JPH1090073A - 輻射センサ及びその製造方法 - Google Patents
輻射センサ及びその製造方法Info
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- JPH1090073A JPH1090073A JP24045796A JP24045796A JPH1090073A JP H1090073 A JPH1090073 A JP H1090073A JP 24045796 A JP24045796 A JP 24045796A JP 24045796 A JP24045796 A JP 24045796A JP H1090073 A JPH1090073 A JP H1090073A
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- films
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度補償機能を有した、小型でしかも感度、
応答性及び信頼性に優れた輻射センサとその製造方法を
提供する。 【解決手段】 アルミナ基板１の表裏両面の全面に貴金
属レジネートのスクリーン印刷及びその乾燥、焼付けに
より下地電極２，３が形成される。下地電極膜２，３の
上に全面にわたってスパッタ法、ゾルゲル法、シート法
などによってサーミスタ膜４，５が形成される。サーミ
スタ膜４，５の上に貴金属レジネートのスクリーン印刷
により１対の対向電極膜６，７が形成される。サーミス
タ膜４，５の膜面のうち、対向電極膜６，７が形成され
ていない膜面に絶縁性膜８，９が形成される。絶縁性膜
８，９上に厚さ２〜３μｍの金黒よりなる赤外線吸収膜
を形成する。
応答性及び信頼性に優れた輻射センサとその製造方法を
提供する。 【解決手段】 アルミナ基板１の表裏両面の全面に貴金
属レジネートのスクリーン印刷及びその乾燥、焼付けに
より下地電極２，３が形成される。下地電極膜２，３の
上に全面にわたってスパッタ法、ゾルゲル法、シート法
などによってサーミスタ膜４，５が形成される。サーミ
スタ膜４，５の上に貴金属レジネートのスクリーン印刷
により１対の対向電極膜６，７が形成される。サーミス
タ膜４，５の膜面のうち、対向電極膜６，７が形成され
ていない膜面に絶縁性膜８，９が形成される。絶縁性膜
８，９上に厚さ２〜３μｍの金黒よりなる赤外線吸収膜
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は赤外線を検出する輻
射センサとその製造方法に係り、特に受熱用のサーミス
タと環境温度測定用のサーミスタとが１枚の基板に設け
られた輻射センサとその製造方法に関する。
射センサとその製造方法に係り、特に受熱用のサーミス
タと環境温度測定用のサーミスタとが１枚の基板に設け
られた輻射センサとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線透過窓を有するケーシング内に輻
射センサを設置した温度計測装置が広く用いられてい
る。このような輻射センサにおいては、サーミスタが赤
外線によって昇温し、抵抗が変化することにより被計測
対象の温度を計測する。
射センサを設置した温度計測装置が広く用いられてい
る。このような輻射センサにおいては、サーミスタが赤
外線によって昇温し、抵抗が変化することにより被計測
対象の温度を計測する。
【０００３】ところで、この温度計測装置として、赤外
線吸収によって抵抗変化する受熱用のサーミスタと、環
境温度測定用（温度補償用）のサーミスタとを個々に組
み込んだものがある。この種の赤外線検出装置にあって
は、環境温度測定用サーミスタの検出温度と受熱用サー
ミスタの検出温度との温度差から被計測対象の温度を計
測する。
線吸収によって抵抗変化する受熱用のサーミスタと、環
境温度測定用（温度補償用）のサーミスタとを個々に組
み込んだものがある。この種の赤外線検出装置にあって
は、環境温度測定用サーミスタの検出温度と受熱用サー
ミスタの検出温度との温度差から被計測対象の温度を計
測する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の温度補償型の赤
外線検出装置は、それぞれ別体の受熱用のサーミスタと
環境温度測定用のサーミスタとをパッケージング内に組
み込んだものであるため、パッケージングが全体として
嵩の大きなものとなっていた。
外線検出装置は、それぞれ別体の受熱用のサーミスタと
環境温度測定用のサーミスタとをパッケージング内に組
み込んだものであるため、パッケージングが全体として
嵩の大きなものとなっていた。
【０００５】なお、輻射センサとしてサーミスタ焼結体
を用いた場合、サーミスタ焼結体は、アルミナ、シリカ
等の焼結体に比べると機械的強度が低く（特に低温で焼
結された低抵抗型のサーミスタは強度がかなり低
い。）、輻射センサとしての信頼性に欠ける。さらに、
このサーミスタ焼結体はサーミスタ膜に比べ、熱容量が
大きく、感度及び応答性に劣る。
を用いた場合、サーミスタ焼結体は、アルミナ、シリカ
等の焼結体に比べると機械的強度が低く（特に低温で焼
結された低抵抗型のサーミスタは強度がかなり低
い。）、輻射センサとしての信頼性に欠ける。さらに、
このサーミスタ焼結体はサーミスタ膜に比べ、熱容量が
大きく、感度及び応答性に劣る。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決し、温
度補償機能を有した、且つ小型でしかも感度、応答性及
び信頼性に優れた輻射センサとその製造方法を提供する
ことを目的とする。
度補償機能を有した、且つ小型でしかも感度、応答性及
び信頼性に優れた輻射センサとその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の輻射センサは、
平板状の絶縁性セラミックス基板と、該絶縁性セラミッ
クス基板の両面に形成された下地電極膜と、各下地電極
膜上にそれぞれ形成されたサーミスタ膜と、各サーミス
タ膜上にそれぞれ１対ずつ形成された対向電極膜と、各
サーミスタ膜の膜面のうち該対向電極膜が形成されてい
ない膜面を覆っている絶縁性膜とを有するものである。
平板状の絶縁性セラミックス基板と、該絶縁性セラミッ
クス基板の両面に形成された下地電極膜と、各下地電極
膜上にそれぞれ形成されたサーミスタ膜と、各サーミス
タ膜上にそれぞれ１対ずつ形成された対向電極膜と、各
サーミスタ膜の膜面のうち該対向電極膜が形成されてい
ない膜面を覆っている絶縁性膜とを有するものである。
【０００８】かかる輻射センサにおいては、サーミスタ
膜がセラミックス基板上に形成されているため、強度が
高く、しかもサーミスタが膜よりなるため、感度、応答
性及び信頼性に優れる。
膜がセラミックス基板上に形成されているため、強度が
高く、しかもサーミスタが膜よりなるため、感度、応答
性及び信頼性に優れる。
【０００９】このサーミスタ膜がセラミックス基板の表
裏両面に形成されているため、一方を受熱用サーミスタ
として機能させ、他方を環境温度測定用サーミスタとし
て機能させることができる。従って、小さなパッケージ
ング内に受熱用及び環境温度測定用のサーミスタを設置
することが可能となる。そして、環境温度測定用サーミ
スタは基板を挟んで受熱用サーミスタと反対側に配置さ
れるため、赤外線が受熱用サーミスタに入射してもこの
赤外線による熱は環境温度測定用サーミスタには実質的
に伝達せず、環境温度測定用サーミスタが検出する環境
温度の精度が高い。
裏両面に形成されているため、一方を受熱用サーミスタ
として機能させ、他方を環境温度測定用サーミスタとし
て機能させることができる。従って、小さなパッケージ
ング内に受熱用及び環境温度測定用のサーミスタを設置
することが可能となる。そして、環境温度測定用サーミ
スタは基板を挟んで受熱用サーミスタと反対側に配置さ
れるため、赤外線が受熱用サーミスタに入射してもこの
赤外線による熱は環境温度測定用サーミスタには実質的
に伝達せず、環境温度測定用サーミスタが検出する環境
温度の精度が高い。
【００１０】また、この輻射センサにおいては、サーミ
スタ膜と絶縁性セラミックス基板との間に下地電極を介
在させているため、サーミスタ膜の焼付けに際しサーミ
スタ膜の該基板への拡散が防止され、サーミスタの組成
変化が防止される。さらに、熱膨張係数の差によりサー
ミスタ膜に圧縮応力が生じ、サーミスタ膜の強度が向上
する。
スタ膜と絶縁性セラミックス基板との間に下地電極を介
在させているため、サーミスタ膜の焼付けに際しサーミ
スタ膜の該基板への拡散が防止され、サーミスタの組成
変化が防止される。さらに、熱膨張係数の差によりサー
ミスタ膜に圧縮応力が生じ、サーミスタ膜の強度が向上
する。
【００１１】このサーミスタ膜は、下地電極膜と対向電
極膜との間に挟まれているため、下地電極と対向電極と
の間のサーミスタ抵抗が小さい。
極膜との間に挟まれているため、下地電極と対向電極と
の間のサーミスタ抵抗が小さい。
【００１２】本発明ではセラミックス基板を気孔率２０
〜５０％の多孔質のものとすることにより、その熱容量
を小さくし、熱応答性を向上させることができる。ま
た、サーミスタ膜の膜厚を２μｍ以下と小さくすること
によっても熱応答性を向上させることができる。
〜５０％の多孔質のものとすることにより、その熱容量
を小さくし、熱応答性を向上させることができる。ま
た、サーミスタ膜の膜厚を２μｍ以下と小さくすること
によっても熱応答性を向上させることができる。
【００１３】このような輻射センサは、多数個の輻射セ
ンサの大きさを有した平板状の絶縁性セラミックス基板
素体の両面に下地電極膜を形成する工程と、各下地電極
膜上にサーミスタ膜を形成する工程と、各サーミスタ膜
上にそれぞれ多数対の対向電極膜を形成する工程と、該
サーミスタ膜のうち該対向電極膜で覆われていない膜面
を覆うように絶縁性膜を形成する工程と、これらの膜が
形成された該絶縁性セラミックス基板素体を切断加工し
て請求項１記載の輻射センサとする工程とによって製造
することができる。
ンサの大きさを有した平板状の絶縁性セラミックス基板
素体の両面に下地電極膜を形成する工程と、各下地電極
膜上にサーミスタ膜を形成する工程と、各サーミスタ膜
上にそれぞれ多数対の対向電極膜を形成する工程と、該
サーミスタ膜のうち該対向電極膜で覆われていない膜面
を覆うように絶縁性膜を形成する工程と、これらの膜が
形成された該絶縁性セラミックス基板素体を切断加工し
て請求項１記載の輻射センサとする工程とによって製造
することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は実施の形態に係る輻射セン
サを示すものであり、（ａ）図はその製造方法を示す工
程図、（ｂ）図は断面図である。
サを示すものであり、（ａ）図はその製造方法を示す工
程図、（ｂ）図は断面図である。
【００１５】絶縁性セラミックス基板としてのアルミナ
基板１の表裏両面の全面に貴金属レジネートのスクリー
ン印刷及びその乾燥、焼付けにより下地電極２，３が形
成される。この貴金属レジネートとしては、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｔ等のレジネートが好適である。な
お、貴金属レジネートは貴金属の樹脂酸化合物を有機溶
剤に溶解させたものであり、種々のものが市販されてい
る。市販の貴金属レジネートの樹脂酸としてはアビエチ
ン酸を主成分としたものが多い。この赤外線膜２，３の
膜厚は、輻射センサの熱容量を小さくするために２μｍ
以下、とりわけ１．０〜２．０μｍとすることが好まし
い。
基板１の表裏両面の全面に貴金属レジネートのスクリー
ン印刷及びその乾燥、焼付けにより下地電極２，３が形
成される。この貴金属レジネートとしては、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｔ等のレジネートが好適である。な
お、貴金属レジネートは貴金属の樹脂酸化合物を有機溶
剤に溶解させたものであり、種々のものが市販されてい
る。市販の貴金属レジネートの樹脂酸としてはアビエチ
ン酸を主成分としたものが多い。この赤外線膜２，３の
膜厚は、輻射センサの熱容量を小さくするために２μｍ
以下、とりわけ１．０〜２．０μｍとすることが好まし
い。
【００１６】なお、絶縁性セラミックス基板１として
は、熱容量を小さくするために気孔率２０〜５０％の多
孔質のものを用いるのが好ましい。
は、熱容量を小さくするために気孔率２０〜５０％の多
孔質のものを用いるのが好ましい。
【００１７】この下地電極膜２，３の上に全面にわたっ
てスパッタ法、ゾルゲル法、シート法などによってサー
ミスタ膜４，５が形成される。このサーミスタ膜として
は、Ｍｎ，Ｃｏの遷移金属酸化物、あるいはＭｎ，Ｃｏ
の酸化物にＣｕ，Ｎｉ，Ｆｅ及びＡｌの少なくとも１種
を加えた酸化物の膜が好ましい。このサーミスタ膜４，
５の膜厚も、熱容量を小さくするために２μｍ以下、と
りわけ１．０〜２．０μｍとすることが好ましい。
てスパッタ法、ゾルゲル法、シート法などによってサー
ミスタ膜４，５が形成される。このサーミスタ膜として
は、Ｍｎ，Ｃｏの遷移金属酸化物、あるいはＭｎ，Ｃｏ
の酸化物にＣｕ，Ｎｉ，Ｆｅ及びＡｌの少なくとも１種
を加えた酸化物の膜が好ましい。このサーミスタ膜４，
５の膜厚も、熱容量を小さくするために２μｍ以下、と
りわけ１．０〜２．０μｍとすることが好ましい。
【００１８】この基板両面のサーミスタ膜４，５の上に
貴金属レジネートのスクリーン印刷により１対の対向電
極膜６，７が形成される。この貴金属レジネートは下地
電極膜２，３の形成に用いたものと同様のものを用いる
ことができる。対向電極膜６，７も、熱容量を小さくす
るために２μｍ以下、とりわけ０．５〜１．０μｍとす
ることが好ましい。
貴金属レジネートのスクリーン印刷により１対の対向電
極膜６，７が形成される。この貴金属レジネートは下地
電極膜２，３の形成に用いたものと同様のものを用いる
ことができる。対向電極膜６，７も、熱容量を小さくす
るために２μｍ以下、とりわけ０．５〜１．０μｍとす
ることが好ましい。
【００１９】サーミスタ膜４，５の膜面のうち、対向電
極膜６，７が形成されていない膜面に絶縁性膜８，９が
形成される。この絶縁性膜は、スクリーン印刷、スパッ
タ法、電着法などによって形成されたガラス膜が好まし
い。この絶縁性膜は、熱容量を小さくするために４μｍ
以下とりわけ１．０〜２．０μｍの膜厚とするのが好ま
しい。なお、スパッタ法又は電着法によってガラスより
なる絶縁性膜８，９を形成する場合には、フォトレジス
トを塗付してパターン露光後現像し、ガラス被覆予定箇
所以外の部分にマスク１６，１７を形成した後、スパッ
タリング又は電着を行い、その後マスク１６，１７を除
去するのが好ましい。電着及びスクリーン印刷の場合
は、その後、乾燥及び焼付けによりガラス膜とされる。
極膜６，７が形成されていない膜面に絶縁性膜８，９が
形成される。この絶縁性膜は、スクリーン印刷、スパッ
タ法、電着法などによって形成されたガラス膜が好まし
い。この絶縁性膜は、熱容量を小さくするために４μｍ
以下とりわけ１．０〜２．０μｍの膜厚とするのが好ま
しい。なお、スパッタ法又は電着法によってガラスより
なる絶縁性膜８，９を形成する場合には、フォトレジス
トを塗付してパターン露光後現像し、ガラス被覆予定箇
所以外の部分にマスク１６，１７を形成した後、スパッ
タリング又は電着を行い、その後マスク１６，１７を除
去するのが好ましい。電着及びスクリーン印刷の場合
は、その後、乾燥及び焼付けによりガラス膜とされる。
【００２０】この絶縁性膜８，９上に厚さ２〜３μｍの
金黒よりなる赤外線吸収膜を形成することにより、吸熱
効率を上げ、輻射センサの感度を上げることができる。
なお、この赤外線吸収膜が導電性のものである場合、対
向電極に接しないように形成する必要がある。この輻射
センサは、ウェハ状のアルミナ基板上に上記の如くして
多数形成される。絶縁性膜形成後にダイシングマシーン
によりウェハ状基板を切断加工して多数のチップ状の輻
射センサが得られる。
金黒よりなる赤外線吸収膜を形成することにより、吸熱
効率を上げ、輻射センサの感度を上げることができる。
なお、この赤外線吸収膜が導電性のものである場合、対
向電極に接しないように形成する必要がある。この輻射
センサは、ウェハ状のアルミナ基板上に上記の如くして
多数形成される。絶縁性膜形成後にダイシングマシーン
によりウェハ状基板を切断加工して多数のチップ状の輻
射センサが得られる。
【００２１】このようにして得た輻射センサ１５は、図
１（ｂ）の如くカンパッケージング１０内に配置され
る。このパッケージング１０の底面には長短２対のピン
１１，１２が貫通しており、長いピン１１は図の上側の
対向電極６にリードワイヤ１３によって接続されてい
る。短いピン１２は、図の下側の対向電極７に直接接続
されている。
１（ｂ）の如くカンパッケージング１０内に配置され
る。このパッケージング１０の底面には長短２対のピン
１１，１２が貫通しており、長いピン１１は図の上側の
対向電極６にリードワイヤ１３によって接続されてい
る。短いピン１２は、図の下側の対向電極７に直接接続
されている。
【００２２】上側のサーミスタ膜４に対面してパッケー
ジング１０に赤外線透過窓１４が設けられており、この
赤外線透過窓１４には赤外線透過材よりなる窓材が装着
されている。
ジング１０に赤外線透過窓１４が設けられており、この
赤外線透過窓１４には赤外線透過材よりなる窓材が装着
されている。
【００２３】この輻射センサ１５は、基板１の上側に受
熱用サーミスタ膜４が設けられ、下側に環境温度測定用
サーミスタ膜５が形成されたものである。
熱用サーミスタ膜４が設けられ、下側に環境温度測定用
サーミスタ膜５が形成されたものである。
【００２４】
【実施例】気孔率５０％の厚さ２．０ｍｍのアルミナウ
ェハの両面にＡｕレジネートペーストを印刷により全面
に塗布し、乾燥、８００℃で１０分間焼成を行い、厚さ
０．５μｍの下地電極膜を形成した。
ェハの両面にＡｕレジネートペーストを印刷により全面
に塗布し、乾燥、８００℃で１０分間焼成を行い、厚さ
０．５μｍの下地電極膜を形成した。
【００２５】次に、ゾル・ゲル法によりウエハ両面に薄
膜サーミスタを形成した。具体的には、硝酸マンガン６
水和物２．０１ｇと硝酸コバルト６水和物４．０７ｇを
エチレングリコール１００ｍｌに溶解し、酪酸０．８８
ｇを添加混合して調製したコーティング液の中に、上記
ウエハを浸漬し、２４ｍｍ／秒の速度で鉛直方向に引き
上げ、ウエハ両面に形成された塗膜を１２０℃の温度で
乾燥した後、６００℃で熱処理し塗膜の有機成分を除去
した。上記コーティング工程を１０回繰り返した後、９
００℃で２時間焼成を行い、厚さ１．０μｍのサーミス
タ膜を形成した。
膜サーミスタを形成した。具体的には、硝酸マンガン６
水和物２．０１ｇと硝酸コバルト６水和物４．０７ｇを
エチレングリコール１００ｍｌに溶解し、酪酸０．８８
ｇを添加混合して調製したコーティング液の中に、上記
ウエハを浸漬し、２４ｍｍ／秒の速度で鉛直方向に引き
上げ、ウエハ両面に形成された塗膜を１２０℃の温度で
乾燥した後、６００℃で熱処理し塗膜の有機成分を除去
した。上記コーティング工程を１０回繰り返した後、９
００℃で２時間焼成を行い、厚さ１．０μｍのサーミス
タ膜を形成した。
【００２６】次に、このウェハのサーミスタ膜上に、Ａ
ｕレジネートペーストをスクリーン印刷により一対の対
向電極を塗布し、１２０℃で乾燥後、８００℃で１０分
間焼成を行い、１μｍ以下の対向電極膜を形成した。
ｕレジネートペーストをスクリーン印刷により一対の対
向電極を塗布し、１２０℃で乾燥後、８００℃で１０分
間焼成を行い、１μｍ以下の対向電極膜を形成した。
【００２７】次に、フォトレジストをスピンコーターで
塗布して９０℃で３０分間熱処理してレジスト膜を形成
し、マスクアライナで所定のパターンで露光、現像して
未感光部のレジスト膜を除去した。その後、１５０℃で
２０分間熱処理した。
塗布して９０℃で３０分間熱処理してレジスト膜を形成
し、マスクアライナで所定のパターンで露光、現像して
未感光部のレジスト膜を除去した。その後、１５０℃で
２０分間熱処理した。
【００２８】その後、電着法によりウエハ両面に同時に
被覆絶縁膜を形成した。具体的には、イソプロピルアル
コールに水を５体積％添加した混合溶液を媒体として、
１リットルに対して０．５ｇの割合で平均粒径１．０μ
ｍのガラス粉末を添加して懸濁液を調製した。この懸濁
液に上記ウェハを浸漬し、ウェハのサーミスタ薄膜を陽
極とし、対向電極を負極として直流６００Ｖを印加し、
１分間電着を行い、レジスト膜のない部分にガラス粉末
を付着させた。さらに、８５０℃で１０分間焼成を行
い、４．０μｍの被覆絶縁膜を形成した。このとき、レ
ジスト膜は焼けてなくなり、所定位置に被覆絶縁膜が形
成された。
被覆絶縁膜を形成した。具体的には、イソプロピルアル
コールに水を５体積％添加した混合溶液を媒体として、
１リットルに対して０．５ｇの割合で平均粒径１．０μ
ｍのガラス粉末を添加して懸濁液を調製した。この懸濁
液に上記ウェハを浸漬し、ウェハのサーミスタ薄膜を陽
極とし、対向電極を負極として直流６００Ｖを印加し、
１分間電着を行い、レジスト膜のない部分にガラス粉末
を付着させた。さらに、８５０℃で１０分間焼成を行
い、４．０μｍの被覆絶縁膜を形成した。このとき、レ
ジスト膜は焼けてなくなり、所定位置に被覆絶縁膜が形
成された。
【００２９】次に、このウェハをダイシングマシーンに
より２．０×１．２５ｍｍのチップ状に切断し、複数個
の輻射センサを得た。
より２．０×１．２５ｍｍのチップ状に切断し、複数個
の輻射センサを得た。
【００３０】次に、この輻射センサを赤外線透過窓を有
した気密封止可能なカンパッケージング内に配置した。
受熱用サーミスタ素子の対向電極膜にはリード線による
接続を、環境温度測定用サーミスタ素子の対向電極膜に
はピンの直接接続を行い、温度計測装置とした。
した気密封止可能なカンパッケージング内に配置した。
受熱用サーミスタ素子の対向電極膜にはリード線による
接続を、環境温度測定用サーミスタ素子の対向電極膜に
はピンの直接接続を行い、温度計測装置とした。
【００３１】
【発明の効果】以上の通り、本発明によって提供される
輻射センサは、次のような優れた効果を有する。
輻射センサは、次のような優れた効果を有する。
【００３２】 基板の両面にサーミスタ膜を有してお
り、受熱用サーミスタと環境温度測定用サーミスタとを
パッケージング内に設置してもパッケージングの嵩が小
さい。 基板の両面のサーミスタ膜が基板によって熱的に絶
縁されるため、輻射センサの測定精度が高い。 サーミスタ膜を用いているため、応答性が高く、し
かもサーミスタ膜を基板上に形成しており強度も高く、
信頼性に優れる。 サーミスタ膜を挟んで下地電極と対向電極とが配置
されており、下地電極と対向電極との間のサーミスタ抵
抗が小さく、高感度のものとなる。 大量生産が容易であり、製造コストも低いものとな
る。
り、受熱用サーミスタと環境温度測定用サーミスタとを
パッケージング内に設置してもパッケージングの嵩が小
さい。 基板の両面のサーミスタ膜が基板によって熱的に絶
縁されるため、輻射センサの測定精度が高い。 サーミスタ膜を用いているため、応答性が高く、し
かもサーミスタ膜を基板上に形成しており強度も高く、
信頼性に優れる。 サーミスタ膜を挟んで下地電極と対向電極とが配置
されており、下地電極と対向電極との間のサーミスタ抵
抗が小さく、高感度のものとなる。 大量生産が容易であり、製造コストも低いものとな
る。
【図１】実施の形態に係る輻射センサを示す製造工程図
と、断面図である。
と、断面図である。
１ 基板 ２，３ 下地電極 ４，５ サーミスタ膜 ６，７ 対向電極 ８，９ 絶縁性膜 １０ カンパッケージング １１，１２ ピン １５ 輻射センサ
Claims (4)
- 【請求項１】 平板状の絶縁性セラミックス基板と、 該絶縁性セラミックス基板の両面に形成された下地電極
膜と、 各下地電極膜上にそれぞれ形成されたサーミスタ膜と、 各サーミスタ膜上にそれぞれ１対ずつ形成された対向電
極膜と、 各サーミスタ膜の膜面のうち該対向電極膜が形成されて
いない膜面を覆っている絶縁性膜とを有する輻射セン
サ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記基板は気孔率が
２０〜５０％の多孔質セラミックス基板であることを特
徴とする輻射センサ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記サーミス
タ膜の膜厚が２μｍ以下であることを特徴とする輻射セ
ンサ。 - 【請求項４】 多数個の輻射センサの大きさを有した平
板状の絶縁性セラミックス基板素体の両面に下地電極膜
を形成する工程と、 各下地電極膜上にサーミスタ膜を形成する工程と、 各サーミスタ膜上にそれぞれ多数対の対向電極膜を形成
する工程と、 該サーミスタ膜のうち該対向電極膜で覆われていない膜
面を覆うように絶縁性膜を形成する工程と、 これらの膜が形成された該絶縁性セラミックス基板素体
を切断加工して請求項１記載の輻射センサとする工程と
を有する輻射センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24045796A JPH1090073A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 輻射センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24045796A JPH1090073A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 輻射センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090073A true JPH1090073A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17059791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24045796A Pending JPH1090073A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 輻射センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1090073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011220960A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 熱センサ |
| US8192076B2 (en) | 2008-10-15 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermal sensor, non-contact thermometer device, and non-contact temperature measurement method |
| JP5641380B1 (ja) * | 2014-04-03 | 2014-12-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 温度検出装置、定着装置及び画像形成装置 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP24045796A patent/JPH1090073A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192076B2 (en) | 2008-10-15 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermal sensor, non-contact thermometer device, and non-contact temperature measurement method |
| JP2011220960A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 熱センサ |
| JP5641380B1 (ja) * | 2014-04-03 | 2014-12-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 温度検出装置、定着装置及び画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011204 |