JPH1062282A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
- Publication number
- JPH1062282A JPH1062282A JP28969496A JP28969496A JPH1062282A JP H1062282 A JPH1062282 A JP H1062282A JP 28969496 A JP28969496 A JP 28969496A JP 28969496 A JP28969496 A JP 28969496A JP H1062282 A JPH1062282 A JP H1062282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- package body
- electrode
- lid
- concave portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化が図れる圧力センサを提供する。
【解決手段】 凹部１ａと、凹部１ａの底面に形成され
た圧力導入孔１ｂとを有するパッケージ本体１をＭＩＤ
成形基板技術を用いて形成し、凹部１ａの側壁上面から
パッケージ本体１の外周側面及びパッケージ本体１の裏
面にかけて電極１ｄを形成する。次に、凹部１ａの底面
に、ガラス台座４を介してセンサチップ３を接合し、電
極３ｂと電極１ｄとをワイヤ５によりワイヤボンディン
グを行った後、センサチップ３の表面にシリコン樹脂６
を塗布する。更に、外周端部に障壁７ａを有して成る箱
型形状の金属フタ７を形成し、パッケージ本体１の凹部
１ａが形成された部分を金属フタ７で覆うようにパッケ
ージ本体１と金属フタ７とを接合して、圧力センサを製
造する。
た圧力導入孔１ｂとを有するパッケージ本体１をＭＩＤ
成形基板技術を用いて形成し、凹部１ａの側壁上面から
パッケージ本体１の外周側面及びパッケージ本体１の裏
面にかけて電極１ｄを形成する。次に、凹部１ａの底面
に、ガラス台座４を介してセンサチップ３を接合し、電
極３ｂと電極１ｄとをワイヤ５によりワイヤボンディン
グを行った後、センサチップ３の表面にシリコン樹脂６
を塗布する。更に、外周端部に障壁７ａを有して成る箱
型形状の金属フタ７を形成し、パッケージ本体１の凹部
１ａが形成された部分を金属フタ７で覆うようにパッケ
ージ本体１と金属フタ７とを接合して、圧力センサを製
造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出し電気
的信号に変換する圧力センサに関するものである。
的信号に変換する圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来例に係る圧力センサを示す
略断面図である。８は、パッケージ本体で、その上部に
センサチップ３を収納するための凹部８ａが形成され、
その凹部８ａの底面には、圧力導入孔８ｂが形成されて
いる。また、９はパッケージ本体１と同時成型されたリ
ードフレームである。更に、５はセンサチップ３の表面
に形成された電極３ｂとリードフレーム９とを接続する
ワイヤであり、１０は凹部８ａの開口を塞ぐようにパッ
ケージ本体８に接合された蓋体である。図７に示す圧力
センサでは、圧力導入孔８ｂを介して、外部の圧力がセ
ンサチップ３に形成されたダイアフラム３ｂの裏側面に
伝達されるように構成されている。
略断面図である。８は、パッケージ本体で、その上部に
センサチップ３を収納するための凹部８ａが形成され、
その凹部８ａの底面には、圧力導入孔８ｂが形成されて
いる。また、９はパッケージ本体１と同時成型されたリ
ードフレームである。更に、５はセンサチップ３の表面
に形成された電極３ｂとリードフレーム９とを接続する
ワイヤであり、１０は凹部８ａの開口を塞ぐようにパッ
ケージ本体８に接合された蓋体である。図７に示す圧力
センサでは、圧力導入孔８ｂを介して、外部の圧力がセ
ンサチップ３に形成されたダイアフラム３ｂの裏側面に
伝達されるように構成されている。
【０００３】上述の圧力センサにおいては、パッケージ
本体８の側面からリードフレーム９がでる形状であり、
実装面積としてパッケージ本体８の横断面積以上のもの
が必要であった。
本体８の側面からリードフレーム９がでる形状であり、
実装面積としてパッケージ本体８の横断面積以上のもの
が必要であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の圧力センサにお
いては、パッケージ本体８の側面からリードフレーム９
がでる形状であり、実装面積としてパッケージ本体８の
横断面積以上のものが必要であった。
いては、パッケージ本体８の側面からリードフレーム９
がでる形状であり、実装面積としてパッケージ本体８の
横断面積以上のものが必要であった。
【０００５】また、図８に示すように、基板に実装した
際に、シールド効果を持たせるために圧力センサをシー
ルド金属板１１で覆うようにすると、パッケージ本体１
の小型化を行っても、実際の実装面積（占有面積）はそ
のシールド金属板１１の占有面積となる。
際に、シールド効果を持たせるために圧力センサをシー
ルド金属板１１で覆うようにすると、パッケージ本体１
の小型化を行っても、実際の実装面積（占有面積）はそ
のシールド金属板１１の占有面積となる。
【０００６】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、小型化が図れる圧力
センサを提供することにある。
であり、その目的とするところは、小型化が図れる圧力
センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ＭＩＤ成形基板技術を用いて底面または側面に圧力導入
孔を有するように形成された凹部を有するパッケージ本
体と、該パッケージ本体の外周側面に形成された複数の
第一電極と、ダイヤフラムと該ダイヤフラム上に形成さ
れた第二電極とを有するセンサチップと、前記パッケー
ジ本体の開口を塞ぐ蓋体とを有して成り、前記凹部に前
記センサチップをダイボンディングし、前記第一電極と
前記第二電極とのワイヤボンディングを行い、前記セン
サチップ上面を樹脂で覆い、前記パッケージ本体の開口
を塞ぐように前記蓋体を接合することにより形成された
圧力センサにおいて、前記蓋体を金属で形成するととも
に、外周端部に障壁を有する箱型形状としたことを特徴
とするものである。
ＭＩＤ成形基板技術を用いて底面または側面に圧力導入
孔を有するように形成された凹部を有するパッケージ本
体と、該パッケージ本体の外周側面に形成された複数の
第一電極と、ダイヤフラムと該ダイヤフラム上に形成さ
れた第二電極とを有するセンサチップと、前記パッケー
ジ本体の開口を塞ぐ蓋体とを有して成り、前記凹部に前
記センサチップをダイボンディングし、前記第一電極と
前記第二電極とのワイヤボンディングを行い、前記セン
サチップ上面を樹脂で覆い、前記パッケージ本体の開口
を塞ぐように前記蓋体を接合することにより形成された
圧力センサにおいて、前記蓋体を金属で形成するととも
に、外周端部に障壁を有する箱型形状としたことを特徴
とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の圧
力センサにおいて、前記蓋体の障壁の所望の位置に開口
部を形成し、前記パッケージ本体の外周側面における前
記開口部に対応する位置に突起部を形成し、前記突起部
を前記開口部に挿入することにより前記蓋体を前記パッ
ケージ本体に固定するようにしたことを特徴とするもの
である。
力センサにおいて、前記蓋体の障壁の所望の位置に開口
部を形成し、前記パッケージ本体の外周側面における前
記開口部に対応する位置に突起部を形成し、前記突起部
を前記開口部に挿入することにより前記蓋体を前記パッ
ケージ本体に固定するようにしたことを特徴とするもの
である。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の圧力センサにおいて、前記蓋体の内面にお
いて、少なくとも前記ワイヤボンディングを行った際に
形成されるループ近傍及び前記第一電極近傍に、絶縁性
材料を形成したことを特徴とするものである。
求項２記載の圧力センサにおいて、前記蓋体の内面にお
いて、少なくとも前記ワイヤボンディングを行った際に
形成されるループ近傍及び前記第一電極近傍に、絶縁性
材料を形成したことを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の圧力センサにおいて、前記パッケージ本体の
前記凹部を構成している壁面の対向する箇所の所望の箇
所を除去したことを特徴とするものである。
項３記載の圧力センサにおいて、前記パッケージ本体の
前記凹部を構成している壁面の対向する箇所の所望の箇
所を除去したことを特徴とするものである。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の圧力センサにおいて、複数の前記第一電極間
の内、隣接する電極間に障壁を形成したことを特徴とす
るものである。
項４記載の圧力センサにおいて、複数の前記第一電極間
の内、隣接する電極間に障壁を形成したことを特徴とす
るものである。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の圧力センサにおいて、前記蓋体の障壁の内、
所望の部分に、延設させた延設部を設けたことを特徴と
するものである。
項５記載の圧力センサにおいて、前記蓋体の障壁の内、
所望の部分に、延設させた延設部を設けたことを特徴と
するものである。
【００１３】請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求
項６記載の圧力センサにおいて、前記凹部底面のダイボ
ンディングを行う箇所に、溝部を形成したことを特徴と
するものである。
項６記載の圧力センサにおいて、前記凹部底面のダイボ
ンディングを行う箇所に、溝部を形成したことを特徴と
するものである。
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求
項７記載の圧力センサにおいて、前記凹部側壁の上面
に、前記第一電極に接続するようにワイヤボンディング
用パッド部を形成したことを特徴とするものである。
項７記載の圧力センサにおいて、前記凹部側壁の上面
に、前記第一電極に接続するようにワイヤボンディング
用パッド部を形成したことを特徴とするものである。
【００１５】請求項９記載の発明は、請求項１乃至請求
項８記載の圧力センサにおいて、前記センサチップを前
記凹部底面にダイボンディングした際の前記センサチッ
プ上面の位置を、前記凹部側壁の上面よりも高い位置と
なるようにしたことを特徴とするものである。
項８記載の圧力センサにおいて、前記センサチップを前
記凹部底面にダイボンディングした際の前記センサチッ
プ上面の位置を、前記凹部側壁の上面よりも高い位置と
なるようにしたことを特徴とするものである。
【００１６】請求項１０記載の発明は、請求項１乃至請
求項９記載の圧力センサにおいて、前記パッケージ本体
の外周面において、前記凹部底面に対向する面に、前記
第一電極と接続するように第三電極を形成したことを特
徴とするものである。
求項９記載の圧力センサにおいて、前記パッケージ本体
の外周面において、前記凹部底面に対向する面に、前記
第一電極と接続するように第三電極を形成したことを特
徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る圧力センサを示す模式図であり、（ａ）は側面か
ら見た状態を示す略側面図であり、（ｂ）は側面から見
た状態を示す略断面図であり、（ｃ）は下面から見た状
態を示す略平面図であり、図２は、本実施形態に係る圧
力センサの分解斜視図であり、図３は、本実施形態に係
るＭＩＤ成形基板技術を用いて形成された成形樹脂基板
２を示す略斜視図であり、図４は、本実施形態に係るパ
ッケージ本体１の電解メッキ方法を示す模式図である。
本実施形態係る圧力センサの製造工程としては、樹脂成
形〜メッキ〜切断〜チップ実装である。なお、切断とチ
ップ実装とは工程が逆になることがある。
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る圧力センサを示す模式図であり、（ａ）は側面か
ら見た状態を示す略側面図であり、（ｂ）は側面から見
た状態を示す略断面図であり、（ｃ）は下面から見た状
態を示す略平面図であり、図２は、本実施形態に係る圧
力センサの分解斜視図であり、図３は、本実施形態に係
るＭＩＤ成形基板技術を用いて形成された成形樹脂基板
２を示す略斜視図であり、図４は、本実施形態に係るパ
ッケージ本体１の電解メッキ方法を示す模式図である。
本実施形態係る圧力センサの製造工程としては、樹脂成
形〜メッキ〜切断〜チップ実装である。なお、切断とチ
ップ実装とは工程が逆になることがある。
【００１８】本実施形態おいては、先ず、図３に示すよ
うに、ＭＩＤ（Mold Interconnection Device）成形
基板技術を用いて、ガラス台座４を介してセンサチップ
３をダイボンディングするための複数の凹部１ａと、凹
部１ａの底面に形成された圧力導入孔１ｂと、凹部１ａ
を介して略対向するように形成された複数のスルーホー
ル１ｃとを有する成形樹脂基板２を樹脂成形し、凹部１
ａの側壁上面，スルーホール１ｃの内面，隣接するスル
ーホール１ｃ間及び成形樹脂基板２における凹部１ａの
底面に対向する面とに、電解メッキを行うための給電配
線２ａを形成し、給電配線２ａに給電を行うことにより
銅メッキから成る電極１ｄを形成する。そして、Ａ−
Ａ’面及びＢ−Ｂ’面で切断を行うことにより、隣接す
る電極１ｄ間に障壁１ｅを有するパッケージ本体１を形
成する。
うに、ＭＩＤ（Mold Interconnection Device）成形
基板技術を用いて、ガラス台座４を介してセンサチップ
３をダイボンディングするための複数の凹部１ａと、凹
部１ａの底面に形成された圧力導入孔１ｂと、凹部１ａ
を介して略対向するように形成された複数のスルーホー
ル１ｃとを有する成形樹脂基板２を樹脂成形し、凹部１
ａの側壁上面，スルーホール１ｃの内面，隣接するスル
ーホール１ｃ間及び成形樹脂基板２における凹部１ａの
底面に対向する面とに、電解メッキを行うための給電配
線２ａを形成し、給電配線２ａに給電を行うことにより
銅メッキから成る電極１ｄを形成する。そして、Ａ−
Ａ’面及びＢ−Ｂ’面で切断を行うことにより、隣接す
る電極１ｄ間に障壁１ｅを有するパッケージ本体１を形
成する。
【００１９】続いて、パッケージ本体１の凹部１ａの底
面に、ガラス台座４に接合されたセンサチップ３を角錐
コレット等（図示せず）を用いてダイボンドペースト等
によりダイボンディングを行う。このとき、センサチッ
プ３の上面の位置が、凹部１ａの側壁上面の位置よりも
高い位置となるようにセンサチップ３が配置されてい
る。なお、本実施例に係るセンサチップ３は、単結晶シ
リコン基板の裏面の所望の位置を、水酸化カリウム（Ｋ
ＯＨ）水溶液等のアルカリ系のエッチャントを用いて異
方性エッチングを行うことにより薄肉部より成るダイヤ
フラム３ａを形成し、ダイヤフラム３ａ上に電極３ｂが
形成された構成である。
面に、ガラス台座４に接合されたセンサチップ３を角錐
コレット等（図示せず）を用いてダイボンドペースト等
によりダイボンディングを行う。このとき、センサチッ
プ３の上面の位置が、凹部１ａの側壁上面の位置よりも
高い位置となるようにセンサチップ３が配置されてい
る。なお、本実施例に係るセンサチップ３は、単結晶シ
リコン基板の裏面の所望の位置を、水酸化カリウム（Ｋ
ＯＨ）水溶液等のアルカリ系のエッチャントを用いて異
方性エッチングを行うことにより薄肉部より成るダイヤ
フラム３ａを形成し、ダイヤフラム３ａ上に電極３ｂが
形成された構成である。
【００２０】次に、電極３ｂと凹部１ａの側壁上面に形
成された電極１ｄとを、ワイヤボンド治具（図示せず）
を用いてワイヤ５によりワイヤボンディングを行い、セ
ンサチップ３のワイヤボンディングを行った面上にシリ
コン樹脂６を塗布してセンサチップ３の表面を保護して
いる。
成された電極１ｄとを、ワイヤボンド治具（図示せず）
を用いてワイヤ５によりワイヤボンディングを行い、セ
ンサチップ３のワイヤボンディングを行った面上にシリ
コン樹脂６を塗布してセンサチップ３の表面を保護して
いる。
【００２１】ここで、本実施形態においては、パッケー
ジ本体１の開口を塞ぐ部材として、端部を折り曲げるこ
とにより障壁７ａを形成して成る箱型形状の金属フタ７
を形成し、パッケージ本体１における凹部１ａが形成さ
れた部分を金属フタ７で覆うように、パッケージ本体１
と金属フタ７とを接合して圧力センサを製造する。な
お、金属フタ７の内面全体あるいはワイヤ５及び電極１
ｄの近傍には、絶縁性の塗料またはテープ等が付けられ
ており、ワイヤ５及び電極１ｄと金属フタ７とが接触し
て導通してしまうのを防止している。また、金属フタ７
の障壁７ａには、延設された延設部としての実装用端子
７ｂが形成されており、基板に実装する際には、基板の
状態に合わせて実装用端子７ｂを折り曲げたり等して実
装する。
ジ本体１の開口を塞ぐ部材として、端部を折り曲げるこ
とにより障壁７ａを形成して成る箱型形状の金属フタ７
を形成し、パッケージ本体１における凹部１ａが形成さ
れた部分を金属フタ７で覆うように、パッケージ本体１
と金属フタ７とを接合して圧力センサを製造する。な
お、金属フタ７の内面全体あるいはワイヤ５及び電極１
ｄの近傍には、絶縁性の塗料またはテープ等が付けられ
ており、ワイヤ５及び電極１ｄと金属フタ７とが接触し
て導通してしまうのを防止している。また、金属フタ７
の障壁７ａには、延設された延設部としての実装用端子
７ｂが形成されており、基板に実装する際には、基板の
状態に合わせて実装用端子７ｂを折り曲げたり等して実
装する。
【００２２】従って、本実施形態においては、凹部１ａ
の底面にガラス台座４を介してセンサチップ３をダイボ
ンディングした際のセンサチップ３の上面を、凹部１ａ
の側壁上面の位置よりも高い位置としたので、角錐コレ
ットを用いてダイボンディングを行うことができ、セン
サチップ３の位置精度が高くなって、パッケージ本体１
の外壁寸法を決定するセンサチップダイボンドクリアラ
ンスを縮小することができるとともに、ワイヤボンド治
具やダイボンド治具がパッケージ本体１内に侵入するた
めの面積が削減できる。
の底面にガラス台座４を介してセンサチップ３をダイボ
ンディングした際のセンサチップ３の上面を、凹部１ａ
の側壁上面の位置よりも高い位置としたので、角錐コレ
ットを用いてダイボンディングを行うことができ、セン
サチップ３の位置精度が高くなって、パッケージ本体１
の外壁寸法を決定するセンサチップダイボンドクリアラ
ンスを縮小することができるとともに、ワイヤボンド治
具やダイボンド治具がパッケージ本体１内に侵入するた
めの面積が削減できる。
【００２３】また、金属フタ７を箱型形状とし、パッケ
ージ本体１における凹部１ａの部分を覆うように金属フ
タ７とパッケージ本体１とを接合したので、金属フタ７
によりパッケージ本体１の開口を塞いで粉塵等を防止す
る効果と、シールド効果とを兼用することができ、基板
への実装の際の占有面積を小さくすることができる。
ージ本体１における凹部１ａの部分を覆うように金属フ
タ７とパッケージ本体１とを接合したので、金属フタ７
によりパッケージ本体１の開口を塞いで粉塵等を防止す
る効果と、シールド効果とを兼用することができ、基板
への実装の際の占有面積を小さくすることができる。
【００２４】また、電極１ｄをパッケージ本体１の裏面
に形成するようにしたので、基板への実装時に、実装す
ると同時に基板上に形成されたパターンと電極１ｄとの
導通をとることができる。
に形成するようにしたので、基板への実装時に、実装す
ると同時に基板上に形成されたパターンと電極１ｄとの
導通をとることができる。
【００２５】また、電極１ｄが凹部１ａの側壁上面に形
成されているので、ワイヤボンディングを容易に行うこ
とができる。
成されているので、ワイヤボンディングを容易に行うこ
とができる。
【００２６】更に、隣接する電極１ｄ間には、障壁１ｅ
が形成されているので、隣接する電極１ｄが導通してし
まうのを防止することができる。
が形成されているので、隣接する電極１ｄが導通してし
まうのを防止することができる。
【００２７】なお、本実施形態においては、凹部１ａの
平らな底面にガラス台座４を介してセンサチップ３をダ
イボンディングするようにしたが、これに限定される必
要はなく、例えば、凹部１ａの底面に溝を形成するよう
にすれば、ダイボンドクリアランスを小さくすることで
生じるダイボンドペーストの這い上がり（凹部１ａの側
壁内面とセンサチップ３の外壁との隙間が狭いことか
ら、ダイボンドペーストの余剰分の逃げ道がないため、
ダイボンドペーストが少しでも余剰すると、センサチッ
プ３の表面に這い上がる現象）に対し、溝部８を設ける
ことによるペースト体積増加を図ることで、ダイボンド
ペーストの這い上がりを防止することができるともに、
パッケージ本体１を基板に実装する際に生じる熱応力を
緩和することができる。
平らな底面にガラス台座４を介してセンサチップ３をダ
イボンディングするようにしたが、これに限定される必
要はなく、例えば、凹部１ａの底面に溝を形成するよう
にすれば、ダイボンドクリアランスを小さくすることで
生じるダイボンドペーストの這い上がり（凹部１ａの側
壁内面とセンサチップ３の外壁との隙間が狭いことか
ら、ダイボンドペーストの余剰分の逃げ道がないため、
ダイボンドペーストが少しでも余剰すると、センサチッ
プ３の表面に這い上がる現象）に対し、溝部８を設ける
ことによるペースト体積増加を図ることで、ダイボンド
ペーストの這い上がりを防止することができるともに、
パッケージ本体１を基板に実装する際に生じる熱応力を
緩和することができる。
【００２８】また、凹部１ａにおける側壁の対向する箇
所の所望の箇所を除去するようにすれば、パッケージ本
体１を基板に実装する際に生じる熱応力を緩和すること
ができる。
所の所望の箇所を除去するようにすれば、パッケージ本
体１を基板に実装する際に生じる熱応力を緩和すること
ができる。
【００２９】また、図５に示すように、金属フタ７の障
壁の所望の位置に開口部７ｃを形成し、パッケージ本体
１における外周側面の開口部７ｃに対応する位置に突起
部１ｆを形成し、突起部１ｆを開口部７ｃに挿入するよ
うにすれば、金属フタ７がパッケージ本体１から外れる
のを防止することができる。
壁の所望の位置に開口部７ｃを形成し、パッケージ本体
１における外周側面の開口部７ｃに対応する位置に突起
部１ｆを形成し、突起部１ｆを開口部７ｃに挿入するよ
うにすれば、金属フタ７がパッケージ本体１から外れる
のを防止することができる。
【００３０】更に、本実施形態においては、凹部１ａの
横断面形状として四角形のものを形成したが、これに限
定される必要はなく、凹部の横断面形状として円形のも
のを形成するようにしても良い。
横断面形状として四角形のものを形成したが、これに限
定される必要はなく、凹部の横断面形状として円形のも
のを形成するようにしても良い。
【００３１】また、本実施形態においては、圧力導入孔
１ｂを凹部１ａの底面に形成するようにしたが、これに
限定される必要はなく、例えば、図６に示すように、圧
力導入孔１ｂを凹部１ａの側面に形成するようにしても
良い。
１ｂを凹部１ａの底面に形成するようにしたが、これに
限定される必要はなく、例えば、図６に示すように、圧
力導入孔１ｂを凹部１ａの側面に形成するようにしても
良い。
【００３２】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、ＭＩＤ成形基板
技術を用いて底面または側面に圧力導入孔を有するよう
に形成された凹部を有するパッケージ本体と、パッケー
ジ本体の外周側面に形成された複数の第一電極と、ダイ
ヤフラムとダイヤフラム上に形成された第二電極とを有
するセンサチップと、パッケージ本体の開口を塞ぐ蓋体
とを有して成り、凹部にセンサチップをダイボンディン
グし、第一電極と第二電極とのワイヤボンディングを行
い、センサチップ上面を樹脂で覆い、パッケージ本体の
開口を塞ぐように蓋体を接合することにより形成された
圧力センサにおいて、蓋体を金属で形成するとともに、
外周端部に障壁を有する箱型形状としたので、蓋体によ
りパッケージ本体の開口を塞いで粉塵等を防止する効果
と、シールド効果とを兼用することができ、基板への実
装の際の占有面積を小さくすることができ、小型化が図
れる圧力センサを提供することができた。
技術を用いて底面または側面に圧力導入孔を有するよう
に形成された凹部を有するパッケージ本体と、パッケー
ジ本体の外周側面に形成された複数の第一電極と、ダイ
ヤフラムとダイヤフラム上に形成された第二電極とを有
するセンサチップと、パッケージ本体の開口を塞ぐ蓋体
とを有して成り、凹部にセンサチップをダイボンディン
グし、第一電極と第二電極とのワイヤボンディングを行
い、センサチップ上面を樹脂で覆い、パッケージ本体の
開口を塞ぐように蓋体を接合することにより形成された
圧力センサにおいて、蓋体を金属で形成するとともに、
外周端部に障壁を有する箱型形状としたので、蓋体によ
りパッケージ本体の開口を塞いで粉塵等を防止する効果
と、シールド効果とを兼用することができ、基板への実
装の際の占有面積を小さくすることができ、小型化が図
れる圧力センサを提供することができた。
【００３３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の圧
力センサにおいて、蓋体の障壁の所望の位置に開口部を
形成し、パッケージ本体の外周側面における開口部に対
応する位置に突起部を形成し、突起部を開口部に挿入す
ることにより蓋体をパッケージ本体に固定するようにし
たので、蓋体がパッケージ本体から外れるのを防止する
ことができる。
力センサにおいて、蓋体の障壁の所望の位置に開口部を
形成し、パッケージ本体の外周側面における開口部に対
応する位置に突起部を形成し、突起部を開口部に挿入す
ることにより蓋体をパッケージ本体に固定するようにし
たので、蓋体がパッケージ本体から外れるのを防止する
ことができる。
【００３４】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の圧力センサにおいて、蓋体の内面におい
て、少なくともワイヤボンディングを行った際に形成さ
れるループ近傍及び第一電極近傍に、絶縁性材料を形成
したので、ループ及び第一電極と蓋体とが接触して導通
してしまうのを防止している。
求項２記載の圧力センサにおいて、蓋体の内面におい
て、少なくともワイヤボンディングを行った際に形成さ
れるループ近傍及び第一電極近傍に、絶縁性材料を形成
したので、ループ及び第一電極と蓋体とが接触して導通
してしまうのを防止している。
【００３５】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の圧力センサにおいて、パッケージ本体の凹部
を構成している壁面の対向する箇所の所望の箇所を除去
したので、パッケージ本体を基板に実装する際に生じる
熱応力を緩和することができる。
項３記載の圧力センサにおいて、パッケージ本体の凹部
を構成している壁面の対向する箇所の所望の箇所を除去
したので、パッケージ本体を基板に実装する際に生じる
熱応力を緩和することができる。
【００３６】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の圧力センサにおいて、複数の第一電極間の
内、隣接する電極間に障壁を形成したので、隣接する第
一電極が導通してしまうのを防止することができる。
項４記載の圧力センサにおいて、複数の第一電極間の
内、隣接する電極間に障壁を形成したので、隣接する第
一電極が導通してしまうのを防止することができる。
【００３７】請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の圧力センサにおいて、蓋体の障壁の内、所望
の部分に、延設させた延設部を設けたので、基板に実装
する際に、基板の状態に合わせて延設部を折り曲げたり
等して実装することができる。
項５記載の圧力センサにおいて、蓋体の障壁の内、所望
の部分に、延設させた延設部を設けたので、基板に実装
する際に、基板の状態に合わせて延設部を折り曲げたり
等して実装することができる。
【００３８】請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求
項６記載の圧力センサにおいて、凹部底面のダイボンデ
ィングを行う箇所に、溝部を形成したので、ダイボンド
クリアランスを小さくすることで生じるダイボンドペー
ストの這い上がりに対し、溝部を設けることによるペー
スト体積増加を図ることで、ダイボンドペーストの這い
上がりを防止することができるともに、パッケージ本体
を基板に実装する際に生じる熱応力を緩和することがで
きる。
項６記載の圧力センサにおいて、凹部底面のダイボンデ
ィングを行う箇所に、溝部を形成したので、ダイボンド
クリアランスを小さくすることで生じるダイボンドペー
ストの這い上がりに対し、溝部を設けることによるペー
スト体積増加を図ることで、ダイボンドペーストの這い
上がりを防止することができるともに、パッケージ本体
を基板に実装する際に生じる熱応力を緩和することがで
きる。
【００３９】請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求
項７記載の圧力センサにおいて、凹部側壁の上面に、第
一電極に接続するようにワイヤボンディング用パッド部
を形成したので、ワイヤボンディングを容易に行うこと
ができる。
項７記載の圧力センサにおいて、凹部側壁の上面に、第
一電極に接続するようにワイヤボンディング用パッド部
を形成したので、ワイヤボンディングを容易に行うこと
ができる。
【００４０】請求項９記載の発明は、請求項１乃至請求
項８記載の圧力センサにおいて、センサチップを凹部底
面にダイボンディングした際のセンサチップ上面の位置
を、凹部側壁の上面よりも高い位置となるようにしたの
で、角錐コレットを用いてダイボンディングを行うこと
ができ、センサチップの位置精度が高くなって、パッケ
ージ本体の外壁寸法を決定するセンサチップダイボンド
クリアランスを縮小することができるとともに、ワイヤ
ボンド治具やダイボンド治具がパッケージ本体内に侵入
するための面積が削減できる。
項８記載の圧力センサにおいて、センサチップを凹部底
面にダイボンディングした際のセンサチップ上面の位置
を、凹部側壁の上面よりも高い位置となるようにしたの
で、角錐コレットを用いてダイボンディングを行うこと
ができ、センサチップの位置精度が高くなって、パッケ
ージ本体の外壁寸法を決定するセンサチップダイボンド
クリアランスを縮小することができるとともに、ワイヤ
ボンド治具やダイボンド治具がパッケージ本体内に侵入
するための面積が削減できる。
【００４１】請求項１０記載の発明は、請求項１乃至請
求項９記載の圧力センサにおいて、パッケージ本体の外
周面において、凹部底面に対向する面に、第一電極と接
続するように第三電極を形成したので、基板への実装時
に、実装すると同時に基板上に形成されたパターンと電
極との導通をとることができる。
求項９記載の圧力センサにおいて、パッケージ本体の外
周面において、凹部底面に対向する面に、第一電極と接
続するように第三電極を形成したので、基板への実装時
に、実装すると同時に基板上に形成されたパターンと電
極との導通をとることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る圧力センサを示す模
式図であり、（ａ）は側面から見た状態を示す略側面図
であり、（ｂ）は側面から見た状態を示す略断面図であ
り、（ｃ）は下面から見た状態を示す略平面図である。
式図であり、（ａ）は側面から見た状態を示す略側面図
であり、（ｂ）は側面から見た状態を示す略断面図であ
り、（ｃ）は下面から見た状態を示す略平面図である。
【図２】本実施形態に係る圧力センサの分解斜視図であ
る。
る。
【図３】本実施形態に係るＭＩＤ成形基板技術を用いて
形成された成形樹脂基板を示す略斜視図である。
形成された成形樹脂基板を示す略斜視図である。
【図４】本実施形態に係るパッケージ本体の電解メッキ
方法を示す模式図である。
方法を示す模式図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る圧力センサを示す
模式図であり、（ａ）は側面から見た状態を示す略側面
図であり、（ｂ）は金属フタ７を外した状態の上面から
見た状態を示す略平面図である。
模式図であり、（ａ）は側面から見た状態を示す略側面
図であり、（ｂ）は金属フタ７を外した状態の上面から
見た状態を示す略平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る圧力センサの分解
斜視図である。
斜視図である。
【図７】従来例に係る圧力センサを示す略断面図であ
る。
る。
【図８】従来例に係る圧力センサの基板に実装した状態
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
１ パッケージ本体 １ａ 凹部 １ｂ 圧力導入孔 １ｃ スルーホール １ｄ 電極 １ｅ 障壁 １ｆ 突起部 ２ 成形樹脂基板 ２ａ 給電配線 ３ センサチップ ３ａ ダイヤフラム ３ｂ 電極 ４ ガラス台座 ５ ワイヤ ６ シリコン樹脂 ７ 金属フタ ７ａ 障壁 ７ｂ 開口部 ７ｃ 実装用端子 ８ パッケージ本体 ８ａ 凹部 ８ｂ 圧力導入孔 ９ リードフレーム １０ 蓋体 １１ シールド金属板
Claims (10)
- 【請求項１】 ＭＩＤ成形基板技術を用いて底面または
側面に圧力導入孔を有するように形成された凹部を有す
るパッケージ本体と、該パッケージ本体の外周側面に形
成された複数の第一電極と、ダイヤフラムと該ダイヤフ
ラム上に形成された第二電極とを有するセンサチップ
と、前記パッケージ本体の開口を塞ぐ蓋体とを有して成
り、前記凹部に前記センサチップをダイボンディング
し、前記第一電極と前記第二電極とのワイヤボンディン
グを行い、前記センサチップ上面を樹脂で覆い、前記パ
ッケージ本体の開口を塞ぐように前記蓋体を接合するこ
とにより形成された圧力センサにおいて、前記蓋体を金
属で形成するとともに、外周端部に障壁を有する箱型形
状としたことを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 前記蓋体の障壁の所望の位置に開口部を
形成し、前記パッケージ本体の外周側面における前記開
口部に対応する位置に突起部を形成し、前記突起部を前
記開口部に挿入することにより前記蓋体を前記パッケー
ジ本体に固定するようにしたことを特徴とする請求項１
記載の圧力センサ。 - 【請求項３】 前記蓋体の内面において、少なくとも前
記ワイヤボンディングを行った際に形成されるループ近
傍及び前記第一電極近傍に、絶縁性材料を形成したこと
を特徴とする請求項１または請求項２記載の圧力セン
サ。 - 【請求項４】 前記パッケージ本体の前記凹部を構成し
ている壁面の対向する箇所の所望の箇所を除去したこと
を特徴とする請求項１乃至請求項３記載の圧力センサ。 - 【請求項５】 複数の前記第一電極間の内、隣接する電
極間に障壁を形成したことを特徴とする請求項１乃至請
求項４記載の圧力センサ。 - 【請求項６】 前記蓋体の障壁の内、所望の部分に、延
設させた延設部を設けたことを特徴とする請求項１乃至
請求項５記載の圧力センサ。 - 【請求項７】 前記凹部底面のダイボンディングを行う
箇所に、溝部を形成したことを特徴とする請求項１乃至
請求項６記載の圧力センサ。 - 【請求項８】 前記凹部側壁の上面に、前記第一電極に
接続するようにワイヤボンディング用パッド部を形成し
たことを特徴とする請求項１乃至請求項７記載の圧力セ
ンサ。 - 【請求項９】 前記センサチップを前記凹部底面にダイ
ボンディングした際の前記センサチップ上面の位置を、
前記凹部側壁の上面よりも高い位置となるようにしたこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項８記載の圧力セン
サ。 - 【請求項１０】 前記パッケージ本体の外周面におい
て、前記凹部底面に対向する面に、前記第一電極と接続
するように第三電極を形成したことを特徴とする請求項
１乃至請求項９記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28969496A JP3209120B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-10-31 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15058996 | 1996-06-12 | ||
| JP8-150589 | 1996-06-12 | ||
| JP28969496A JP3209120B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-10-31 | 圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062282A true JPH1062282A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3209120B2 JP3209120B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=26480133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28969496A Expired - Fee Related JP3209120B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-10-31 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209120B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8104357B2 (en) | 2007-07-10 | 2012-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Connection unit for a pressure measuring cell |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP28969496A patent/JP3209120B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9139422B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9133020B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-15 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9024432B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9096423B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-08-04 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9051171B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-09 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9061893B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-23 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphones |
| US9067780B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-30 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9338560B1 (en) | 2000-11-28 | 2016-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9023689B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9139421B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9156684B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-13 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9148731B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9150409B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-06 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US8104357B2 (en) | 2007-07-10 | 2012-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Connection unit for a pressure measuring cell |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3209120B2 (ja) | 2001-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100414696C (zh) | 引线框及制造方法以及树脂密封型半导体器件及制造方法 | |
| EP2023658A2 (en) | Semiconductor device, lead frame, and microphone package therefor | |
| KR20000048222A (ko) | 볼 그리드 어레이형 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20090072334A1 (en) | Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor | |
| JPH11289024A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH11195742A (ja) | 半導体装置及びその製造方法とそれに用いるリードフレーム | |
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3209120B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3209121B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP3209119B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP4141789B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
| JP3209118B2 (ja) | 圧力センサパッケージ本体及びその製造方法 | |
| JP3587001B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP4609477B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4111199B2 (ja) | 半導体パッケージ、及びこれを回路基板に実装する方法 | |
| JP2004104153A (ja) | 発光素子および半導体装置 | |
| JP2000196005A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10300604A (ja) | 圧力センサ | |
| KR20000035215A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2007019154A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2010098227A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000068430A (ja) | ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11186465A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010612 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070713 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130713 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |