JPH1067534A - 被膜形成用低融点ガラス - Google Patents
被膜形成用低融点ガラスInfo
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- JPH1067534A JPH1067534A JP8220885A JP22088596A JPH1067534A JP H1067534 A JPH1067534 A JP H1067534A JP 8220885 A JP8220885 A JP 8220885A JP 22088596 A JP22088596 A JP 22088596A JP H1067534 A JPH1067534 A JP H1067534A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示パネル基板、特に反射型ＰＤＰ基板等に
透明電極線パターンを形成し、更にそれを絶縁被覆する
うえで適用される低融点ガラスであって、組成範囲およ
び熱物性を規定したことにより、従来にない透明性、透
視性に優れる被膜形成用低融点ガラスを提供する。 【構成】 基板上に絶縁性の被膜を形成するための低融
点ガラスであって、その成分組成がwt％表示でSiO2 ２
〜７、B2O3 15〜25、Al2O3 ０〜８、ZnO ３〜15、PbO
60〜75、CaO 、MgO 、 SrO またはBaO より選択される１
種または２種以上を０〜６の範囲で含み、かつ軟化点が
450〜 480℃、熱膨張係数が77〜90×10-7／℃である被
膜形成用低融点ガラス。
透明電極線パターンを形成し、更にそれを絶縁被覆する
うえで適用される低融点ガラスであって、組成範囲およ
び熱物性を規定したことにより、従来にない透明性、透
視性に優れる被膜形成用低融点ガラスを提供する。 【構成】 基板上に絶縁性の被膜を形成するための低融
点ガラスであって、その成分組成がwt％表示でSiO2 ２
〜７、B2O3 15〜25、Al2O3 ０〜８、ZnO ３〜15、PbO
60〜75、CaO 、MgO 、 SrO またはBaO より選択される１
種または２種以上を０〜６の範囲で含み、かつ軟化点が
450〜 480℃、熱膨張係数が77〜90×10-7／℃である被
膜形成用低融点ガラス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟化温度が低いい
わゆる低融点ガラスであって、焼成時の泡抜けが容易
で、透明・透視性に富み、従って表示パネル基板の導電
性配線 (電極線と称する) パターンを厚膜状に絶縁被覆
するうえで好適な被膜形成用の低融点ガラスにかかり、
特に反射型プラズマディスプレイパネル (反射型ＰＤＰ
と略称する)の透明な前面基板にパターン形成した透明
電極線パターンを透明・透視性に富む被膜で絶縁被覆
し、ＰＤＰの輝度の低下を来すことのない被膜形成用低
融点ガラスに関する。
わゆる低融点ガラスであって、焼成時の泡抜けが容易
で、透明・透視性に富み、従って表示パネル基板の導電
性配線 (電極線と称する) パターンを厚膜状に絶縁被覆
するうえで好適な被膜形成用の低融点ガラスにかかり、
特に反射型プラズマディスプレイパネル (反射型ＰＤＰ
と略称する)の透明な前面基板にパターン形成した透明
電極線パターンを透明・透視性に富む被膜で絶縁被覆
し、ＰＤＰの輝度の低下を来すことのない被膜形成用低
融点ガラスに関する。
【０００２】
【従来技術とその解決すべき課題】特開昭49−110709号
には、SiO2 １〜20wt％、B2O3 ５〜25wt％、Al2O3 １
〜８wt％、ZnO ３〜15wt％、PbO 60〜80wt％からなり、
気体放電を利用した表示パネルにおける電極線を被覆す
る絶縁ガラスであって、低い電圧で有効に発光できる表
示パネル用絶縁ガラスが開示されている。
には、SiO2 １〜20wt％、B2O3 ５〜25wt％、Al2O3 １
〜８wt％、ZnO ３〜15wt％、PbO 60〜80wt％からなり、
気体放電を利用した表示パネルにおける電極線を被覆す
る絶縁ガラスであって、低い電圧で有効に発光できる表
示パネル用絶縁ガラスが開示されている。
【０００３】特開平８−119665号には、SiO2 12〜17wt
％、B2O3 ８〜15wt％、Al2O3 0.1〜５wt％、ZnO ５〜1
2wt％、PbO 60〜70wt％からなり、室温〜 300℃におけ
る熱膨張係数が63〜76×10-7／℃であって、ＰＤＰ基
板、特に背面基板に厚膜を形成するうえで好適で、基板
に塗布し焼成して厚膜を形成した際に基板に反りや割れ
を発生し難いＰＤＰ用のガラス組成物が開示されてい
る。これら先行技術は透明・透視性を重視したものでは
なく、また言及していない。
％、B2O3 ８〜15wt％、Al2O3 0.1〜５wt％、ZnO ５〜1
2wt％、PbO 60〜70wt％からなり、室温〜 300℃におけ
る熱膨張係数が63〜76×10-7／℃であって、ＰＤＰ基
板、特に背面基板に厚膜を形成するうえで好適で、基板
に塗布し焼成して厚膜を形成した際に基板に反りや割れ
を発生し難いＰＤＰ用のガラス組成物が開示されてい
る。これら先行技術は透明・透視性を重視したものでは
なく、また言及していない。
【０００４】本発明は、表示パネル基板、特に反射型Ｐ
ＤＰ基板等のソーダ石灰系ガラスあるいはそれに類似の
透明ガラスを基板とする表示パネルに透明電極線パター
ンを形成し、更にそれを絶縁被覆するうえで適用される
低融点ガラスであって、組成範囲および熱物性を規定し
たことにより透明性、透視性に優れる被膜形成用低融点
ガラスを提供するものである。
ＤＰ基板等のソーダ石灰系ガラスあるいはそれに類似の
透明ガラスを基板とする表示パネルに透明電極線パター
ンを形成し、更にそれを絶縁被覆するうえで適用される
低融点ガラスであって、組成範囲および熱物性を規定し
たことにより透明性、透視性に優れる被膜形成用低融点
ガラスを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に絶縁
性の被膜を形成するための低融点ガラスであって、その
成分組成がwt％表示でSiO2 ２〜７、B2O3 15〜25、Al
2O3 ０〜８、ZnO ３〜15、PbO 60〜75、CaO 、MgO 、 Sr
O またはBaO より選択される１種または２種以上を０〜
６の範囲で含み、かつ軟化点が 450〜 480℃、熱膨張係
数が77〜90×10 -7／℃である被膜形成用低融点ガラス、
さらに、反射型ＰＤＰ基板に配した透明電極線パターン
を透明な絶縁性の被膜で被覆するための低融点ガラスと
して適用される前記被膜形成用低融点ガラス、からな
る。
性の被膜を形成するための低融点ガラスであって、その
成分組成がwt％表示でSiO2 ２〜７、B2O3 15〜25、Al
2O3 ０〜８、ZnO ３〜15、PbO 60〜75、CaO 、MgO 、 Sr
O またはBaO より選択される１種または２種以上を０〜
６の範囲で含み、かつ軟化点が 450〜 480℃、熱膨張係
数が77〜90×10 -7／℃である被膜形成用低融点ガラス、
さらに、反射型ＰＤＰ基板に配した透明電極線パターン
を透明な絶縁性の被膜で被覆するための低融点ガラスと
して適用される前記被膜形成用低融点ガラス、からな
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】一例として反射型ＰＤＰは、図１
の概略側断面図に示すような構造からなる。１は透明な
前面基板ガラスで、前記したようにソーダ石灰系ガラス
あるいはそれに類似のガラスからなる。２はパターニン
グされた透明電極であり、例えばインジウム−錫(ITO)
を主要素とする透明電極である。３は本発明にかかる低
融点ガラスよりなる透明な絶縁被膜（当業界では通常誘
電体層と称しており、以下誘電体層とよぶ）で、予め製
造、整粒した低融点ガラス粉とペーストオイルからなる
混合物をスクリーン印刷等により前面基板１および透明
電極２上に塗布し、570 〜600 ℃程度で焼成して厚み30
μm 程度の厚膜を形成する。４は例えばスパッタリング
法等により積層したマグネシア層で、誘電体層３を放電
によるスパッタリングから保護するものであり、このよ
うに保護マグネシア層を被覆することは周知の技術事項
である。
の概略側断面図に示すような構造からなる。１は透明な
前面基板ガラスで、前記したようにソーダ石灰系ガラス
あるいはそれに類似のガラスからなる。２はパターニン
グされた透明電極であり、例えばインジウム−錫(ITO)
を主要素とする透明電極である。３は本発明にかかる低
融点ガラスよりなる透明な絶縁被膜（当業界では通常誘
電体層と称しており、以下誘電体層とよぶ）で、予め製
造、整粒した低融点ガラス粉とペーストオイルからなる
混合物をスクリーン印刷等により前面基板１および透明
電極２上に塗布し、570 〜600 ℃程度で焼成して厚み30
μm 程度の厚膜を形成する。４は例えばスパッタリング
法等により積層したマグネシア層で、誘電体層３を放電
によるスパッタリングから保護するものであり、このよ
うに保護マグネシア層を被覆することは周知の技術事項
である。
【０００７】５は背面基板ガラスで、前記透明電極に対
向するアドレス電極６、および所望色調に発光する蛍光
体７が配され、また各画素を区画する誘電性セラミック
質の隔壁８が形成される。これら前面基板ガラス１と背
面基板ガラス５は、それら周辺部をシール用低融点ガラ
ス９により封着せしめる。該低融点ガラス９はシールが
主目的で透明性、透視性等は問題とするものではなく、
PbO-SiO2系低融点ガラス粉とペーストオイルからなる混
合物を略450 ℃で焼成することにより完全にシールする
ことができる。前面基板ガラス１と背面基板ガラス５の
間の空間 (放電空間) には希ガス10が封入される。
向するアドレス電極６、および所望色調に発光する蛍光
体７が配され、また各画素を区画する誘電性セラミック
質の隔壁８が形成される。これら前面基板ガラス１と背
面基板ガラス５は、それら周辺部をシール用低融点ガラ
ス９により封着せしめる。該低融点ガラス９はシールが
主目的で透明性、透視性等は問題とするものではなく、
PbO-SiO2系低融点ガラス粉とペーストオイルからなる混
合物を略450 ℃で焼成することにより完全にシールする
ことができる。前面基板ガラス１と背面基板ガラス５の
間の空間 (放電空間) には希ガス10が封入される。
【０００８】しかして、電圧印加により透明電極２とア
ドレス電極６の間に電位差を生じさせ、それにより希ガ
ス10を励起して紫外線を放射せしめ、それが蛍光体７を
刺激して発光、色表示せしめ、これを前面基板側より透
視するものである。
ドレス電極６の間に電位差を生じさせ、それにより希ガ
ス10を励起して紫外線を放射せしめ、それが蛍光体７を
刺激して発光、色表示せしめ、これを前面基板側より透
視するものである。
【０００９】前面基板ガラス１におけるソーダ石灰系ガ
ラス等の透明ガラスは熱膨張係数 (常温〜300 ℃) がお
およそ80〜90×10-7／℃であり、従って被膜形成用低融
点ガラスからなる透明な誘電体層３もそれに近似した熱
膨張係数を採るようにする。具体的には77〜90×10-7／
℃とするもので、その範囲未満あるいはその範囲を越え
ると、基板ガラスに反りや亀裂を与えたり、誘電体層自
体亀裂が生じたりする。また、被膜形成用低融点ガラス
の軟化点 (粘度が107.6 ポイズとなる温度) は450 〜48
0 ℃とするもので、そうすることにより、前記570 〜60
0 ℃での焼成に際して、充分な流動性を有し、泡抜けも
容易となる。なお、軟化点が 480℃を越えると、前記焼
成温度範囲では泡抜けが不充分となり易く、他方泡抜け
を充分とすべく焼成温度を上げると基板ガラスの耐熱温
度を越え、基板ガラスが変形する等の不具合が生ずる。
また軟化点が450 ℃未満であると、前記シール用低融点
ガラス９により封着すべく450 ℃程度で焼成する際に、
被膜形成用低融点ガラスの流動性が増大し、その上に成
膜したマグネシア層に亀裂が生ずる等の不具合が生ず
る。
ラス等の透明ガラスは熱膨張係数 (常温〜300 ℃) がお
およそ80〜90×10-7／℃であり、従って被膜形成用低融
点ガラスからなる透明な誘電体層３もそれに近似した熱
膨張係数を採るようにする。具体的には77〜90×10-7／
℃とするもので、その範囲未満あるいはその範囲を越え
ると、基板ガラスに反りや亀裂を与えたり、誘電体層自
体亀裂が生じたりする。また、被膜形成用低融点ガラス
の軟化点 (粘度が107.6 ポイズとなる温度) は450 〜48
0 ℃とするもので、そうすることにより、前記570 〜60
0 ℃での焼成に際して、充分な流動性を有し、泡抜けも
容易となる。なお、軟化点が 480℃を越えると、前記焼
成温度範囲では泡抜けが不充分となり易く、他方泡抜け
を充分とすべく焼成温度を上げると基板ガラスの耐熱温
度を越え、基板ガラスが変形する等の不具合が生ずる。
また軟化点が450 ℃未満であると、前記シール用低融点
ガラス９により封着すべく450 ℃程度で焼成する際に、
被膜形成用低融点ガラスの流動性が増大し、その上に成
膜したマグネシア層に亀裂が生ずる等の不具合が生ず
る。
【００１０】本発明においてB2O3はガラス形成の主要成
分として導入するもので、15〜25wt％の範囲とする。15
wt％未満ではガラス形成が不安定で失透、結晶を生じ易
くなる。他方25wt％を越えると焼成に際する泡抜けが困
難となる。好ましくは17〜22wt％の範囲とする。
分として導入するもので、15〜25wt％の範囲とする。15
wt％未満ではガラス形成が不安定で失透、結晶を生じ易
くなる。他方25wt％を越えると焼成に際する泡抜けが困
難となる。好ましくは17〜22wt％の範囲とする。
【００１１】SiO2はB2O3同様のガラス形成成分で、それ
によりガラス化範囲を拡大し安定化することができる。
導入量は２〜７wt％の範囲とするのが適当であり、２wt
％未満では前記作用が発揮できず、７wt％を越えるとガ
ラス粘度が上昇し泡抜けが困難となる。好ましくは３〜
５wt％の範囲とする。
によりガラス化範囲を拡大し安定化することができる。
導入量は２〜７wt％の範囲とするのが適当であり、２wt
％未満では前記作用が発揮できず、７wt％を越えるとガ
ラス粘度が上昇し泡抜けが困難となる。好ましくは３〜
５wt％の範囲とする。
【００１２】PbO はガラスを低融点とし、すなわち軟化
温度を下げ、流動性を与えるうえで必須の成分であり、
60〜75wt％の範囲で導入する。60wt％未満ではその作用
が十分発揮できず、また焼成に際する泡抜けが不充分と
なる。75wt％を越えると軟化点が低下し過ぎるため、先
述 450℃でのシール用低融点ガラスにより封着する際に
ガラスが流動し易くなり、その上に成膜したマグネシア
層に亀裂が生ずるようになり、また熱膨張係数が過大と
なる。
温度を下げ、流動性を与えるうえで必須の成分であり、
60〜75wt％の範囲で導入する。60wt％未満ではその作用
が十分発揮できず、また焼成に際する泡抜けが不充分と
なる。75wt％を越えると軟化点が低下し過ぎるため、先
述 450℃でのシール用低融点ガラスにより封着する際に
ガラスが流動し易くなり、その上に成膜したマグネシア
層に亀裂が生ずるようになり、また熱膨張係数が過大と
なる。
【００１３】ZnO はガラスに流動性を与え、また熱膨張
係数を調整するうえで導入するもので、その範囲は３〜
15wt％とする。３wt％未満ではその作用を発揮し得ず、
15wt％を越えるとガラスが不安定となり、結晶化し易く
なる。
係数を調整するうえで導入するもので、その範囲は３〜
15wt％とする。３wt％未満ではその作用を発揮し得ず、
15wt％を越えるとガラスが不安定となり、結晶化し易く
なる。
【００１４】Al2O3 はガラスを安定化させ、熱膨張係数
を調整するうえで適宜導入する。但し８wt％を越える導
入はガラスの粘度を上昇させ、泡抜けが困難となる。
を調整するうえで適宜導入する。但し８wt％を越える導
入はガラスの粘度を上昇させ、泡抜けが困難となる。
【００１５】なお熱膨張係数を調整する目的において、
本発明における溶融、泡抜け性、熱物性等を損なわない
範囲でCaO 、MgO 、SrO またはBaO より選択される１種
または２種以上を０〜６wt％の範囲で導入できる。
本発明における溶融、泡抜け性、熱物性等を損なわない
範囲でCaO 、MgO 、SrO またはBaO より選択される１種
または２種以上を０〜６wt％の範囲で導入できる。
【００１６】また、不純物としてのR2O (Na2O 、K2O
等）の存在は、それが希ガス中に混入するとパネル寿命
の短縮を来す恐れがあるため、その混入量を１wt％以下
とすることが望ましい。
等）の存在は、それが希ガス中に混入するとパネル寿命
の短縮を来す恐れがあるため、その混入量を１wt％以下
とすることが望ましい。
【００１７】
【実施例】以下具体的実施例を例示して本発明を説明す
る。
る。
【００１８】〔ガラス混合ペーストの作製〕SiO2源とし
て微粉珪砂を、B2O3源としてほう酸を、Al2O3 源として
水酸化アルミニウムを、ZnO 源として亜鉛華を、PbO 源
として酸化鉛を、CaO 源として炭酸カルシウムを使用
し、これらを所望ガラス組成となるべく調合したうえ
で、白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で1000〜1100
℃、１〜２時間で加熱溶融してガラスを得た。ガラスの
一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性 (熱膨張
係数、軟化点) 測定用に供した。残余のガラスは急冷双
ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径
３〜４μm 、最大粒径15μm の粉末状に整粒した。
て微粉珪砂を、B2O3源としてほう酸を、Al2O3 源として
水酸化アルミニウムを、ZnO 源として亜鉛華を、PbO 源
として酸化鉛を、CaO 源として炭酸カルシウムを使用
し、これらを所望ガラス組成となるべく調合したうえ
で、白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で1000〜1100
℃、１〜２時間で加熱溶融してガラスを得た。ガラスの
一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性 (熱膨張
係数、軟化点) 測定用に供した。残余のガラスは急冷双
ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径
３〜４μm 、最大粒径15μm の粉末状に整粒した。
【００１９】αテルピネオールとブチルカルビトールア
セテートからなるペーストオイルにバインダーとしての
エチルセルロースと上記ガラス粉を混合し、粘度 300±
50ポイズ程度のスクリーン印刷に適するペーストを調製
した。
セテートからなるペーストオイルにバインダーとしての
エチルセルロースと上記ガラス粉を混合し、粘度 300±
50ポイズ程度のスクリーン印刷に適するペーストを調製
した。
【００２０】〔誘電体層の形成〕厚み２〜３mm、サイズ
150mm□のソーダ石灰系基板ガラスに、焼成後の膜厚が
25〜30μm となるべく勘案して目の開き#250のスクリー
ンを用いて前記ペーストをスクリーン印刷により塗布し
た。
150mm□のソーダ石灰系基板ガラスに、焼成後の膜厚が
25〜30μm となるべく勘案して目の開き#250のスクリー
ンを用いて前記ペーストをスクリーン印刷により塗布し
た。
【００２１】次いで140 ℃で15分間乾燥した後、580 ℃
で30分間焼成して、被膜形成用低融点ガラスよりなるク
リアーな厚膜を形成した。得られた試料について以下の
試験に供した。
で30分間焼成して、被膜形成用低融点ガラスよりなるク
リアーな厚膜を形成した。得られた試料について以下の
試験に供した。
【００２２】〔熱膨張係数の測定〕前記熱物性測定用ガ
ラスブロックを所定寸法に切断、研磨して熱膨張係数測
定試料を作製し、これを熱膨張計にセットして５℃／分
の速度で昇温して伸び量を測定、記録し、室温〜300 ℃
の平均熱膨張係数を算出した。
ラスブロックを所定寸法に切断、研磨して熱膨張係数測
定試料を作製し、これを熱膨張計にセットして５℃／分
の速度で昇温して伸び量を測定、記録し、室温〜300 ℃
の平均熱膨張係数を算出した。
【００２３】〔軟化点の測定〕常法により、ガラスブロ
ックからのガラスを加熱して所定太さ、寸法のガラスビ
ームを作製し、リトルトン粘度計にセットして昇温し、
粘度が107.6 ポイズに達したときの温度、すなわち軟化
点を測定した。
ックからのガラスを加熱して所定太さ、寸法のガラスビ
ームを作製し、リトルトン粘度計にセットして昇温し、
粘度が107.6 ポイズに達したときの温度、すなわち軟化
点を測定した。
【００２４】〔光散乱率 (ヘーズ値) 〕誘電体層を形成
した基板ガラス (厚み３mm) について常法により、ヘー
ズメーターでもってヘーズ値を測定した。なお、ヘーズ
値は２％以下が良好とされる。
した基板ガラス (厚み３mm) について常法により、ヘー
ズメーターでもってヘーズ値を測定した。なお、ヘーズ
値は２％以下が良好とされる。
【００２５】〔透過率〕誘電体層を形成した基板ガラス
(厚み３mm) について常法により、分光光度計でもって
透過率を測定し、可視域における平均透過率を算定し
た。なお、可視光透過率は85％以上が良好とされる。
(厚み３mm) について常法により、分光光度計でもって
透過率を測定し、可視域における平均透過率を算定し
た。なお、可視光透過率は85％以上が良好とされる。
【００２６】〔失透の有無〕誘電体層について鏡下で失
透の有無を観察した。
透の有無を観察した。
【００２７】〔マグネシア層の亀裂の有無〕誘電体層を
形成した基板ガラス (厚み３mm) について、誘電体層上
にスパッタリング法によりマグネシア膜を成膜し、さら
に450 ℃で15分熱処理した後、マグネシア膜の亀裂の発
生の有無を観察した。
形成した基板ガラス (厚み３mm) について、誘電体層上
にスパッタリング法によりマグネシア膜を成膜し、さら
に450 ℃で15分熱処理した後、マグネシア膜の亀裂の発
生の有無を観察した。
【００２８】〔ガラス板の反り〕誘電体層を形成した基
板ガラス (厚み２mm) について常法により、非接触式真
直度・厚み測定機でもって反りの状態を測定し、長さ 3
00mm当たりの撓み深さが100μm 以下のものを良、 100
μm を越えるものを悪として評価した。
板ガラス (厚み２mm) について常法により、非接触式真
直度・厚み測定機でもって反りの状態を測定し、長さ 3
00mm当たりの撓み深さが100μm 以下のものを良、 100
μm を越えるものを悪として評価した。
【００２９】なお基板ガラスにおいて厚み２mmとしたの
は、基板を薄板とすることにより、より反りを生じ易く
し、厳しい区分評価を行えるようにするためである。
は、基板を薄板とすることにより、より反りを生じ易く
し、厳しい区分評価を行えるようにするためである。
【００３０】〔結果〕被膜形成用低融点ガラス組成およ
び、各種試験結果を表１に示す。表１から明らかなよう
に、本発明にかかる実施例においては、熱物性、光学特
性等において良好であり、透明で透視性のよい被膜形成
用低融点ガラス、特に反射型ＰＤＰの前面基板に透明な
絶縁被膜を形成するガラスとして好適である。
び、各種試験結果を表１に示す。表１から明らかなよう
に、本発明にかかる実施例においては、熱物性、光学特
性等において良好であり、透明で透視性のよい被膜形成
用低融点ガラス、特に反射型ＰＤＰの前面基板に透明な
絶縁被膜を形成するガラスとして好適である。
【００３１】他方比較例においては、熱物性が適正範囲
をはずれている、または光学特性において劣る、あるい
は基板の反りやマグネシア膜への悪影響がある等の不都
合点を有する。
をはずれている、または光学特性において劣る、あるい
は基板の反りやマグネシア膜への悪影響がある等の不都
合点を有する。
【００３２】なお、実施例５におけるガラス組成中、Ca
O ２wt％に換え、CaO １wt％＋MgO１wt％、SrO １wt％
＋BaO １wt％とした場合も熱膨張係数、軟化点とも適正
範囲にあり、光散乱率、可視光線透過率その他の光学特
性等において良好であった。
O ２wt％に換え、CaO １wt％＋MgO１wt％、SrO １wt％
＋BaO １wt％とした場合も熱膨張係数、軟化点とも適正
範囲にあり、光散乱率、可視光線透過率その他の光学特
性等において良好であった。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、熱物性、光学特性等に
おいて良好であり、透明な被膜形成用低融点ガラス、特
に反射型ＰＤＰの前面基板に透明な絶縁被膜を形成する
ガラスとして好適である。
おいて良好であり、透明な被膜形成用低融点ガラス、特
に反射型ＰＤＰの前面基板に透明な絶縁被膜を形成する
ガラスとして好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】反射型ＰＤＰの概略側断面図である。
１--------前面基板ガラス ２--------透明電極 ３--------誘電体層 ４--------マグネシア層
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に絶縁性の被膜を形成するための低
融点ガラスであって、その成分組成がwt％表示でSiO2
２〜７、B2O3 15〜25、Al2O3 ０〜８、ZnO ３〜15、Pb
O 60〜75、CaO 、MgO 、 SrO またはBaO より選択される
１種または２種以上を０〜６の範囲で含み、かつ軟化点
が 450〜 480℃、熱膨張係数が77〜90×10-7／℃である
ことを特徴とする被膜形成用低融点ガラス。 - 【請求項２】反射型ＰＤＰ基板に配した透明電極線パタ
ーンを透明な絶縁性の被膜で被覆するための低融点ガラ
スであることを特徴とする請求項１記載の被膜形成用低
融点ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220885A JPH1067534A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 被膜形成用低融点ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220885A JPH1067534A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 被膜形成用低融点ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067534A true JPH1067534A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16758070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8220885A Pending JPH1067534A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 被膜形成用低融点ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067534A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100280883B1 (ko) * | 1998-04-27 | 2001-02-01 | 구자홍 | 플라즈마표시장치용유전체후막및형광체막의제조방법 |
| KR100322605B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2002-06-20 | 구자홍 | 플라즈마표시장치용유전체조성물 |
| KR100326558B1 (ko) * | 1998-09-01 | 2002-09-17 | 엘지전자주식회사 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
| JP2003128434A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびにガラス組成物 |
| US6617789B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-09-09 | Asahi Glass Company, Limited | Glass for covering electrodes and plasma display panel |
| JP2008303075A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Central Glass Co Ltd | 絶縁性被膜材料 |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP8220885A patent/JPH1067534A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322605B1 (ko) * | 1998-04-10 | 2002-06-20 | 구자홍 | 플라즈마표시장치용유전체조성물 |
| KR100280883B1 (ko) * | 1998-04-27 | 2001-02-01 | 구자홍 | 플라즈마표시장치용유전체후막및형광체막의제조방법 |
| US6291362B1 (en) | 1998-04-27 | 2001-09-18 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating dielectric layer and fluorescent film for plasma display device |
| KR100326558B1 (ko) * | 1998-09-01 | 2002-09-17 | 엘지전자주식회사 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
| US6617789B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-09-09 | Asahi Glass Company, Limited | Glass for covering electrodes and plasma display panel |
| JP2003128434A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびにガラス組成物 |
| JP2008303075A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Central Glass Co Ltd | 絶縁性被膜材料 |
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