JPH1074678A - 現像方法及び露光装置 - Google Patents
現像方法及び露光装置Info
- Publication number
- JPH1074678A JPH1074678A JP8229517A JP22951796A JPH1074678A JP H1074678 A JPH1074678 A JP H1074678A JP 8229517 A JP8229517 A JP 8229517A JP 22951796 A JP22951796 A JP 22951796A JP H1074678 A JPH1074678 A JP H1074678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- dissolution rate
- semiconductor wafer
- distribution
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像方法及び露光装置に関し、現像工程にお
けるレジストパターン寸法のウェハ面内分布を低減させ
る。 【解決手段】 ポジ型のレジスト層１に所定パターンを
露光したのち、レジスト層１を現像する前に、前記所定
パターンを形成しない未露光領域のレジスト層１の表層
の溶解速度に面内分布を形成する。
けるレジストパターン寸法のウェハ面内分布を低減させ
る。 【解決手段】 ポジ型のレジスト層１に所定パターンを
露光したのち、レジスト層１を現像する前に、前記所定
パターンを形成しない未露光領域のレジスト層１の表層
の溶解速度に面内分布を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は現像方法及び露光装
置に関するものであり、特に、レジストの現像処理工程
における半導体ウェハ面内の現像速度分布のばらつきを
補正することを目的とした現像方法、及び、その工程に
用いる露光装置に関するものである。
置に関するものであり、特に、レジストの現像処理工程
における半導体ウェハ面内の現像速度分布のばらつきを
補正することを目的とした現像方法、及び、その工程に
用いる露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の集積度の向上に伴
い、パターンルールの微細化が要求されており、そのた
め寸法制御にも高い精度が要求され、半導体ウェハ面内
のパターン寸法を均一にする必要に迫られている
い、パターンルールの微細化が要求されており、そのた
め寸法制御にも高い精度が要求され、半導体ウェハ面内
のパターン寸法を均一にする必要に迫られている
【０００３】従来のフォトリソグラフィー工程において
は、まず、半導体ウェハ上に塗布されたレジスト層を、
要求する設計パターンに従って部分的に露光し、ポジ型
レジストの場合には、感光された部分を現像液により溶
解してパターンを形成している。
は、まず、半導体ウェハ上に塗布されたレジスト層を、
要求する設計パターンに従って部分的に露光し、ポジ型
レジストの場合には、感光された部分を現像液により溶
解してパターンを形成している。
【０００４】この様な現像工程においては、レジスト層
を塗布した半導体ウェハ上に、半導体ウェハを回転しな
がら、ノズルより現像液を滴下し、半導体ウェハ上に液
盛りして回転によって現像液を半導体ウェハ面全体に拡
げて現像することが一般に行なわれている。
を塗布した半導体ウェハ上に、半導体ウェハを回転しな
がら、ノズルより現像液を滴下し、半導体ウェハ上に液
盛りして回転によって現像液を半導体ウェハ面全体に拡
げて現像することが一般に行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な回転
滴下による現像法においては、現像後のレジストパター
ン寸法が、図６に示す様に半導体ウェハ面内で異なって
しまうという問題がある。
滴下による現像法においては、現像後のレジストパター
ン寸法が、図６に示す様に半導体ウェハ面内で異なって
しまうという問題がある。
【０００６】図６参照 図６は、レジストパターンの線幅の半導体ウェハ面内分
布を０．０１μｍ単位で示したもので、半導体ウェハ５
１の中心部における線幅が０．３２〜０．３３μｍであ
る場合、周辺部に行くにしたがって線幅が太くなる傾向
が見られ、半導体ウェハ５１の周辺部における線幅は
０．３７〜０．３８μｍで、中心部に比べて、０．０６
μｍ、即ち、約１８％程度太くなっている。
布を０．０１μｍ単位で示したもので、半導体ウェハ５
１の中心部における線幅が０．３２〜０．３３μｍであ
る場合、周辺部に行くにしたがって線幅が太くなる傾向
が見られ、半導体ウェハ５１の周辺部における線幅は
０．３７〜０．３８μｍで、中心部に比べて、０．０６
μｍ、即ち、約１８％程度太くなっている。
【０００７】この場合の現像液滴下用のノズルは、ウェ
ハセンターに設置したものや、中心からずらして配置し
たもの、或いは、複数本設けたもの等、各種あるが、例
えば、ポジ型レジストの場合には、ノズルから現像液が
滴下されて最初に当たる点、即ち、半導体ウェハの中心
部の線幅が細くなる傾向がある。
ハセンターに設置したものや、中心からずらして配置し
たもの、或いは、複数本設けたもの等、各種あるが、例
えば、ポジ型レジストの場合には、ノズルから現像液が
滴下されて最初に当たる点、即ち、半導体ウェハの中心
部の線幅が細くなる傾向がある。
【０００８】この原因は、色々考えられるが、まず、現
像液の浸食のタイム・ラグにより現像液量に半導体ウェ
ハ面内分布が生ずるため、即ち、最初に現像液と接触す
る半導体ウェハ５１の中心部がより現像されるため、線
幅が細くなると考えられる。
像液の浸食のタイム・ラグにより現像液量に半導体ウェ
ハ面内分布が生ずるため、即ち、最初に現像液と接触す
る半導体ウェハ５１の中心部がより現像されるため、線
幅が細くなると考えられる。
【０００９】また、ノズルから現像液が出て当たる箇
所、即ち、半導体ウェハ５１の中心部において、現像液
によるレジスト層に対する物理的ダメージが生じ、現像
後の線幅にばらつきが発生するものと考えられる。
所、即ち、半導体ウェハ５１の中心部において、現像液
によるレジスト層に対する物理的ダメージが生じ、現像
後の線幅にばらつきが発生するものと考えられる。
【００１０】さらに、回転により現像液を拡る際に、現
像液の拡がりに微小な分布があるため、これが現像液量
の半導体ウェハ面内分布となって、線幅にばらつきが生
ずるものと考えられる。
像液の拡がりに微小な分布があるため、これが現像液量
の半導体ウェハ面内分布となって、線幅にばらつきが生
ずるものと考えられる。
【００１１】したがって、本発明は、現像工程における
レジストパターン寸法のウェハ面内分布を低減させるこ
とを目的とする。
レジストパターン寸法のウェハ面内分布を低減させるこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、現像方法において、ポジ型のレジスト
層１に所定パターンを露光したのち、レジスト層１を現
像する前に、所定パターンを形成していない未露光領域
のレジスト層１の表層の溶解速度に面内分布を形成する
ことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、現像方法において、ポジ型のレジスト
層１に所定パターンを露光したのち、レジスト層１を現
像する前に、所定パターンを形成していない未露光領域
のレジスト層１の表層の溶解速度に面内分布を形成する
ことを特徴とする。
【００１３】この様に、回転滴下に伴う現像後のレジス
トパターン寸法の面内ばらつきを補正する様に、レジス
ト層１の表層の溶解速度に面内分布を形成することによ
り、フォトリソグラフィー工程の精度を高めることがで
きる。
トパターン寸法の面内ばらつきを補正する様に、レジス
ト層１の表層の溶解速度に面内分布を形成することによ
り、フォトリソグラフィー工程の精度を高めることがで
きる。
【００１４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、現像前に、レジスト層１の表層を部分的に紫外線照
射することにより、溶解速度を部分的に速めることを特
徴とする。
て、現像前に、レジスト層１の表層を部分的に紫外線照
射することにより、溶解速度を部分的に速めることを特
徴とする。
【００１５】この様に、ポジ型のレジスト層１の表層に
紫外線を照射することによって、照射された部分の溶解
速度を部分的に速めること、即ち、ウェハの周辺部を高
溶解速度部２とすることによって、回転滴下に伴う現像
後のレジストパターン寸法の面内ばらつきを効果的に補
正することができる。
紫外線を照射することによって、照射された部分の溶解
速度を部分的に速めること、即ち、ウェハの周辺部を高
溶解速度部２とすることによって、回転滴下に伴う現像
後のレジストパターン寸法の面内ばらつきを効果的に補
正することができる。
【００１６】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、現像前に、レジスト層１の表層を段階的に紫外線照
射することにより、溶解速度を段階的に速めることを特
徴とする。
て、現像前に、レジスト層１の表層を段階的に紫外線照
射することにより、溶解速度を段階的に速めることを特
徴とする。
【００１７】この様に、紫外線の照射を段階的に、即
ち、例えば、４段階にする場合には、ウェハの周辺部よ
り高溶解速度部２−中高溶解速度部４−中低溶解速度部
５−低溶解速度部３の様に、同心円状の分布を有する様
にすることによって、回転滴下に伴う現像後のレジスト
パターン寸法の面内ばらつきをより効果的に補正するこ
とができる。
ち、例えば、４段階にする場合には、ウェハの周辺部よ
り高溶解速度部２−中高溶解速度部４−中低溶解速度部
５−低溶解速度部３の様に、同心円状の分布を有する様
にすることによって、回転滴下に伴う現像後のレジスト
パターン寸法の面内ばらつきをより効果的に補正するこ
とができる。
【００１８】（４）また、本発明は、上記（１）におい
て、現像前に、レジスト層１を部分的に加熱すると共
に、レジスト層１の表層に遠紫外線を照射することによ
り、溶解速度を部分的に遅くすることを特徴とする。
て、現像前に、レジスト層１を部分的に加熱すると共
に、レジスト層１の表層に遠紫外線を照射することによ
り、溶解速度を部分的に遅くすることを特徴とする。
【００１９】この様に、レジスト層１を部分的温度分布
を有するホットプレート等を用いて部分的に加熱するこ
とによって、レジスト層１を架橋して部分的に硬化させ
ることによって、レジスト層１の溶解速度は遅くなるの
で、回転滴下に伴う現像後のレジストパターン寸法の面
内ばらつきを効果的に補正することができる。なお、遠
紫外線はレジスト層１の表層における架橋が生ずるよう
にするために照射するものである。
を有するホットプレート等を用いて部分的に加熱するこ
とによって、レジスト層１を架橋して部分的に硬化させ
ることによって、レジスト層１の溶解速度は遅くなるの
で、回転滴下に伴う現像後のレジストパターン寸法の面
内ばらつきを効果的に補正することができる。なお、遠
紫外線はレジスト層１の表層における架橋が生ずるよう
にするために照射するものである。
【００２０】（５）また、本発明は、上記（１）におい
て、現像前に、レジスト層１を段階的に加熱すると共
に、レジスト層１の表層に遠紫外線を照射することによ
り、溶解速度を段階的に遅くすることを特徴とする。
て、現像前に、レジスト層１を段階的に加熱すると共
に、レジスト層１の表層に遠紫外線を照射することによ
り、溶解速度を段階的に遅くすることを特徴とする。
【００２１】この様に、レジスト層１を段階的温度分布
を有するホットプレート等を用いて段階的に加熱するこ
とによって、レジスト層１を架橋して段階的に硬化させ
ることによって、レジスト層１の溶解速度は遅くなるの
で、回転滴下に伴う現像後のレジストパターン寸法の面
内ばらつきをより効果的に補正することができる。
を有するホットプレート等を用いて段階的に加熱するこ
とによって、レジスト層１を架橋して段階的に硬化させ
ることによって、レジスト層１の溶解速度は遅くなるの
で、回転滴下に伴う現像後のレジストパターン寸法の面
内ばらつきをより効果的に補正することができる。
【００２２】（６）また、本発明は、上記（４）または
（５）において、現像前に、レジスト層１の表層に遠紫
外線を部分的に照射することにより、照射された箇所の
溶解速度を遅くすることを特徴とする。
（５）において、現像前に、レジスト層１の表層に遠紫
外線を部分的に照射することにより、照射された箇所の
溶解速度を遅くすることを特徴とする。
【００２３】この様に、遠紫外線を部分的に照射するこ
とによって、温度分布によるレジスト層１の部分的硬化
或いは段階的硬化をより効果的に行なうことができる。
とによって、温度分布によるレジスト層１の部分的硬化
或いは段階的硬化をより効果的に行なうことができる。
【００２４】（７）また、本発明は、上記（１）におい
て、現像前に、レジスト層１を段階的に加熱して残存溶
媒量を減らすことにより、溶解速度を段階的に遅くする
ことを特徴とする。
て、現像前に、レジスト層１を段階的に加熱して残存溶
媒量を減らすことにより、溶解速度を段階的に遅くする
ことを特徴とする。
【００２５】この様に、段階的加熱処理、即ち、一般的
には比較的低温における段階的加熱処理によって、レジ
スト層１の残存溶媒量も段階的に減少し、残存量の少な
い部分において溶解度を遅くすることができる。
には比較的低温における段階的加熱処理によって、レジ
スト層１の残存溶媒量も段階的に減少し、残存量の少な
い部分において溶解度を遅くすることができる。
【００２６】（８）また、本発明は、露光装置におい
て、所定のパターンを露光したポジ型のレジスト層１の
溶解速度に面内分布を形成するための互いに異なった光
透過分布特性を有する複数のフィルタを備えたフィルタ
可動レボルバーを有することを特徴とする。
て、所定のパターンを露光したポジ型のレジスト層１の
溶解速度に面内分布を形成するための互いに異なった光
透過分布特性を有する複数のフィルタを備えたフィルタ
可動レボルバーを有することを特徴とする。
【００２７】現像装置のノズルの形状や、ウェハの回転
数等の違いに起因して、レジストパターン寸法の面内ば
らつきが異なるウェハを現像する際に、予め、各ウェハ
の面内ばらつきに対応する異なった光透過分布特性を有
する複数のフィルタを備えたフィルタ可動レボルバーを
設けることによって、異なった種類のウェハの現像に容
易に対処することができる。
数等の違いに起因して、レジストパターン寸法の面内ば
らつきが異なるウェハを現像する際に、予め、各ウェハ
の面内ばらつきに対応する異なった光透過分布特性を有
する複数のフィルタを備えたフィルタ可動レボルバーを
設けることによって、異なった種類のウェハの現像に容
易に対処することができる。
【００２８】（９）また、本発明は、露光装置におい
て、所定のパターンを露光したポジ型のレジスト層１の
溶解速度に面内分布を形成するための、面内温度分布を
設けたホットプレートを有することを特徴とする。
て、所定のパターンを露光したポジ型のレジスト層１の
溶解速度に面内分布を形成するための、面内温度分布を
設けたホットプレートを有することを特徴とする。
【００２９】レジスト層１を加熱処理する場合、段階的
温度制御領域を設けたホットプレートを用いて各温度制
御領域の温度を制御することによって、段階的温度分布
或いは部分的温度分布を任意に設定することができる。
温度制御領域を設けたホットプレートを用いて各温度制
御領域の温度を制御することによって、段階的温度分布
或いは部分的温度分布を任意に設定することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態を図２を参照して説明する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、第１の実施の形態に用いる露光装置の概
略的構成を示す図であり、半導体ウェハ１１を載置する
ステージ１２、ｉ線（３６５ｎｍ）を中心としたブロー
ドバンドの紫外線を発生するＨｇランプ１３、Ｈｇラン
プ１３からの光を反射して半導体ウェハ１１に照射する
楕円ミラー１４、照射する紫外線強度に分布を形成する
フィルタ１５から構成される。
態を図２を参照して説明する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、第１の実施の形態に用いる露光装置の概
略的構成を示す図であり、半導体ウェハ１１を載置する
ステージ１２、ｉ線（３６５ｎｍ）を中心としたブロー
ドバンドの紫外線を発生するＨｇランプ１３、Ｈｇラン
プ１３からの光を反射して半導体ウェハ１１に照射する
楕円ミラー１４、照射する紫外線強度に分布を形成する
フィルタ１５から構成される。
【００３１】図２（ｂ）参照 このフィルタ１５は、周辺部を構成する１００％透過ガ
ラス１６と、中心部を構成する５０％減衰色付きガラス
１７とによって構成され、例えば、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線を照射した場合に、中央部においては２５０ｍ
Ｗ／ｃｍ-3の光が照射されることになる。
ラス１６と、中心部を構成する５０％減衰色付きガラス
１７とによって構成され、例えば、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線を照射した場合に、中央部においては２５０ｍ
Ｗ／ｃｍ-3の光が照射されることになる。
【００３２】図２（ｃ）参照 まず、ｉ線ポジレジストを回転塗布した半導体ウェハ１
１に、ステッパーを用いて所定回路パターンを露光した
のち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次いで、図２
（ａ）に示した露光装置を用いて、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線をフィルタ１５を介して部分的に１０秒間照射
することによって、半導体ウェハ１１に塗布したレジス
ト層表面の周辺部は高溶解速度部１８となり、中央部は
低溶解速度部１９となる。
１に、ステッパーを用いて所定回路パターンを露光した
のち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次いで、図２
（ａ）に示した露光装置を用いて、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線をフィルタ１５を介して部分的に１０秒間照射
することによって、半導体ウェハ１１に塗布したレジス
ト層表面の周辺部は高溶解速度部１８となり、中央部は
低溶解速度部１９となる。
【００３３】なお、この紫外線照射によって、所定回路
パターンが露光された領域は既に露光されているので影
響を受けないが、所定回路パターンが露光されていない
未露光領域の表面の溶解速度が紫外線の照射量に応じて
変化することになる。
パターンが露光された領域は既に露光されているので影
響を受けないが、所定回路パターンが露光されていない
未露光領域の表面の溶解速度が紫外線の照射量に応じて
変化することになる。
【００３４】次いで、２．３８％のＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒ
ａＭｅｔｈｙｌｅ Ａｍｍｏｎｉｕｍ ＨｙｄｒｏＯｘ
ｙｃｉｄｅ）水溶液からなる現像液を、半導体ウェハ１
１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒間停
止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させながら１
５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
ａＭｅｔｈｙｌｅ Ａｍｍｏｎｉｕｍ ＨｙｄｒｏＯｘ
ｙｃｉｄｅ）水溶液からなる現像液を、半導体ウェハ１
１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒間停
止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させながら１
５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
【００３５】この場合、露光量３０％の変化に対して線
幅が１０％変化するレジスト、即ち、Ｅｘｐｏｓｕｒｅ
Ｌａｔｉｔｕｄｅが３０％のレジストを用いた場合に
は、露光量が５０％変化した場合には、線幅が約２０％
変化するので、図６の様な線幅分布に対して、０．０６
μｍの線幅差を故意に操作することができ、線幅の面内
分布を緩和することができる。
幅が１０％変化するレジスト、即ち、Ｅｘｐｏｓｕｒｅ
Ｌａｔｉｔｕｄｅが３０％のレジストを用いた場合に
は、露光量が５０％変化した場合には、線幅が約２０％
変化するので、図６の様な線幅分布に対して、０．０６
μｍの線幅差を故意に操作することができ、線幅の面内
分布を緩和することができる。
【００３６】次に、図３を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、第２の実施の形態に用いるフィルタ２０
を表すものであり、周辺部から中央部にかけて、１００
％透過ガラス２１−１０％減衰色付きガラス２２−３０
％減衰色付きガラス２３−５０％減衰色付きガラス２４
の様に段階的分布を持つ様に構成されている。
の形態を説明する。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、第２の実施の形態に用いるフィルタ２０
を表すものであり、周辺部から中央部にかけて、１００
％透過ガラス２１−１０％減衰色付きガラス２２−３０
％減衰色付きガラス２３−５０％減衰色付きガラス２４
の様に段階的分布を持つ様に構成されている。
【００３７】図３（ｂ）参照 まず、ｉ線ポジレジストを回転塗布した半導体ウェハ１
１に、ステッパーを用いて所定回路パターンを露光した
のち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次いで、図２
（ａ）に示した露光装置を用いて、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線をフィルタ２０を介して部分的に１０秒間照射
することによって、半導体ウェハ１１に塗布したレジス
ト層表面は、周辺部から中央部にかけて、高溶解速度部
２５−中高溶解速度部２６−中低溶解速度部２７−低溶
解速度部２８の様に、段階的な溶解速度分布が形成され
る。
１に、ステッパーを用いて所定回路パターンを露光した
のち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次いで、図２
（ａ）に示した露光装置を用いて、５００ｍＷ／ｃｍ-3
の紫外線をフィルタ２０を介して部分的に１０秒間照射
することによって、半導体ウェハ１１に塗布したレジス
ト層表面は、周辺部から中央部にかけて、高溶解速度部
２５−中高溶解速度部２６−中低溶解速度部２７−低溶
解速度部２８の様に、段階的な溶解速度分布が形成され
る。
【００３８】次いで、第１の実施の形態と同様に、２．
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
【００３９】この場合も、Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｌａｔｉ
ｔｕｄｅが３０％のレジストを用いた場合には、露光量
が５０％変化した場合には、線幅が約２０％変化するの
で、図６の様な線幅分布に対して、最大０．０６μｍの
線幅差を故意に操作することができ、線幅の面内分布を
より高精度に緩和することができる。
ｔｕｄｅが３０％のレジストを用いた場合には、露光量
が５０％変化した場合には、線幅が約２０％変化するの
で、図６の様な線幅分布に対して、最大０．０６μｍの
線幅差を故意に操作することができ、線幅の面内分布を
より高精度に緩和することができる。
【００４０】次に、図４を参照して、本発明の実施の形
態に用いるスキャン方式露光装置の概略的構成を説明す
る。 図４参照 このスキャン方式露光装置は、Ｈｇランプ１３からの紫
外線の形状を円弧スリット状光束３９に変化させてフィ
ルタ１５に導く、楕円ミラー１４、ミラー３０，３１、
フライアイレンズ３２、ミラー３３、レンズ３４、及
び、ミラー３５からなる光学系、互いに異なった紫外線
透過性分布を有するフィルタ１５を複数個（図の場合に
は４個）備えたフィルタ可動レボルバー２９、半導体ウ
ェハ１１を載置するステージ１２、及び、ステージ１２
上の半導体ウェハ１１にフィルタ１５からの紫外線を照
射する台形レンズ３６、凹面鏡３７、及び、凸面鏡３８
からなる光学系によってその概略が構成される。
態に用いるスキャン方式露光装置の概略的構成を説明す
る。 図４参照 このスキャン方式露光装置は、Ｈｇランプ１３からの紫
外線の形状を円弧スリット状光束３９に変化させてフィ
ルタ１５に導く、楕円ミラー１４、ミラー３０，３１、
フライアイレンズ３２、ミラー３３、レンズ３４、及
び、ミラー３５からなる光学系、互いに異なった紫外線
透過性分布を有するフィルタ１５を複数個（図の場合に
は４個）備えたフィルタ可動レボルバー２９、半導体ウ
ェハ１１を載置するステージ１２、及び、ステージ１２
上の半導体ウェハ１１にフィルタ１５からの紫外線を照
射する台形レンズ３６、凹面鏡３７、及び、凸面鏡３８
からなる光学系によってその概略が構成される。
【００４１】この場合、円弧スリット状光束３９をフィ
ルタ１５上でスキャンニングすることによって、半導体
ウェハ１１を光強度分布を形成した円弧スリット状光束
３９で矢印で示す様にスキャンニングするものである。
ルタ１５上でスキャンニングすることによって、半導体
ウェハ１１を光強度分布を形成した円弧スリット状光束
３９で矢印で示す様にスキャンニングするものである。
【００４２】また、この場合の各フィルタ１５は、紫外
線透過分布の段階が互いに異なったもの、例えば、２段
階、３段階、４段階、及び、５段階のフィルタ、或い
は、同じ段階でも各透過率領域の相対面積が異なるも
の、或いは、同じ段階でも各領域における透過率の関係
が異なるもの、即ち、減衰率が０−１０−３０−５０の
組み合わせ、０−２０−４０−６０の組み合わせ等を、
製造工程に組み込んでいる各種の現像装置のノズルの形
状やスピナーの回転数等に応じて予め各種設定してお
き、半導体ウェハを実際に現像する現像装置に応じて、
フィルタ１５を選択すれば良いので、各種の状況に容易
に対応することができる。
線透過分布の段階が互いに異なったもの、例えば、２段
階、３段階、４段階、及び、５段階のフィルタ、或い
は、同じ段階でも各透過率領域の相対面積が異なるも
の、或いは、同じ段階でも各領域における透過率の関係
が異なるもの、即ち、減衰率が０−１０−３０−５０の
組み合わせ、０−２０−４０−６０の組み合わせ等を、
製造工程に組み込んでいる各種の現像装置のノズルの形
状やスピナーの回転数等に応じて予め各種設定してお
き、半導体ウェハを実際に現像する現像装置に応じて、
フィルタ１５を選択すれば良いので、各種の状況に容易
に対応することができる。
【００４３】次に、図５を参照して、熱によるレジスト
層の硬化を利用する本発明の第３の実施の形態を説明す
る。 図５（ａ）参照 図５（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に用いる露光
装置、即ち、キュア装置の概略的構成を示す図であり、
半導体ウェハ１１を載置・加熱するホットプレート４
０、Ｈｇランプ１３からの波長１００〜３１４ｎｍの遠
紫外線（ＤｅｅｐＵＶ）を部分的に照射する開口部を有
する遮光板４１、及び、加熱による架橋反応の際に発生
するガスを排出する排気口４２によってその概略が構成
される。
層の硬化を利用する本発明の第３の実施の形態を説明す
る。 図５（ａ）参照 図５（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に用いる露光
装置、即ち、キュア装置の概略的構成を示す図であり、
半導体ウェハ１１を載置・加熱するホットプレート４
０、Ｈｇランプ１３からの波長１００〜３１４ｎｍの遠
紫外線（ＤｅｅｐＵＶ）を部分的に照射する開口部を有
する遮光板４１、及び、加熱による架橋反応の際に発生
するガスを排出する排気口４２によってその概略が構成
される。
【００４４】図５（ｂ）参照 このホットプレート４０は、例えば、第１加熱領域４
３、第２加熱領域４４、第３加熱領域４５、及び、第４
加熱領域４６の４つの領域から構成されており、夫々の
加熱領域の温度を任意に設定できるものである。
３、第２加熱領域４４、第３加熱領域４５、及び、第４
加熱領域４６の４つの領域から構成されており、夫々の
加熱領域の温度を任意に設定できるものである。
【００４５】本発明の第３の実施の形態の場合には、第
１加熱領域４３を１６０℃に設定し、第２加熱領域４４
乃至第４加熱領域４６を２０℃、即ち、非加熱に設定す
ることによって、中央部のみを部分的に加熱する様に設
定する。
１加熱領域４３を１６０℃に設定し、第２加熱領域４４
乃至第４加熱領域４６を２０℃、即ち、非加熱に設定す
ることによって、中央部のみを部分的に加熱する様に設
定する。
【００４６】まず、ｉ線ポジレジストを回転塗布した半
導体ウェハ１１に、ステッパーを用いて所定回路パター
ンを露光したのち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次
いで、図５（ａ）に示したキュア装置を用い、且つ、ホ
ットプレート４０の温度を上記の様に設定して加熱しな
がら、５００ｍＷ／ｃｍ-3の遠紫外線を遮光板４１を介
して半導体ウェハ１１の中心部に部分的に３０秒間照射
する。
導体ウェハ１１に、ステッパーを用いて所定回路パター
ンを露光したのち、９０℃で９０秒間ベークを行い、次
いで、図５（ａ）に示したキュア装置を用い、且つ、ホ
ットプレート４０の温度を上記の様に設定して加熱しな
がら、５００ｍＷ／ｃｍ-3の遠紫外線を遮光板４１を介
して半導体ウェハ１１の中心部に部分的に３０秒間照射
する。
【００４７】この工程において、部分的に加熱された中
心部においてはレジスト層の架橋が進行し、溶解速度が
低くなり、部分的な溶解速度分布が形成される。なお、
遠紫外線は、レジスト層の表層における架橋反応を助け
るものであり、第１加熱領域４３に応じた領域にのみ照
射する様にしても良いし、もっと広い範囲に照射する様
にしても良い。
心部においてはレジスト層の架橋が進行し、溶解速度が
低くなり、部分的な溶解速度分布が形成される。なお、
遠紫外線は、レジスト層の表層における架橋反応を助け
るものであり、第１加熱領域４３に応じた領域にのみ照
射する様にしても良いし、もっと広い範囲に照射する様
にしても良い。
【００４８】次いで、第１の実施の形態と同様に、２．
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
【００４９】この場合は、レジスト層表面の硬化によっ
て中央部の溶解速度が遅くなるので、図６の様な線幅分
布を緩和することができる。
て中央部の溶解速度が遅くなるので、図６の様な線幅分
布を緩和することができる。
【００５０】次に、温度分布を段階的に設けた本発明の
第４の実施の形態を説明する。この第４の実施の形態に
おいては、ホットプレート４０における第１加熱領域４
３を１６０℃、第２加熱領域４４を１４０℃、第３加熱
領域を１００℃、及び、第４加熱領域を２０℃の４段階
に設定するものである。
第４の実施の形態を説明する。この第４の実施の形態に
おいては、ホットプレート４０における第１加熱領域４
３を１６０℃、第２加熱領域４４を１４０℃、第３加熱
領域を１００℃、及び、第４加熱領域を２０℃の４段階
に設定するものである。
【００５１】まず、第３の実施の形態と同様に、ｉ線ポ
ジレジストを回転塗布した半導体ウェハ１１に、ステッ
パーを用いて所定回路パターンを露光したのち、９０℃
で９０秒間ベークを行い、次いで、図５（ａ）に示した
キュア装置を用い、且つ、ホットプレート４０の温度を
上記の様に４段階に設定して加熱しながら、５００ｍＷ
／ｃｍ-3の遠紫外線を遮光板４１を介して半導体ウェハ
１１の中心部に部分的に３０秒間照射する。
ジレジストを回転塗布した半導体ウェハ１１に、ステッ
パーを用いて所定回路パターンを露光したのち、９０℃
で９０秒間ベークを行い、次いで、図５（ａ）に示した
キュア装置を用い、且つ、ホットプレート４０の温度を
上記の様に４段階に設定して加熱しながら、５００ｍＷ
／ｃｍ-3の遠紫外線を遮光板４１を介して半導体ウェハ
１１の中心部に部分的に３０秒間照射する。
【００５２】この工程において、段階的に加熱されたレ
ジスト層の表面の架橋が段階的に進行し、ウェハの周辺
部から中央部にかけて段階的に溶解速度が遅くなり、段
階的な溶解速度分布が形成される。
ジスト層の表面の架橋が段階的に進行し、ウェハの周辺
部から中央部にかけて段階的に溶解速度が遅くなり、段
階的な溶解速度分布が形成される。
【００５３】次いで、第３の実施の形態と同様に、２．
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
【００５４】この場合は、レジスト層表面の段階的硬化
によって周辺部から中央部にかけてなだらかに溶解速度
が遅くなるので、図６の様な線幅分布をより高精度に緩
和することができる。
によって周辺部から中央部にかけてなだらかに溶解速度
が遅くなるので、図６の様な線幅分布をより高精度に緩
和することができる。
【００５５】次に、ホットプレート４０による加熱処理
をベーク工程として行なう、本発明の第５の実施の形態
を説明する。この第５の実施の形態においては、ホット
プレート４０における第１加熱領域４３を９５℃、第２
加熱領域４４を９４℃、第３加熱領域を９３℃、及び、
第４加熱領域を９０℃の４段階に設定するものである。
をベーク工程として行なう、本発明の第５の実施の形態
を説明する。この第５の実施の形態においては、ホット
プレート４０における第１加熱領域４３を９５℃、第２
加熱領域４４を９４℃、第３加熱領域を９３℃、及び、
第４加熱領域を９０℃の４段階に設定するものである。
【００５６】まず、ｉ線ポジレジストを回転塗布した半
導体ウェハ１１に、ステッパーを用いて所定回路パター
ンを露光したのち、図５（ａ）に示したキュア装置を用
い、且つ、ホットプレート４０の温度を上記の様に４段
階に設定してベーク処理を行なう。
導体ウェハ１１に、ステッパーを用いて所定回路パター
ンを露光したのち、図５（ａ）に示したキュア装置を用
い、且つ、ホットプレート４０の温度を上記の様に４段
階に設定してベーク処理を行なう。
【００５７】このベーク工程において、段階的に加熱さ
れたレジスト層内の残存溶媒の量が、加熱温度に応じて
変化、即ち、温度が高い領域で残存溶媒量が少なくなる
ので、ウェハの周辺部から中央部にかけて段階的に溶解
速度が遅くなり、段階的な溶解速度分布が形成される。
れたレジスト層内の残存溶媒の量が、加熱温度に応じて
変化、即ち、温度が高い領域で残存溶媒量が少なくなる
ので、ウェハの周辺部から中央部にかけて段階的に溶解
速度が遅くなり、段階的な溶解速度分布が形成される。
【００５８】次いで、第３の実施の形態と同様に、２．
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
３８％のＴＭＡＨ水溶液からなる現像液を、半導体ウェ
ハ１１を回転させながら６秒間滴下させたのち、７０秒
間停止させ、次いで、半導体ウェハ１１を回転させなが
ら１５秒間純水を滴下することによって現像液を除く。
【００５９】この場合は、レジスト層内の残存溶媒量の
段階的変化によって周辺部から中央部にかけてなだらか
に溶解速度が遅くなるので、図６の様な線幅分布を緩和
することができる。
段階的変化によって周辺部から中央部にかけてなだらか
に溶解速度が遅くなるので、図６の様な線幅分布を緩和
することができる。
【００６０】なお、上記の各実施の形態の説明において
は、フィルタの減衰率分布、或いは、ホットプレートの
温度分布を２段階（部分的）或いは４段階（段階的）に
しているが、用いるレジストの特性、或いは、現像装置
の特性に応じて任意の段階数に適宜設定しても良く、ま
た、同じ段階数でも各領域の相対面積、或いは、各領域
の相対減衰率・相対温度を適宜変化させても良い。
は、フィルタの減衰率分布、或いは、ホットプレートの
温度分布を２段階（部分的）或いは４段階（段階的）に
しているが、用いるレジストの特性、或いは、現像装置
の特性に応じて任意の段階数に適宜設定しても良く、ま
た、同じ段階数でも各領域の相対面積、或いは、各領域
の相対減衰率・相対温度を適宜変化させても良い。
【００６１】また、上記の第１の実施の形態の説明にお
いては、１００％透過ガラスと５０％減衰色付きガラス
でフィルタを構成しているが、１００％透過ガラスと１
００％減衰遮光板で構成しても良い。
いては、１００％透過ガラスと５０％減衰色付きガラス
でフィルタを構成しているが、１００％透過ガラスと１
００％減衰遮光板で構成しても良い。
【００６２】また、上記の第３及び第４の実施の形態に
おいては、遠紫外線を遮光板４１を介して部分的に照射
しているが、遮光板にフィルタの様な段階的透過率分布
を設けて段階的に照射する様にしても良いし、さらに
は、遠紫外線は架橋を助けるものであり、主たる作用は
加熱によるものであるので、多少、線幅分布緩和効果は
劣るものの全面に照射しても良いものである。
おいては、遠紫外線を遮光板４１を介して部分的に照射
しているが、遮光板にフィルタの様な段階的透過率分布
を設けて段階的に照射する様にしても良いし、さらに
は、遠紫外線は架橋を助けるものであり、主たる作用は
加熱によるものであるので、多少、線幅分布緩和効果は
劣るものの全面に照射しても良いものである。
【００６３】また、本発明の露光装置或いはキュア装置
は、単独で構成しても良いし、或いは、現像装置とゲー
トバルブ等を介してインライン接続しても良いし、さら
には、現像装置と一体化しても良い。
は、単独で構成しても良いし、或いは、現像装置とゲー
トバルブ等を介してインライン接続しても良いし、さら
には、現像装置と一体化しても良い。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、レジスト層の表面に溶
解速度の分布を形成することにより、現像液の浸食のタ
イム・ラグや現像液による物理的ダメージ等による現像
ムラを補償し、現像時の全体的な溶解速度を均一化する
ことできるので、パターン寸法の正確な制御が可能にな
り、半導体集積回路装置の高集積化、製造歩留り向上に
寄与するところが大きい。
解速度の分布を形成することにより、現像液の浸食のタ
イム・ラグや現像液による物理的ダメージ等による現像
ムラを補償し、現像時の全体的な溶解速度を均一化する
ことできるので、パターン寸法の正確な制御が可能にな
り、半導体集積回路装置の高集積化、製造歩留り向上に
寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に用いるスキャン方式露光
装置の説明図である。
装置の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図６】従来の現像工程における線幅の半導体ウェハ面
内分布の説明図である。
内分布の説明図である。
１ レジスト層 ２ 高溶解速度部 ３ 低溶解速度部 ４ 中高溶解速度部 ５ 中低溶解速度部 １１ 半導体ウェハ １２ ステージ １３ Ｈｇランプ １４ 楕円ミラー １５ フィルタ １６ １００％透過ガラス １７ ５０％減衰色付きガラス １８ 高溶解速度部 １９ 低溶解速度部 ２０ フィルタ ２１ １００％透過ガラス ２２ １０％減衰色付きガラス ２３ ３０％減衰色付きガラス ２４ ５０％減衰色付きガラス ２５ 高溶解速度部 ２６ 中高溶解速度部 ２７ 中低溶解速度部 ２８ 低溶解速度部 ２９ フィルタ可動レボルバー ３０ ミラー ３１ ミラー ３２ フライアレンズ ３３ ミラー ３４ レンズ ３５ ミラー ３６ 台形ミラー ３７ 凹面鏡 ３８ 凸面鏡 ３９ 円弧スリット状光束 ４０ ホットプレート ４１ 遮光板 ４２ 排気口 ４３ 第１加熱領域 ４４ 第２加熱領域 ４５ 第３加熱領域 ４６ 第４加熱領域 ５１ 半導体ウェハ
Claims (9)
- 【請求項１】 ポジ型のレジスト層に所定パターンを露
光したのち、前記レジスト層を現像する前に、前記所定
パターンを形成していない未露光領域における前記レジ
スト層の表層の溶解速度に面内分布を形成することを特
徴とする現像方法。 - 【請求項２】 上記現像前に、上記レジスト層の表層を
部分的に紫外線照射することにより、溶解速度を部分的
に速めることを特徴とする請求項１記載の現像方法。 - 【請求項３】 上記現像前に、上記レジスト層の表層を
段階的に紫外線照射することにより、溶解速度を段階的
に速めることを特徴とする請求項１記載の現像方法。 - 【請求項４】 上記現像前に、上記レジスト層を部分的
に加熱すると共に、前記レジスト層の表層を遠紫外線を
照射することにより、溶解速度を部分的に遅くすること
を特徴とする請求項１記載の現像方法。 - 【請求項５】 上記現像前に、上記レジスト層を段階的
に加熱すると共に、前記レジスト層の表層を遠紫外線を
照射することにより、溶解速度を段階的に遅くすること
を特徴とする請求項１記載の現像方法。 - 【請求項６】 上記遠紫外線を部分的に照射することに
より、溶解速度を遅くすることを特徴とする請求項４ま
たは５に記載の現像方法。 - 【請求項７】 上記現像前に、上記レジスト層を段階的
に加熱して残存溶媒量を減らすことにより、溶解速度を
段階的に遅くすることを特徴とする請求項１記載の現像
方法。 - 【請求項８】 所定のパターンを露光したポジ型のレジ
スト層の溶解速度に面内分布を形成するための互いに異
なった光透過分布特性を有する複数のフィルタを備えた
フィルタ可動レボルバーを有することを特徴とする露光
装置。 - 【請求項９】 所定のパターンを露光したポジ型のレジ
スト層の溶解速度に面内分布を形成するための面内温度
分布を設けたホットプレートを有することを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22951796A JP3582038B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 現像方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22951796A JP3582038B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 現像方法及び露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074678A true JPH1074678A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3582038B2 JP3582038B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=16893421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22951796A Expired - Fee Related JP3582038B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 現像方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3582038B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332659A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ特性向上 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184330A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Nec Corp | フオトレジストのベ−ク装置 |
| JPS63204615A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | レジスト膜パタ−ン形成方法 |
| JPH0446346A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07253676A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JPH08107057A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | ベーキング方法および装置 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22951796A patent/JP3582038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184330A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Nec Corp | フオトレジストのベ−ク装置 |
| JPS63204615A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | レジスト膜パタ−ン形成方法 |
| JPH0446346A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07253676A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JPH08107057A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | ベーキング方法および装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332659A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ特性向上 |
| US7738075B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic attribute enhancement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3582038B2 (ja) | 2004-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5718991A (en) | Method for making photomasks having regions of different light transmissivities | |
| US5055871A (en) | Method and apparatus for enhancing illumination uniformity in wafer steppers using photochromic glass in the optical path | |
| KR100630692B1 (ko) | 포토마스크 및 포토마스크의 투과율 보정 방법 | |
| US5097137A (en) | Light irradiation apparatus used in manufacturing semiconductor device | |
| KR100549953B1 (ko) | 스피너설비의 베이크장치 | |
| JPH1074678A (ja) | 現像方法及び露光装置 | |
| JP2003107721A (ja) | マイクロレンズの製造方法、物品の製造方法、レジスト層の加工方法、および、マイクロレンズ | |
| JP2001326153A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR19990071372A (ko) | 반도체소자의 제조장비, 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성방법 및 이를 적용한 반도체소자 제조용 포토레지스트 | |
| JP2003107209A (ja) | マイクロレンズの製造方法、グレースケールマスク、グレースケールマスクの製造方法、物品の製造方法、および、マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| KR20040005483A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성 방법 | |
| JP6538592B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2002351049A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH02177420A (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPS63244623A (ja) | ホトレジストの硬化方法 | |
| JPH08286002A (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
| CN118534732A (zh) | 基于光刻胶展宽的轮廓图案形成工艺及微观轮廓图案结构 | |
| KR0141156B1 (ko) | 마스크의 리페어방법 | |
| JPS6358931A (ja) | フオト・レジスト光硬化用紫外線硬化装置 | |
| KR20100022276A (ko) | 반도체 제조 설비의 베이킹 장치 | |
| KR20060005741A (ko) | 반도체 제조용 노광장비의 출력 커플러 | |
| KR920002025B1 (ko) | 원자외선을 이용한 감광성 내식막 경화방법 | |
| JPH04195042A (ja) | 感光性樹脂膜の形成方法 | |
| JPH09232224A (ja) | レジストパターンの形成方法およびそれに用いる露光装置 | |
| JPS63133628A (ja) | ポジ型フオトレジストの処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040520 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040706 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040716 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |