JPH1074702A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH1074702A JPH1074702A JP23037596A JP23037596A JPH1074702A JP H1074702 A JPH1074702 A JP H1074702A JP 23037596 A JP23037596 A JP 23037596A JP 23037596 A JP23037596 A JP 23037596A JP H1074702 A JPH1074702 A JP H1074702A
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- semiconductor manufacturing
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応ガスを整流することによって、ウェーハ
上に均一で高品質の成膜を得る。 【解決手段】 ウェーハ６より上流側の流路に整流板４
を設置して、反応管１内に導入した反応ガス７を整流す
る。整流板４は例えばハニカム構造体とする。ウェーハ
６は回転しない固定系のサセプタ５で保持し、固定した
ウェーハ６に整流した反応ガスを当ててウェーハ６上に
成膜する。
上に均一で高品質の成膜を得る。 【解決手段】 ウェーハ６より上流側の流路に整流板４
を設置して、反応管１内に導入した反応ガス７を整流す
る。整流板４は例えばハニカム構造体とする。ウェーハ
６は回転しない固定系のサセプタ５で保持し、固定した
ウェーハ６に整流した反応ガスを当ててウェーハ６上に
成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、特に反応管内の反応ガスを整流するための装置に関
する。
り、特に反応管内の反応ガスを整流するための装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置にあっては、図４
に示すように、反応管１１内に回転台１５を設け、回転
台１５上に載せたウェーハ１６を回転軸１４により回転
させ、ウェーハ１６に反応ガス１７を均一に当て、これ
により均一な成膜を得ている。
に示すように、反応管１１内に回転台１５を設け、回転
台１５上に載せたウェーハ１６を回転軸１４により回転
させ、ウェーハ１６に反応ガス１７を均一に当て、これ
により均一な成膜を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の装置では次のような問題があった。
の装置では次のような問題があった。
【０００４】(1) ウェーハ１６を回転させることによ
り、ウェーハ１６上に反応ガスを均一に当てるようにし
ているが、反応管１１内への導入時に作られた反応ガス
自体の流速の不均一や乱れが除去されていないために、
必ずしも満足のいく均一な成膜が得られなかった。
り、ウェーハ１６上に反応ガスを均一に当てるようにし
ているが、反応管１１内への導入時に作られた反応ガス
自体の流速の不均一や乱れが除去されていないために、
必ずしも満足のいく均一な成膜が得られなかった。
【０００５】(2) 回転台１５を回転させるための機構が
必要であるため装置が複雑になる。 (3) 回転によりゴミの発生が生じる。
必要であるため装置が複雑になる。 (3) 回転によりゴミの発生が生じる。
【０００６】(4) 回転軸を反応室へ導入する必要がある
ため反応管１１内の真空の維持が難しい。
ため反応管１１内の真空の維持が難しい。
【０００７】本発明の目的は、反応ガスを整流すること
によって、上述した従来技術の問題点を解消して、ウェ
ーハ上に均一で高品質の成膜を得ることができる半導体
製造装置を提供することにある。
によって、上述した従来技術の問題点を解消して、ウェ
ーハ上に均一で高品質の成膜を得ることができる半導体
製造装置を提供することにある。
【０００８】また、本発明の目的は、ウェーハ回転機構
を廃し、ごみの発生や真空の維持の問題を解消して、簡
単な構造でウェーハ上に均一で高品質の成膜を得ること
ができる半導体製造装置を提供することにある。
を廃し、ごみの発生や真空の維持の問題を解消して、簡
単な構造でウェーハ上に均一で高品質の成膜を得ること
ができる半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、反応管内に導入した反応ガスをウェーハに当ててウ
ェーハ上に成膜を施す半導体製造装置において、反応炉
内に導入した反応ガスを整流する整流板をウェーハより
上流側の流路に設置したことを特徴とする半導体製造装
置である。反応管内に導入された反応ガスが整流板によ
り整流されてウェーハに均一に当たるようになると、ウ
ェーハを回転させなくてもウェーハ上に均一に成膜する
ことができる。ウェーハを回転させるとウェーハ上に、
より均一に成膜することができる。
は、反応管内に導入した反応ガスをウェーハに当ててウ
ェーハ上に成膜を施す半導体製造装置において、反応炉
内に導入した反応ガスを整流する整流板をウェーハより
上流側の流路に設置したことを特徴とする半導体製造装
置である。反応管内に導入された反応ガスが整流板によ
り整流されてウェーハに均一に当たるようになると、ウ
ェーハを回転させなくてもウェーハ上に均一に成膜する
ことができる。ウェーハを回転させるとウェーハ上に、
より均一に成膜することができる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、上記整流板がハ
ニカム構造体である請求項１に記載の半導体製造装置で
ある。整流板は多孔材や網あるいは整流格子などでもよ
いが、特にハニカム構造体にすると、流速の不均一や乱
れをより有効に除去できる。
ニカム構造体である請求項１に記載の半導体製造装置で
ある。整流板は多孔材や網あるいは整流格子などでもよ
いが、特にハニカム構造体にすると、流速の不均一や乱
れをより有効に除去できる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、上記ウェーハを
固定系のサセプタで保持した請求項１ないし３のいずれ
かに記載の半導体製造装置である。ウェーハを回転させ
る必要がなくなるので、ウェーハ回転機構が不要とな
り、回転軸を反応室へ導入する必要もなくなる。
固定系のサセプタで保持した請求項１ないし３のいずれ
かに記載の半導体製造装置である。ウェーハを回転させ
る必要がなくなるので、ウェーハ回転機構が不要とな
り、回転軸を反応室へ導入する必要もなくなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図１は半導体製造装置の縦型炉を構
成する反応管の断面図、図２はハニカム構造体の斜視
図、図３はハニカム構造体の平面図である。
を用いて説明する。図１は半導体製造装置の縦型炉を構
成する反応管の断面図、図２はハニカム構造体の斜視
図、図３はハニカム構造体の平面図である。
【００１３】反応管１は上下に閉じた円筒形をしてお
り、上部に反応ガス７を導入する導入口２を、下部に使
用済みの排気ガス８を排出する排気口３を形成してあ
る。反応管１内には、ウェーハ６を載置するためのサセ
プタ５が設けられ、このサセプタ５は回転しない固定系
となっている。導入口２の下流側であって、ウェーハ６
より上流側の反応ガス流路に反応ガスを整流する整流板
４を設置してある。この整流板４は、図２または図３に
示すように、ハニカム構造体で構成され、その多数の貫
通孔９は、整流された反応ガスがウェーハ６に対して垂
直に当たるように、上下に向けて設置される。
り、上部に反応ガス７を導入する導入口２を、下部に使
用済みの排気ガス８を排出する排気口３を形成してあ
る。反応管１内には、ウェーハ６を載置するためのサセ
プタ５が設けられ、このサセプタ５は回転しない固定系
となっている。導入口２の下流側であって、ウェーハ６
より上流側の反応ガス流路に反応ガスを整流する整流板
４を設置してある。この整流板４は、図２または図３に
示すように、ハニカム構造体で構成され、その多数の貫
通孔９は、整流された反応ガスがウェーハ６に対して垂
直に当たるように、上下に向けて設置される。
【００１４】導入口２より反応ガス７が反応管１内に導
入されると、導入される際の反応ガスの流速の不均一や
乱れが除去され、均一な流れが形成され、それがウェー
ハ６上に垂直に当たり、ウェーハ６上に均一で高品質の
成膜がなされる。
入されると、導入される際の反応ガスの流速の不均一や
乱れが除去され、均一な流れが形成され、それがウェー
ハ６上に垂直に当たり、ウェーハ６上に均一で高品質の
成膜がなされる。
【００１５】以上述べたように本実施の形態によれば、
反応ガスの流路にハニカム構造体を設置することによっ
て、反応管内への導入時に作られた反応ガス自体の流速
の不均一や乱れを除去しているために、満足のいく均一
な成膜が得られる。また、回転台を回転させるための機
構を必要としないため装置が非常に単純となり、ゴミの
発生も生じない。また、回転軸を反応室へ導入する必要
がないため、反応管１内の真空の維持が容易になる。
反応ガスの流路にハニカム構造体を設置することによっ
て、反応管内への導入時に作られた反応ガス自体の流速
の不均一や乱れを除去しているために、満足のいく均一
な成膜が得られる。また、回転台を回転させるための機
構を必要としないため装置が非常に単純となり、ゴミの
発生も生じない。また、回転軸を反応室へ導入する必要
がないため、反応管１内の真空の維持が容易になる。
【００１６】なお、ウェーハは例えばシリコンウェーハ
である。またハニカム構造体は反応管と同様に石英製が
好ましい。上記実施の形態では、縦型炉について説明し
たが、本発明は横型炉にも適用できる。
である。またハニカム構造体は反応管と同様に石英製が
好ましい。上記実施の形態では、縦型炉について説明し
たが、本発明は横型炉にも適用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、反応管の流路に整流板
を設置したので、ウェーハ上に均一で高品質な成膜を得
ることができる。また、ウェーハを回転しなくても、均
一で高品質な成膜が得られるので、ウェーハを固定系で
保持することができる。特にウェーハを固定系で保持す
るようにした場合には、ウェーハ回転機構が不要とな
り、回転軸を反応室へ導入する必要もないので、装置の
信頼性が向上する。
を設置したので、ウェーハ上に均一で高品質な成膜を得
ることができる。また、ウェーハを回転しなくても、均
一で高品質な成膜が得られるので、ウェーハを固定系で
保持することができる。特にウェーハを固定系で保持す
るようにした場合には、ウェーハ回転機構が不要とな
り、回転軸を反応室へ導入する必要もないので、装置の
信頼性が向上する。
【図１】本発明の実施の形態による反応管の側断面図で
ある。
ある。
【図２】本実施の形態による整流板の斜視図である。
【図３】本実施の形態による整流板の平面図である。
【図４】従来例の反応管の側断面図である。
１ 反応管 ４ 整流板 ５ サセプタ ６ ウェーハ ７ 反応ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 毅 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 米満 修司 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】反応管内に導入した反応ガスをウェーハに
当ててウェーハ上に成膜を施す半導体製造装置におい
て、 反応炉内に導入した反応ガスを整流する整流板をウェー
ハより上流側の流路に設置したことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】上記整流板がハニカム構造体である請求項
１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】上記ウェーハを固定系のサセプタで保持し
た請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037596A JPH1074702A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23037596A JPH1074702A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074702A true JPH1074702A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16906886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23037596A Pending JPH1074702A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012167865A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Ulvac-Riko Inc | 熱処理装置 |
| JP2014520201A (ja) * | 2011-03-23 | 2014-08-21 | ピルキントン グループ リミテッド | 薄膜コーティングを被覆するための装置およびこのような装置を用いた被覆方法 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23037596A patent/JPH1074702A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012167865A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Ulvac-Riko Inc | 熱処理装置 |
| JP2014520201A (ja) * | 2011-03-23 | 2014-08-21 | ピルキントン グループ リミテッド | 薄膜コーティングを被覆するための装置およびこのような装置を用いた被覆方法 |
| JP2017040004A (ja) * | 2011-03-23 | 2017-02-23 | ピルキントン グループ リミテッド | 薄膜コーティングを被覆するための装置およびこのような装置を用いた被覆方法 |
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