JPH1072254A - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH1072254A JPH1072254A JP8247085A JP24708596A JPH1072254A JP H1072254 A JPH1072254 A JP H1072254A JP 8247085 A JP8247085 A JP 8247085A JP 24708596 A JP24708596 A JP 24708596A JP H1072254 A JPH1072254 A JP H1072254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- resistance
- barium titanate
- less
- room temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 23
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 claims description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GXXOZFWMXVTHJR-UHFFFAOYSA-J [O-2].[O-2].[Ti+4].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ti+4] Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ti+4] GXXOZFWMXVTHJR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 室温比抵抗が十分低い値を有しながら、比抵
抗−耐電圧特性が良好で、かつ、抵抗温度係数が大きい
正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁
器の製造方法を提供する。 【構成】 該半導体磁器の製造において、出発原料の一
つとして酸化チタンを用い、その酸化チタンの比表面積
値を４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下とすることによ
り、特定組成における電気的特性が優れた磁器を得る。
さらに、使用する各成分元素の出発原料を選択・特定
し、これらの混合処理時の系におけるｐＨを弱塩基性へ
調整することにより、特性が向上する。
抗−耐電圧特性が良好で、かつ、抵抗温度係数が大きい
正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁
器の製造方法を提供する。 【構成】 該半導体磁器の製造において、出発原料の一
つとして酸化チタンを用い、その酸化チタンの比表面積
値を４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下とすることによ
り、特定組成における電気的特性が優れた磁器を得る。
さらに、使用する各成分元素の出発原料を選択・特定
し、これらの混合処理時の系におけるｐＨを弱塩基性へ
調整することにより、特性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、室温比抵抗の低
い、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法に関する。
い、正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムに、微量の稀土類元素
あるいはＮｂ，Ｓｂなどの元素を添加することにより、
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器が得られることは
知られている。さらに、Ｍｎ，Ｓｉを微量添加すること
により、抵抗温度特性における抵抗温度係数を上昇させ
ることができることも知られている。
あるいはＮｂ，Ｓｂなどの元素を添加することにより、
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器が得られることは
知られている。さらに、Ｍｎ，Ｓｉを微量添加すること
により、抵抗温度特性における抵抗温度係数を上昇させ
ることができることも知られている。
【０００３】このような正の抵抗温度特性を有する半導
体磁器は、電流制限、温度検知、定温度発熱体等に使用
されているが、一般に、電流制限の用途に用いられるチ
タン酸バリウム系半導体磁器の特性としては、室温での
比抵抗〔ρ〕が小さいこと、耐電圧〔Ｖ〕が高いこと、
抵抗温度係数〔α〕が大きいことなどがあげられる。つ
まり、小型軽薄化した低抵抗素子を得るために、電流制
限用半導体磁器の特性として、室温比抵抗が小さく、か
つ、耐電圧が高い半導体磁器が要求される。
体磁器は、電流制限、温度検知、定温度発熱体等に使用
されているが、一般に、電流制限の用途に用いられるチ
タン酸バリウム系半導体磁器の特性としては、室温での
比抵抗〔ρ〕が小さいこと、耐電圧〔Ｖ〕が高いこと、
抵抗温度係数〔α〕が大きいことなどがあげられる。つ
まり、小型軽薄化した低抵抗素子を得るために、電流制
限用半導体磁器の特性として、室温比抵抗が小さく、か
つ、耐電圧が高い半導体磁器が要求される。
【０００４】このため、比抵抗−耐電圧特性向上の目的
で半導体磁器組成物における各構成元素の比率が検討さ
れている（特開昭５５−１３４９０１号公報、特公昭６
３−２８３２４号公報など）。また、上記特性向上のた
めに、出発原料として粒径０．１〜０．６μｍの酸化チ
タン粉末を用いたり（特開平５−２９４６２５号公
報）、湿式共沈法で調製したチタン酸塩粉末を用いる
（特公平５−５９０６８号公報など）など、種々の検討
が行われている。
で半導体磁器組成物における各構成元素の比率が検討さ
れている（特開昭５５−１３４９０１号公報、特公昭６
３−２８３２４号公報など）。また、上記特性向上のた
めに、出発原料として粒径０．１〜０．６μｍの酸化チ
タン粉末を用いたり（特開平５−２９４６２５号公
報）、湿式共沈法で調製したチタン酸塩粉末を用いる
（特公平５−５９０６８号公報など）など、種々の検討
が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、室温比抵抗を低くすると、それに伴い耐電圧
や抵抗温度係数が低下してしまう傾向があり、特に比抵
抗−耐電圧特性においてはまだ十分に満足できるものは
得られていない。例えば、最も低比抵抗のものでも、４
Ωｃｍ、８５Ｖ／ｍｍ、９％／℃と、特に低抵抗を要求
される電池向けや車載向けの電流制限の用途には不十分
である。
方法では、室温比抵抗を低くすると、それに伴い耐電圧
や抵抗温度係数が低下してしまう傾向があり、特に比抵
抗−耐電圧特性においてはまだ十分に満足できるものは
得られていない。例えば、最も低比抵抗のものでも、４
Ωｃｍ、８５Ｖ／ｍｍ、９％／℃と、特に低抵抗を要求
される電池向けや車載向けの電流制限の用途には不十分
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、室温比抵抗が
十分低い値を有しながら、比抵抗−耐電圧特性が良好
で、かつ、抵抗温度係数の大きいチタン酸バリウム系半
導体磁器を提供するものである。
十分低い値を有しながら、比抵抗−耐電圧特性が良好
で、かつ、抵抗温度係数の大きいチタン酸バリウム系半
導体磁器を提供するものである。
【０００７】すなわち本発明の第１の要旨は、磁器組成
が、 （Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ) A ＴｉB Ｏ3 ＋ｐＺ＋ｑＭ
ｎ＋ｒＳｉＯ2 （但し、Ｚは、Ｙ，Ｌａなどの稀土類元素およびＮｂ，
Ｓｂからなる群のうち少なくとも一種からなる半導体化
剤を示す）で表され、上記組成式における、ｘ，ｙ，
Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された各構成元素の比率が、そ
れぞれ ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４８ ０．９９０ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ＜ ０．００２ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１５ ０．００３ ≦ ｒ ≦ ０．０３ の範囲内である半導体磁器の製造において、出発原料の
一つとして酸化チタンを用い、その酸化チタンの比表面
積値が、ＢＥＴ比表面積値として４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ
2 ／ｇ以下であることを特徴とするチタン酸バリウム系
半導体磁器の製造方法である。
が、 （Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ) A ＴｉB Ｏ3 ＋ｐＺ＋ｑＭ
ｎ＋ｒＳｉＯ2 （但し、Ｚは、Ｙ，Ｌａなどの稀土類元素およびＮｂ，
Ｓｂからなる群のうち少なくとも一種からなる半導体化
剤を示す）で表され、上記組成式における、ｘ，ｙ，
Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された各構成元素の比率が、そ
れぞれ ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４８ ０．９９０ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ＜ ０．００２ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１５ ０．００３ ≦ ｒ ≦ ０．０３ の範囲内である半導体磁器の製造において、出発原料の
一つとして酸化チタンを用い、その酸化チタンの比表面
積値が、ＢＥＴ比表面積値として４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ
2 ／ｇ以下であることを特徴とするチタン酸バリウム系
半導体磁器の製造方法である。
【０００８】そして、上記組成式における、ｘ，ｙ，
Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された各構成元素それぞれの比
率を、さらに、 ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４５ ０．９９２ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ≦ ０．００１８ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１０ ０．００５ ≦ ｒ ≦ ０．０３ の範囲内に設定することにより、より優れた電気的特性
を有する磁器が得られる。
Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された各構成元素それぞれの比
率を、さらに、 ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４５ ０．９９２ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ≦ ０．００１８ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１０ ０．００５ ≦ ｒ ≦ ０．０３ の範囲内に設定することにより、より優れた電気的特性
を有する磁器が得られる。
【０００９】また、本発明の第２の要旨は、上記組成の
半導体磁器の製造において、出発原料の混合に際し、半
導体化剤およびＭｎ以外の各磁器構成成分については出
発原料としてそれらの酸化物または炭酸塩を用い、半導
体化剤およびＭｎについては出発原料としてそれらの水
溶性塩の水溶液を用い、これらの混合スラリーのｐＨを
弱塩基により８以上１１以下に調整した後、混合処理を
行うことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の
製造方法である。
半導体磁器の製造において、出発原料の混合に際し、半
導体化剤およびＭｎ以外の各磁器構成成分については出
発原料としてそれらの酸化物または炭酸塩を用い、半導
体化剤およびＭｎについては出発原料としてそれらの水
溶性塩の水溶液を用い、これらの混合スラリーのｐＨを
弱塩基により８以上１１以下に調整した後、混合処理を
行うことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の
製造方法である。
【００１０】本発明を適用することにより、室温比抵抗
が５Ωｃｍ以下で、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以上
であるとともに、抵抗温度係数と室温比抵抗の対数値と
の比が１５以上である、という特性を有する磁器が得ら
れる。
が５Ωｃｍ以下で、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以上
であるとともに、抵抗温度係数と室温比抵抗の対数値と
の比が１５以上である、という特性を有する磁器が得ら
れる。
【００１１】以下、本発明について、具体的に述べる。
まず、半導体磁器の組成について説明する。チタン酸バ
リウム系半導体磁器にＳｒやＰｂを含有させると、チタ
ン酸バリウムのＢａサイトと置換し、耐電圧特性や抵抗
温度係数が改善される。その適切な範囲は、それぞれチ
タン酸バリウムのＴｉ原子に対し、Ｓｒ（組成式におけ
る元素比率：ｘ）及びＰｂ（組成式における元素比率：
ｙ）ともに５原子％以上で、かつ、これらの和が２５原
子％以上である。ＳｒまたはＰｂのどちらかの置換量が
それぞれ５原子％未満だったり、ＳｒとＰｂの置換量の
和が２５原子％未満である場合には、得られる焼結体の
粒径が小さくなりにくく、結果として耐電圧と室温比抵
抗の比が２５以下に低下するとともに、抵抗温度係数と
室温抵抗値の対数値の比が１５以下に低下してしまい、
好ましくない。また、ＳｒまたはＰｂのどちらかの置換
量がそれぞれ４０原子％を越えたり、ＳｒとＰｂの置換
量の和が４８原子％を越えると、室温比抵抗が５Ωｃｍ
を越えてしまうので好ましくない。なお、ＳｒとＰｂの
置換量の和が２５原子％以上４５原子％以下の範囲内の
場合には、上記優れた電気特性に加え、さらに室温比抵
抗が低い磁器を得ることができる。
まず、半導体磁器の組成について説明する。チタン酸バ
リウム系半導体磁器にＳｒやＰｂを含有させると、チタ
ン酸バリウムのＢａサイトと置換し、耐電圧特性や抵抗
温度係数が改善される。その適切な範囲は、それぞれチ
タン酸バリウムのＴｉ原子に対し、Ｓｒ（組成式におけ
る元素比率：ｘ）及びＰｂ（組成式における元素比率：
ｙ）ともに５原子％以上で、かつ、これらの和が２５原
子％以上である。ＳｒまたはＰｂのどちらかの置換量が
それぞれ５原子％未満だったり、ＳｒとＰｂの置換量の
和が２５原子％未満である場合には、得られる焼結体の
粒径が小さくなりにくく、結果として耐電圧と室温比抵
抗の比が２５以下に低下するとともに、抵抗温度係数と
室温抵抗値の対数値の比が１５以下に低下してしまい、
好ましくない。また、ＳｒまたはＰｂのどちらかの置換
量がそれぞれ４０原子％を越えたり、ＳｒとＰｂの置換
量の和が４８原子％を越えると、室温比抵抗が５Ωｃｍ
を越えてしまうので好ましくない。なお、ＳｒとＰｂの
置換量の和が２５原子％以上４５原子％以下の範囲内の
場合には、上記優れた電気特性に加え、さらに室温比抵
抗が低い磁器を得ることができる。
【００１２】半導体磁器組成物におけるチタン酸バリウ
ム部分、すなわち（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ) A ＴｉB
Ｏ3 におけるＡサイト構成成分（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂ
y )とＢサイト構成成分（Ｔｉ）との原子比（Ａ／Ｂ
値）は、０．９９０以上１．０００以下が好ましい。Ａ
／Ｂ値が０．９９０未満の場合には、室温比抵抗が５Ω
ｃｍを越えてしまい、また、Ａ／Ｂ値が１．０００を越
えると、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に低下する
とともに、抵抗温度係数と室温抵抗値の対数値の比が１
５以下に低下してしまうので、好ましくない。Ａ／Ｂ値
が０．９９２以上１．０００以下の範囲内の場合には、
上記優れた電気特性に加え、さらに室温比抵抗の低い磁
器を得ることができる。
ム部分、すなわち（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ) A ＴｉB
Ｏ3 におけるＡサイト構成成分（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂ
y )とＢサイト構成成分（Ｔｉ）との原子比（Ａ／Ｂ
値）は、０．９９０以上１．０００以下が好ましい。Ａ
／Ｂ値が０．９９０未満の場合には、室温比抵抗が５Ω
ｃｍを越えてしまい、また、Ａ／Ｂ値が１．０００を越
えると、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に低下する
とともに、抵抗温度係数と室温抵抗値の対数値の比が１
５以下に低下してしまうので、好ましくない。Ａ／Ｂ値
が０．９９２以上１．０００以下の範囲内の場合には、
上記優れた電気特性に加え、さらに室温比抵抗の低い磁
器を得ることができる。
【００１３】チタン酸バリウム系磁器に対する半導体化
剤（組成式においてＺで示した元素）としては、Ｙ，Ｌ
ａなどの稀土類元素およびＮｂ，Ｓｂから、少なくとも
一種以上を選択すればよい。その添加量（組成式におけ
る元素比率：ｐ）としてはチタン酸バリウムのＴｉ原子
に対し、０．１原子％以上０．２０原子％未満が好まし
い。半導体化剤の添加量が、０．１原子％未満の場合に
は、比抵抗が５Ωｃｍを越えるとともに、耐電圧と室温
比抵抗の比が２５以下に低下するとともに、抵抗温度係
数と室温抵抗値の対数値の比が１５以下に低下してしま
う。また、０．２０原子％以上では、室温比抵抗が５Ω
ｃｍを越えてしまうため好ましくない。また、半導体化
剤の添加量が０．１原子％以上０．１８原子％以下の範
囲内の場合には、上記優れた電気特性に加え、さらに室
温比抵抗の低い磁器を得ることができる。
剤（組成式においてＺで示した元素）としては、Ｙ，Ｌ
ａなどの稀土類元素およびＮｂ，Ｓｂから、少なくとも
一種以上を選択すればよい。その添加量（組成式におけ
る元素比率：ｐ）としてはチタン酸バリウムのＴｉ原子
に対し、０．１原子％以上０．２０原子％未満が好まし
い。半導体化剤の添加量が、０．１原子％未満の場合に
は、比抵抗が５Ωｃｍを越えるとともに、耐電圧と室温
比抵抗の比が２５以下に低下するとともに、抵抗温度係
数と室温抵抗値の対数値の比が１５以下に低下してしま
う。また、０．２０原子％以上では、室温比抵抗が５Ω
ｃｍを越えてしまうため好ましくない。また、半導体化
剤の添加量が０．１原子％以上０．１８原子％以下の範
囲内の場合には、上記優れた電気特性に加え、さらに室
温比抵抗の低い磁器を得ることができる。
【００１４】Ｍｎの添加量（組成式における元素比率：
ｑ）については、上記半導体化剤の添加量に対し、５原
子％以上１５原子％以下が好ましい。半導体化剤とＭｎ
とは、焼結体の電気特性に相互に影響を及ぼしあうた
め、Ｍｎ量に対する半導体化剤の量の比（ｑ／ｐ）が
０．０５未満の場合には、耐電圧と室温比抵抗の比が２
５以下に低下するとともに、抵抗温度係数と室温抵抗値
の対数値の比が１５以下に低下してしまう。また、この
比が０．１５を越えると室温比抵抗が５Ωｃｍを越えて
しまうため好ましくない。そして、この比が０．０５以
上０．１０以下の範囲内の場合には、上記優れた電気特
性に加え、さらに室温比抵抗の低い磁器を得ることがで
きる。
ｑ）については、上記半導体化剤の添加量に対し、５原
子％以上１５原子％以下が好ましい。半導体化剤とＭｎ
とは、焼結体の電気特性に相互に影響を及ぼしあうた
め、Ｍｎ量に対する半導体化剤の量の比（ｑ／ｐ）が
０．０５未満の場合には、耐電圧と室温比抵抗の比が２
５以下に低下するとともに、抵抗温度係数と室温抵抗値
の対数値の比が１５以下に低下してしまう。また、この
比が０．１５を越えると室温比抵抗が５Ωｃｍを越えて
しまうため好ましくない。そして、この比が０．０５以
上０．１０以下の範囲内の場合には、上記優れた電気特
性に加え、さらに室温比抵抗の低い磁器を得ることがで
きる。
【００１５】ＳｉＯ2 の添加量（組成式における元素比
率：ｒ）は、チタン酸バリウムのＴｉ原子に対し、０．
３原子％以上３．０原子％以下が好ましい。ＳｉＯ2 量
が、０．３原子％未満の場合には、比抵抗が５Ωｃｍを
越えるとともに、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に
低下してしまう。また、３．０原子％を越えると抵抗温
度係数と室温比抵抗の対数値の比が１５以下に低下する
ので好ましくない。ＳｉＯ2 量が０．５原子％以上３．
０原子％以下の範囲内の場合には、上記優れた電気特性
に加え、さらに室温比抵抗の低い磁器を得ることができ
る。
率：ｒ）は、チタン酸バリウムのＴｉ原子に対し、０．
３原子％以上３．０原子％以下が好ましい。ＳｉＯ2 量
が、０．３原子％未満の場合には、比抵抗が５Ωｃｍを
越えるとともに、耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に
低下してしまう。また、３．０原子％を越えると抵抗温
度係数と室温比抵抗の対数値の比が１５以下に低下する
ので好ましくない。ＳｉＯ2 量が０．５原子％以上３．
０原子％以下の範囲内の場合には、上記優れた電気特性
に加え、さらに室温比抵抗の低い磁器を得ることができ
る。
【００１６】本発明の磁器組成におけるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器の製造において、チタン成分の出発原料
として酸化チタンを用い、その比表面積値（ＢＥＴ比表
面積値）が４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下、好ましく
は、５〜３０ｍ2 ／ｇであるものを用いると、優れた電
気特性を有する磁器を得ることができる。
ム系半導体磁器の製造において、チタン成分の出発原料
として酸化チタンを用い、その比表面積値（ＢＥＴ比表
面積値）が４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下、好ましく
は、５〜３０ｍ2 ／ｇであるものを用いると、優れた電
気特性を有する磁器を得ることができる。
【００１７】酸化チタンは、一般に顔料として用いられ
ることが多く、純度９５％以上で、５〜１０ｍ2 ／ｇの
比表面積を有するものが市販されている。しかしなが
ら、これら顔料級酸化チタンにおいては、原料鉱物から
残留するニオブや鉄など、半導体磁器とした場合に電気
特性的に大きな変動要因となる元素が含まれており、そ
のままでは使用できない。このため、純度が９９．５％
以上の高純度酸化チタンを使用する必要があるが、製造
時の処理により粒子径が大きくなってしまい、せいぜい
２〜３ｍ2 ／ｇの比表面積を有する製品しか使用するこ
とができなかった。
ることが多く、純度９５％以上で、５〜１０ｍ2 ／ｇの
比表面積を有するものが市販されている。しかしなが
ら、これら顔料級酸化チタンにおいては、原料鉱物から
残留するニオブや鉄など、半導体磁器とした場合に電気
特性的に大きな変動要因となる元素が含まれており、そ
のままでは使用できない。このため、純度が９９．５％
以上の高純度酸化チタンを使用する必要があるが、製造
時の処理により粒子径が大きくなってしまい、せいぜい
２〜３ｍ2 ／ｇの比表面積を有する製品しか使用するこ
とができなかった。
【００１８】本発明者らは、使用する高純度酸化チタン
の比表面積を４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下、好まし
くは、５〜３０ｍ2 ／ｇに設定することにより、特定磁
器組成におけるチタン酸バリウム系半導体磁器の電気特
性を改善することを見いだし、本発明に到達した。使用
する酸化チタンの比表面積値が４ｍ2 ／ｇ未満の場合に
は、得られる焼結体の粒径が大きくなって、結果的に比
抵抗−耐電圧特性が低下する。また、５０ｍ2 ／ｇを越
える場合には、得られる焼結体の粒径分布が悪くなり、
耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に低下するので好ま
しくない。
の比表面積を４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下、好まし
くは、５〜３０ｍ2 ／ｇに設定することにより、特定磁
器組成におけるチタン酸バリウム系半導体磁器の電気特
性を改善することを見いだし、本発明に到達した。使用
する酸化チタンの比表面積値が４ｍ2 ／ｇ未満の場合に
は、得られる焼結体の粒径が大きくなって、結果的に比
抵抗−耐電圧特性が低下する。また、５０ｍ2 ／ｇを越
える場合には、得られる焼結体の粒径分布が悪くなり、
耐電圧と室温比抵抗の比が２５以下に低下するので好ま
しくない。
【００１９】また、本発明者らは、チタン酸バリウム系
半導体磁器における各成分元素の出発原料（原料に使用
する化合物）を選択・特定し、さらにこれら出発原料の
混合処理時の系におけるｐＨを、弱塩基性へ調整するこ
とにより、得られる半導体磁器の電気特性が改善される
ことも見いだした。たとえば、上記半導体磁器への添加
量は微量であるものの、ＰＴＣ特性や各種電気的特性に
大きな影響を及ぼす半導体化剤やＭｎについては、出発
原料としてたとえば硝酸塩や酢酸塩など対応する元素の
水溶性塩を選び、その水溶液を添加して均一に混合する
のが好ましい。これにより、半導体磁器のさらなる低抵
抗化が可能となる。上記以外の各成分元素の出発原料と
しては、それぞれ酸化物または炭酸塩を用いるのが好ま
しい。
半導体磁器における各成分元素の出発原料（原料に使用
する化合物）を選択・特定し、さらにこれら出発原料の
混合処理時の系におけるｐＨを、弱塩基性へ調整するこ
とにより、得られる半導体磁器の電気特性が改善される
ことも見いだした。たとえば、上記半導体磁器への添加
量は微量であるものの、ＰＴＣ特性や各種電気的特性に
大きな影響を及ぼす半導体化剤やＭｎについては、出発
原料としてたとえば硝酸塩や酢酸塩など対応する元素の
水溶性塩を選び、その水溶液を添加して均一に混合する
のが好ましい。これにより、半導体磁器のさらなる低抵
抗化が可能となる。上記以外の各成分元素の出発原料と
しては、それぞれ酸化物または炭酸塩を用いるのが好ま
しい。
【００２０】各出発原料は、ボールミルなどの手法によ
り、十分に湿式混合される。半導体化剤やＭｎの出発原
料として水溶性塩を用いると、混合過程で加水分解反応
が起こる。この際のｐＨをアンモニアなどの弱塩基を用
いて８以上１１以下に調整することにより、比抵抗−耐
電圧特性および比抵抗−抵抗温度係数特性が良好なもの
となる。このｐＨが８未満の場合には、耐電圧と室温比
抵抗の比が２５以下に低下する。また、ｐＨが１１を越
えるように調整するのは、弱塩基の添加量が非常に多く
なるため不経済である。
り、十分に湿式混合される。半導体化剤やＭｎの出発原
料として水溶性塩を用いると、混合過程で加水分解反応
が起こる。この際のｐＨをアンモニアなどの弱塩基を用
いて８以上１１以下に調整することにより、比抵抗−耐
電圧特性および比抵抗−抵抗温度係数特性が良好なもの
となる。このｐＨが８未満の場合には、耐電圧と室温比
抵抗の比が２５以下に低下する。また、ｐＨが１１を越
えるように調整するのは、弱塩基の添加量が非常に多く
なるため不経済である。
【００２１】湿式混合したスラリーは脱水乾燥後、おお
よそ１０００〜１１５０℃で仮焼してチタン酸バリウム
系固溶体粉末を得る。仮焼温度が１０００℃以下の場合
には各成分の固溶が十分に進まず、１１５０℃以上では
融着を起こし仮焼後粉末の粉砕が困難となる。このよう
にして得られたチタン酸バリウム系固溶体粉末は、湿式
で粉砕してスラリーとし、バインダを添加し、造粒、成
形後、焼成して半導体磁器を形成する。
よそ１０００〜１１５０℃で仮焼してチタン酸バリウム
系固溶体粉末を得る。仮焼温度が１０００℃以下の場合
には各成分の固溶が十分に進まず、１１５０℃以上では
融着を起こし仮焼後粉末の粉砕が困難となる。このよう
にして得られたチタン酸バリウム系固溶体粉末は、湿式
で粉砕してスラリーとし、バインダを添加し、造粒、成
形後、焼成して半導体磁器を形成する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明をさら
に詳しく説明する。ただし、本発明はこれらの製造例、
実施例のみに限定されるものではない。
に詳しく説明する。ただし、本発明はこれらの製造例、
実施例のみに限定されるものではない。
【００２３】高純度酸化チタンの製造例 四塩化チタン水溶液（Ｔｉ分として１６．４％含有）
を、蒸留水でＴｉ分として３．０％の濃度になるように
希釈し、７０℃に加熱した。この温度で１時間保持した
後、上記四塩化チタン水溶液を追加投入し、Ｔｉ分とし
て７．２％の濃度とした。その後昇温し、５時間還流し
た。還流後得られたスラリーをろ過、水洗を繰り返して
不純物を除いた後、１１０℃で乾燥した。得られた酸化
チタンの塩素含有量を測定したところ１００ｐｐｍ以下
であった。これを８００℃で熱処理を行い、比表面積値
５．７ｍ2 ／ｇの酸化チタンを得た。
を、蒸留水でＴｉ分として３．０％の濃度になるように
希釈し、７０℃に加熱した。この温度で１時間保持した
後、上記四塩化チタン水溶液を追加投入し、Ｔｉ分とし
て７．２％の濃度とした。その後昇温し、５時間還流し
た。還流後得られたスラリーをろ過、水洗を繰り返して
不純物を除いた後、１１０℃で乾燥した。得られた酸化
チタンの塩素含有量を測定したところ１００ｐｐｍ以下
であった。これを８００℃で熱処理を行い、比表面積値
５．７ｍ2 ／ｇの酸化チタンを得た。
【００２４】実施例 １ 出発原料の化合物として、上記製造例にて用意した比表
面積値５．７ｍ2 ／ｇのＴｉＯ2 、市販のＢａＣＯ3 、
ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｙ（ＮＯ3 ）3
・６Ｈ2 Ｏ、Ｌａ（ＣＨ3 ＣＯＯ）3 ・３／２Ｈ2 Ｏ、
ＮｂＣｌ5 、ＳｂＣｌ3 、Ｍｎ（ＮＯ3 ）2 ・６Ｈ
2 Ｏ、ＳｉＯ2 から選択し、焼成後の磁器組成が、 （Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ）A ＴｉB Ｏ3 ＋ｐＺ＋ｑＭ
ｎ＋ｒＳｉＯ2 （但し、Ｚは、Ｙ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｓｂからなる半導体化
剤を示す）という組成式において表１の元素比率となる
ように、各化合物を配合してスラリーとした。
面積値５．７ｍ2 ／ｇのＴｉＯ2 、市販のＢａＣＯ3 、
ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｙ（ＮＯ3 ）3
・６Ｈ2 Ｏ、Ｌａ（ＣＨ3 ＣＯＯ）3 ・３／２Ｈ2 Ｏ、
ＮｂＣｌ5 、ＳｂＣｌ3 、Ｍｎ（ＮＯ3 ）2 ・６Ｈ
2 Ｏ、ＳｉＯ2 から選択し、焼成後の磁器組成が、 （Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ）A ＴｉB Ｏ3 ＋ｐＺ＋ｑＭ
ｎ＋ｒＳｉＯ2 （但し、Ｚは、Ｙ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｓｂからなる半導体化
剤を示す）という組成式において表１の元素比率となる
ように、各化合物を配合してスラリーとした。
【００２５】
【表１】
【００２６】ｐＨ９．０のアンモニア緩衝液を、その濃
度が０．０２ｍｏｌ／ｌとなるようにスラリーに添加
し、湿式ボールミル混合を１５時間行った。これを脱水
乾燥して得られた粉体を、１１００℃で２時間仮焼し
た。得られた仮焼粉はピンミルにより解砕後、純水と
０．５重量％の分散剤を添加して７０重量％のスラリー
を調製し、これを湿式ボールミルにより３時間粉砕し
た。粉砕メディアとしては、直径１０ｍｍのジルコニア
ボールを用いた。粉砕後のスラリーにバインダーを加え
て造粒し、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2 でプレスし、
直径２０ｍｍ×厚み１．０ｍｍの円板状の成形体を得
た。成形体は、３００℃／時間で昇温し、１３２０℃で
１時間保持した後、３００℃／時間で降温する、という
焼成工程を経て半導体磁器とした。得られた半導体磁器
の両主表面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布し、室温比抵抗
〔ρ〕、耐電圧〔Ｖ〕、抵抗温度係数〔α〕を測定し
た。耐電圧としては、試料に印加する交流電圧を徐々に
上昇させ、試料の破壊が生じる直前の電圧値を求め、抵
抗温度係数としては、Ｔ1 を室温抵抗値の１０倍の抵抗
値を示す温度、Ｔ2 を室温抵抗値の１００倍の抵抗値を
示す温度として、 α ＝ ｛２．３０３／（Ｔ2 ／Ｔ1 ）｝×１００
（％／℃） で示される値を求めた。得られた結果を表２に示す。
度が０．０２ｍｏｌ／ｌとなるようにスラリーに添加
し、湿式ボールミル混合を１５時間行った。これを脱水
乾燥して得られた粉体を、１１００℃で２時間仮焼し
た。得られた仮焼粉はピンミルにより解砕後、純水と
０．５重量％の分散剤を添加して７０重量％のスラリー
を調製し、これを湿式ボールミルにより３時間粉砕し
た。粉砕メディアとしては、直径１０ｍｍのジルコニア
ボールを用いた。粉砕後のスラリーにバインダーを加え
て造粒し、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2 でプレスし、
直径２０ｍｍ×厚み１．０ｍｍの円板状の成形体を得
た。成形体は、３００℃／時間で昇温し、１３２０℃で
１時間保持した後、３００℃／時間で降温する、という
焼成工程を経て半導体磁器とした。得られた半導体磁器
の両主表面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布し、室温比抵抗
〔ρ〕、耐電圧〔Ｖ〕、抵抗温度係数〔α〕を測定し
た。耐電圧としては、試料に印加する交流電圧を徐々に
上昇させ、試料の破壊が生じる直前の電圧値を求め、抵
抗温度係数としては、Ｔ1 を室温抵抗値の１０倍の抵抗
値を示す温度、Ｔ2 を室温抵抗値の１００倍の抵抗値を
示す温度として、 α ＝ ｛２．３０３／（Ｔ2 ／Ｔ1 ）｝×１００
（％／℃） で示される値を求めた。得られた結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表１，表２において※を付してある、試料
番号１、２、５、７、８、９、１０、１３、１４、１
５、１６、１９の磁器組成は、本発明の範囲内にないも
のである。表２の結果に示されているように、本発明の
製造方法により得られた磁器は、室温比抵抗が５Ωｃｍ
以下で、耐電圧と室温比抵抗との比が２５以上であると
ともに、抵抗温度係数と室温比抵抗の対数値との比が１
５以上であることがわかる。なお、試料番号２１、２２
では半導体化剤の出発原料として塩素化合物を用いてい
る。一般に、塩素が残留するようなことがあれば、半導
体磁器の電気的特性にあまり良い影響を与えないが、本
発明の製造方法により得られた磁器では、そのような影
響がほとんど見られないこともわかる。
番号１、２、５、７、８、９、１０、１３、１４、１
５、１６、１９の磁器組成は、本発明の範囲内にないも
のである。表２の結果に示されているように、本発明の
製造方法により得られた磁器は、室温比抵抗が５Ωｃｍ
以下で、耐電圧と室温比抵抗との比が２５以上であると
ともに、抵抗温度係数と室温比抵抗の対数値との比が１
５以上であることがわかる。なお、試料番号２１、２２
では半導体化剤の出発原料として塩素化合物を用いてい
る。一般に、塩素が残留するようなことがあれば、半導
体磁器の電気的特性にあまり良い影響を与えないが、本
発明の製造方法により得られた磁器では、そのような影
響がほとんど見られないこともわかる。
【００２９】実施例２ 前述した「高純度酸化チタンの製造例」において、最終
工程における熱処理の温度を表３に示す各温度に変化さ
せて、種々の比表面積値を有する酸化チタンを用意し
た。これらの酸化チタンそれぞれを出発原料として用い
て、実施例１における試料番号４の組成となるように各
化合物を配合し、実施例１と同様の方法で磁器を調製し
た。得られた磁器について、その表面を走査型電子顕微
鏡で観察し、粒径範囲を測定し、表３に示した。またさ
らに、得られた磁器について、実施例１と同様の方法で
電気的特性を測定した結果を表４に示す。
工程における熱処理の温度を表３に示す各温度に変化さ
せて、種々の比表面積値を有する酸化チタンを用意し
た。これらの酸化チタンそれぞれを出発原料として用い
て、実施例１における試料番号４の組成となるように各
化合物を配合し、実施例１と同様の方法で磁器を調製し
た。得られた磁器について、その表面を走査型電子顕微
鏡で観察し、粒径範囲を測定し、表３に示した。またさ
らに、得られた磁器について、実施例１と同様の方法で
電気的特性を測定した結果を表４に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】表３、表４において※印を付してある、２
３、２８の試料番号の磁器は、出発原料として用いる酸
化チタンの比表面積値が、本発明の範囲外のものであ
る。これらの酸化チタンを用いて調製した磁器において
は、相対的に焼結体粒径が大きい、あるいは、粒径範囲
が広いことがわかる。また、表４から比抵抗−耐電圧特
性および比抵抗−抵抗温度係数特性が劣っていることも
わかる。
３、２８の試料番号の磁器は、出発原料として用いる酸
化チタンの比表面積値が、本発明の範囲外のものであ
る。これらの酸化チタンを用いて調製した磁器において
は、相対的に焼結体粒径が大きい、あるいは、粒径範囲
が広いことがわかる。また、表４から比抵抗−耐電圧特
性および比抵抗−抵抗温度係数特性が劣っていることも
わかる。
【００３３】実施例３ 湿式ボールミル混合を行う際にスラリーに添加するアン
モニア緩衝液を調整することにより、スラリーのｐＨを
表５の値に設定した後、混合処理を行う以外は、実施例
１と同様の操作を行って試料番号４の組成の磁器を調製
した。得られた磁器について、電気的特性を評価した結
果を表５に示す。
モニア緩衝液を調整することにより、スラリーのｐＨを
表５の値に設定した後、混合処理を行う以外は、実施例
１と同様の操作を行って試料番号４の組成の磁器を調製
した。得られた磁器について、電気的特性を評価した結
果を表５に示す。
【００３４】
【表５】
【００３５】出発原料として用いる半導体化剤（Ｙ）お
よびＭｎ元素成分に水溶性塩を用いる場合、湿式ボール
ミル混合を行う際のスラリーのｐＨが８〜１１の範囲に
ないものは、比抵抗−耐電圧特性および比抵抗−抵抗温
度係数特性が低下することがわかる（試料番号２９）。
よびＭｎ元素成分に水溶性塩を用いる場合、湿式ボール
ミル混合を行う際のスラリーのｐＨが８〜１１の範囲に
ないものは、比抵抗−耐電圧特性および比抵抗−抵抗温
度係数特性が低下することがわかる（試料番号２９）。
【００３６】実施例４ 実施例３において、出発原料として用いるＹおよびＭｎ
について、硝酸塩を用いる代わりに、Ｙ2 Ｏ3 , ＭｎＣ
Ｏ3 を使用する以外は同様の操作を行い、試料番号４の
組成の磁器を調製した。得られた磁器について、電気的
特性を評価した結果を表６に示す。
について、硝酸塩を用いる代わりに、Ｙ2 Ｏ3 , ＭｎＣ
Ｏ3 を使用する以外は同様の操作を行い、試料番号４の
組成の磁器を調製した。得られた磁器について、電気的
特性を評価した結果を表６に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】半導体化剤およびＭｎの原料として、それ
ぞれ酸化物および炭酸塩を用いた場合には、室温比抵抗
が若干高くなるが、良好な比抵抗−耐電圧特性、比抵抗
−抵抗温度係数特性を有することがわかる。
ぞれ酸化物および炭酸塩を用いた場合には、室温比抵抗
が若干高くなるが、良好な比抵抗−耐電圧特性、比抵抗
−抵抗温度係数特性を有することがわかる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、チタン酸バリウム系半
導体磁器の製造方法において、出発原料の一つとして酸
化チタンを用い、その酸化チタンの比表面積値を４ｍ2
／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下とすることにより、特定組成
における電気的特性の優れた半導体磁器を得ることがで
きる。
導体磁器の製造方法において、出発原料の一つとして酸
化チタンを用い、その酸化チタンの比表面積値を４ｍ2
／ｇ以上５０ｍ2 ／ｇ以下とすることにより、特定組成
における電気的特性の優れた半導体磁器を得ることがで
きる。
Claims (3)
- 【請求項１】 磁器組成が、 （Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｐｂy ) A ＴｉB Ｏ3 ＋ｐＺ＋ｑＭ
ｎ＋ｒＳｉＯ2 （但し、Ｚは、Ｙ，Ｌａなどの稀土類元素およびＮｂ，
Ｓｂからなる群のうち少なくとも一種からなる半導体化
剤を示す）で表され、上記組成式における、ｘ，ｙ，
Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された各構成元素の比率が、そ
れぞれ ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４８ ０．９９０ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ＜ ０．００２ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１５ ０．００３ ≦ ｒ ≦ ０．０３ の範囲内である半導体磁器の製造において、出発原料の
一つとして酸化チタンを用い、その酸化チタンの比表面
積値が、ＢＥＴ比表面積値として４ｍ2 ／ｇ以上５０ｍ
2 ／ｇ以下であることを特徴とするチタン酸バリウム系
半導体磁器の製造方法。 - 【請求項２】 ｘ，ｙ，Ａ，Ｂ，ｐ，ｑ，ｒで示された
各構成元素の比率が、それぞれ以下の範囲内である請求
項１記載のチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 ０．０５ ≦ ｘ ≦ ０．４０ ０．０５ ≦ ｙ ≦ ０．４０ ０．２５ ≦ ｘ＋ｙ ≦ ０．４５ ０．９９２ ≦ Ａ／Ｂ ≦ １．０００ ０．００１ ≦ ｐ ≦ ０．００１８ ０．０５ ≦ ｑ／ｐ ≦ ０．１０ ０．００５ ≦ ｒ ≦ ０．０３ - 【請求項３】 出発原料の混合に際し、半導体化剤およ
びＭｎ以外の各磁器構成成分については出発原料として
それらの酸化物または炭酸塩を用い、半導体化剤および
Ｍｎについては出発原料としてそれらの水溶性塩を用
い、これらの混合スラリーのｐＨを弱塩基により８以上
１１以下に調整した後、混合処理を行うことを特徴とす
る請求項１または２記載のチタン酸バリウム系半導体磁
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8247085A JPH1072254A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8247085A JPH1072254A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1072254A true JPH1072254A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17158210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8247085A Pending JPH1072254A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1072254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020096978A (ko) * | 2001-06-19 | 2002-12-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 티탄산바륨 분말의 제조방법, 티탄산바륨 분말 및 그평가방법, 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터 |
| CN116854461A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-10-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低电阻老化率ptc陶瓷材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP8247085A patent/JPH1072254A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020096978A (ko) * | 2001-06-19 | 2002-12-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 티탄산바륨 분말의 제조방법, 티탄산바륨 분말 및 그평가방법, 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터 |
| CN116854461A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-10-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低电阻老化率ptc陶瓷材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6221800B1 (en) | Method of producing PTC semiconducting ceramic | |
| KR20170016805A (ko) | 반도체 자기 조성물 및 ptc 서미스터 | |
| US6071842A (en) | Barium titanate-based semiconductor ceramic | |
| JP2017178658A (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP4058140B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JP3254316B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JP2005001971A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JPH07297009A (ja) | 正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS6243522B2 (ja) | ||
| JPH11139870A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JP3598177B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器 | |
| JP6075877B2 (ja) | 半導体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP3699195B2 (ja) | 正特性半導体磁器およびその製造方法 | |
| JPH07220902A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JP4800956B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JPH07211511A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2521862B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH10135006A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH1070007A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH09330805A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2970405B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH08203702A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 | |
| JPS5919442B2 (ja) | 半導体磁器材料およびその製造法 | |
| JPH05315106A (ja) | チタン酸バリウム系セラミックス半導体およびその製造方法 | |
| JPH07118062A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050303 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060602 |