JPH1060091A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に
優れた硬化物を与えることができる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物の提供。 【解決手段】 (a)下記一般式(I)で表わされるス
ピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂、(b)フェノール
系及び/又は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
(c)硬化促進剤、及び(d)無機充填剤、を必須成分
として配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、水素原子又は炭
素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異
なっていてもよい。R5 ,R6 ,R7 ,R8 ,R 9 及び
R10は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜6の炭
化水素基を表わしそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。また、nは平均値で0〜5の数である)
優れた硬化物を与えることができる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物の提供。 【解決手段】 (a)下記一般式(I)で表わされるス
ピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂、(b)フェノール
系及び/又は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
(c)硬化促進剤、及び(d)無機充填剤、を必須成分
として配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、水素原子又は炭
素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異
なっていてもよい。R5 ,R6 ,R7 ,R8 ,R 9 及び
R10は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜6の炭
化水素基を表わしそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。また、nは平均値で0〜5の数である)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物に関する。詳しくは、本発明は、スピロ
クロマン骨格含有エポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬
化剤、硬化促進剤及び無機充填剤に配合してなる耐熱性
が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優れた硬化物を与
える新規な半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
キシ樹脂組成物に関する。詳しくは、本発明は、スピロ
クロマン骨格含有エポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬
化剤、硬化促進剤及び無機充填剤に配合してなる耐熱性
が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優れた硬化物を与
える新規な半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に従って、
半導体素子の封止材料に対して要求される諸特性は厳し
くなり、特にハンダ浴浸漬時の耐クラック性が重要な課
題となっている。しかし、現在一般に用いられているエ
ポキシ樹脂組成物では、要求特性を十分に満足できなく
なって来た。即ち、半導体装置の高集積化が進み、半導
体素子の大型化が著しいと共に、パッケージそのものが
小型化、薄型化している。また、半導体装置の実装も表
面実装へと移行している。表面実装においては半導体装
置がハンダ浴に直接浸漬され、高温に晒されるため高い
ガラス転移温度が必要となるし、内部応力が高いと、ア
ルミ配線のずれや、パッシベーションのクラックの原因
となる。またその高温に晒される際に、吸湿した水分の
膨張のために、パッケージ全体に大きな応力が掛かり、
封止材にクラックが入る。そのために、耐ハンダクラッ
ク性の良好な封止材には、高い耐熱性と、優れた低吸湿
性及び、優れた低応力性が要求され、現在主に用いられ
ているクレゾールノボラック型エポキシ樹脂と、フェノ
ールノボラック樹脂硬化剤とからなるエポキシ樹脂封止
材では耐熱性、低吸湿性、及び低応力性とも十分とは言
えなくなってきた。
半導体素子の封止材料に対して要求される諸特性は厳し
くなり、特にハンダ浴浸漬時の耐クラック性が重要な課
題となっている。しかし、現在一般に用いられているエ
ポキシ樹脂組成物では、要求特性を十分に満足できなく
なって来た。即ち、半導体装置の高集積化が進み、半導
体素子の大型化が著しいと共に、パッケージそのものが
小型化、薄型化している。また、半導体装置の実装も表
面実装へと移行している。表面実装においては半導体装
置がハンダ浴に直接浸漬され、高温に晒されるため高い
ガラス転移温度が必要となるし、内部応力が高いと、ア
ルミ配線のずれや、パッシベーションのクラックの原因
となる。またその高温に晒される際に、吸湿した水分の
膨張のために、パッケージ全体に大きな応力が掛かり、
封止材にクラックが入る。そのために、耐ハンダクラッ
ク性の良好な封止材には、高い耐熱性と、優れた低吸湿
性及び、優れた低応力性が要求され、現在主に用いられ
ているクレゾールノボラック型エポキシ樹脂と、フェノ
ールノボラック樹脂硬化剤とからなるエポキシ樹脂封止
材では耐熱性、低吸湿性、及び低応力性とも十分とは言
えなくなってきた。
【0003】このため、例えば、特開昭61−4772
5号公報には、低応力且つ低吸湿性であり、耐ハンダク
ラック性に優れたテトラメチルビフェノール型エポキシ
樹脂が提案されており、また、特開昭57−14141
9号公報には高ガラス転移温度を有する、フェノール類
とヒドロキシベンズアルデヒド類との縮合物から誘導さ
れるエポキシ樹脂が提案されている。
5号公報には、低応力且つ低吸湿性であり、耐ハンダク
ラック性に優れたテトラメチルビフェノール型エポキシ
樹脂が提案されており、また、特開昭57−14141
9号公報には高ガラス転移温度を有する、フェノール類
とヒドロキシベンズアルデヒド類との縮合物から誘導さ
れるエポキシ樹脂が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者は
ガラス転移温度が十分とは言えず、また、後者はガラス
転移温度に高いものの、応力は大きく、低吸湿性も損わ
れるため、耐ハンダクラック性は改良されないという問
題点がある。本発明の課題は、耐熱性が高く、且つ低吸
湿性及び、低応力性に優れた硬化物を与えることができ
るため、耐ハンダクラック性に優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供することにある。
ガラス転移温度が十分とは言えず、また、後者はガラス
転移温度に高いものの、応力は大きく、低吸湿性も損わ
れるため、耐ハンダクラック性は改良されないという問
題点がある。本発明の課題は、耐熱性が高く、且つ低吸
湿性及び、低応力性に優れた硬化物を与えることができ
るため、耐ハンダクラック性に優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記の課
題を解決するために種々研究を重ねた結果、スピロクロ
マン骨格を有するエポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬
化剤等と配合してなるエポキシ樹脂組成物が、耐熱性、
低吸湿性及び低応力性に優れた硬化性を与えることを見
い出し、本発明を完成するに至った。
題を解決するために種々研究を重ねた結果、スピロクロ
マン骨格を有するエポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬
化剤等と配合してなるエポキシ樹脂組成物が、耐熱性、
低吸湿性及び低応力性に優れた硬化性を与えることを見
い出し、本発明を完成するに至った。
【0006】即ち、本発明は、 1.(a)下記一般式(I)で表わされるスピロクロマ
ン骨格含有エポキシ樹脂、(b)フェノール系及び/又
は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、(c)硬化促
進剤、及び(d)無機充填剤、を必須成分として配合し
てなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
ン骨格含有エポキシ樹脂、(b)フェノール系及び/又
は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、(c)硬化促
進剤、及び(d)無機充填剤、を必須成分として配合し
てなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【0007】
【化3】
【0008】(式中、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、水
素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。R5 ,R6 ,R7 ,R
8 ,R 9 及びR10は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素
数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異な
っていてもよい。また、nは平均値で0〜5の数であ
る) 2.(a)成分の一般式(I)で表わされるスピロクロ
マン骨格含有エポキシ樹脂が下記一般式(II)で表わさ
れるスピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂である1項に
記載のエポキシ樹脂組成物、
素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。R5 ,R6 ,R7 ,R
8 ,R 9 及びR10は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素
数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異な
っていてもよい。また、nは平均値で0〜5の数であ
る) 2.(a)成分の一般式(I)で表わされるスピロクロ
マン骨格含有エポキシ樹脂が下記一般式(II)で表わさ
れるスピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂である1項に
記載のエポキシ樹脂組成物、
【0009】
【化4】
【0010】(式中、R′1 ,R′2 ,R′3 及びR′
4 は、メチル基を表わす。R′5 ,R′6 ,R′7 ,
R′8 ,R′9 及びR′10は、水素原子又はメチル基を
表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、
n′は平均値で0〜5の数である) 3.(a)成分が、一般式(I)で表わされるスピロク
ロマン骨格含有エポキシ樹脂:50〜100重量%及び
その他の構造のエポキシ樹脂:0〜50重量からなる1
又は2項に記載のエポキシ樹脂組成物、 4.(b)成分としてフェノールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノー
ル樹脂及びテルペンフェノール樹脂からなる群から選ば
れた少なくとも一種を必須成分として配合してなる1な
いし3項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、 5.(a)成分中のエポキシ基1モルに対して(b)成
分中のエポキシ基と反応する基が0.5〜2.0モルと
なるように、(b)成分を用いる1ないし4項のいずれ
かに記載のエポキシ樹脂組成物、 6.(c)成分を(a)成分100重量部に対して0.
1〜5.0重量部配合した、1ないし5項のいずれかに
記載のエポキシ樹脂組成物、 7.(d)成分として、組成物総量の60〜95重量%
の破砕型及び/又は球状の、溶融及び/又は結晶シリカ
粉末充填剤を用いる1ないし6項のいずれかに記載のエ
ポキシ樹脂組成物、にある。以下、本発明について詳細
に説明する。
4 は、メチル基を表わす。R′5 ,R′6 ,R′7 ,
R′8 ,R′9 及びR′10は、水素原子又はメチル基を
表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、
n′は平均値で0〜5の数である) 3.(a)成分が、一般式(I)で表わされるスピロク
ロマン骨格含有エポキシ樹脂:50〜100重量%及び
その他の構造のエポキシ樹脂:0〜50重量からなる1
又は2項に記載のエポキシ樹脂組成物、 4.(b)成分としてフェノールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノー
ル樹脂及びテルペンフェノール樹脂からなる群から選ば
れた少なくとも一種を必須成分として配合してなる1な
いし3項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、 5.(a)成分中のエポキシ基1モルに対して(b)成
分中のエポキシ基と反応する基が0.5〜2.0モルと
なるように、(b)成分を用いる1ないし4項のいずれ
かに記載のエポキシ樹脂組成物、 6.(c)成分を(a)成分100重量部に対して0.
1〜5.0重量部配合した、1ないし5項のいずれかに
記載のエポキシ樹脂組成物、 7.(d)成分として、組成物総量の60〜95重量%
の破砕型及び/又は球状の、溶融及び/又は結晶シリカ
粉末充填剤を用いる1ないし6項のいずれかに記載のエ
ポキシ樹脂組成物、にある。以下、本発明について詳細
に説明する。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる前記一般式
(I)、好ましくは(II)で表わされるスピロクロマン
骨格含有エポキシ樹脂は、下記一般式(III)、好ましく
は(IV)で表わされるフェノール化合物とエピハロヒド
リンとをアルカリの存在下に、縮合反応させることによ
り製造される。
(I)、好ましくは(II)で表わされるスピロクロマン
骨格含有エポキシ樹脂は、下記一般式(III)、好ましく
は(IV)で表わされるフェノール化合物とエピハロヒド
リンとをアルカリの存在下に、縮合反応させることによ
り製造される。
【0012】
【化5】
【0013】(式中、R11,R12,R13及びR14は、水
素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。R15,R16,R17,R
18,R 19及びR20は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素
数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異な
っていてもよい)
素原子又は炭素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。R15,R16,R17,R
18,R 19及びR20は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素
数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異な
っていてもよい)
【0014】
【化6】
【0015】(式中、R′11,R′12,R′13及びR′
14は、メチル基を表わす。R′15,R′16,R′17,
R′18,R′19及びR′20は、水素原子又はメチル基を
表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。) この反応は通常のエポキシ化反応と同様に行うことがで
きる。その反応の代表的な製造例を、以下に詳述する。
先ず、上記一般式(III)、好ましくは(IV)で表わされ
るフェノール化合物をそのフェノール性水酸基1モル当
り2〜20モルに相当する量のエピハロヒドリンに溶解
させて均一な溶液とする。次いで、その溶液を攪拌しな
がらこれにフェノール性水酸基1モル当り1〜2モル量
のアルカリ金属水酸化物を固体又は水溶液で加えて反応
させる。この反応は、常圧下又は減圧下で行わせること
ができ、反応温度は、通常、常圧下の反応の場合に約3
0〜105℃であり、減圧下の反応の場合に約30〜8
0℃である。反応中は、必要に応じて所定の温度を保持
しながら反応液を共沸させ、揮発する蒸気を冷却して得
られた凝縮液を油/水分離し、水分を除いた油分を反応
系に戻す方法によって反応系より脱水する。アルカリ金
属水酸化物の添加は、急激な反応を抑さえるために、
0.5〜8時間かけて少量ずつを断続的若しくは連続的
に添加する。その全反応時間は、通常、1〜10時間程
度である。反応終了後、不溶性の副生塩を濾別して除く
か、水洗により除去した後、未反応のエピハロヒドリン
を減圧留去して除くと、目的のエポキシ樹脂が得られ
る。この反応におけるエピハロヒドリンとしては、通
常、エピクロルヒドリン又はエピブロモヒドリンが用い
られ、またアルカリ金属水酸化物としては、通常、苛性
ソーダ又は苛性カリが用いられる。
14は、メチル基を表わす。R′15,R′16,R′17,
R′18,R′19及びR′20は、水素原子又はメチル基を
表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよい。) この反応は通常のエポキシ化反応と同様に行うことがで
きる。その反応の代表的な製造例を、以下に詳述する。
先ず、上記一般式(III)、好ましくは(IV)で表わされ
るフェノール化合物をそのフェノール性水酸基1モル当
り2〜20モルに相当する量のエピハロヒドリンに溶解
させて均一な溶液とする。次いで、その溶液を攪拌しな
がらこれにフェノール性水酸基1モル当り1〜2モル量
のアルカリ金属水酸化物を固体又は水溶液で加えて反応
させる。この反応は、常圧下又は減圧下で行わせること
ができ、反応温度は、通常、常圧下の反応の場合に約3
0〜105℃であり、減圧下の反応の場合に約30〜8
0℃である。反応中は、必要に応じて所定の温度を保持
しながら反応液を共沸させ、揮発する蒸気を冷却して得
られた凝縮液を油/水分離し、水分を除いた油分を反応
系に戻す方法によって反応系より脱水する。アルカリ金
属水酸化物の添加は、急激な反応を抑さえるために、
0.5〜8時間かけて少量ずつを断続的若しくは連続的
に添加する。その全反応時間は、通常、1〜10時間程
度である。反応終了後、不溶性の副生塩を濾別して除く
か、水洗により除去した後、未反応のエピハロヒドリン
を減圧留去して除くと、目的のエポキシ樹脂が得られ
る。この反応におけるエピハロヒドリンとしては、通
常、エピクロルヒドリン又はエピブロモヒドリンが用い
られ、またアルカリ金属水酸化物としては、通常、苛性
ソーダ又は苛性カリが用いられる。
【0016】また、この反応においては、テトラメチル
アンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロ
ミドなどの第四級アンモニウム塩;ベンジルジメチルア
ミン、2,4,6−(トリスジメチルアミノメチル)フ
ェノール等の第三級アミン;2−エチル−4−メチルイ
ミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾー
ル類;エチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド等
のホスホニウム塩;トリフェニルホスフィン等のホスフ
ィン類等の触媒を用いてもよい。
アンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロ
ミドなどの第四級アンモニウム塩;ベンジルジメチルア
ミン、2,4,6−(トリスジメチルアミノメチル)フ
ェノール等の第三級アミン;2−エチル−4−メチルイ
ミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾー
ル類;エチルトリフェニルホスホニウムアイオダイド等
のホスホニウム塩;トリフェニルホスフィン等のホスフ
ィン類等の触媒を用いてもよい。
【0017】更に、この反応においては、エタノール、
イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類;ジオキサン、エチレングリ
コールジメチルエーテル等のエーテル類;ジメチルスル
ホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性
溶媒等の不活性な有機溶媒を使用してもよい。更に、上
記のようにして得られたエポキシ樹脂の可鹸化ハロゲン
量が多すぎる場合には、再処理して、十分に可鹸化ハロ
ゲン量が低下した精製エポキシ樹脂を得ることができ
る。即ち、その組成エポキシ樹脂を、イソプロパノー
ル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ト
ルエン、キシレン、ジオキサン、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジメチルスルホキシド等の不活性
な有機溶媒に再溶解し、アルカリ金属水酸化物を固体又
は水溶液で加えて約30〜120℃の温度で、0.5〜
8時間再閉環反応を行った後、水洗等の方法で過剰のア
ルカリ金属水酸化物や副生塩を除去し、更に有機溶媒を
減圧留去して除くと、精製されたエポキシ樹脂が得られ
る。
イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類;ジオキサン、エチレングリ
コールジメチルエーテル等のエーテル類;ジメチルスル
ホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性
溶媒等の不活性な有機溶媒を使用してもよい。更に、上
記のようにして得られたエポキシ樹脂の可鹸化ハロゲン
量が多すぎる場合には、再処理して、十分に可鹸化ハロ
ゲン量が低下した精製エポキシ樹脂を得ることができ
る。即ち、その組成エポキシ樹脂を、イソプロパノー
ル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ト
ルエン、キシレン、ジオキサン、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジメチルスルホキシド等の不活性
な有機溶媒に再溶解し、アルカリ金属水酸化物を固体又
は水溶液で加えて約30〜120℃の温度で、0.5〜
8時間再閉環反応を行った後、水洗等の方法で過剰のア
ルカリ金属水酸化物や副生塩を除去し、更に有機溶媒を
減圧留去して除くと、精製されたエポキシ樹脂が得られ
る。
【0018】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、前記の一般式(I)、好ましくは(II)で表わされ
るエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂として含有せしめてな
る組成物であるが、このエポキシ樹脂には他のエポキシ
樹脂を併用することができる。その併用することができ
る他のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール
A、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ハイドロ
キノン、メチルハイドロキノン、ジメチルハイドロキノ
ン、ジブチルハイドロキノン、レゾルシン、メチルレゾ
ルシン、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジ
ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂、
テルペンフェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂等
の種々のフェノール類や、種々のフェノール類と、ヒド
ロキシベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオ
キザール等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られ
る多価フェノール樹脂等の各種のフェノール系化合物
と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂や
ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール、キシレ
ンジアミン等の種々のアミン化合物と、エピハロヒドリ
ンとから製造されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
は、前記の一般式(I)、好ましくは(II)で表わされ
るエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂として含有せしめてな
る組成物であるが、このエポキシ樹脂には他のエポキシ
樹脂を併用することができる。その併用することができ
る他のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール
A、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ハイドロ
キノン、メチルハイドロキノン、ジメチルハイドロキノ
ン、ジブチルハイドロキノン、レゾルシン、メチルレゾ
ルシン、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジ
ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂、
テルペンフェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂等
の種々のフェノール類や、種々のフェノール類と、ヒド
ロキシベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオ
キザール等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られ
る多価フェノール樹脂等の各種のフェノール系化合物
と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂や
ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール、キシレ
ンジアミン等の種々のアミン化合物と、エピハロヒドリ
ンとから製造されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【0019】また硬化物を難燃化するために、使用する
エポキシ樹脂の一部を臭素化エポキシ樹脂とすることが
できる。その臭素化エポキシ樹脂としては、例えば、臭
素化ビスフェノールA又は臭素化フェノールノボラック
樹脂と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹
脂、低分子エポキシ樹脂と臭素化ビスフェノールAとの
反応により製造されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂の一部を臭素化エポキシ樹脂とすることが
できる。その臭素化エポキシ樹脂としては、例えば、臭
素化ビスフェノールA又は臭素化フェノールノボラック
樹脂と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹
脂、低分子エポキシ樹脂と臭素化ビスフェノールAとの
反応により製造されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【0020】本発明のエポキシ樹脂組成物における全エ
ポキシ樹脂中の上記一般式(I)、好ましくは(II)で
表わされるエポキシ樹脂の割合は50重量%以上が好ま
しい。本発明のエポキシ樹脂の使用量が少なすぎると、
本発明の耐熱性が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優
れた半導体を封止する硬化物を形成する効果が十分に発
揮されなくなる。
ポキシ樹脂中の上記一般式(I)、好ましくは(II)で
表わされるエポキシ樹脂の割合は50重量%以上が好ま
しい。本発明のエポキシ樹脂の使用量が少なすぎると、
本発明の耐熱性が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優
れた半導体を封止する硬化物を形成する効果が十分に発
揮されなくなる。
【0021】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に使用される(b)エポキシ樹脂硬化剤は、フェノール
系及び/又は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤であ
るが、そのフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては1
分子中に平均2個以上のフェノール性水酸基を有する化
合物であり、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールAD、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、メチルレゾルシン、ビフェノール、テトラメチルビ
フェノール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジ
フェニルエーテル、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン
フェノール樹脂、テルペンフェノール樹脂、ナフトール
ノボラック樹脂、臭素化ビスフェノールA、臭素化フェ
ノールノボラック樹脂等の種々の多価フェノール類や、
種々のフェノール類とベンズアルデヒド、ヒドロキシベ
ンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオキザール
等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られる多価フ
ェノール樹脂等の各種のフェノール樹脂類等が挙げられ
る。
に使用される(b)エポキシ樹脂硬化剤は、フェノール
系及び/又は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤であ
るが、そのフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては1
分子中に平均2個以上のフェノール性水酸基を有する化
合物であり、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールAD、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、メチルレゾルシン、ビフェノール、テトラメチルビ
フェノール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジ
フェニルエーテル、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン
フェノール樹脂、テルペンフェノール樹脂、ナフトール
ノボラック樹脂、臭素化ビスフェノールA、臭素化フェ
ノールノボラック樹脂等の種々の多価フェノール類や、
種々のフェノール類とベンズアルデヒド、ヒドロキシベ
ンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオキザール
等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られる多価フ
ェノール樹脂等の各種のフェノール樹脂類等が挙げられ
る。
【0022】その変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤
としては、フェノール樹脂類のフェノール性水酸基の全
部若しくは一部をベンゾエート化或いはアセテート化等
のエステル化することによって得られる活性エステル化
合物等が挙げられる。これらエポキシ樹脂硬化剤の中で
は、その硬化物性等から、フェノールノボラック樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェ
ノール樹脂、テルペンフェノール樹脂から選ばれた少な
くとも一種のエポキシ樹脂硬化剤が好ましい。本発明の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物における(b)エポキ
シ樹脂硬化剤の使用量は、全エポキシ樹脂成分中のエポ
キシ基1モルに対して、全エポキシ樹脂硬化剤成分のエ
ポキシ基と反応する基の合計が、0.5〜1.5モルが
好ましく、より好ましくは、0.7〜1.3モルであ
る。
としては、フェノール樹脂類のフェノール性水酸基の全
部若しくは一部をベンゾエート化或いはアセテート化等
のエステル化することによって得られる活性エステル化
合物等が挙げられる。これらエポキシ樹脂硬化剤の中で
は、その硬化物性等から、フェノールノボラック樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェ
ノール樹脂、テルペンフェノール樹脂から選ばれた少な
くとも一種のエポキシ樹脂硬化剤が好ましい。本発明の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物における(b)エポキ
シ樹脂硬化剤の使用量は、全エポキシ樹脂成分中のエポ
キシ基1モルに対して、全エポキシ樹脂硬化剤成分のエ
ポキシ基と反応する基の合計が、0.5〜1.5モルが
好ましく、より好ましくは、0.7〜1.3モルであ
る。
【0023】また、本発明のエポキシ樹脂組成物に用い
られる(c)硬化促進剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ
基と硬化剤中の活性基との反応を促進する化合物であ
る。その硬化促進剤としては、例えば、トリブチルホス
フィン、トリフェニルホスフィン、トリス(ジメトキシ
フェニル)ホスフィン、トリス(ヒドロキシプロピル)
ホスフィン、トリス(シアノエチル)ホスフィン等のホ
スフィン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウムテトラ
フェニルボレート、メチルトリシアノエチルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート等のホスホニウム塩、2−メ
チルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダ
ゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、
2,4−ジシアノ−6−〔2−メチルイミダゾリル−
(1)〕−エチル−S−トリアジン、2,4−ジシアノ
−6−〔2−ウンデシルイミダゾリル−(1)〕−エチ
ル−S−トリアジン等のイミダゾール類、1−シアノエ
チル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、
2−メチルイミダゾリウムイソシアヌレート、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾリウムテトラフェニルボレー
ト、2−エチル−1,4−ジメチルイミダゾリウムテト
ラフェニルボレート等のイミダゾリウム塩、2,4,6
−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベンジ
ルメチルアミン、テトラメチルブチルグアニジン、N−
メチルピペラジン、2−ジメチルアミノ−1−ピロリン
等のアミン類、トリエチルアンモニウムテトラフェニル
ボレート等のアンモニウム塩、1,5−ジアザビシクロ
(5.4.0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシ
クロ(4.3.0)−5−ノネン、1,4−ジアザビシ
クロ(2.2.2)−オクタン等のジアザビシクロ化合
物、それらジアザビシクロ化合物のテトラフェニルボレ
ート、フェノール塩、フェノールノボラック塩、2−エ
チルヘキサン酸塩等が挙げられる。
られる(c)硬化促進剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ
基と硬化剤中の活性基との反応を促進する化合物であ
る。その硬化促進剤としては、例えば、トリブチルホス
フィン、トリフェニルホスフィン、トリス(ジメトキシ
フェニル)ホスフィン、トリス(ヒドロキシプロピル)
ホスフィン、トリス(シアノエチル)ホスフィン等のホ
スフィン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウムテトラ
フェニルボレート、メチルトリシアノエチルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート等のホスホニウム塩、2−メ
チルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダ
ゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、
2,4−ジシアノ−6−〔2−メチルイミダゾリル−
(1)〕−エチル−S−トリアジン、2,4−ジシアノ
−6−〔2−ウンデシルイミダゾリル−(1)〕−エチ
ル−S−トリアジン等のイミダゾール類、1−シアノエ
チル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、
2−メチルイミダゾリウムイソシアヌレート、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾリウムテトラフェニルボレー
ト、2−エチル−1,4−ジメチルイミダゾリウムテト
ラフェニルボレート等のイミダゾリウム塩、2,4,6
−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベンジ
ルメチルアミン、テトラメチルブチルグアニジン、N−
メチルピペラジン、2−ジメチルアミノ−1−ピロリン
等のアミン類、トリエチルアンモニウムテトラフェニル
ボレート等のアンモニウム塩、1,5−ジアザビシクロ
(5.4.0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシ
クロ(4.3.0)−5−ノネン、1,4−ジアザビシ
クロ(2.2.2)−オクタン等のジアザビシクロ化合
物、それらジアザビシクロ化合物のテトラフェニルボレ
ート、フェノール塩、フェノールノボラック塩、2−エ
チルヘキサン酸塩等が挙げられる。
【0024】それらの硬化促進剤となる化合物の中で
は、ホスフィン化合物、イミダゾール化合物、ジアザビ
シクロ化合物、及びそれらの塩が好ましい。それらの硬
化促進剤は、単独で又は、二種以上混合して用いられ、
その使用量は、全エポキシ樹脂成分に対して、0.1〜
7重量%である。
は、ホスフィン化合物、イミダゾール化合物、ジアザビ
シクロ化合物、及びそれらの塩が好ましい。それらの硬
化促進剤は、単独で又は、二種以上混合して用いられ、
その使用量は、全エポキシ樹脂成分に対して、0.1〜
7重量%である。
【0025】次に、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、(d)無機充填剤が配合される。その無機
充填剤の種類としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シ
リカ、ガラス粉、アルミナ、炭酸カルシウム等が挙げら
れる。その形状としては、破砕型又は球状である。各種
の無機充填剤は、単独で又は、二種以上混合して用いら
れる。各種の無機充填剤の中では破砕型又は球状の溶融
シリカ又は結晶性シリカが好ましく、その使用量は、組
成物全体の60〜95重量%であり、より好ましくは、
70〜93重量%であり、更に好ましくは、80〜92
重量%である。
組成物には、(d)無機充填剤が配合される。その無機
充填剤の種類としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シ
リカ、ガラス粉、アルミナ、炭酸カルシウム等が挙げら
れる。その形状としては、破砕型又は球状である。各種
の無機充填剤は、単独で又は、二種以上混合して用いら
れる。各種の無機充填剤の中では破砕型又は球状の溶融
シリカ又は結晶性シリカが好ましく、その使用量は、組
成物全体の60〜95重量%であり、より好ましくは、
70〜93重量%であり、更に好ましくは、80〜92
重量%である。
【0026】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、必要に応じてカップリング剤、可塑剤、顔料、溶
剤、難燃剤等を適宜に配合することができる。また、難
燃助剤として、三酸化アンチモン、リン酸等を適宜に配
合することができる。
には、必要に応じてカップリング剤、可塑剤、顔料、溶
剤、難燃剤等を適宜に配合することができる。また、難
燃助剤として、三酸化アンチモン、リン酸等を適宜に配
合することができる。
【0027】
【実施例】以下、製造例、実施例及び比較例を挙げて本
発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超
えない限り実施例に限定されるものではない。
発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超
えない限り実施例に限定されるものではない。
【0028】製造例1 温度計、攪拌装置、冷却管を備えた内容量3Lの三つ口
フラスコに、6,6′−ジヒドロキシ−4,4,4′,
4′,7,7′−ヘキサメチル−ビス−2,2′−スピ
ロクロマン100g、エピクロルヒドリン352g、及
びイソプロピルアルコール137gを仕込み、50℃に
昇温して均一に溶解させた。これを35℃まで放冷した
後、48.5重量%の水酸化ナトリウム水溶液95gを
1時間かけて滴下した。その間に徐々に昇温し、滴下終
了時には系内が65℃になるようにした。その後、65
℃で30分間保持して反応を行わせた。その反応終了
後、水洗して副生塩及び過剰の水酸化ナトリウムを除去
した。次いで、生成物から減圧下で過剰のエピクロルヒ
ドリン及びイソプロピルアルコールを留去して、組成エ
ポキシ樹脂を得た。この組成エポキシ樹脂をメチルイソ
ブチルケトン195gに溶解させ、48.5重量%の水
酸化ナトリウム水溶液2gを加え、65℃の温度で1時
間反応させた。その反応終了後に、第一リン酸ナトリウ
ムを加えて過剰の水酸化ナトリウムを中和し、水洗して
副生塩を除去した。次いで、減圧下でメチルイソブチル
ケトンを完全に除去して、淡褐色樹脂を得た。エポキシ
当量249g/eq、軟化点75℃、150℃における
溶融粘度0.3Pであった。また、溶融状態のこの樹脂
を攪拌しながら放冷すると、黄白色結晶状樹脂が得られ
た。融点は148℃であった。
フラスコに、6,6′−ジヒドロキシ−4,4,4′,
4′,7,7′−ヘキサメチル−ビス−2,2′−スピ
ロクロマン100g、エピクロルヒドリン352g、及
びイソプロピルアルコール137gを仕込み、50℃に
昇温して均一に溶解させた。これを35℃まで放冷した
後、48.5重量%の水酸化ナトリウム水溶液95gを
1時間かけて滴下した。その間に徐々に昇温し、滴下終
了時には系内が65℃になるようにした。その後、65
℃で30分間保持して反応を行わせた。その反応終了
後、水洗して副生塩及び過剰の水酸化ナトリウムを除去
した。次いで、生成物から減圧下で過剰のエピクロルヒ
ドリン及びイソプロピルアルコールを留去して、組成エ
ポキシ樹脂を得た。この組成エポキシ樹脂をメチルイソ
ブチルケトン195gに溶解させ、48.5重量%の水
酸化ナトリウム水溶液2gを加え、65℃の温度で1時
間反応させた。その反応終了後に、第一リン酸ナトリウ
ムを加えて過剰の水酸化ナトリウムを中和し、水洗して
副生塩を除去した。次いで、減圧下でメチルイソブチル
ケトンを完全に除去して、淡褐色樹脂を得た。エポキシ
当量249g/eq、軟化点75℃、150℃における
溶融粘度0.3Pであった。また、溶融状態のこの樹脂
を攪拌しながら放冷すると、黄白色結晶状樹脂が得られ
た。融点は148℃であった。
【0029】製造例2 製造例1で用いた6,6′−ジヒドロキシ−4,4,
4′,4′,7,7′−ヘキサメチル−ビス−2,2′
−スピロクロマン100gの代わりに、6,6′−ジヒ
ドロキシ−4,4,4′,4′,5,5′,7,7′−
オクタメチル−ビス−2,2′−スピロクロマン108
gを使用して製造例1と同様にエピクロルヒドリンと反
応させ、且つ後処理してエポキシ当量265g/eq、
軟化点68℃、150℃における溶融粘度0.4Pのエ
ポキシ樹脂を得た。
4′,4′,7,7′−ヘキサメチル−ビス−2,2′
−スピロクロマン100gの代わりに、6,6′−ジヒ
ドロキシ−4,4,4′,4′,5,5′,7,7′−
オクタメチル−ビス−2,2′−スピロクロマン108
gを使用して製造例1と同様にエピクロルヒドリンと反
応させ、且つ後処理してエポキシ当量265g/eq、
軟化点68℃、150℃における溶融粘度0.4Pのエ
ポキシ樹脂を得た。
【0030】半導体封止用エポキシ樹脂組成物実施例1
〜3及び比較例1〜2 表1に示したように、(a)エポキシ樹脂として製造例
1及び2で得られた各エポキシ樹脂、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、又はテトラメチルビフェノ
ールから誘導されたエポキシ樹脂、及び臭素化エポキシ
樹脂として臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
(b)エポキシ樹脂硬化剤としてフェノールノボラック
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、(c)無機充填剤と
して破砕型溶融シリカ粉末、(d)硬化促進剤としてト
リスフェニルホスフィンを用い、更に難燃助剤として三
酸化アンチモン、充填剤表面処理剤としてエポキシシラ
ン、離型剤としてカルナバワックスをそれぞれ用いて、
各エポキシ樹脂組成物を配合した。
〜3及び比較例1〜2 表1に示したように、(a)エポキシ樹脂として製造例
1及び2で得られた各エポキシ樹脂、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、又はテトラメチルビフェノ
ールから誘導されたエポキシ樹脂、及び臭素化エポキシ
樹脂として臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
(b)エポキシ樹脂硬化剤としてフェノールノボラック
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、(c)無機充填剤と
して破砕型溶融シリカ粉末、(d)硬化促進剤としてト
リスフェニルホスフィンを用い、更に難燃助剤として三
酸化アンチモン、充填剤表面処理剤としてエポキシシラ
ン、離型剤としてカルナバワックスをそれぞれ用いて、
各エポキシ樹脂組成物を配合した。
【0031】次いで、各配合物をミキシングロールを用
いて70〜130℃の温度で5分間溶融混合した。得ら
れた各溶融混合物はシート状に取り出し、粉砕して各成
形材料を得た。これらの各成形材料を用い低圧トランス
ファー成形機で金型温度175℃、成形時間160〜3
00秒で成形して、TMA用試験片、吸湿測定用試験
片、及び、模擬素子を封止した44ピンFPP(フラッ
トプラスチックパッケージ)を得、180℃で8時間後
硬化させた。
いて70〜130℃の温度で5分間溶融混合した。得ら
れた各溶融混合物はシート状に取り出し、粉砕して各成
形材料を得た。これらの各成形材料を用い低圧トランス
ファー成形機で金型温度175℃、成形時間160〜3
00秒で成形して、TMA用試験片、吸湿測定用試験
片、及び、模擬素子を封止した44ピンFPP(フラッ
トプラスチックパッケージ)を得、180℃で8時間後
硬化させた。
【0032】(評価)各試験片の後硬化後のガラス転移
温度、吸湿率及びハンダ耐熱性を試験した結果は表1に
示す通りであり、実施例1〜3の各成形材料は、比較例
1及び2の成形材料に較べて、ガラス転移温度が高く、
吸湿性が低くまたハンダ耐熱性に優れた硬化物を与え
た。このハンダ耐熱性が優れるのはこれらの成形材料の
低応力性、低吸湿性と高ガラス転移温度によるものであ
ると考えられ、半導体封止用に適するものであった。
温度、吸湿率及びハンダ耐熱性を試験した結果は表1に
示す通りであり、実施例1〜3の各成形材料は、比較例
1及び2の成形材料に較べて、ガラス転移温度が高く、
吸湿性が低くまたハンダ耐熱性に優れた硬化物を与え
た。このハンダ耐熱性が優れるのはこれらの成形材料の
低応力性、低吸湿性と高ガラス転移温度によるものであ
ると考えられ、半導体封止用に適するものであった。
【0033】
【表1】
【0034】表1の註: *1:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(油
化シェルエポキシ社商品名 エピコート180S65,
エポキシ当量:213g/eq) *2:テトラメチルビフェノールから誘導されたエポキ
シ樹脂(油化シェルエポキシ社商品名 エピコートYX
4000H,エポキシ当量:193g/eq) *3:フェノールノボラック樹脂(群栄化学社製、水酸
基当量:103g/eq,軟化点:85℃) *4:フェノールアラルキル樹脂(三井東圧社商品名
ミレックスXL225LL,水酸基当量:173g/e
q,軟化点:78℃) *5:破砕型溶融シリカ粉末(龍森社商品名 RD−
8) *6:臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェルエポキシ社商品名エピコート5050,エポキシ当
量:385g/eq,臭素含有量:49%) *7:エポキシシラン(信越化学工業社商品名 KBM
−403) *8:TMAを用いて熱膨張曲線の転移点より求めた。 *9:85℃、85%RH 168時間後の吸湿率 *10:44ピンFPP16個を85℃、85%RHに
おいて168時間吸湿後、260℃ハンダ浴に10秒間
浸漬し、クラックの発生した個数を求めた。
化シェルエポキシ社商品名 エピコート180S65,
エポキシ当量:213g/eq) *2:テトラメチルビフェノールから誘導されたエポキ
シ樹脂(油化シェルエポキシ社商品名 エピコートYX
4000H,エポキシ当量:193g/eq) *3:フェノールノボラック樹脂(群栄化学社製、水酸
基当量:103g/eq,軟化点:85℃) *4:フェノールアラルキル樹脂(三井東圧社商品名
ミレックスXL225LL,水酸基当量:173g/e
q,軟化点:78℃) *5:破砕型溶融シリカ粉末(龍森社商品名 RD−
8) *6:臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェルエポキシ社商品名エピコート5050,エポキシ当
量:385g/eq,臭素含有量:49%) *7:エポキシシラン(信越化学工業社商品名 KBM
−403) *8:TMAを用いて熱膨張曲線の転移点より求めた。 *9:85℃、85%RH 168時間後の吸湿率 *10:44ピンFPP16個を85℃、85%RHに
おいて168時間吸湿後、260℃ハンダ浴に10秒間
浸漬し、クラックの発生した個数を求めた。
【0035】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、耐熱性が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優れ
た硬化物を与えることができるため、半導体封止の用途
において有利に使用できる。
物は、耐熱性が高く、且つ低吸湿性及び低応力性に優れ
た硬化物を与えることができるため、半導体封止の用途
において有利に使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31
Claims (7)
- 【請求項1】 (a)下記一般式(I)で表わされるス
ピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂、 (b)フェノール系及び/又は変性フェノール系エポキ
シ樹脂硬化剤、 (c)硬化促進剤、及び (d)無機充填剤、を必須成分として配合してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 ,R2 ,R3 及びR4 は、水素原子又は炭
素数1〜6の炭化水素基を表わし、それぞれ同一でも異
なっていてもよい。R5 ,R6 ,R7 ,R8 ,R 9 及び
R10は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜6の炭
化水素基を表わし、それぞれ同一でも異なっていてもよ
い。また、nは平均値で0〜5の数である) - 【請求項2】 (a)成分の一般式(I)で表わされる
スピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂が下記一般式(I
I)で表わされるスピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂
である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。 【化2】 (式中、R′1 ,R′2 ,R′3 及びR′4 は、メチル
基を表わす。R′5 ,R′6 ,R′7 ,R′8 ,R′9
及びR′10は、水素原子又はメチル基を表わし、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。また、n′は平均値で
0〜5の数である) - 【請求項3】 (a)成分が、一般式(I)で表わされ
るスピロクロマン骨格含有エポキシ樹脂:50〜100
重量%及びその他の構造のエポキシ樹脂:0〜50重量
からなる請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】 (b)成分としてフェノールノボラック
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエ
ンフェノール樹脂及びテルペンフェノール樹脂からなる
群から選ばれた少なくとも一種を必須成分として配合し
てなる請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項5】 (a)成分中のエポキシ基1モルに対し
て(b)成分中のエポキシ基と反応する基が0.5〜
2.0モルとなるように、(b)成分を用いる請求項1
ないし4のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項6】 (c)成分を(a)成分100重量部に
対して0.1〜5.0重量部配合した、請求項1ないし
5のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項7】 (d)成分として、組成物総量の60〜
95重量%の破砕型及び/又は球状の、溶融及び/又は
結晶シリカ粉末充填剤を用いる請求項1ないし6のいず
れか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980496A JPH1060091A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980496A JPH1060091A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1060091A true JPH1060091A (ja) | 1998-03-03 |
Family
ID=16741308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21980496A Pending JPH1060091A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1060091A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004213A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-18 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Curable composition, cured article, and layered product |
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| WO2015137294A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 日本化薬株式会社 | フェノール樹脂、フェノール樹脂混合物、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物およびそれらの硬化物 |
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| WO2020158574A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 富士フイルム株式会社 | 熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、熱伝導シート、熱伝導層付きデバイス |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP21980496A patent/JPH1060091A/ja active Pending
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