JPH1074800A - 半導体装置の実装構造、実装用基板および実装状 態の検査方法 - Google Patents
半導体装置の実装構造、実装用基板および実装状 態の検査方法Info
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- JPH1074800A JPH1074800A JP8228933A JP22893396A JPH1074800A JP H1074800 A JPH1074800 A JP H1074800A JP 8228933 A JP8228933 A JP 8228933A JP 22893396 A JP22893396 A JP 22893396A JP H1074800 A JPH1074800 A JP H1074800A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置と基板との接続状態を容易に検査
する。 【解決手段】 半導体チップ1は、外部電極2上に形成
されたはんだバンプ3を介して配線基板4上に形成され
た2つの実装用パッド5aおよび5bに接続されてい
る。半導体チップ1上に形成された外部電極2の一つに
対応するように配線基板4上に設けられた2つの実装用
パッド5aおよび5bは、内部配線7によって別々の外
部パッド6aおよび6bに接続されている。実装用パッ
ド5aおよび5bは、半導体チップ1と配線基板4との
接続状態が良好であれば、はんだバンプ3を介して互い
に接続されている。したがって、実装用パッド5aおよ
び5bと接続された外部パッド6aおよび6bとの間の
導通状態を検査することによって、はんだバンプ3が実
装用パッド6aおよび6bに確実に接続されていること
を確認することができる。
する。 【解決手段】 半導体チップ1は、外部電極2上に形成
されたはんだバンプ3を介して配線基板4上に形成され
た2つの実装用パッド5aおよび5bに接続されてい
る。半導体チップ1上に形成された外部電極2の一つに
対応するように配線基板4上に設けられた2つの実装用
パッド5aおよび5bは、内部配線7によって別々の外
部パッド6aおよび6bに接続されている。実装用パッ
ド5aおよび5bは、半導体チップ1と配線基板4との
接続状態が良好であれば、はんだバンプ3を介して互い
に接続されている。したがって、実装用パッド5aおよ
び5bと接続された外部パッド6aおよび6bとの間の
導通状態を検査することによって、はんだバンプ3が実
装用パッド6aおよび6bに確実に接続されていること
を確認することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのフ
ェイスダウン接続による実装あるいはBGA(Ball
Grid Array)パッケージ実装に関する半導
体装置の実装構造、実装用基板および実装状態の検査方
法に関する。
ェイスダウン接続による実装あるいはBGA(Ball
Grid Array)パッケージ実装に関する半導
体装置の実装構造、実装用基板および実装状態の検査方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の実装構造
は、半導体チップあるいはBGAパッケージに形成され
た一つの電極に対して、実装用基板に形成された一つの
パッドを一対一で対応させている。
は、半導体チップあるいはBGAパッケージに形成され
た一つの電極に対して、実装用基板に形成された一つの
パッドを一対一で対応させている。
【0003】ここで、従来の半導体装置の実装構造につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【0004】図7を参照すると、半導体チップ1の外部
電極2と半導体チップ1を実装する配線基板4の実装用
パッド5とが一対一で対応し、はんだバンプ3を介して
外部電極2と実装用パッド5とが接続されている。配線
基板4の実装用パッド5は内部配線7を用いて他の外部
パッド6に配線されている。
電極2と半導体チップ1を実装する配線基板4の実装用
パッド5とが一対一で対応し、はんだバンプ3を介して
外部電極2と実装用パッド5とが接続されている。配線
基板4の実装用パッド5は内部配線7を用いて他の外部
パッド6に配線されている。
【0005】また、本発明に関連する技術が、特開平6
−310565号公報に開示されている。この従来の実
装構造では、一つのバンプに対して複数のバンプを対応
させて半導体装置と基板とが接続されている。しかしな
がら、半導体装置上に形成された一つの電極と一対一に
対応させて一つの電極が基板上に形成されている点では
前述の図で示された従来技術と同様である。
−310565号公報に開示されている。この従来の実
装構造では、一つのバンプに対して複数のバンプを対応
させて半導体装置と基板とが接続されている。しかしな
がら、半導体装置上に形成された一つの電極と一対一に
対応させて一つの電極が基板上に形成されている点では
前述の図で示された従来技術と同様である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来の実装構造で
は、半導体装置と配線基板との間の接続された部分が、
半導体装置の下側に隠れてしまうために、顕微鏡等を用
いても、半導体装置と配線基板との接続状態を確認する
ことは極めて困難である。特に、図8に示されるよう
に、半導体チップ上に形成された外部電極が、半導体チ
ップの外周部だけでなく、その内側にも形成されて二重
に設けられている場合、内側に形成された電極部分の接
続状態を実装後に外部から確認することは不可能であ
る。
は、半導体装置と配線基板との間の接続された部分が、
半導体装置の下側に隠れてしまうために、顕微鏡等を用
いても、半導体装置と配線基板との接続状態を確認する
ことは極めて困難である。特に、図8に示されるよう
に、半導体チップ上に形成された外部電極が、半導体チ
ップの外周部だけでなく、その内側にも形成されて二重
に設けられている場合、内側に形成された電極部分の接
続状態を実装後に外部から確認することは不可能であ
る。
【0007】また、半導体チップの代わりにBGAパッ
ケージを配線基板に接続する場合でも、BGAパッケー
ジのはんだバンプは、図9に示されるように、パッケー
ジの下面に格子状に形成されているため、このパッケー
ジを配線基板に実装した後に、その接続状態を直接外部
から目視して確認することは不可能である。なお、この
ようなBGAパッケージと配線基板との接続状態は、X
線を照射することによって形成されるはんだの影の大き
さに基づいて調べることができる。しかしながら、この
方法では、はんだ不足やはんだ塗れ不良によるオープン
不良については、ほとんど調べることができない。X線
の照射方法を工夫することによってある程度これらの不
良についても観察することが可能であるが、処理時間や
コスト等の問題を考慮すると量産工程に適用することは
できない。
ケージを配線基板に接続する場合でも、BGAパッケー
ジのはんだバンプは、図9に示されるように、パッケー
ジの下面に格子状に形成されているため、このパッケー
ジを配線基板に実装した後に、その接続状態を直接外部
から目視して確認することは不可能である。なお、この
ようなBGAパッケージと配線基板との接続状態は、X
線を照射することによって形成されるはんだの影の大き
さに基づいて調べることができる。しかしながら、この
方法では、はんだ不足やはんだ塗れ不良によるオープン
不良については、ほとんど調べることができない。X線
の照射方法を工夫することによってある程度これらの不
良についても観察することが可能であるが、処理時間や
コスト等の問題を考慮すると量産工程に適用することは
できない。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の半導体装置の実装構造は、半導体装置上
に形成される外部電極の一つに対して、少なくとも2つ
以上に分割された実装用パッドを対応させて基板上に設
け、外部電極をはんだバンプを介して実装用パッドに接
続したものである。
めに、本発明の半導体装置の実装構造は、半導体装置上
に形成される外部電極の一つに対して、少なくとも2つ
以上に分割された実装用パッドを対応させて基板上に設
け、外部電極をはんだバンプを介して実装用パッドに接
続したものである。
【0009】また、本発明の実装状態の検査方法は、前
述の半導体装置の実装構造において、分割された2つ以
上の実装用パッド間の導通状態を検査することによっ
て、はんだバンプと実装用パッドとの接続状態を検査す
るものである。
述の半導体装置の実装構造において、分割された2つ以
上の実装用パッド間の導通状態を検査することによっ
て、はんだバンプと実装用パッドとの接続状態を検査す
るものである。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施形態に
ついて図面を参照して詳細に説明する。
ついて図面を参照して詳細に説明する。
【0011】本実施形態は、半導体チップを配線基板に
実装するものであって、特に半導体チップ上に形成され
た一つの電極に対して、配線基板上に形成された少なく
とも2つ以上の実装用パッドを対応させて接続するもの
である。そして、半導体チップ上の一つの電極と接続さ
れた実装用パッド間の導通状態を検査することによっ
て、半導体チップと配線基板との接続状態を検査するも
のである。
実装するものであって、特に半導体チップ上に形成され
た一つの電極に対して、配線基板上に形成された少なく
とも2つ以上の実装用パッドを対応させて接続するもの
である。そして、半導体チップ上の一つの電極と接続さ
れた実装用パッド間の導通状態を検査することによっ
て、半導体チップと配線基板との接続状態を検査するも
のである。
【0012】図1は、本実施形態の実装構造を示す図で
あり、図2は、図1に示される配線基板を示す平面図で
ある。図1を参照すると、半導体チップ1は、外部電極
2上に形成されたはんだバンプ3を介して配線基板4上
に形成された2つの実装用パッド5aおよび5bに接続
されている。なお、はんだバンプ2は、Sn/Pb、S
n/AgあるいはSn/In等のはんだ材料により形成
されている。また、配線基板4は、プリント基板、セラ
ミック基板あるいはフレキシブル基板等により形成され
る。実装用パッド5aおよび5bは、金あるいは銅等の
導通に優れた金属あるいはそれらの金属上にはんだコー
トが施された材料により形成されており、かつ円形のパ
ッドが分割されて得られる2つの半円状のパッドで1対
をなしている。
あり、図2は、図1に示される配線基板を示す平面図で
ある。図1を参照すると、半導体チップ1は、外部電極
2上に形成されたはんだバンプ3を介して配線基板4上
に形成された2つの実装用パッド5aおよび5bに接続
されている。なお、はんだバンプ2は、Sn/Pb、S
n/AgあるいはSn/In等のはんだ材料により形成
されている。また、配線基板4は、プリント基板、セラ
ミック基板あるいはフレキシブル基板等により形成され
る。実装用パッド5aおよび5bは、金あるいは銅等の
導通に優れた金属あるいはそれらの金属上にはんだコー
トが施された材料により形成されており、かつ円形のパ
ッドが分割されて得られる2つの半円状のパッドで1対
をなしている。
【0013】半導体チップ1上に形成された電極2の一
つに対応するように配線基板4上に設けられた2つの実
装用パッド5aおよび5bは、内部配線7によって別々
の外部パッド6aおよび6bに接続されている。ここ
で、外部パッド6aは、配線基板4の半導体チップ1側
の表面に形成され、一方、外部パッド6bは、外部パッ
ド6aが形成された面に対向する面(裏面)に形成され
ている。
つに対応するように配線基板4上に設けられた2つの実
装用パッド5aおよび5bは、内部配線7によって別々
の外部パッド6aおよび6bに接続されている。ここ
で、外部パッド6aは、配線基板4の半導体チップ1側
の表面に形成され、一方、外部パッド6bは、外部パッ
ド6aが形成された面に対向する面(裏面)に形成され
ている。
【0014】実装用パッド5aおよび5bは、半導体チ
ップ1と配線基板4との接続状態が良好であれば、はん
だバンプ3を介して互いに接続されている。したがっ
て、実装用パッド5aおよび5bと接続された外部パッ
ド6aおよび6bとの間の導通状態を検査することによ
って、はんだバンプ3が実装用パッド6aおよび6bに
確実に接続されていることを確認することができる。
ップ1と配線基板4との接続状態が良好であれば、はん
だバンプ3を介して互いに接続されている。したがっ
て、実装用パッド5aおよび5bと接続された外部パッ
ド6aおよび6bとの間の導通状態を検査することによ
って、はんだバンプ3が実装用パッド6aおよび6bに
確実に接続されていることを確認することができる。
【0015】図2を参照すると、配線基板4上に形成さ
れた実装用パッド5aに接続された導通状態検査用の外
部パッド6aが、配線基板4の外周部に設けられてい
る。特に、配線基板4表面の内側に形成された実装用パ
ッド5a’に接続された導通検査用の外部パッド6a’
も配線基板4の外周部に設けられている。したがって、
配線基板4表面の外周部に設けられた外部パッド6a
(6a’)と配線基板4の裏面に設けられた外部パッド
6bとの間の導通状態を検査することによって、半導体
チップ1の内側部分に形成された電極と配線基板4との
接続状態も容易に確認することができる。
れた実装用パッド5aに接続された導通状態検査用の外
部パッド6aが、配線基板4の外周部に設けられてい
る。特に、配線基板4表面の内側に形成された実装用パ
ッド5a’に接続された導通検査用の外部パッド6a’
も配線基板4の外周部に設けられている。したがって、
配線基板4表面の外周部に設けられた外部パッド6a
(6a’)と配線基板4の裏面に設けられた外部パッド
6bとの間の導通状態を検査することによって、半導体
チップ1の内側部分に形成された電極と配線基板4との
接続状態も容易に確認することができる。
【0016】次に、本発明の第2の実施形態を図3を参
照して説明する。
照して説明する。
【0017】本実施形態の実装構造は、その大部分の構
成が前述の第1の実施形態と同様であって、半導体チッ
プ1を配線基板4に実装する代わりに、BGAパッケー
ジ8を配線基板4に実装するものであり、詳細な説明は
省略する。すなわち、本発明の実装構造は、BGAパッ
ケージを基板に実装する際にも適用することができる。
成が前述の第1の実施形態と同様であって、半導体チッ
プ1を配線基板4に実装する代わりに、BGAパッケー
ジ8を配線基板4に実装するものであり、詳細な説明は
省略する。すなわち、本発明の実装構造は、BGAパッ
ケージを基板に実装する際にも適用することができる。
【0018】次に、本発明の第3の実施形態について図
4(a)および(b)を参照して説明する。
4(a)および(b)を参照して説明する。
【0019】図4(a)は、本実施形態で用いられる配
線基板の構成を示す平面図であり、本実施形態は、特に
配線基板に特徴があるものであり、その他の部分につい
ては前述の第1の実施形態を適用できる。したがって、
配線基板4以外の構成については詳細な説明は省略す
る。
線基板の構成を示す平面図であり、本実施形態は、特に
配線基板に特徴があるものであり、その他の部分につい
ては前述の第1の実施形態を適用できる。したがって、
配線基板4以外の構成については詳細な説明は省略す
る。
【0020】図4(a)を参照すると、配線基板4上の
実装用パッド5aおよび5bが形成されている領域の外
周部に、実装用パッド5aと内部配線7で接続された外
部パッド6aが設けられている。さらに、実装用パッド
5aおよび5bが形成された領域と外部パッド6aが形
成された外周部との間に、配線基板4から外部パッド6
aが形成されたその外周部を切り取るための分割溝9が
形成されている。
実装用パッド5aおよび5bが形成されている領域の外
周部に、実装用パッド5aと内部配線7で接続された外
部パッド6aが設けられている。さらに、実装用パッド
5aおよび5bが形成された領域と外部パッド6aが形
成された外周部との間に、配線基板4から外部パッド6
aが形成されたその外周部を切り取るための分割溝9が
形成されている。
【0021】そして、半導体チップと配線基板4との接
続を行った後、分割溝9を切断することによって、配線
基板4の外部パッド6aが形成された外側部分を削除す
ることができる。ここで、外部パッド6aが削除された
後の配線基板4の構成が、図4(b)に示されている。
外部パッド6aが削除されることにより、配線基板4の
サイズを必要以上に大きくすることなく、半導体チップ
と配線基板4との接続状態を容易に確認することができ
る。さらに、実装用パッド5aから外部パッド6aまで
の余分な内部配線7の大部分をも同時に削除することが
できるため、外部パッド6aおよび内部配線7による電
気的特性への悪影響を低減することができる。
続を行った後、分割溝9を切断することによって、配線
基板4の外部パッド6aが形成された外側部分を削除す
ることができる。ここで、外部パッド6aが削除された
後の配線基板4の構成が、図4(b)に示されている。
外部パッド6aが削除されることにより、配線基板4の
サイズを必要以上に大きくすることなく、半導体チップ
と配線基板4との接続状態を容易に確認することができ
る。さらに、実装用パッド5aから外部パッド6aまで
の余分な内部配線7の大部分をも同時に削除することが
できるため、外部パッド6aおよび内部配線7による電
気的特性への悪影響を低減することができる。
【0022】また、前述の第1から第3の実施形態で
は、配線基板上に形成される実装用パッドとしては、円
形のパッドを2分割して得られる2つの半円状の実装用
パッドが適用されているが、実装用パッドの形状はこれ
に限られたものではない。本発明で適用可能な実装用パ
ッドとしては、図5(a)から(f)に示されるような
ものがある。さらに、半導体装置上に形成された1つの
外部電極に対して2つ1組の実装用パッドを対応させて
設けているが、3つ以上に分割されたパッドを1組とし
た実装用パッドを用いてもよいことは言うまでもない。
は、配線基板上に形成される実装用パッドとしては、円
形のパッドを2分割して得られる2つの半円状の実装用
パッドが適用されているが、実装用パッドの形状はこれ
に限られたものではない。本発明で適用可能な実装用パ
ッドとしては、図5(a)から(f)に示されるような
ものがある。さらに、半導体装置上に形成された1つの
外部電極に対して2つ1組の実装用パッドを対応させて
設けているが、3つ以上に分割されたパッドを1組とし
た実装用パッドを用いてもよいことは言うまでもない。
【0023】また、分割された実装用パッド5aおよび
5bとの間の寸法Xは、半導体チップを実装する場合に
は、10〜50μm程度、BGAパッケージを実装する
場合には50〜200μm程度が好ましい。
5bとの間の寸法Xは、半導体チップを実装する場合に
は、10〜50μm程度、BGAパッケージを実装する
場合には50〜200μm程度が好ましい。
【0024】また、前述の第1から第3の実施形態で
は、外部パッド6aおよび6bが、配線基板4上の互い
に対向する面にそれぞれ形成されているが、これに限ら
れたものではなく、図6(a)に示されるように、配線
基板4の半導体チップ1側の表面の外周部に双方を形成
するような構成としてもかまわない。また、図6(b)
に示されるように、それら外部パッド6aおよび6bの
双方を配線基板の裏面に形成してもよい。
は、外部パッド6aおよび6bが、配線基板4上の互い
に対向する面にそれぞれ形成されているが、これに限ら
れたものではなく、図6(a)に示されるように、配線
基板4の半導体チップ1側の表面の外周部に双方を形成
するような構成としてもかまわない。また、図6(b)
に示されるように、それら外部パッド6aおよび6bの
双方を配線基板の裏面に形成してもよい。
【0025】さらに、外部パッド等のパッド構造の端子
の代わりに、ピンやリード等の他の外部端子を実装用パ
ッドに接続してもかまわない。
の代わりに、ピンやリード等の他の外部端子を実装用パ
ッドに接続してもかまわない。
【0026】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の半導体装
置の実装構造によれば、半導体装置の電極上に形成され
たはんだバンプを接続するための配線基板側の実装用パ
ッドを分割し、それぞれを別々の外部端子と接続するよ
うに構成し、その外部端子間の導通状態を検査すること
によって、外観からは確認することができない半導体装
置と配線基板との接続状態を容易に確認することができ
る。
置の実装構造によれば、半導体装置の電極上に形成され
たはんだバンプを接続するための配線基板側の実装用パ
ッドを分割し、それぞれを別々の外部端子と接続するよ
うに構成し、その外部端子間の導通状態を検査すること
によって、外観からは確認することができない半導体装
置と配線基板との接続状態を容易に確認することができ
る。
【図1】本発明の第1の実施形態の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図2】図1における配線基板の構成を示す平面図であ
る。
る。
【図3】本発明の第2の実施形態の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図4】本発明の第3の実施形態の構成を示す平面図で
あり、(a)は、外側部分を削除される前の配線基板の
構成を示し、(b)は、その外側部分が削除された後の
配線基板の構成を示す図である。
あり、(a)は、外側部分を削除される前の配線基板の
構成を示し、(b)は、その外側部分が削除された後の
配線基板の構成を示す図である。
【図5】実装用パッドの形状の他の様々な例を示す図で
ある。
ある。
【図6】外部パッドの配置位置の他の例を示す図であ
る。
る。
【図7】従来の半導体装置の実装構造を示す断面図であ
る。
る。
【図8】半導体チップ上に形成された外部電極の配置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図9】BGAパッケージ上に形成されたはんだバンプ
の配置を示す平面図である。
の配置を示す平面図である。
1 半導体チップ 2 外部電極 3 はんだバンプ 4 配線基板 5a、5b 実装用パッド 6a、6b 外部パッド 7 内部配線 8 BGAパッケージ 9 分割溝
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体装置を基板に実装する実装構造で
あって、 半導体装置上に形成される外部電極の一つに対して、少
なくとも2つ以上に分割された実装用パッドを対応させ
て基板上に設け、 前記外部電極をはんだバンプを介して前記実装用パッド
に接続することを特徴とする半導体装置の実装構造。 - 【請求項2】 少なくとも2つ以上に分割された前記実
装用パッドは、基板内に設けられた内部配線を介して、
それぞれ別の外部端子に接続されることを特徴とする前
記請求項1に記載の半導体装置の実装構造。 - 【請求項3】 前記外部端子は、前記基板表面の外周部
分に設けられることを特徴とする前記請求項2に記載の
半導体装置の実装構造。 - 【請求項4】 前記基板の前記外部端子が設けられた外
側部分と前記基板の前記実装用パッドが設けられた内側
部分との間に、前記基板の外側部分を切り離す手段を備
えることを特徴とする前記請求項3に記載の半導体装置
の実装構造。 - 【請求項5】 半導体装置が実装される実装用基板であ
って、 半導体装置上に形成される外部電極の一つに対して、少
なくとも2つ以上に分割された実装用パッドが対応して
設けられ、 前記実装用パッドが、内部配線を介して、それぞれ別の
外部端子に接続されることを特徴とする実装用基板。 - 【請求項6】 前記外部端子は、外側部分に設けられ、 前記外部端子が設けられた外側部分と前記実装用パッド
が設けられた内側部分との間に、前記外側部分を切り離
す手段を備えることを特徴とする前記請求項5に記載の
実装用基板。 - 【請求項7】 半導体装置上に形成される外部電極の一
つに対して、少なくとも2つ以上に分割された実装用パ
ッドを対応させて基板上に設け、前記外部電極をはんだ
バンプを介して前記実装用パッドに接続した半導体装置
の実装構造の実装状態を検査する方法であって、 前記2つ以上に分割された実装用パッド間の導通状態を
検査することを特徴とする実装状態の検査方法。 - 【請求項8】 半導体装置を基板に実装する実装構造で
あって、 半導体装置上に形成される外部電極の一つに対して、少
なくとも2つ以上に分割された実装用パッドを対応させ
て基板上に設け、該実装用パッドを前記基板内に設けら
れた内部配線を介して、それぞれ別の外部端子に接続
し、前記外部電極をはんだバンプを介して前記実装用パ
ッドに接続することによって得られる半導体装置の実装
構造の実装状態を検査する方法であって、 前記実装用パッドに接続された前記外部端子間の導通状
態を検査することを特徴とする実装状態の検査方法。 - 【請求項9】 前記外部端子は、前記基板の外側部分に
設けられ、該外部端子間の導通状態を検査した後、前記
基板の外側部分を削除することを特徴とする前記請求項
8に記載の実装状態の検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228933A JP2825085B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 半導体装置の実装構造、実装用基板および実装状態の検査方法 |
| US09/906,403 US20020125043A1 (en) | 1996-08-29 | 2001-03-20 | Semiconductor packaging structure, packaging board and inspection method of packaging conditions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8228933A JP2825085B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 半導体装置の実装構造、実装用基板および実装状態の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074800A true JPH1074800A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2825085B2 JP2825085B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=16884140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8228933A Expired - Fee Related JP2825085B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 半導体装置の実装構造、実装用基板および実装状態の検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020125043A1 (ja) |
| JP (1) | JP2825085B2 (ja) |
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-
1996
- 1996-08-29 JP JP8228933A patent/JP2825085B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-20 US US09/906,403 patent/US20020125043A1/en not_active Abandoned
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