JPH1079237A - イオンドーピング装置 - Google Patents
イオンドーピング装置Info
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- JPH1079237A JPH1079237A JP8232710A JP23271096A JPH1079237A JP H1079237 A JPH1079237 A JP H1079237A JP 8232710 A JP8232710 A JP 8232710A JP 23271096 A JP23271096 A JP 23271096A JP H1079237 A JPH1079237 A JP H1079237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン源で生成される各種イオンの生成量に
対する、ガス濃度の変化や処理室内壁の表面状態の変化
による脱ガス等の影響を抑制する。 【解決手段】 処理室５の内壁５ａを、表面荒さが１０
μｍ以下に研磨された金属材料で構成することにより、
ガスの吸着が少なく、長期間にわたる使用においても内
壁５ａ表面層からのガスの発生（脱ガス）等による処理
室５内の真空度の変動が少なくなり、イオン源１で生成
される各種イオンの生成量の変動が抑制される。また、
処理室５の内壁にガス吸着の少ない材料１４を被覆した
り、処理室５の内壁の温度制御を行えるようにすること
も有効である。これらの手段により、再現性、安定性の
良いイオンドーピング処理が行え、高精度なドーピング
量の制御を行うことが可能なイオンドーピング装置が得
られる。
対する、ガス濃度の変化や処理室内壁の表面状態の変化
による脱ガス等の影響を抑制する。 【解決手段】 処理室５の内壁５ａを、表面荒さが１０
μｍ以下に研磨された金属材料で構成することにより、
ガスの吸着が少なく、長期間にわたる使用においても内
壁５ａ表面層からのガスの発生（脱ガス）等による処理
室５内の真空度の変動が少なくなり、イオン源１で生成
される各種イオンの生成量の変動が抑制される。また、
処理室５の内壁にガス吸着の少ない材料１４を被覆した
り、処理室５の内壁の温度制御を行えるようにすること
も有効である。これらの手段により、再現性、安定性の
良いイオンドーピング処理が行え、高精度なドーピング
量の制御を行うことが可能なイオンドーピング装置が得
られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンドーピング
装置、特にＬＣＤ用薄膜トランジスタのコンタクト領域
形成工程等で用いられる、高精度で再現性の高いイオン
ドーピング装置に関するものである。
装置、特にＬＣＤ用薄膜トランジスタのコンタクト領域
形成工程等で用いられる、高精度で再現性の高いイオン
ドーピング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のイオンドーピング装置を
示す概略図である。図において、１はＲＦ電力等によっ
て所望のイオンを生成するイオン源、２はイオン源１で
生成された所望のイオンを取り出すための引き出し電
極、３はイオン源１にガスを供給するためのノズル、４
は基板ホルダー、５は基板にイオンドーピングする処理
室、６は真空搬送室、７は真空搬送ロボット、８は真空
予備室、９は大気搬送ロボット、１０は基板収納カセッ
ト、１１は処理室５と真空搬送室６を継ぐバルブ、１２
は真空搬送室６と真空予備室８を継ぐバルブ、１３は真
空予備室８と大気を分けるバルブである。処理室５およ
び真空搬送室６は内部を高真空に保つためにターボ分子
ポンプおよびドライポンプ等が接続されており、また真
空予備室８にはドライポンプ等が接続されている。
示す概略図である。図において、１はＲＦ電力等によっ
て所望のイオンを生成するイオン源、２はイオン源１で
生成された所望のイオンを取り出すための引き出し電
極、３はイオン源１にガスを供給するためのノズル、４
は基板ホルダー、５は基板にイオンドーピングする処理
室、６は真空搬送室、７は真空搬送ロボット、８は真空
予備室、９は大気搬送ロボット、１０は基板収納カセッ
ト、１１は処理室５と真空搬送室６を継ぐバルブ、１２
は真空搬送室６と真空予備室８を継ぐバルブ、１３は真
空予備室８と大気を分けるバルブである。処理室５およ
び真空搬送室６は内部を高真空に保つためにターボ分子
ポンプおよびドライポンプ等が接続されており、また真
空予備室８にはドライポンプ等が接続されている。
【０００３】以下に、従来のイオンドーピング装置の機
能を図に従って説明する。まず、カセット１０に収納さ
れた未処理のガラス基板等は大気搬送ロボット９によっ
て一枚毎に真空予備室８へ搬送され、ドライポンプ等に
よって低真空排気された後、真空搬送ロボット７で処理
室５に搬送され、基板ホルダー４にセットされる。基板
がセットされると、ガスノズル３からホスフィン（ＰＨ
3 ）等の所望の不純物を含んだガスがイオン源１へ向け
て放出され、イオン源１にＲＦ電力を供給することでイ
オン源１内部にプラズマが発生し、ホスフィンガスが分
解されてＰ+ 等のイオンが生成される。生成されたイオ
ンはイオン源１および引き出し電極２へ所定の直流電圧
を印加することでエネルギーを得て加速し、基板ホルダ
ー４にセットされた基板に照射されて、ドーピング処理
が行われる。処理が終わると不純物ガスおよびＲＦ電力
の供給が停止される。ドーピングされた基板は、真空搬
送ロボット７により真空予備室８へ搬送され、真空状態
から大気圧に戻された後、大気搬送ロボット９でカセッ
ト１０に収納される。
能を図に従って説明する。まず、カセット１０に収納さ
れた未処理のガラス基板等は大気搬送ロボット９によっ
て一枚毎に真空予備室８へ搬送され、ドライポンプ等に
よって低真空排気された後、真空搬送ロボット７で処理
室５に搬送され、基板ホルダー４にセットされる。基板
がセットされると、ガスノズル３からホスフィン（ＰＨ
3 ）等の所望の不純物を含んだガスがイオン源１へ向け
て放出され、イオン源１にＲＦ電力を供給することでイ
オン源１内部にプラズマが発生し、ホスフィンガスが分
解されてＰ+ 等のイオンが生成される。生成されたイオ
ンはイオン源１および引き出し電極２へ所定の直流電圧
を印加することでエネルギーを得て加速し、基板ホルダ
ー４にセットされた基板に照射されて、ドーピング処理
が行われる。処理が終わると不純物ガスおよびＲＦ電力
の供給が停止される。ドーピングされた基板は、真空搬
送ロボット７により真空予備室８へ搬送され、真空状態
から大気圧に戻された後、大気搬送ロボット９でカセッ
ト１０に収納される。
【０００４】ところで、上記のように、不純物ガスとし
てホスフィン等を使用した場合、イオン源１ではＨ+ 、
Ｈ2 + 、Ｈ3 + 、Ｐ+ 、ＰＨ+ 、ＰＨ2 + 、ＰＨ3 + 等
の各種イオンが生成される。そして質量分析することな
くすべてのイオンを基板に照射するため、必要とするリ
ン（Ｐ）系イオン（Ｐ+ 、ＰＨ+ 、ＰＨ2 + 、ＰＨ3 +
等）以外の水素系イオン（Ｈ+ 、Ｈ2 + 、Ｈ3 + 等）
も照射されることになる。イオンドーピングによる半導
体素子の製作においては、これら各種イオンのドーピン
グ量を制御して電気的特性の低下を防ぎ、さらに高精
度、高性能且つ再現性よくイオンドーピング処理を行う
必要がある。
てホスフィン等を使用した場合、イオン源１ではＨ+ 、
Ｈ2 + 、Ｈ3 + 、Ｐ+ 、ＰＨ+ 、ＰＨ2 + 、ＰＨ3 + 等
の各種イオンが生成される。そして質量分析することな
くすべてのイオンを基板に照射するため、必要とするリ
ン（Ｐ）系イオン（Ｐ+ 、ＰＨ+ 、ＰＨ2 + 、ＰＨ3 +
等）以外の水素系イオン（Ｈ+ 、Ｈ2 + 、Ｈ3 + 等）
も照射されることになる。イオンドーピングによる半導
体素子の製作においては、これら各種イオンのドーピン
グ量を制御して電気的特性の低下を防ぎ、さらに高精
度、高性能且つ再現性よくイオンドーピング処理を行う
必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような各種イオ
ンの生成量は、例えばＲＦを使ったイオン源１の場合は
ＲＦ電力、周波数、真空度、ガス濃度等に依存するた
め、ドーピング量の制御にはこれらのパラメータを常に
一定範囲に収めておくことが必要となる。ＲＦ電力、周
波数、真空度等は、電気的な制御および計測が可能であ
り、パラメータを一定範囲に保つことも容易である。し
かし、従来のイオンドーピング装置では、イオン源１で
生成された各種イオンは処理室５にセットされた基板だ
けでなく処理室５の内壁等の他の部分にも照射されるこ
とから、それらの表面層がリンを多量に含有する材質に
変化し、ドーピングガスの吸着を増大させ、その結果、
処理室５の内壁表面層からのガスの発生（脱ガス）等が
あり、真空度や濃度変動に大きく影響するという問題が
あった。
ンの生成量は、例えばＲＦを使ったイオン源１の場合は
ＲＦ電力、周波数、真空度、ガス濃度等に依存するた
め、ドーピング量の制御にはこれらのパラメータを常に
一定範囲に収めておくことが必要となる。ＲＦ電力、周
波数、真空度等は、電気的な制御および計測が可能であ
り、パラメータを一定範囲に保つことも容易である。し
かし、従来のイオンドーピング装置では、イオン源１で
生成された各種イオンは処理室５にセットされた基板だ
けでなく処理室５の内壁等の他の部分にも照射されるこ
とから、それらの表面層がリンを多量に含有する材質に
変化し、ドーピングガスの吸着を増大させ、その結果、
処理室５の内壁表面層からのガスの発生（脱ガス）等が
あり、真空度や濃度変動に大きく影響するという問題が
あった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、イオン源で生成される各種イ
オンの生成量に対する、処理室内壁の表面状態の変化に
よる脱ガス等の影響を抑制し、高精度なドーピング量の
制御を行うことが可能なイオンドーピング装置を得るこ
とを目的とする。
るためになされたもので、イオン源で生成される各種イ
オンの生成量に対する、処理室内壁の表面状態の変化に
よる脱ガス等の影響を抑制し、高精度なドーピング量の
制御を行うことが可能なイオンドーピング装置を得るこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるイオン
ドーピング装置は、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
え、処理室の内壁を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨さ
れた金属材料で構成したものである。また、ガスの導入
手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および
加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保
持部を有する処理室を備え、処理室の内壁を、ガス吸着
の少ない材料で被覆したものである。また、ガスの導入
手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および
加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保
持部を有する処理室と、処理室内壁の表面温度を感知す
る温度センサと、内壁を加熱または冷却する手段と、温
度センサの検出結果に基づいて加熱または冷却手段を駆
動し、処理室内壁の表面温度を目標温度に制御するコン
トローラを備えたものである。
ドーピング装置は、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
え、処理室の内壁を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨さ
れた金属材料で構成したものである。また、ガスの導入
手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および
加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保
持部を有する処理室を備え、処理室の内壁を、ガス吸着
の少ない材料で被覆したものである。また、ガスの導入
手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および
加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保
持部を有する処理室と、処理室内壁の表面温度を感知す
る温度センサと、内壁を加熱または冷却する手段と、温
度センサの検出結果に基づいて加熱または冷却手段を駆
動し、処理室内壁の表面温度を目標温度に制御するコン
トローラを備えたものである。
【０００８】また、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
処理室の内壁を被覆する着脱可能なシールド板を備えた
ものである。また、シールド板は、表面荒さが１０μｍ
以下に研磨されているものである。また、シールド板の
表面を、ガス吸着の少ない材料で被覆したものである。
さらに、シールド板は、温度制御が行えるよう構成され
ているものである。
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
処理室の内壁を被覆する着脱可能なシールド板を備えた
ものである。また、シールド板は、表面荒さが１０μｍ
以下に研磨されているものである。また、シールド板の
表面を、ガス吸着の少ない材料で被覆したものである。
さらに、シールド板は、温度制御が行えるよう構成され
ているものである。
【０００９】また、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
イオンの処理室内壁への飛散を防ぐために処理室内の保
持部周辺に設けられたカバーを備えたものである。ま
た、カバーは、表面荒さが１０μｍ以下に研磨されてい
るものである。また、カバーの表面を、ガス吸着の少な
い材料で被覆したものである。さらに、カバーは、温度
制御が行えるよう構成されているものである。
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
イオンの処理室内壁への飛散を防ぐために処理室内の保
持部周辺に設けられたカバーを備えたものである。ま
た、カバーは、表面荒さが１０μｍ以下に研磨されてい
るものである。また、カバーの表面を、ガス吸着の少な
い材料で被覆したものである。さらに、カバーは、温度
制御が行えるよう構成されているものである。
【００１０】
実施の形態１．以下、本発明の実施の形態を図について
説明する。図１は、本発明の実施の形態１であるイオン
ドーピング装置を示す概略図である。図において、１は
ＲＦ電力等によって所望のイオンを生成するイオン源、
２はイオン源１で生成された所望のイオンを取り出すた
めの引き出し電極、３はイオン源１にガスを供給するた
めのノズル、４は被処理体である基板を保持する基板ホ
ルダー、５は基板にイオンドーピングする処理室、５ａ
は表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属材料よりな
る処理室５の内壁である。６は真空搬送室、７は真空搬
送ロボット、８は真空予備室、９は大気搬送ロボット、
１０は基板収納カセット、１１は処理室５と真空搬送室
６を継ぐバルブ、１２は真空搬送室６と真空予備室８を
継ぐバルブ、１３は真空予備室８と大気を分けるバルブ
である。処理室５および真空搬送室６は内部を高真空に
保つためにターボ分子ポンプおよびドライポンプ等が接
続されており、また真空予備室８にはドライポンプ等が
接続されている。
説明する。図１は、本発明の実施の形態１であるイオン
ドーピング装置を示す概略図である。図において、１は
ＲＦ電力等によって所望のイオンを生成するイオン源、
２はイオン源１で生成された所望のイオンを取り出すた
めの引き出し電極、３はイオン源１にガスを供給するた
めのノズル、４は被処理体である基板を保持する基板ホ
ルダー、５は基板にイオンドーピングする処理室、５ａ
は表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属材料よりな
る処理室５の内壁である。６は真空搬送室、７は真空搬
送ロボット、８は真空予備室、９は大気搬送ロボット、
１０は基板収納カセット、１１は処理室５と真空搬送室
６を継ぐバルブ、１２は真空搬送室６と真空予備室８を
継ぐバルブ、１３は真空予備室８と大気を分けるバルブ
である。処理室５および真空搬送室６は内部を高真空に
保つためにターボ分子ポンプおよびドライポンプ等が接
続されており、また真空予備室８にはドライポンプ等が
接続されている。
【００１１】以下に、本実施の形態によるイオンドーピ
ング装置の機能および動作を図に従って説明する。ま
ず、カセット１０に収納された未処理のガラス基板等は
大気搬送ロボット９によって一枚毎に真空予備室８へ搬
送され、ドライポンプ等によって低真空排気された後、
真空搬送ロボット７で処理室５に搬送され、基板ホルダ
ー４にセットされる。基板がセットされると、ガスノズ
ル３からホスフィン（ＰＨ3 ）等の所望の不純物を含ん
だガスがイオン源１へ向けて放出され、イオン源１にＲ
Ｆ電力を供給することでイオン源１内部にプラズマが発
生し、ホスフィンガスが分解されてＰ+ 等のイオンが生
成される。生成されたイオンはイオン源１および引き出
し電極２へ所定の直流電圧を印加することでエネルギー
を得て加速し、基板ホルダー４にセットされた基板に照
射されて、ドーピング処理が行われる。処理が終わると
不純物ガスおよびＲＦ電力の供給が停止される。ドーピ
ングされた基板は、真空搬送ロボット７により真空予備
室８へ搬送され、真空状態から大気圧に戻された後、大
気搬送ロボット９でカセット１０に収納される。
ング装置の機能および動作を図に従って説明する。ま
ず、カセット１０に収納された未処理のガラス基板等は
大気搬送ロボット９によって一枚毎に真空予備室８へ搬
送され、ドライポンプ等によって低真空排気された後、
真空搬送ロボット７で処理室５に搬送され、基板ホルダ
ー４にセットされる。基板がセットされると、ガスノズ
ル３からホスフィン（ＰＨ3 ）等の所望の不純物を含ん
だガスがイオン源１へ向けて放出され、イオン源１にＲ
Ｆ電力を供給することでイオン源１内部にプラズマが発
生し、ホスフィンガスが分解されてＰ+ 等のイオンが生
成される。生成されたイオンはイオン源１および引き出
し電極２へ所定の直流電圧を印加することでエネルギー
を得て加速し、基板ホルダー４にセットされた基板に照
射されて、ドーピング処理が行われる。処理が終わると
不純物ガスおよびＲＦ電力の供給が停止される。ドーピ
ングされた基板は、真空搬送ロボット７により真空予備
室８へ搬送され、真空状態から大気圧に戻された後、大
気搬送ロボット９でカセット１０に収納される。
【００１２】本実施の形態では、処理室５の内壁５ａ
を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属材料で構
成することにより、ガスの吸着が少なく、長期間にわた
る使用においても処理室内壁５ａ表面層からのガスの発
生（脱ガス）による処理室５内の真空度の変動も少なく
なる。これにより、イオン源１で生成される各種イオン
の生成量が変動することも少なくなり、再現性、安定性
の良いイオンドーピング処理が行え、高精度なドーピン
グ量の制御を行うことが可能なイオンドーピング装置が
得られる。
を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属材料で構
成することにより、ガスの吸着が少なく、長期間にわた
る使用においても処理室内壁５ａ表面層からのガスの発
生（脱ガス）による処理室５内の真空度の変動も少なく
なる。これにより、イオン源１で生成される各種イオン
の生成量が変動することも少なくなり、再現性、安定性
の良いイオンドーピング処理が行え、高精度なドーピン
グ量の制御を行うことが可能なイオンドーピング装置が
得られる。
【００１３】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、５ｂは、ガス吸着の少ない材料１４が被覆
された処理室５の内壁である。なお、図中、同一、相当
部分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形
態によるイオンドーピング装置の基本的構成および動作
等は実施の形態１に示すものと同様である。本実施の形
態では、処理室内壁５ｂにガス吸着の少ない材料１４を
被覆することにより、脱ガス等による処理室の真空度の
変動を小さくすることができ、実施の形態１と同様に、
再現性、安定性の良いイオンドーピング処理が行え、高
精度なドーピング量の制御を行うことが可能なイオンド
ーピング装置が得られる。
態２であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、５ｂは、ガス吸着の少ない材料１４が被覆
された処理室５の内壁である。なお、図中、同一、相当
部分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形
態によるイオンドーピング装置の基本的構成および動作
等は実施の形態１に示すものと同様である。本実施の形
態では、処理室内壁５ｂにガス吸着の少ない材料１４を
被覆することにより、脱ガス等による処理室の真空度の
変動を小さくすることができ、実施の形態１と同様に、
再現性、安定性の良いイオンドーピング処理が行え、高
精度なドーピング量の制御を行うことが可能なイオンド
ーピング装置が得られる。
【００１４】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、５ｃは、温度制御が可能な処理室５の内
壁、１５は処理室５の内壁５ｃの表面温度を測定する温
度センサ、１６は温度センサ１５の測定結果を受けて、
内壁５ｃの温度を一定に制御するコントローラ、１７は
コントローラ１６により制御される処理室内壁５ｃの加
熱または冷却手段である。なお、図中、同一、相当部分
には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態に
よるイオンドーピング装置の基本的構成および動作等は
実施の形態１に示すものと同様である。ガス吸着および
脱ガスの量は、処理室５の内壁の表面状態だけでなく、
表面温度にも依存するため、本実施の形態では、処理室
５の内壁５ｃの温度を制御できるようにし、脱ガスの量
を制御するものである。
態３であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、５ｃは、温度制御が可能な処理室５の内
壁、１５は処理室５の内壁５ｃの表面温度を測定する温
度センサ、１６は温度センサ１５の測定結果を受けて、
内壁５ｃの温度を一定に制御するコントローラ、１７は
コントローラ１６により制御される処理室内壁５ｃの加
熱または冷却手段である。なお、図中、同一、相当部分
には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態に
よるイオンドーピング装置の基本的構成および動作等は
実施の形態１に示すものと同様である。ガス吸着および
脱ガスの量は、処理室５の内壁の表面状態だけでなく、
表面温度にも依存するため、本実施の形態では、処理室
５の内壁５ｃの温度を制御できるようにし、脱ガスの量
を制御するものである。
【００１５】温度制御の方法としては、処理室５の内壁
５ｃの表面温度を例えば内壁５ｃに埋設された熱電対等
の温度センサ１５でモニターし、イオンドーピング装置
外部に備えられたコントローラ１６にフィードバック
し、加熱または冷却手段１７を駆動して内壁５ｃの温度
を一定に制御するものである。図３では、温度センサ１
５を内壁５ｃの１箇所に設けたが、複数箇所に設置して
も良い。また、加熱手段としては、ヒータを設置する方
法が簡易であり、冷却手段としては、例えば冷却水等を
循環させる方法がある。本実施の形態によれば、処理室
５の内壁５ｃの温度を制御することにより、脱ガスの量
を制御することができ、これによって脱ガスによる処理
室の真空度の変動を小さくすることができる。その結
果、再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング
装置が得られる。
５ｃの表面温度を例えば内壁５ｃに埋設された熱電対等
の温度センサ１５でモニターし、イオンドーピング装置
外部に備えられたコントローラ１６にフィードバック
し、加熱または冷却手段１７を駆動して内壁５ｃの温度
を一定に制御するものである。図３では、温度センサ１
５を内壁５ｃの１箇所に設けたが、複数箇所に設置して
も良い。また、加熱手段としては、ヒータを設置する方
法が簡易であり、冷却手段としては、例えば冷却水等を
循環させる方法がある。本実施の形態によれば、処理室
５の内壁５ｃの温度を制御することにより、脱ガスの量
を制御することができ、これによって脱ガスによる処理
室の真空度の変動を小さくすることができる。その結
果、再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング
装置が得られる。
【００１６】実施の形態４．図４は、本発明の実施の形
態４であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１８は処理室５の内壁に設けられた着脱可
能なシールド板である。なお、図中、同一、相当部分に
は同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態によ
るイオンドーピング装置の基本的構成および動作等は実
施の形態１に示すものと同様である。本実施の形態で
は、処理室５の内壁に着脱可能なシールド板１８を設け
ることにより、処理室５の内壁がイオンに照射されて表
面層が変化することを防止するものである。シールド板
１８表面は、イオンに照射されて表面層が変化するが、
容易に着脱が可能であるので、一定時間使用したら取り
替えることができ、脱ガス等の影響が大きくなる前に交
換すればよい。
態４であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１８は処理室５の内壁に設けられた着脱可
能なシールド板である。なお、図中、同一、相当部分に
は同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態によ
るイオンドーピング装置の基本的構成および動作等は実
施の形態１に示すものと同様である。本実施の形態で
は、処理室５の内壁に着脱可能なシールド板１８を設け
ることにより、処理室５の内壁がイオンに照射されて表
面層が変化することを防止するものである。シールド板
１８表面は、イオンに照射されて表面層が変化するが、
容易に着脱が可能であるので、一定時間使用したら取り
替えることができ、脱ガス等の影響が大きくなる前に交
換すればよい。
【００１７】また、上記実施の形態１〜３と同様に、シ
ールド板１８の表面を１０μｍ以下に研磨したり、ガス
吸着の少ない材料１４を被覆したり、シールド板１８の
温度制御を行えるようにすることにより、さらにシール
ド板１８からの脱ガスが少なくなり、シールド板１８の
効果が増す。本実施の形態によれば、処理室５の内壁に
着脱可能なシールド板１８を設けることにより、脱ガス
等による処理室の真空度の変動を小さくすることがで
き、再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング
装置が得られる。
ールド板１８の表面を１０μｍ以下に研磨したり、ガス
吸着の少ない材料１４を被覆したり、シールド板１８の
温度制御を行えるようにすることにより、さらにシール
ド板１８からの脱ガスが少なくなり、シールド板１８の
効果が増す。本実施の形態によれば、処理室５の内壁に
着脱可能なシールド板１８を設けることにより、脱ガス
等による処理室の真空度の変動を小さくすることがで
き、再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング
装置が得られる。
【００１８】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１９は、処理室５内の被処理体保持部であ
る基板ホルダー４周辺に設けられたカバーである。な
お、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を
省略する。本実施の形態によるイオンドーピング装置の
基本的構成および動作等は実施の形態１に示すものと同
様である。本実施の形態では、処理室５内の基板ホルダ
ー４周辺にカバー１９を設けることにより、イオンが処
理室５内壁に漏れるのを防ぐもので、特にイオン照射に
よる基板からの二次イオンの発散を積極的に防止するも
のである。このカバー１９を設けることにより、処理室
５の内壁がイオンに照射されて表面層が変化することを
防止する効果がある。
態５であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１９は、処理室５内の被処理体保持部であ
る基板ホルダー４周辺に設けられたカバーである。な
お、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を
省略する。本実施の形態によるイオンドーピング装置の
基本的構成および動作等は実施の形態１に示すものと同
様である。本実施の形態では、処理室５内の基板ホルダ
ー４周辺にカバー１９を設けることにより、イオンが処
理室５内壁に漏れるのを防ぐもので、特にイオン照射に
よる基板からの二次イオンの発散を積極的に防止するも
のである。このカバー１９を設けることにより、処理室
５の内壁がイオンに照射されて表面層が変化することを
防止する効果がある。
【００１９】また、上記実施の形態１〜３と同様に、カ
バー１９の表面を１０μｍ以下に研磨したり、ガス吸着
の少ない材料１４を被覆したり、カバー１９の温度制御
を行えるようにすることにより、さらにカバー１９から
の脱ガスが少なくなり、カバー１９の効果が増す。本実
施の形態によれば、処理室５の基板保持部周辺にカバー
１９を設けることにより、脱ガス等による処理室の真空
度の変動を小さくすることができ、再現性、安定性が良
く、高精度なイオンドーピング装置が得られる。
バー１９の表面を１０μｍ以下に研磨したり、ガス吸着
の少ない材料１４を被覆したり、カバー１９の温度制御
を行えるようにすることにより、さらにカバー１９から
の脱ガスが少なくなり、カバー１９の効果が増す。本実
施の形態によれば、処理室５の基板保持部周辺にカバー
１９を設けることにより、脱ガス等による処理室の真空
度の変動を小さくすることができ、再現性、安定性が良
く、高精度なイオンドーピング装置が得られる。
【００２０】なお、上記実施の形態１〜５を複数組み合
わせることにより、処理室５内の真空度の変動をさらに
小さくすることが可能である。
わせることにより、処理室５内の真空度の変動をさらに
小さくすることが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、処理
室の内壁を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属
材料で構成したので、ガスの吸着が少なく、長期間にわ
たる使用においても脱ガス等による処理室内の真空度の
変動が抑制され、イオンの生成量の変動が少なくなり、
再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング装置
が得られる効果がある。
室の内壁を、表面荒さが１０μｍ以下に研磨された金属
材料で構成したので、ガスの吸着が少なく、長期間にわ
たる使用においても脱ガス等による処理室内の真空度の
変動が抑制され、イオンの生成量の変動が少なくなり、
再現性、安定性が良く、高精度なイオンドーピング装置
が得られる効果がある。
【００２２】また、処理室内壁の表面温度を制御できる
ようにしたので、脱ガス等による処理室内の真空度の変
動が抑制され、再現性、安定性が良く、高精度なイオン
ドーピング装置が得られる。
ようにしたので、脱ガス等による処理室内の真空度の変
動が抑制され、再現性、安定性が良く、高精度なイオン
ドーピング装置が得られる。
【００２３】さらに、処理室の内壁を被覆する着脱可能
なシールド板を設けたので、処理室内壁へのイオンの吸
着が抑制され、脱ガス等による処理室内の真空度の変動
を抑制することができ、再現性、安定性が良く、高精度
なイオンドーピング装置が得られる。
なシールド板を設けたので、処理室内壁へのイオンの吸
着が抑制され、脱ガス等による処理室内の真空度の変動
を抑制することができ、再現性、安定性が良く、高精度
なイオンドーピング装置が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態１であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
【図２】 この発明の実施の形態２であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
【図３】 この発明の実施の形態３であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
【図４】 この発明の実施の形態４であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
【図５】 この発明の実施の形態５であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
【図６】 従来のイオンドーピング装置を示す概略図で
ある。
ある。
１ イオン源、２ 引き出し電極、３ ガス供給ノズ
ル、４ 基板ホルダー、５ 処理室、５ａ 表面荒さ１
０μｍ以下に研磨された内壁、５ｂ ガス吸着の少ない
材料が被覆された内壁、５ｃ 温度制御が可能な内壁、
６ 真空搬送室、７ 真空搬送ロボット、８ 真空予備
室、９ 大気搬送ロボット、１０ 基板収納カセット、
１１、１２、１３ バルブ、１４ ガス吸着の少ない材
料、１５ 温度センサ、１６ コントローラ、１７ 加
熱または冷却手段、１８ シールド板、１９ カバー。
ル、４ 基板ホルダー、５ 処理室、５ａ 表面荒さ１
０μｍ以下に研磨された内壁、５ｂ ガス吸着の少ない
材料が被覆された内壁、５ｃ 温度制御が可能な内壁、
６ 真空搬送室、７ 真空搬送ロボット、８ 真空予備
室、９ 大気搬送ロボット、１０ 基板収納カセット、
１１、１２、１３ バルブ、１４ ガス吸着の少ない材
料、１５ 温度センサ、１６ コントローラ、１７ 加
熱または冷却手段、１８ シールド板、１９ カバー。
Claims (11)
- 【請求項１】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
え、上記処理室の内壁を、表面荒さが１０μｍ以下に研
磨された金属材料で構成したことを特徴とするイオンド
ーピング装置。 - 【請求項２】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
え、上記処理室の内壁を、ガス吸着の少ない材料で被覆
したことを特徴とするイオンドーピング装置。 - 【請求項３】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室内壁の表面温度を感知する温度センサ、 上記内壁を加熱または冷却する手段、 上記温度センサの検出結果に基づいて上記加熱または冷
却手段を駆動し、上記処理室内壁の表面温度を目標温度
に制御するコントローラを備えたことを特徴とするイオ
ンドーピング装置。 - 【請求項４】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室の内壁を被覆する着脱可能なシールド板を備
えたことを特徴とするイオンドーピング装置。 - 【請求項５】 シールド板は、表面荒さが１０μｍ以下
に研磨されていることを特徴とする請求項４記載のイオ
ンドーピング装置。 - 【請求項６】 シールド板の表面を、ガス吸着の少ない
材料で被覆したことを特徴とする請求項４記載のイオン
ドーピング装置。 - 【請求項７】 シールド板は、温度制御が行えるよう構
成されていることを特徴とする請求項４〜請求項６のい
ずれかに記載のイオンドーピング装置。 - 【請求項８】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記イオンの上記処理室内壁への飛散を防ぐために上記
処理室内の保持部周辺に設けられたカバーを備えたこと
を特徴とするイオンドーピング装置。 - 【請求項９】 カバーは、表面荒さが１０μｍ以下に研
磨されていることを特徴とする請求項８記載のイオンド
ーピング装置。 - 【請求項１０】 カバーの表面を、ガス吸着の少ない材
料で被覆したことを特徴とする請求項８記載のイオンド
ーピング装置。 - 【請求項１１】 カバーは、温度制御が行えるよう構成
されていることを特徴とする請求項８〜請求項１０のい
ずれかに記載のイオンドーピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232710A JPH1079237A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオンドーピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232710A JPH1079237A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオンドーピング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079237A true JPH1079237A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16943575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8232710A Pending JPH1079237A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | イオンドーピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045112A1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Saes Getters S.P.A. | Acceleration and focalization unit with improved vacuum for ion implanters |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP8232710A patent/JPH1079237A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045112A1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Saes Getters S.P.A. | Acceleration and focalization unit with improved vacuum for ion implanters |
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