JPH1079638A - 表面弾性波フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
表面弾性波フィルタ及びその製造方法Info
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程の簡素化を図るとともに、Ａｕコストの
低減と信頼性の向上を図り得る表面弾性波フィルタ及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電基板１１と、この圧電基板１１上に
形成されるＡｌ−Ｃｕ合金膜１２上にＮｉ膜１３を形成
した第１成膜の櫛歯電極と、この櫛歯電極の一部に形成
されるＮｉメッキ膜１４と薄いＡｕメッキ膜１５からな
る第２成膜のフリップチップ接続用バンプとを具備す
る。
低減と信頼性の向上を図り得る表面弾性波フィルタ及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電基板１１と、この圧電基板１１上に
形成されるＡｌ−Ｃｕ合金膜１２上にＮｉ膜１３を形成
した第１成膜の櫛歯電極と、この櫛歯電極の一部に形成
されるＮｉメッキ膜１４と薄いＡｕメッキ膜１５からな
る第２成膜のフリップチップ接続用バンプとを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、自動車
電話、無線機器等に使用される表面弾性波フィルタ（以
下、ＳＡＷ−Ｆと言う）に係り、特に、その電極膜の構
造に関するものである。
電話、無線機器等に使用される表面弾性波フィルタ（以
下、ＳＡＷ−Ｆと言う）に係り、特に、その電極膜の構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷ−Ｆは薄型化の要求に伴って、ワ
イヤボンディング方式からバンプ形成によるフリップチ
ップ接続への移行が試みられている。このバンプ形成
は、スタッドバンプ法によるものと、メッキ法によるも
のがあるが、後者の場合、以下に示すような構造が一般
的である。
イヤボンディング方式からバンプ形成によるフリップチ
ップ接続への移行が試みられている。このバンプ形成
は、スタッドバンプ法によるものと、メッキ法によるも
のがあるが、後者の場合、以下に示すような構造が一般
的である。
【０００３】図４はかかる従来のメッキバンプＳＡＷ−
Ｆの構造を示す断面図である。この図に示すように、水
晶やＬｉＴａＯ3 等からなる圧電基板１（板厚０．３５
〜０．３８ｍｍ）上に、櫛歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金
層（膜厚０．４μｍ）２、パッド電極となるＣｒ層
（０．０２μｍ）３、Ａｕ層（０．２μｍ）４を形成
し、その上にＡｕメッキ膜（２０μｍ）５を施し、Ａｕ
バンプを形成するものである。
Ｆの構造を示す断面図である。この図に示すように、水
晶やＬｉＴａＯ3 等からなる圧電基板１（板厚０．３５
〜０．３８ｍｍ）上に、櫛歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金
層（膜厚０．４μｍ）２、パッド電極となるＣｒ層
（０．０２μｍ）３、Ａｕ層（０．２μｍ）４を形成
し、その上にＡｕメッキ膜（２０μｍ）５を施し、Ａｕ
バンプを形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のメッキバンプＳＡＷ−Ｆでは、次のような欠点
があった。第１にＡｌ−Ｃｕ合金層（櫛歯電極）２が、
ダイシング中に腐食したり、チップ欠けで傷を付けたり
する場合が多い。
た従来のメッキバンプＳＡＷ−Ｆでは、次のような欠点
があった。第１にＡｌ−Ｃｕ合金層（櫛歯電極）２が、
ダイシング中に腐食したり、チップ欠けで傷を付けたり
する場合が多い。
【０００５】第２にＡｌ−Ｃｕ合金層２の形成（＝第１
成膜）、Ｃｒ−Ａｕ層３，４の形成（＝第２成膜）、Ａ
ｕメッキ膜５の形成（＝第３成膜）の３工程を必要とす
る。第３にＡｕメッキ膜厚確保のため、Ａｕコスト大と
なる。すなわち、Ａｕバンプを形成するために、十分な
Ａｕ膜厚（例えば、２０μｍ）が必要である。本発明
は、上記問題点を除去し、工程の簡略化を図るととも
に、Ａｕコストの低減と信頼性の向上を図り得る表面弾
性波フィルタ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
成膜）、Ｃｒ−Ａｕ層３，４の形成（＝第２成膜）、Ａ
ｕメッキ膜５の形成（＝第３成膜）の３工程を必要とす
る。第３にＡｕメッキ膜厚確保のため、Ａｕコスト大と
なる。すなわち、Ａｕバンプを形成するために、十分な
Ａｕ膜厚（例えば、２０μｍ）が必要である。本発明
は、上記問題点を除去し、工程の簡略化を図るととも
に、Ａｕコストの低減と信頼性の向上を図り得る表面弾
性波フィルタ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）表面弾性波フィルタにおいて、圧電基板と、この
圧電基板上に形成されるＡｌ−Ｃｕ合金膜上にＮｉ膜を
形成した第１成膜の櫛歯電極と、この櫛歯電極の一部に
形成されるＮｉメッキ膜と薄いＡｕメッキ膜からなる第
２成膜のフリップチップ接続用バンプとを設けるように
したものである。
成するために、 （１）表面弾性波フィルタにおいて、圧電基板と、この
圧電基板上に形成されるＡｌ−Ｃｕ合金膜上にＮｉ膜を
形成した第１成膜の櫛歯電極と、この櫛歯電極の一部に
形成されるＮｉメッキ膜と薄いＡｕメッキ膜からなる第
２成膜のフリップチップ接続用バンプとを設けるように
したものである。
【０００７】（２）表面弾性波フィルタの製造方法にお
いて、圧電基板上に櫛歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層を
形成し、このＡｌ−Ｃｕ合金層上にＮｉ膜を連続蒸着
し、第１成膜としての櫛歯電極を形成する工程と、この
櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜と薄いＡｕメッキ膜の連
続メッキを行い、第２成膜としてのＮｉ−Ａｕバンプを
形成する工程とを施すようにしたものである。
いて、圧電基板上に櫛歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層を
形成し、このＡｌ−Ｃｕ合金層上にＮｉ膜を連続蒸着
し、第１成膜としての櫛歯電極を形成する工程と、この
櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜と薄いＡｕメッキ膜の連
続メッキを行い、第２成膜としてのＮｉ−Ａｕバンプを
形成する工程とを施すようにしたものである。
【０００８】（３）上記（２）記載の表面弾性波フィル
タの製造方法において、前記Ａｕメッキ膜を２μｍ程度
に形成するようにしたものである。 本発明によれば、上記のように構成したので、 （Ａ）Ａｌ−Ｃｕ合金上に腐食性に優れ、傷が付き難い
Ｎｉ膜を形成しているため、ダイシング中に腐食を起こ
すことはなく、また、傷も付き難く歩留まりが向上す
る。
タの製造方法において、前記Ａｕメッキ膜を２μｍ程度
に形成するようにしたものである。 本発明によれば、上記のように構成したので、 （Ａ）Ａｌ−Ｃｕ合金上に腐食性に優れ、傷が付き難い
Ｎｉ膜を形成しているため、ダイシング中に腐食を起こ
すことはなく、また、傷も付き難く歩留まりが向上す
る。
【０００９】（Ｂ）Ａｌ−Ｃｕ合金膜とＮｉ膜の連続蒸
着膜を第１成膜、ＮｉメッキとＡｕメッキの連続メッキ
膜を第２成膜としているため、２工程になり、工程が簡
略化する。 （Ｃ）バンプをＡｕメッキのみでなく、Ｎｉ−Ａｕメッ
キとし、安価なＮｉを用い、Ａｕを薄くしているため、
材料コストも低減する。
着膜を第１成膜、ＮｉメッキとＡｕメッキの連続メッキ
膜を第２成膜としているため、２工程になり、工程が簡
略化する。 （Ｃ）バンプをＡｕメッキのみでなく、Ｎｉ−Ａｕメッ
キとし、安価なＮｉを用い、Ａｕを薄くしているため、
材料コストも低減する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例を
示すメッキバンプＳＡＷ−Ｆの構造を示す断面図であ
る。図１に示すように、このメッキバンプＳＡＷ−Ｆ
は、水晶やＬｉＴａＯ3 等からなる圧電基板１１上の櫛
歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層（膜厚０．３〜０．３５
μｍ）１２、薄いＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．１μ
ｍ）とを第１成膜とする。
て図を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例を
示すメッキバンプＳＡＷ−Ｆの構造を示す断面図であ
る。図１に示すように、このメッキバンプＳＡＷ−Ｆ
は、水晶やＬｉＴａＯ3 等からなる圧電基板１１上の櫛
歯電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層（膜厚０．３〜０．３５
μｍ）１２、薄いＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．１μ
ｍ）とを第１成膜とする。
【００１１】その櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜（膜厚
２０μｍ）１４、Ａｕメッキ膜（膜厚２μｍ）１５から
なる第２成膜を形成し、この第２成膜をもってＮｉ−Ａ
ｕバンプとして用いるようにしたものである。以下、本
発明のメッキバンプＳＡＷ−Ｆの製造方法について説明
する。図２は本発明の実施例を示すメッキバンプＳＡＷ
−Ｆの製造工程断面図である。なお、実際のメッキバン
プＳＡＷ−Ｆでは、図２に示す櫛歯電極が対向する側に
も形成されるが、ここでは省略している。
２０μｍ）１４、Ａｕメッキ膜（膜厚２μｍ）１５から
なる第２成膜を形成し、この第２成膜をもってＮｉ−Ａ
ｕバンプとして用いるようにしたものである。以下、本
発明のメッキバンプＳＡＷ−Ｆの製造方法について説明
する。図２は本発明の実施例を示すメッキバンプＳＡＷ
−Ｆの製造工程断面図である。なお、実際のメッキバン
プＳＡＷ−Ｆでは、図２に示す櫛歯電極が対向する側に
も形成されるが、ここでは省略している。
【００１２】（１）まず、図２（ａ）に示すように、圧
電基板１１（板厚０．３５〜０．３８ｍｍ）上に、櫛歯
電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層（膜厚０．３〜０．３５μ
ｍ）１２を形成し、このＡｌ−Ｃｕ合金層１２上に、薄
いＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．１μｍ）を連続蒸着
によって形成し、これをホトリソエッチングにより、リ
フトオフを行い、第１成膜とする。
電基板１１（板厚０．３５〜０．３８ｍｍ）上に、櫛歯
電極となるＡｌ−Ｃｕ合金層（膜厚０．３〜０．３５μ
ｍ）１２を形成し、このＡｌ−Ｃｕ合金層１２上に、薄
いＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．１μｍ）を連続蒸着
によって形成し、これをホトリソエッチングにより、リ
フトオフを行い、第１成膜とする。
【００１３】（２）次いで、図２（ｂ）に示すように、
この櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜（膜厚２０μｍ）１
４、Ａｕメッキ膜（膜厚２μｍ）１５を連続して形成
し、これを第２成膜とする。この第２成膜をＮｉ−Ａｕ
バンプとして用いる。図３はこのようにして製造された
メッキバンプＳＡＷ−Ｆのセラミック基板への実装状態
を示す断面図である。
この櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜（膜厚２０μｍ）１
４、Ａｕメッキ膜（膜厚２μｍ）１５を連続して形成
し、これを第２成膜とする。この第２成膜をＮｉ−Ａｕ
バンプとして用いる。図３はこのようにして製造された
メッキバンプＳＡＷ−Ｆのセラミック基板への実装状態
を示す断面図である。
【００１４】圧電基板１１上に、Ａｌ−Ｃｕ合金層１２
とＮｉ膜１３からなる第１成膜としての櫛歯電極と、そ
の上に形成されたＮｉメッキ膜１４とＡｕメッキ膜１５
からなる第２成膜としてのＮｉ−Ａｕバンプとが形成さ
れたメッキバンプＳＡＷ−Ｆを下向きにして、セラミッ
ク基板２１上に形成されるＷ膜２２、Ｎｉ膜２３、Ａｕ
膜２４から形成される電極に突き合わせて接続する。
とＮｉ膜１３からなる第１成膜としての櫛歯電極と、そ
の上に形成されたＮｉメッキ膜１４とＡｕメッキ膜１５
からなる第２成膜としてのＮｉ−Ａｕバンプとが形成さ
れたメッキバンプＳＡＷ−Ｆを下向きにして、セラミッ
ク基板２１上に形成されるＷ膜２２、Ｎｉ膜２３、Ａｕ
膜２４から形成される電極に突き合わせて接続する。
【００１５】このように構成したので、本発明のメッキ
バンプＳＡＷ−Ｆは、Ａｌ−Ｃｕ合金層１２（膜厚０．
３〜０．３５μｍ）とＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．
１μｍ）の形成（＝第１成膜）、Ｎｉメッキ膜１４（膜
厚２０μｍ）とＡｕメッキ膜１５（膜厚２μｍ）の形成
（＝第２成膜）の２工程を要するのみで済む。また、従
来では、Ａｕメッキ膜（２０μｍ）５を施し、Ａｕバン
プを形成していたのに対して、本発明では第２成膜中の
Ａｕメッキ膜の膜厚は２μｍで済むため、Ａｕコストの
低減を図ることができる。
バンプＳＡＷ−Ｆは、Ａｌ−Ｃｕ合金層１２（膜厚０．
３〜０．３５μｍ）とＮｉ膜１３（膜厚０．０５〜０．
１μｍ）の形成（＝第１成膜）、Ｎｉメッキ膜１４（膜
厚２０μｍ）とＡｕメッキ膜１５（膜厚２μｍ）の形成
（＝第２成膜）の２工程を要するのみで済む。また、従
来では、Ａｕメッキ膜（２０μｍ）５を施し、Ａｕバン
プを形成していたのに対して、本発明では第２成膜中の
Ａｕメッキ膜の膜厚は２μｍで済むため、Ａｕコストの
低減を図ることができる。
【００１６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）まず、第１にＡｌ−Ｃｕ合金上に腐食性に優れ、
傷が付き難いＮｉ膜を形成しているため、ダイシング中
に腐食を起こすことはなく、また、傷も付き難く歩留ま
りが向上する。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）まず、第１にＡｌ−Ｃｕ合金上に腐食性に優れ、
傷が付き難いＮｉ膜を形成しているため、ダイシング中
に腐食を起こすことはなく、また、傷も付き難く歩留ま
りが向上する。
【００１８】（２）Ａｌ−Ｃｕ合金膜とＮｉ膜の連続蒸
着膜を第１成膜、Ｎｉメッキ膜とＡｕメッキ膜の連続メ
ッキ膜を第２成膜としているため、２工程になり、工程
を簡略化することができる。 （３）バンプをＡｕメッキのみでなく、Ｎｉ−Ａｕメッ
キとし、安価なＮｉを用い、Ａｕを薄くしているため、
材料コストも低減する。
着膜を第１成膜、Ｎｉメッキ膜とＡｕメッキ膜の連続メ
ッキ膜を第２成膜としているため、２工程になり、工程
を簡略化することができる。 （３）バンプをＡｕメッキのみでなく、Ｎｉ−Ａｕメッ
キとし、安価なＮｉを用い、Ａｕを薄くしているため、
材料コストも低減する。
【図１】本発明の実施例を示すメッキバンプＳＡＷ−Ｆ
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を示すメッキバンプＳＡＷ−Ｆ
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図３】本発明の実施例を示すメッキバンプＳＡＷ−Ｆ
のセラミック基板への実装状態を示す断面図である。
のセラミック基板への実装状態を示す断面図である。
【図４】従来のメッキバンプＳＡＷ−Ｆの構造を示す断
面図である。
面図である。
１１ 圧電基板 １２ Ａｌ−Ｃｕ合金層 １３ 薄いＮｉ膜 １４ Ｎｉメッキ膜 １５ Ａｕメッキ膜 ２１ セラミック基板 ２２ Ｗ膜 ２３ Ｎｉ膜 ２４ Ａｕ膜
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）圧電基板と、（ｂ）該圧電基板上に
形成されるＡｌ−Ｃｕ合金膜上にＮｉ膜を形成した第１
成膜の櫛歯電極と、（ｃ）該櫛歯電極の一部に形成され
るＮｉメッキ膜と薄いＡｕメッキ膜からなる第２成膜の
フリップチップ接続用バンプとを具備することを特徴と
する表面弾性波フィルタ。 - 【請求項２】（ａ）圧電基板上に櫛歯電極となるＡｌ−
Ｃｕ合金層を形成し、該Ａｌ−Ｃｕ合金層上にＮｉ膜を
連続蒸着し、第１成膜としての櫛歯電極を形成する工程
と、（ｂ）該櫛歯電極の一部にＮｉメッキ膜と薄いＡｕ
メッキ膜の連続メッキを行い、第２成膜としてのＮｉ−
Ａｕバンプを形成する工程とを施すことを特徴とする表
面弾性波フィルタの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の表面弾性波フィルタの製
造方法において、前記Ａｕメッキ膜を２μｍ程度に形成
することを特徴とする表面弾性波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23482596A JPH1079638A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 表面弾性波フィルタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23482596A JPH1079638A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 表面弾性波フィルタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079638A true JPH1079638A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16976982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23482596A Withdrawn JPH1079638A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 表面弾性波フィルタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079638A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003051733A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Tdk Corp | 高周波モジュール部品 |
| KR100378919B1 (ko) * | 1999-04-28 | 2003-04-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법 |
| US6623842B2 (en) | 2000-09-21 | 2003-09-23 | Tdk Corporation | Surface electrode structure on ceramic multi-layer substrate and process for producing the same |
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-
1996
- 1996-09-05 JP JP23482596A patent/JPH1079638A/ja not_active Withdrawn
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