JPH1083077A - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
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- JPH1083077A JPH1083077A JP9181244A JP18124497A JPH1083077A JP H1083077 A JPH1083077 A JP H1083077A JP 9181244 A JP9181244 A JP 9181244A JP 18124497 A JP18124497 A JP 18124497A JP H1083077 A JPH1083077 A JP H1083077A
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- JP
- Japan
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- photoresist composition
- diazide
- nitrite
- salt
- photoresist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィー工程により陰極線管のブラッ
クマトリックスパターンの形成に使用でき、短い露光時
間にも十分な硬化効果が得られるフォトレジスト組成物
を提供する。 【解決手段】 光硬化性高分子および感光剤を含むフォ
トレジスト組成物において、前記感光剤は4,4 ’−ジア
ジド−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩、
4,4 ’−ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホ
ネートジソジウム塩、2,5 −ビス（４−アジド−２−ス
ルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウム塩およ
び4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−ジシンナミリデンアセト
ンスルホネート塩よりなる群から選択された少なくとも
２つ以上を含むフォトレジスト組成物を用いてリソグラ
フィー工程を経る場合、露光時間が短縮できて製品の生
産性の向上に寄与しうる。
クマトリックスパターンの形成に使用でき、短い露光時
間にも十分な硬化効果が得られるフォトレジスト組成物
を提供する。 【解決手段】 光硬化性高分子および感光剤を含むフォ
トレジスト組成物において、前記感光剤は4,4 ’−ジア
ジド−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩、
4,4 ’−ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホ
ネートジソジウム塩、2,5 −ビス（４−アジド−２−ス
ルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウム塩およ
び4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−ジシンナミリデンアセト
ンスルホネート塩よりなる群から選択された少なくとも
２つ以上を含むフォトレジスト組成物を用いてリソグラ
フィー工程を経る場合、露光時間が短縮できて製品の生
産性の向上に寄与しうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト組成
物に係り、特にリソグラフィー工程により陰極線管のブ
ラックマトリックスパターンの形成に使用でき、短い露
光時間にも十分な硬化効果が得られるフォトレジスト組
成物に関する。
物に係り、特にリソグラフィー工程により陰極線管のブ
ラックマトリックスパターンの形成に使用でき、短い露
光時間にも十分な硬化効果が得られるフォトレジスト組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、カラー陰極線管スクリーンに
は、緑色、青色および赤色発光蛍光体パターンがドット
またはストライプ状に規則的に配列されている。また、
各蛍光体パターンの間にはスクリーンのコントラスト、
色純度などを向上させるためブラックマトリックスが形
成されている。その形成方法は、蛍光体パターンを形成
する方法と同様に、リソグラフィー工程を利用すること
が一般的である。
は、緑色、青色および赤色発光蛍光体パターンがドット
またはストライプ状に規則的に配列されている。また、
各蛍光体パターンの間にはスクリーンのコントラスト、
色純度などを向上させるためブラックマトリックスが形
成されている。その形成方法は、蛍光体パターンを形成
する方法と同様に、リソグラフィー工程を利用すること
が一般的である。
【０００３】リソグラフィー工程は、フォトレジストの
塗布、露光、現像工程を含む。ここで、フォトレジスト
はポジティブ形とネガティブ形とに大別され、要求され
る感度、パターンの形と解像度および基板との密着性な
どを考慮して選択的に利用される。
塗布、露光、現像工程を含む。ここで、フォトレジスト
はポジティブ形とネガティブ形とに大別され、要求され
る感度、パターンの形と解像度および基板との密着性な
どを考慮して選択的に利用される。
【０００４】より詳しく説明すれば、ポジティブ形フォ
トレジストを用いる場合、まずフォトレジストと黒煙の
混合スラリーを製造する。次いで、スラリーを陰極線管
用パネルの内面に塗布し、シャドーマスクを装着した
後、露光および現像工程を経るとブラックマトリックス
パターンが形成される。
トレジストを用いる場合、まずフォトレジストと黒煙の
混合スラリーを製造する。次いで、スラリーを陰極線管
用パネルの内面に塗布し、シャドーマスクを装着した
後、露光および現像工程を経るとブラックマトリックス
パターンが形成される。
【０００５】反面、ネガティブ形フォトレジストを用い
る場合、ポジティブ形フォトレジストを用いる場合と同
一な方法を利用すれば、蛍光体パターンが形成される部
分にブラックマトリックスパターンが形成される問題点
が発生する。これにより、ブラックマトリックスパター
ンを形成する工程が、ポジティブ形を使用する場合に比
べて変わる。
る場合、ポジティブ形フォトレジストを用いる場合と同
一な方法を利用すれば、蛍光体パターンが形成される部
分にブラックマトリックスパターンが形成される問題点
が発生する。これにより、ブラックマトリックスパター
ンを形成する工程が、ポジティブ形を使用する場合に比
べて変わる。
【０００６】即ち、黒煙を含まないネガティブ形フォト
レジスト組成物を陰極線管用パネルの内面に塗布した
後、露光および現像工程を経ると、蛍光体パターンが形
成される部分の露光部に樹脂パターンが形成される。樹
脂パターンが形成された面に黒煙を塗布した後、硫酸を
用いて樹脂パターンをエッチングして除去すればブラッ
クマトリックスパターンが形成される。
レジスト組成物を陰極線管用パネルの内面に塗布した
後、露光および現像工程を経ると、蛍光体パターンが形
成される部分の露光部に樹脂パターンが形成される。樹
脂パターンが形成された面に黒煙を塗布した後、硫酸を
用いて樹脂パターンをエッチングして除去すればブラッ
クマトリックスパターンが形成される。
【０００７】このようなネガティブ形フォトレジスト組
成物は、有機溶媒に溶解されている光硬化性高分子およ
び感光剤を含む。この中、感光剤としては、4,4 ’−ジ
アジド−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩
（DAS ）が主に使用されている。
成物は、有機溶媒に溶解されている光硬化性高分子およ
び感光剤を含む。この中、感光剤としては、4,4 ’−ジ
アジド−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩
（DAS ）が主に使用されている。
【０００８】このような感光剤は、感光性があって架橋
剤として作用する。ネガティブ形フォトレジストを塗布
した後、所定時間光を照射すると、感光剤により高分子
が架橋反応を起こしてフォトレジストが硬化されるもの
である。ここで、リソグラフィー工程時間の短縮のため
露光時間の短縮が必要であるが、このため光反応性に優
れたフォトレジストの開発が要求されている。
剤として作用する。ネガティブ形フォトレジストを塗布
した後、所定時間光を照射すると、感光剤により高分子
が架橋反応を起こしてフォトレジストが硬化されるもの
である。ここで、リソグラフィー工程時間の短縮のため
露光時間の短縮が必要であるが、このため光反応性に優
れたフォトレジストの開発が要求されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決して、光反応性に優れて比較的短時間の露
光によっても十分な架橋反応が発生するため、リソグラ
フィー工程に採用しやすいフォトレジスト組成物を提供
するにある。
問題点を解決して、光反応性に優れて比較的短時間の露
光によっても十分な架橋反応が発生するため、リソグラ
フィー工程に採用しやすいフォトレジスト組成物を提供
するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、光硬化性高分子および感光剤を含むフォトレ
ジスト組成物において、前記感光剤は4,4 ’−ジアジド
−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩(4,4'-
diazido-2,2'-stilbenedisulfonate sodium salt) 、4,
4 ’−ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホネ
ートジソジウム塩(4,4'-diazo-2,2'-dibenzalacetone d
isulfonate disodium salt) 、2,5 −ビス（４−アジド
−２−スルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウ
ム塩(2,5-bis(4-azido-2-sulfobenzylidene) cyclopent
anone disodium salt)および4,4’−ジアジド−2,2 ’
−ジシンナミリデンアセトンスルホネート塩(4,4'-diaz
ido-2,2'-dicinnamylideneacetone sulfonate salt) よ
りなる群から選択された少なくとも２つ以上を含むこと
を特徴とするフォトレジスト組成物を提供する。
本発明は、光硬化性高分子および感光剤を含むフォトレ
ジスト組成物において、前記感光剤は4,4 ’−ジアジド
−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩(4,4'-
diazido-2,2'-stilbenedisulfonate sodium salt) 、4,
4 ’−ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホネ
ートジソジウム塩(4,4'-diazo-2,2'-dibenzalacetone d
isulfonate disodium salt) 、2,5 −ビス（４−アジド
−２−スルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウ
ム塩(2,5-bis(4-azido-2-sulfobenzylidene) cyclopent
anone disodium salt)および4,4’−ジアジド−2,2 ’
−ジシンナミリデンアセトンスルホネート塩(4,4'-diaz
ido-2,2'-dicinnamylideneacetone sulfonate salt) よ
りなる群から選択された少なくとも２つ以上を含むこと
を特徴とするフォトレジスト組成物を提供する。
【００１１】特に、前記感光剤は、前記光硬化性高分子
に対し、１〜２０重量％であることが望ましい。
に対し、１〜２０重量％であることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】単一感光剤のみを使用することに
よる、露光に長時間を必要とする問題点を克服するため
に、本発明は種々の感光剤を混合使用することを特徴と
する。
よる、露光に長時間を必要とする問題点を克服するため
に、本発明は種々の感光剤を混合使用することを特徴と
する。
【００１３】感光剤としては、4,4 ’−ジアジド−2,2
’−スチルベンジスルホネートソジウム塩、4,4 ’−
ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホネートジ
ソジウム塩（DAB ）、2,5 −ビス（４−アジド−２−ス
ルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウム塩（DA
P ）および4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−ジシンナミリデ
ンアセトンスルホネート塩（DACA）の中、少なくとも２
つ以上を混合して使用する。
’−スチルベンジスルホネートソジウム塩、4,4 ’−
ジアゾ−2,2 ’−ジベンザルアセトンジスルホネートジ
ソジウム塩（DAB ）、2,5 −ビス（４−アジド−２−ス
ルホベンジリデン）シクロペンタノンジソジウム塩（DA
P ）および4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−ジシンナミリデ
ンアセトンスルホネート塩（DACA）の中、少なくとも２
つ以上を混合して使用する。
【００１４】図1 は、前述した感光剤の光吸収ピークお
よび水銀灯から照射される光ピークを示すグラフであ
る。図1 において、曲線ａ，ｂおよびｃはＤＡＳ、ＤＡ
ＢおよびＤＡＰの光吸収度を示し、光吸収能力は類似し
ているが吸収可能な波長領域は異なる。また、４本のバ
ーは水銀灯から照射される光の主要ピークを概略的に示
すグラフであって、４３６nm波長のピーク強度を基準に
３３５nm、３６５nm、４０５nmの波長のピーク強度を概
略的に示している。
よび水銀灯から照射される光ピークを示すグラフであ
る。図1 において、曲線ａ，ｂおよびｃはＤＡＳ、ＤＡ
ＢおよびＤＡＰの光吸収度を示し、光吸収能力は類似し
ているが吸収可能な波長領域は異なる。また、４本のバ
ーは水銀灯から照射される光の主要ピークを概略的に示
すグラフであって、４３６nm波長のピーク強度を基準に
３３５nm、３６５nm、４０５nmの波長のピーク強度を概
略的に示している。
【００１５】図1 からわかるように、何れか１種類の感
光剤のみを使用すれば、光源から照射される光が効率的
に利用できない。このような問題点を克服するために、
本発明では多様な波長の光を吸収しうるように種々の感
光剤を含むフォトレジスト組成物を提供することによ
り、光を効率的に用いて露光工程にかかる時間を短縮さ
せうる。
光剤のみを使用すれば、光源から照射される光が効率的
に利用できない。このような問題点を克服するために、
本発明では多様な波長の光を吸収しうるように種々の感
光剤を含むフォトレジスト組成物を提供することによ
り、光を効率的に用いて露光工程にかかる時間を短縮さ
せうる。
【００１６】本発明において、光硬化性高分子は、通
常、フォトレジスト組成物に用いられるものなら特に制
限はなく、ポリビニルピロリドン(PVP) 、ポリ（アクリ
ルアミド−コ（co）−ジアセトンアクリルアミド）が望
ましい。この場合、光硬化性高分子と感光剤との重量比
は１：０．０１〜１：０．２が望ましい。
常、フォトレジスト組成物に用いられるものなら特に制
限はなく、ポリビニルピロリドン(PVP) 、ポリ（アクリ
ルアミド−コ（co）−ジアセトンアクリルアミド）が望
ましい。この場合、光硬化性高分子と感光剤との重量比
は１：０．０１〜１：０．２が望ましい。
【００１７】また、本発明によれば、フォトレジスト組
成物の中の感光剤が4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチル
ベンジスルホネートソジウム塩を基本的に含み、さらに
別の感光剤を少なくとも１つ含むことが望ましい。この
場合、4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチルベンジスルホ
ネートソジウム塩は、前記感光剤の全体重量に対し、１
０〜９０重量％であることが望ましい。
成物の中の感光剤が4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチル
ベンジスルホネートソジウム塩を基本的に含み、さらに
別の感光剤を少なくとも１つ含むことが望ましい。この
場合、4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチルベンジスルホ
ネートソジウム塩は、前記感光剤の全体重量に対し、１
０〜９０重量％であることが望ましい。
【００１８】また、本発明のフォトレジスト組成物に
は、亜硝酸金属塩がさらに含まれていることが望まし
い。亜硝酸金属塩は還元剤として作用し、光硬化性高分
子の酸化を防止する作用をする。従って、亜硝酸金属塩
がフォトレジスト組成物中に含まれている場合、経時的
にフォトレジスト組成物の粘度と感度が徐々に低下され
る問題点が克服されうる。本発明において、亜硝酸金属
塩の含量は、前記光硬化性高分子を基準とし、０．１〜
２０重量％が望ましく、さらに望ましくは０．５〜５重
量％である。亜硝酸金属塩の含量が０．１重量％未満な
ら光硬化性高分子の酸化防止効果が僅かであり、２０重
量％を超えると良好なブラックマトリックスパターンを
形成しにくいからである。望ましい亜硝酸金属塩として
は、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム、亜硝酸アンモ
ニウム、亜硝酸マグネシウムなどが挙げられる。
は、亜硝酸金属塩がさらに含まれていることが望まし
い。亜硝酸金属塩は還元剤として作用し、光硬化性高分
子の酸化を防止する作用をする。従って、亜硝酸金属塩
がフォトレジスト組成物中に含まれている場合、経時的
にフォトレジスト組成物の粘度と感度が徐々に低下され
る問題点が克服されうる。本発明において、亜硝酸金属
塩の含量は、前記光硬化性高分子を基準とし、０．１〜
２０重量％が望ましく、さらに望ましくは０．５〜５重
量％である。亜硝酸金属塩の含量が０．１重量％未満な
ら光硬化性高分子の酸化防止効果が僅かであり、２０重
量％を超えると良好なブラックマトリックスパターンを
形成しにくいからである。望ましい亜硝酸金属塩として
は、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム、亜硝酸アンモ
ニウム、亜硝酸マグネシウムなどが挙げられる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明が必ずしもこれに限定されるもの
ではない。ここで、PVP は商品名Ｋ９０、ＧＡＦ社（ア
メリカ）製、シランカップリング剤（A1120 ）は日本ユ
ニオンカーバイド社(Nippon Union Carbide)製のものを
用いた。
に説明するが、本発明が必ずしもこれに限定されるもの
ではない。ここで、PVP は商品名Ｋ９０、ＧＡＦ社（ア
メリカ）製、シランカップリング剤（A1120 ）は日本ユ
ニオンカーバイド社(Nippon Union Carbide)製のものを
用いた。
【００２０】実施例１ 下記のような組成の物質を混合した後、２時間攪拌して
フォトレジスト組成物を用意した。
フォトレジスト組成物を用意した。
【００２１】フォトレジスト組成物 PVP ２．７ｇ DAS 0 ．405 ｇ DAB 0 ．216 ｇ シランカップリング剤（A1120 ） 0．027 ｇ 純水 96．68ｇ 準備された組成物を１４”パネルにスピン塗布および乾
燥し、0 ．28DOT マスクを装着して超高圧水銀灯を用い
て１３秒間露光した後、純水で現像して非露光部を除去
して樹脂パターンを形成した。次いで、樹脂パターンの
形成面に黒煙をスピン塗布および乾燥した後、６％の硫
酸水溶液に１分間漬けた後、高圧の純水を用いて現像工
程を経た。パネル面に対したSEM 写真の撮影結果、１１
０μm ドットの大きさの堅固なブラックマトリックスが
形成された。
燥し、0 ．28DOT マスクを装着して超高圧水銀灯を用い
て１３秒間露光した後、純水で現像して非露光部を除去
して樹脂パターンを形成した。次いで、樹脂パターンの
形成面に黒煙をスピン塗布および乾燥した後、６％の硫
酸水溶液に１分間漬けた後、高圧の純水を用いて現像工
程を経た。パネル面に対したSEM 写真の撮影結果、１１
０μm ドットの大きさの堅固なブラックマトリックスが
形成された。
【００２２】実施例２ 下記のような組成のフォトレジスト組成物を使用し、露
光を１１秒間実施することを除いては、実施例１と同一
な工程を経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固な
ブラックマトリックスが形成された。
光を１１秒間実施することを除いては、実施例１と同一
な工程を経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固な
ブラックマトリックスが形成された。
【００２３】フォトレジスト組成物 PVP ２．７ｇ DAS 0 ．405 ｇ DAP 0 ．216 ｇ シランカップリング剤（A1120 ） 0．027 ｇ 純水 96．68ｇ実施例３ 下記のようなフォトレジスト組成物を使用し、露光を１
１秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程
を経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固なブラッ
クマトリックスが形成された。
１秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程
を経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固なブラッ
クマトリックスが形成された。
【００２４】フォトレジスト組成物 PVP ２．７ｇ DAS 0 ．405 ｇ DACA 0 ．216 ｇ シランカップリング剤（A1120 ） 0．027 ｇ 純水 96．68ｇ実施例４ 下記のようなフォトレジスト組成物を使用し、露光を９
秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程を
経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固なブラック
マトリックスが形成された。
秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程を
経た結果、１１０μm ドットの大きさの堅固なブラック
マトリックスが形成された。
【００２５】フォトレジスト組成物 PVP ２．７ｇ DAS 0 ．405 ｇ DAB 0 ．216 ｇ DAP 0 ．216 ｇ シランカップリング剤（A1120 ） 0．027 ｇ 純水 96．464 ｇ比較例 下記のようなフォトレジスト組成物を使用し、露光を１
０秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程
を経た。パネル面に対してSEM 写真を撮影した結果、ド
ットが６０〜８０μm の大きさに不均一に形成されてい
るブラックマトリックスが形成された。露光工程でフォ
トレジストが充分に架橋されなくて所望の大きさおよび
形の樹脂パターンが形成されなかったため、ドットが小
さく不均一なブラックマトリックスが形成されたもので
ある。
０秒間実施することを除いては、実施例１と同一な工程
を経た。パネル面に対してSEM 写真を撮影した結果、ド
ットが６０〜８０μm の大きさに不均一に形成されてい
るブラックマトリックスが形成された。露光工程でフォ
トレジストが充分に架橋されなくて所望の大きさおよび
形の樹脂パターンが形成されなかったため、ドットが小
さく不均一なブラックマトリックスが形成されたもので
ある。
【００２６】フォトレジスト組成物 PVP ２．７ｇ DAS 0 ．405 ｇ シランカップリング剤（A1120 ） 0．027 ｇ 純水 96．86ｇ 実施例および比較例を比べると、１種類の感光剤のみを
使用する場合、所望のドットが形成されたブラックマト
リックスを形成するため、露光時間が多くかかることが
わかる。
使用する場合、所望のドットが形成されたブラックマト
リックスを形成するため、露光時間が多くかかることが
わかる。
【００２７】
【発明の効果】前述したように、本発明のフォトレジス
ト組成物を用いてリソグラフィー工程を経る場合、露光
時間の短縮ができて製品の生産性の向上に寄与しうる。
ト組成物を用いてリソグラフィー工程を経る場合、露光
時間の短縮ができて製品の生産性の向上に寄与しうる。
【図１】一般的に使用される感光剤の光吸収ピークおよ
び水銀灯から照射される光ピークを示すグラフである。
び水銀灯から照射される光ピークを示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 金 昌 ▲いく▼ 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘４洞1217 番地 三星３次アパート５棟201號 (72)発明者 姜 紀 旭 大韓民国京畿道城南市盆唐區書▲けん▼洞 92番地 示範現代アパート408棟105號
Claims (8)
- 【請求項１】 光硬化性高分子および感光剤を含むフォ
トレジスト組成物において、 前記感光剤は、4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチルベン
ジスルホネートソジウム塩、4,4 ’−ジアゾ−2,2 ’−
ジベンザルアセトンジスルホネートジソジウム塩、2,5
−ビス（４−アジド−２−スルホベンジリデン）シクロ
ペンタノンジソジウム塩および4,4 ’−ジアジド−2,2
’−ジシンナミリデンアセトンスルホネート塩よりな
る群から選択された少なくとも２つ以上を含むことを特
徴とするフォトレジスト組成物。 - 【請求項２】 前記光硬化性高分子は、ポリビニルピロ
リドンおよびポリ（アクリルアミド−コ−ジアセトンア
クリルアミド）よりなる群から選択された１つであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成
物。 - 【請求項３】 前記感光剤は、前記光硬化性高分子に対
し、１〜２０重量％であることを特徴とする請求項１に
記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項４】 前記感光剤は、4,4 ’−ジアゾ−2,2 ’
−ジベンザルアセトンジスルホネートジソジウム塩、2,
5 −ビス（４−アジド−２−スルホベンジリデン）シク
ロペンタノンジソジウム塩および4,4 ’−ジアジド−2,
2 ’−ジシンナミリデンアセトンスルホネート塩よりな
る群から選択された少なくとも１つおよび4,4 ’−ジア
ジド−2,2 ’−スチルベンジスルホネートソジウム塩を
含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト
組成物。 - 【請求項５】 前記4,4 ’−ジアジド−2,2 ’−スチル
ベンジスルホネートソジウム塩の含量は、前記感光剤の
全重量に対し、１０〜９０重量％であることを特徴とす
る請求項４に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項６】 亜硝酸金属塩をさらに含むことを特徴と
する請求項１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項７】 前記亜硝酸金属塩は、亜硝酸ナトリウ
ム、亜硝酸カリウム、亜硝酸アンモニウムおよび亜硝酸
マグネシウムよりなる群から選択された１つであること
を特徴とする請求項６に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項８】 前記亜硝酸金属塩の含量は、前記光硬化
性高分子に対し、0.1 〜２０重量％であることを特徴と
する請求項６に記載のフォトレジスト組成物。
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