JPH1062604A - 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH1062604A JPH1062604A JP8216995A JP21699596A JPH1062604A JP H1062604 A JPH1062604 A JP H1062604A JP 8216995 A JP8216995 A JP 8216995A JP 21699596 A JP21699596 A JP 21699596A JP H1062604 A JPH1062604 A JP H1062604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- light
- substrate
- protective film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な工程でアライメントマークを形成する
こと。 【解決手段】 本発明は、ガラス基板１の表面にフォト
レジスト２で覆われる部分とフォトレジスト２で覆われ
ないでガラス基板１の表面が露出する部分とを形成する
工程と、フォトレジスト２をマスクとしてガラス基板１
の表面が露出する部分を加工してレンズ部Ｒを形成して
いく工程と、加工によってレンズ部Ｒが完成するまでの
間に、レンズ部Ｒを形成するためのマスクになるフォト
レジスト２を完全に除去するとともに、レンズ部Ｒを形
成するためのマスクにならないフォトレジスト２’を残
してアライメントマーク部ＡＭとする工程とから成る。
こと。 【解決手段】 本発明は、ガラス基板１の表面にフォト
レジスト２で覆われる部分とフォトレジスト２で覆われ
ないでガラス基板１の表面が露出する部分とを形成する
工程と、フォトレジスト２をマスクとしてガラス基板１
の表面が露出する部分を加工してレンズ部Ｒを形成して
いく工程と、加工によってレンズ部Ｒが完成するまでの
間に、レンズ部Ｒを形成するためのマスクになるフォト
レジスト２を完全に除去するとともに、レンズ部Ｒを形
成するためのマスクにならないフォトレジスト２’を残
してアライメントマーク部ＡＭとする工程とから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透光性基板にマイ
クロレンズやマイクロプリズムから成る光学部分を形成
する光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
に関する。
クロレンズやマイクロプリズムから成る光学部分を形成
する光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶プロジェクター等の液晶表示装置で
は、ＴＦＴ等の駆動素子が形成された駆動基板に対向す
る対向基板にマイクロレンズアレイやマイクロプリズム
アレイを形成し、照明光を画素領域に集光して表示画像
の明るさを向上させる技術が提案されている。
は、ＴＦＴ等の駆動素子が形成された駆動基板に対向す
る対向基板にマイクロレンズアレイやマイクロプリズム
アレイを形成し、照明光を画素領域に集光して表示画像
の明るさを向上させる技術が提案されている。
【０００３】このマイクロレンズアレイの形成方法とし
ては、特公平６−４２１２６号公報の投影型画像表示装
置に記載されている。また、他の形成方法としいては、
ガラス基板に凹部を形成してそこに高屈折率透明樹脂を
埋め込むことでマイクロレンズアレイを形成する技術も
考えられている。
ては、特公平６−４２１２６号公報の投影型画像表示装
置に記載されている。また、他の形成方法としいては、
ガラス基板に凹部を形成してそこに高屈折率透明樹脂を
埋め込むことでマイクロレンズアレイを形成する技術も
考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】先に示したように、マ
イクロレンズアレイやマイクロプリズムアレイが形成さ
れた光学基板は、画素領域に照明光を集光させて表示画
像の明るさを向上させる必要があることから、ＴＦＴ等
が形成された駆動基板との位置合わせが非常に重要とな
る。また、マイクロレンズアレイ等が形成された光学基
板を所定の大きさにダイシングする際にも、アライメン
トが必要となる。
イクロレンズアレイやマイクロプリズムアレイが形成さ
れた光学基板は、画素領域に照明光を集光させて表示画
像の明るさを向上させる必要があることから、ＴＦＴ等
が形成された駆動基板との位置合わせが非常に重要とな
る。また、マイクロレンズアレイ等が形成された光学基
板を所定の大きさにダイシングする際にも、アライメン
トが必要となる。
【０００５】ところが、マイクロレンズアレイ等を形成
する基板としては光を透過する透光性基板が用いられて
おり、主としてガラス基板から成る透光性基板の表面に
位置合わせ用のアライメントマークを別途形成するには
非常に手間のかかる工程が必要となる。
する基板としては光を透過する透光性基板が用いられて
おり、主としてガラス基板から成る透光性基板の表面に
位置合わせ用のアライメントマークを別途形成するには
非常に手間のかかる工程が必要となる。
【０００６】また、高屈折率透明樹脂を用いてマイクロ
レンズアレイ等を形成する場合には、この高屈折率透明
樹脂の埋め込みによってアライメントマークを形成する
ことも考えられるが、斜光、レーザ光等のアライメント
照明ではパターン判別が困難であり、正確なアライメン
トを自動的に行うことができない。
レンズアレイ等を形成する場合には、この高屈折率透明
樹脂の埋め込みによってアライメントマークを形成する
ことも考えられるが、斜光、レーザ光等のアライメント
照明ではパターン判別が困難であり、正確なアライメン
トを自動的に行うことができない。
【０００７】しかも、マイクロレンズアレイ等を形成す
る基板が透光性基板から成ることから、対向する液晶駆
動基板の駆動回路に不要な光が入射して駆動特性を変動
させるという問題がある。また、これを解消するために
遮光膜を設けることも考えられるが、別途このような遮
光膜を形成することにより製造工程の煩雑化を招くこと
になる。
る基板が透光性基板から成ることから、対向する液晶駆
動基板の駆動回路に不要な光が入射して駆動特性を変動
させるという問題がある。また、これを解消するために
遮光膜を設けることも考えられるが、別途このような遮
光膜を形成することにより製造工程の煩雑化を招くこと
になる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された光学基板の製造方法である。
すなわち、本発明は、透光性基板の表面に保護膜で覆わ
れる部分と保護膜で覆われないで透光性基板の表面が露
出する部分とを形成する工程と、保護膜をマスクとして
透光性基板の表面が露出する部分を加工して光学部分を
形成していく工程と、加工によって光学部分が完成する
までの間に、光学部分を形成するためのマスクになる保
護膜を完全に除去するとともに、光学部分を形成するた
めのマスクにならない保護膜を残しておく工程とから成
る。
を解決するために成された光学基板の製造方法である。
すなわち、本発明は、透光性基板の表面に保護膜で覆わ
れる部分と保護膜で覆われないで透光性基板の表面が露
出する部分とを形成する工程と、保護膜をマスクとして
透光性基板の表面が露出する部分を加工して光学部分を
形成していく工程と、加工によって光学部分が完成する
までの間に、光学部分を形成するためのマスクになる保
護膜を完全に除去するとともに、光学部分を形成するた
めのマスクにならない保護膜を残しておく工程とから成
る。
【０００９】また、上記製造方法で製造した光学基板を
対向基板に貼り合わせ、液晶駆動基板と重ね合わせるに
あたり、残す保護膜を液晶駆動基板の駆動回路の遮光用
の膜として使用する液晶表示装置の製造方法でもある。
対向基板に貼り合わせ、液晶駆動基板と重ね合わせるに
あたり、残す保護膜を液晶駆動基板の駆動回路の遮光用
の膜として使用する液晶表示装置の製造方法でもある。
【００１０】本発明では、透光性基板に光学部分を形成
する際の保護膜を被着する際、光学部分を形成するため
のマスクと、光学部分を形成しないマスクとを同時に設
けておき、光学部分を形成するための加工で前者の保護
膜を完全に除去し、後者の保護膜を残しておくようにし
ている。この残った保護膜で形成されるパターンが透光
性基板のアライメントマークとなるため、別途アライメ
ントマークを形成する必要がなくなる。
する際の保護膜を被着する際、光学部分を形成するため
のマスクと、光学部分を形成しないマスクとを同時に設
けておき、光学部分を形成するための加工で前者の保護
膜を完全に除去し、後者の保護膜を残しておくようにし
ている。この残った保護膜で形成されるパターンが透光
性基板のアライメントマークとなるため、別途アライメ
ントマークを形成する必要がなくなる。
【００１１】しかも、この残った保護膜を遮光膜とする
ことで、液晶駆動基板との重ね合わせを行う際、この遮
光用の保護膜を液晶駆動基板の駆動回路と対向させるこ
とで、別途遮光膜を形成することなく駆動回路の遮光を
行うことができるようになる。
ことで、液晶駆動基板との重ね合わせを行う際、この遮
光用の保護膜を液晶駆動基板の駆動回路と対向させるこ
とで、別途遮光膜を形成することなく駆動回路の遮光を
行うことができるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光学基板の製造
方法における実施の形態を図に基づいて説明する。本実
施形態では、主としてマイクロレンズやマイクロプリズ
ムを備えた光学基板の製造方法を例として説明を行う。
方法における実施の形態を図に基づいて説明する。本実
施形態では、主としてマイクロレンズやマイクロプリズ
ムを備えた光学基板の製造方法を例として説明を行う。
【００１３】図１〜図２は第１実施形態を説明する模式
断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、透光性
を備えたガラス基板１の表面にフォトレジスト２を塗布
し、フォトリソグラフィーを用いて後述のマイクロレン
ズを形成する部分であるレンズ部Ｒおよびアライメント
マークを形成するためのアライメントマーク部ＡＭを開
口する。
断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、透光性
を備えたガラス基板１の表面にフォトレジスト２を塗布
し、フォトリソグラフィーを用いて後述のマイクロレン
ズを形成する部分であるレンズ部Ｒおよびアライメント
マークを形成するためのアライメントマーク部ＡＭを開
口する。
【００１４】ガラス基板１としては、例えば６インチ
径、０．８ｍｍ厚の石英ガラス基板（屈折率１．４７
２）を使用し、フォトレジスト２としては、例えばネガ
型フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によ
ってパターニングした後、所定の温度でポストベークを
施し、ガラス基板１との密着性向上を図っておく。
径、０．８ｍｍ厚の石英ガラス基板（屈折率１．４７
２）を使用し、フォトレジスト２としては、例えばネガ
型フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によ
ってパターニングした後、所定の温度でポストベークを
施し、ガラス基板１との密着性向上を図っておく。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、ガラス基
板１上のフォトレジスト２をマスクとしてエッチング処
理を施し、レンズ部Ｒに凹状の窪みを形成する。エッチ
ング処理としてウェットエッチングを用いる場合には、
ＨＦ系のエッチング液を使用し、またドライエッチング
を用いる場合には、ＣＣｌ4 ガスを使用する。
板１上のフォトレジスト２をマスクとしてエッチング処
理を施し、レンズ部Ｒに凹状の窪みを形成する。エッチ
ング処理としてウェットエッチングを用いる場合には、
ＨＦ系のエッチング液を使用し、またドライエッチング
を用いる場合には、ＣＣｌ4 ガスを使用する。
【００１６】そして、このエッチングによるレンズ部Ｒ
の形成を、レンズ部Ｒ間にあるフォトレジスト２（図１
（ｂ）の例では左側２つのフォトレジスト）が剥離する
まで続ける。これによって、レンズ部Ｒの窪みが形成さ
れるとともに、図１（ｂ）の例では右側２つのフォトレ
ジスト２が残る状態となる。図１（ｃ）に示すように、
このフォトレジスト２’を利用して間をアライメントマ
ーク部ＡＭとして使用することになる。
の形成を、レンズ部Ｒ間にあるフォトレジスト２（図１
（ｂ）の例では左側２つのフォトレジスト）が剥離する
まで続ける。これによって、レンズ部Ｒの窪みが形成さ
れるとともに、図１（ｂ）の例では右側２つのフォトレ
ジスト２が残る状態となる。図１（ｃ）に示すように、
このフォトレジスト２’を利用して間をアライメントマ
ーク部ＡＭとして使用することになる。
【００１７】つまり、本実施形態では、レンズ部Ｒを形
成するためのフォトレジスト２はエッチングによって除
去してしまい、アライメントマーク部ＡＭを構成するフ
ォトレジスト２’はエッチングしても残るような大きさ
にパターニングしてある。これによって、レンズ部Ｒの
形成のためのエッチングと同時に、このレンズ部Ｒが形
成された段階で残ったフォトレジスト２’を用いてアラ
イメントマーク部ＡＭを構成できるようになる。なお、
このアライメントマークＡＭと同様な考え方でスクライ
ブラインを構成することもできる。
成するためのフォトレジスト２はエッチングによって除
去してしまい、アライメントマーク部ＡＭを構成するフ
ォトレジスト２’はエッチングしても残るような大きさ
にパターニングしてある。これによって、レンズ部Ｒの
形成のためのエッチングと同時に、このレンズ部Ｒが形
成された段階で残ったフォトレジスト２’を用いてアラ
イメントマーク部ＡＭを構成できるようになる。なお、
このアライメントマークＡＭと同様な考え方でスクライ
ブラインを構成することもできる。
【００１８】次に、図２（ａ）に示すように、ガラス基
板１のレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよびス
クライブライン（図示せず）に高屈折率透明樹脂３をコ
ーティングし、基台ガラス４を貼り合わせる処理を行
う。高屈折率透明樹脂３としては、紫外線照射硬化型、
または紫外線照射＋加熱硬化型、または熱硬化型のもの
（屈折率１．６０〜１．７０）を使用し、基台ガラス４
としては例えば６インチ径、０．５〜０．８ｍｍ厚の石
英ガラス（屈折率１．４７２）を使用する。この高屈折
率透明樹脂３と基台ガラス４およびガラス基板１との屈
折率差によって、レンズ部Ｒのレンズ効果が発揮される
ことになる。
板１のレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよびス
クライブライン（図示せず）に高屈折率透明樹脂３をコ
ーティングし、基台ガラス４を貼り合わせる処理を行
う。高屈折率透明樹脂３としては、紫外線照射硬化型、
または紫外線照射＋加熱硬化型、または熱硬化型のもの
（屈折率１．６０〜１．７０）を使用し、基台ガラス４
としては例えば６インチ径、０．５〜０．８ｍｍ厚の石
英ガラス（屈折率１．４７２）を使用する。この高屈折
率透明樹脂３と基台ガラス４およびガラス基板１との屈
折率差によって、レンズ部Ｒのレンズ効果が発揮される
ことになる。
【００１９】また、高屈折率透明樹脂３をコーティング
して基台ガラス４を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂３に紫外線を照射したり（例えば、２０００〜３００
０ｍＪ／ｃｍ2 ）、加熱（例えば、１５０〜１８０℃）
によって硬化させ、基台ガラス４を固着する。
して基台ガラス４を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂３に紫外線を照射したり（例えば、２０００〜３００
０ｍＪ／ｃｍ2 ）、加熱（例えば、１５０〜１８０℃）
によって硬化させ、基台ガラス４を固着する。
【００２０】この基台ガラス４の貼り合わせによって、
レンズ部Ｒの形成されたガラス基板１と基台ガラス４と
の間にフォトレジスト２’で形成されたアライメントマ
ーク部ＡＭが挟まれた状態となって、例えばＴＦＴ基板
との重ね合わせやダイシングまたはスクライブブレーク
時等、後の工程での位置合わせの目標として使用できる
ようになる。
レンズ部Ｒの形成されたガラス基板１と基台ガラス４と
の間にフォトレジスト２’で形成されたアライメントマ
ーク部ＡＭが挟まれた状態となって、例えばＴＦＴ基板
との重ね合わせやダイシングまたはスクライブブレーク
時等、後の工程での位置合わせの目標として使用できる
ようになる。
【００２１】次いで、図２（ｂ）に示すように、基台ガ
ラス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。片面
研磨はガラス基板１を基準に光学研磨加工する。つま
り、屈折率差とレンズ部Ｒの曲率半径とで決まる焦点距
離のために基台ガラス４の厚みが重要となる。
ラス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。片面
研磨はガラス基板１を基準に光学研磨加工する。つま
り、屈折率差とレンズ部Ｒの曲率半径とで決まる焦点距
離のために基台ガラス４の厚みが重要となる。
【００２２】このとき、ガラス基板１、基台ガラス４、
高屈折率透明樹脂３ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス４の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト２’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス４の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。
高屈折率透明樹脂３ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス４の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト２’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス４の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。
【００２３】ここで、レンズの焦点距離ｆ＝（ｒ／Δ
ｎ）ｎ、ｒ：レンズ部Ｒの曲率半径、Δｎ：屈折率差、
ｎ：高屈折率である。したがって、例えばｒ＝２５μ
ｍ、Δｎ＝１．７（高屈折率）−１．４７２（低屈折
率）とした場合、レンズの焦点距離ｆ＝（２．５／
（１．７−１．４７２））×１．７＝１８６μｍとな
る。
ｎ）ｎ、ｒ：レンズ部Ｒの曲率半径、Δｎ：屈折率差、
ｎ：高屈折率である。したがって、例えばｒ＝２５μ
ｍ、Δｎ＝１．７（高屈折率）−１．４７２（低屈折
率）とした場合、レンズの焦点距離ｆ＝（２．５／
（１．７−１．４７２））×１．７＝１８６μｍとな
る。
【００２４】基台ガラス４を所定の厚さに成形した後
は、その表面にＩＴＯ５をスパッターによって形成す
る。ＩＴＯ５の厚さとしては１３０〜１５０ｎｍ程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。
は、その表面にＩＴＯ５をスパッターによって形成す
る。ＩＴＯ５の厚さとしては１３０〜１５０ｎｍ程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。
【００２５】マイクロレンズアレイを備えた光学基板が
完成した後は、ＴＦＴ基板に所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシール剤塗
布、ＴＦＴ基板側にコモン剤を塗布し、双方のアライメ
ントマークを用いて重ね合わせを行う。その後、アライ
メントマークとスクライブラインとでスクライブブレー
クを行い、液晶注入および熱処理をして液晶表示装置を
完成させる。
完成した後は、ＴＦＴ基板に所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシール剤塗
布、ＴＦＴ基板側にコモン剤を塗布し、双方のアライメ
ントマークを用いて重ね合わせを行う。その後、アライ
メントマークとスクライブラインとでスクライブブレー
クを行い、液晶注入および熱処理をして液晶表示装置を
完成させる。
【００２６】なお、マイクロレンズアレイを備えた光学
基板とＴＦＴ基板とに所定のポリイミド配向膜を形成
し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシング
分割して光学基板を光学チップ、ＴＦＴ基板をＴＦＴチ
ップとし、光学チップにシール剤を塗布、ＴＦＴチップ
にコモン剤を塗布して双方のアライメントマークを用い
て重ね合わせを行う。その後、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させてもよい。
基板とＴＦＴ基板とに所定のポリイミド配向膜を形成
し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシング
分割して光学基板を光学チップ、ＴＦＴ基板をＴＦＴチ
ップとし、光学チップにシール剤を塗布、ＴＦＴチップ
にコモン剤を塗布して双方のアライメントマークを用い
て重ね合わせを行う。その後、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させてもよい。
【００２７】図３は液晶表示装置が完成した状態を示す
概略断面図、図４は液晶表示装置の概略平面図である。
先に説明した製造方法によってマイクロレンズアレイ部
ＭＲの周辺にはアライメントマーク部ＡＭを構成するた
めのフォトレジスト２’が形成されている。このフォト
レジスト２’を遮光膜から構成し、図５に示すようにマ
イクロレンズアレイ部ＭＲの周囲を囲む状態に残してお
く。
概略断面図、図４は液晶表示装置の概略平面図である。
先に説明した製造方法によってマイクロレンズアレイ部
ＭＲの周辺にはアライメントマーク部ＡＭを構成するた
めのフォトレジスト２’が形成されている。このフォト
レジスト２’を遮光膜から構成し、図５に示すようにマ
イクロレンズアレイ部ＭＲの周囲を囲む状態に残してお
く。
【００２８】これにより、ＴＦＴ基板７を重ね合わせた
状態で、有効画素領域Ｇの周辺に設けられた駆動回路部
７１を入射光から遮光することが可能となり、動作を安
定させることが可能となる。
状態で、有効画素領域Ｇの周辺に設けられた駆動回路部
７１を入射光から遮光することが可能となり、動作を安
定させることが可能となる。
【００２９】なお、図５は対向基板にプリズムＰを備え
る場合の製造方法を示す概略断面図である。プリズムＰ
を備える場合には、以下の手順で行う。 （１）マイクロレンズアレイ部ＭＡが形成された基板
（マイクロレンズ基板）にマイクロプリズム用基板８を
高屈折率透明樹脂３を介して貼り合わせる。 （２）マイクロレンズ基板のアライメントマーク部ＡＭ
を基準にマイクロプリズム用基板８を所定の厚さ（例え
ば０．２ｍｍ厚）となるよう光学研磨する。 （３）マイクロレンズ基板のアライメントマーク部ＡＭ
を基準にフォトリソグラフィーを行い、ＣＣｌ4 等でド
ライエッチングを行ってマイクロプリズム部ＭＰを形成
する（図５（ａ）参照）。 （４）マイクロプリズム部ＭＰを高屈折率透明樹脂３で
埋め、カバーガラス９（例えば、０．５ｍｍ厚）を貼り
合わせる（図５（ｂ）参照）。 （５）カバーガラス９を所定の厚さ（例えば、０．１ｍ
ｍ厚）となるまで光学研磨する。 （６）ＩＴＯ５（透明電極）を成膜する（１３０〜１５
０ｎｍ厚）（図５（ｃ）参照）。 なお、マイクロプリズム用基板８、カバーガラス９の厚
さは、レンズ部Ｒの曲率半径、高屈折率透明樹脂等のパ
ラメータで決まる。
る場合の製造方法を示す概略断面図である。プリズムＰ
を備える場合には、以下の手順で行う。 （１）マイクロレンズアレイ部ＭＡが形成された基板
（マイクロレンズ基板）にマイクロプリズム用基板８を
高屈折率透明樹脂３を介して貼り合わせる。 （２）マイクロレンズ基板のアライメントマーク部ＡＭ
を基準にマイクロプリズム用基板８を所定の厚さ（例え
ば０．２ｍｍ厚）となるよう光学研磨する。 （３）マイクロレンズ基板のアライメントマーク部ＡＭ
を基準にフォトリソグラフィーを行い、ＣＣｌ4 等でド
ライエッチングを行ってマイクロプリズム部ＭＰを形成
する（図５（ａ）参照）。 （４）マイクロプリズム部ＭＰを高屈折率透明樹脂３で
埋め、カバーガラス９（例えば、０．５ｍｍ厚）を貼り
合わせる（図５（ｂ）参照）。 （５）カバーガラス９を所定の厚さ（例えば、０．１ｍ
ｍ厚）となるまで光学研磨する。 （６）ＩＴＯ５（透明電極）を成膜する（１３０〜１５
０ｎｍ厚）（図５（ｃ）参照）。 なお、マイクロプリズム用基板８、カバーガラス９の厚
さは、レンズ部Ｒの曲率半径、高屈折率透明樹脂等のパ
ラメータで決まる。
【００３０】図６はアライメントマークの形状を示す平
面図である。先に説明した図１（ｃ）に示す工程で、レ
ンズ部Ｒの完成の後に残ったフォトレジスト２’がアラ
イメントマーク部ＡＭとして使用されるが、この残った
フォトレジスト２’を利用して図６（ａ）〜（ｃ）に示
すような形状にする。
面図である。先に説明した図１（ｃ）に示す工程で、レ
ンズ部Ｒの完成の後に残ったフォトレジスト２’がアラ
イメントマーク部ＡＭとして使用されるが、この残った
フォトレジスト２’を利用して図６（ａ）〜（ｃ）に示
すような形状にする。
【００３１】すなわち、図６（ａ）は十文字にフォトレ
ジスト２’を残してアライメントマーク部ＡＭを構成し
ており、この十文字の方向が各々ガラス基板のｘｙ方向
を示している。また、図６（ｂ）は十文字を中抜きとし
てアライメントマーク部ＡＭを構成しており、この中抜
きとなった十文字の方向が各々ガラス基板のｘｙ方向を
示している。さらに、図６（ｃ）は４つのＬ型のフォト
レジストによってｘｙ方向を示すようにしたアライメン
トマーク部ＡＭである。なお、アライメントマーク部Ａ
Ｍは、２００（μｍ）×２００（μｍ）程度の大きさが
良い。
ジスト２’を残してアライメントマーク部ＡＭを構成し
ており、この十文字の方向が各々ガラス基板のｘｙ方向
を示している。また、図６（ｂ）は十文字を中抜きとし
てアライメントマーク部ＡＭを構成しており、この中抜
きとなった十文字の方向が各々ガラス基板のｘｙ方向を
示している。さらに、図６（ｃ）は４つのＬ型のフォト
レジストによってｘｙ方向を示すようにしたアライメン
トマーク部ＡＭである。なお、アライメントマーク部Ａ
Ｍは、２００（μｍ）×２００（μｍ）程度の大きさが
良い。
【００３２】このように、残すフォトレジスト２’の形
状によってガラス基板の方向性を特定できるようなアラ
イメントマーク部ＡＭを構成すればよく、ガラス基板の
方向性を特定できれば図６（ａ）〜（ｃ）に示す形状に
限定されることはない。また、アライメントマーク部Ａ
Ｍと同様な方法でスクライブラインを形成する場合に
は、２５０〜３００μｍ程度の幅が良い。
状によってガラス基板の方向性を特定できるようなアラ
イメントマーク部ＡＭを構成すればよく、ガラス基板の
方向性を特定できれば図６（ａ）〜（ｃ）に示す形状に
限定されることはない。また、アライメントマーク部Ａ
Ｍと同様な方法でスクライブラインを形成する場合に
は、２５０〜３００μｍ程度の幅が良い。
【００３３】次に、図７の模式断面図に基づいて第２実
施形態の説明を行う。第２実施形態では、保護膜として
フォトレジスト２と金属膜６とを用いている点に特徴が
ある。
施形態の説明を行う。第２実施形態では、保護膜として
フォトレジスト２と金属膜６とを用いている点に特徴が
ある。
【００３４】先ず、図７（ａ）に示すように、透光性を
備えたガラス基板１の表面に遮光性を備えた金属膜６を
被着し、その上にフォトレジスト２を塗布してフォトリ
ソグラフィーを用いて後述のマイクロレンズを形成する
部分であるレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよ
びスクライブラインに対応したフォトレジスト２を開口
する。
備えたガラス基板１の表面に遮光性を備えた金属膜６を
被着し、その上にフォトレジスト２を塗布してフォトリ
ソグラフィーを用いて後述のマイクロレンズを形成する
部分であるレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよ
びスクライブラインに対応したフォトレジスト２を開口
する。
【００３５】その後、このフォトレジスト２をマスクと
して金属膜６のエッチングを行い、レンズ部Ｒと対応し
た金属膜６を開口する。
して金属膜６のエッチングを行い、レンズ部Ｒと対応し
た金属膜６を開口する。
【００３６】ガラス基板１としては、例えば６インチ
径、０．８ｍｍ厚の石英ガラス基板（屈折率１．４７
２）を使用し、また金属膜６としては、例えばクロムや
アルミニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、
酸化クロム等をスパッターによって２００ｎｍ程度被着
する。なお、金属膜６としてはクロム、酸化クロム等の
遮光性および低反射性を備えたものが望ましい。
径、０．８ｍｍ厚の石英ガラス基板（屈折率１．４７
２）を使用し、また金属膜６としては、例えばクロムや
アルミニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、
酸化クロム等をスパッターによって２００ｎｍ程度被着
する。なお、金属膜６としてはクロム、酸化クロム等の
遮光性および低反射性を備えたものが望ましい。
【００３７】フォトレジスト２としては、例えばネガ型
フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によっ
てパターニングした後、所定の温度でポストベークし
て、金属膜６との密着性向上を図っておく。そして、こ
のフォトレジスト２をマスクとして金属膜６を例えばＣ
Ｆ4 ガスにてドライエッチングする。
フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によっ
てパターニングした後、所定の温度でポストベークし
て、金属膜６との密着性向上を図っておく。そして、こ
のフォトレジスト２をマスクとして金属膜６を例えばＣ
Ｆ4 ガスにてドライエッチングする。
【００３８】次に、図７（ｂ）に示すように、ガラス基
板１上のフォトレジスト２および金属膜６をマスクとし
てエッチング処理を施し、レンズ部Ｒに凹状の窪みを形
成する。エッチング処理としてウェットエッチングを用
いる場合には、ＨＦ系のエッチング液を使用し、またド
ライエッチングを用いる場合には、ＣＣｌ4 ガスを使用
する。
板１上のフォトレジスト２および金属膜６をマスクとし
てエッチング処理を施し、レンズ部Ｒに凹状の窪みを形
成する。エッチング処理としてウェットエッチングを用
いる場合には、ＨＦ系のエッチング液を使用し、またド
ライエッチングを用いる場合には、ＣＣｌ4 ガスを使用
する。
【００３９】そして、このエッチングによるレンズ部Ｒ
の形成を、レンズ部Ｒ間にあるフォトレジスト２および
金属膜６（図７（ｂ）の例では左側２つのフォトレジス
トおよび金属膜）が剥離するまで続ける。これによっ
て、レンズ部Ｒの窪みが形成されるとともに、図７
（ｂ）の例では右側２つのフォトレジスト２および金属
膜６が残る状態となる。図７（ｃ）に示すように、この
フォトレジスト２’および金属膜を利用してアライメン
トマーク部ＡＭが構成されることになる。
の形成を、レンズ部Ｒ間にあるフォトレジスト２および
金属膜６（図７（ｂ）の例では左側２つのフォトレジス
トおよび金属膜）が剥離するまで続ける。これによっ
て、レンズ部Ｒの窪みが形成されるとともに、図７
（ｂ）の例では右側２つのフォトレジスト２および金属
膜６が残る状態となる。図７（ｃ）に示すように、この
フォトレジスト２’および金属膜を利用してアライメン
トマーク部ＡＭが構成されることになる。
【００４０】なお、このフォトレジストおよび金属膜を
残すことで形成されるアライメントマーク部ＡＭとして
は、例えば図６に示すような、ガラス基板の方向性を特
定できるような形状にしておく。
残すことで形成されるアライメントマーク部ＡＭとして
は、例えば図６に示すような、ガラス基板の方向性を特
定できるような形状にしておく。
【００４１】次に、図７（ｄ）に示すように、ガラス基
板１のレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよびス
クライブラインに高屈折率透明樹脂３をコーティング
し、基台ガラス４を貼り合わせる処理を行う。高屈折率
透明樹脂３としては、紫外線照射硬化型、または紫外線
照射＋加熱硬化型、または熱硬化型のもの（屈折率１．
６０〜１．７０）を使用し、基台ガラス４としては例え
ば石英ガラス（屈折率１．４７２）を使用する。この高
屈折率透明樹脂３と基台ガラス４との屈折率差によっ
て、レンズ部Ｒのレンズ効果が発揮されることになる。
板１のレンズ部Ｒ、アライメントマーク部ＡＭおよびス
クライブラインに高屈折率透明樹脂３をコーティング
し、基台ガラス４を貼り合わせる処理を行う。高屈折率
透明樹脂３としては、紫外線照射硬化型、または紫外線
照射＋加熱硬化型、または熱硬化型のもの（屈折率１．
６０〜１．７０）を使用し、基台ガラス４としては例え
ば石英ガラス（屈折率１．４７２）を使用する。この高
屈折率透明樹脂３と基台ガラス４との屈折率差によっ
て、レンズ部Ｒのレンズ効果が発揮されることになる。
【００４２】また、高屈折率透明樹脂３をコーティング
して基台ガラス４を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂３に紫外線を照射したり（例えば、２０００〜３００
０ｍＪ／ｃｍ2 ）、加熱（例えば、１５０〜１８０℃）
によって硬化させ、基台ガラス４を固着する。
して基台ガラス４を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂３に紫外線を照射したり（例えば、２０００〜３００
０ｍＪ／ｃｍ2 ）、加熱（例えば、１５０〜１８０℃）
によって硬化させ、基台ガラス４を固着する。
【００４３】第１実施形態と同様、この基台ガラス４の
貼り合わせによって、レンズ部Ｒの形成されたガラス基
板１と基台ガラス４との間にアライメントマーク部ＡＭ
が挟まれた状態となって、例えばＴＦＴ基板との重ね合
わせやダイシングまたはスクライブブレーク時等、後の
工程での位置合わせの目標として使用できるようにな
る。
貼り合わせによって、レンズ部Ｒの形成されたガラス基
板１と基台ガラス４との間にアライメントマーク部ＡＭ
が挟まれた状態となって、例えばＴＦＴ基板との重ね合
わせやダイシングまたはスクライブブレーク時等、後の
工程での位置合わせの目標として使用できるようにな
る。
【００４４】次いで、図２（ｂ）に示す工程と同様に、
基台ガラス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形す
る。片面研磨はガラス基板１を基準に光学研磨加工す
る。つまり、屈折率差とレンズ部Ｒの曲率半径とで決ま
る焦点距離のために基台ガラス４の厚みが重要となる。
基台ガラス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形す
る。片面研磨はガラス基板１を基準に光学研磨加工す
る。つまり、屈折率差とレンズ部Ｒの曲率半径とで決ま
る焦点距離のために基台ガラス４の厚みが重要となる。
【００４５】このとき、ガラス基板１、基台ガラス４、
高屈折率透明樹脂３ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス４の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト２’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス４の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。
高屈折率透明樹脂３ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス４の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト２’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス４の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。
【００４６】ここで、レンズの焦点距離ｆ＝（ｒ／Δ
ｎ）ｎ、ｒ：レンズ部Ｒの曲率半径、Δｎ：屈折率差、
ｎ：高屈折率である。したがって、例えばｒ＝２５μ
ｍ、Δｎ＝１．７（高屈折率）−１．４７２（低屈折
率）とした場合、レンズの焦点距離ｆ＝（２．５／
（１．７−１．４７２））×１．７＝１８６μｍとな
る。
ｎ）ｎ、ｒ：レンズ部Ｒの曲率半径、Δｎ：屈折率差、
ｎ：高屈折率である。したがって、例えばｒ＝２５μ
ｍ、Δｎ＝１．７（高屈折率）−１．４７２（低屈折
率）とした場合、レンズの焦点距離ｆ＝（２．５／
（１．７−１．４７２））×１．７＝１８６μｍとな
る。
【００４７】この後の工程としては第１実施形態と同様
である。すなわち、図２（ｂ）に示すように、基台ガラ
ス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。この厚
さとしては高屈折率透明樹脂３の屈折率によっても異な
るが、１５０〜２００μｍ程度にする。
である。すなわち、図２（ｂ）に示すように、基台ガラ
ス４の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。この厚
さとしては高屈折率透明樹脂３の屈折率によっても異な
るが、１５０〜２００μｍ程度にする。
【００４８】基台ガラス４を所定の厚さに形成した後
は、その表面にＩＴＯ５をスパッターによって形成す
る。ＩＴＯ５の厚さとしては１３０〜１５０ｎｍ程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。
は、その表面にＩＴＯ５をスパッターによって形成す
る。ＩＴＯ５の厚さとしては１３０〜１５０ｎｍ程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。
【００４９】また、対向基板にプリズムＰを備える場合
には、図５に示す工程と同様な手順によってプリズムＰ
を形成する。そして、このプリズムＰの上にＩＴＯ５を
スパッターによって形成することで光学基板が完成す
る。
には、図５に示す工程と同様な手順によってプリズムＰ
を形成する。そして、このプリズムＰの上にＩＴＯ５を
スパッターによって形成することで光学基板が完成す
る。
【００５０】マイクロレンズアレイ部ＭＡを備えた光学
基板が完成した後は、ＴＦＴ基板に所定のポリイミド配
向膜を形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシー
ル剤塗布、ＴＦＴ基板側にコモン剤を塗布し、双方のア
ライメントマーク部ＡＭを用いて重ね合わせを行う。そ
の後、アライメントマーク部ＡＭとスクライブラインと
でスクライブブレークを行い、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させる。
基板が完成した後は、ＴＦＴ基板に所定のポリイミド配
向膜を形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシー
ル剤塗布、ＴＦＴ基板側にコモン剤を塗布し、双方のア
ライメントマーク部ＡＭを用いて重ね合わせを行う。そ
の後、アライメントマーク部ＡＭとスクライブラインと
でスクライブブレークを行い、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させる。
【００５１】なお、マイクロレンズアレイ部ＭＡを備え
た光学基板とＴＦＴ基板とに所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシ
ング分割して光学基板を光学チップ、ＴＦＴ基板をＴＦ
Ｔチップとし、光学チップにシール剤を塗布、ＴＦＴチ
ップにコモン剤を塗布して双方のアライメントマーク部
ＡＭを用いて重ね合わせを行う。その後、液晶注入およ
び熱処理をして液晶表示装置を完成させてもよい。
た光学基板とＴＦＴ基板とに所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシ
ング分割して光学基板を光学チップ、ＴＦＴ基板をＴＦ
Ｔチップとし、光学チップにシール剤を塗布、ＴＦＴチ
ップにコモン剤を塗布して双方のアライメントマーク部
ＡＭを用いて重ね合わせを行う。その後、液晶注入およ
び熱処理をして液晶表示装置を完成させてもよい。
【００５２】上記説明した第１実施形態および第２実施
形態では、いずれもレンズ部Ｒの形成としてガラス基板
１のウェットエッチングまたはドライエッチングを用い
る例を説明したが、他の方法を用いてもよい。
形態では、いずれもレンズ部Ｒの形成としてガラス基板
１のウェットエッチングまたはドライエッチングを用い
る例を説明したが、他の方法を用いてもよい。
【００５３】例えば、フォトレジスト２として耐サンド
ブラスト性の良好な感光性ドライフィルムフォトレジス
トを使用し、フォトリソグラフィーによってレンズ部Ｒ
と対応する部分の開口を行った後、サンドブラスト法に
よって物理的に窪みを形成する。その後、サンドブラス
ト処理で生じた窪み表面の細かい凹凸をわずかにＨＦ系
のエッチング液でウェットエッチングまたはＣＣｌ4 等
を用いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へ
と整えるようにする。
ブラスト性の良好な感光性ドライフィルムフォトレジス
トを使用し、フォトリソグラフィーによってレンズ部Ｒ
と対応する部分の開口を行った後、サンドブラスト法に
よって物理的に窪みを形成する。その後、サンドブラス
ト処理で生じた窪み表面の細かい凹凸をわずかにＨＦ系
のエッチング液でウェットエッチングまたはＣＣｌ4 等
を用いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へ
と整えるようにする。
【００５４】また、上記と同じ感光性ドライフィルムフ
ォトレジストを使用し、サンドブラスト法の代わりに、
セラミックス微粒子を吹き付けて削るパウダービーム加
工を用いてもよい。この場合にも、パウダービーム加工
後に窪み表面に生じた細かい凹凸をわずかにＨＦ系のエ
ッチング液でウェットエッチングまたはＣＣｌ4 等を用
いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へと整
えるようにする。
ォトレジストを使用し、サンドブラスト法の代わりに、
セラミックス微粒子を吹き付けて削るパウダービーム加
工を用いてもよい。この場合にも、パウダービーム加工
後に窪み表面に生じた細かい凹凸をわずかにＨＦ系のエ
ッチング液でウェットエッチングまたはＣＣｌ4 等を用
いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へと整
えるようにする。
【００５５】このようなサンドブラスト法やパウダービ
ーム加工によるレンズ部Ｒの形成法を適用する場合に
は、レンズ部Ｒを形成するガラス基板１として石英ガラ
ス基板を用いる必要がなく、ほうけい酸ガラス基板等の
安価なものを使用することができる。つまり、サンドブ
ラスト法やパウダービーム加工では、ガラス基板１を物
理的に削ることができるため、化学的なウェットエッチ
ングまたはドライエッチングで所定形状のレンズ部Ｒを
形成する時のような高いエッチング均一性は要求されな
い。したがって、石英ガラス基板よりも安価で大型のほ
うけい酸ガラス基板を使用することができ、ほうけい酸
ガラス基板を用いることで、大型の基板による大量生産
を行うことも可能となる。しかも、ウェットエッチング
やドライエッチングのみの場合と比べてレンズ形状の均
一化、再現性を向上でき、大型ガラス基板によるコスト
ダウンが可能となる。
ーム加工によるレンズ部Ｒの形成法を適用する場合に
は、レンズ部Ｒを形成するガラス基板１として石英ガラ
ス基板を用いる必要がなく、ほうけい酸ガラス基板等の
安価なものを使用することができる。つまり、サンドブ
ラスト法やパウダービーム加工では、ガラス基板１を物
理的に削ることができるため、化学的なウェットエッチ
ングまたはドライエッチングで所定形状のレンズ部Ｒを
形成する時のような高いエッチング均一性は要求されな
い。したがって、石英ガラス基板よりも安価で大型のほ
うけい酸ガラス基板を使用することができ、ほうけい酸
ガラス基板を用いることで、大型の基板による大量生産
を行うことも可能となる。しかも、ウェットエッチング
やドライエッチングのみの場合と比べてレンズ形状の均
一化、再現性を向上でき、大型ガラス基板によるコスト
ダウンが可能となる。
【００５６】また、上記説明したいずれの実施形態にお
いても、フォトレジスト２として遮光性を備えたものを
使用してもよい。すなわち、汎用のフォトレジスト２に
黒色有機顔料やカーボンを混合したものを用いた遮光性
を持たせるようにする。また、汎用のフォトレジスト２
の上に黒色有機顔料やカーボンを混合した樹脂ブラック
マスク用フォトレジストを形成しても良い。
いても、フォトレジスト２として遮光性を備えたものを
使用してもよい。すなわち、汎用のフォトレジスト２に
黒色有機顔料やカーボンを混合したものを用いた遮光性
を持たせるようにする。また、汎用のフォトレジスト２
の上に黒色有機顔料やカーボンを混合した樹脂ブラック
マスク用フォトレジストを形成しても良い。
【００５７】この場合、図１（ｃ）に示すようにレンズ
部Ｒおよび残ったフォトレジスト２’によりアライメン
トマーク部ＡＭが形成された状態で、表面に樹脂ブラッ
クマスク用フォトレジストを３〜５μｍ厚塗布し、ガラ
ス基板１の裏面からフォトレジスト２’をマスクとして
セルフアライメントによる裏面露光、現像、ポストベー
クを行う。これによって、フォトレジスト２’の表面に
樹脂ブラックマスク用フォトレジストが形成されるよう
になる。
部Ｒおよび残ったフォトレジスト２’によりアライメン
トマーク部ＡＭが形成された状態で、表面に樹脂ブラッ
クマスク用フォトレジストを３〜５μｍ厚塗布し、ガラ
ス基板１の裏面からフォトレジスト２’をマスクとして
セルフアライメントによる裏面露光、現像、ポストベー
クを行う。これによって、フォトレジスト２’の表面に
樹脂ブラックマスク用フォトレジストが形成されるよう
になる。
【００５８】これにより、製造した光学基板を液晶表示
装置の駆動基板に対する対向基板として使用する際の遮
光性を向上させることができるようになる。つまり、外
乱光をこのフォトレジスト２で遮ることができ、ＴＦＴ
素子の閾値電圧変動等の動作不安定要素を減少させるこ
とができるようになる。なお、このためには、光学的濃
度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が３．０以上と
なるように遮光性膜を形成することが重要である。
装置の駆動基板に対する対向基板として使用する際の遮
光性を向上させることができるようになる。つまり、外
乱光をこのフォトレジスト２で遮ることができ、ＴＦＴ
素子の閾値電圧変動等の動作不安定要素を減少させるこ
とができるようになる。なお、このためには、光学的濃
度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が３．０以上と
なるように遮光性膜を形成することが重要である。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学基板
の製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、
マイクロレンズ等の光学部分を製造する際に用いる保護
膜の一部を残してアライメントマークにすることから、
別途の工程でアライメントマークを形成する必要が無く
なり、工程の簡素化を図ることが可能となるとともに、
読み取りやすいアライメントマークによる透光性基板の
位置合わせを容易にしかも正確に行うことが可能とな
る。
の製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、
マイクロレンズ等の光学部分を製造する際に用いる保護
膜の一部を残してアライメントマークにすることから、
別途の工程でアライメントマークを形成する必要が無く
なり、工程の簡素化を図ることが可能となるとともに、
読み取りやすいアライメントマークによる透光性基板の
位置合わせを容易にしかも正確に行うことが可能とな
る。
【００６０】また、保護膜から成るアライメントマーク
によって、アライメントマークの判別が容易となり、Ｔ
ＦＴ等の液晶駆動基板との自動での位置合わせを的確に
行うことが可能となって、高精度、高生産性しかもレン
ズ効果の高い液晶表示装置を製造することが可能とな
る。
によって、アライメントマークの判別が容易となり、Ｔ
ＦＴ等の液晶駆動基板との自動での位置合わせを的確に
行うことが可能となって、高精度、高生産性しかもレン
ズ効果の高い液晶表示装置を製造することが可能とな
る。
【００６１】さらに、このアライメントマークと同様に
製造したスクライブまたはダイシングアライメントマー
クを使用することで、高精度の自動化スクライブまたは
ダイシングが可能となり生産性の向上を図ることが可能
となる。
製造したスクライブまたはダイシングアライメントマー
クを使用することで、高精度の自動化スクライブまたは
ダイシングが可能となり生産性の向上を図ることが可能
となる。
【００６２】また、スクライブまたはダイシングライン
が明確となることから、高精度のスクライブまたはダイ
シングが可能となる。
が明確となることから、高精度のスクライブまたはダイ
シングが可能となる。
【００６３】また、光学部分等を形成する際に残った保
護膜によって液晶駆動基板の駆動回路を外部光より遮へ
いすることができ、駆動回路のトランジスタの閾値電圧
変動を防止でき、安定した高画質の液晶表示が可能とな
る。
護膜によって液晶駆動基板の駆動回路を外部光より遮へ
いすることができ、駆動回路のトランジスタの閾値電圧
変動を防止でき、安定した高画質の液晶表示が可能とな
る。
【００６４】さらに、光学部分等を形成した後に保護膜
を剥離する必要がないことから、工程数の削減、剥離液
等の間接材料の不要によりコストダウンを図ることが可
能となる。
を剥離する必要がないことから、工程数の削減、剥離液
等の間接材料の不要によりコストダウンを図ることが可
能となる。
【００６５】また、光学部分等を形成した後に残った保
護膜を基準として透光性基板に貼り合わせた基台ガラス
の厚さを正確に測定できるので、レンズの焦点距離が正
確となり、レンズ効果を高めることが可能となる。これ
によって、液晶表示装置の照度を高めることが可能とな
る。
護膜を基準として透光性基板に貼り合わせた基台ガラス
の厚さを正確に測定できるので、レンズの焦点距離が正
確となり、レンズ効果を高めることが可能となる。これ
によって、液晶表示装置の照度を高めることが可能とな
る。
【図１】第１実施形態を説明する模式断面図（その１）
である。
である。
【図２】第１実施形態を説明する模式断面図（その２）
である。
である。
【図３】液晶表示装置の完成状態を示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】液晶表示装置を説明する概略平面図である。
【図５】プリズムを備える場合の製造工程図である。
【図６】アライメントマークの形状を示す平面図であ
る。
る。
【図７】第２実施形態を説明する模式断面図である。
１ ガラス基板 ２ フォトレジスト ３ 高屈折
率透明樹脂 ４ 基台ガラス ５ ＩＴＯ ６ 金属膜 ＡＭ アライメントマーク部 Ｐ プリズム Ｒ
レンズ部
率透明樹脂 ４ 基台ガラス ５ ＩＴＯ ６ 金属膜 ＡＭ アライメントマーク部 Ｐ プリズム Ｒ
レンズ部
Claims (16)
- 【請求項１】 透光性基板の表面に保護膜で覆われる部
分と該保護膜で覆われないで該透光性基板の表面が露出
する部分とを形成する工程と、 前記保護膜をマスクとして前記透光性基板の表面が露出
する部分を加工して光学部分を形成していく工程と、 前記加工によって前記光学部分が完成するまでの間に、
該光学部分を形成するためのマスクになる保護膜を完全
に除去するとともに、該光学部分を形成するためのマス
クにならない保護膜を残しておく工程とから成ることを
特徴とする光学基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記光学部分に、前記透光性基板の屈折
率と異なる屈折率の透光性樹脂を充填し、マイクロレン
ズを構成することを特徴とする請求項１記載の光学基板
の製造方法。 - 【請求項３】 前記光学部分に、前記透光性基板の屈折
率と異なる屈折率の透光性樹脂を充填し、マイクロプリ
ズムを構成することを特徴とする請求項１記載の光学基
板の製造方法。 - 【請求項４】 前記保護膜はフォトレジスト膜から成る
ことを特徴とする請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記保護膜は金属膜から成ることを特徴
とする請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記保護膜はフォトレジスト膜と金属膜
とから構成されることを特徴とする請求項１記載の光学
基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記保護膜は遮光性膜から成ることを特
徴とする請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記保護膜をマスクとして、サンドブラ
スト法を用いて前記透光性基板の表面の露出する部分を
削る加工を行い、前記光学部分を形成することを特徴と
する請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記保護膜をマスクとして、セラミック
ス微粒子を前記透光性基板の表面の露出する部分に吹き
付けて削る加工を行い、前記光学部分を形成することを
特徴とする請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記光学部分が完成した状態で前記透
光性基板の表面に残っている保護膜を利用して、該透光
性基板の位置合わせマークを構成することを特徴とする
請求項１記載の光学基板の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項８記載の光学基板の製造方法に
おいて、前記サンドブラスト法を用いて前記透光性基板
の表面の露出する部分を削る工程を行った後、その削っ
た部分の表面にエッチング処理を施して前記光学部分を
形成することを特徴とする光学基板の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項９記載の光学基板の製造方法に
おいて、前記セラミックス微粒子を前記透光性基板の表
面の露出する部分に吹き付けて削る工程を行った後、そ
の削った部分の表面にエッチング処理を施して前記光学
部分を形成することを特徴とする光学基板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記位置合わせマークを構成する部分
に前記透光性基板の屈折率と異なる屈折率の透光性樹脂
を充填することを特徴とする請求項１０記載の光学基板
の製造方法。 - 【請求項１４】 透光性基板の表面に遮光保護膜で覆わ
れる部分と該遮光保護膜で覆われないで該透光性基板の
表面が露出する部分とを形成する工程と、 前記遮光保護膜をマスクとして前記透光性基板の表面が
露出する部分を加工して複数のマイクロレンズまたは複
数のマイクロプリズムが並ぶ光学アレイ領域を形成する
工程と、 前記加工によって前記光学アレイ領域が完成するまでの
間に、該光学アレイ領域を形成するためのマスクになる
遮光保護膜を完全に除去するとともに、該光学アレイ領
域を形成するためのマスクにならない遮光保護膜を該光
学アレイ領域の周囲を囲む状態で残しておく工程と前記
光学アレイ領域の形成された透光性基板を対向基板に貼
り合わせる工程と、 前記対向基板の光学アレイ領域の周辺を囲む状態で残さ
れた遮光保護膜と、液晶駆動基板の有効画素領域の周辺
に設けられた駆動回路とを対向させるよう該液晶駆動基
板と該対向基板とを重ね合わせる工程と、 前記液晶駆動基板と前記対向基板との間に液晶を注入す
る工程とから成ることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 前記光学アレイ領域の周囲を囲む遮光
保護膜には、所定形状の位置合わせマークが形成されて
いることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記光学アレイ領域および前記位置合
わせマークには、前記透光性基板の屈折率と異なる屈折
率の透光性樹脂を充填することを特徴とする請求項１５
記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216995A JPH1062604A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216995A JPH1062604A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062604A true JPH1062604A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16697171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8216995A Pending JPH1062604A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1062604A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079336A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Seiko Epson Corporation | Substrate of liquid crystal display, method of manufacture thereof, liquid crystal display, method of manufacture thereof, and electronic device |
| JP2002176232A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | アライメントマーク |
| WO2004034747A1 (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | ガラス板のアライメントマーク形成法、及び該形成法により形成されたアライメントマーク |
| JP2005039195A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付き発光素子の製造方法 |
| JP2005091891A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Ricoh Co Ltd | 微小光学部品、微小光学部品の製造方法及び光学装置 |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| US7110643B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-09-19 | Victor Company Of Japan, Limited. | Micro lens array and a method of manufacturing a replication mold for the same |
| WO2009116600A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
| JP2011195155A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子の梱包方法、及び光学素子の梱包物 |
| JP2013120297A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | V Technology Co Ltd | マイクロレンズアレイ及びその貼り合わせ方法 |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP8216995A patent/JPH1062604A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079336A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Seiko Epson Corporation | Substrate of liquid crystal display, method of manufacture thereof, liquid crystal display, method of manufacture thereof, and electronic device |
| KR100426884B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2004-04-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치용 기판, 그 제조 방법, 액정 장치, 그 제조방법 및 전자기기 |
| JP2002176232A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | アライメントマーク |
| WO2004034747A1 (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | ガラス板のアライメントマーク形成法、及び該形成法により形成されたアライメントマーク |
| JP2005039195A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付き発光素子の製造方法 |
| JP2005091891A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Ricoh Co Ltd | 微小光学部品、微小光学部品の製造方法及び光学装置 |
| US7359596B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-04-15 | Victor Company Of Japan, Limited | Micro lens array and a method of manufacturing a replication mold for the same |
| US7110643B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-09-19 | Victor Company Of Japan, Limited. | Micro lens array and a method of manufacturing a replication mold for the same |
| US7282385B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| WO2009116600A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
| JP2009229749A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sharp Corp | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 |
| US20110096213A1 (en) * | 2008-03-21 | 2011-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wafer-shaped optical apparatus and manufacturing method thereof, electronic element wafer module, sensor wafer module, electronic element module,sensor module, and electronic information device |
| JP2011195155A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子の梱包方法、及び光学素子の梱包物 |
| JP2013120297A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | V Technology Co Ltd | マイクロレンズアレイ及びその貼り合わせ方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001277260A (ja) | マイクロレンズアレイ、その製造方法及びその製造用原盤並びに表示装置 | |
| TW586149B (en) | Graytone mask producing method | |
| US20070064188A1 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same | |
| JPH1062604A (ja) | 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4293802B2 (ja) | マイクロレンズ付基板の製造方法、液晶表示パネルの対向基板の製造方法及び液晶パネルの製造方法 | |
| JP2000329906A (ja) | マイクロレンズアレイ基板とその製造方法 | |
| KR100470498B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP4774567B2 (ja) | パターン形成方法とカラーフィルタの製造方法および液晶表示装置 | |
| WO2019061556A1 (zh) | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 | |
| JP4587210B2 (ja) | マイクロレンズ付基板の製造方法、液晶表示パネルの対向基板の製造方法及び液晶パネルの製造方法 | |
| KR20020086798A (ko) | 액정 표시소자의 스페이서 형성방법 | |
| JP2002055359A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JP4023043B2 (ja) | マイクロレンズアレイ基板の製造方法 | |
| JPH10282333A (ja) | カラーフィルタおよびその製造方法 | |
| JPH10142590A (ja) | 光学基板の製造方法 | |
| JP2003084121A (ja) | カラーフィルタおよびその製造方法 | |
| JPH10142589A (ja) | 光学基板の製造方法 | |
| JP4160682B2 (ja) | マイクロレンズ及びマイクロレンズアレイ | |
| CN101226316A (zh) | 液晶显示器下基板的制作方法 | |
| JP2001222003A (ja) | パターン形成方法およびカラーフィルタ | |
| JP3508637B2 (ja) | マイクロレンズ基板の製造方法 | |
| JP2000098127A (ja) | カラーフィルタおよびその製造方法 | |
| KR0162441B1 (ko) | 마이크로렌즈 어레이가 부착된 액정판넬 | |
| KR20150029997A (ko) | 하프톤 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 | |
| JP2000347021A (ja) | カラーフィルタおよびその製造方法 |