）に吹付けられることを特徴とする請求項１又は
    ２記載の方法。
  7. 【請求項７】 半導体基板（１１）及び／又は処理室
    （２）は１００℃以下の温度に加熱されることを特徴と
    する請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 レジスト塗布のない表面（１２）及び同
    じくレジスト塗布のない裏面（１３）を有する半導体基
    板（１１）の周縁部（１４）の破損区域のエッチング装
    置であって、 α）処理室（２）と、 β）この処理室（２）内に配設され、半導体基板の表面
    （１２）を第１の保護室部（４）によってかつ半導体基
    板の裏面（１３）を第２の保護室部（５）によってエッ
    チングすべき半導体基板周縁部（１４）を除いて覆う保
    護室（３）と、 γ）処理室（２）に配設され、エッチング剤（１５）を
    半導体基板周縁部（１４）へもたらすエッチング剤流入
    口（６）とから構成されることを特徴とする半導体基板
    周縁部の破損区域のエッチング装置。
  9. 【請求項９】 第１の保護室部（４）の領域及び第２の
    保護室部（５）の領域にそれぞれ保護ガス流入口（７）
    が配設され、レジスト塗布のない半導体基板の表面（１
    ２）及び裏面（１３）をエッチング作用から保護するた
    めに、保護ガス（１６）がその保護ガス流入口（７）を
    通ってレジスト塗布のない半導体基板の表面（１２）及
    び裏面（１３）上に導入されることを特徴とする請求項
    ８記載のエッチング装置。
  10. 【請求項１０】 第１の保護室部（４）の領域に、半導
    体基板の表面（１２）の上方の中央に位置して保護ガス
    （１６）を流入させる少なくとも１つの開口部（１７）
    を備えた上板（９）が設けられ、第２の保護室部（５）
    の領域に、半導体基板の裏面（１３）の下方の中央に位
    置して保護ガス（１６）を流入させる少なくとも１つの
    開口部（１７）を備えた下板（１０）が設けられている
    ことを特徴とする請求項９記載のエッチング装置。
  11. 【請求項１１】 上板（９）及び下板（１０）はその外
    側周縁部にフード（１８、１９）を備え、処理室（２）
    又は各保護室部（４、５）にこのフード（１８、１９）
    の周囲にエッチングすべき半導体基板の周縁部（１４）
    を規定する外側フード（２０、２１）が設けられ、フー
    ド（１８、１９）と外側フード（２０、２１）との間に
    導入された保護ガス（１６）を排出する間隙（２２、２
    ３）が設けられていることを特徴とする請求項１０記載
    のエッチング装置。
  12. 【請求項１２】 第２の保護室部の領域に半導体基板を
    載せる少なくとも３本のピンが設けられていることを特
    徴とする請求項８乃至１１の１つに記載のエッチング装
    置。
  13. 【請求項１３】 処理室（２）内に半導体基板（１１）
    をその半導体基板の外側エッジ（２７）で点状に載せる
    保持装置（２４）が設けられていることを特徴とする請
    求項８乃至１１の１つに記載のエッチング装置。
  14. 【請求項１４】 エッチング装置はマルチチャンバ装置
    の構成要素であることを特徴とする請求項８乃至１３の
    １つに記載のエッチング装置。
JP9153085A 1996-05-31 1997-05-28 半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置 Expired - Lifetime JP2989565B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19622015.7 1996-05-31
DE19622015A DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1996-05-31 Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1056006A true JPH1056006A (ja) 1998-02-24
JP2989565B2 JP2989565B2 (ja) 1999-12-13

Family

ID=7795879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9153085A Expired - Lifetime JP2989565B2 (ja) 1996-05-31 1997-05-28 半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5945351A (ja)
EP (1) EP0810641A3 (ja)
JP (1) JP2989565B2 (ja)
KR (1) KR970077305A (ja)
DE (1) DE19622015A1 (ja)
TW (1) TW358978B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313023B1 (en) * 1998-06-11 2001-11-06 Advantest Corporation Method of fabricating deflection aperture array for electron beam exposure apparatus, wet etching method and apparatus for fabricating the aperture array, and electron beam exposure apparatus having the aperture array
JP2007043148A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Jusung Engineering Co Ltd プラズマエッチング装置
CN100397589C (zh) * 2003-05-12 2008-06-25 索绍株式会社 等离子腐蚀室及使用其的等离子腐蚀系统
JP2009142817A (ja) * 1999-04-28 2009-07-02 Sez Ag ウエハ状の物品を液体処理するための装置及び方法
US8192822B2 (en) 2008-03-31 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Edge etched silicon wafers
JP2013153181A (ja) * 2009-03-04 2013-08-08 Siltronic Ag エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法
KR101377996B1 (ko) * 2012-10-08 2014-03-27 주식회사 코디에스 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치
US8735261B2 (en) 2008-11-19 2014-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer
US8853054B2 (en) 2012-03-06 2014-10-07 Sunedison Semiconductor Limited Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US7527698B2 (en) * 1998-09-23 2009-05-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a substrate
JP2000186000A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Speedfam-Ipec Co Ltd シリコンウェーハ加工方法およびその装置
EP1168419B1 (en) * 2000-06-19 2008-10-01 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US7000622B2 (en) * 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7584761B1 (en) 2000-06-30 2009-09-08 Lam Research Corporation Wafer edge surface treatment with liquid meniscus
US6482749B1 (en) 2000-08-10 2002-11-19 Seh America, Inc. Method for etching a wafer edge using a potassium-based chemical oxidizer in the presence of hydrofluoric acid
US6465353B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-15 International Rectifier Corporation Process of thinning and blunting semiconductor wafer edge and resulting wafer
EP1202326B1 (de) 2000-10-31 2004-01-02 Sez Ag Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US7029597B2 (en) * 2001-01-23 2006-04-18 Lorin Industries, Inc. Anodized aluminum etching process and related apparatus
JP2003124180A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Ebara Corp 基板処理装置
US20070066076A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Bailey Joel B Substrate processing method and apparatus using a combustion flame
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates
US7638727B2 (en) 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US7498066B2 (en) 2002-05-08 2009-03-03 Btu International Inc. Plasma-assisted enhanced coating
US7465362B2 (en) 2002-05-08 2008-12-16 Btu International, Inc. Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
EP1501631A4 (en) 2002-05-08 2009-07-22 Btu Int PLASMA PRODUCTION OF CARBON STRUCTURES
US7445817B2 (en) 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
US7560657B2 (en) 2002-05-08 2009-07-14 Btu International Inc. Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US7494904B2 (en) 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7432470B2 (en) 2002-05-08 2008-10-07 Btu International, Inc. Surface cleaning and sterilization
US7497922B2 (en) 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
US7614411B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7293571B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7513262B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7252097B2 (en) * 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7735451B2 (en) * 2002-11-15 2010-06-15 Ebara Corporation Substrate processing method and apparatus
US7189940B2 (en) * 2002-12-04 2007-03-13 Btu International Inc. Plasma-assisted melting
DE10302611B4 (de) * 2003-01-23 2011-07-07 Siltronic AG, 81737 Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild
CN101145508B (zh) * 2003-03-06 2010-06-16 积水化学工业株式会社 等离子加工装置和方法
US7078344B2 (en) * 2003-03-14 2006-07-18 Lam Research Corporation Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US20040261823A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US7867565B2 (en) 2003-06-30 2011-01-11 Imec Method for coating substrates
US7170190B1 (en) 2003-12-16 2007-01-30 Lam Research Corporation Apparatus for oscillating a head and methods for implementing the same
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US7350315B2 (en) * 2003-12-22 2008-04-01 Lam Research Corporation Edge wheel dry manifold
US8043441B2 (en) * 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US7323080B2 (en) * 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
KR100532354B1 (ko) * 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
US7003899B1 (en) * 2004-09-30 2006-02-28 Lam Research Corporation System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head
US7089687B2 (en) * 2004-09-30 2006-08-15 Lam Research Corporation Wafer edge wheel with drying function
KR100611727B1 (ko) * 2005-06-24 2006-08-10 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극 및 건식 식각용 챔버
KR101218114B1 (ko) * 2005-08-04 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
KR100719718B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-17 동부일렉트로닉스 주식회사 기판 주변부 습식 식각 방법 및 장치
EP2428557A1 (en) * 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
US8480810B2 (en) * 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US7858898B2 (en) * 2007-01-26 2010-12-28 Lam Research Corporation Bevel etcher with gap control
US8398778B2 (en) 2007-01-26 2013-03-19 Lam Research Corporation Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter
US8580078B2 (en) * 2007-01-26 2013-11-12 Lam Research Corporation Bevel etcher with vacuum chuck
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
US8211846B2 (en) 2007-12-14 2012-07-03 Lam Research Group Materials for particle removal by single-phase and two-phase media
US20120175343A1 (en) 2011-01-12 2012-07-12 Siltronic Corporation Apparatus and method for etching a wafer edge
KR101876454B1 (ko) 2011-09-14 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 진공 롤투롤 장치 및 롤 타입 기판 제조 방법
US10636628B2 (en) 2017-09-11 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US10600624B2 (en) 2017-03-10 2020-03-24 Applied Materials, Inc. System and method for substrate processing chambers
CN111341704B (zh) * 2020-05-20 2020-08-25 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法
US20240128061A1 (en) * 2022-10-13 2024-04-18 Applied Materials, Inc. Apparatus design for film removal from the bevel and edge of the substrate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3027934A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben
JPS5898925A (ja) * 1981-12-08 1983-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JPH01196832A (ja) * 1988-02-02 1989-08-08 Toshiba Corp 半導体基板のエッチング方法
US4857142A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Fsi International, Inc. Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers
JPH02192717A (ja) * 1989-01-20 1990-07-30 Sharp Corp レジスト除去装置
JPH07142449A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Kawasaki Steel Corp プラズマエッチング装置
JPH07307335A (ja) * 1994-02-22 1995-11-21 Siemens Ag 半導体基板上における高密度集積回路の製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6313023B1 (en) * 1998-06-11 2001-11-06 Advantest Corporation Method of fabricating deflection aperture array for electron beam exposure apparatus, wet etching method and apparatus for fabricating the aperture array, and electron beam exposure apparatus having the aperture array
JP2009142817A (ja) * 1999-04-28 2009-07-02 Sez Ag ウエハ状の物品を液体処理するための装置及び方法
JP2009142818A (ja) * 1999-04-28 2009-07-02 Sez Ag ウエハ状の物品をウエットエッチングするための装置及び方法
CN100397589C (zh) * 2003-05-12 2008-06-25 索绍株式会社 等离子腐蚀室及使用其的等离子腐蚀系统
JP2007043148A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Jusung Engineering Co Ltd プラズマエッチング装置
US8177992B2 (en) 2005-07-29 2012-05-15 Jusung Engineering Co., Ltd. Plasma etching apparatus
US8192822B2 (en) 2008-03-31 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Edge etched silicon wafers
US8309464B2 (en) 2008-03-31 2012-11-13 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for etching the edge of a silicon wafer
US8735261B2 (en) 2008-11-19 2014-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer
JP2013153181A (ja) * 2009-03-04 2013-08-08 Siltronic Ag エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法
US8853054B2 (en) 2012-03-06 2014-10-07 Sunedison Semiconductor Limited Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers
KR101377996B1 (ko) * 2012-10-08 2014-03-27 주식회사 코디에스 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0810641A2 (de) 1997-12-03
US5945351A (en) 1999-08-31
JP2989565B2 (ja) 1999-12-13
EP0810641A3 (de) 1998-05-13
TW358978B (en) 1999-05-21
DE19622015A1 (de) 1997-12-04
KR970077305A (ko) 1997-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2989565B2 (ja) 半導体基板周縁部の破損区域のエッチング方法及び装置
KR100270288B1 (ko) 플라즈마-불활성 커버 및 플라즈마 세척 방법 및 이를 이용한 장치
KR100375080B1 (ko) 기판주변의 불필요물 제거 방법 및 장치와 이를이용한도포방법
JP4470970B2 (ja) プラズマ処理装置
US11145494B2 (en) Plasma processing apparatus
US20130312913A1 (en) Arrangement for depositing bevel protective film
JPH07153740A (ja) 半導体デバイスのプラズマ処理の間における粒子汚染を減少させる方法
JP2961000B2 (ja) 反応装置の自己洗浄方法
CN100587904C (zh) 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
JP2895909B2 (ja) プラズマ処理方法
US20050161435A1 (en) Method of plasma etching
JP3326538B2 (ja) コールドウォール形成膜処理装置
JP3161996B2 (ja) 半導体基板のエッチング方法及び装置
JP3131860B2 (ja) 成膜処理装置
JPH07230959A (ja) 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置
JPH0456770A (ja) プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP4347986B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI837534B (zh) 等離子體處理裝置和處理方法
EP0393637B1 (en) Plasma processing method
KR101098858B1 (ko) 클리닝 방법 및 진공 처리 장치
JPH09129596A (ja) 反応室のクリーニング方法
JP3580255B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2002511642A (ja) エッチング均一性を改善する装置及び方法
JP4018316B2 (ja) ドライエッチング装置
JPH07116610B2 (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990831