JPH1067986A - フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法 - Google Patents

フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法

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JPH1067986A
JPH1067986A JP14768897A JP14768897A JPH1067986A JP H1067986 A JPH1067986 A JP H1067986A JP 14768897 A JP14768897 A JP 14768897A JP 14768897 A JP14768897 A JP 14768897A JP H1067986 A JPH1067986 A JP H1067986A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路や半導体の製造工程において、製品
に欠損や損傷を与えることなく従来よりはるかに高い速
度でチタンを研磨することができ、タングステンと窒化
チタンの高い研磨速度を保持し、SiO2 については低
い研磨速度を呈する化学的・機械的研磨用スラリーを提
供する。 【解決手段】 酸化剤、研磨剤、及びフッ化物含有添加
剤を含んでなる水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
好ましくは、約0.01〜約2.0重量%のフッ化物含
有添加剤を含み、フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有
酸、フッ化物塩から選択される。好ましくは、フッ化物
含有添加剤はフッ化水素酸、フルオロケイ酸、フルオロ
チタン酸から選択され、フッ化物含有酸は約0.01〜
約0.3重量%の範囲の量で存在し、フッ化物塩はフッ
化アンモニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモ
ニウム、二フッ化水素カリウムから選択される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ化物含有添加
剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーに関する。ま
た、本発明は、集積回路や半導体の製造の際に、単一工
程で多層金属や薄膜を研磨するために化学的・機械的な
研磨用スラリーを用いる方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】集積回
路は、シリコン基板の中や上に形成される膨大な数の活
性デバイスからなる。この活性デバイスは、初期は互い
に独立であり、これらが統合されて機能的回路や構成部
品を形成する。デバイスは周知のマルチレベルの相互接
続を使用して接続される。
【0003】相互接続は、一般に、第1の金属化層、相
互接続層、第2の金属化レベル、及び場合により第3以
降の金属化レベルを有する。ドーピングされた及びドー
ピングされていない二酸化ケイ素(SiO2 )のような
中間レベルの誘電体は、シリコン基板やウェルのいろい
ろな金属化レベルを電気的に絶縁するために使用され
る。いろいろな相互接続レベルの間の電気的接続は、金
属化バイアスを使用して行われる。米国特許第4789
648号明細書(本願でも参考にして取り入れられてい
る)は、絶縁体膜の金属化多層や金属化バイアスを作成
する方法を開示している。同様な仕方で、金属接触が、
相互接続レベルとウェルに形成されたデバイスの間の電
気的接続を形成するために使用される。金属バイアスと
接触は、一般に、タングステンを充填され、一般に、タ
ングステン金属層のような金属層をSiO2 に接着する
ため、窒化チタン(TiN)及び/又はチタンのような
接着層を使用する。接触レベルにおいて、接着層は、タ
ングステンとSiO2 が反応するのを防ぐ拡散バリアと
して作用する。
【0004】半導体製造プロセスにおいて、金属化バイ
アス又は接触は、ブランケットのタングステン堆積によ
って形成され、次いで化学的・機械的研磨(CMP)工
程が行われる。典型的なプロセスにおいて、バイアスホ
ールは、中間レベル誘電体(ILD)を介して相互接続
ライン又は半導体基板までエッチングされる。次いで窒
化チタン又はチタンのような薄い接着層が中間レベル誘
電体を覆って形成され、エッチングされたバイアスホー
ルの中に導かれる。次いでタングステン膜が、接着層と
バイアスの中にブランケット堆積される。堆積は、バイ
アスホールがタングステンで満たされるまで継続され
る。最後に余剰の金属が化学的・機械的研磨(CMP)
によって除去され、金属バイアスを形成する。中間レベ
ル誘電体の作成及び/又は化学的・機械的研磨のプロセ
スは、米国特許第4671851号、同4910155
号、同4944836号に開示されている。
【0005】典型的な化学的・機械的研磨プロセスにお
いて、基板は、回転する研磨用パッドと直接接触して配
置される。支持体は、基板の裏側に圧力を与える。研磨
プロセスに際に、パッドとテーブルは回転されながら、
下方の力が基板裏側に保たれる。研磨材と化学的反応溶
液は、通常スラリーと称され、研磨の際にパッドの上に
存在する。スラリーは、研磨される膜と化学反応するこ
とによって研磨プロセスを開始する。研磨プロセスは、
スラリーがウェハー/パッドの境界に供給されながら、
基板に対するパッドの回転運動によって促進される。絶
縁体の上の目的とする膜が除去されるまで、この仕方で
研磨が継続される。
【0006】スラリー組成は、化学的・機械的研磨工程
において重要な因子である。酸化剤、研磨材、及びその
他の有用な添加剤の選択によって、所望の研磨速度で金
属層に有効な研磨を与えるように調整されると同時に、
表面の損傷、欠陥、腐食、浸蝕を最少限にすることがで
きる。また、研磨用スラリーは、チタン、窒化チタンな
どの現在の集積回路技術に使用されるその他の薄膜材料
に、制御された選択的研磨を提供するために使用される
ことができる。
【0007】一般的な化学的・機械的研磨用スラリー
は、酸化性の水系媒体の中に懸濁されたシリカやアルミ
ナのような研磨材を含む。例えば、Yuらの米国特許第
5244523号は、アルミナ、過酸化水素、及び下地
の絶縁層の除去を最少限にしながら所定の速度でタング
ステンを除去するのに有用な水酸化カリウム又は水酸化
アンモニウムを含むスラリーを記載している。Yuらの
米国特許第5209816号は、水系媒体の中に過塩素
酸、過酸化水素、及び固体研磨材を含むスラリーを開示
している。CadienとFellerの米国特許第5
340370号は、約0.1モルのフェリシアン化カリ
ウム、約5重量%のシリカ、及び酢酸カリウムを含むタ
ングステン研磨用スラリーを開示している。酢酸はpH
を約3.5に緩衝するために添加される。
【0008】米国特許第5340370号は2種のスラ
リーを開示している。第1のスラリーは、タングステン
を研磨するのに有用であり、研磨材料と酸化剤の例えば
フェリシアン化カリウムを含む。第2のスラリーはチタ
ンを研磨するのに有用であり、フッ化物塩の錯生成剤と
研磨材を含む。また、比較例は、スラリーが混合される
と有害な研磨結果となることを開示している。
【0009】化学的・機械的研磨用スラリーは、チタン
については低い研磨速度を有することが認識されてい
る。このため、研磨工程は、長時間行われ又は攻撃的研
磨条件で行われ、これはSiO2 層の不都合な浸蝕とタ
ングステンバイアスの窪みをもたらすことがある。この
ような窪みは、非平面状のバイアス層を形成させ、これ
は、以降のフォトリソグラフィー工程の際に高い精度の
ラインをプリントする性能を低下させ、空隙や先に形成
された金属相互接続の断線を生じさせることがある。ま
た、ウェハーの表面の全体にわたってチタン又はタング
ステンの膜を完全に除去しようとして過度の研磨が行わ
れると、この窪みは大きくなる。このように、現状で入
手可能な化学的・機械的研磨用スラリーは、集積回路の
チタン層を含む複数の金属層を信頼性よく研磨するのに
不十分である。したがって、現状の基板製造の信頼性の
問題を解決するため、割合に高い速度でチタンを研磨す
る新しい化学的・機械的研磨用スラリーが必要とされて
いる。
【0010】本発明の課題は、高い研磨速度でチタンを
研磨することができ、タングステンと窒化チタンの高い
研磨速度を保持し、SiO2 については低い研磨速度を
呈する化学的・機械的研磨用スラリーである。本発明の
もう1つの課題は、高い研磨速度で中間レベル誘電体(i
nterlevel dielectric) の複数の金属層を研磨すること
ができると同時に、研磨による欠陥、表面の損傷、及び
浸蝕が最少限である単一の化学的・機械的研磨用スラリ
ーである。
【0011】本発明のもう1つの課題は、チタン接着層
に関係するバイアス(vias)を露出されるため、中間層誘
電体の上に化学的・機械的研磨用スラリーを用いる方法
である。もう1つの態様において、本発明は、チタンと
タングステンの層状基板を研磨するのに有用な化学的・
機械的研磨用スラリーである。この化学的・機械的研磨
用スラリーは、酸化剤、研磨材、及びフッ化物含有添加
剤の水分散系を含んでなる。
【0012】さらにもう1つの態様において、本発明
は、多層誘電体デバイスに関係するチタンとタングステ
ンの金属層を研磨するための、フッ化物含有添加剤を含
む化学的・機械的研磨用スラリーの使用方法である。本
発明のさらにもう1つの態様は、基板に化学的・機械的
研磨用スラリーを施し、基板にパッドを接触させ、基板
に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少
なくとも一部を除去することによってチタンを含む基板
を研磨するために、本発明の化学的・機械的研磨用スラ
リーを使用する方法である。
【0013】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、研磨材、酸化剤、及びフッ化物含有添加剤を含む化
学的・機械的研磨用スラリーに関する。また、本発明
は、メタライゼーションの金属多層をポリシングする及
び/又は研磨するために、本発明の化学的・機械的研磨
用スラリーを使用する方法である。
【0014】本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
は、高いチタン(Ti)研磨速度を有すると同時に、高
いタングステン(W)と窒化チタン(TiN)の研磨速
度を有することが見出されている。さらに、この化学的
・機械的研磨用スラリーは、誘電体絶縁層については望
ましい低い研磨速度を呈する。本発明の種々の好ましい
態様を詳細に説明する前に、本願明細書で使用する用語
のいくつかを定義する。「化学的・機械的研磨用スラリ
ー」(CMPスラリー)とは、酸化剤、研磨材、フッ化
物含有添加剤、及びその他の随意の成分を含む有用な生
産品である。化学的・機械的研磨用スラリーは、限定さ
れるものではないが、半導体薄膜、集積回路薄膜などの
多層レベルのメタライゼーションを研磨するのに有用で
あり、また、化学的・機械的研磨用スラリーが有用な任
意のその他の膜や表面の研磨に有用である。
【0015】本化学的・機械的研磨用スラリーに有用な
酸化剤は、金属層をその酸化物又はイオンに酸化させる
ことを助長するために、化学的・機械的研磨用スラリー
に混和される。例えば、本発明において、酸化剤は金属
層をその酸化物に酸化する、即ち、例えばチタンを酸化
チタンに、タングステンを酸化タングステンに、銅を酸
化銅に酸化させるために使用される。本発明の酸化剤
は、研磨用スラリーに混和されたときに有用であり、チ
タン、窒化チタン、タンタル、銅、タングステン、及び
それらの種々の混合物や組み合わせなどの金属や金属ベ
ースの成分を研磨するために、機械的に個々の酸化層を
除去して研磨するのに有用である。
【0016】本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの
中に広範囲な酸化剤が使用されることができる。適切な
酸化剤は、フッ化物含有添加剤と適合性のあるものであ
り、酸化性金属塩、酸化性金属錯体、非金属系酸の例え
ば過酢酸、過ヨウ素酸、鉄塩の例えば硝酸塩、硫酸塩、
EDTA、シトレート、フェリシアン化カリウム、過酸
化水素、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、臭素
酸カリウム、三酸化バナジウムなど、アルミニウム塩、
ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第四アン
モニウム塩、ホスホニウム塩、又はその他の過酸化物、
塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫
酸塩のカチオン塩、及びそれらの混合物が挙げられる。
【0017】一般に、酸化剤は、化学的・機械的研磨用
スラリー中に、金属層の迅速な酸化を保証するに十分
で、且つスラリーの化学的・機械的研磨用成分をバラン
スさせる量で存在する。酸化剤は、一般に、重量で約
0.5%〜15%の濃度で最終的な化学的・機械的研磨
用スラリーの中に存在し、好ましくは、特定の選択され
る酸化剤に応じて重量で約1%〜約7%である。
【0018】本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
は、有効量のフッ化物含有添加剤を含む。フッ化物含有
添加剤は、研磨用スラリーに混和された場合、従来技術
の化学的・機械的研磨用スラリーに比較して、チタンが
研磨される速度を改良する。フッ化物含有添加剤のフッ
化物成分は、フッ化物が存在せずに生成した酸化物層よ
りも容易に研磨される水和酸化層をチタンに生成させる
と考えられる。
【0019】化学的・機械的研磨用スラリーに有用なフ
ッ化物含有添加剤は、任意の公知のフッ化物含有添加剤
又はフッ化物含有添加剤の混合物でよく、例えば、フッ
化物含有酸、フッ化物ポリマー、及びチタンと反応する
その他の任意の有機系又は無機系のフッ化物含有添加剤
が挙げられる。限定されるものではないが、有用なフッ
化物含有酸の例には、フッ化水素酸(HF)、フルオロ
ケイ酸(H2 SiF6)、フルオロチタン酸(H2 Ti
6 )、及びフルオロホウ酸(HBF4 )が挙げられ
る。限定されるものではないが、有用なフッ化物塩に
は、フッ化アンモニウム(NH4 F)、二フッ化水素ア
ンモニウム(NH4 HF2 )、フッ化カリウム(K
F)、二フッ化水素カリウム(KHF2 )、フッ化ナト
リウム(NaF)、フッ化ストロンチウム(Sr
2 )、フッ化銀(AgF)、フッ化錫(SnF 2 )、
ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム((NH4 2 Si
6 )、ヘキサフルオロケイ酸カリウム(K2 Si
6 )、ヘキサフルオロチタン酸カリウム(K 2 TiF
6 )、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム((N
4 2 TiF6 )、テトラフルオロ臭酸アンモニウム
(NH4 BF4 )、及びテトラフルオロ臭酸カリウム
(KBF4 )が挙げられる。
【0020】フッ化物含有添加剤は、フッ化水素酸とフ
ルオロケイ酸からなるフッ化物酸の群、フッ化カリウ
ム、フッ化アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、
二フッ化水素カリウムからなるフッ化物塩の群、及びこ
れらの混合物から選択されることが好ましい。ナトリウ
ムは、潜在的な薄層の膜の汚染物質であることが認識さ
れている。このため、化学的・機械的研磨用スラリーに
NaFを使用することは、ナトリウムの汚染が望ましく
ない用途には避けることが好ましい。
【0021】フッ化物はチタンを腐食することが知られ
ており、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に
約2.0重量%より多い量で存在する場合、フッ化物塩
はチタンを腐食することがあり、フッ化物による腐食と
浸蝕を受け易いSiO2 層とその他の金属層を攻撃する
ことがある。このような不都合なフッ化物の攻撃は、基
板やバイアスの許容できない点蝕及び/又は腐食をもた
らすことがある。有害なフッ化物の腐食や浸蝕を防ぐた
め、フッ化物含有添加剤は、全スラリーの約0.01〜
約2.0重量%の範囲の量で化学的・機械的研磨用スラ
リーの中に存在すべきである。化学的・機械的研磨用ス
ラリーの中のフッ化物含有添加剤のこの程度の少量は、
チタン研磨速度に非常な効果を有するのに十分であり、
且つ不都合なフッ化物の腐食や浸蝕を回避することが見
出されている。
【0022】化学的・機械的研磨用スラリーの中のフッ
化物含有添加剤のより好ましい範囲は約0.01〜約
1.0重量%である。フッ化水素酸が使用される場合、
最終的な化学的・機械的研磨用スラリーのフッ化水素酸
の含有率は、約0.01〜約0.30重量%であること
が好ましい。フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、二
フッ化水素アンモニウム、又は二フッ化水素カリウムが
使用される場合、最終的な化学的・機械的研磨用スラリ
ーのフッ化物含有添加剤の含有率は、約0.2〜約1.
0重量%であることが好ましい。
【0023】本発明の化学的・機械的研磨用スラリー中
のフッ化物含有添加剤の濃度範囲は、一般に、化学的・
機械的研磨用スラリーの全フッ化物含有添加剤の重量%
として表される。溶液中でイオン化するフッ化物の僅か
な重量%のみを含む高い分子量のフッ化物含有添加剤の
使用は、十分に本発明のフッ化物含有添加剤の範囲の中
にある。即ち、用語「フッ化物含有添加剤」が本願で使
用された場合、化学的・機械的研磨用スラリー中のフッ
化物が全スラリーの約0.01〜約1.0重量%の量で
ある場合の、フッ化物を25重量%未満で含むフッ化物
含有添加剤を全て含む。
【0024】化学的・機械的研磨用スラリーに使用され
るフッ化物含有添加剤の量と種類は、場合により、選択
される酸化剤と、研磨される金属の組み合わせによって
決まることがある。化学的・機械的研磨用スラリーのp
Hは約1.0〜5.0に維持することが望ましく、これ
はタングステン腐食の問題が約5.0より高いスラリー
pHで生じ得るからである。使用される酸化剤が硝酸第
二鉄の場合、化学的・機械的研磨用スラリーのpHを約
1.5〜約3.0の範囲に維持することが好ましい。選
択される酸化剤にかかわらず、タングステンの腐食と浸
蝕を防ぐためには、研磨用スラリーのpHを約5.0未
満に維持することが好ましい。ここで、タングステン以
外の金属の例えば銅を研磨するために化学的・機械的研
磨用スラリーが使用される場合は、化学的・機械的研磨
用スラリーのpHが5.0より高いことが望ましいこと
がある。
【0025】化学的・機械的研磨用スラリーのpHは、
フッ化物含有酸がスラリーの中に混和されると1.0未
満に低下することがある。約1.0未満のpHを有する
化学的・機械的研磨用スラリーは依然として有用であ
る。ここで、約1.5未満のpHにおいては、化学的・
機械的研磨用スラリーを安全に取り扱うことが問題にな
る。したがって、本発明の化学的・機械的研磨用スラリ
ーは約1.5を上回るpHを有することが好ましい。
1.5以上の最低pHを達成するため、水系の塩基の例
えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモ
ニウムなどが化学的・機械的研磨用スラリーに添加さ
れ、約1.5を超える、好ましくは約1.5〜約5.0
の望ましい範囲にスラリーpHを高めることもできる。
【0026】本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは
研磨材もまた含む。研磨材は一般に金属酸化物の研磨材
である。金属酸化物の研磨材は、アルミナ、チタニア、
ジルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア、及びそれら
の混合物からなる群より選択されることができる。好ま
しくは、金属酸化物はヒュームド又は沈降(precipitate
d)研磨材であり、より好ましくは、ヒュームド研磨材の
例えばヒュームドシリカ又はヒュームドアルミナであ
る。金属酸化物の研磨材は、当業者に公知の技術によっ
て製造されることができる。例えば、ヒュームド金属酸
化物の製造は周知のプロセスであり、水素と酸素の火炎
の中で適当な原料蒸気(例えば、アルミナ研磨材では塩
化アルミニウム)を加水分解させることを含む。概ね球
形の溶融粒子が燃焼プロセスの中で形成され、その直径
はプロセスパラメーターによって変化する。アルミナ又
は同様な酸化物の溶融した球は、一般に一次粒子と称さ
れ、それらの接触点で衝突して互いに融合し、分岐した
鎖状の三次元凝集体を生成する。凝集体を破壊するのに
必要な力は相当なものであり、不可逆と考えられること
が多い。冷却と回収の際に、凝集体とさらに衝突し、凝
集体を生成するある主の機械的結合をもたらすことがあ
る。この凝集体は、ファンデルワールス力によって互い
に弱い結合で支持されると考えられ、これは可逆であ
り、即ち、適当な媒体の中での適当な分散によって解凝
集することができる。
【0027】沈降研磨材は通常の技術によって製造され
ることができ、例えば、高い塩濃度、酸、又はその他の
凝固剤の影響下で水系媒体から所望の粒子を凝固させる
ことによる。その粒子は、当業者に公知の常套法によっ
て濾過、洗浄、乾燥され、その他の反応生成物の残留物
から分離される。また、研磨材は、ゾルゲルやプラズマ
法のような高温プロセスを用いて製造することもでき
る。
【0028】好ましい金属酸化物は、通常BETと称さ
れる「S. Brunauer, P.H. Emmet, and I. Teller, J. A
m. Chemical Society, 60 巻、309 頁、1938年」の方法
から計算される約5m2 /g〜約430m2 /gの表面
積を有する。IC工業の厳しい純度の要求のため、好ま
しい金属酸化物は高い純度のものである必要がある。
「高純度」とは、原料物質の不純物のような源や微量の
加工上の汚染物質からの全不純物の含有率が、一般に1
%未満、好ましくは0.01%(即ち、100ppm)
未満であることを意味する。
【0029】本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
は、金属酸化物粒子が安定水系媒体の中に均一に分散さ
れた場合に最も効果的である。用語「均一に分散され
た」とは、金属酸化物の研磨材粒子又は凝集体が独立
し、水系媒体の中に全体にわたって十分に分配されたこ
とを意味する。用語「安定」とは、金属酸化物の研磨材
粒子や凝集体がさらに凝集しようとせず及び/又は濃い
沈殿物のような水系サスペンションの沈殿を生じないこ
とを意味する。
【0030】好ましい金属酸化物の研磨材の水分散系
は、少なくとも三箇月にわたって安定を保つことができ
る。この好ましい態様において、金属酸化物の研磨材
は、金属酸化物の研磨材は、約1.0μm未満のサイズ
分布、約0.4μm未満の平均凝集体直径、及び研磨材
凝集体自身の間のファンデルワールス力を退けてそれに
打ち勝つのに十分な力を有する金属酸化物の凝集体から
なる。このような金属酸化物の研磨材は、研磨の際に、
引っ掻き傷、刻印状孔、窪みその他の表面欠陥を最少限
に又は回避するのに有効であることが見出されている。
本発明において、凝集体サイズの分布は、透過型電子顕
微鏡(TEM)のような公知技術を用いて測定すること
ができる。「平均凝集体直径」とは、TEMの画像分析
を使用した(即ち、凝集体の断面積に基づく)平均等価
球直径を言う。「力」は、金属酸化物粒子の表面電位又
は水和力が、粒子の間のファンデルワールス力を退ける
又は打ち勝つのに十分でなければならないことを意味す
る。
【0031】あるいは、金属酸化物の研磨材は、0.4
μm(400nm)未満の一次粒子直径と約10m2
g〜約250m2 /gの表面積を有するバラバらの独立
した金属酸化物粒子からなることができる。最終的な化
学的・機械的研磨用スラリーの中の研磨材の充填レベル
は、必要とされる研磨の程度にもよるが、全スラリー組
成物の0.5〜55重量%であることができる。また、
金属酸化物の研磨能力は、粒子組成、結晶度、及び結晶
相(例えば、γ又はβ)の関数である。所望の選択性と
研磨速度を得るためには、最適表面積と金属酸化物研磨
材レベルが相違し得ることが見出されている。例えば、
アルミナ研磨材は、一般に、最終的な研磨用スラリー中
で約1〜約12重量%、好ましくは2〜8重量%、より
好ましくは1〜6重量%の固体充填レベルを有する。
【0032】その他の周知の研磨用スラリー添加剤を、
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に含めるこ
ともできる。随意の添加剤の1つの種類は、チタンやタ
ンタルのようなウェハー中のバリヤ層の研磨速度をさら
に改良する又は高めるために研磨用スラリーに添加する
ことができる無機系酸及び/又はその塩である。有用な
無機系塩には、硫酸、燐酸、硝酸、アンモニウム塩、カ
リウム塩、ナトリウム塩、又は硫酸塩若しくは燐酸塩の
その他のカチオン系塩が挙げられる。
【0033】本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの
中に、酸化物の研磨速度の選択性を高めるために、広範
囲な通常の有機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合
物が含められることができ、例えば、一官能価酸、二官
能価酸、ヒドロキシル/カルボキシレート酸、キレート
化剤の酸、非キレート化剤の酸、及びそれらの塩が挙げ
られる。好ましくは、有機系酸は、酢酸、アジピン酸、
酪酸、カプリン酸、カプロン酸、カプリル酸、クエン
酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、乳酸、ラウリン
酸、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸、ミリスチン酸、
シュウ酸、パルミチン酸、フタル酸、プロピオン酸、ピ
ルビン酸、ステアリン酸、コハク酸、酒石酸、バレアリ
ン酸、及びそれらの塩を含む誘導体の群より選択され
る。
【0034】使用する場合、有機系酸又は塩は、最終的
な化学的・機械的研磨用スラリー中に、化学的・機械的
研磨用スラリーの安定性に悪影響を及ぼすことなく酸化
物選択性を高めるのに十分な量で、単独で又は別な有機
系酸又は塩と組み合わせて存在すべきである。そのよう
なものとして、有機系酸は、一般に約0.05〜15重
量%、好ましくは0.5〜5.0重量%の範囲でスラリ
ー中に存在する。有機系酸とその塩を含む化学的・機械
的研磨用スラリーの例は、米国特許出願第08/644
509号に開示されており、この記載事項は本願でも参
考にして取り入れられている。
【0035】酸化剤の沈降、凝固、分解に対して酸化剤
含有研磨用スラリーをさらに安定化させるため、界面活
性剤、ポリマー安定剤その他の表面活性分散剤のような
各種の付加的な随意の添加剤が使用されることができ
る。界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、又は両性
系でよく、及び2種以上の界面活性剤の組み合わせが使
用されることもできる。また、界面活性剤の添加は、ウ
ェハーのウェハー内不均一性(WIWNU)を改良し、
それによってウェハー表面を改良し、ウェハー欠陥を減
らすのに有用であることができる。
【0036】一般に、本発明において使用される界面活
性剤のような添加剤の量は、スラリーの有効な安定化を
得るのに十分とすべきであり、一般に、選択される特定
の界面活性剤と、金属酸化物研磨材の表面性状によって
異なる。例えば、選択の界面活性剤が不十分で使用され
ると、安定化に殆ど又は全く効果を有しないであろう。
他方で、過剰に多い界面活性剤は、スラリーの不都合な
発泡及び/又は凝集をもたらすことがある。このため、
界面活性剤のような添加剤は、一般に、約0.001〜
10重量%の範囲で存在すべきである。また、添加剤
は、スラリーに直接添加することもでき、あるいは、公
知技術を用いて金属酸化物研磨材の表面に処理されるこ
ともできる。いずれの場合にも、添加剤の量は、研磨用
スラリー中で所望の濃度になるように調節される。
【0037】本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの
1つの重要な用途は、タングステンとチタンを含む薄い
層の膜を化学的・機械的研磨することである。このよう
な研磨用途において、単一の研磨用スラリーが、チタン
とタングステンの両層を研磨するのに有効であり、好ま
しくは、約3:1〜約1:2のタングステン対チタンの
研磨選択性(W:Ti)を呈する。
【0038】化学的・機械的研磨用スラリーは、当業者
に公知の通常技術を用いて製造される。一般に、酸化
剤、フッ化物含有添加剤、及び随意の添加剤が、そのよ
うな成分が媒体中に完全に溶解するまで低剪断条件下で
所定の濃度において、脱イオン水や蒸留水のような水系
媒体の中で混合される。ヒュームドアルミナのような金
属酸化物研磨材の濃厚な分散系が媒体に添加され、最終
的な化学的・機械的研磨用スラリーの中で研磨材の所望
の充填レベルまで希釈される。
【0039】本発明の化学的・機械的研磨用スラリー
は、1つのパッケージ状態(安定な水系媒体中の酸化
剤、研磨材、及びフッ化物含有添加剤)で供給されるこ
とができる。起こり得る化学的・機械的研磨用スラリー
(例えば、硝酸第二鉄が酸化剤でアルミナが研磨材の場
合)の劣化を防ぐため、第1のパッケージが酸化剤とフ
ッ化物含有添加剤の水系溶液からなるパッケージで、第
2のパッケージが研磨材の水系分散系からなるといった
2つのパッケージ系が好ましいことがある。
【0040】あるいは、ウェハーの所望の金属層に使用
するのに適切な標準的研磨装置を用い、マルチパッケー
ジシステムが使用されることもできる。マルチパッケー
ジシステムは、2つ以上の容器の中に水系又は乾燥状態
の1つ以上の化学的・機械的研磨用スラリーの成分を含
む。マルチパッケージシステムは、上記の所望の量の酸
化剤、研磨材、及びフッ化物含有添加剤を含む化学的・
機械的研磨用スラリーを得るに必要な量で、種々の容器
から成分を混合することによって使用される。マルチパ
ッケージシステムが使用される場合、フッ化物含有添加
剤は、好ましくは、酸化剤/フッ化物含有添加剤の混合
物が研磨材成分に添加される前に、酸化剤と混合され
る。この添加順序は、フッ化物含有添加剤が研磨材成分
と反応することを防ぐ。
【0041】本発明の研磨用スラリーは、高濃度のフッ
化物イオンを含む組成物で予想されるように、二酸化ケ
イ素の研磨速度を顕著には高めない。また、本研磨用ス
ラリーは、チタンや窒化チタンなどの現状の集積回路技
術で下地層やバリヤ膜として使用されるその他の薄膜材
料に対して制御された研磨選択性を提供するために、効
果的に使用されることができる。本発明の研磨用スラリ
ーは、半導体集積回路の製造の種々の工程で使用される
ことができ、表面の欠損や欠陥を最少限にしながら所望
の研磨速度で効果的な研磨を提供することができる。
【0042】
【発明の実施の形態】本発明者は、化学的・機械的研磨
用スラリーにフッ化物含有添加剤を少量で添加すること
が、タングステンと窒化チタンの研磨速度を低下させる
ことなく、且つ二酸化ケイ素の研磨速度を高めることな
く、チタン層の研磨速度を劇的に改良することを見出し
た。
【0043】下記の例は、本発明の好ましい態様を例証
すると同時に、本発明の組成物を使用する好ましい方法
を例示する。 例1 フッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリ
ーの性能を評価するため、標準的な研磨用スラリーを調
製した。測定した性能パラメーターは、チタン研磨速
度、タングステン研磨速度、二酸化ケイ素研磨速度など
である。
【0044】3.0重量%のコロイド状アルミナ、5.
0重量%の硝酸第二鉄、及び脱イオン水を含む標準的研
磨用スラリーを各々の実験について使用した。研磨用ス
ラリーは、同じ重量のW−A355(ヒュームドアルミ
ナを基剤にした分散系、イリノイ州のタスコラにあるキ
ャボット社のマイクロエレクトロニックス材料部門によ
る製造、商標SEMI−SPERSEとして販売)とF
E−10(硝酸第二鉄溶液、やはりキャボット社製で商
標SEMI−SPERSE FE−10として販売)を
混合することによって調製した。最終的なスラリーを調
製する前に、フッ化物含有添加剤の既知の量をFE−1
0成分と混合した。調製した後、このスラリーをウェハ
ーに施した。
【0045】例2 例1の方法にしたがって7種の研磨用スラリーを調製
し、ウェハー選択性と研磨効率に及ぼすフッ化物含有成
分の効果を検討した。スラリーは、3.0重量%のヒュ
ームドアルミナ、5.0重量%の硝酸第二鉄、及び表1
に示した種類と量のフッ化物含有添加剤(例1を除く)
から構成された。スラリーを使用し、Suba500−
SubaIVパッドスタック(デラウェア州のNewa
rkにあるRodel社製)を用い、約6000Åの厚
さを有するタングステンとチタンブランケットのウェハ
ーを化学的・機械的に研磨した。研磨は、表1に示した
条件下で1分間にわたって行った。また、研磨速度は表
1にまとめている。
【0046】表1に示されたように、対照標準のサンプ
ル1は、2350Å/分のタングステン研磨速度と、僅
か709Å/分のチタン研磨速度を有する。スラリーの
0.1重量%以上の量でフッ化物含有添加剤を添加する
と、チタン研磨速度を100%にも及んで改良し、一方
で、タングステン研磨速度は殆ど変化しなかった。
【0047】
【表1】
【0048】例3 この例の目的は、例1にしたがって調製した化学的・機
械的研磨用スラリーの種々のフルオロケイ酸(H2 Si
6 )、フッ化アンモニウム(NH4 F)、フッ化水素
酸(HF)の種々の濃度の、タングステンとチタンの研
磨速度と選択性に及ぼす効果を評価する。
【0049】各実験において、複数のスラリーを用いて
複数回の実験を行った。使用した各スラリーの組成を表
2にまとめている。スラリーは例1に記載したと同様に
して調製した。
【0050】
【表2】
【0051】この例で使用したテーブル研磨パラメータ
ーと使用したパッドスタックは、上記の例2に記載した
ものと同様である。種々の実験から得られたデータのま
とめが、下記の表3に示してある。Ti研磨速度は、化
学的・機械的研磨用スラリーのフッ化物含有率が高くな
ると共に向上し、いくつかの例において、タングステン
とチタンの研磨選択性(STi)が、0.5にも及んで改
良された。
【0052】
【表3】
【0053】本発明を特定の態様について説明したが、
本発明の技術的思想から逸脱することなく変更がなされ
得ることを理解すべきである。本発明の範囲は、特定の
例に示された本発明の説明に限定されるものではなく、
特許請求の範囲によって規定されるべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エー.ルカレリ アメリカ合衆国,イリノイ 61938,マト ーン,マクギニス プレース 7 (72)発明者 マックス エイチ.ウォルターズ アメリカ合衆国,イリノイ 60565,ネイ パービル,スナップドラゴン ドライブ 2307

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a) 酸化剤、(b) 研磨剤、及び(c) フッ
    化物含有添加剤を含んでなることを特徴とする水系の化
    学的・機械的研磨用スラリー。
  2. 【請求項2】 約0.01〜約2.0重量%のフッ化物
    含有添加剤を含む請求項1に記載の化学的・機械的研磨
    用スラリー。
  3. 【請求項3】 フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有
    酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請
    求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  4. 【請求項4】 フッ化物含有添加剤が、フッ化水素酸、
    フルオロケイ酸、フルオロホウ酸、フルオロチタン酸、
    及びそれらの混合物からなる群より選択された請求項3
    に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  5. 【請求項5】 フッ化物含有酸が、化学的・機械的研磨
    用スラリー中に、約0.01〜約0.3重量%の範囲の
    量で存在する請求項4に記載の化学的・機械的研磨用ス
    ラリー。
  6. 【請求項6】 フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモニ
    ウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、二
    フッ化水素カリウム、及びそれらの混合物からなる群よ
    り選択されたフッ化物塩である請求項3に記載の化学的
    ・機械的研磨用スラリー。
  7. 【請求項7】 フッ化物塩がスラリー中に約0.2〜約
    1.0重量%の量で存在する請求項6に記載の化学的・
    機械的研磨用スラリー。
  8. 【請求項8】 酸化剤が、鉄塩、カリウム塩、アンモニ
    ウム塩、第四アンモニウム塩、ホスホニウム塩、過酸化
    物、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、
    過硫酸塩、及びそれらの混合物からなる群より選択され
    た請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  9. 【請求項9】 酸化剤が硝酸第二鉄である請求項8に記
    載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  10. 【請求項10】 約1.5〜約3.0のpHを有する請
    求項9に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  11. 【請求項11】 約1.0〜約5.0のpHを有する請
    求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  12. 【請求項12】 フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸で
    ある請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  13. 【請求項13】 フッ化水素酸がスラリー中に約0.0
    1〜約0.3重量%の量で存在する請求項12に記載の
    化学的・機械的研磨用スラリー。
  14. 【請求項14】 研磨材が金属酸化物である請求項1に
    記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  15. 【請求項15】 金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリ
    ア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及び
    それらの混合物からなる群より選択された請求項14に
    記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  16. 【請求項16】 研磨材が金属酸化物の水分散系である
    請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  17. 【請求項17】 研磨材がアルミナである請求項1に記
    載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  18. 【請求項18】 アルミナがヒュームドアルミナである
    請求項17に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  19. 【請求項19】 研磨材が微細な金属酸化物粒子からな
    る請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  20. 【請求項20】 微細な金属酸化物粒子が、沈降アルミ
    ナ又はヒュームドアルミナを含んでなる請求項19に記
    載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  21. 【請求項21】 さらに界面活性剤を含んでなる請求項
    1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  22. 【請求項22】 有機系酸、有機系酸の塩、及びそれら
    の混合物から選択された配合物をさらに含んでなる請求
    項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  23. 【請求項23】 無機系酸、無機系酸の塩、及びそれら
    の混合物から選択された配合物をさらに含んでなる請求
    項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  24. 【請求項24】 約1〜7重量%の硝酸第二鉄、約1〜
    12重量%のアルミナ、及び約0.01〜約2.0重量
    %のフッ化物含有添加剤を含んでなる、チタンとタング
    ステンを含む基板の研磨に有用な水系の化学的・機械的
    研磨用スラリー。
  25. 【請求項25】 フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有
    酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請
    求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  26. 【請求項26】 フッ化物含有添加剤が少なくとも1種
    のフッ化物含有酸と少なくとも1種のフッ化物塩をさら
    に含み、約1.5〜約3.0のpHを有する請求項24
    に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  27. 【請求項27】 アルミナが水分散系のアルミナである
    請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  28. 【請求項28】 アルミナがヒュームドアルミナである
    請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  29. 【請求項29】 約3:1〜約1:2のタングステン対
    チタンの研磨選択性(W:Ti)を有する請求項24に
    記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  30. 【請求項30】 (a) 酸化剤、フッ化物含有添加剤、及
    び研磨材を混合し、約1.0〜約5.0のpHを有する
    化学的・機械的研磨用スラリーを作成し、 (b) その化学的・機械的研磨用スラリーを基板に施し、 (c) パッドを基板に接触させ、基板に対してパッドを動
    かすことによってチタン接着層の少なくとも一部を除去
    する、ことを含むことを特徴とする、チタン接着層を有
    する基板を研磨する方法。
  31. 【請求項31】 パッドを基板に接触して配置する前
    に、化学的・機械的研磨用スラリーをパッドに施す請求
    項30に記載の方法。
  32. 【請求項32】 酸化剤とフッ化物含有添加剤が第1容
    器の中で水系溶液として収納され、研磨材の水分散系が
    第2溶液の中に収納され、パッドにスラリーを施す前
    に、第1容器の内容物の少なくとも一部を第2容器の内
    容物の少なくとも一部と混合し、約1〜約7重量%の酸
    化剤、約1〜約6重量%の研磨材、及び約0.01〜約
    2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含む水系の化学的
    ・機械的研磨用スラリーを調製することを含む請求項3
    0に記載の方法。
  33. 【請求項33】 フッ化物含有添加剤が、フッ化水素
    酸、フルオロケイ酸、及びそれらの混合物からなる群よ
    り選択されたフッ化物含有酸である請求項32に記載の
    方法。
  34. 【請求項34】 フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸で
    ある請求項33に記載の方法。
  35. 【請求項35】 フッ化水素酸が約0.05〜約0.3
    重量%の量でスラリー中に存在する請求項34に記載の
    方法。
  36. 【請求項36】 フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモ
    ニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、
    及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物
    塩である請求項32に記載の方法。
  37. 【請求項37】 フッ化物塩が約0.2〜約1.0重量
    %の量のフッ化カリウムである請求項36に記載の方
    法。
  38. 【請求項38】 (a) 硝酸第二鉄、アルミナ、及びフッ
    化水素酸を脱イオン水と混合し、約1〜約7重量%の硝
    酸第二鉄、約1〜約6重量%のアルミナ、及び約0.1
    〜約0.3重量%のフッ化水素酸を含む化学的・機械的
    研磨用スラリーを作成し、ここで、その化学的・機械的
    研磨用スラリーは約1.5〜約2.5のpHと、約3:
    1〜約1:2のタングステン対チタンの研磨選択性
    (W:Ti)を有し、 (b) その化学的・機械的研磨用スラリーを基板に施し、 (c) パッドを基板に接触させ、基板に対してパッドを動
    かすことによってチタン接着層の少なくとも一部とタン
    グステン層の一部を除去する、ことを含むことを特徴と
    する、チタン接着層とタングステン層を有する基板を研
    磨する方法。
  39. 【請求項39】 (a) 研磨材の水分散系を収めた第1容
    器、及び(b) 酸化剤とフッ化物含有添加剤を収めた第2
    容器、を含んでなる化学的・機械的研磨用スラリーを調
    製するのに有用なマルチパッケージシステム。
  40. 【請求項40】 酸化剤とフッ化物含有添加剤を収めた
    容器。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338900A (ja) * 1999-12-24 2001-12-07 Tokuyama Corp バリア膜用研磨剤
JP2002528903A (ja) * 1998-10-23 2002-09-03 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 活性剤溶液を含有し、化学機械的に磨くためのスラリーシステム
JP2003059877A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6676484B2 (en) 1998-11-10 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
JP2011135089A (ja) * 2011-02-07 2011-07-07 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2011238946A (ja) * 2011-07-04 2011-11-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2012004588A (ja) * 1998-03-18 2012-01-05 Cabot Microelectronics Corp 銅基材に有益な化学機械的研磨スラリー
JP2019131814A (ja) * 2019-03-08 2019-08-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
US12077680B2 (en) 2020-03-24 2024-09-03 Fujimi Incorporated Polishing composition, production method of the same, polishing method and a manufacturing method of a semiconductor substrate

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6546939B1 (en) * 1990-11-05 2003-04-15 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment
EP0852615B1 (en) * 1996-07-25 2005-12-14 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. Chemical mechanical polishing composition and process
US20020111024A1 (en) * 1996-07-25 2002-08-15 Small Robert J. Chemical mechanical polishing compositions
US20040140288A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-22 Bakul Patel Wet etch of titanium-tungsten film
US6039891A (en) 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US6592776B1 (en) 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
US6121143A (en) * 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
EP1021491B1 (de) * 1997-09-26 2001-12-19 Infineon Technologies AG Poliermittel und die verwendung dieses poliermittels zum planarisieren eines halbleitersubstrats
US6190237B1 (en) * 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6362101B2 (en) * 1997-11-24 2002-03-26 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing methods using low pH slurry mixtures
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
JP3147072B2 (ja) * 1998-02-26 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6177026B1 (en) * 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
US6435947B2 (en) 1998-05-26 2002-08-20 Cabot Microelectronics Corporation CMP polishing pad including a solid catalyst
GB2384003B (en) * 1998-06-15 2003-09-03 Fujimi Inc Polishing composition
JP3998813B2 (ja) * 1998-06-15 2007-10-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US6217416B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US6358853B2 (en) * 1998-09-10 2002-03-19 Intel Corporation Ceria based slurry for chemical-mechanical polishing
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
SG73683A1 (en) * 1998-11-24 2000-06-20 Texas Instruments Inc Stabilized slurry compositions
JP2000160139A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6395194B1 (en) * 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
JP3177973B2 (ja) * 1999-01-28 2001-06-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
US6225223B1 (en) * 1999-08-16 2001-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to eliminate dishing of copper interconnects
US6348076B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-19 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US6297208B1 (en) * 1999-10-11 2001-10-02 Iron Out, Inc. Rust stain removal formula
KR100343391B1 (ko) * 1999-11-18 2002-08-01 삼성전자 주식회사 화학 및 기계적 연마용 비선택성 슬러리 및 그제조방법과, 이를 이용하여 웨이퍼상의 절연층 내에플러그를 형성하는 방법
KR100563166B1 (ko) * 1999-12-17 2006-03-27 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 기판의 연마 또는 평탄화 방법
JP2004127327A (ja) * 1999-12-27 2004-04-22 Showa Denko Kk 磁気ディスク基板研磨用組成物
US6454820B2 (en) * 2000-02-03 2002-09-24 Kao Corporation Polishing composition
US7675766B2 (en) * 2000-02-11 2010-03-09 Axon Technologies Corporation Microelectric programmable device and methods of forming and programming the same
AU2001253308A1 (en) * 2000-04-11 2001-10-23 Cabot Microelectronics Corporation System for the preferential removal of silicon oxide
JP3945964B2 (ja) * 2000-06-01 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
US6524168B2 (en) 2000-06-15 2003-02-25 Rodel Holdings, Inc Composition and method for polishing semiconductors
US6653242B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
KR100674895B1 (ko) * 2000-07-18 2007-01-26 삼성전자주식회사 산화막 cmp용 슬러리
US6461227B1 (en) 2000-10-17 2002-10-08 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia-and/or halide-containing composition
EP1347842B1 (en) * 2000-11-22 2011-02-23 Ingersoll Cm Systems, Inc. Apparatus and method for rolling workpieces
EP1356502A1 (en) * 2001-01-16 2003-10-29 Cabot Microelectronics Corporation Ammonium oxalate-containing polishing system and method
JP2002288821A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Showa Denko Kk テクスチャリング加工用組成物
WO2002076902A1 (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Showa Denko K.K. Composition for texturing process
KR100557600B1 (ko) * 2001-06-29 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 나이트라이드 cmp용 슬러리
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
WO2003044123A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-30 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
KR100415617B1 (ko) * 2001-12-06 2004-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법
KR100460312B1 (ko) * 2001-12-10 2004-12-04 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100474540B1 (ko) * 2002-06-24 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법
US20030136759A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US7132058B2 (en) 2002-01-24 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tungsten polishing solution
US20030139047A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Thomas Terence M. Metal polishing slurry having a static etch inhibitor and method of formulation
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US6884729B2 (en) * 2002-02-11 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Global planarization method
US6853474B2 (en) * 2002-04-04 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Process for fabricating optical switches
DE10227867A1 (de) 2002-06-22 2004-01-08 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues
US20040007690A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-15 Cabot Microelectronics Corp. Methods for polishing fiber optic connectors
US6893476B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-17 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal
US20040144038A1 (en) * 2002-12-09 2004-07-29 Junaid Ahmed Siddiqui Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
US7186653B2 (en) * 2003-07-30 2007-03-06 Climax Engineered Materials, Llc Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
US20050022456A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Babu S. V. Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper
US7968465B2 (en) * 2003-08-14 2011-06-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Periodic acid compositions for polishing ruthenium/low K substrates
US6929983B2 (en) 2003-09-30 2005-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Method of forming a current controlling device
JP2005138197A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
US7419911B2 (en) * 2003-11-10 2008-09-02 Ekc Technology, Inc. Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates
US7076891B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-18 Nike, Inc. Flexible fluid-filled bladder for an article of footwear
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
US20050148289A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-07 Cabot Microelectronics Corp. Micromachining by chemical mechanical polishing
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
US7524347B2 (en) * 2004-10-28 2009-04-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition comprising surfactant
CN1854234B (zh) 2005-04-21 2013-03-20 安集微电子(上海)有限公司 抛光浆料及其用途和使用方法
US7576361B2 (en) * 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
US8163049B2 (en) * 2006-04-18 2012-04-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Fluoride-modified silica sols for chemical mechanical planarization
US20080020680A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cabot Microelectronics Corporation Rate-enhanced CMP compositions for dielectric films
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
US7678605B2 (en) * 2007-08-30 2010-03-16 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
CN101451049A (zh) * 2007-11-30 2009-06-10 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液
US8506831B2 (en) * 2008-12-23 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
KR101257336B1 (ko) * 2012-04-13 2013-04-23 유비머트리얼즈주식회사 연마용 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법
US9039914B2 (en) 2012-05-23 2015-05-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks
SG10201503988YA (en) * 2014-05-29 2015-12-30 Applied Materials Inc Reduced titanium undercut in etch process
JP7306608B2 (ja) * 2016-03-11 2023-07-11 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 高度な流体処理方法およびシステム
JP7197366B2 (ja) * 2016-12-26 2022-12-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
KR102447589B1 (ko) 2017-10-25 2022-09-28 세인트-고바인 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인크. 재료 제거 공정을 위한 조성물과 그 조성 방법
CN109728158B (zh) * 2017-10-27 2023-07-07 华邦电子股份有限公司 电阻式存储器及其制造方法与化学机械研磨制程
US10858544B2 (en) * 2018-05-24 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical mechanical polishing slurry and chemical mechanical polishing process using the same
JP7450334B2 (ja) * 2018-12-27 2024-03-15 東京応化工業株式会社 エッチング液、及び半導体素子の製造方法
US11597854B2 (en) * 2019-07-16 2023-03-07 Cmc Materials, Inc. Method to increase barrier film removal rate in bulk tungsten slurry
EP4438689B1 (en) * 2023-03-30 2026-03-11 Acondicionamiento Tarrasense Method of polishing and brightening a workpiece of copper or copper alloy
CN118667447B (zh) * 2024-08-22 2025-05-16 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种化学机械抛光液及其制备方法和应用

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3385682A (en) * 1965-04-29 1968-05-28 Sprague Electric Co Method and reagent for surface polishing
US3565707A (en) * 1969-03-03 1971-02-23 Fmc Corp Metal dissolution
US3843430A (en) * 1972-04-03 1974-10-22 Macdermid Inc Chromate-free bright dip for zinc and cadmium surfaces
US3887403A (en) * 1972-07-05 1975-06-03 Mc Donnell Douglas Corp Process and solution for removing titanium and refractory metals and their alloys from tools
US4345969A (en) * 1981-03-23 1982-08-24 Motorola, Inc. Metal etch solution and method
US4671851A (en) * 1985-10-28 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4789648A (en) * 1985-10-28 1988-12-06 International Business Machines Corporation Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
US4954459A (en) * 1988-05-12 1990-09-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method of planarization of topologies in integrated circuit structures
US4910155A (en) * 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
US5157876A (en) * 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5137544A (en) * 1990-04-10 1992-08-11 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US4992135A (en) * 1990-07-24 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore
US5173438A (en) * 1991-02-13 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Method of performing a field implant subsequent to field oxide fabrication by utilizing selective tungsten deposition to produce encroachment-free isolation
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5300813A (en) * 1992-02-26 1994-04-05 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
US5314843A (en) * 1992-03-27 1994-05-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit polishing method
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5407526A (en) * 1993-06-30 1995-04-18 Intel Corporation Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP2600600B2 (ja) * 1993-12-21 1997-04-16 日本電気株式会社 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US5439551A (en) * 1994-03-02 1995-08-08 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
JPH08116016A (ja) * 1994-10-15 1996-05-07 Toshiba Corp リードフレーム及び半導体装置
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5534462A (en) * 1995-02-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a plug and semiconductor device having the same
US5494849A (en) * 1995-03-23 1996-02-27 Si Bond L.L.C. Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator substrates
US5614444A (en) * 1995-06-06 1997-03-25 Sematech, Inc. Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US5645736A (en) * 1995-12-29 1997-07-08 Symbios Logic Inc. Method for polishing a wafer
US5647952A (en) * 1996-04-01 1997-07-15 Industrial Technology Research Institute Chemical/mechanical polish (CMP) endpoint method
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5756398A (en) * 1997-03-17 1998-05-26 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US5770103A (en) * 1997-07-08 1998-06-23 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004588A (ja) * 1998-03-18 2012-01-05 Cabot Microelectronics Corp 銅基材に有益な化学機械的研磨スラリー
JP2002528903A (ja) * 1998-10-23 2002-09-03 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 活性剤溶液を含有し、化学機械的に磨くためのスラリーシステム
US6676484B2 (en) 1998-11-10 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
JP2001338900A (ja) * 1999-12-24 2001-12-07 Tokuyama Corp バリア膜用研磨剤
JP2003059877A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP2011135089A (ja) * 2011-02-07 2011-07-07 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2011238946A (ja) * 2011-07-04 2011-11-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2019131814A (ja) * 2019-03-08 2019-08-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
US12077680B2 (en) 2020-03-24 2024-09-03 Fujimi Incorporated Polishing composition, production method of the same, polishing method and a manufacturing method of a semiconductor substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP0811666A3 (en) 1998-10-21
DE69724187T2 (de) 2004-02-26
IL120912A0 (en) 1997-09-30
MY132376A (en) 2007-10-31
AU3138597A (en) 1998-01-05
EP0811666B1 (en) 2003-08-20
ATE247700T1 (de) 2003-09-15
DE69724187D1 (de) 2003-09-25
IL120912A (en) 2002-11-10
US5993686A (en) 1999-11-30
WO1997047030A1 (en) 1997-12-11
TW375660B (en) 1999-12-01
ID17160A (id) 1997-12-04
JP3592894B2 (ja) 2004-11-24
EP0811666A2 (en) 1997-12-10

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