JPH1078366A - 半導体圧力センサとその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサとその製造方法Info
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- JPH1078366A JPH1078366A JP23197196A JP23197196A JPH1078366A JP H1078366 A JPH1078366 A JP H1078366A JP 23197196 A JP23197196 A JP 23197196A JP 23197196 A JP23197196 A JP 23197196A JP H1078366 A JPH1078366 A JP H1078366A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐過大圧特性が向上された半導体圧力センサ
とその製造方法を提供するにある。 【解決手段】 測定圧を受圧する半導体圧力センサにお
いて、シリコン基板と、該シリコン基板に設けられエピ
タキシャル成長により作られた測定ダイアフラムを形成
し該ダイアフラムへの過大圧印加に対するバックアップ
をなす所定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、該空
隙室の前記測定ダイアフラムをバックアップする面に設
けられ前記測定ダイアフラムが過大圧印加により変位し
た場合に該測定ダイアフラムの周縁部に応力集中が生じ
ない様に全体として凹形状をなし階段状に形成されたバ
ックアップ部と、前記測定ダイアフラムに作り込まれた
歪み検出素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力
センサである。
とその製造方法を提供するにある。 【解決手段】 測定圧を受圧する半導体圧力センサにお
いて、シリコン基板と、該シリコン基板に設けられエピ
タキシャル成長により作られた測定ダイアフラムを形成
し該ダイアフラムへの過大圧印加に対するバックアップ
をなす所定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、該空
隙室の前記測定ダイアフラムをバックアップする面に設
けられ前記測定ダイアフラムが過大圧印加により変位し
た場合に該測定ダイアフラムの周縁部に応力集中が生じ
ない様に全体として凹形状をなし階段状に形成されたバ
ックアップ部と、前記測定ダイアフラムに作り込まれた
歪み検出素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力
センサである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐過大圧特性が向
上された半導体圧力センサとその製造方法に関するもの
である。
上された半導体圧力センサとその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来より一般に使用されてい
る従来例の要部構成説明図で、例えば、特開平４―１０
４０２７号に示されている。
る従来例の要部構成説明図で、例えば、特開平４―１０
４０２７号に示されている。
【０００３】図において、１は、シリコン基板である。
２は、シリコン基板１に設けられ、シリコン基板１に測
定ダイアフラム３を形成する空隙室である。
２は、シリコン基板１に設けられ、シリコン基板１に測
定ダイアフラム３を形成する空隙室である。
【０００４】４は、空隙室２と外部とを連通する連通孔
である。５は連通孔４を塞ぐための薄膜である。薄膜５
は、例えば、減圧ＣＶＤ法により成膜されたポリシリコ
ン等が使用される。
である。５は連通孔４を塞ぐための薄膜である。薄膜５
は、例えば、減圧ＣＶＤ法により成膜されたポリシリコ
ン等が使用される。
【０００５】空隙室２の内部には、減圧ＣＶＤ法による
ポリシリコン成膜時の雰囲気圧力が封じ込められるが、
約0.2Torr程度であるため、絶対圧用のセンサのリファ
レンス圧としては充分な真空度である。
ポリシリコン成膜時の雰囲気圧力が封じ込められるが、
約0.2Torr程度であるため、絶対圧用のセンサのリファ
レンス圧としては充分な真空度である。
【０００６】６は、測定ダイアフラム３に設けられた歪
み検出センサである。歪み検出センサ６には、例えば、
ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式ストレ
ンゲージ等が使用される。
み検出センサである。歪み検出センサ６には、例えば、
ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式ストレ
ンゲージ等が使用される。
【０００７】以上の構成において、測定圧力Ｐｍが印加
されると、空隙室２内の圧力（ほぼ真空）との差に比例
して、測定ダイアフラム３が撓み、歪み検出センサ６に
歪みが印加され、この歪を測定することにより、測定圧
力Ｐｍが検出される。
されると、空隙室２内の圧力（ほぼ真空）との差に比例
して、測定ダイアフラム３が撓み、歪み検出センサ６に
歪みが印加され、この歪を測定することにより、測定圧
力Ｐｍが検出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、過大圧印加時には、測定ダイアフラ
ム３は空隙室２により直接にバックアップされ、別に過
大圧保護を要しない利点を有するが、測定ダイアフラム
３の周縁部７に応力集中が生じる。本発明は、この問題
点を解決するものである。
な装置においては、過大圧印加時には、測定ダイアフラ
ム３は空隙室２により直接にバックアップされ、別に過
大圧保護を要しない利点を有するが、測定ダイアフラム
３の周縁部７に応力集中が生じる。本発明は、この問題
点を解決するものである。
【０００９】本発明の目的は、耐過大圧特性が向上され
た半導体圧力センサとその製造方法を提供するにある。
た半導体圧力センサとその製造方法を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）測定圧を受圧する半導体圧力センサにおいて、シ
リコン基板と、該シリコン基板に設けられエピタキシャ
ル成長により作られた測定ダイアフラムを形成し該ダイ
アフラムへの過大圧印加に対するバックアップをなす所
定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、該空隙室の前
記測定ダイアフラムをバックアップする面に設けられ前
記測定ダイアフラムが過大圧印加により変位した場合に
該測定ダイアフラムの周縁部に応力集中が生じない様に
全体として凹形状をなし階段状に形成されたバックアッ
プ部と、前記測定ダイアフラムに作り込まれた歪み検出
素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力センサを
構成したものである。 （２）測定圧を受圧する半導体圧力センサの製造方法に
おいて、以下の工程を有することを特徴とする半導体圧
力センサの製造方法。 （ａ）シリコン基板の所定個所に、レジストを塗布する
レジスト塗布工程。 （ｂ）該シリコン基板のレジストが塗布されていない第
１所定個所から、酸素イオンを測定ダイアフラム対応部
分を飛び越えてイオン注入し、第１酸化シリコン層を前
記シリコン基板に形成する第１イオン注入工程。 （ｃ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第１所定
個所より縮小された第２所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第１酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第２酸化シリコン層を前記シリコン基
板に形成する第２イオン注入工程。 （ｄ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第２所定
個所より縮小された第３所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第２酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第３酸化シリコン層をシリコン基板に
形成する第３イオン注入工程。 （ｅ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し歪み検出素子を形成するゲージ形成工程。 （ｆ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し第４所定個所に、一端が歪み検出素子に接続さ
れるリードを形成するリード形成工程。 （ｇ）前記シリコン基板の表面より、第１酸化シリコン
層に達する連通孔を形成する連通孔形成工程。 （ｈ）該連通孔より選択エッチングにより、前記第１，
第２，第３酸化シリコン層を除去する選択エッチング工
程。 （ｉ）前記シリコン基板の表面に、酸化シリコンをスパ
ッタリングにより成膜し、前記連通孔を塞ぐと共に、前
記シリコン基板の表面に絶縁膜を形成する連通孔閉塞、
絶縁膜形成工程。 （ｊ）電極材を前記シリコン基板の表面にスパッタ後、
フォトリソグラフィにより、前記リードの他端に電極を
形成する電極形成工程。を採用した。
に、本発明は、 （１）測定圧を受圧する半導体圧力センサにおいて、シ
リコン基板と、該シリコン基板に設けられエピタキシャ
ル成長により作られた測定ダイアフラムを形成し該ダイ
アフラムへの過大圧印加に対するバックアップをなす所
定の狭い隙間を有し密閉された空隙室と、該空隙室の前
記測定ダイアフラムをバックアップする面に設けられ前
記測定ダイアフラムが過大圧印加により変位した場合に
該測定ダイアフラムの周縁部に応力集中が生じない様に
全体として凹形状をなし階段状に形成されたバックアッ
プ部と、前記測定ダイアフラムに作り込まれた歪み検出
素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力センサを
構成したものである。 （２）測定圧を受圧する半導体圧力センサの製造方法に
おいて、以下の工程を有することを特徴とする半導体圧
力センサの製造方法。 （ａ）シリコン基板の所定個所に、レジストを塗布する
レジスト塗布工程。 （ｂ）該シリコン基板のレジストが塗布されていない第
１所定個所から、酸素イオンを測定ダイアフラム対応部
分を飛び越えてイオン注入し、第１酸化シリコン層を前
記シリコン基板に形成する第１イオン注入工程。 （ｃ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第１所定
個所より縮小された第２所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第１酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第２酸化シリコン層を前記シリコン基
板に形成する第２イオン注入工程。 （ｄ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第２所定
個所より縮小された第３所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第２酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第３酸化シリコン層をシリコン基板に
形成する第３イオン注入工程。 （ｅ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し歪み検出素子を形成するゲージ形成工程。 （ｆ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し第４所定個所に、一端が歪み検出素子に接続さ
れるリードを形成するリード形成工程。 （ｇ）前記シリコン基板の表面より、第１酸化シリコン
層に達する連通孔を形成する連通孔形成工程。 （ｈ）該連通孔より選択エッチングにより、前記第１，
第２，第３酸化シリコン層を除去する選択エッチング工
程。 （ｉ）前記シリコン基板の表面に、酸化シリコンをスパ
ッタリングにより成膜し、前記連通孔を塞ぐと共に、前
記シリコン基板の表面に絶縁膜を形成する連通孔閉塞、
絶縁膜形成工程。 （ｊ）電極材を前記シリコン基板の表面にスパッタ後、
フォトリソグラフィにより、前記リードの他端に電極を
形成する電極形成工程。を採用した。
【００１１】
【作用】以上の構成において、測定圧力が印加される
と、空隙室内の圧力との差に比例して、測定ダイアフラ
ムが撓み、歪み検出センサに歪みが印加され、この歪を
測定することにより、測定圧力が検出される。
と、空隙室内の圧力との差に比例して、測定ダイアフラ
ムが撓み、歪み検出センサに歪みが印加され、この歪を
測定することにより、測定圧力が検出される。
【００１２】しかして、測定ダイアフラムに過大圧が印
加された場合には、測定ダイアフラムは、バックアップ
部によりバックアップされる。以下、実施例に基づき詳
細に説明する。
加された場合には、測定ダイアフラムは、バックアップ
部によりバックアップされる。以下、実施例に基づき詳
細に説明する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例の要部
構成説明図である。１１は、シリコン基板である。１２
は、シリコン基板１１に設けられ、シリコン基板１１に
測定ダイアフラム１３を形成する空隙室である。
構成説明図である。１１は、シリコン基板である。１２
は、シリコン基板１１に設けられ、シリコン基板１１に
測定ダイアフラム１３を形成する空隙室である。
【００１４】１２１は、空隙室１２の測定ダイアフラム
１３をバックアップする面に設けられ、測定ダイアフラ
ム１３が過大圧印加により変位した場合に、測定ダイア
フラム１３の周縁部１３１に応力集中が生じない様に全
体として凹形状をなし階段状に形成されたバックアップ
部である。
１３をバックアップする面に設けられ、測定ダイアフラ
ム１３が過大圧印加により変位した場合に、測定ダイア
フラム１３の周縁部１３１に応力集中が生じない様に全
体として凹形状をなし階段状に形成されたバックアップ
部である。
【００１５】１４は、空隙室２２と外部とを連通する連
通孔である。１５は連通孔１４を塞ぐと同時に、シリコ
ン基板１１の表面に設けられた絶縁膜である。この場合
は、酸化シリコンが使用されている。
通孔である。１５は連通孔１４を塞ぐと同時に、シリコ
ン基板１１の表面に設けられた絶縁膜である。この場合
は、酸化シリコンが使用されている。
【００１６】１６は、測定ダイアフラム１３に設けられ
た歪み検出センサである。歪み検出センサ１６には、例
えば、ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式
ストレンゲージ等が使用される。１７は一端が歪検出セ
ンサ１６に接続されたリードである。１８はリード１７
の他端に接続された電極である。
た歪み検出センサである。歪み検出センサ１６には、例
えば、ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式
ストレンゲージ等が使用される。１７は一端が歪検出セ
ンサ１６に接続されたリードである。１８はリード１７
の他端に接続された電極である。
【００１７】以上の構成において、測定圧力Ｐｍが印加
されると、空隙室１２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム１３が撓み、歪み検出センサ
１６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。しかして、測定ダイアフラ
ム１３に過大圧が印加された場合には、図２に示す如
く、測定ダイアフラム１３は、バックアップ部１２１に
よりバックアップされる。
されると、空隙室１２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム１３が撓み、歪み検出センサ
１６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。しかして、測定ダイアフラ
ム１３に過大圧が印加された場合には、図２に示す如
く、測定ダイアフラム１３は、バックアップ部１２１に
よりバックアップされる。
【００１８】この結果、空隙室１２の測定ダイアフラム
１３をバックアップする面に設けられ、測定ダイアフラ
ム１３が過大圧印加により変位した場合に、測定ダイア
フラムの周縁部１３１に応力集中が生じない様に、全体
として凹形状をなし、階段状に形成されたバックアップ
部１２１を構成したので、過大圧が印加された場合に
も、測定ダイアフラムの周縁部１３１に応力が集中する
のが緩和され、過大圧特性が改善された半導体圧力セン
サが得られる。
１３をバックアップする面に設けられ、測定ダイアフラ
ム１３が過大圧印加により変位した場合に、測定ダイア
フラムの周縁部１３１に応力集中が生じない様に、全体
として凹形状をなし、階段状に形成されたバックアップ
部１２１を構成したので、過大圧が印加された場合に
も、測定ダイアフラムの周縁部１３１に応力が集中する
のが緩和され、過大圧特性が改善された半導体圧力セン
サが得られる。
【００１９】このような装置は、図３〜図１２に示すご
とくして製作する。 （ａ）図３はレジスト塗布工程を示す。シリコン基板１
０１の所定個所に、レジスト１０２を塗布する。
とくして製作する。 （ａ）図３はレジスト塗布工程を示す。シリコン基板１
０１の所定個所に、レジスト１０２を塗布する。
【００２０】（ｂ）図４は第１イオン注入工程を示す。
レジスト１０２が塗布されていない第１所定個所１０３
から、酸素イオンＯ+をシリコン基板１０１に、測定ダ
イアフラム対応部分１０４を飛び越えてイオン注入し、
第１酸化シリコン層１０５をシリコン基板１０１に形成
する。このようなイオン注入法は、注入時の電圧をコン
トロールすることにより、容易に実施可能である。
レジスト１０２が塗布されていない第１所定個所１０３
から、酸素イオンＯ+をシリコン基板１０１に、測定ダ
イアフラム対応部分１０４を飛び越えてイオン注入し、
第１酸化シリコン層１０５をシリコン基板１０１に形成
する。このようなイオン注入法は、注入時の電圧をコン
トロールすることにより、容易に実施可能である。
【００２１】（ｃ）図５は第２イオン注入工程を示す。
レジスト１０２の塗布面を拡大して、第１所定個所１０
３より縮小された第２所定個所１０６から、酸素イオン
Ｏ+をシリコン基板１０１に、第１酸化シリコン層１０
５を飛び越えてイオン注入し、第２酸化シリコン層１０
７をシリコン基板１０１に形成する。
レジスト１０２の塗布面を拡大して、第１所定個所１０
３より縮小された第２所定個所１０６から、酸素イオン
Ｏ+をシリコン基板１０１に、第１酸化シリコン層１０
５を飛び越えてイオン注入し、第２酸化シリコン層１０
７をシリコン基板１０１に形成する。
【００２２】（ｄ）図６は第３イオン注入工程を示す。
レジスト１０２の塗布面を拡大して、第２所定個所１０
６より縮小された第３所定個所１０８から、酸素イオン
Ｏ+をシリコン基板１０１に、第２酸化シリコン層１０
７を飛び越えてイオン注入し、第３酸化シリコン層１０
９をシリコン基板１０１に形成する。
レジスト１０２の塗布面を拡大して、第２所定個所１０
６より縮小された第３所定個所１０８から、酸素イオン
Ｏ+をシリコン基板１０１に、第２酸化シリコン層１０
７を飛び越えてイオン注入し、第３酸化シリコン層１０
９をシリコン基板１０１に形成する。
【００２３】（ｅ）図７はゲージ形成工程を示す。測定
ダイアフラム対応部分１０４に、Ｐ+イオンを注入し歪
み検出素子１１１を形成する。 （ｆ）図８はリード形成工程を示す。測定ダイアフラム
対応部分１０４に、Ｐ+イオンを注入し第４所定個所
に、一端が歪み検出素子１１１に接続されるリード１１
２を形成する。
ダイアフラム対応部分１０４に、Ｐ+イオンを注入し歪
み検出素子１１１を形成する。 （ｆ）図８はリード形成工程を示す。測定ダイアフラム
対応部分１０４に、Ｐ+イオンを注入し第４所定個所
に、一端が歪み検出素子１１１に接続されるリード１１
２を形成する。
【００２４】（ｇ）図９は連通孔形成工程を示す。シリ
コン基板１０１の表面より、第１酸化シリコン層１０５
に達する連通孔１１３を形成する。 （ｈ）図１０は選択エッチング工程を示す。連通孔１１
３より選択エッチングにより、第１，第２，第３酸化シ
リコン層１０５，１０７，１０９を除去する。
コン基板１０１の表面より、第１酸化シリコン層１０５
に達する連通孔１１３を形成する。 （ｈ）図１０は選択エッチング工程を示す。連通孔１１
３より選択エッチングにより、第１，第２，第３酸化シ
リコン層１０５，１０７，１０９を除去する。
【００２５】（ｉ）図１１は連通孔閉塞、絶縁膜形成工
程を示す。シリコン基板１０１の表面に、酸化シリコン
１１４をスパッタリングにより成膜し、連通孔１１３を
塞ぐと共に、シリコン基板１０１の表面に絶縁膜を形成
する。
程を示す。シリコン基板１０１の表面に、酸化シリコン
１１４をスパッタリングにより成膜し、連通孔１１３を
塞ぐと共に、シリコン基板１０１の表面に絶縁膜を形成
する。
【００２６】（ｊ）図１２は電極形成工程を示す。電極
材、この場合は、アルミニュウムをシリコン基板１０１
の表面にスパッタ後、フォトリソグラフィにより、リー
ド１１２の他端に電極１１５を形成する。
材、この場合は、アルミニュウムをシリコン基板１０１
の表面にスパッタ後、フォトリソグラフィにより、リー
ド１１２の他端に電極１１５を形成する。
【００２７】なお、前述の実施例においては、空隙室１
２は真空にすると説明したが、ゲージ圧力センサとして
使用する場合には、空隙室１２を大気圧とすれば良いこ
とは勿論である。
２は真空にすると説明したが、ゲージ圧力センサとして
使用する場合には、空隙室１２を大気圧とすれば良いこ
とは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１請求
項によれば、空隙室の測定ダイアフラムをバックアップ
する面に設けられ、測定ダイアフラムが過大圧印加によ
り変位した場合に、測定ダイアフラムの周縁部に応力集
中が生じない様に、全体として凹形状をなし、階段状に
形成されたバックアップ部を構成したので、過大圧が印
加された場合にも、測定ダイアフラムの周縁部に応力が
集中するのが緩和され、過大圧特性が改善された半導体
圧力センサが得られる。
項によれば、空隙室の測定ダイアフラムをバックアップ
する面に設けられ、測定ダイアフラムが過大圧印加によ
り変位した場合に、測定ダイアフラムの周縁部に応力集
中が生じない様に、全体として凹形状をなし、階段状に
形成されたバックアップ部を構成したので、過大圧が印
加された場合にも、測定ダイアフラムの周縁部に応力が
集中するのが緩和され、過大圧特性が改善された半導体
圧力センサが得られる。
【００２９】本発明の第２請求項によれば、過大圧特性
が改善された半導体圧力センサを実現できる半導体圧力
センサの製造方法が得られる。
が改善された半導体圧力センサを実現できる半導体圧力
センサの製造方法が得られる。
【００３０】従って、本発明によれば、耐過大圧特性が
向上された半導体圧力センサとその製造方法を実現する
ことが出来る。
向上された半導体圧力センサとその製造方法を実現する
ことが出来る。
【図１】本発明の一実施例の構成説明図である。
【図２】図１の動作説明図である。
【図３】図１のレジスト塗布工程説明図である。
【図４】図１の第１イオン注入工程説明図である。
【図５】図１の第２イオン注入工程説明図である。
【図６】図１の第３イオン注入工程説明図である。
【図７】図１のゲージ形成工程説明図である。
【図８】図１のリード形成工程説明図である。
【図９】図１の連通孔形成工程説明図である。
【図１０】図１の選択エッチング工程説明図である。
【図１１】図１の連通孔閉塞、絶縁膜形成工程説明図で
ある。
ある。
【図１２】図１の電極形成工程説明図である。
【図１３】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
説明図である。
１１ シリコン基板 １２ 空隙室 １２１ バックアップ部 １３ 測定ダイアフラム １３１ 周縁部 １４ 連通孔 １５ 絶縁膜 １６ 歪み検出センサ １７ リード １８ 電極 １０１ シリコン基板 １０２ レジスト １０３ 第１所定個所 １０４ 測定ダイアフラム対応部分 １０５ 第１酸化シリコン層 １０６ 第２所定個所 １０７ 第２酸化シリコン層 １０８ 第３所定個所 １０９ 第３酸化シリコン層 １１１ 歪み検出素子 １１２ リード １１３ 連通孔 １１４ 酸化シリコン層 １１５ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】測定圧を受圧する半導体圧力センサにおい
て、 シリコン基板と、 該シリコン基板に設けられエピタキシャル成長により作
られた測定ダイアフラムを形成し該ダイアフラムへの過
大圧印加に対するバックアップをなす所定の狭い隙間を
有し密閉された空隙室と、 該空隙室の前記測定ダイアフラムをバックアップする面
に設けられ前記測定ダイアフラムが過大圧印加により変
位した場合に該測定ダイアフラムの周縁部に応力集中が
生じない様に全体として凹形状をなし階段状に形成され
たバックアップ部と、 前記測定ダイアフラムに作り込まれた歪み検出素子とを
具備したことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】測定圧を受圧する半導体圧力センサの製造
方法において、 以下の工程を有することを特徴とする半導体圧力センサ
の製造方法。 （ａ）シリコン基板の所定個所に、レジストを塗布する
レジスト塗布工程。 （ｂ）該シリコン基板のレジストが塗布されていない第
１所定個所から、酸素イオンを測定ダイアフラム対応部
分を飛び越えてイオン注入し、第１酸化シリコン層を前
記シリコン基板に形成する第１イオン注入工程。 （ｃ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第１所定
個所より縮小された第２所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第１酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第２酸化シリコン層を前記シリコン基
板に形成する第２イオン注入工程。 （ｄ）前記レジストの塗布面を拡大して、前記第２所定
個所より縮小された第３所定個所から、酸素イオンを前
記シリコン基板に、前記第２酸化シリコン層を飛び越え
てイオン注入し、第３酸化シリコン層をシリコン基板に
形成する第３イオン注入工程。 （ｅ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し歪み検出素子を形成するゲージ形成工程。 （ｆ）前記測定ダイアフラム対応部分に、所定のイオン
を注入し第４所定個所に、一端が歪み検出素子に接続さ
れるリードを形成するリード形成工程。 （ｇ）前記シリコン基板の表面より、第１酸化シリコン
層に達する連通孔を形成する連通孔形成工程。 （ｈ）該連通孔より選択エッチングにより、前記第１，
第２，第３酸化シリコン層を除去する選択エッチング工
程。 （ｉ）前記シリコン基板の表面に、酸化シリコンをスパ
ッタリングにより成膜し、前記連通孔を塞ぐと共に、前
記シリコン基板の表面に絶縁膜を形成する連通孔閉塞、
絶縁膜形成工程。 （ｊ）電極材を前記シリコン基板の表面にスパッタ後、
フォトリソグラフィにより、前記リードの他端に電極を
形成する電極形成工程。
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