JPH1067986A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH1067986A5
JPH1067986A5 JP1997147688A JP14768897A JPH1067986A5 JP H1067986 A5 JPH1067986 A5 JP H1067986A5 JP 1997147688 A JP1997147688 A JP 1997147688A JP 14768897 A JP14768897 A JP 14768897A JP H1067986 A5 JPH1067986 A5 JP H1067986A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical mechanical
mechanical polishing
fluoride
polishing slurry
alumina
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1997147688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3592894B2 (ja
JPH1067986A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/659,419 external-priority patent/US5993686A/en
Application filed filed Critical
Publication of JPH1067986A publication Critical patent/JPH1067986A/ja
Publication of JPH1067986A5 publication Critical patent/JPH1067986A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3592894B2 publication Critical patent/JP3592894B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【0012】
さらにもう1つの態様において、本発明は、多層誘電体デバイスに関係するチタンとタングステンの金属層を研磨するための、フッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーの使用方法である。
本発明のさらにもう1つの態様は、基材(以下、「基板」ともいう)に化学的・機械的研磨用スラリーを施し、基にパッドを接触させ、基に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部を除去することによってチタンを含む基を研磨するために、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーを使用する方法である。

Claims (40)

  1. (a) 酸化剤、(b) 研磨剤、及び(c) フッ化物含有添加剤を含んでなることを特徴とする水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
  2. .01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含む請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  3. フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  4. フッ化物含有添加剤が、フッ化水素酸、フルオロケイ酸、フルオロホウ酸、フルオロチタン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物含有酸である請求項3に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  5. フッ化物含有酸が、化学的・機械的研磨用スラリー中に、0.01〜0.3重量%の範囲の量で存在する請求項4に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  6. フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、二フッ化水素カリウム、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物塩である請求項3に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  7. フッ化物塩がスラリー中に0.2〜1.0重量%の量で存在する請求項6に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  8. 酸化剤が、鉄塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第四アンモニウム塩、ホスホニウム塩、過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、及びそれらの混合物を含む群より選択された請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  9. 酸化剤が硝酸第二鉄である請求項8に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  10. .5〜3.0のpHを有する請求項9に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  11. .0〜5.0のpHを有する請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  12. フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  13. フッ化水素酸がスラリー中に0.01〜0.3重量%の量で存在する請求項12に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  14. 研磨材が金属酸化物である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  15. 金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの混合物からなる群より選択された請求項14に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  16. 研磨材が金属酸化物の水分散系である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  17. 研磨材がアルミナである請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  18. アルミナがヒュームドアルミナである請求項17に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  19. 研磨材が微細な金属酸化物粒子からなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  20. 微細な金属酸化物粒子が、沈降アルミナ又はヒュームドアルミナを含んでなる請求項19に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  21. さらに界面活性剤を含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  22. 有機系酸、有機系酸の塩、及びそれらの混合物から選択された化合物をさらに含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  23. 無機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合物から選択された化合物をさらに含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  24. 〜7重量%の硝酸第二鉄、1〜12重量%のアルミナ、及び0.01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含んでなる、チタンとタングステンを含む基の研磨に有用な水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
  25. フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  26. フッ化物含有添加剤が少なくとも1種のフッ化物含有酸と少なくとも1種のフッ化物塩をさらに含み、1.5〜3.0のpHを有する請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  27. アルミナが水分散系のアルミナである請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  28. アルミナがヒュームドアルミナである請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  29. :1〜1:2のタングステン対チタンの研磨選択性(W:Ti)を有する請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
  30. (a) 酸化剤、フッ化物含有添加剤、及び研磨材を混合し、1.0〜5.0のpHを有する化学的・機械的研磨用スラリーを作成し、
    (b) その化学的・機械的研磨用スラリーを基に施し、
    (c) パッドを基に接触させ、基に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部を除去する、
    ことを含むことを特徴とする、チタン接着層を有する基を研磨する方法。
  31. パッドを基に接触して配置する前に、化学的・機械的研磨用スラリーをパッドに施す請求項30に記載の方法。
  32. 酸化剤とフッ化物含有添加剤が第1容器の中で水系溶液として収納され、研磨材の水分散系が第2溶液の中に収納され、パッドにスラリーを施す前に、第1容器の内容物の一部を第2容器の内容物の少なくとも一部と混合し、1〜7重量%の酸化剤、1〜6重量%の研磨材、及び0.01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含む水系の化学的・機械的研磨用スラリーを調製することを含む請求項30に記載の方法。
  33. フッ化物含有添加剤が、フッ化水素酸、フルオロケイ酸、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物含有酸である請求項32に記載の方法。
  34. フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸である請求項33に記載の方法。
  35. フッ化水素酸が0.05〜0.3重量%の量でスラリー中に存在する請求項34に記載の方法。
  36. フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物塩である請求項32に記載の方法。
  37. フッ化物塩が0.2〜1.0重量%の量のフッ化カリウムである請求項36に記載の方法。
  38. (a) 硝酸第二鉄、アルミナ、及びフッ化水素酸を脱イオン水と混合し、1〜7重量%の硝酸第二鉄、1〜6重量%のアルミナ、及び0.1〜0.3重量%のフッ化水素酸を含む化学的・機械的研磨用スラリーを作成し、ここで、その化学的・機械的研磨用スラリーは1.5〜2.5のpHと、3:1〜1:2のタングステン対チタンの研磨選択性(W:Ti)を有し、
    (b) その化学的・機械的研磨用スラリーを基に施し、
    (c) パッドを基に接触させ、基に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部とタングステン層の一部を除去する、
    ことを含むことを特徴とする、チタン接着層とタングステン層を有する基を研磨する方法。
  39. (a) 研磨材の水分散系を含む第1容器、及び(b) 酸化剤とフッ化物含有添加剤を含む第2容器、を備えた化学的・機械的研磨用スラリーを調製するのに有用なマルチパッケージシステム。
  40. 酸化剤とフッ化物含有添加剤を含む容器。
JP14768897A 1996-06-06 1997-06-05 フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法 Expired - Fee Related JP3592894B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/659419 1996-06-06
US08/659,419 US5993686A (en) 1996-06-06 1996-06-06 Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH1067986A JPH1067986A (ja) 1998-03-10
JPH1067986A5 true JPH1067986A5 (ja) 2004-07-22
JP3592894B2 JP3592894B2 (ja) 2004-11-24

Family

ID=24645336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14768897A Expired - Fee Related JP3592894B2 (ja) 1996-06-06 1997-06-05 フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5993686A (ja)
EP (1) EP0811666B1 (ja)
JP (1) JP3592894B2 (ja)
AT (1) ATE247700T1 (ja)
AU (1) AU3138597A (ja)
DE (1) DE69724187T2 (ja)
ID (1) ID17160A (ja)
IL (1) IL120912A (ja)
MY (1) MY132376A (ja)
TW (1) TW375660B (ja)
WO (1) WO1997047030A1 (ja)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6546939B1 (en) * 1990-11-05 2003-04-15 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment
US20040140288A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-22 Bakul Patel Wet etch of titanium-tungsten film
EP0852615B1 (en) * 1996-07-25 2005-12-14 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. Chemical mechanical polishing composition and process
US20020111024A1 (en) * 1996-07-25 2002-08-15 Small Robert J. Chemical mechanical polishing compositions
US6039891A (en) 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US6592776B1 (en) 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
US6121143A (en) * 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
JP2002500431A (ja) * 1997-09-26 2002-01-08 インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト 研磨剤および半導体基板の平坦化のための該研磨剤の使用
US6190237B1 (en) * 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6362101B2 (en) * 1997-11-24 2002-03-26 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing methods using low pH slurry mixtures
US6294105B1 (en) * 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
JP3147072B2 (ja) * 1998-02-26 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6177026B1 (en) 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
US6435947B2 (en) 1998-05-26 2002-08-20 Cabot Microelectronics Corporation CMP polishing pad including a solid catalyst
GB2384003B (en) * 1998-06-15 2003-09-03 Fujimi Inc Polishing composition
JP3998813B2 (ja) * 1998-06-15 2007-10-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US6217416B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US6358853B2 (en) * 1998-09-10 2002-03-19 Intel Corporation Ceria based slurry for chemical-mechanical polishing
DE69942615D1 (de) * 1998-10-23 2010-09-02 Fujifilm Electronic Materials Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
SG73683A1 (en) * 1998-11-24 2000-06-20 Texas Instruments Inc Stabilized slurry compositions
JP2000160139A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6395194B1 (en) * 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
JP3177973B2 (ja) * 1999-01-28 2001-06-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
US6225223B1 (en) * 1999-08-16 2001-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to eliminate dishing of copper interconnects
US6348076B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-19 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US6297208B1 (en) * 1999-10-11 2001-10-02 Iron Out, Inc. Rust stain removal formula
KR100343391B1 (ko) * 1999-11-18 2002-08-01 삼성전자 주식회사 화학 및 기계적 연마용 비선택성 슬러리 및 그제조방법과, 이를 이용하여 웨이퍼상의 절연층 내에플러그를 형성하는 방법
US6872328B2 (en) * 1999-12-17 2005-03-29 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing or planarizing a substrate
JP4500429B2 (ja) * 1999-12-24 2010-07-14 株式会社トクヤマ バリア膜用研磨剤
JP2004127327A (ja) * 1999-12-27 2004-04-22 Showa Denko Kk 磁気ディスク基板研磨用組成物
US6454820B2 (en) * 2000-02-03 2002-09-24 Kao Corporation Polishing composition
US7675766B2 (en) * 2000-02-11 2010-03-09 Axon Technologies Corporation Microelectric programmable device and methods of forming and programming the same
EP1272580A2 (en) * 2000-04-11 2003-01-08 Cabot Microelectronics Corporation System for the preferential removal of silicon oxide
JP3945964B2 (ja) 2000-06-01 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
US6524168B2 (en) 2000-06-15 2003-02-25 Rodel Holdings, Inc Composition and method for polishing semiconductors
US6653242B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
KR100674895B1 (ko) * 2000-07-18 2007-01-26 삼성전자주식회사 산화막 cmp용 슬러리
US6461227B1 (en) 2000-10-17 2002-10-08 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia-and/or halide-containing composition
US6895793B2 (en) * 2000-11-22 2005-05-24 Ingersoll Cm Systems Llc Apparatus and method for rolling workpieces
CN1255854C (zh) * 2001-01-16 2006-05-10 卡伯特微电子公司 含有草酸铵的抛光系统及方法
WO2002076902A1 (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Showa Denko K.K. Composition for texturing process
JP2002288821A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Showa Denko Kk テクスチャリング加工用組成物
KR100557600B1 (ko) * 2001-06-29 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 나이트라이드 cmp용 슬러리
JP4954398B2 (ja) * 2001-08-09 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
AU2002359356A1 (en) * 2001-11-16 2003-06-10 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
KR100415617B1 (ko) 2001-12-06 2004-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법
KR100460312B1 (ko) * 2001-12-10 2004-12-04 제일모직주식회사 금속배선 연마용 슬러리 조성물
KR100474540B1 (ko) * 2002-06-24 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법
US20030136759A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US7132058B2 (en) 2002-01-24 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tungsten polishing solution
US20030139047A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Thomas Terence M. Metal polishing slurry having a static etch inhibitor and method of formulation
US7524346B2 (en) * 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US6884729B2 (en) * 2002-02-11 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Global planarization method
US6853474B2 (en) * 2002-04-04 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Process for fabricating optical switches
DE10227867A1 (de) * 2002-06-22 2004-01-08 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues
US20040007690A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-15 Cabot Microelectronics Corp. Methods for polishing fiber optic connectors
US6893476B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-17 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal
US20040144038A1 (en) * 2002-12-09 2004-07-29 Junaid Ahmed Siddiqui Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
US7186653B2 (en) * 2003-07-30 2007-03-06 Climax Engineered Materials, Llc Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
US20050022456A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Babu S. V. Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper
US7968465B2 (en) * 2003-08-14 2011-06-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Periodic acid compositions for polishing ruthenium/low K substrates
US6929983B2 (en) 2003-09-30 2005-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Method of forming a current controlling device
JP2005138197A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
US7419911B2 (en) * 2003-11-10 2008-09-02 Ekc Technology, Inc. Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates
US7076891B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-18 Nike, Inc. Flexible fluid-filled bladder for an article of footwear
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride
US20050148289A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-07 Cabot Microelectronics Corp. Micromachining by chemical mechanical polishing
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
US7524347B2 (en) * 2004-10-28 2009-04-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition comprising surfactant
CN1854234B (zh) 2005-04-21 2013-03-20 安集微电子(上海)有限公司 抛光浆料及其用途和使用方法
US7576361B2 (en) * 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
US8163049B2 (en) * 2006-04-18 2012-04-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Fluoride-modified silica sols for chemical mechanical planarization
US20080020680A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cabot Microelectronics Corporation Rate-enhanced CMP compositions for dielectric films
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
US7678605B2 (en) * 2007-08-30 2010-03-16 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
CN101451049A (zh) * 2007-11-30 2009-06-10 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液
US8506831B2 (en) 2008-12-23 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
JP2011135089A (ja) * 2011-02-07 2011-07-07 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP5542750B2 (ja) * 2011-07-04 2014-07-09 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
KR101257336B1 (ko) * 2012-04-13 2013-04-23 유비머트리얼즈주식회사 연마용 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법
US9039914B2 (en) 2012-05-23 2015-05-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks
SG10201503988YA (en) * 2014-05-29 2015-12-30 Applied Materials Inc Reduced titanium undercut in etch process
JP7306608B2 (ja) 2016-03-11 2023-07-11 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 高度な流体処理方法およびシステム
JP7197366B2 (ja) * 2016-12-26 2022-12-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
WO2019083847A1 (en) 2017-10-25 2019-05-02 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. COMPOSITION FOR THE IMPLEMENTATION OF MATERIAL REMOVAL OPERATIONS AND METHOD FOR FORMING THE SAME
CN109728158B (zh) * 2017-10-27 2023-07-07 华邦电子股份有限公司 电阻式存储器及其制造方法与化学机械研磨制程
US10858544B2 (en) * 2018-05-24 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical mechanical polishing slurry and chemical mechanical polishing process using the same
JP7450334B2 (ja) * 2018-12-27 2024-03-15 東京応化工業株式会社 エッチング液、及び半導体素子の製造方法
JP2019131814A (ja) * 2019-03-08 2019-08-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
US11597854B2 (en) * 2019-07-16 2023-03-07 Cmc Materials, Inc. Method to increase barrier film removal rate in bulk tungsten slurry
JP7575878B2 (ja) 2020-03-24 2024-10-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、その製造方法、および研磨方法
EP4438689B1 (en) * 2023-03-30 2026-03-11 Acondicionamiento Tarrasense Method of polishing and brightening a workpiece of copper or copper alloy
CN118667447B (zh) * 2024-08-22 2025-05-16 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种化学机械抛光液及其制备方法和应用

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3385682A (en) * 1965-04-29 1968-05-28 Sprague Electric Co Method and reagent for surface polishing
US3565707A (en) * 1969-03-03 1971-02-23 Fmc Corp Metal dissolution
US3843430A (en) * 1972-04-03 1974-10-22 Macdermid Inc Chromate-free bright dip for zinc and cadmium surfaces
US3887403A (en) * 1972-07-05 1975-06-03 Mc Donnell Douglas Corp Process and solution for removing titanium and refractory metals and their alloys from tools
US4345969A (en) * 1981-03-23 1982-08-24 Motorola, Inc. Metal etch solution and method
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4671851A (en) * 1985-10-28 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique
US4789648A (en) * 1985-10-28 1988-12-06 International Business Machines Corporation Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
US4954459A (en) * 1988-05-12 1990-09-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method of planarization of topologies in integrated circuit structures
US4910155A (en) * 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
US5157876A (en) * 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5137544A (en) * 1990-04-10 1992-08-11 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US4992135A (en) * 1990-07-24 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore
US5173438A (en) * 1991-02-13 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Method of performing a field implant subsequent to field oxide fabrication by utilizing selective tungsten deposition to produce encroachment-free isolation
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5300813A (en) * 1992-02-26 1994-04-05 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
US5314843A (en) * 1992-03-27 1994-05-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit polishing method
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5407526A (en) * 1993-06-30 1995-04-18 Intel Corporation Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP2600600B2 (ja) * 1993-12-21 1997-04-16 日本電気株式会社 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US5439551A (en) * 1994-03-02 1995-08-08 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
JPH08116016A (ja) * 1994-10-15 1996-05-07 Toshiba Corp リードフレーム及び半導体装置
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5534462A (en) * 1995-02-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a plug and semiconductor device having the same
US5494849A (en) * 1995-03-23 1996-02-27 Si Bond L.L.C. Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator substrates
US5614444A (en) * 1995-06-06 1997-03-25 Sematech, Inc. Method of using additives with silica-based slurries to enhance selectivity in metal CMP
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US5645736A (en) * 1995-12-29 1997-07-08 Symbios Logic Inc. Method for polishing a wafer
US5647952A (en) * 1996-04-01 1997-07-15 Industrial Technology Research Institute Chemical/mechanical polish (CMP) endpoint method
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5756398A (en) * 1997-03-17 1998-05-26 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium
US5770103A (en) * 1997-07-08 1998-06-23 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite comprising titanium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1067986A5 (ja)
ES2248831T3 (es) Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre.
EP1299489B1 (en) Cmp polishing composition for metal
EP1852481B1 (en) Silane containing polishing composition for CMP
KR102774705B1 (ko) 양이온성 계면활성제를 함유하는 텅스텐-가공 슬러리
CN1849378B (zh) 化学-机械抛光组合物及其使用方法
JP2003507895A (ja) 停止化合物を伴う化学機械的研磨系及びその使用方法
WO2004013242A2 (en) Polishing slurry system and metal poslishing and removal process
WO1998013536A1 (en) Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
TWI388638B (zh) 釕化學機械研磨組合物及方法
JPH10265766A (ja) 金属のcmpに有用な組成物及びスラリー
JP2002516378A (ja) 固体触媒を含むcmpスラリー
ID17160A (id) Aditif fluorida yang mengandung bubur pemoles mekanis-kimia dan metode penggunaan bahan tersebut
EP1778809A1 (en) CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING (CMP) SLURRY CONTAINING CLAY AND CeO2 ABRASIVE PARTICLES AND METHOD OF PLANARIZING SURFACES
EP1098948A1 (en) Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
WO2000000561A1 (en) Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
TW200806781A (en) Fluoride-modified silica sols for chemical mechanical planarization
JP2003516626A (ja) 化学的機械研磨方法
JP2011503873A5 (ja)
US20050072054A1 (en) Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing computer memory disk surfaces
TW202421735A (zh) 具有含硫陰離子界面活性劑之鎢之化學機械拋光(cmp)組合物
JP2009124092A (ja) タングステン用cmp研磨液および基板の研磨方法
EP1675924A1 (en) Chemical-mechanical polishing (cmp) slurry and method of planarizing computer memory disk surfaces