JPH1064940A - ワイヤボンディング装置用キャピラリ - Google Patents
ワイヤボンディング装置用キャピラリInfo
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- JPH1064940A JPH1064940A JP8238541A JP23854196A JPH1064940A JP H1064940 A JPH1064940 A JP H1064940A JP 8238541 A JP8238541 A JP 8238541A JP 23854196 A JP23854196 A JP 23854196A JP H1064940 A JPH1064940 A JP H1064940A
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- B23K20/005—Capillary welding
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ワイヤ線径が10〜30μmの場合において、
ボール接合力の向上が図れる。 【解決手段】ワイヤ挿通用ホール10の先端に2個の下
方及び上方のチャンファー11、12を形成したワイヤ
ボンディング装置用キャピラリ4において、ワイヤ線径
が10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12
は、角度θ2 を3〜19度、高さH1 を20〜50μm
に形成した。
ボール接合力の向上が図れる。 【解決手段】ワイヤ挿通用ホール10の先端に2個の下
方及び上方のチャンファー11、12を形成したワイヤ
ボンディング装置用キャピラリ4において、ワイヤ線径
が10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12
は、角度θ2 を3〜19度、高さH1 を20〜50μm
に形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はワイヤボンデイング
装置に用いるキャピラリに関する。
装置に用いるキャピラリに関する。
【0002】
【従来の技術】まず、本題に入る前にワイヤボンデイン
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図3に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図3に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
【0003】その後、(d)に示すように、キャピラリ
4は上昇する。続いて(e)に示すように、キャピラリ
4はルーピング方向Aの第2ボンド点2aの上方に移動
する。次に(f)に示すように、キャピラリ4が下降し
て第2ボンド点2aにワイヤ3を押し付け、ホーンによ
りキャピラリ4に超音波振動を印加してワイヤ3をボン
デイングする。その後、キャピラリ4が一定の位置へ上
昇した後、クランパ6が閉じ、キャピラリ4とクランパ
6が共に上昇して(g)に示すようにワイヤ3を切断す
る。これにより、1本のワイヤ接続が完了する。なお、
この種のワイヤボンデイング方法に関連するものとし
て、例えば特開昭57−87143号公報、特公平1−
26531号公報等があげられる。
4は上昇する。続いて(e)に示すように、キャピラリ
4はルーピング方向Aの第2ボンド点2aの上方に移動
する。次に(f)に示すように、キャピラリ4が下降し
て第2ボンド点2aにワイヤ3を押し付け、ホーンによ
りキャピラリ4に超音波振動を印加してワイヤ3をボン
デイングする。その後、キャピラリ4が一定の位置へ上
昇した後、クランパ6が閉じ、キャピラリ4とクランパ
6が共に上昇して(g)に示すようにワイヤ3を切断す
る。これにより、1本のワイヤ接続が完了する。なお、
この種のワイヤボンデイング方法に関連するものとし
て、例えば特開昭57−87143号公報、特公平1−
26531号公報等があげられる。
【0004】従来、前記キャピラリ4として、例えば実
公平1−42349号公報、特公平3−780号公報等
に示すものが知られている。この構造を図3により説明
する。ワイヤ挿通用ホール10の先端には、2個の下方
及び上方のチャンファー11、12が形成されている。
なお、HDはホール径、Tはチップ径、CD1 は下方の
チャンファー11のチャンファー径、θ1 は下方のチャ
ンファー11のチャンファー角度、θ2 は上方のチャン
ファー12のチャンファー角度、αはフェース角度、O
Rはアウターラディアスを示す。そして、ワイヤ3の線
径をdとすると、HDはd+(8〜12)μm、θ1 は
80〜100度、θ2 は20〜40度に形成されてい
る。
公平1−42349号公報、特公平3−780号公報等
に示すものが知られている。この構造を図3により説明
する。ワイヤ挿通用ホール10の先端には、2個の下方
及び上方のチャンファー11、12が形成されている。
なお、HDはホール径、Tはチップ径、CD1 は下方の
チャンファー11のチャンファー径、θ1 は下方のチャ
ンファー11のチャンファー角度、θ2 は上方のチャン
ファー12のチャンファー角度、αはフェース角度、O
Rはアウターラディアスを示す。そして、ワイヤ3の線
径をdとすると、HDはd+(8〜12)μm、θ1 は
80〜100度、θ2 は20〜40度に形成されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、キャ
ピラリ4を2個の下方及び上方のチャンファー11、1
2とすることにより、図4に示す第1ボンド点1aにボ
ール3aをボンディングした場合において、余分なボー
ル部は上方のチャンファー12を通してワイヤ挿通用ホ
ール10の方向に流してキャピラリ内部に盛り上げ、圧
着ボール径を小さくしたものである。ところで、半導体
ICチップの高集積化によってペレットのパッドがファ
インピッチ化するに伴ってワイヤ3の線径及びボール3
aも小さくなる。上記従来技術は、ワイヤ3の線径dが
20〜80μmの範囲のものにも適用できるようになっ
ているが、ワイヤ3の線径dが10〜30μmと小さい
場合には、従来のキャピラリ4では種々の問題が生ずる
ことが判明した。
ピラリ4を2個の下方及び上方のチャンファー11、1
2とすることにより、図4に示す第1ボンド点1aにボ
ール3aをボンディングした場合において、余分なボー
ル部は上方のチャンファー12を通してワイヤ挿通用ホ
ール10の方向に流してキャピラリ内部に盛り上げ、圧
着ボール径を小さくしたものである。ところで、半導体
ICチップの高集積化によってペレットのパッドがファ
インピッチ化するに伴ってワイヤ3の線径及びボール3
aも小さくなる。上記従来技術は、ワイヤ3の線径dが
20〜80μmの範囲のものにも適用できるようになっ
ているが、ワイヤ3の線径dが10〜30μmと小さい
場合には、従来のキャピラリ4では種々の問題が生ずる
ことが判明した。
【0006】上方のチャンファー12のチャンファー角
度θ2 が20〜40度と大きいと、ボール圧着時にキャ
ピラリ内部に盛り上がる(入り込む)ボール量が多くな
り、下方のチャンファー11で押し潰して圧着するボー
ル量が少なくなってキャピラリ4による第1ボンド点1
aへの圧着時の押し付け力が減少し、接合力は低下す
る。またワイヤ挿通用ホール10にボール3aが入り込
み、キャピラリ4が上昇する時に摩擦となり、第1ボン
ド点1aにボンディングされた圧着ボールを剥す力とな
ると共に、圧着力を弱める力となる。
度θ2 が20〜40度と大きいと、ボール圧着時にキャ
ピラリ内部に盛り上がる(入り込む)ボール量が多くな
り、下方のチャンファー11で押し潰して圧着するボー
ル量が少なくなってキャピラリ4による第1ボンド点1
aへの圧着時の押し付け力が減少し、接合力は低下す
る。またワイヤ挿通用ホール10にボール3aが入り込
み、キャピラリ4が上昇する時に摩擦となり、第1ボン
ド点1aにボンディングされた圧着ボールを剥す力とな
ると共に、圧着力を弱める力となる。
【0007】本発明の課題は、ワイヤ線径が10〜30
μmの場合において、ボール接合力の向上が図れるキャ
ピラリを提供することにある。
μmの場合において、ボール接合力の向上が図れるキャ
ピラリを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第1の手段は、ワイヤ挿通用ホールの先端に
2個の下方及び上方のチャンファーを形成したワイヤボ
ンディング装置用キャピラリにおいて、ワイヤ線径が1
0〜30μmの場合に、前記上方のチャンファーは、角
度を3〜19度、高さを20〜50μmに形成したこと
を特徴とする。
の本発明の第1の手段は、ワイヤ挿通用ホールの先端に
2個の下方及び上方のチャンファーを形成したワイヤボ
ンディング装置用キャピラリにおいて、ワイヤ線径が1
0〜30μmの場合に、前記上方のチャンファーは、角
度を3〜19度、高さを20〜50μmに形成したこと
を特徴とする。
【0009】上記課題を解決するための本発明の第2の
手段は、上記第1の手段において、前記ワイヤ挿通用ホ
ールは、前記上方のチャンファーの上端から上方が広く
なるように傾斜し、かつ下端がホール径となっているこ
とを特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記ワイヤ挿通用ホ
ールは、前記上方のチャンファーの上端から上方が広く
なるように傾斜し、かつ下端がホール径となっているこ
とを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1によ
り説明する。なお、図2と同じ又は相当部分には同一符
号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ線径dが
10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12は、
チャンファー角度θ2 を3〜19度、高さH1 を20〜
50μmに形成した。なお、下方のチャンファー11の
チャンファー角度θ1 は従来と同じに80〜100度に
形成した。
り説明する。なお、図2と同じ又は相当部分には同一符
号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ線径dが
10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12は、
チャンファー角度θ2 を3〜19度、高さH1 を20〜
50μmに形成した。なお、下方のチャンファー11の
チャンファー角度θ1 は従来と同じに80〜100度に
形成した。
【0011】このように、チャンファー角度θ2 は3〜
19度と小さいので、ボール圧着時に、上方のチャンフ
ァー12に流れるボール量は制限されて少なくなり、ま
た上方のチャンファー12に僅かに流れても上方のチャ
ンファー12の高さH1 =20〜50μmで吸収してワ
イヤ挿通用ホール10に流れるのが防止される。即ち、
下方のチャンファー11で変形させるボール量が多くな
るので、キャピラリ4による第1ボンド点1aへの圧着
時の押し付け力が増大し、接合力は向上する。またワイ
ヤ挿通用ホール10に流れ込まないので、キャピラリ4
が上昇する時の摩擦が減少し、第1ボンド点1aにボン
ディングされた圧着ボールを剥すことがない。
19度と小さいので、ボール圧着時に、上方のチャンフ
ァー12に流れるボール量は制限されて少なくなり、ま
た上方のチャンファー12に僅かに流れても上方のチャ
ンファー12の高さH1 =20〜50μmで吸収してワ
イヤ挿通用ホール10に流れるのが防止される。即ち、
下方のチャンファー11で変形させるボール量が多くな
るので、キャピラリ4による第1ボンド点1aへの圧着
時の押し付け力が増大し、接合力は向上する。またワイ
ヤ挿通用ホール10に流れ込まないので、キャピラリ4
が上昇する時の摩擦が減少し、第1ボンド点1aにボン
ディングされた圧着ボールを剥すことがない。
【0012】図2は本発明の他の実施の形態を示す。本
実施の形態は、前記実施の形態におけるワイヤ挿通用ホ
ール10を上方のチャンファー12の上端から上方が広
くなるように傾斜して形成し、ワイヤ挿通用ホール10
の下端がホール径HDとなっている。このようにワイヤ
挿通用ホール10を傾斜面とすると、ワイヤがキャピラ
リ4に接する面が少なくなり、ワイヤに及ぼす摩擦力が
減少し、更に良好な結果が得られた。この場合、ワイヤ
挿通用ホール10の角度θ3 は特に限定されないが、角
度θ3 が大き過ぎるとホール径HDがエッジ部となって
好ましくない。角度θ3 は2〜60度の場合に好ましい
結果が得られた。
実施の形態は、前記実施の形態におけるワイヤ挿通用ホ
ール10を上方のチャンファー12の上端から上方が広
くなるように傾斜して形成し、ワイヤ挿通用ホール10
の下端がホール径HDとなっている。このようにワイヤ
挿通用ホール10を傾斜面とすると、ワイヤがキャピラ
リ4に接する面が少なくなり、ワイヤに及ぼす摩擦力が
減少し、更に良好な結果が得られた。この場合、ワイヤ
挿通用ホール10の角度θ3 は特に限定されないが、角
度θ3 が大き過ぎるとホール径HDがエッジ部となって
好ましくない。角度θ3 は2〜60度の場合に好ましい
結果が得られた。
【0013】なお、上記各実施の形態において、ホール
径HDは従来と同じでもよいが、実験の結果、ワイヤ線
径dより3〜8μm未満大きく形成した時に良好な結果
が得られた。
径HDは従来と同じでもよいが、実験の結果、ワイヤ線
径dより3〜8μm未満大きく形成した時に良好な結果
が得られた。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤ挿通用ホールの
先端に2個の下方及び上方のチャンファーを形成したワ
イヤボンディング装置用キャピラリにおいて、前記上方
のチャンファーは、角度を3〜19度、高さを20〜5
0μmに形成したので、ワイヤ線径が10〜30μmの
場合において、ボール接合力が向上した。
先端に2個の下方及び上方のチャンファーを形成したワ
イヤボンディング装置用キャピラリにおいて、前記上方
のチャンファーは、角度を3〜19度、高さを20〜5
0μmに形成したので、ワイヤ線径が10〜30μmの
場合において、ボール接合力が向上した。
【図1】本発明のキャピラリの一実施の形態を示す断面
図である。
図である。
【図2】本発明のキャピラリの他の実施の形態を示す断
面図である。
面図である。
【図3】従来のキャピラリを示す断面図である。
【図4】(a)乃至(g)はワイヤボンディング方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
4 キャピラリ 10 ワイヤ挿通用ホール 11 下方のチャンファー 12 上方のチャンファー θ2 上方のチャンファー角度 θ3 ワイヤ挿通用ホール角度 HD ホール径 H1 上方のチャンファーの高さ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年8月26日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0002
【補正方法】変更
【補正内容】
【0002】
【従来の技術】まず、本題に入る前にワイヤボンデイン
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図4に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図4に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1によ
り説明する。なお、図3と同じ又は相当部分には同一符
号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ線径dが
10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12は、
チャンファー角度θ2を3〜19度、高さH1を20〜
50μmに形成した。なお、下方のチャンファー11の
チャンファー角度θ1は従来と同じに80〜100度に
形成した。
り説明する。なお、図3と同じ又は相当部分には同一符
号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ線径dが
10〜30μmの場合に、上方のチャンファー12は、
チャンファー角度θ2を3〜19度、高さH1を20〜
50μmに形成した。なお、下方のチャンファー11の
チャンファー角度θ1は従来と同じに80〜100度に
形成した。
Claims (4)
- 【請求項1】 ワイヤ挿通用ホールの先端に2個の下方
及び上方のチャンファーを形成したワイヤボンディング
装置用キャピラリにおいて、ワイヤ線径が10〜30μ
mの場合に、前記上方のチャンファーは、角度を3〜1
9度、高さを20〜50μmに形成したことを特徴とす
るワイヤボンディング装置用キャピラリ。 - 【請求項2】 ワイヤ挿通用ホールの先端に2個の下方
及び上方のチャンファーを形成したワイヤボンディング
装置用キャピラリにおいて、ワイヤ線径が10〜30μ
mの場合に、前記上方のチャンファーは、角度を3〜1
9度、高さを20〜50μmに形成し、前記ワイヤ挿通
用ホールは、前記上方のチャンファーの上端から上方が
広くなるように傾斜し、かつ下端がホール径となってい
ることを特徴とするワイヤボンディング装置用キャピラ
リ。 - 【請求項3】 前記ワイヤ挿通用ホールの径は、ワイヤ
線径より3〜8μm未満大きく形成したことを特徴とす
る請求項1又は2記載のワイヤボンディング装置用キャ
ピラリ。 - 【請求項4】 前記ワイヤ挿通用ホールの角度は、2〜
60度に形成したことを特徴とする請求項2記載のワイ
ヤボンディング装置用キャピラリ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23854196A JP3347598B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
| TW086211291U TW347148U (en) | 1996-08-21 | 1997-07-07 | Capillary for a wire bonding apparatus |
| KR1019970031641A KR100254999B1 (ko) | 1996-08-21 | 1997-07-09 | 와이어본딩 장치용 캐필러리 |
| US08/915,821 US5884830A (en) | 1996-08-21 | 1997-08-21 | Capillary for a wire bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23854196A JP3347598B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064940A true JPH1064940A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3347598B2 JP3347598B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=17031794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23854196A Expired - Fee Related JP3347598B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5884830A (ja) |
| JP (1) | JP3347598B2 (ja) |
| KR (1) | KR100254999B1 (ja) |
| TW (1) | TW347148U (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69739125D1 (de) * | 1996-10-01 | 2009-01-02 | Panasonic Corp | Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden |
| US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
| US6325269B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-12-04 | Toto Ltd. | Wire bonding capillary |
| US6158647A (en) * | 1998-09-29 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | Concave face wire bond capillary |
| JP4010432B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2007-11-21 | ローム株式会社 | 電子部品におけるワイヤボンディング方法及びその装置 |
| IT1317214B1 (it) * | 2000-04-11 | 2003-05-27 | St Microelectronics Srl | Struttura di capillare per il collegamento di fili di rame da un chipdi circuito a semiconduttore e un connettore terminale corrispondente |
| US7872208B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-01-18 | Medtronic, Inc. | Laser bonding tool with improved bonding accuracy |
| JP4625858B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2011-02-02 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム |
| KR102794480B1 (ko) * | 2021-06-22 | 2025-04-11 | 가부시키가이샤 신가와 | 범프 형성 장치, 범프 형성 방법 및 범프 형성 프로그램 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3357090A (en) * | 1963-05-23 | 1967-12-12 | Transitron Electronic Corp | Vibratory welding tip and method of welding |
| JPS5787143A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Shinkawa Ltd | Method for wire bonding |
| JPS59191338A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-30 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンダ用ツ−ル |
| JPH0228587B2 (ja) * | 1987-07-22 | 1990-06-25 | Nippon Light Metal Co | Shibosankuroraidonoseizohoho |
| JPS6442349A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Superconducting material |
| US4974767A (en) * | 1988-04-25 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Double cone wire bonding capillary |
| JP2779838B2 (ja) * | 1989-05-29 | 1998-07-23 | 株式会社サクラクレパス | 固型修正剤組成物 |
| JPH0469943A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | キヤピラリチツプ |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP23854196A patent/JP3347598B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-07 TW TW086211291U patent/TW347148U/zh unknown
- 1997-07-09 KR KR1019970031641A patent/KR100254999B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-21 US US08/915,821 patent/US5884830A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5884830A (en) | 1999-03-23 |
| JP3347598B2 (ja) | 2002-11-20 |
| TW347148U (en) | 1998-12-01 |
| KR19980018180A (ko) | 1998-06-05 |
| KR100254999B1 (ko) | 2000-05-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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