JPH1068914A - 速度整合進行波型の、ベンゾシクロブテンのバッファ層を用いた電気光学変調器 - Google Patents
速度整合進行波型の、ベンゾシクロブテンのバッファ層を用いた電気光学変調器Info
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- JPH1068914A JPH1068914A JP9191002A JP19100297A JPH1068914A JP H1068914 A JPH1068914 A JP H1068914A JP 9191002 A JP9191002 A JP 9191002A JP 19100297 A JP19100297 A JP 19100297A JP H1068914 A JPH1068914 A JP H1068914A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＢＣＢをバッファ層として使用すると共に、
より安価であり、より簡略化され、そしてより高品質な
光学デバイスをもたらすような、光学デバイスの製造方
法を提供する。 【解決手段】 その上方面内に形成された光導波路５
８，６０を有する基板６８上に電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記基板６８の上方面上にベンゾ
シクロブテン（ＢＣＢ）樹脂等の誘電体バッファ層７６
を形成するステップと、前記誘電体バッファ層７６の上
方面上に副次層７０を形成するステップと、前記副次層
７０の上方面上に電気的に絶縁されたＲＦ電極５４，５
６を形成して、前記光導波路５８，６０内に電界が誘導
され得るようにするステップとを含む。
より安価であり、より簡略化され、そしてより高品質な
光学デバイスをもたらすような、光学デバイスの製造方
法を提供する。 【解決手段】 その上方面内に形成された光導波路５
８，６０を有する基板６８上に電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記基板６８の上方面上にベンゾ
シクロブテン（ＢＣＢ）樹脂等の誘電体バッファ層７６
を形成するステップと、前記誘電体バッファ層７６の上
方面上に副次層７０を形成するステップと、前記副次層
７０の上方面上に電気的に絶縁されたＲＦ電極５４，５
６を形成して、前記光導波路５８，６０内に電界が誘導
され得るようにするステップとを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学デバイスに関
し、特にベンゾシクロブテンで製造される光学デバイス
に関する。
し、特にベンゾシクロブテンで製造される光学デバイス
に関する。
【０００２】
【従来の技術】公知のファイバー光通信システムは、レ
ーザダイオード、変調器、並びに光検出器ダイオードを
含む。変調器は、ソースで発生する光波を直接変調する
か、或いは発生後の光波を外部変調するかの何れかであ
る。ファイバー光通信システムに係る問題は、該システ
ムのダイナミックレンジが変調器に起因する歪によって
大きく決定されることである。光波信号の外部変調は、
変調チャープ・パラメータを実質的に固定された値に所
定の制御可能な方法で調整することによって、制御され
る。これによって、光ファイバー通信システム内におけ
る色分散により生ずる伝送パワー・ペナルティを最少と
している。
ーザダイオード、変調器、並びに光検出器ダイオードを
含む。変調器は、ソースで発生する光波を直接変調する
か、或いは発生後の光波を外部変調するかの何れかであ
る。ファイバー光通信システムに係る問題は、該システ
ムのダイナミックレンジが変調器に起因する歪によって
大きく決定されることである。光波信号の外部変調は、
変調チャープ・パラメータを実質的に固定された値に所
定の制御可能な方法で調整することによって、制御され
る。これによって、光ファイバー通信システム内におけ
る色分散により生ずる伝送パワー・ペナルティを最少と
している。
【０００３】外部変調は、例えば、二重型導波路のデバ
イスにおいて行なわれており、該デバイスにおいては、
実質的に同等な入力光ビームがそれぞれ各導波路に供給
され、各導波路が個々別々で、相互に排他的な制御を被
る。変調信号が別個の制御を介して各導波路に印加され
る。更に、制御信号が各導波路に印加されて、所望の非
ゼロの実質的に固定された値に変調チャープ・パラメー
タを調整している。
イスにおいて行なわれており、該デバイスにおいては、
実質的に同等な入力光ビームがそれぞれ各導波路に供給
され、各導波路が個々別々で、相互に排他的な制御を被
る。変調信号が別個の制御を介して各導波路に印加され
る。更に、制御信号が各導波路に印加されて、所望の非
ゼロの実質的に固定された値に変調チャープ・パラメー
タを調整している。
【０００４】電気光学変調器は、光信号を電磁気信号、
好ましくは高周波（ＲＦ）信号で変調する。ＲＦ信号は
所定距離に亙って光信号と相互作用する。光学変調器の
構造はＲＦ信号を光信号に比べて減速するので、ＲＦ信
号がその相互作用距離を進むのに時間的により長い期間
を要する。よって、光信号を変調するＲＦ信号電界はそ
の相互作用距離に沿って変動する。ＲＦ信号は相互作用
距離の全体に亙って光信号の同一部に作用しないので、
光信号が歪曲される。相互作用距離がより長ければ、歪
がより大きくなる。
好ましくは高周波（ＲＦ）信号で変調する。ＲＦ信号は
所定距離に亙って光信号と相互作用する。光学変調器の
構造はＲＦ信号を光信号に比べて減速するので、ＲＦ信
号がその相互作用距離を進むのに時間的により長い期間
を要する。よって、光信号を変調するＲＦ信号電界はそ
の相互作用距離に沿って変動する。ＲＦ信号は相互作用
距離の全体に亙って光信号の同一部に作用しないので、
光信号が歪曲される。相互作用距離がより長ければ、歪
がより大きくなる。
【０００５】一般的な高速の電気光学外部変調器は進行
波電極構造を使用している。そうした変調器はマイクロ
波伝送線を光導波路に隣接して有している。マイクロ波
信号及び光信号は規定された距離を共に伝搬し、それに
よって要望された光学的変調を取得する。進行波変調器
においてマイクロ波及び光信号の間の速度不整合（速度
不釣り合い）を防止するため、厚いバッファ層がウェー
ハー上に設けられて、マイクロ波信号の伝搬を速めてい
る。従来、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）バッファ層が、Ｅ−
ビーム、スパッタリング、或いは化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）等の公知の技術を介して生成された。このバッファ
層はウェーハー全体に亙って平面化されるか、或いは電
極構造によってパターン形成され得る。
波電極構造を使用している。そうした変調器はマイクロ
波伝送線を光導波路に隣接して有している。マイクロ波
信号及び光信号は規定された距離を共に伝搬し、それに
よって要望された光学的変調を取得する。進行波変調器
においてマイクロ波及び光信号の間の速度不整合（速度
不釣り合い）を防止するため、厚いバッファ層がウェー
ハー上に設けられて、マイクロ波信号の伝搬を速めてい
る。従来、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）バッファ層が、Ｅ−
ビーム、スパッタリング、或いは化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）等の公知の技術を介して生成された。このバッファ
層はウェーハー全体に亙って平面化されるか、或いは電
極構造によってパターン形成され得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な二酸化珪素バッファ層を作成することは、高価な資本
設備や製造パラメータの非常に精密な制御を要求する。
例えば、蒸発器（エバポレータ）、スパッタリング装
置、ガス供給装置、或いはＣＶＤ装置等の装置類は、数
万ドル或いは数十万ドルを費やす。更に殆どの場合、そ
の二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）は酸素が必要量以下となり、
適切な誘電特性を得るのにアニーリング処理が要求され
る。アニーリング中、二酸化珪素層と光導波路との間に
熱膨張でストレスが生ずる。導波路はウェーハーの至る
所で不均一な分布状態となるか、或いはこのストレス下
で消滅さえする。更に、二酸化珪素は相当な多孔質であ
り、２４時間煮沸後に数パーセントの水分を吸収する。
より安価であり、より簡略化され、そしてより高品質な
光学デバイスをもたらすような、光学デバイスの製造方
法を提供することが好都合となるであろう。
な二酸化珪素バッファ層を作成することは、高価な資本
設備や製造パラメータの非常に精密な制御を要求する。
例えば、蒸発器（エバポレータ）、スパッタリング装
置、ガス供給装置、或いはＣＶＤ装置等の装置類は、数
万ドル或いは数十万ドルを費やす。更に殆どの場合、そ
の二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）は酸素が必要量以下となり、
適切な誘電特性を得るのにアニーリング処理が要求され
る。アニーリング中、二酸化珪素層と光導波路との間に
熱膨張でストレスが生ずる。導波路はウェーハーの至る
所で不均一な分布状態となるか、或いはこのストレス下
で消滅さえする。更に、二酸化珪素は相当な多孔質であ
り、２４時間煮沸後に数パーセントの水分を吸収する。
より安価であり、より簡略化され、そしてより高品質な
光学デバイスをもたらすような、光学デバイスの製造方
法を提供することが好都合となるであろう。
【０００７】ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）は、マルチ
・チップ・モジュール（ＭＣＭ）技術で一般に用いられ
る新しい種類の有機誘電性材料である。それがＭＣＭ適
用分野で一般に使用される結果、ＢＣＢは公知で且つ充
分解明された材料である。ＢＣＢは、集積光学デバイス
に従来より用いられているＳｉＯ2 等の種々の材料を凌
ぐ幾つかの長所を発揮する。ＢＣＢはより低い誘電損及
びより低い誘電率を有し、機械的ストレスがより低くな
り、集積光変調器の製造に際し、加工が相当容易にな
る。ＢＣＢバッファ層の構築に際しての容易性は、従来
のバッファ材料を凌ぐ著しい長所を提供する。液体ＢＣ
Ｂ溶液は、ウェーハーに塗布され、窒素雰囲気下で硬化
され、そして、フォトレジスト或いは金属マスクを用い
てパターン形成される。ＣＶＤ装置等の高価な装置が何
等要求されない。
・チップ・モジュール（ＭＣＭ）技術で一般に用いられ
る新しい種類の有機誘電性材料である。それがＭＣＭ適
用分野で一般に使用される結果、ＢＣＢは公知で且つ充
分解明された材料である。ＢＣＢは、集積光学デバイス
に従来より用いられているＳｉＯ2 等の種々の材料を凌
ぐ幾つかの長所を発揮する。ＢＣＢはより低い誘電損及
びより低い誘電率を有し、機械的ストレスがより低くな
り、集積光変調器の製造に際し、加工が相当容易にな
る。ＢＣＢバッファ層の構築に際しての容易性は、従来
のバッファ材料を凌ぐ著しい長所を提供する。液体ＢＣ
Ｂ溶液は、ウェーハーに塗布され、窒素雰囲気下で硬化
され、そして、フォトレジスト或いは金属マスクを用い
てパターン形成される。ＣＶＤ装置等の高価な装置が何
等要求されない。
【０００８】残念ながら、ＢＣＢと薄い金属フィルムと
の間の界面接着力は貧弱であり、その結果、光学デバイ
スにおけるＢＣＢ層と金属フィルム層との間の結合は弱
いものとなる。更に、速度整合変調器は極端に薄いＢＣ
Ｂ層を要求し、それは実質的に８０００オングストロー
ム以下であり、ＢＣＢ 3022 製品タイプで可能な最少厚
さである。ＢＣＢをバッファ層として用いる光学デバイ
スを製造する方法を提供することが望まれるところであ
る。
の間の界面接着力は貧弱であり、その結果、光学デバイ
スにおけるＢＣＢ層と金属フィルム層との間の結合は弱
いものとなる。更に、速度整合変調器は極端に薄いＢＣ
Ｂ層を要求し、それは実質的に８０００オングストロー
ム以下であり、ＢＣＢ 3022 製品タイプで可能な最少厚
さである。ＢＣＢをバッファ層として用いる光学デバイ
スを製造する方法を提供することが望まれるところであ
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、より安価であ
り、より簡略化され、そしてより高品質な光学デバイス
をもたらすような、光学デバイスの製造方法を提供する
ことにある。
り、より簡略化され、そしてより高品質な光学デバイス
をもたらすような、光学デバイスの製造方法を提供する
ことにある。
【００１０】本発明の他の目的は、ＢＣＢをバッファ層
として用いる光学デバイスを製造する方法を提供するこ
とにある。
として用いる光学デバイスを製造する方法を提供するこ
とにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００１３】本発明によれば、その上方面内に形成され
た光導波路を有する基板上に電気光学構造を製造する際
に用いられる方法は、基板の上方面上に有機誘電性材の
層を形成するステップと、前記有機誘電体層の上方面上
に界面層を形成するステップと、前記界面層の上方面上
に電気的に絶縁された電極を形成して、前記光導波路内
に電界が誘導され得るようにするステップとを含む。
た光導波路を有する基板上に電気光学構造を製造する際
に用いられる方法は、基板の上方面上に有機誘電性材の
層を形成するステップと、前記有機誘電体層の上方面上
に界面層を形成するステップと、前記界面層の上方面上
に電気的に絶縁された電極を形成して、前記光導波路内
に電界が誘導され得るようにするステップとを含む。
【００１４】本発明の他の特徴によれば、基板の上方面
内に光導波路を形成するステップと、前記基板上方面上
に有機誘電性材の層を形成するステップと、前記有機誘
電体層の上方面上に界面層を形成するステップと、前記
界面層の上方面上に電気的に絶縁された電極を形成し
て、前記光導波路内に電界が誘導され得るようにするス
テップとを含む方法に従って、電気光学デバイスが前記
基板上に製造される。
内に光導波路を形成するステップと、前記基板上方面上
に有機誘電性材の層を形成するステップと、前記有機誘
電体層の上方面上に界面層を形成するステップと、前記
界面層の上方面上に電気的に絶縁された電極を形成し
て、前記光導波路内に電界が誘導され得るようにするス
テップとを含む方法に従って、電気光学デバイスが前記
基板上に製造される。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に従って設けられた
変調器２４を利用する簡略化された光通信システム１０
を示す。この光通信システム１０は、送信器（トランス
ミッター）１１と、受信器（レシーバー）３２と、送信
器１１を受信器３２に接続する伝送媒体３０とを備え
る。送信器１１は、レーザ・コントローラ１２から受信
されたレーザ制御信号に従って動作するレーザ１４と、
レンズ化光ファイバー１８と、アイソレータ２０と、外
部変調器２４と、コントローラ３８と、データソース４
２とを含む。伝送媒体３０は、典型的には光ファイバー
である。連続波（ＣＷ）モード或いはパルス・モードで
動作し得るレーザ１４は、規定された波長を有する光信
号１６を作り出す。長波長通信システムにおけるレーザ
１４は、典型的にはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（インジウ
ム・ガリウム・ヒ素・リン／インジウム・リン）半導体
の単一モード・レーザであり、１．５マイクロメートル
波長の光信号を発生する。光信号１６は、ファイバー・
ピグテール（fiber pigtail)としても知られるレンズ化
された光ファイバー１８によって受信される。レンズ化
光ファイバー１８は、変調器２４からレーザ１４への反
射を低減するアイソレータ２０に接続されている。他の
実施形態におけるアイソレータ２０は、偏光子（不図
示）と組合わされて、レーザ１４への反射を更に減じて
いる。更なる他の実施形態では、レンズ化光ファイバー
１８は、アイソレータ２０を介さず変調器２４と直に接
続されている。
変調器２４を利用する簡略化された光通信システム１０
を示す。この光通信システム１０は、送信器（トランス
ミッター）１１と、受信器（レシーバー）３２と、送信
器１１を受信器３２に接続する伝送媒体３０とを備え
る。送信器１１は、レーザ・コントローラ１２から受信
されたレーザ制御信号に従って動作するレーザ１４と、
レンズ化光ファイバー１８と、アイソレータ２０と、外
部変調器２４と、コントローラ３８と、データソース４
２とを含む。伝送媒体３０は、典型的には光ファイバー
である。連続波（ＣＷ）モード或いはパルス・モードで
動作し得るレーザ１４は、規定された波長を有する光信
号１６を作り出す。長波長通信システムにおけるレーザ
１４は、典型的にはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（インジウ
ム・ガリウム・ヒ素・リン／インジウム・リン）半導体
の単一モード・レーザであり、１．５マイクロメートル
波長の光信号を発生する。光信号１６は、ファイバー・
ピグテール（fiber pigtail)としても知られるレンズ化
された光ファイバー１８によって受信される。レンズ化
光ファイバー１８は、変調器２４からレーザ１４への反
射を低減するアイソレータ２０に接続されている。他の
実施形態におけるアイソレータ２０は、偏光子（不図
示）と組合わされて、レーザ１４への反射を更に減じて
いる。更なる他の実施形態では、レンズ化光ファイバー
１８は、アイソレータ２０を介さず変調器２４と直に接
続されている。
【００１６】外部変調器２４は、レーザ１４から入力フ
ァイバー２２を介して光信号１６を受信する。変調器２
４は２つの光導波路２８及び２６を含み、それらの各々
をコントローラ３８が個別に制御している。光信号１６
は、変調器２４の入力２３を介して光導波路２８及び２
６の各々によって受信され変調される。光導波路２８及
び２６の各々からの変調された光信号は組み合わされ
て、変調器２４の出力２９で組合わせ変調光信号とな
る。変調器２４は、受信した光信号１６の振幅変調或い
は輝度変調の何れかを実行し得る。組合わせ変調光信号
はファイバー３０を通り受信器３２へ送信される。
ァイバー２２を介して光信号１６を受信する。変調器２
４は２つの光導波路２８及び２６を含み、それらの各々
をコントローラ３８が個別に制御している。光信号１６
は、変調器２４の入力２３を介して光導波路２８及び２
６の各々によって受信され変調される。光導波路２８及
び２６の各々からの変調された光信号は組み合わされ
て、変調器２４の出力２９で組合わせ変調光信号とな
る。変調器２４は、受信した光信号１６の振幅変調或い
は輝度変調の何れかを実行し得る。組合わせ変調光信号
はファイバー３０を通り受信器３２へ送信される。
【００１７】コントローラ３８はデータソース４２から
電線４０を介してディジタルデータ信号を受信し、それ
に依存して、変調器２４にリード線３４及び３６を介し
て出力される変調制御信号を発生する。変調制御信号
は、光信号１６の規定された変調を表示すると共に、所
望の変調チャープ・パラメータをも表示する。例えば、
変調制御信号が変調器２４によって受信され、応答とし
て、光導波路２８及び２６の各々の相対的な伝搬速度は
変化し、それで所望の変調チャープ・パラメータ値を生
ずる。
電線４０を介してディジタルデータ信号を受信し、それ
に依存して、変調器２４にリード線３４及び３６を介し
て出力される変調制御信号を発生する。変調制御信号
は、光信号１６の規定された変調を表示すると共に、所
望の変調チャープ・パラメータをも表示する。例えば、
変調制御信号が変調器２４によって受信され、応答とし
て、光導波路２８及び２６の各々の相対的な伝搬速度は
変化し、それで所望の変調チャープ・パラメータ値を生
ずる。
【００１８】１つの公知の変調器設計例としてマッハ−
ツェンダー形態がある。マッハ−ツェンダー変調器の動
作は、参照としてここに挙げるが、米国特許第 5,455,8
76号に詳細に記載されている。マッハ−ツェンダー変調
器は干渉計技術を用いて、光波を振幅変調するものであ
る。マッハ−ツェンダー変調器は、入射光信号を光導波
路に沿った２つの経路に分割し、電磁気信号好ましくは
高周波（ＲＦ）信号を利用して、一方の光導波路中或い
は双方の光導波路中における分割された光信号を変調す
るものである。次いでこれら２つの分割光信号は組合わ
されて単一の光信号となる。ここに記載された技術はＲ
Ｆ信号を用いてどの光変調器にも適用され得るが、一例
として、マッハ−ツェンダー変調器設計例を参照する。
ツェンダー形態がある。マッハ−ツェンダー変調器の動
作は、参照としてここに挙げるが、米国特許第 5,455,8
76号に詳細に記載されている。マッハ−ツェンダー変調
器は干渉計技術を用いて、光波を振幅変調するものであ
る。マッハ−ツェンダー変調器は、入射光信号を光導波
路に沿った２つの経路に分割し、電磁気信号好ましくは
高周波（ＲＦ）信号を利用して、一方の光導波路中或い
は双方の光導波路中における分割された光信号を変調す
るものである。次いでこれら２つの分割光信号は組合わ
されて単一の光信号となる。ここに記載された技術はＲ
Ｆ信号を用いてどの光変調器にも適用され得るが、一例
として、マッハ−ツェンダー変調器設計例を参照する。
【００１９】図２に示されるように、光ファイバー・ケ
ーブル４６はマッハ−ツェンダー変調器４４の光入力４
８と光学的に連通している。この光ファイバー・ケーブ
ル４６は光源或いはレーザ（不図示）から入力４８へ光
信号を提供する。光信号はＹ−接続部５０によって２つ
の同等な信号に分割される。ＲＦ電極５４及び５６は信
号発生器５２によって供給されるＲＦ信号を導通させ
る。分割光信号は光導波路５８及び６０をそれぞれ進行
する間、ＲＦ信号の電界がこれら分割光信号を変調す
る。ＲＦ信号が分割光信号と相互作用する距離或いは分
割光信号を変調する距離は、相互作用距離として知ら
れ、主にその変調器設計やＲＦ信号のパワーによって決
定される。第２のＹ−接続部６２はこれら２つの分割光
信号を組合わせて、単一の振幅変調された光信号にす
る。変調器４４の光出力６６と接続された光ファイバー
・ケーブル６４は、その組合わされた光信号を、光通信
システムの引き続く段階（不図示）へ提供する。
ーブル４６はマッハ−ツェンダー変調器４４の光入力４
８と光学的に連通している。この光ファイバー・ケーブ
ル４６は光源或いはレーザ（不図示）から入力４８へ光
信号を提供する。光信号はＹ−接続部５０によって２つ
の同等な信号に分割される。ＲＦ電極５４及び５６は信
号発生器５２によって供給されるＲＦ信号を導通させ
る。分割光信号は光導波路５８及び６０をそれぞれ進行
する間、ＲＦ信号の電界がこれら分割光信号を変調す
る。ＲＦ信号が分割光信号と相互作用する距離或いは分
割光信号を変調する距離は、相互作用距離として知ら
れ、主にその変調器設計やＲＦ信号のパワーによって決
定される。第２のＹ−接続部６２はこれら２つの分割光
信号を組合わせて、単一の振幅変調された光信号にす
る。変調器４４の光出力６６と接続された光ファイバー
・ケーブル６４は、その組合わされた光信号を、光通信
システムの引き続く段階（不図示）へ提供する。
【００２０】図２及び図３に示されるように、変調器４
４は、好ましくはＸ切断のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）から形成され、且つ、約１０００ミクロン（μ
ｍ）の高さを有する基板６８を含む。基板６８の長さ及
び幅はその変調器設計に依存しており、光導波路５８及
び６０とＲＦ電極５４及び５６とを支持するに充分でな
ければならない。基板６８として、他の電気光学材料を
用いてもよい。好適な実施形態において、光導波路５８
及び６０は完全に基板６８内に配置している。光導波路
５８及び６０は、典型的にはチタンを基板６８内に拡散
することによって作成される。実際上、長片或いはチャ
ネル（不図示）が基板６８内に形成され、チタンがその
チャネル内に挿入され、そして基板６８の温度を上昇す
ることによって、チタンが基板６８内に拡散し、それに
よって光導波路５８及び６０を形成する。光導波路５８
及び６０は約７ミクロンの幅と約３ミクロンの深さとす
る。
４は、好ましくはＸ切断のニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）から形成され、且つ、約１０００ミクロン（μ
ｍ）の高さを有する基板６８を含む。基板６８の長さ及
び幅はその変調器設計に依存しており、光導波路５８及
び６０とＲＦ電極５４及び５６とを支持するに充分でな
ければならない。基板６８として、他の電気光学材料を
用いてもよい。好適な実施形態において、光導波路５８
及び６０は完全に基板６８内に配置している。光導波路
５８及び６０は、典型的にはチタンを基板６８内に拡散
することによって作成される。実際上、長片或いはチャ
ネル（不図示）が基板６８内に形成され、チタンがその
チャネル内に挿入され、そして基板６８の温度を上昇す
ることによって、チタンが基板６８内に拡散し、それに
よって光導波路５８及び６０を形成する。光導波路５８
及び６０は約７ミクロンの幅と約３ミクロンの深さとす
る。
【００２１】ＲＦ電極５４及び５６は好ましくは金から
形成されるが、銀或いは銅等の任意の導電性金属或いは
金属合金で構成することができる。これらＲＦ電極５４
及び５６は、金属を基板材に接着する多数の公知の方法
のうち任意のものを用いて形成される。好ましい方法と
して、電気メッキ技術或いはスパッタリング技術を用い
て金をデポジットする方法がある。好ましくは５０乃至
８０オングストロームのチタンの副次層７０がデポジッ
トされて、基板６８に対する金の接着性を改善してい
る。
形成されるが、銀或いは銅等の任意の導電性金属或いは
金属合金で構成することができる。これらＲＦ電極５４
及び５６は、金属を基板材に接着する多数の公知の方法
のうち任意のものを用いて形成される。好ましい方法と
して、電気メッキ技術或いはスパッタリング技術を用い
て金をデポジットする方法がある。好ましくは５０乃至
８０オングストロームのチタンの副次層７０がデポジッ
トされて、基板６８に対する金の接着性を改善してい
る。
【００２２】ＲＦ電極５４及び５６は、信号発生器５２
からＲＦパワーを搬送するＲＦ伝送線に接続されてい
る。一般的なタイプの伝送線は同軸ケーブルである。中
央ＲＦ電極５６は、信号発生器５２から繋がる同軸ケー
ブルの中央導体に接続されている。この同軸ケーブルの
シールド導体又は外側導体は、ＲＦ電極５４に電気的に
接続されている。典型的なマッハ−ツェンダー変調器に
おいて、ＲＦ電極５４及び５６の厚さ及び幅はその変調
器の設計によって決定される。
からＲＦパワーを搬送するＲＦ伝送線に接続されてい
る。一般的なタイプの伝送線は同軸ケーブルである。中
央ＲＦ電極５６は、信号発生器５２から繋がる同軸ケー
ブルの中央導体に接続されている。この同軸ケーブルの
シールド導体又は外側導体は、ＲＦ電極５４に電気的に
接続されている。典型的なマッハ−ツェンダー変調器に
おいて、ＲＦ電極５４及び５６の厚さ及び幅はその変調
器の設計によって決定される。
【００２３】誘電体バッファ層７６が、ＲＦ電極５４及
び５６と基板６８との間に配置されている。誘電体バッ
ファ層７６は誘電率ｅを有する。基板６８は、この誘電
体バッファ層７６の誘電率ｅよりも小さい誘電率を有す
る。ＲＦ電極５４及び５６は、この誘電体バッファ層７
６上に電気メッキされている。誘電体バッファ層７６は
ＲＦ信号用の媒体を構成しており、該媒体は光信号が進
行する媒体と同一の実効誘電率を有している。こうし
て、ＲＦ信号の速度は、その実効誘電率が低減されたた
めに増大されると共に、該ＲＦ信号の速度は光信号の速
度と整合する（釣り合う）。
び５６と基板６８との間に配置されている。誘電体バッ
ファ層７６は誘電率ｅを有する。基板６８は、この誘電
体バッファ層７６の誘電率ｅよりも小さい誘電率を有す
る。ＲＦ電極５４及び５６は、この誘電体バッファ層７
６上に電気メッキされている。誘電体バッファ層７６は
ＲＦ信号用の媒体を構成しており、該媒体は光信号が進
行する媒体と同一の実効誘電率を有している。こうし
て、ＲＦ信号の速度は、その実効誘電率が低減されたた
めに増大されると共に、該ＲＦ信号の速度は光信号の速
度と整合する（釣り合う）。
【００２４】本発明によって提供される変調器における
誘電体バッファ層７６は、ベンゾシクロブテン（ＢＣ
Ｂ）3022の層である。このＢＣＢ3022は、ダウ・ケミカ
ル社（Dow Chemical Company）によって製造されたポリ
マーであり、マルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）技
術分野において広範に使用されている。ＢＣＢは、二酸
化珪素（ＳｉＯ2 ）等の従来用いられている誘電体層材
よりも、良好な熱的及び電気的な特性を有する。ＢＣＢ
のマイクロ波誘電率はたった2.７であるのに対して、Ｓ
ｉＯ2 のそれは3.９である。更に、ＢＣＢは２４時間煮
沸後に0.２５％以下の吸湿という疎水性である一方、多
孔質のＳｉＯ2 は２４時間煮沸後に数％の吸湿を示す。
変調器製造にＢＣＢを使用することは、スピンナ及びオ
ーブンの僅かな資本投資のみを要求するだけである。
誘電体バッファ層７６は、ベンゾシクロブテン（ＢＣ
Ｂ）3022の層である。このＢＣＢ3022は、ダウ・ケミカ
ル社（Dow Chemical Company）によって製造されたポリ
マーであり、マルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）技
術分野において広範に使用されている。ＢＣＢは、二酸
化珪素（ＳｉＯ2 ）等の従来用いられている誘電体層材
よりも、良好な熱的及び電気的な特性を有する。ＢＣＢ
のマイクロ波誘電率はたった2.７であるのに対して、Ｓ
ｉＯ2 のそれは3.９である。更に、ＢＣＢは２４時間煮
沸後に0.２５％以下の吸湿という疎水性である一方、多
孔質のＳｉＯ2 は２４時間煮沸後に数％の吸湿を示す。
変調器製造にＢＣＢを使用することは、スピンナ及びオ
ーブンの僅かな資本投資のみを要求するだけである。
【００２５】残念ながら、ＢＣＢは、在来材料が電気−
光学変調器に使用されていると同じようには使用できな
い。ＢＣＢフィルムは、従来技術によって達成可能な最
少厚さの層よりも、薄くしなければならない。従って、
充分に薄いＢＣＢフィルムを予測可能且つ再現可能な態
様で製造する方法を以下に説明する。
光学変調器に使用されていると同じようには使用できな
い。ＢＣＢフィルムは、従来技術によって達成可能な最
少厚さの層よりも、薄くしなければならない。従って、
充分に薄いＢＣＢフィルムを予測可能且つ再現可能な態
様で製造する方法を以下に説明する。
【００２６】図４は、ＢＣＢをバッファ層として使用す
る光学デバイスを製造する方法７２を示す。ステップ７
４（図４）と図５にも示されているように、光導波路１
０８は、プロトン交換或いはチタン非拡散等の公知技術
を介して、ウェーハー１０７の基板１０６内に作成され
る。ＢＣＢ層１１０は、以下説明されると共に図４中に
符号７５で参照されるように、ウェーハー１０７に塗布
される。上述したように、ＢＣＢ層１１０は極めて薄く
しなければならない。ＢＣＢの層をウェーハー１０７に
塗布するには、ウェーハー１０７及びＢＣＢをスピンナ
（不図示）内に置いて高速で回転させる。回転速度が速
いほど、ＢＣＢ層はウェーハーにより薄く塗布される。
ダウ・ケミカル社はＢＣＢ塗布用に毎分５０００回転
（ｒｐｍ）の最大速度を推奨しているが、この速度では
充分に薄いＢＣＢ層を作成されず、その理由は、ＢＣＢ
の粘性が７０００オングストローム以下の厚さを達成す
るにはあまりも高過ぎるからである。
る光学デバイスを製造する方法７２を示す。ステップ７
４（図４）と図５にも示されているように、光導波路１
０８は、プロトン交換或いはチタン非拡散等の公知技術
を介して、ウェーハー１０７の基板１０６内に作成され
る。ＢＣＢ層１１０は、以下説明されると共に図４中に
符号７５で参照されるように、ウェーハー１０７に塗布
される。上述したように、ＢＣＢ層１１０は極めて薄く
しなければならない。ＢＣＢの層をウェーハー１０７に
塗布するには、ウェーハー１０７及びＢＣＢをスピンナ
（不図示）内に置いて高速で回転させる。回転速度が速
いほど、ＢＣＢ層はウェーハーにより薄く塗布される。
ダウ・ケミカル社はＢＣＢ塗布用に毎分５０００回転
（ｒｐｍ）の最大速度を推奨しているが、この速度では
充分に薄いＢＣＢ層を作成されず、その理由は、ＢＣＢ
の粘性が７０００オングストローム以下の厚さを達成す
るにはあまりも高過ぎるからである。
【００２７】この欠点を克服すべく、ステップ７８によ
って示されるように、ＢＣＢは回転する前にメシチレン
（mesitylene）溶媒で希釈される。ＢＣＢ粒子は該溶媒
中に懸濁させられて、回転後に相当により薄いＢＣＢ層
形成が達成可能である。この溶液は、好ましくは、３０
％メシチレンと７０％のＢＣＢとからなる。ウェーハー
及びＢＣＢ−メシチレン溶液は、ステップ８０に示され
るように、３０秒間、５０００ｒｐｍで回転させられ、
その結果ウェーハー１０７上に５０００オングストロー
ムのＢＣＢ層が形成される。
って示されるように、ＢＣＢは回転する前にメシチレン
（mesitylene）溶媒で希釈される。ＢＣＢ粒子は該溶媒
中に懸濁させられて、回転後に相当により薄いＢＣＢ層
形成が達成可能である。この溶液は、好ましくは、３０
％メシチレンと７０％のＢＣＢとからなる。ウェーハー
及びＢＣＢ−メシチレン溶液は、ステップ８０に示され
るように、３０秒間、５０００ｒｐｍで回転させられ、
その結果ウェーハー１０７上に５０００オングストロー
ムのＢＣＢ層が形成される。
【００２８】ＢＣＢ層１１０がウェーハー１０７に塗布
された後、このウェーハー１０７は以下説明されるよう
に窒素雰囲気中で硬化させられる。ニオブ酸リチウムで
構成されたウェーハーの温度を変化する際、特別な注意
が必要であり、それはニオブ酸リチウムは焦電性材であ
り、熱的衝撃がウェーハーを損傷し得るからである。こ
うして、ステップ７５におけるＢＣＢ層の前述した塗布
に続いて、ウェーハー１０７は、ステップ８２に示され
るように３０分間、摂氏１５０゜中に浸漬させる。次い
でステップ８４に示されるように、温度は漸次増大さ
れ、好ましくは毎分２℃以下の割合で２００℃の温度に
到達するまで増大させられる。２００℃の温度に到達す
るに及んで、ステップ８６によって示されるようにその
温度を２００℃で更に３０分間浸漬のために保持され
る。次いで、ステップ８８に示されるように温度が２５
０℃に到達するまで毎分２℃以下の割合で増大される。
次いでウェーハーは、ステップ９０に示されるように摂
氏２５０゜で窒素雰囲気中で２時間硬化させられる。
された後、このウェーハー１０７は以下説明されるよう
に窒素雰囲気中で硬化させられる。ニオブ酸リチウムで
構成されたウェーハーの温度を変化する際、特別な注意
が必要であり、それはニオブ酸リチウムは焦電性材であ
り、熱的衝撃がウェーハーを損傷し得るからである。こ
うして、ステップ７５におけるＢＣＢ層の前述した塗布
に続いて、ウェーハー１０７は、ステップ８２に示され
るように３０分間、摂氏１５０゜中に浸漬させる。次い
でステップ８４に示されるように、温度は漸次増大さ
れ、好ましくは毎分２℃以下の割合で２００℃の温度に
到達するまで増大させられる。２００℃の温度に到達す
るに及んで、ステップ８６によって示されるようにその
温度を２００℃で更に３０分間浸漬のために保持され
る。次いで、ステップ８８に示されるように温度が２５
０℃に到達するまで毎分２℃以下の割合で増大される。
次いでウェーハーは、ステップ９０に示されるように摂
氏２５０゜で窒素雰囲気中で２時間硬化させられる。
【００２９】ステップ９２に示されるように、ウェーハ
ー１０７上の硬化させられたＢＣＢ層１１０は、電極か
ら光導波路１０８を分離すべく且つより高速のマイクロ
波信号速度を提供すべく、フォトマスクによってパター
ン形成させられる。パターン形成後、ステップ９４に示
されるように、ＢＣＢは１００ミリトルのチャンバー中
において、９：１の比のＯ2 とＳＦ6 との混合物を含有
するプラズマ並列エッチング剤内でエッチングされる。
エッチング速度は好ましくは毎分0.２５マイクロメート
ルである。図６はエッチング後のウェーハー１０７を示
す。
ー１０７上の硬化させられたＢＣＢ層１１０は、電極か
ら光導波路１０８を分離すべく且つより高速のマイクロ
波信号速度を提供すべく、フォトマスクによってパター
ン形成させられる。パターン形成後、ステップ９４に示
されるように、ＢＣＢは１００ミリトルのチャンバー中
において、９：１の比のＯ2 とＳＦ6 との混合物を含有
するプラズマ並列エッチング剤内でエッチングされる。
エッチング速度は好ましくは毎分0.２５マイクロメート
ルである。図６はエッチング後のウェーハー１０７を示
す。
【００３０】エッチング後、ウェーハー１０７はステッ
プ９６で示されるように電気メッキ用のメッキ・ベース
１１２が塗布される。メッキ・ベース１１２は、好まし
くは、スパッタリング・システムからの２００オングス
トロームのチタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）層と１０
０オングストロームの金（Ａｕ）層の、薄い金属フィル
ムを含む。ＢＣＢ層１１０と薄い金属フィルムとの間の
界面接着の問題を解決するため、ＢＣＢ層１１０はアル
ゴン・プラズマで裏打ちされて、該ＢＣＢ層の表面を粗
面化する。図７はメッキ・ベース１１２が塗布された後
のウェーハー１０７を示す。
プ９６で示されるように電気メッキ用のメッキ・ベース
１１２が塗布される。メッキ・ベース１１２は、好まし
くは、スパッタリング・システムからの２００オングス
トロームのチタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）層と１０
０オングストロームの金（Ａｕ）層の、薄い金属フィル
ムを含む。ＢＣＢ層１１０と薄い金属フィルムとの間の
界面接着の問題を解決するため、ＢＣＢ層１１０はアル
ゴン・プラズマで裏打ちされて、該ＢＣＢ層の表面を粗
面化する。図７はメッキ・ベース１１２が塗布された後
のウェーハー１０７を示す。
【００３１】ステップ９８に示され、図８で参照される
ように、典型的には１０乃至２０マイクロメートル厚の
厚いフォトレジスト層がメッキ・ベースに塗布されて、
ステップ１００でのウェーハー上に対する厚い金の電気
メッキに備えている。フォトレジスト層は、ウェーハー
１０７に電気メッキされるべき金層１１４の形状を画成
する。従って、光プロセスはできる限り垂直に近付くよ
うなエッチングされた凹部壁１１６を形成するよう精密
でなければならない。こうした厚い金層１１４はマイク
ロ波信号を搬送し、上述したように、光導波路１０８内
の光信号を変調する。電気メッキ後、ステップ１０２に
示されるようにフォトレジストは除去され、次いでステ
ップ１０４に示されるようにメッキ・ベースが除去され
る。図９はメッキ・ベース除去後のウェーハー１０７を
示す。
ように、典型的には１０乃至２０マイクロメートル厚の
厚いフォトレジスト層がメッキ・ベースに塗布されて、
ステップ１００でのウェーハー上に対する厚い金の電気
メッキに備えている。フォトレジスト層は、ウェーハー
１０７に電気メッキされるべき金層１１４の形状を画成
する。従って、光プロセスはできる限り垂直に近付くよ
うなエッチングされた凹部壁１１６を形成するよう精密
でなければならない。こうした厚い金層１１４はマイク
ロ波信号を搬送し、上述したように、光導波路１０８内
の光信号を変調する。電気メッキ後、ステップ１０２に
示されるようにフォトレジストは除去され、次いでステ
ップ１０４に示されるようにメッキ・ベースが除去され
る。図９はメッキ・ベース除去後のウェーハー１０７を
示す。
【００３２】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の好適な実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更、省略、追加可能であること
はいうまでもない。
の好適な実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更、省略、追加可能であること
はいうまでもない。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００３４】すなわち、より安価であり、より簡略化さ
れ、そしてより高品質な光学デバイスを製造することが
できる。
れ、そしてより高品質な光学デバイスを製造することが
できる。
【図１】光通信システムの簡略化された概略構成図であ
る。
る。
【図２】図１の光通信システムにおける変調器の上部平
面図である。
面図である。
【図３】図２に示される変調器のII−II線に沿って切取
られた場合の断面図である。
られた場合の断面図である。
【図４】本発明に従って、ＢＣＢをバッファ層として用
いる光学デバイスの製造方法を示すフローチャートであ
る。
いる光学デバイスの製造方法を示すフローチャートであ
る。
【図５】図４に示される製造方法の初期製造ステップ後
における基板の簡略化された断面図である。
における基板の簡略化された断面図である。
【図６】図４に示される製造方法のエッチング製造ステ
ップ後における基板の簡略化された断面図である。
ップ後における基板の簡略化された断面図である。
【図７】図４に示される製造方法に従ってのメッキ・ベ
ースの付与後における基板の簡略化された断面図であ
る。
ースの付与後における基板の簡略化された断面図であ
る。
【図８】図４に示される製造方法に従っての金層の付与
後における基板の簡略化された断面図である。
後における基板の簡略化された断面図である。
【図９】図４に示される製造方法に従ってのメッキ・ベ
ースの除去後における基板の簡略化された断面図であ
る。
ースの除去後における基板の簡略化された断面図であ
る。
１０ 光通信システム １１ 送信器 １４ レーザ １６ 光信号 １８ レンズ化光ファイバー ２０ アイソレータ ２４ 変調器 ２６，２８ 光導波路 ３２ 受信器 ４４ 変調器 ５４，５６ ＲＦ電極 ５８，６０ 光導波路 ６８ 基板 ７０ 副次層 ７６ 誘電体バッファ層 １０６ 基板 １０７ ウェーハー １０８ 光導波路 １１０ ＢＣＢ層 １１２ メッキ・ベース １１４ 金層
Claims (17)
- 【請求項１】 基板（６８）の上方面内に形成された光
導波路（１０８）を有する該基板上に、電気光学構造を
製造するための方法であって、 前記基板の上方面上に有機誘電体層（１１０）を形成す
るステップと、 前記有機誘電体層の上方面上に界面層（７６）を形成す
るステップと、 前記界面層の上方面上に電気的に絶縁された電極（５
４，５６）を形成して、前記光導波路内に電界を誘導さ
せ得るようにするステップとを含むことを特徴とする、
電気光学構造を製造するための方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記有機誘電体が、ベンゾシクロ
ブテン（ＢＣＢ）樹脂であることを特徴とする、電気光
学構造を製造するための方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記電極（５４，５６）の形成に
先行して、メッキ・ベース（１１２）を設けるステップ
を含み、前記界面層（７６）が前記有機誘電体層（１１
０）の上方面において粗面化された部分を含むことを特
徴とする、電気光学構造を製造するための方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、 前記ＢＣＢ樹脂の塗布中に前記基板（６８）を回転する
ステップと、 前記ＢＣＢ樹脂及び基板（６８）を約２５０℃の窒素雰
囲気中で硬化するステップと、 前記ＢＣＢ層（１１０）をパターン形成するステップ
と、 前記パターン形成されたＢＣＢ層の露出面をエッチング
するステップと、 前記パターン形成されたＢＣＢ層の面を粗面化するステ
ップと、 前記エッチングされたＢＣＢ層をメッキ・ベース（１１
２）で塗布するステップと、 前記ＢＣＢ材に塗布されたメッキ・ベース上に導電性材
（１１４）を電気メッキするステップとを含むことを特
徴とする、電気光学構造を製造するための方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記粗面化ステップが、前記パタ
ーン形成されたＢＣＢ層（１１０）のアルゴン・プラズ
マ中において裏打ちスパッタリングするステップである
ことを特徴とする、電気光学構造を製造するための方
法。 - 【請求項６】 請求項４記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、前記基板（６８）がニオブ酸リチ
ウムを含み、前記硬化ステップが、 前記基板温度を毎分２℃以下の速度で増大するステップ
と、 前記基板温度を１５０℃で３０分間維持するステップ
と、 前記基板温度を２００℃で３０分間維持するステップと
を含むことを特徴とする、電気光学構造を製造するため
の方法。 - 【請求項７】 基板（６８）上に電気光学デバイスを製
造する方法であって、 前記基板の上方面内に光導波路（１０８）を形成するス
テップと、 前記基板の上方面上に有機誘電体層（１１０）を形成す
るステップと、 前記有機誘電体層の上方面上に界面層（７６）を形成す
るステップと、 前記界面層の上方面上に電気的に絶縁された電極（５
４，５６）を形成して、前記光導波路内に電界を誘導さ
せ得るようにするステップとを含むことを特徴とする、
電気光学デバイスを製造する方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の電気光学構造を製造する
ための方法であって、 前記ＢＣＢ樹脂の塗布中に前記基板（６８）を回転する
ステップと、 前記ＢＣＢ樹脂及び基板（６８）を約２５０℃の窒素雰
囲気中で硬化するステップとを含むことを特徴とする、
電気光学構造を製造するための方法。 - 【請求項９】 基板（６８）上に製造される電気光学デ
バイスであって、 前記基板の上方面内に光導波路（１０８）を形成するス
テップと、 前記基板の上方面上に有機誘電体層（１１０）を形成す
るステップと、 前記有機誘電体層の上方面上に界面層（７６）を形成す
るステップと、 前記界面層の上方面上に電気的に絶縁された電極（５
４，５６）を形成して、前記光導波路内に電界を誘導し
得るようにするステップとを含む方法に従って製造され
ることを特徴とする電気光学デバイス。 - 【請求項１０】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記基板（６８）がニオブ酸リチウムであり、前
記有機誘電体層（１１０）がベンゾシクロブテン（ＢＣ
Ｂ）であり、前記界面層（７６）が前記有機誘電体層
（１１０）の上方面において粗面化された部分を含むこ
とを特徴とする電気光学デバイス。 - 【請求項１１】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記方法が、前記電極（５４，５６）の形成に先
行して、チタン／タングステンのメッキ・ベース（１１
２）を設けるステップを含むことを特徴とする電気光学
デバイス。 - 【請求項１２】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記方法が、 前記ＢＣＢ樹脂の塗布中に前記基板（６８）を回転する
ステップと、 前記ＢＣＢ樹脂及び基板（６８）を約２５０℃の窒素雰
囲気中で硬化するステップとを含むことを特徴とする電
気光学デバイス。 - 【請求項１３】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記電極形成ステップが、 前記ＢＣＢ層（１１０）をパターン形成するステップ
と、 前記パターン形成されたＢＣＢ層の露出面をエッチング
するステップと、 前記パターン形成されたＢＣＢ層の表面を粗面化するス
テップと、 前記エッチングされたＢＣＢ層をメッキ・ベース（１１
２）で塗布するステップと、 前記ＢＣＢ材に塗布されたメッキ・ベース上に導電性材
（１１４）を電気メッキするステップとを含むことを特
徴とする電気光学デバイス。 - 【請求項１４】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記粗面化ステップが、前記パターン形成された
ＢＣＢ層のアルゴン・プラズマ中において裏打ちスパッ
タリングするステップであることを特徴とする電気光学
デバイス。 - 【請求項１５】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記基板（６８）がニオブ酸リチウムを含み、前
記硬化ステップが、 前記基板温度を毎分２℃以下の速度で増大するステップ
と、 前記基板温度を１５０℃で３０分間維持するステップ
と、 前記基板温度を２００℃で３０分間維持するステップと
を含むことを特徴とする電気光学デバイス。 - 【請求項１６】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記ＢＣＢがメシチレン溶媒で希釈されることを
特徴とする電気光学デバイス。 - 【請求項１７】 請求項９記載の電気光学デバイスであ
って、前記ＢＣＢ層（１１０）が、１００ミリトルで、
９：１の比のＯ2 とＳＦ6 とを有するプラズマ並列プレ
ート・エッチング剤内でエッチングされることを特徴と
する電気光学デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/683,870 US5895742A (en) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | Velocity-matched traveling-wave electro-optical modulator using a benzocyclobutene buffer layer |
| US08/683,870 | 1996-07-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1068914A true JPH1068914A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=24745789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9191002A Pending JPH1068914A (ja) | 1996-07-19 | 1997-07-16 | 速度整合進行波型の、ベンゾシクロブテンのバッファ層を用いた電気光学変調器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5895742A (ja) |
| EP (1) | EP0819969A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1068914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411747B2 (en) | 1998-04-06 | 2002-06-25 | Nec Corporation | Waveguide type optical device |
| JP2021086026A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198855B1 (en) * | 1996-07-19 | 2001-03-06 | Jds Uniphase Corporation | Velocity-matched, traveling-wave electro-optical devices using non-conductive and conductive polymer buffer layers |
| JP3827780B2 (ja) * | 1996-10-28 | 2006-09-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 光導波路素子の電極およびその形成方法 |
| US6387819B1 (en) * | 1998-04-29 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Method for etching low K dielectric layers |
| US6192167B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-02-20 | Uniphase Telecommunications Products | Differential drive optical modulator |
| US6069729A (en) * | 1999-01-20 | 2000-05-30 | Northwestern University | High speed electro-optic modulator |
| DE60021996T2 (de) | 1999-12-15 | 2006-06-08 | Ngk Insulators, Ltd., Nagoya | Optischer Wanderwellenmodulator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6490379B2 (en) * | 2001-05-07 | 2002-12-03 | Corning Incorporated | Electrical transmission frequency of SiOB |
| JP2003057616A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-26 | Corlux Corp | 光導波路素子、光変調器及び光通信システム |
| WO2003102677A1 (de) * | 2002-05-28 | 2003-12-11 | Schleifring Und Apparatebau Gmbh | Vorrichtung zur optischen signalübertragung zwischen zwei gegeneinander beweglichen einheiten |
| DE10240228B4 (de) * | 2002-05-28 | 2006-05-11 | Schleifring Und Apparatebau Gmbh | Vorrichtung zur optischen Signalübertragung zwischen zwei gegeneinander beweglichen Einheiten |
| JP4927358B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2012-05-09 | ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション | バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器 |
| US7405861B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-07-29 | Idc, Llc | Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge |
| US7529433B2 (en) * | 2007-01-12 | 2009-05-05 | Jds Uniphase Corporation | Humidity tolerant electro-optic device |
| US8218914B2 (en) * | 2008-11-04 | 2012-07-10 | Karl Kissa | Electro-optic device |
| JP5462837B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2014-04-02 | 株式会社アドバンテスト | 光デバイスまたは光変調装置 |
| US9964784B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-05-08 | Lumentum Operations Llc | Modulator with signal electrode enclosed by ground electrode |
| US10502987B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-12-10 | Lumentum Operations Llc | High bandwidth RF or microwave interconnects for optical modulators |
| JP7207086B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-01-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| CN110376768A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-10-25 | 中国科学院半导体研究所 | 铌酸锂调制器的封装结构及应用、光电子器件 |
| JP7334616B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4437961A (en) * | 1982-08-19 | 1984-03-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for sequentially processing a multi-level interconnect circuit in a vacuum chamber |
| GB2152688B (en) * | 1984-01-10 | 1987-09-09 | Gen Electric Co Plc | Velocity matching apparatus |
| US5303079A (en) * | 1992-04-09 | 1994-04-12 | At&T Bell Laboratories | Tunable chirp, lightwave modulator for dispersion compensation |
| US5455876A (en) * | 1992-10-23 | 1995-10-03 | General Microwave Israel Corporation | High-speed external integrated optical modulator |
| US5414791A (en) * | 1993-10-05 | 1995-05-09 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Thermally stable electro-optic device and method |
-
1996
- 1996-07-19 US US08/683,870 patent/US5895742A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-14 EP EP97111917A patent/EP0819969A3/en not_active Withdrawn
- 1997-07-16 JP JP9191002A patent/JPH1068914A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411747B2 (en) | 1998-04-06 | 2002-06-25 | Nec Corporation | Waveguide type optical device |
| JP2021086026A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0819969A3 (en) | 1998-09-23 |
| EP0819969A2 (en) | 1998-01-21 |
| US5895742A (en) | 1999-04-20 |
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