JPH1090929A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

電子写真用光受容部材

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JPH1090929A
JPH1090929A JP8240409A JP24040996A JPH1090929A JP H1090929 A JPH1090929 A JP H1090929A JP 8240409 A JP8240409 A JP 8240409A JP 24040996 A JP24040996 A JP 24040996A JP H1090929 A JPH1090929 A JP H1090929A
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伸史 土田
Hiroaki Niino
博明 新納
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電能の向上と、その温度特性の向上および
光メモリーの低減とが両立・達成され、画像品質が向上
した電子写真用光受容部材を提供する。特に半導体レー
ザーやＬＥＤを用いたときの感度の温度特性や感度の直
線性が改善された電子写真用光受容部材を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に、水素原子と周期律表
第IIIb族元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結
晶材料で構成された光導電層を有する電子写真用光受容
部材において、該光導電層は、特定範囲の水素原子の含
有量、光学的バンドギャップ、及び光吸収スペクトルの
指数関数裾から得られる特性エネルギーを有し、該光導
電層に入射する光を一定量吸収する第２の層領域を表面
側に、その他の第１の層領域を支持体側に有し、第２の
層領域の周期律表第IIIb族元素の含有量が第１の層領域
よりも少ないことを特徴とする電子写真用光受容部材。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光（ここでは広義
の光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線
等を意味する。）のような電磁波に対して感受性のある
電子写真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像形成分野において、光受容部材の光
受容層を形成する光導電材料は、次のような特性が要求
される。高感度であること、ＳＮ比（光電流(Ip)／暗電
流(Id)）が高いこと、照射する電磁波のスペクトル特性
に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が速
いこと、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において
人体に対して無害であること等である。特に、光受容部
材が、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組み込まれる場合は、上記の使用時における無害性
は重要である。
【０００３】上記の特性が優れている光導電材料として
は、水素化アモルファスシリコンが挙げられ、例えば、
特公昭６０−３５０５９号公報には電子写真用光受容部
材としての応用が記載されている。
【０００４】このような光受容部材の作製は、一般的に
は、導電性支持体を５０〜３５０℃に加熱し、この支持
体上に、真空蒸着法・スパッタリング法・イオンプレー
ティング法・熱ＣＶＤ法・光ＣＶＤ法・プラズマＣＶＤ
法等の成膜法によってアモルファスシリコンからなる光
導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法による製
造方法が好適であり、実用されている。このプラズマＣ
ＶＤ法は、原料ガスを高周波あるいはマイクロ波グロー
放電によって分解し、導電性支持体上にアモルファスシ
リコンの堆積膜を形成するものである。
【０００５】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、ハロゲン原子を含むアモルファスシリコンから
なる光導電層を導電性支持体上に形成した電子写真用光
受容部材が提案されている。この公報においては、アモ
ルファスシリコンにハロゲン原子を１〜４０原子％含有
させることによって、耐熱性が高くなり、且つ電子写真
用光受容部材の光導電層として良好な電気的・光学的特
性を得ることができるとされている。
【０００６】特開昭５７−１１５５５６号公報には、暗
抵抗値・光感度・光応答性等の電気的・光学的・光導電
的特性、及び耐湿性等の使用環境特性、さらには経時的
安定性について改善を図るため、シリコン原子を母体と
するアモルファス材料で構成された光導電層上に、シリ
コン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモルファス
材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載されて
いる。さらに、特開昭６０−６７９５１号公報には、ア
モルファスシリコン、炭素、酸素およびフッ素を含有し
てなる透光絶縁性オーバーコート層が積層された感光体
について記載され、特開昭６２−１６８１６１公報に
は、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜７
０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料を
用いる技術が記載されている。
【０００７】特開昭５８−２１２５７号公報には、光導
電層の作製中に支持体温度を変化させ、光導電層内で禁
止帯幅を変化させることによって、高抵抗であって光感
度領域の広い感光体を得る技術が開示されている。特開
昭５８−１２１０４２号公報には、光導電層の層厚方向
にエネルギーギャップ状態密度を変化させ、表層のエネ
ルギーギャップ状態密度を１０17〜１０19ｃｍ-3とする
ことによって、湿度による表面電位の低下を防止する技
術が開示されている。また、特開昭５９−１４３３７９
号公報および特開昭６１−２０１４８１号公報には、水
素含有量の異なる水素化アモルファスシリコンを積層す
ることによって、暗抵抗が高く高感度の感光体を得る技
術が開示されている。
【０００８】アモルファスシリコン感光体の画像品質向
上のために、特開昭５８−８８１１５号公報には、光導
電層の支持体側に周期律表第III族の原子を多く含有さ
せることが開示されている。特開昭６２−８３４７０号
公報には、電子写真用感光体の光導電層において光吸収
スペクトルの指数関数裾の特性エネエルギーを０．０９
eＶ以下にすることによって、残像現象のない高品質の
画像を得る技術が開示されている。また、特開昭６２−
１１２１６６号公報には、Ｂ2Ｈ6／ＳｉＨ4流量比を
３．３×１０-7以上に保ってキャリア輸送層を形成する
ことにより残像現象をなくす技術が開示されている。
【０００９】その他、アモルファスシリコン感光体の画
像品質向上のために、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持しなが
ら帯電・露光・現像・転写の画像形成行程を行うことに
よって、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低
下、及びそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。
【００１０】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的・光学的・光導電特性および使用環境特性が
向上し、それらに伴って画像品質も向上してきた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アモル
ファスシリコン系材料で構成された光導電層を有する従
来の電子写真用光受容部材は、暗抵抗値・光感度・光応
答性等の電気的・光学的・光導電特性、使用環境特性、
経時的安定性、及び耐久性において、これらの個々では
性能の向上が図られてはいるが総合的には不十分であ
り、総合的な特性の向上を図る上でさらに改良すべき余
地があった。
【００１２】特に、電子写真装置の高画質化・高速化・
高耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材に
おいては電気的特性や光導電特性のさらなる向上ととも
に、帯電能や感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を高めることが求められている。そして、電子写真
装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光
装置・現像装置・転写装置等の改良がなされた結果、電
子写真用光受容部材についても従来以上の高い画像特性
が求められるようになった。
【００１３】このような状況において、前述した従来技
術により上記課題についてある程度の特性の向上が可能
になってはきたが、帯電能、感度および光応答性、並び
に画像品質の向上に関しては未だ十分とはいえない。特
にアモルファスシリコン系光受容部材の高画質化の課題
として、周囲の温度変化による電子写真特性（帯電能、
感度など）の変動を抑えること（使用環境特性の改
善）、及びブランクメモリーやゴーストといった光メモ
リーを低減すること（光応答性等の光導電特性の改善）
がいっそう求められるようになってきた。
【００１４】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために、前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載され
ているように、複写機内に設置したドラムヒーターによ
って感光体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しか
しながら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キ
ャリアの生成に起因した帯電能の温度依存性が大きいた
め、複写機内の実際の使用環境下では、感光体が本来有
しているよりも低い帯電能の状態で使用せざるを得なか
った。例えば、室温での使用時に比べて、ドラムヒータ
ーで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１００
Ｖ程度低下してしまっていた。
【００１５】また、従来は複写機を使用しない間（例え
ば夜間など）でもドラムヒーターに通電することによっ
て、帯電器のコロナ放電により生成するオゾン生成物が
感光体表面に吸着することにより発生する画像流れを防
止していた。しかし、現在では省電力化のために複写機
を使用しない夜間などの通電は極力行わないようになっ
てきている。このような通電を行わない状態で複写を行
うと、帯電等により感光体周囲の温度が上昇し、それに
ともなって帯電能が低下するため、複写中に画像濃度が
変わってしまうという現象が生じていた。
【００１６】さらに、同一原稿を連続して繰り返し複写
すると、前回の複写行程での像露光の残像が次回の複写
時に画像上に生じる現象（ゴースト）や、トナーを節約
するために連続複写時の紙間において感光体に照射する
ブランク露光の影響により複写画像上に濃度差が生じる
現象（ブランクメモリー）等が画像品質を向上させる上
で問題になってきた。
【００１７】一方、近年、オフィスや一般家庭へコンピ
ュータが普及し、電子写真装置も従来の複写機としてだ
けでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担うため
にデジタル化することが求められるようになってきた。
デジタル化のための露光光源として用いられる半導体レ
ーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点から近赤外から
赤色可視光までの比較的長波長のものが主流である。そ
のため、従来のハロゲン光を用いたアナログ機には見ら
れなかった特性上の問題を解決することが求められるよ
うになった。
【００１８】特に、露光量と感光体表面電位の関係、い
わゆるＥ−Ｖ特性（曲線）が温度によってシフトするこ
と（感度の温度特性）や、Ｅ−Ｖ特性（曲線）の直線性
（感度の直線性）が低下することが、半導体レーザーや
ＬＥＤを用いた場合の特徴として注目されるようになっ
てきた。すなわち、半導体レーザーやＬＥＤを露光光源
として用いたデジタル機においては、感光体温度を前述
のドラムヒーターにより制御を行わない場合、感度の温
度特性や感度の直線性の低下のために、周囲の温度によ
って感度が変化して画像濃度が変わってしまうという新
たな問題が生じていた。
【００１９】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記のような問題が解決されるように、層構
成や各層の化学的組成などの総合的な観点からの改良を
図ると共に、アモルファスシリコン系材料そのものの一
段の特性の改良を図ることが必要とされている。
【００２０】そこで本発明の目的は、上述したアモルフ
ァスシリコン系材料で構成された光受容層を有する従来
の電子写真用光受容部材における諸問題を解決すること
を目的とするものである。
【００２１】すなわち、本発明の目的は、電気的・光学
的・光導電的特性に優れ、且つこれらが温度や湿度等の
使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定
し（使用環境特性に優れ）、画像品質に優れた電子写真
用光受容部材を提供することである。特に、帯電能の向
上と、その温度特性の向上および光メモリーの低減とが
高次元で両立・達成され、画像品質が飛躍的に向上した
電子写真用光受容部材を提供することである。
【００２２】また、像露光光源として特に半導体レーザ
ーやＬＥＤを用いたときの感度の温度特性や感度の直線
性が改善され、画像品質が飛躍的に向上した電子写真用
光受容部材を提供することにある。
【００２３】さらに、耐光疲労や繰り返し使用等による
劣化現象を起こさない耐久性に優れた電子写真用光受容
部材を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に着目
し、アモルファスシリコン系材料（以下「ａ−Ｓｉ」と
いう。）のバンドギャップ内の局在状態密度分布と温度
特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した。その
結果、光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学
的バンドギャップ及びバンドギャップ内の局在状態密度
分布を制御することによって上記目的を達成できるとい
う知見を得た。
【００２５】すなわち、水素原子または／及びハロゲン
原子を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
構成された光導電層を有する電子写真用光受容部材にお
いて、その層構造が特定化された光受容部材は、実用上
著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光受容部
材と比較してあらゆる点において優れていること、特に
電子写真用の光受容部材として優れた特性を有している
ことを見い出した。
【００２６】また本発明は、デジタル化に対応した長波
長光（レーザーやＬＥＤ）に最適化するために、特に光
電変換に関わる光入射部について、光が入射する部分と
それ以外の部分との役割を考慮しながら、水素原子また
は／及びハロゲン原子含有量、光学的バンドギャップ、
光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネル
ギーの分布、および伝導性を制御する物質である周期律
表第IIIb族の元素の分布を相互に関連させながら制御す
ることによって、感度の温度特性や感度の直線性を改善
し、さらに帯電能と光メモリーを改善できるという知見
を得た。
【００２７】これらの知見から、本発明者らは以下の発
明を完成した。
【００２８】第１の発明は、導電性支持体上に、水素原
子または／及びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された光導電層を少なくとも有する電
子写真用光受容部材において、該光導電層は、水素原子
または／及びハロゲン原子の含有量が１０〜３０原子
％、光学的バンドギャップが１．７５〜１．８５ｅＶ、
光吸収スペクトルの指数関数裾から得られる特性エネル
ギーが５５〜６５ｍｅＶであって、該光導電層に入射す
る光を一定量吸収する第２の層領域を表面側に、その他
の第１の層領域を支持体側に有し、第２の層領域の周期
律表第IIIb族元素の含有量が第１の層領域よりも少ない
ことを特徴とする電子写真用光受容部材に関する。
【００２９】第２の発明は、導電性支持体上に、水素原
子または／及びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された光導電層を少なくとも有する電
子写真用光受容部材において、該光導電層は、水素原子
または／及びハロゲン原子の含有量が１０〜２０原子
％、光学的バンドギャップが１．７５ｅＶ以下、光吸収
スペクトルの指数関数裾から得られる特性エネルギーが
５５ｍｅＶ以下であって、該光導電層に入射する光を一
定量吸収する第２の層領域を表面側に、その他の第１の
層領域を支持体側に有し、第２の層領域の周期律表第II
Ib族元素の含有量が第１の層領域よりも少ないことを特
徴とする電子写真用光受容部材に関する。
【００３０】第３の発明は、導電性支持体上に、水素原
子または／及びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された光導電層を少なくとも有する電
子写真用光受容部材において、該光導電層は、水素原子
または／及びハロゲン原子の含有量が２５〜３５原子
％、光学的バンドギャップが１．８０ｅＶ以上、光吸収
スペクトルの指数関数裾から得られる特性エネルギーが
５５ｍｅＶ以下であって、該光導電層に入射する光を一
定量吸収する第２の層領域を表面側に、その他の第１の
層領域を支持体側に有し、第２の層領域の周期律表第II
Ib族元素の含有量が第１の層領域よりも少ないことを特
徴とする電子写真用光受容部材に関する。
【００３１】第４の発明は、第２の層領域が、像露光の
ピーク波長光を５０〜９０％吸収する層領域である第
１、第２又は第３の発明の電子写真用光受容部材に関す
る。
【００３２】第５の発明は、第２の層領域の周期律表第
IIIb族元素の含有量に対する、第１の層領域の周期律表
第IIIb族元素の含有量の比が１．２〜２００である第１
〜第４のいずれかの発明の電子写真用光受容部材に関す
る。
【００３３】第６の発明は、第２の層領域の周期律表第
IIIb族元素の含有量がシリコン原子に対して０．０３〜
５ｐｐｍである第１〜第５のいずれかの発明の電子写真
用光受容部材に関する。
【００３４】第７の発明は、第１の層領域の周期律表第
IIIb族元素の含有量がシリコン原子に対して０．２〜２
５ｐｐｍである第１〜第６の発明の電子写真用光受容部
材に関する。
【００３５】第８の発明は、導電性支持体上に、水素原
子または／及びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された光導電層を少なくとも有する電
子写真用光受容部材において、水素原子または／及びハ
ロゲン原子の含有量が２０〜３０原子％、光学的バンド
ギャップが１．７５〜１．８５ｅＶ、光吸収スペクトル
の指数関数裾から得られる特性エネルギーが５５〜６５
ｍｅＶである支持体側の第１の層領域と、水素原子また
は／及びハロゲン原子の含有量が１０〜２５原子％、光
学的バンドギャップが１．７０〜１．８０ｅＶ、光吸収
スペクトルの指数関数裾から得られる特性エネルギーが
５５ｍｅＶ以下である表面側の第２の層領域を前記光導
電層が有し、第２の層領域の光学的バンドギャップが第
１の層領域より小さく、且つ、第２の層領域の周期律表
第IIIb族元素の含有量が第１の層領域より少ないことを
特徴とする電子写真用光受容部材に関する。
【００３６】第９の発明は、導電性支持体上に、水素原
子または／及びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された光導電層を少なくとも有する電
子写真用光受容部材において、水素原子または／及びハ
ロゲン原子の含有量が２５〜４０原子％、光学的バンド
ギャップが１．８０〜１．９０ｅＶ、光吸収スペクトル
の指数関数裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ
以下である支持体側の第１の層領域と、水素原子または
／及びハロゲン原子の含有量が１０〜２５原子％、光学
的バンドギャップが１．７０〜１．８０ｅＶ、光吸収ス
ペクトルの指数関数裾から得られる特性エネルギーが５
５ｍｅＶ以下である表面側の第２の層領域を前記光導電
層が有し、第２の層領域の光学的バンドギャップが第１
の層領域より小さく、且つ、第２の層領域の周期律表第
IIIb族元素の含有量が第１の層領域より少ないことを特
徴とする電子写真用光受容部材に関する。
【００３７】第１０の発明は、第１の層領域の周期律表
第IIIb族元素の含有量がシリコン原子に対して０．２〜
３０ｐｐｍである第８の発明の電子写真用光受容部材に
関する。
【００３８】第１１の発明は、第１の層領域の周期律表
第IIIb族元素の含有量がシリコン原子に対して０．２〜
２５ｐｐｍである第９の発明の電子写真用光受容部材に
関する。
【００３９】第１２の発明は、第２の層領域の周期律表
第IIIb族元素の含有量がシリコン原子に対して０．０１
〜１０ｐｐｍである第８〜第１１のいずれかの発明の電
子写真用光受容部材に関する。
【００４０】第１３の発明は、第２の層領域における、
像露光のピーク波長光を７０％以上吸収するに要する表
面側からの層領域の周期律表第IIIb族元素の含有量が、
シリコン原子に対して０．０１〜５ｐｐｍである第８〜
第１２のいずれかの発明の電子写真用光受容部材に関す
る。
【００４１】第１４の発明は、第２の層領域が、像露光
のピーク波長光を８０〜９５％吸収する層領域である第
８〜第１３のいずれかの発明の電子写真用光受容部材に
関する。
【００４２】第１５の発明は、光導電層の全層厚に対す
る、第２の層領域の層厚の比が０．０５〜０．５である
第８〜第１４のいずれかの発明の電子写真用光受容部材
に関する。
【００４３】第１６の発明は、光導電層における周期律
表第IIIb族元素の含有量が、支持体側から表面側へ向か
って減少している第１〜第１５のいずれかの発明の電子
写真用光受容部材に関する。
【００４４】第１７の発明は、光導電層中に、炭素、酸
素、窒素の少なくとも一種の元素を含有する第１〜第１
６のいずれかの発明の電子写真用光受容部材に関する。
【００４５】第１８の発明は、光導電層の厚さが２０〜
５０μｍである第１〜第１７のいずれかの発明の電子写
真用光受容部材に関する。
【００４６】第１９の発明は、炭素、酸素、窒素の少な
くとも一種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成された表面層を有する第１〜第１８の
いずれかの発明の電子写真用光受容部材に関する。
【００４７】第２０の発明は、表面層の厚さが０．０１
〜３μｍである第１９の発明の電子写真用光受容部材に
関する。
【００４８】第２１の発明は、水素原子または／及びハ
ロゲン原子と、炭素、酸素、窒素の少なくとも一種の元
素と、周期律表第IIIb族または第Ｖｂ族の少なくとも一
種の元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材
料で構成された電荷注入阻止層を有し、該電荷注入阻止
層上に光導電層が設けられた第１〜第２０のいずれかの
発明の電子写真用光受容部材に関する。
【００４９】第２２の発明は、電荷注入阻止層の厚さが
０．１〜５μｍである第２１の発明の電子写真用光受容
部材に関する。
【００５０】上記本発明における「指数関数裾」とは、
光吸収スペクトルから低エネルギー側の裾領域を除いた
吸収スペクトルのことを指しており、また「特性エネル
ギー」は、この指数関数裾の傾きと関係している。これ
らを図２を用いてさらに説明する。
【００５１】図２に、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸
（対数軸）に吸収係数αをとった場合のａ−Ｓｉのサブ
バンドギャップ光吸収スペクトルの一例を示す。このス
ペクトルは大きく二つの領域に分けられる。すなわち、
吸収係数αが光子エネルギーｈνに対して指数関数的、
すなわち図２において直線的に変化する領域Ｂ（「指数
関数裾」または「アーバックテイル」）と、吸収係数α
が光子エネルギーｈνに対してより緩やかな依存性を示
す領域Ａである。
【００５２】上記の領域Ｂは、ａ−Ｓｉ中の価電子帯側
のテイル準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対
応し、領域Ｂの吸収係数αの光子エネルギーｈνに対す
る指数関数的依存性は次式で表される。
【００５３】α＝α。ｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α1 ただし、α1＝ｌｎα。（定数） となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、領
域Ｂの傾きを表すことになる。Ｅｕは、価電子帯側のテ
イル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギー
に相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル
準位が少なく、キャリアの局在準位への捕獲率が小さい
ことを意味する。
【００５４】次に、本発明における感度の温度特性およ
び感度の直線性について図３を用いて説明する。
【００５５】図３は、室温（ドラムヒーターＯＦＦ）と
約４５℃（ドラムヒーターＯＮ）において、それぞれ感
光体の暗電位として４００Ｖの表面電位に帯電し、次に
露光光源として６８０ｎｍのＬＥＤ光を照射して露光量
を変えた時の表面電位（明電位）の変化、いわゆるＥ−
Ｖ特性（Ｅ−Ｖ曲線）の一例である。なお、露光量は、
表面電位が下限となる露光量を１としたときの相対値で
示した。
【００５６】感度の温度特性は、暗電位と明電位の差が
２００Ｖ（Δ２００）となるときの露光量（半減露光
量）の室温での値と約４５℃での値との差である。
【００５７】また、感度の直線性は、暗電位と明電位の
差が３５０Ｖ（Δ３５０）となるときの露光量（実測
値）と、露光なしの点（暗状態）と半減露光量を照射し
た状態の点とを結ぶ直線を外挿してΔ３５０となるとき
の露光量（計算値）との差である。
【００５８】感度の温度特性および感度の直線性のいず
れもその値が小さいほど感光体として良好な特性を示
す。
【００５９】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以
下「Ｅｇ」という。）及び上記指数関数裾の特性エネル
ギー（以下「Ｅｕ」という。）と感光体特性との相関を
種々の条件において調べた結果、Ｅｇ及びＥｕと、ａ−
Ｓｉ感光体の帯電能、温度特性および光メモリーとが密
接な関係にあることを見い出した。さらに、入射光の吸
収領域と、伝導性制御物質である周期律表第IIIb族元素
の含有量・分布について詳細に調べた結果、周期律表第
IIIb族元素の含有量・分布を制御し、光入射側領域の周
期律表第IIIb族元素の含有量を他の領域より少ない分布
状態にすることにより、良好な感光体特性を発揮するこ
とを見い出し、本発明を完成するに至った。
【００６０】特に長波長レーザーに最適化するために、
伝導性制御物質の含有量・分布による光入射部の正孔と
電子の走行性のバランス、及びＥｇ・Ｅｕとレーザー光
源を用いたときの感光体特性を詳細に検討した結果、伝
導性制御物質の含有量・分布およびＥｇ・Ｅｕと感度の
温度特性および感度の直線性とが密接な関係にあること
を見い出し、光入射部のＥｇ・Ｅｕ及び水素含有量を特
定の範囲内に制御すると共に、光入射部の吸収深さによ
り周期律表第IIIb族元素のシリコン原子に対する流量比
を制御し、光入射側領域を周期律表第IIIb族元素の少な
い分布状態にすることによって、デジタル化に適した感
光体特性が発揮されることを見い出し本発明を完成する
に至った。
【００６１】すなわち、水素原子含有量、光学的バンド
ギャップ、キャリアの局在準位への捕獲率を規定した光
導電層の形成において、光入射部の吸収深さにより周期
律表第IIIb族元素のシリコン原子に対する流量比を制御
して、光入射側領域を周期律表第IIIb族元素の少ない分
布状態にすることによって、感度の温度特性および感度
の直線性を大幅に改善し、さらに帯電能を向上させ、光
メモリーを実質的になくすことができることが本発明者
の実験により明らかになった。
【００６２】以下、これらをさらに詳しく説明する。一
般的に、水素原子を含有するａ−Ｓｉ（以下「ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ」と略記する。）のバンドギャップ内には、Ｓｉ
−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル（裾）準位
と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠
陥に起因する深い準位が存在する。これらの準位は電子
や正孔の捕獲、再結合中心として働き、素子の特性を低
下させる原因になることが知られている。
【００６３】このようなバンドギャップ内の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Ｃ
ｏｎｓｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ、以下「ＣＰＭ」と略記する。）は、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の局在準位に基づくサブバンドギャップ光吸収スペクト
ルを簡便に測定する方法として有用である。
【００６４】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因（帯電能の温度依存性）として
次のようなことが挙げられる。熱励起されたキャリア
が、帯電時の電界に引かれて、バンド裾の局在準位やバ
ンドギャップ内の深い局在準位への捕獲・放出を繰り返
しながら表面に走行することによって、表面電荷を打ち
消してしまう。この時、帯電器を通過する間（帯電中）
に表面に到達したキャリアについては帯電能の低下には
ほとんど影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリア
は、帯電器を通過した後（帯電後）に表面へ到達して表
面電荷を打ち消すため、温度特性（帯電能の低下）とし
て観測される。また、帯電器を通過した後に熱励起され
たキャリアも表面電荷を打ち消し、帯電能の低下を引き
起こす。したがって、光学的バンドギャップを大きくす
ることによって熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつ
深い局在準位を少なくすることによりキャリアの走行性
を向上させてバランスをとることが温度特性の向上のた
めに必要である。
【００６５】光メモリーは、ブランク露光や像露光によ
り生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕
獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって
生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャ
リアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯
電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃
き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも
低くなり、その結果、画像上に濃淡が生じる。したがっ
て、光キャリアが光導電層内に極力残留することなく、
１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を
改善しなければならない。
【００６６】また、感度の温度特性は、光導電層の正孔
と電子では電子の方が正孔よりも走行性が速くその走行
性の違いが大きい上に、走行性が温度によって変化する
ために生じる。光入射部内では正孔と電子が対で生成さ
れ、正帯電ドラムでは正孔は支持体側へ電子は表面層側
へ走行するが、その移動中に光入射部で正孔と電子が混
在すると、支持体や表面に達するまでに再結合をしてし
まう割合が多くなる。その再結合の割合が再捕獲中心か
らの熱励起により変化するために、露光量すなわち光生
成キャリアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度
によって変化することになり、その結果、感度が温度に
よって変わることになる。したがって、光入射部での再
結合の割合を少なくする、すなわち再捕獲中心となる深
い準位を少なくすることと、正孔と電子の混在領域が小
さくなるように、長波長光の光吸収率を大きくし且つキ
ャリアの走行性も改善してバランスを取らなければなら
ない。
【００６７】感度の直線性は、長波長レーザーの露光量
が多くなるにしたがって、相対的に表面から深い場所で
の光生成キャリアが増加し、走行距離が長いキャリア
（電子）が増加することに起因する。したがって、光入
射部の光吸収率を高めると共に、伝導性を制御する物質
の含有量と分布を変えて、光入射部の電子の走行性と正
孔の走行性を改善してバランスを取らければならない。
【００６８】すなわち、水素含有量を少なくしてＥｇを
狭くすると、熱励起キャリアの生成はＥｇを拡大したも
のよりも比較的多くなるが、長波長光の吸収が大きくな
り光入射部を小さくできるために、正孔電子混在領域が
縮小できる。さらにＥｕを低減することで、熱励起キャ
リアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合が小さく
なりキャリアの走行性が飛躍的に改善される。これに対
し、水素含有量を多くしてＥｇを拡大すると、長波長光
の吸収はＥｇを狭くしたものよりも小さいので光入射部
はＥｇを狭くしたものより大きくなり正孔電子混在領域
が比較的広くなるが、Ｅｇの拡大により熱励起キャリア
の生成が抑えられ、なおかつＥｕを低減することによっ
て熱励起キャリアや光キャリア局在準位に捕獲される割
合を小さくすることができるため、キャリアの走行性が
飛躍的に改善される。さらに、伝導性制御物質の含有量
と分布を制御することにより、上記効果が助長され、光
導電層全体の正孔と電子の走行性のバランスが改善され
る。
【００６９】したがって、上述のように水素含有量、Ｅ
ｇ及びＥｕをバランスを取りつつ制御し、光入射部の吸
収深さにより周期律表第IIIb族元素のシリコン原子に対
する含有量を制御し、光入射側領域を周期律表第IIIb族
元素の少ない分布状態にすることによって、熱励起キャ
リアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合が小さく
なり、電子と正孔の走行性が飛躍的に改善される。
【００７０】つまり、本発明は上記構成によって、レー
ザー光を用いたときの感度の温度特性、感度の直線性お
よび帯電能の向上と、温度特性の改善および光メモリー
の低減とを高い次元で両立させ、前記の従来技術におけ
る諸問題を解決することができ、極めて優れた電気的・
光学的・光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環
境性を示す光受容部材を得ることができる。
【００７１】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の電子
写真用光受容部材について詳細に説明する。
【００７２】図１は、本発明の電子写真用光受容部材の
層構成の模式的説明図である。図１（ａ）に示す電子写
真用光受容部材は、支持体（１０１）上に光受容層（１
０２）が設けられている。この光受容層は、水素原子ま
たは／及びハロゲン原子を含有するアモルファスシリコ
ン（以下「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」という。）からなる光導
電性を有する光導電層（１０３）で構成されている。
【００７３】図１（ｂ）は、本発明の他の電子写真用光
受容部材の層構成の模式的説明図である。図１（ｂ）に
示す電子写真用光受容部材は、支持体（１０１）上に光
受容層（１０２）が設けられている。この光受容層はａ
−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる光導電性を有する光導電層（１
０３）と、アモルファスシリコン系表面層（１０４）と
から構成されている。
【００７４】図１（ｃ）は、本発明の他の電子写真用光
受容部材の層構成の模式的説明図である。図１（ｃ）に
示す電子写真用光受容部材は、支持体（１０１）上に光
受容層（１０２）が設けられている。この光受容層はａ
−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる光導電性を有する光導電層（１
０３）と、アモルファスシリコン系表面層（１０４）
と、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層（１０５）
とから構成されている。
【００７５】支持体 本発明において使用される支持体としては、導電性支持
体、又は電気絶縁性部材の少なくとも光受容層を形成す
る側の表面を導電処理した支持体を用いることができ
る。導電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金
属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられ
る。また、導電処理した支持体の電気絶縁性部材として
は、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック等が挙げられる。
【００７６】本発明において使用される支持体の形状
は、平滑表面あるいは凹凸表面を有する円筒状または無
端ベルト状などにすることができる。その厚さは、所望
通りの光受容部材を形成し得るように適宜決定するが、
光受容部材としての可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることが好ましい。しかしながら、支持体は製造上
および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μ
ｍ以上とすることが望ましい。
【００７７】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
るために、支持体の表面に凹凸を設けてもよい。このよ
うな凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６０
−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報等
に記載された公知の方法により形成される。
【００７８】また、レーザー光（例えば７８８ｎｍ）な
どの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画像不良
をより効果的に解消する別の方法として、支持体の表面
に複数の球状痕跡窪みによる凹凸を設けてもよい。この
凹凸は、光受容部材に要求される解像力よりも微少であ
って複数の球状痕跡窪みによるものである。このような
支持体の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹
凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公
知の方法により形成される。
【００７９】光導電層 本発明における光導電層は、その目的を効果的に達成す
るために、真空堆積膜形成方法によって所望の特性が得
られるように適宜成膜パラメーターの数値条件を設定
し、また使用する原料ガスなどを適宜選択して形成す
る。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法
・高周波ＣＶＤ法・マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法など）、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、
設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される光受
容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択採用
されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造するた
めの条件の制御が比較的容易であることから、高周波グ
ロー放電法が好適である。
【００８０】グロー放電法によって光導電層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ
供給用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応
容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグ
ロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置した
所定の支持体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成す
る。
【００８１】また、本発明における光導電層中には、水
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上
させるために必須不可欠であるからである。
【００８２】水素原子もしくはハロゲン原子の含有量ま
たは水素原子とハロゲン原子との合計量（Ｃｈ）は、第
１の発明に関する光受容部材については、シリコン原子
と水素原子または／及びハロゲン原子との合計量に対し
て１０〜３０原子％、第２の発明に関する光受容部材に
ついては１０〜２０原子％、第３の発明に関する光受容
部材については２５〜３５原子％の範囲内にあることが
望ましい。第８の発明に関する光受容部材については、
その光導電層の第１の層領域のＣｈが２０〜３０原子
％、第２の層領域のＣｈが１０〜２５原子％であること
が望ましい。第９の発明に関する光受容部材について
は、その光導電層の第１の層領域のＣｈが２５〜４０原
子％、第２の層領域のＣｈが１０〜２５原子％であるこ
とが望ましい。
【００８３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ
8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、さらに層形成時の取り扱い易さやＳｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙
げられる。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合
比で複数種混合しても差し支えない。
【００８４】そして、形成される光導電層中に水素原子
を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそ
う容易にして、本発明の目的を達成する膜特性を得るた
めに、上記のガスにさらにＨ2ガス、Ｈ2とＨｅの混合ガ
ス、あるいは水素原子を含む珪素化合物のガス等を所望
量混合して層形成することが望ましい。
【００８５】本発明において使用されるハロゲン原子供
給用の原料ガスとして有効なものは、例えば、ハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましくものとして挙
げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子
とを構成要素とするガス状の又はガス化し得る、ハロゲ
ン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げ
ることができる。本発明において好適に使用し得るハロ
ゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、Ｂ
ｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、Ｉ
Ｆ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロ
ゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置
換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳ
ｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙
げることができる。
【００８６】光導電層中に含有される水素原子または／
及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の
温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。
【００８７】本発明における光導電層には、伝導性を制
御する原子を含有させることが必要である。これは、光
導電層のＥｇやＥｕといった物性から得られるキャリア
の走行性を調整し或いは補償して走行性を高次でバラン
スさせることにより、帯電能や光メモリー特性を向上さ
せるために必須不可欠であるからである。伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIb族の原子（以下「第IIIb族原子」という。）を用
いることができる。
【００８８】第１〜第３の発明に関する光受容部材につ
いては、この第IIIb族原子の含有量は、光導電層の光が
入射する側であって光を一定量吸収する第２の層領域に
おける第IIIb族原子含有量がその他の第１の層領域より
も少ないこと、該第２の層領域の第IIIb族原子の含有量
がシリコン原子に対して０．０３〜５ｐｐｍであるこ
と、第１の層領域の第IIIb族原子の含有量がシリコン原
子に対して０．２〜２５ｐｐｍであること、第２の層領
域の第IIIb族原子の含有量に対する、第１の層領域の第
IIIb族原子の含有量の比が１．２〜２００であることが
望ましい。ここで、第２の層領域の光の吸収量は、像露
光のピーク波長光を５０〜９０％吸収することが好まし
い。
【００８９】第８の発明に関する光受容部材における第
IIIb族原子の含有量は、第１の層領域の第IIIb族原子の
含有量がシリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍ、第
２の層領域の第IIIb族原子の含有量がシリコン原子に対
して０．０１〜１０ｐｐｍであることが望ましい。
【００９０】第９の発明に関する光受容部材における第
IIIb族原子の含有量は、第１の層領域の第IIIb族原子の
含有量がシリコン原子に対して０．２〜２５ｐｐｍ、第
２の層領域の第IIIb族原子の含有量がシリコン原子に対
して０．０１〜１０ｐｐｍであることが望ましい。
【００９１】また、第８及び第９の発明に関する光受容
部材については、正孔電子対が生成し走行する部分であ
る第２の層領域における、像露光のピーク波長光を７０
％以上吸収するに要する表面側からの層領域の第IIIb族
元素の含有量が、第１の層領域より少ないこと、さらに
は、正孔と電子の走行性を高次でバランスさせるため
に、上記像露光のピーク波長光を７０％以上吸収するに
要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量が、
シリコン原子に対して０．０１〜５ｐｐｍであることが
望ましい。
【００９２】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。
【００９３】伝導性を制御する原子である第IIIb族原子
を構造的に導入するには、層形成の際に、第IIIb族原子
導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層
を形成するための他のガスとともに導入してやればよ
い。
【００９４】このとき、光導電層における第IIIb族元素
の含有量は、支持体側から表面側へ向かって減少させる
ことが好ましい。
【００９５】生成する光キャリヤのうち、支持体方向に
走行するのは正孔（ホール）である。その走行性は電子
の走行性に比べると劣るが、この正孔を走行させない
と、ゴーストメモリレベルの低下や残留電位が高くなる
等の問題が生じる。そこで、この正孔の走行性を改善
し、電子との走行性のバランスを取るために、第IIIb族
元素を含有させる。しかし、第IIIb族元素を含有させて
いくと、膜中の準位の増加により帯電能の低下という影
響もでてくる。この二つの問題をバランス良く効果的に
解決するために、第IIIb族元素の含有量に勾配を持たせ
る。
【００９６】第IIIb族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状の、又は少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが望ましい。その
ような第IIIb族原子導入用の原料物質としては、硼素原
子導入用としてＢ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ
6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣ
ｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ
3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。中でもＢ2Ｈ
6は、取り扱いの面からも好ましい原料物質である。ま
た、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を
必要に応じてＨ2又は／及びＨｅにより希釈して使用し
てもよい。
【００９７】さらに本発明においては、光導電層に炭素
原子および／又は酸素原子および／又は窒素原子を含有
させることも有効である。炭素原子および／又は酸素原
子および／又は窒素原子の含有量は、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子および窒素原子の合計量に対して１×
１０-5〜１０原子％が好ましく、１×１０-4〜８原子％
がより好ましく、１×１０-3〜５原子％が最適である。
炭素原子および／又は酸素原子および／又は窒素原子
は、光導電層中に万遍なく均一に含有されてもよいし、
光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な
分布を有する部分があってもよい。
【００９８】本発明において、光導電層の層厚は、所望
の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点か
ら適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０〜５
０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５
〜４０μｍの範囲である。層厚が２０μｍより薄くなる
と帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充分とな
り、５０μｍより厚くなると光導電層の作製時間が長く
なって製造コストが高くなる。
【００９９】また、第８及び第９の発明に関する光受容
部材については、光導電層全体（第１の層領域および第
２の層領域）に対する第２の層領域の厚さの比は、０．
０５〜０．５であることが望ましい。その比が０．０３
より小さいと、第２の層領域を表面層側に位置させたと
きに前露光や像露光を十分に吸収することができず、感
度の温度特性の低減や感度の直線性の改善の効果を十分
に発揮することができない。また、０．０５を超えると
帯電能の向上や温度特性に対する効果が十分に発揮され
ない。
【０１００】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならび
に支持体温度を適宜設定することが必要である。
【０１０１】希釈ガスとして使用するＨ2又は／及びＨ
ｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択さ
れる。第１〜第３の発明に関する光受容部材について
は、Ｓｉ供給用ガスに対するＨ2又は／及びＨｅの流量
を、通常の場合３〜３０倍、好ましくは４〜２５倍、最
適には５〜２０倍の範囲に制御する。また、その範囲内
で一定の値になるように制御することが好ましい。第８
の発明に関する光受容部材については、第１の層領域に
おける、Ｓｉ供給用ガスに対するＨ2又は／及びＨｅの
流量を、通常の場合４〜２０倍、好ましくは５〜１５
倍、最適には６〜１０倍の範囲に制御することが望まし
く、第９の発明に関する光受容部材については、第１の
層領域における、Ｓｉ供給用ガスに対するＨ2又は／及
びＨｅの流量を、通常の場合２〜１５倍、好ましくは３
〜１２倍、最適には４〜８倍の範囲に制御することが望
ましい。そして第２の層領域においては、第８及び第９
の発明に関する光受容部材のいずれについても、Ｓｉ供
給用ガスに対するＨ2又は／及びＨｅの流量を、通常の
場合０．５〜１０倍、好ましくは１〜８倍、最適には２
〜６倍の範囲に制御することが望ましい。
【０１０２】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択され、通常の場合１×１０-2
〜２×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１０2Ｐ
ａ、最適には１×１０-1〜２×１０2Ｐａの範囲に制御
する。
【０１０３】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択され、Ｓｉ供給用のガス流量に対す
る放電電力の比（Ｗ／sccm）を、好ましくは０．３〜１
０、より好ましくは０．５〜９、最適には１〜６の範囲
に制御する。そして、第１の層領域のＳｉ供給用ガスの
流量に対する放電電力の比を第２の層領域のそれに比べ
て大きくし、いわゆるフローリミット領域で作製するこ
とが好ましい。
【０１０４】支持体の温度は、層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択され、好ましくは２００〜３５０℃、よ
り好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３０
０℃に設定する。
【０１０５】以上のガス混合比、反応容器内のガス圧、
放電電力および支持体温度の望ましい数値範囲は、独立
的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有す
る光受容部材を形成すべく、相互的かつ有機的関連性に
基づいて最適値を決めることが望ましい。
【０１０６】表面層本発明においては、上述のようにし
て支持体上に形成された光導電層の上に、さらにａ−Ｓ
ｉ系の表面層を形成することが好ましい。この表面層は
自由表面（１１０）を有し、主に耐湿性、連続繰り返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性等にお
いて本発明の目的を達成するために設けられる。
【０１０７】また本発明においては、光導電層と表面層
を形成するそれぞれの非晶質材料がシリコン原子という
共通の構成要素を有しているため、積層界面において化
学的な安定性が十分に確保されている。
【０１０８】表面層は、ａ−Ｓｉであればいずれの材質
でも使用可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子
（Ｃ）を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子
（Ｏ）を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子
（Ｎ）を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する。）、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子・酸
素原子・窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルフ
ァスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記
する。）等の材料が好適に用いられる。
【０１０９】本発明においてその目的を効果的に達成す
るために、表面層は、真空堆積膜形成方法によって、所
望の特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値
条件が設定されて形成される。具体的には、例えばグロ
ー放電法（低周波ＣＶＤ法・高周波ＣＶＤ法・マイクロ
波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電Ｃ
ＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の
薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄
膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製
造規模、作製される光受容部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択採用されるが、光受容部材の生産性
から光導電層と同様な堆積法によることが好ましい。
【０１１０】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘからなる表面層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原
料ガスとを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガ
ス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、あらかじめ所定の位置に設置した光導電層を形成し
た支持体上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成す
る。
【０１１１】本発明における表面層の材質としては、ア
モルファスシリコン材料ならば何れでもよいが、炭素・
窒素・酸素から選ばれた元素を少なくとも１つ含むアモ
ルファスシリコン材料が好ましく、特にａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｘが好ましい。
【０１１２】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の合計量に
対して３０〜９０％の範囲が好ましい。
【０１１３】また本発明においては、表面層中に水素原
子または／及びハロゲン原子が含有されることが必要で
あるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結合手
を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷
保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含
有量は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０
原子％、好ましくは３５〜６５原子％、より好ましくは
４０〜６０原子％である。また、フッ素等のハロゲン原
子の含有量は、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好
ましくは０．１〜１０原子％、より好ましくは０．６〜
４原子％である。
【０１１４】これらの水素または／及びハロゲン含有量
の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において、
従来にない格段に優れたものとして十分適用できるもの
である。
【０１１５】表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原
子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受
容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られてい
る。例えば、自由表面からの電荷の注入による帯電特性
の劣化、使用環境、例えば高い湿度の下で表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、コロナ帯電時や光照
射時に光導電層から表面層に電荷が注入され前記表面層
内の欠陥に電荷がトラップされることによる、繰り返し
使用時の残像現象の発生などがこの悪影響として挙げら
れる。しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％
以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、
その結果、従来に比べて電気的特性および高速連続使用
性において飛躍的な向上を図ることができる。一方、前
記表面層中の水素含有量が７０原子％を超えると表面層
の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなく
なる場合がある。したがって、表面層中の水素含有量を
前記の範囲内に制御することは、格段に優れた所望の電
子写真特性を得る上で非常に重要である。表面層中の水
素含有量は、原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電
パワー、ガス圧等によって制御することができる。
【０１１６】また、表面層中のハロゲン原子含有量を
０．０１原子％以上に制御することによって、表面層内
のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に
達成することが可能となる。さらに、表面層中のハロゲ
ン原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコ
ン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止すること
ができる。しかし、表面層中のハロゲン原子含有量が１
５原子％を超えると、表面層内のシリコン原子と炭素原
子の結合の発生の効果、及びコロナ等のダメージによる
シリコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果が
ほとんど認められなくなる。さらに、過剰のハロゲン原
子が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留
電位や画像メモリーが顕著に認められてくる。したがっ
て、表面層中のハロゲン含有量を前記範囲内に制御する
ことが所望の電子写真特性を得る上で重要である。表面
層中のハロゲン原子含有量は、水素含有量と同様に原料
ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等
によって制御することができる。
【０１１７】本発明の表面層の形成において使用される
Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓ
ｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の又はガス
化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、さらに層形成時の取り扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好まし
いものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。
【０１１８】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のガス状態
の又はガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものと
して挙げられ、さらに層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＣＨ 4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6が好まし
いものとして挙げられる。また、これらの炭素供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。
【０１１９】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、Ｃ
Ｏ2、Ｎ2等のガス状態の又はガス化し得る化合物が有効
に使用されるものとして挙げられる。また、これらの窒
素または酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
【０１２０】また、表面層中に導入される水素原子の導
入割合の制御をいっそう容易するために、これらのガス
にさらに水素ガス、又は水素原子を含む珪素化合物のガ
スを所望量混合して層形成することが好ましい。なお、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えない。
【０１２１】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なものは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロ
ゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状の又はガス化し得るハロゲン化合
物が挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とするガス状の又はガス化し得る、
ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとし
て挙げることができる。本発明において好適に使用し得
るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス
（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、Ｂｒ
Ｆ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げること
ができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、例えば
ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素を好ましいものとして
挙げることができる。
【０１２２】表面層中に含有される水素原子または／及
びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の温
度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるた
めに使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放
電電力等を制御すればよい。
【０１２３】炭素原子または／及び酸素原子または／及
び窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
よいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布を有した部分があってもよい。
【０１２４】さらに本発明においては、表面層には必要
に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ま
しい。伝導性を制御する原子は、表面層中に万遍なく均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向には不均一な分布状態で含有されている部分があっ
てもよい。
【０１２５】伝導性を制御する原子としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型
伝導特性を与える周期律表第IIIb族原子またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族原子を用いることができ
る。
【０１２６】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
【０１２７】表面層に含有される伝導性を制御する原子
の含有量は、好ましくは１×１０-3〜１×１０3原子ｐ
ｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１０2原子ｐｐ
ｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2原子ｐｐｍの範囲
である。
【０１２８】伝導性を制御する原子、例えば第IIIb族原
子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形
成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ
ｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、
表面層を形成するための他のガスとともに導入してやれ
ばよい。
【０１２９】第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第
Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、
常温常圧でガス状の、又は少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが望ましい。そのような第IIIb族
原子導入用の原料物質としては、硼素原子導入用として
Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ
6Ｈ 12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢ
ｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、Ｔｌ
Ｃｌ3等も挙げることができる。第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質としては、燐原子導入用としてＰＨ3、Ｐ2Ｈ4
等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ 3、ＰＣ
ｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化燐などが
挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、
ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、Ｓ
ｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。また、これらの伝導性を制御する
原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１３０】本発明における表面層の層厚は、通常０．
０１〜３μｍ、好ましくは０．０５〜２μｍ、より好ま
しくは０．１〜１μｍである。層厚が０．０１μｍより
も薄いと光受容部材を使用中に摩耗等の理由により表面
層が失われてしまい、３μｍを超えると残留電位の増加
等の電子写真特性の低下がみられる。
【０１３１】本発明における表面層は、その要求される
特性が所望通りに得られるように注意深く形成する。す
なわち、Ｓｉと、Ｃ・Ｎ・Ｏの少なくとも一つの元素
と、Ｈ又は／及びＸとを構成要素とする物質は、その形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態（総称して「非単結晶」という。）を取り、電気物
性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を
有し、また光導電的性質から非光導電的性質までの間の
性質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた
所望の特性を有する化合物が形成されるように所望にし
たがってその形成条件の選択が厳密になされる。
【０１３２】例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的
として設ける場合には、使用環境において電気絶縁性的
挙動の顕著な非単結晶材料として形成される。また、連
続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的
として表面層を設ける場合には、上記の電気絶縁性の度
合はある程度緩和され、照射される光に対してある程度
の感度を有する非単結晶材料として形成される。
【０１３３】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層を形成するには、支持体の温度、反応容器内のガス
圧を所望にしたがって適宜設定する必要がある。支持体
の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０
℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０
〜３００℃とする。反応容器内のガス圧も同様に層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは１×１０-2〜２×１０3Ｐａ、より好ま
しくは５×１０-2〜５×１０2、最適には１×１０-1〜
２×１０2Ｐａとする。本発明においては、表面層を形
成するための支持体温度やガス圧の望ましい数値範囲は
上記範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
光受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づ
いて最適値を決めるのが望ましい。
【０１３４】さらに、本発明においては、光導電層と表
面層との間に、炭素原子・酸素原子・窒素原子の含有量
を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を
設けることも帯電能等の特性をさらに向上させるために
は有効である。
【０１３５】また、表面層と光導電層との間に、炭素原
子・酸素原子・窒素原子の含有量が光導電層に向かって
減少するように変化する領域を設けてもよい。これによ
り、表面層と光導電層の密着性を向上させ、光キャリア
の表面への移動がスムーズになるとともに、光導電層と
表面層との界面での光の反射による干渉の影響をより少
なくすることができる。
【０１３６】電荷注入阻止層 本発明の光受容部材においては、導電性支持体と光導電
層との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止す
る働きのある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果
的である。すなわち、電荷注入阻止層は、光受容層が一
定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側
から光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を
有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機
能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。
【０１３７】このような機能を付与するためには、電荷
注入阻止層に伝導性を制御する原子を光導電層より比較
的多く含有させる。伝導性を制御する原子は、層中に万
偏なく均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向に
は万偏なく含有されてはいるが不均一に分布する状態で
含有されている部分があってもよい。濃度分布が不均一
な場合には、支持体側に多く分布するように含有させる
のが好ましい。但し、いずれの場合も、支持体の表面と
平行面内の方向においては、均一な分布で万偏なく含有
されることが面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。
【０１３８】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、第IIIb族原子または第Ｖｂ族原
子を用いることができる。
【０１３９】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。これらの原子を導入するための原料物質は、前
記表面層の形成に使用するものと同様である。
【０１４０】本発明における電荷注入阻止層に含有され
る伝導性を制御する原子の含有量は、本発明の目的が効
果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定さ
れ、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐｍ、より好ま
しくは５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、最適には１×１０2
〜３×１０3原子ｐｐｍである。
【０１４１】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子・
窒素原子・酸素原子の少なくとも一種を含有させること
によって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる
他の層との間の密着性をよりいっそう向上させることが
できる。炭素原子・窒素原子・酸素原子は層中に万偏な
く均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万
偏なく含有されてはいるが不均一に分布する状態で含有
されている部分があってもよい。但し、いずれの場合に
も、支持体の表面と平行面内方向においては均一な分布
で万遍なく含有されることが面内方向における特性の均
一化を図る点からも必要である。
【０１４２】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子・窒素原子・酸素原子の含有量
は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定
され、一種の場合はその量として二種以上の場合はその
総和量として、好ましくは１×１０-3〜５０原子％、よ
り好ましくは５×１０-3〜３０原子％、最適には１×１
０-2〜１０原子％である。
【０１４３】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子または／及びハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子との和の含有量は、好ましくは
１〜５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、最適
には１０〜３０原子％である。
【０１４４】本発明における電荷注入阻止層の層厚は、
所望の電子写真特性および経済的効果等の点から、好ま
しくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μ
ｍ、最適には０．５〜３μｍである。層厚が０．１μｍ
より薄くなると、支持体からの電荷の注入阻止能が不十
分になって十分な帯電能が得られなくなり、また５μｍ
より厚くすると電子写真特性の向上は期待できず、作製
時間の延長による製造コストの増加を招くことになる。
【０１４５】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有す
る電荷注入阻止層を形成するには、前述の光導電層と同
様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容
器内のガス圧、放電電力および支持体の温度を適宜設定
することが必要である。
【０１４６】希釈ガスとして使用するＨ2又は／及びＨ
ｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択さ
れ、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2又は／及びＨｅを、通常
の場合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５倍、最
適には１〜１０倍の範囲に制御する。
【０１４７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択され、通常の場合１×１０-2
〜２×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１０2Ｐ
ａ、最適には１×１０-1〜２×１０2Ｐａの範囲に制御
する。
【０１４８】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択され、Ｓｉ供給用のガス流量に対す
る放電電力の比（Ｗ／SCCM）を、通常の場合０．５〜
８、好ましくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設
定する。
【０１４９】支持体の温度は、層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択され、通常の場合、好ましくは２００〜
３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には
２５０〜３１０℃に設定する。
【０１５０】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力および
支持体温度の望ましい数値範囲は、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する電荷注入阻止
層を形成すべく、相互的かつ有機的関連性に基づいて最
適値を決めることが望ましい。
【０１５１】この他に、本発明の光受容部材において
は、光受容層の前記支持体側に、少なくともアルミニウ
ム原子、シリコン原子、水素原子または／及びハロゲン
原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を
設けることが望ましい。また、本発明の光受容部材にお
いては、支持体と光導電層あるいは電荷注入阻止層との
間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ3
Ｎ4・ＳｉＯ2・ＳｉＯあるいはシリコン原子を母体と
し、水素原子または／及びハロゲン原子と、炭素原子ま
たは／及び酸素原子または／及び窒素原子とを含む非晶
質材料等で構成される密着層を設けてもよい。さらに、
支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するた
めの光吸収層を設けてもよい。
【０１５２】光受容層形成装置および膜形成方法 次に、光受容層を形成するための装置および膜形成方法
について詳述する。
【０１５３】図４は、ＲＦ帯の電源周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る。）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的
な構成図である。図４に示す製造装置の構成は以下の通
りである。
【０１５４】この装置は大別すると、堆積装置（４１０
０）、原料ガス供給装置（４２００）、及び反応容器
（４１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せ
ず）から構成されている。堆積装置（４１００）中の反
応容器（４１１１）内には円筒状支持体（４１１２）、
支持体加熱用ヒーター（４１１３）、原料ガス導入管
（４１１４）が設置され、さらに高周波マッチングボッ
クス（４１１５）が接続されている。
【０１５５】原料ガス供給装置（４２００）は、ＳｉＨ
4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガス
ボンベ（４２２１〜４２２６）、バルブ（４２３１〜４
２３６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６）及
びマスフローコントローラー（４２１１〜４２１６）か
ら構成され、各原料ガスボンベはバルブ（４２６０）を
介して反応容器（４１１１）内のガス導入管（４１１
４）に接続されている。
【０１５６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。
【０１５７】まず、反応容器（４１１１）内に円筒状支
持体（４１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター（４１１３）により円筒状支持体の
温度を２００〜３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１５８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（４１
１１）に流入させるには、まず、原料ガスボンベバルブ
（４２３１〜４２３６）及び反応容器リークバルブ（４
１１７）が閉じられていることを確認し、また、ガス流
入バルブ（４２４１〜４２４６）、ガス流出バルブ（４
２５１〜４２５６）及び補助バルブ（４２６０）が開か
れていることを確認し、その後にメインバルブ（４１１
８）を開いて反応容器及びガス配管内（４１１６）を排
気する。
【０１５９】次に、真空計（４１１９）の読みが約１×
１０-2Ｐａになった時点で補助バルブ及びガス流出バル
ブを閉じる。
【０１６０】その後、原料ガスボンベから各ガスをバル
ブ（４２３１〜４２３６）を開いて導入し、圧力調整器
（４２６１〜４２６６）により各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ
2に調整する。次いでガス流入バルブ（４２４１〜４２
４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラー内に導入する。
【０１６１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。
【０１６２】円筒状支持体が所定の温度になったところ
でガス流出バルブ（４２５１〜４２５６）のうちの必要
なもの及び補助バルブ（４２６０）を徐々に開き、原料
ガスボンベから所定のガスをガス導入管を介して反応容
器内に導入する。次にマスフローコントローラーによっ
て各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その
際、反応容器内の圧力が１．５×１０2Ｐａ以下の所定
の圧力になるように真空計を見ながらメインバルブの開
口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．
５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定し
て、高周波マッチングボックスを通じて反応容器内にＲ
Ｆ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エ
ネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分
解され、円筒状支持体上に所定のシリコンを主成分とす
る堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた
後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容
器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１６３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１６４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器内や、ガス
流出バルブから反応容器に至る配管内に残留することを
避けるために、ガス流出バルブを閉じ、補助バルブを開
き、さらにメインバルブを全開にして系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１６５】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、円筒状支持体を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。
【０１６６】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の形成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。
【０１６７】上記の方法において、堆積膜形成時の支持
体温度は、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましく
は２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃であ
る。
【０１６８】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体を用いればよく、より具体的にはシース状ヒーターの
巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター
等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等
の熱放射ランプ発熱体、液体や気体等を温媒とし熱交換
手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。これら以外にも、反応容器の外部に加熱専用
の容器を設け、そこで加熱した後、反応容器内へ真空下
で支持体を搬送する方法が用いられる。
【０１６９】
【実験例】以下、実験例により本発明の効果を具体的に
説明する。
【０１７０】実験例−Ａ１ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、表−Ａ１に示す条件
で、電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して
光受容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第
２の層領域（波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層
厚の領域）の順で形成し、第IIIｂ族元素を含有するガ
ス種としてはＢ2Ｈ6を用いてシリコン原子に対する第II
Iｂ族元素の含有量を調節した。
【０１７１】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス基板（コーニング社
７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電
層の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
ガラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０１７２】表−Ａ１の条件による光受容部材の光導電
層は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２１原子％、１．８
０ｅＶ、６０ｍｅＶであった（光受容部材ａ）。
【０１７３】次に、表−Ａ１において、ＳｉＨ4ガスと
Ｈ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガス流量と放電電力との比
率および支持体温度を種々変えることによって、光導電
層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ１０原子％、１．７５
ｅＶ、５５ｍｅＶ（光受容部材ｂ）、２６原子％、１．
８２ｅＶ、６１ｍｅＶ（光受容部材ｃ）、３０原子％、
１．８５ｅＶ、６５ｍｅＶ（光受容部材ｄ）の種々の光
受容部材を作製した。
【０１７４】上記の光受容部材を電子写真装置（キヤノ
ン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造。波長６８０ｎｍの
ＬＥＤとレーザー光が交換可能。）にセットして、電位
特性の評価を行った。
【０１７５】その際、プロセススピード３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ ｌｕｘ・
ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件において、
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（Ｔ
ＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光
受容部材の表面電位を測定し、その値を帯電能とした。
残留電位は、像露光１．５ ｌｕｘ・ｓｅｃのときの表
面電位を測定し、その値を残留電位とした。
【０１７６】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより、温度を室温（約２５℃）から５０℃まで変え
て、上記条件で帯電能を測定し、そのときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を帯電能の温度特性とした。
【０１７７】さらに、室温と４５℃のそれぞれについて
暗電位が４００Ｖとなるように帯電条件を設定し、像露
光光源に６８０ｎｍのＬＥＤを用いてＥ−Ｖ特性（曲
線）を測定して、感度の温度特性および感度の直線性を
評価した。
【０１７８】光メモリーについては、像露光光源に波長
６８０ｎｍのＬＥＤを用い、上述の条件下において同様
の電位センサーによって、非露光状態での表面電位と一
旦露光した後に再度帯電したときの表面電位との電位差
を測定し、その値をメモリー電位とした。
【０１７９】画像特性は、６８０ｎｍのＬＥＤをＮＰ−
６６５０にセットして評価した。
【０１８０】それぞれの光受容部材（ａ〜ｄ）に関し
て、層厚３０μｍの光導電層を第１の層領域または第２
の層領域のみで構成した場合を基準として、帯電能、残
留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性およ
び感度の直線性について以下の基準で評価を行った。
【０１８１】 ◎：光導電層を第１の層領域または第２の層領域のみで
構成した場合よりも非常に良好 ○：光導電層を第１の層領域または第２の層領域のみで
構成した場合よりも良好 △：光導電層を第１の層領域または第２の層領域のみで
構成した場合と同等 ×：光導電層を第１の層領域または第２の層領域のみで
構成した場合よりも劣る。
【０１８２】光導電層を第１の層領域のみで構成した場
合と比較した結果を表−Ａ２に、光導電層を第２の層領
域のみで構成した場合と比較した結果を表−Ａ３に示
す。これらの結果から明らかなように帯電能、残留電
位、温度特性、メモリー電位、感度の温度特性および感
度の直線性のいずれについても、光導電層を第１の層領
域または第２の層領域のみで構成した場合よりも良好で
あり、さらに画像特性においても良好な画像が得られる
ことがわかった。また、露光光源をＬＥＤに代えて半導
体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様に良好
な結果が得られることがわかった。
【０１８３】
【表１】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層厚
【０１８４】
【表２】
【０１８５】
【表３】
【０１８６】実験例−Ａ２ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１の光受容部材ａと同様な条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第２の層領域の光吸収率の異なる
種々の光受容部材を作製した。その際、第２の層領域
は、６８０ｎｍの光を４０％、５０％、８０％、９０％
及び９２％吸収できる層厚に変化させた。
【０１８７】作製した個々の光受容部材について、層厚
３０μｍの光導電層を第１の層領域のみで構成した場合
を基準として、帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性および感度の直線性について以下
の基準で評価を行った。
【０１８８】 ◎：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
非常に良好 ○：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
良好 △：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
劣る。
【０１８９】結果を表−Ａ４に示す。表−Ａ４から明ら
かなように第２の層領域が、６８０ｎｍの光を５０〜９
０％吸収できる層厚において本発明の効果が得られ、さ
らに画像特性においても良好な画像が得られることがわ
かった。また、露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザ
ー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様に良好な結果が
得られることがわかった。
【０１９０】
【表４】
【０１９１】実験例−Ａ３ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１の光受容部材ｂと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第２の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を６ｐｐｍとし、第２の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐｍ、０．０
３ｐｐｍ、０．１０ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び
５．５ｐｐｍと変化させた。このとき、第IIIｂ族元素
を含有するガス種としてＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に
対する第IIIｂ族元素の含有量を調節した。
【０１９２】作製した個々の光受容部材について、層厚
３０μｍの光導電層を第１の層領域のみで構成した場合
を基準として、帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性および感度の直線性について以下
の基準で評価を行った。
【０１９３】 ◎：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
非常に良好 ○：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
良好 △：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
劣る。
【０１９４】結果を表−Ａ５に示す。表−Ａ５から明ら
かなように第２の層領域において、シリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を０．０３〜５ｐｐｍにする
ことで本発明の効果が得られ、さらに画像特性において
も良好な画像が得られることがわかった。また、露光光
源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）
にした場合も同様に良好な結果が得られることがわかっ
た。
【０１９５】
【表５】
【０１９６】実験例−Ａ４ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１の光受容部材ｃと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
２の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を０．１３ｐｐｍとし、第１の層領域のシリコン原
子に対する第IIIｂ族元素の含有量を０．１５ｐｐｍ、
０．２０ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ及
び３０ｐｐｍと変化させた。このとき、第IIIｂ族元素
を含有するガス種としてＢ2Ｈ 6を用い、シリコン原子に
対する第IIIｂ族元素の含有量を調節した。
【０１９７】作製した個々の光受容部材について、層厚
３０μｍの光導電層を第２の層領域のみで構成した場合
を基準として、帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性および感度の直線性について以下
の基準で評価を行った。
【０１９８】 ◎：光導電層を第２の層領域のみで構成した場合よりも
非常に良好 ○：光導電層を第２の層領域のみで構成した場合よりも
良好 △：光導電層を第２の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層を第２の層領域のみで構成した場合よりも
劣る。
【０１９９】結果を表−Ａ６に示す。表−Ａ６から明ら
かなように第１の層領域において、シリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を０．２〜２５ｐｐｍにする
ことで本発明の効果が得られ、さらに画像特性において
も同様に良好な画像が得られることがわかった。また、
露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０
ｎｍ）にした場合も良好な結果が得られることがわかっ
た。
【０２００】
【表６】
【０２０１】実験例−Ａ５ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１の光受容部材ｄと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域と第２の層領域との
第IIIb族元素の含有量比が異なる種々の光受容部材を作
製した。その際、第１の層領域のシリコン原子に対する
第IIIｂ族元素の含有量を一定（６ppm）にし、第２の層
領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量に
対する第１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量の比を１．１、１．２、３、６０、２００
及び６００と変化させた。このとき、第IIIｂ族元素を
含有するガス種としてＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を調節した。
【０２０２】作製した個々の光受容部材について、層厚
３０μｍの光導電層を第１の層領域のみで構成した場合
を基準として帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電
位、感度の温度特性および感度の直線性について以下の
基準で評価を行った。
【０２０３】 ◎：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
非常に良好 ○：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
良好 △：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合と同等 ×：光導電層を第１の層領域のみで構成した場合よりも
劣る。
【０２０４】結果を表−Ａ７に示す。表−Ａ７から明ら
かなように第２の層領域のシリコン原子に対する第III
ｂ族元素の含有量に対する第１の層領域のシリコン原子
に対する第IIIｂ族元素の含有量の割合を１．２〜２０
０にすることで本発明の効果が得られ、さらに画像特性
においても良好な画像が得られることがわかった。ま
た、露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６
８０ｎｍ）にした場合も同様に良好な結果が得られるこ
とがわかった。
【０２０５】
【表７】
【０２０６】実験例−Ａ６ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層および表面層を形成して種々の光受容部材を作製し
た。その際、実験例−Ａ１の表−Ａ１の光導電層につい
て以下のようにした以外は、実験例−Ａ１と同様にして
作製した。
【０２０７】（ｉ）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）へ向かって２ｐｐｍから
０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれぞ
れ変化させ、第２の層領域のシリコン原子に対する第II
Iｂ族元素の含有量を０．２ｐｐｍとした。
【０２０８】（ii）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を２ｐｐｍとし、第２の層領
域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を光
導電層側（支持体側）から表面層側（光入射側）へ向か
って０．２ｐｐｍから０．１ｐｐｍへ図５（ａ）〜
（ｇ）に示すようにそれぞれ変化させた。
【０２０９】（iii）第１の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持
体側）から表面層側（光入射側）に向かって２ｐｐｍか
ら０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれ
ぞれ変化させ、その各々に対して第２の層領域のシリコ
ン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を光導電層側
（支持体側）から表面層側（光入射側）に向かって０．
２ｐｐｍから０．１ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示す
ようにそれぞれ変化させた。
【０２１０】作製した個々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様にして評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様
に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の
温度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについ
ても良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２１１】実験例−Ａ７ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、表−Ａ８に示す条件で、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して
光受容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第
２の層領域（波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる膜
厚の層領域）の順で形成し、第IIIｂ族元素を含有する
ガス種としてはＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に対する第
IIIｂ族元素の含有量を調節した。
【０２１２】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス基板（コーニング社
７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電
層の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
ガラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０２１３】表−Ａ８の条件による光受容部材の光導電
層は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２０原子％、１．７
５ｅＶ、５５ｍｅＶであった（光受容部材ｅ）。
【０２１４】次に、表−Ａ８において、ＳｉＨ4ガスと
Ｈ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比率お
よび支持体温度を種々変えることによって、光導電層の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ１０原子％、１．６８ｅ
Ｖ、４７ｍｅＶ（光受容部材ｆ）、１５原子％、１．７
ｅＶ、５０ｍｅＶ（光受容部材ｇ）及び１８原子％、
１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶ（光受容部材ｈ）の種々の光
受容部材を作製した。
【０２１５】上記の光受容部材ｅ〜ｈを実験例−Ａ１と
同様にして評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについて
も良好であることがわかった。また、露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２１６】
【表８】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層厚
【０２１７】実験例−Ａ８ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ７の光受容部材ｅと同様な条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第２の層領域の光吸収率の異なる
種々の光受容部材を作製した。その際、第２の層領域
は、６８０ｎｍの光を４０％、５０％、８０％、９０％
及び９２％吸収できる層厚に変化させた。
【０２１８】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ２と同様にして、帯電能、残留電位、温度特性、メ
モリー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像
特性について評価を行ったところ、実験例−Ａ２と同様
に第２の層領域が６８０ｎｍの光を５０〜９０％吸収で
きる層厚において本発明の効果が得られ、さらに画像特
性においても良好な画像が得られることがわかった。ま
た、露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６
８０ｎｍ）にした場合も同様に良好な結果が得られるこ
とがわかった。
【０２１９】実験例−Ａ９ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ７の光受容部材ｆと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第２の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を６ｐｐｍとし、第２の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐｍ、０．０
３ｐｐｍ、０．１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び５．
５ｐｐｍと変化させた。
【０２２０】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ３と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモ
リー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特
性について評価を行ったところ、実験例−Ａ３と同様に
第２の層領域においてシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量を０．０３〜５ｐｐｍにすることで本発明
の効果が得られ、さらに画像特性においても良好な画像
が得られることがわかった。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２２１】実験例−Ａ１０ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ７の光受容部材ｇと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
２の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を０．１３ｐｐｍとし、第１の層領域のシリコン原
子に対する第IIIｂ族元素の含有量を０．１５ｐｐｍ、
０．２ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ及び
３０ｐｐｍと変化させた。
【０２２２】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ４と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモ
リー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特
性について評価を行ったところ、実験例−Ａ４と同様に
第１の層領域においてシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量を０．２〜２５ｐｐｍにすることで本発明
の効果が得られ、さらに画像特性においても良好な画像
が得られることがわかった。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２２３】実験例−Ａ１１ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ７の光受容部材ｈと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域と第２の層領域との
第IIIb族元素の含有量比が異なる種々の光受容部材を作
製した。その際、第１の層領域のシリコン原子に対する
第IIIｂ族元素の含有量を一定（６ppm）にし、第２の層
領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量に
対する第１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量の割合を１．１、１．２、３、６０、２０
０及び６００と変化させた。
【０２２４】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ５と同様に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特性に
ついて評価を行ったところ、実験例−Ａ５と同様に第２
の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有
量に対する第１の層領域のシリコン原子に対する第III
ｂ族元素の含有量の割合を１．２〜２００にすることで
本発明の効果が得られ、さらに画像特性においても良好
な画像が得られることがわかった。また、露光光源をＬ
ＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２２５】実験例−Ａ１２ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層および表面層を形成して種々の光受容部材を作製し
た。その際、実験例−Ａ７の表−Ａ８の光導電層につい
て以下のようにした以外は、実験例−Ａ７と同様にして
作製した。
【０２２６】（ｉ）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）へ向かって２ｐｐｍから
０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれぞ
れ変化させ、第２の層領域のシリコン原子に対する第II
Iｂ族元素の含有量を０．２ｐｐｍとした。
【０２２７】（ii）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を２ｐｐｍとし、第２の層領
域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を光
導電層側（支持体側）から表面層側（光入射側）へ向か
って０．２ｐｐｍから０．１ｐｐｍへ図５（ａ）〜
（ｇ）に示すようにそれぞれ変化させた。
【０２２８】（iii）第１の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持
体側）から表面層側（光入射側）へ向かって２ｐｐｍか
ら０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれ
ぞれ変化させ、その各々に対して第２の層領域のシリコ
ン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を光導電層側
（支持体側）から表面層側（光入射側）へ向かって０．
２ｐｐｍから０．１ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示す
ようにそれぞれ変化させた。
【０２２９】作製した個々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様にして評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様
に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の
温度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについ
ても良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２３０】実験例−Ａ１３ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、表−Ａ９に示す条件で、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して
光受容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第
２の層領域（波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層
厚領域）の順で形成し、第IIIｂ族元素を含有するガス
種としてはＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に対する第III
ｂ族元素の含有量を調節した。
【０２３１】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス基板（コーニング社
７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電
層の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
ガラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０２３２】表−Ａ９の条件による光受容部材は、Ｃ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ３０原子％、１．８４ｅＶ、
５３ｍｅＶであった（光受容部材ｉ）。
【０２３３】次に、表−Ａ９において、ＳｉＨ4ガスと
Ｈ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比率お
よび支持体温度を種々変えることによって、光導電層の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２５原子％、１．８０ｅ
Ｖ、４７ｍｅＶ（光受容部材ｊ）、３３原子％、１．８
５ｅＶ、５４ｍｅＶ（光受容部材ｋ）及び３５原子％、
１．８７ｅＶ、５５ｍｅＶ（光受容部材ｌ）の種々の光
受容部材を作製した。
【０２３４】上記の光受容部材ｉ〜ｌを実験例−Ａ１と
同様にして評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについて
も良好であることがわかった。また、露光光源をＬＥＤ
に代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合
も同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２３５】
【表９】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層厚
【０２３６】実験例−Ａ１４ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１３の光受容部材ｉと同様な条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、
表面層を形成し、第２の層領域の光吸収率の異なる種々
の光受容部材を作製した。その際、第２の層領域は、６
８０ｎｍの光を４０％、５０％、８０％、９０％及び９
２％吸収できる層厚に変化させた。
【０２３７】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ２と同様にして、帯電能、残留電位、温度特性、メ
モリー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像
特性について評価を行ったところ、実験例−Ａ２と同様
に第２の層領域が６８０ｎｍの光を５０〜９０％吸収で
きる層厚において本発明の効果が得られ、さらに画像特
性においても良好な画像が得られることがわかった。ま
た、露光光源をＬＥＤに代えて半導体レーザー（波長６
８０ｎｍ）にした場合も同様に良好な結果が得られるこ
とがわかった。
【０２３８】実験例−Ａ１５ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１３の光受容部材ｊと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第２の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を６ｐｐｍとし、第２の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を０．０１ｐｐｍ、０．０
３ｐｐｍ、０．１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、５ｐｐｍ及び５．
５ｐｐｍと変化させた。
【０２３９】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ３と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモ
リー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特
性について評価を行ったところ、実験例−Ａ３と同様に
第２の層領域においてシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量を０．０３〜５ｐｐｍにすることで本発明
の効果が得られ、さらに画像特性においても良好な画像
が得られることがわかった。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２４０】実験例−Ａ１６ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１３光受容部材ｋと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域の第IIIb族元素の含
有量の異なる種々の光受容部材を作製した。その際、第
２の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含
有量を０．１３ｐｐｍとし、第１の層領域のシリコン原
子に対する第IIIｂ族元素の含有量を０．１５ｐｐｍ、
０．２ｐｐｍ、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ及び
３０ｐｐｍと変化させた。
【０２４１】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ４と同様にして帯電能、残留電位、温度特性、メモ
リー電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特
性について評価を行ったところ、実験例−Ａ４と同様に
第１の層領域においてシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量を０．２〜２５ｐｐｍにすることで本発明
の効果が得られ、さらに画像特性においても良好な画像
が得られることがわかった。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２４２】実験例−Ａ１７ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実験例−Ａ１３光受容部材ｌと同様の条件
で、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシ
リンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層お
よび表面層を形成し、第１の層領域と第２の層領域との
第IIIb族元素の含有量比が異なる種々の光受容部材を作
製した。その際、第１の層領域のシリコン原子に対する
第IIIｂ族元素の含有量を一定（６ppm）にし、第２の層
領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量に
対する第１の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族
元素の含有量の割合を１．１、１．２、３、６０、２０
０及び６００と変化させた。
【０２４３】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ａ５と同様に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー
電位、感度の温度特性、感度の直線性および画像特性に
ついて評価を行ったところ、実験例−Ａ５と同様に第２
の層領域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有
量に対する第１の層領域のシリコン原子に対する第III
ｂ族元素の含有量の割合を１．２〜２００にすることで
本発明の効果が得られ、さらに画像特性においても良好
な画像が得られることがわかった。また、露光光源をＬ
ＥＤに代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした
場合も同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２４４】実験例−Ａ１８ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導
電層および表面層を形成して光受容部材を作製した。そ
の際、実験例−Ａ１３の表−Ａ９の光導電層について以
下のようにした以外は、実験例−Ａ１３と同様にして作
製した。
【０２４５】（ｉ）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持体
側）から表面層側（光入射側）へ向かって２ｐｐｍから
０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれぞ
れ変化させ、第２の層領域のシリコン原子に対する第II
Iｂ族元素の含有量を０．２ｐｐｍとした。
【０２４６】（ii）第１の層領域のシリコン原子に対す
る第IIIｂ族元素の含有量を２ｐｐｍとし、第２の層領
域のシリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を光
導電層側（支持体側）から表面層側（光入射側）へ向か
って０．２ｐｐｍから０．１ｐｐｍへ図５（ａ）〜
（ｇ）に示すようにそれぞれ変化させた。
【０２４７】（iii）第１の層領域のシリコン原子に対
する第IIIｂ族元素の含有量を電荷注入阻止層側（支持
体側）から表面層側（光入射側）へ向かって２ｐｐｍか
ら０．５ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれ
ぞれ変化させ、その各々に対して第２の層領域のＳｉＨ
4に対するＢ2Ｈ6含有量を光導電層側（支持体側）から
表面層側（光入射側）へ向かって０．２ｐｐｍから０．
１ｐｐｍへ図５（ａ）〜（ｇ）に示すようにそれぞれ変
化させた。
【０２４８】作製した個々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様にして評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様
に帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の
温度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについ
ても良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに
代えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も
同様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２４９】実験例−Ｂ１ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダー（支持体）上に、表−Ｂ１に示す条件で
電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して光受
容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第２の
層領域の順で形成した。
【０２５０】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンブル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス基板（コーニング社
７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電層
の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャッブ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。Ｓｉ
ウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃ
ｈ）を測定した。
【０２５１】表−Ｂ１の条件による光受容部材の第１の
層領域は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２８原子％、
１．８０ｅＶ、５８ｍｅＶであり、第２の層領域は、１
４原子％、１．７２ｅＶ、５３ｍｅＶであった。
【０２５２】次に、第２の層領域において、ＳｉＨ4ガ
ス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガ
ス流量と放電電力との比率および支持体温度を種々変え
ることによって、第２の層領域のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの
異なる種々の光受容部材を作製した。なお、第１及び第
２の層領域の膜厚はそれぞれ２４μｍ及び６μｍに固定
した。
【０２５３】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６６５０を実験用に改造。）にセットし
て、電位特性の評価を行った。
【０２５４】その際、プロセススピ−ド３８０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ ｌｕｘ・
ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μＡの条件において、
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（Ｔ
ＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ ３４４）の電位センサーにより光
受容部材の表面電位を測定し、その値を帯電能とした。
【０２５５】また、光受容部材に内蔵したドラムヒータ
ーにより、温度を室温（約２５℃）から４５℃まで変え
て、上記条件で帯電能を測定し、そのときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を帯電能の温度特性とした。
【０２５６】さらに、室温と４５℃のそれぞれについて
暗電位が４００Ｖとなるように帯電条件を設定し、像露
光光源に６８０ｎｍのＬＥＤを用いてＥ−Ｖ特性（曲
線）を測定して、感度の温度特性および感度の直線性を
評価した。
【０２５７】光メモリーについては、像露光光源に波長
６８０ｎｍのＬＥＤを用い、上述の条件下において同様
の電位センサーによって、非露光状態での表面電位と一
旦露光した後に再度帯電した時との電位差を測定し、そ
の値をメモリー電位とした。
【０２５８】本実験例のＥｕ・Ｅｇと、帯電能・帯電能
の温度特性・光メモリ−・感度の温度特性・感度の直線
性との関係をそれぞれ調べた。図６〜図１０に第２の層
領域についての結果を示す。図中、縦軸の値は、光導電
層（総膜厚３０μｍ）を第１の層領域のみで構成した場
合を１としたときの相対値である。この値が大きくなる
ほど、より改善されていることを示す。
【０２５９】図６〜図１０からも明らかなように、第１
の層領域においてＥｇが１．７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕ
が５５〜６５ｍｅＶ以下、水素原子の含有量（Ｃｈ）が
２０原子％以上３０原子％未満で、かつ第２の層領域に
おいてＥｇが１．７０〜１．８０ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅ
Ｖ以下、Ｃｈが１０原子％以上２５原子％未満の条件に
おいて、帯電能、帯電能の温度特性、光メモリー、感度
の温度特性、感度の直線性ともに良好な特性を得られる
ことがわかった。
【０２６０】
【表１０】
【０２６１】実験例−Ｂ２ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、表−Ｂ２に示す条件で、
電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して光受
容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第２の
層領域の順で形成した。
【０２６２】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス基板（コーニング社
７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電層
の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０２６３】表−Ｂ２の条件による光受容部材の第１の
層領域は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２９原子％、
１．８３ｅＶ、５４ｍｅＶであり、第２の層領域は、Ｃ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ１６原子％、１．７３ｅＶ、
５４ｍｅＶであった。
【０２６４】次に、第２の層領域において、ＳｉＨ4ガ
ス流量、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガ
ス流量と放電電力との比率および支持体温度を種々変え
ることによって、第２の層領域のＥｇ（Ｃｈ）とＥｕの
異なる種々の光受容部材を作製した。そして、作製した
個々の光受容部材について実験例−Ｂ１と同様の電位特
性評価を行い、実験例−Ｂ１と同様にＥｕ・Ｅｇと、帯
電能・帯電能の温度特性・光メモリー・感度の温度特性
・感度の直線性との関係を調べたところ、実験例−Ｂ１
と同様の傾向を示し、第１の層領域においてＥｇが１．
８０〜１．９０ｅＶ、Ｅｕが５５ｍｅＶ以下、水素原子
の含有量（Ｃｈ）が２５原子％以上４０原子％未満で、
かつ第２の層領域においてＥｇが１．７０〜１．８０ｅ
Ｖ、Ｅｕが５５ｍｅＶ以下、Ｃｈが１０原子％以上２５
原子％未満の条件において、帯電能、帯電能の温度特
性、光メモリー、感度の温度特性、感度の直線性ともに
良好な特性を得られることがわかった。
【０２６５】
【表１１】
【０２６６】実験例−Ｂ３ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、表−Ｂ３に示す条件で、
電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して光受
容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第２の
層領域の順で形成した。
【０２６７】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電
層の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
ガラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０２６８】表−Ｂ３の条件による光受容部材の第１の
層領域は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２８原子％、
１．８２ｅＶ、５３ｍｅＶであり、第２の層領域は、Ｃ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ１５原子％、１．７５ｅＶ、
５４ｍｅＶであった。
【０２６９】ここで、光導電層中の第IIIb族元素の含有
量として、像露光のピーク波長光の５０％、６０％、７
０％、８０％、９０％を吸収するに要する表面側からの
層領域での含有量を０．３ｐｐｍとし、その他の層領域
の含有量は均一に１．０ｐｐｍとして、第IIIb族元素の
含有分布の異なる光受容部材を種々作製した。さらに、
これらの光受容部材のそれぞれについて光導電層の全層
厚（３０μｍ）に対する第２の層領域の層厚の比を変化
させた。
【０２７０】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ｂ１と同様の電位特性評価を行った。上記の含有分布
および層厚比と、帯電能・帯電能の温度特性・光メモリ
−・感度の温度特性・感度の直線性との関係をそれぞれ
図１１〜図１５に示す。図中、縦軸の値は、光導電層の
全体に第IIIb族元素１．０ｐｐｍを均一に含有させた場
合を１としたときの相対値である。この値が大きくなる
ほど、より改善されていることを示す。
【０２７１】図１１〜図１５から明らかなように、第２
の層領域における、像露光のピーク波長光を７０％以上
吸収するに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の
含有量が支持体側の第１の層領域より少ない光受容部材
は、層厚比が０．０５〜０．５において、第IIIb族元素
を均一に含有させたものに比べて、帯電能、帯電能の温
度特性、光メモリー、感度の温度特性、及び感度の直線
性の全ての特性レベルが向上することがわかった。
【０２７２】
【表１２】 ＊ ピーク波長光の50、60、70、80、90％を吸収するそれぞれの層領域は０．３ ppm、他は１．０ｐｐｍ ＊＊ 光導電層の全層厚を３０μｍとして、第１の層領域と第２の層領域の層厚 比を変化させた。
【０２７３】実験例−Ｂ４ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、表−Ｂ４に示す条件で、
電荷注入阻止層、光導電層および表面層を形成して光受
容部材を作製した。光導電層は、第１の層領域、第２の
層領域の順で形成した。
【０２７４】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを設置し、ガラス支持体（コーニング
社７０５９）及びＳｉウエハー上にそれぞれ上記光導電
層の形成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。
ガラス支持体上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅ
ｇ）を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。
Ｓｉウエハー上の堆積膜は、ＦＴＩＲにより水素含有量
（Ｃｈ）を測定した。
【０２７５】表−Ｂ４の条件による光受容部材の第１の
層領域は、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ２４原子％、
１．８１ｅＶ、５８ｍｅＶであり、第２の層領域は、Ｃ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕがそれぞれ１４原子％、１．７６ｅＶ、
５３ｍｅＶであった。
【０２７６】ここで、光導電層中の第IIIb族元素の含有
量として、像露光のピーク波長光の５０％、６０％、７
０％、８０％、９０％を吸収するに要する表面側からの
層領域での含有量を０．３ｐｐｍとし、その他の層領域
の含有量を１．０ｐｐｍとして、第IIIb族元素の含有分
布の異なる種々の光受容部材を作製した。さらに、これ
らの光受容部材のそれぞれについて光導電層の全層厚
（３０μｍ）に対する第２の層領域の層厚の比を変化さ
せた。
【０２７７】作製した個々の光受容部材について実験例
−Ｂ１と同様の電位特性評価を行った。上記の含有分布
および層厚比と、帯電能・帯電能の温度特性・光メモリ
ー・感度の温度特性・感度の直線性との関係は、実験例
−Ｂ３と同様の傾向を示した。すなわち、第２の層領域
における、像露光のピーク波長光を７０％以上吸収する
に要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量が
支持体側の第１の層領域より少ない光受容部材は、層厚
比が０．０５〜０．５において、第IIIb族元素を均一に
含有させたものに比べて、帯電能、帯電能の温度特性、
光メモリー、感度の温度特性、及び感度の直線性の全て
の特性レベルが向上することがわかった。
【０２７８】
【表１３】 ＊ ピーク波長光の50、60、70、80、90％を吸収するそれぞれの層領域は０．３ ppm、他の領域は１．０ppm ＊＊ 光導電層の全層厚を３０μｍとして、第１の層領域と第２の層領域の層厚 比を変化させた。
【０２７９】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれらに限定するものではない。
【０２８０】実施例−Ａ１ 図４に示す製造装置を用い、表−Ａ１０に示す条件で、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を有する光受容部材
を作製した。このとき、第IIIｂ族元素を含有するガス
種としてＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に対する第IIIｂ
族元素の含有量を調節した。表−Ａ１０の作製条件によ
る光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２５原子％、
１．８１ｅＶ、５７ｍｅＶであった（光受容部材ａ）。
【０２８１】さらに、表−Ａ１０において、ＳｉＨ4ガ
スとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比
率、及び支持体温度を種々変えることによって、光導電
層のＣｈ・Ｅｇ・Ｅｕが以下の値を有する種々の光受容
部材を作製した。 （ｉ）光導電層のＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが１．
７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６５ｍｅＶの光受容
部材 ｂ）２２原子％・１．８１ｅＶ・６０ｍｅＶ ｃ）１０原子％・１．７５ｅＶ・５５ｍｅＶ ｄ）２８原子％・１．８３ｅＶ・６２ｍｅＶ ｅ）３０原子％・１．８５ｅＶ・６５ｍｅＶ （ii）光導電層のＣｈが１０〜２０原子％、Ｅｇが１．
７５ｅＶ以下、Ｅｕが５５ｍｅＶ以下の光受容部材 ｆ）２０原子％・１．７５ｅＶ・５５ｍｅＶ ｇ）１０原子％・１．６８ｅＶ・４７ｍｅＶ ｈ）１５原子％・１．７０ｅＶ・５０ｍｅＶ ｉ）１９原子％・１．７４ｅＶ・５３ｍｅＶ （iii）光導電層のＣｈが２５〜３５原子％、Ｅｇが
１．８０ｅＶ以上、Ｅｕが５５ｍｅＶ以下の光受容部材 ｊ）３２原子％・１．８５ｅＶ・５３ｍｅＶ ｋ）２５原子％・１．８０ｅＶ・４７ｍｅＶ ｌ）３４原子％・１．８５ｅＶ・５４ｍｅＶ ｍ）３５原子％・１．８７ｅＶ・５５ｍｅＶ 作製した（ａ）〜（ｍ）の光受容部材を実験例−Ａ１と
同様な評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に、帯
電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温度
特性、感度の直線性および画像特性のいずれについても
良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに代え
て半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様
に良好な結果が得られることがわかった。
【０２８２】すなわち本発明は、表面層のシリコン原子
および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態
とした表面層を設けた場合においても、良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
【０２８３】
【表１４】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を８０％吸収できる層厚
【０２８４】実施例−Ａ２ 図４に示す製造装置を用い、表−Ａ１１に示す条件で、
表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を有し、全ての層に
フッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子および窒
素原子を含有する光受容部材を作製した。このとき、第
IIIｂ族元素を含有するガス種としてＢ2Ｈ6を用い、シ
リコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を調節し
た。表−Ａ１１の作製条件による光導電層のＣｈ、Ｅ
ｇ、Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１．８２ｅＶ、５６ｍ
ｅＶであった。
【０２８５】さらに、表−Ａ１１において、ＳｉＨ4ガ
スとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比
率および支持体温度を種々変えることによって、実施例
−Ａ１と同様に、（ｉ）光導電層のＣｈが１０〜３０原
子％、Ｅｇが１．７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６
５ｍｅＶの種々の光受容部材、（ii）光導電層のＣｈが
１０〜２０原子％、Ｅｇが１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが５
５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材、（iii）光導電層の
Ｃｈが２５〜３５原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ以上、Ｅ
ｕが５５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材を作製した。
【０２８６】作製した種々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様な評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に、
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性いずれについても
良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに代え
て半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同様
に良好な結果が得られることがわかった。
【０２８７】すなわち本発明は、表面層のシリコン原子
および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態
とした表面層を設けるとともに、全ての層にフッ素原
子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子を
含有させた表面層を設けた場合においても、良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
【０２８８】
【表１５】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を６０％吸収できる層厚
【０２８９】実施例−Ａ３ 図４に示す製造装置を用い、表−Ａ１２に示す条件で、
表面層を構成する原子として炭素原子の代わりに窒素原
子を表面層に含有させた光受容部材を作製した。このと
き、第IIIｂ族元素を含有するガス種としてＢ2Ｈ6を用
い、シリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量を調
節した。表−Ａ１２の作製条件による光導電層のＣｈ、
Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２８原子％、１．８３ｅＶ、５７
ｍｅＶであった。
【０２９０】さらに、ＳｉＨ4ガスとＨ2ガスとの混合
比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比率および支持体温度
を種々変えることによって、実施例−Ａ１と同様に、
（ｉ）光導電層のＣｈが１０〜３０原子％、Ｅｇが１．
７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６５ｍｅＶの種々の
光受容部材、（ii）光導電層のＣｈが１０〜２０原子
％、Ｅｇが１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが５５ｍｅＶ以下の
種々の光受容部材、（iii）光導電層のＣｈが２５〜３
５原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ以上、Ｅｕが５５ｍｅＶ
以下の種々の光受容部材を作製した。
【０２９１】作製した種々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様な評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に、
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについて
も良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに代
えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２９２】すなわち本発明は、表面層を構成する原子
として炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた表面層
を設けた場合においても、良好な電子写真特性が得られ
ることがわかった。
【０２９３】
【表１６】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層厚
【０２９４】実施例−Ａ４ 図４に示す製造装置を用い、表−Ａ１３に示す条件で、
表面層を構成する原子として窒素原子および酸素原子を
含有させた。このとき、第IIIｂ族元素を含有するガス
種としてＢ2Ｈ6を用い、シリコン原子に対する第IIIｂ
族元素の含有量を調節した。表−Ａ１３の作製条件によ
る光導電層のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２５原子％、
１．８２ｅＶ、５５ｍｅＶであった。
【０２９５】さらに、表−Ａ１３において、ＳｉＨ4ガ
スとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比
率および支持体温度を種々変えることによって、実施例
−Ａ１と同様に、（ｉ）光導電層のＣｈが１０〜３０原
子％、Ｅｇが１．７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６
５ｍｅＶの種々の光受容部材、（ii）光導電層のＣｈが
１０〜２０原子％、Ｅｇが１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが５
５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材、（iii）光導電層の
Ｃｈが２５〜３５原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ以上、Ｅ
ｕが５５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材を作製した。
【０２９６】作製した種々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様な評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に、
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについて
も良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに代
えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様に良好な結果が得られることがわかった。
【０２９７】すなわち、表面層を構成する原子として窒
素原子および酸素原子を含有させた表面層を設けた場合
においても、良好な電子写真特性が得られることがわか
った。
【０２９８】
【表１７】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を９０％吸収できる層厚
【０２９９】実施例−Ａ５ 図４に示す製造装置を用い、表−Ａ１４に示す条件、す
なわち電荷注入阻止層を形成せず、炭素源としてＣＨ3
ガスに代えてＣ2Ｈ2ガスを用いて炭素原子を含有する光
導電層および表面層を形成して光受容層を作製した。こ
のとき、第IIIｂ族元素を含有するガス種としてＢ2Ｈ6
を用い、シリコン原子に対する第IIIｂ族元素の含有量
を調節した。表−Ａ１４の作製条件による光導電層のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕはそれぞれ２２原子％、１．８２ｅＶ、
５５ｍｅＶであった。
【０３００】さらに、表−Ａ１４において、ＳｉＨ4ガ
スとＨ2ガスとの混合比、ＳｉＨ4ガスと放電電力との比
率および支持体温度を種々変えることによって、実施例
−Ａ１と同様に、（ｉ）光導電層のＣｈが１０〜３０原
子％、Ｅｇが１．７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６
５ｍｅＶの種々の光受容部材、（ii）光導電層のＣｈが
１０〜２０原子％、Ｅｇが１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが５
５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材、（iii）光導電層の
Ｃｈが２５〜３５原子％、Ｅｇが１．８０ｅＶ以上、Ｅ
ｕが５５ｍｅＶ以下の種々の光受容部材を作製した。
【０３０１】作製した種々の光受容部材を実験例−Ａ１
と同様な評価を行ったところ、実験例−Ａ１と同様に、
帯電能、残留電位、温度特性、メモリー電位、感度の温
度特性、感度の直線性および画像特性のいずれについて
も良好な結果が得られた。また、露光光源をＬＥＤに代
えて半導体レーザー（波長６８０ｎｍ）にした場合も同
様に良好な結果が得られることがわかった。
【０３０２】すなわち本発明は、電荷注入阻止層を設け
ず、炭素源のＣ2Ｈ2ガスを用いて炭素原子を含有する光
導電層および表面層を形成した場合においても、良好な
電子写真特性を得られることがわかった。
【０３０３】
【表１８】 ＊ 光導電層の層厚３０μｍから第２の層領域の層厚を引いた値 ＊＊ 波長６８０ｎｍの光を７０％吸収できる層厚
【０３０４】実施例−Ｂ１ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。表−
Ｂ５にこのときの光受容部材の作製条件を示した。
【０３０５】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１．８４ｅ
Ｖ、５８ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１９原子％、１．７４ｅＶ、５５ｍｅＶであっ
た。
【０３０６】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域において２．０ｐｐｍの一定の含有量
とし、第２の層領域においては像露光のピーク波長光の
８０％を吸収するに要する表面側からの層領域のみ０．
４ｐｐｍとし他の領域は２．０ｐｐｍの一定の含有量と
した。
【０３０７】作製した光受容部材について実験例−Ｂ１
と同様な評価を行ったところ、帯電能、帯電能の温度特
性、光メモリー、感度の温度特性、感度の直線性のいず
れの特性も良好であった。また、作製した光受容部材を
正帯電して画像評価をしたところ、画像上でも光メモリ
ーは観測されず、その他の画像特性（ポチ、画像流れ）
についても良好な電子写真特性が得られた。
【０３０８】すなわち、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅ
ｕをそれぞれ２０原子％以上３０原子％未満、１．７５
〜１．８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領域
のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子
％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とす
ると共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長
光の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域
の第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくする
ことによって良好な電子写真特性が得られることがわか
った。
【０３０９】
【表１９】 ＊ ピーク波長光の８０％を吸収する層領域は０．４ppm、 他の領域は２．０ppm
【０３１０】実施例−Ｂ２ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、電荷注入阻止層および光導電層の形成時の希
釈ガスを実施例１のＨ2に代えてＨｅを使用し、表面層
については、シリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした。表−Ｂ６に、このと
きの光受容部材の作製条件を示した。
【０３１１】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２２原子％、１．７８ｅ
Ｖ、６１ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１３原子％、１．７２ｅＶ、５５ｍｅＶであっ
た。
【０３１２】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域において４．０ｐｐｍの一定の含有量
とし、第２の層領域においては像露光ピーク波長光の８
０％を吸収するに要する表面側からの層領域のみ０．１
ｐｐｍで他の領域は４．０ｐｐｍの一定の含有量とし
た。
【０３１３】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
な評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ２０原子％以上３０原子％未満、１．７５〜１．
８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％未
満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると
共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光の
７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の第
IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくすること
によって良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０３１４】
【表２０】 ＊ ピーク波長光の８０％を吸収する層領域は０．４ppm、 他の領域は４．０ppm
【０３１５】実施例−Ｂ３ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とするとともに、全て
の層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子お
よび窒素原子を含有させた。表−Ｂ７に、このときの光
受容部材の作製条件を示した。
【０３１６】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２９原子％、１．８４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１５原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶであっ
た。
【０３１７】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の５．０ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに要
する領域の最表面側で０．１ｐｐｍとなるように変化さ
せた。変化の形は図５（ｄ）のように層厚を等分して階
段上に分布含有させた。
【０３１８】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、光導電層中の第IIIb族元素の含有量を
図５（ｄ）のように膜厚を等分して階段状に変化させ、
第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２０原子％
以上３０原子％未満、１．７５〜１．８５ｅＶ、５５〜
６５ｍｅＶとし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．
８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域
における、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸収す
るに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量
を第１の層領域より少なくすることによって良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
【０３１９】
【表２１】
【０３２０】実施例−Ｂ４ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、ＩＲ吸収層、電荷注入阻
止層、光導電層および表面層を形成して光受容部材を作
製した。ＩＲ吸収層は、支持体からの反射光による干渉
模様の発生を防止するための光吸収層として支持体と電
荷注入阻止層との間に設けた。また、表面層について
は、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に
不均一な分布状態とした。表−Ｂ８に、このときの光受
容部材の作製条件を示した。
【０３２１】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２９原子％、１．８３ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１１原子％、１．７１ｅＶ、５３ｍｅＶであっ
た。
【０３２２】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の８．０ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに要
する領域の最表面側で０．１ｐｐｍとなるように変化さ
せた。変化の形は図５（ａ）のように直線的な変化とし
た。
【０３２３】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、光導電層中の第IIIb族元素の含有量を
図５（ａ）のように直線的に変化させ、支持体側にＩＲ
吸収層を設け、且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
をそれぞれ２０原子％以上３０原子％未満、１．７５〜
１．８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％
未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とする
と共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光
の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の
第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくするこ
とによって良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０３２４】
【表２２】
【０３２５】実施例−Ｂ５ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚
方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表−Ｂ
９に、このときの光受容部材の作製条件を示した。
【０３２６】本実施例では、光導電層の第１の光導電領
域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２７原子％、１．８
２ｅＶ、５８ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ１７原子％、１．７６ｅＶ、５４ｍｅＶで
あった。
【０３２７】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の６．０ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の８５％を吸収するに要
する領域の最表面側で０．５ｐｐｍとなるように変化さ
せた。変化の形は図５（ｃ）のように、第１の層領域で
急峻に変化した後に最表面まで緩やかに滑らかな変化と
した。
【０３２８】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｃ）の
ように第１の層領域で急峻に変化した後に最表面まで緩
やかに滑らかに変化させ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、
Ｅｕをそれぞれ２０原子％以上３０原子％未満、１．７
５〜１．８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領
域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原
子％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下と
すると共に、第２の層領域における、像露光のピーク波
長光の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領
域の第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくす
ることによって良好な電子写真特性が得られることがわ
かった。
【０３２９】
【表２３】
【０３３０】実施例−Ｂ６ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層を形成して光受容部材を作製した。表−Ｂ１
０にこのときの光受容部林の作製条件を示した。
【０３３１】本実験例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２７原子％、１．８３ｅ
Ｖ、５６ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ２２原子％、１．７５ｅＶ、５２ｍｅＶであっ
た。
【０３３２】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の３．０ｐｐｍから、第２
の層領域で１ｐｐｍにして、さらに最表面から露光波長
の９０％を吸収するに要する領域で０．３ｐｐｍとなる
ように変化させた。変化の形は図５（ｂ）のように、第
１の層領域で緩やかに変化した後、露光波長の９０％を
吸収するに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑らかな
変化とした。
【０３３３】作製した光受容部林を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｂ）の
ように第１の層領域で緩やかに変化させた後に露光波長
の９０％を吸収するに要する領域で最表面まで急峻にか
つ滑らかに変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ法を用い、且つ、
第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２０原子％
以上３０原子％未満、１．７５〜１．８５ｅＶ、５５〜
６５ｍｅＶとし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．
８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域
における、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸収す
るに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量
を第１の層領域より少なくすることによって良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
【０３３４】
【表２４】
【０３３５】実施例−Ｂ７ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、実施例−Ｂ６のＨ2に代えてＨｅを使用し、
またＳｉＦ4を使用しなかった。また表面層を構成する
原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を含有させた
表面層を設けた。表−Ｂ１１にこのときの光受容部材の
作製条件を示した。
【０３３６】本実施例では、光導電層の第１の光導電領
域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２３原子％、１．８
１ｅＶ、６０ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
は、それぞれ２０原子％、１．７７ｅＶ、５３ｍｅＶで
あった。
【０３３７】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の１０．０ｐｐｍから、第
２の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに
要する領域で１．０ｐｐｍとなるように変化させた。変
化の形は図５（ｅ）のように第１の層領域の支持体側で
一定の部分を持ち、その後直線的に変化した後、露光波
長の９０％を吸収するに要する領域では一定になるよう
な変化とした。
【０３３８】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｅ）の
ように第１の層領域の支持体側で一定の部分を持ち、そ
の後直線的に変化した後、露光波長の９０％を吸収する
に要する領域で一定になるように変化させ、Ｈ2に代え
てＨｅを使用し、表面層を構成する原子として炭素原子
の代わりに窒素原子を含有させた表面層を設け、且つ、
第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２０原子％
以上３０原子％未満、１．７５〜１．８５ｅＶ、５５〜
６５ｍｅＶとし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．
８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域
における、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸収す
るに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量
を第１の層領域より少なくすることによって良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
【０３３９】
【表２５】
【０３４０】実施例−Ｂ８ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、表面層に窒素原子および酸素原子を含有させ
た。表−Ｂ１２にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。
【０３４１】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２４原子％、１．８３ｅ
Ｖ、６０ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１７原子％、１．７４ｅＶ、５２ｍｅＶであっ
た。
【０３４２】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の１．５ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要
する領域で０．２ｐｐｍとなるように変化させた。変化
の形は図５（ｆ）のように途中で勾配が変化する直線状
の変化とした。
【０３４３】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｆ）の
ように途中で勾配が変化する直線状に変化させ、表面層
に窒素原子および酸素原子を含有させた表面層を設け、
且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２０
原子％以上３０原子％未満、１．７５〜１．８５ｅＶ、
５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅ
ｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０
〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の
層領域における、像露光のピーク波長光の７０％以上を
吸収するに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の
含有量を第１の層領域より少なくすることによって良好
な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３４４】
【表２６】
【０３４５】実施例−Ｂ９ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層、中間層および表面層を形成して光受容部材を作製し
た。本実施例では、Ｈ2に代えてＨｅを使用し、また光
導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層よ
り減らした伝導性を制御する原子を含有させた中間層
（上部阻止層）を設けた。表−Ｂ１３にこのときの光受
容部材の作製条件を示した。
【０３４６】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２９原子％、１．８２ｅ
Ｖ、５９ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ２４原子％、１．７８ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３４７】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の８．０ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要
する領域で０．１ｐｐｍとなるように変化させた。変化
の形は図５（ｇ）のように途中で勾配が変化する直線状
の変化とした。
【０３４８】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｇ）の
ように途中で勾配が変化する直線状に変化させ、Ｈ2に
代えてＨｅを使用し、伝導性を制御する原子を含有させ
た中間層（上部阻止層）を設け、且つ、第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２０原子％以上３０原子％
未満、１．７５〜１．８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶと
し、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原
子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５
５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域における、像
露光のピーク波長光の７０％以上を吸収するに要する表
面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量を第１の層領
域より少なくすることによって良好な電子写真特性が得
られることがわかった。
【０３４９】
【表２７】
【０３５０】実施例−Ｂ１０ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、光導電層および表面層を
形成して光受容部材を作製した。本実施例では、電荷注
入阻止層を設けず、炭素源としてＣ2Ｈ2ガスを用いて炭
素原子を含有する第１の層領域、第２の層領域および表
面層を形成した。表−Ｂ１４に、このときの光受容部材
の作製条件を示した。
【０３５１】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２５原子％、１．７８ｅ
Ｖ、５８ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１７原子％、１．７４ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３５２】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の２０ｐｐｍから、第２の
層領域の最表面から露光波長の８５％を吸収するに要す
る領域の最表面で０．３ｐｐｍとなるように変化させ
た。変化の形は直線的に表−Ｂ１４に記載の値を結ぶよ
うに変化させた。
【０３５３】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を多段階の直線
的に変化させ、電荷注入阻止層を設けず、炭素源として
Ｃ2Ｈ2ガスを用いて炭素原子を含有する光導電層および
表面層を形成し、且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅ
ｕをそれぞれ２０原子％以上３０原子％未満、１．７５
〜１．８５ｅＶ、５５〜６５ｍｅＶとし、第２の層領域
のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子
％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とす
ると共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長
光の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域
の第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくする
ことによって良好な電子写真特性が得られることがわか
った。
【０３５４】
【表２８】
【０３５５】実施例−Ｂ１１ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。表−
Ｂ１５にこのときの光受容部材の作製条件を示した。
【０３５６】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３１原子％、１．８６ｅ
Ｖ、５４ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１７原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３５７】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側から２．０ｐｐｍの一定の
含有量とし、第２の層領域においては像露光のピーク波
長光の８０％を吸収するに要する表面側からの層領域の
み０．４ｐｐｍで他の領域は２．０ｐｐｍの一定の含有
量とした。
【０３５８】作製した光受容部材について実験例−Ｂ１
と同様な評価を行ったところ、帯電能、帯電能の温度特
性、光メモリー、感度の温度特性、感度の直線性のいず
れの特性も良好であった。また、作製した光受容部材を
正帯電して画像評価をしたところ、画像上でも光メモリ
ーは観測されず、その他の画像特性（ポチ、画像流れ）
についても良好な電子写真特性が得られた。
【０３５９】すなわち、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅ
ｕをそれぞれ２５原子％以上４０原子％未満、１．８０
〜１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％
未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とする
と共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光
の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の
第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくするこ
とによって良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０３６０】
【表２９】 ＊ピーク波長光の８０％を吸収する層領域が０．４ppm、 他の領域は２．０ppm
【０３６１】実施例−Ｂ１２ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、Ｈ2に代えてＨｅを使用し、表面層のシリコ
ン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分
布状態とした。表−Ｂ１６に、このときの光受容部材の
作製条件を示した。
【０３６２】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２８原子％、１．８４ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１２原子％、１．７２ｅＶ、５３ｍｅＶであっ
た。
【０３６３】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側から６．５ｐｐｍの一定の
含有量とし、第２の層領域においては像露光のピーク波
長光の８０％を吸収するに要する表面側からの層領域の
み０．１ｐｐｍで他の領域は６．５ｐｐｍの一定の含有
量とした。
【０３６４】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
な評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそ
れぞれ２５原子％以上４０原子％未満、１．８０〜１．
９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域のＣｈ、
Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％未満、
１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共
に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光の７
０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の第II
Ib族元素の含有量を第１の層領域より少なくすることに
よって良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３６５】
【表３０】 ＊ピーク波長光の８０％を吸収する層領域は０．１ppm、 他の領域は６．５ppm
【０３６６】実施例−Ｂ１３ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有
量を層厚方向に不均一な分布状態とるとともに、全ての
層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子およ
び窒素原子を含有させた。表−Ｂ１７に、このときの光
受容部材の作製条件を示した。
【０３６７】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３５原子％、１．８６ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１４原子％、１．７３ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３６８】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の８．０ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに要
する領域の最表面側で０．２ｐｐｍとなるように変化さ
せた。変化の形は図５（ｄ）のように膜厚を等分して階
段上に分布含有させた。
【０３６９】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、光導電層中の第IIIb族元素の含有量を
図５（ｄ）のように膜厚を等分して階段状に変化させ、
且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５
原子％以上４０原子％未満、１．８０〜１．９０ｅＶ、
５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
をそれぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜
１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層
領域における、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸
収するに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含
有量を第１の層領域より少なくすることによって良好な
電子写真特性が得られることがわかった。
【０３７０】
【表３１】
【０３７１】実施例−Ｂ１４ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、ＩＲ吸収層、電荷注入阻
止層、光導電層および表面層を形成して光受容部材を作
製した。ＩＲ吸収層は、支持体からの反射光による干渉
模様の発生を防止するための光吸収層として支持体と電
荷注入阻止層との間に設けた。また、表面層について
は、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に
不均一な分布状態とした。表−Ｂ１８に、このときの光
受容部材の作製条件を示した。
【０３７２】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２９原子％、１．８３ｅ
Ｖ、５３ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１１原子％、１．７１ｅＶ、５３ｍｅＶであっ
た。
【０３７３】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の１０．０ｐｐｍから、第
２の層領域の最表面から露光波長の７０％を吸収するに
要する領域の最表面側で０．１５ｐｐｍとなるように変
化させた。変化の形は図５（ａ）のように直線的な変化
とした。
【０３７４】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、光導電層中の第IIIb族元素の含有量を
図５（ａ）のように直線的に変化させ、支持体側にＩＲ
吸収層を設け、且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
をそれぞれ２５原子％以上４０原子％未満、１．８０〜
１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域のＣ
ｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％未
満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると
共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光の
７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の第
IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくすること
によって良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０３７５】
【表３２】
【０３７６】実施例−Ｂ１５ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚
方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表−Ｂ
１９に、このときの光受容部材の作製条件を示した。
【０３７７】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３５原子％、１．８８ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１９原子％、１．７７ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３７８】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の８．５ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の８５％を吸収するに要
する領域の最表面側で０．５ｐｐｍとなるように変化さ
せた。変化の形は図５（ｃ）のように第１の層領域で急
峻に変化した後に最表面まで緩やかに滑らかな変化とし
た。
【０３７９】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｃ）の
ように第１の層領域で急峻に変化した後に最表面まで緩
やかに滑らかに変化させ、且つ、第１の層領域のＣｈ、
Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５原子％以上４０原子％未満、
１．８０〜１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、第２の
層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２
５原子％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以
下とすると共に、第２の層領域における、像露光のピー
ク波長光の７０％以上を吸収するに要する表面側からの
層領域の第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少な
くすることによって良好な電子写真特性が得られること
がわかった。
【０３８０】
【表３３】
【０３８１】実施例−Ｂ１６ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。表−
Ｂ２０にこのときの光受容部材の作製条件を示した。
【０３８２】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１．８２ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１２原子％、１．７１ｅＶ、５１ｍｅＶであっ
た。
【０３８３】光導電層第IIIb族元素の含有量は、第１の
層領域の支持体側の４．０ｐｐｍから、第２の層領域で
２．７ｐｐｍとし、さらに最表面から露光波長の９０％
を吸収するに要する領域で０．２５ｐｐｍとなるように
変化させた。変化の形は図５（ｂ）のように、第１の層
領域で緩やかに変化した後、露光波長の９０％を吸収す
るに要する領域で最表面まで急峻にかつ滑らかな変化と
した。
【０３８４】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｂ）の
ように第１の層領域で緩やかに変化した後に露光波長の
９０％を吸収するに要する領域で最表面まで急峻にかつ
滑らかに変化させ、ＲＦ−ＰＣＶＤ法を用い、且つ、第
１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５原子％以
上４０原子％未満、１．８０〜１．９０ｅＶ、５５ｍｅ
Ｖ以下とし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞ
れ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．８０
ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域にお
ける、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸収するに
要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量を第
１の層領域より少なくすることによって良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
【０３８５】
【表３４】
【０３８６】実施例−Ｂ１７ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、実施例−Ｂ１６のＨ2に代えてＨｅを使用
し、またＳｉＦ4を使用しなかった。また表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を含有さ
せた表面層を設けた。表−Ｂ２１にこのときの光受容部
材の作製条件を示した。
【０３８７】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３３原子％、１．８８ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１８原子％、１．７４ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３８８】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の１２．０ｐｐｍから、第
２の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに
要する領域で０．５ｐｐｍとなるように変化させた。変
化の形は図５（ｅ）のように第１の層領域の支持体側で
一定の部分を持ち、その後直線的に変化した後、露光波
長の９０％を吸収するに要する領域では一定になるよう
な変化とした。
【０３８９】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｅ）の
ように第１の層領域の支持体側で一定の部分を持ち、そ
の後直線的に変化した後、露光波長の９０％を吸収する
に要する領域で一定になるように変化させ、Ｈ2に代え
てＨｅを使用し、表面層を構成する原子として炭素原子
の代わりに窒素原子を含有させた表面層を設け、且つ、
第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５原子％
以上４０原子％未満、１．８０〜１．９０ｅＶ、５５ｍ
ｅＶ以下とし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれ
ぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜１．８
０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層領域に
おける、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸収する
に要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含有量を
第１の層領域より少なくすることによって良好な電子写
真特性が得られることがわかった。
【０３９０】
【表３５】
【０３９１】実施例−Ｂ１８ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層および表面層を形成して光受容部材を作製した。本実
施例では、表面層に窒素原子および酸素原子を含有させ
た。表−Ｂ２２にこのときの光受容部材の作製条件を示
した。
【０３９２】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１．８２ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１２原子％、１．７２ｅＶ、５２ｍｅＶであっ
た。
【０３９３】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の４．５ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要
する領域で０．１ｐｐｍとなるように変化させた。変化
の形は図５（ｆ）のように途中で勾配が変化する直線状
の変化とした。
【０３９４】作製した光受容部林を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｆ）の
ように途中で勾配が変化する直線状に変化させ、表面層
に窒素原子および酸素原子を含有させた表面層を設け、
且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５
原子％以上４０原子％未満、１．８０〜１．９０ｅＶ、
５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕ
をそれぞれ１０原子％以上２５原子％未満、１．７０〜
１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とすると共に、第２の層
領域における、像露光のピーク波長光の７０％以上を吸
収するに要する表面側からの層領域の第IIIb族元素の含
有量を第１の層領域より少なくすることによって良好な
電子写真特性が得られることがわかった。
【０３９５】
【表３６】
【０３９６】実施例−Ｂ１９ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層、中間層および表面層を形成して光受容部材を作製し
た。本実施例では、Ｈ2に代えてＨｅを使用し、また光
導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層よ
り減らした伝導性を制御する原子を含有させた中間層
（上部阻止層）を設けた。表−Ｂ２３にこのときの光受
容部材の作製条件を示した。
【０３９７】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ３８原子％、１．８８ｅ
Ｖ、５５ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ２２原子％、１．７４ｅＶ、５４ｍｅＶであっ
た。
【０３９８】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の９．５ｐｐｍから、第２
の層領域の最表面から露光波長の９０％を吸収するに要
する領域で０．１５ｐｐｍとなるように変化させた。変
化の形は図５（ｇ）のように途中で勾配が変化する直線
状の変化とした。
【０３９９】作製した光受容部林を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を図５（ｇ）の
ように途中で勾配が変化する直線状に変化させ、Ｈ2に
代えてＨｅを使用し、伝導性を制御する原子を含有させ
た中間層（上部阻止層）を設け、且つ、第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ２５原子％以上４０原子％
未満、１．８０〜１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、
第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％
以上２５原子％未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍ
ｅＶ以下とすると共に、第２の層領域における、像露光
のピーク波長光の７０％以上を吸収するに要する表面側
からの層領域の第IIIb族元素の含有量を第１の層領域よ
り少なくすることによって良好な電子写真特性が得られ
ることがわかった。
【０４００】
【表３７】
【０４０１】実施例−Ｂ２０ 図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、光導電層および表面層を
形成して光受容部材を作製した。本実施例では、電荷注
入阻止層を設けず、炭素源としてＣ2Ｈ2ガスを用いて炭
素原子を含有する第１の層領域、第２の層領域および表
面層を形成した。表−Ｂ２４に、このときの光受容部林
の作製条件を示した。
【０４０２】本実施例では、光導電層の第１の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、それぞれ２６原子％、１．８１ｅ
Ｖ、５２ｍｅＶ、第２の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅｕは、
それぞれ１９原子％、１．７５ｅＶ、５５ｍｅＶであっ
た。
【０４０３】光導電層における第IIIb族元素の含有量
は、第１の層領域の支持体側の２２ｐｐｍから、第２の
層領域の最表面から露光波長の８５％を吸収するに要す
る領域の最表面で０．２５ｐｐｍとなるように変化させ
た。変化の形は直線的に表−Ｂ１４に記載の値を結ぶよ
うに変化させた。
【０４０４】作製した光受容部材を実施例−Ｂ１と同様
の評価をしたところ、同様に良好な電子写真特性が得ら
れた。すなわち、第IIIb族元素の含有量を多段階の直線
的に変化させ、電荷注入阻止層を設けず、炭素源として
Ｃ2Ｈ2ガスを用いて炭素原子を含有する光導電層および
表面層を形成し、且つ、第１の層領域のＣｈ、Ｅｇ、Ｅ
ｕをそれぞれ２５原子％以上４０原子％未満、１．８０
〜１．９０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とし、第２の層領域の
Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕをそれぞれ１０原子％以上２５原子％
未満、１．７０〜１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ以下とする
と共に、第２の層領域における、像露光のピーク波長光
の７０％以上を吸収するに要する表面側からの層領域の
第IIIb族元素の含有量を第１の層領域より少なくするこ
とによって良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０４０５】
【表３８】
【０４０６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の電子写真用光受容部材を前述の特定の構成としたこと
によって、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受
容部材における諸問題を解決することができ、極めて優
れた電気的・光学的・光導電的特性、使用環境特性、画
像特性、及び耐久性を得ることができる。
【０４０７】特に、感度の温度特性および感度の直線
性、ならびに帯電能の温度特性が飛躍的に改善されると
ともに、残留電位がほとんど観測されず、光メモリーの
発生を実質的になくすことができる。そのため、光受容
部材の温度等の使用環境に対する安定性が向上し、ハー
フトーンが鮮明で且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して得ることができる。
【０４０８】また、特に、デジタル化のために半導体レ
ーザーやＬＥＤを露光光源に用いる場合において、光導
電層の光電変換に関わる光入射部について、光を一定量
吸収する領域とその他の領域との役割を考慮しながら、
水素または／及びハロゲン含有量、光学的バンドギャッ
プ、及び光吸収スペクトルの指数関数裾から得られる特
性エネルギーの分布と、伝導性を制御する物質である周
期律表第IIIb族に属する元素の分布とを関連させながら
制御することによって、感度の温度特性および感度の直
線性が優れ、さらに帯電能が高く、且つ周囲環境の変動
に対する表面電位の変化が抑制（特に帯電能の温度特性
が改善）された、極めて優れた電位特性および画像特性
を有する光受容部材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真用光受容部材の層構成の模式
的説明図である。
【図２】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのアモルファスシリコンのサブバンドギャ
ップ光吸収スペクトルの一例を示す説明図である。
【図３】本発明における感度の温度特性および感度の直
線性を説明するためのアモルファスシリコン感光体の露
光量−表面電位曲線の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の電子写真用光受容部材の製造装置の一
例であり、ＲＦ帯の高周波電源を用いた高周波プラズマ
ＣＶＤ法による光受容部材の製造装置の模式的構成図で
ある。
【図５】本発明の電子写真用光受容部材の光導電層にお
ける周期律表第IIIb族元素の分布状態の模式的説明図で
ある。
【図６】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第２の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）及び
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と帯電能との関係
を示す図である。
【図７】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第２の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）及び
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と帯電能の温度特
性との関係を示す図である。
【図８】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第２の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）及び
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と光メモリーとの
関係を示す図である。
【図９】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第２の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）及び
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と感度の温度特性
との関係を示す図である。
【図１０】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の光学的バンドギャップ（Ｅｇ）及
び指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と感度の直線性
との関係を示す図である。
【図１１】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の層厚と、光吸収率による周期律表
第IIIb族元素の含有量制御範囲と、帯電能との関係を示
す図である。
【図１２】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の層厚と、光吸収率による周期律表
第IIIb族元素の含有量制御範囲と、帯電能の温度特性と
の関係を示す図である。
【図１３】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の層厚と、光吸収率による周期律表
第IIIb族元素の含有量制御範囲と、光メモリーとの関係
を示す図である。
【図１４】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の層厚と、光吸収率による周期律表
第IIIb族元素の含有量制御範囲と、感度の温度特性との
関係を示す図である。
【図１５】本発明の電子写真用光受容部材における光導
電層の第２の層領域の層厚と、光吸収率による周期律表
第IIIb族元素の含有量制御範囲と、感度の直線性との関
係を示す図である。
【符号の説明】
１０１ 支持体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 表面層 １０５ 電荷注入阻止層 １１０ 自由表面 ４１００ 堆積装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ 円筒状支持体 ４１１３ 支持体加熱用ヒーター ４１１４ 原料ガス導入管 ４１１５ マッチングボックス ４１１６ 原料ガス配管 ４１１７ 反応容器リークバルブ ４１１８ メイン排気バルブ ４１１９ 真空計 ４２００ 原料ガス供給装置 ４２１１〜４２１６ マスフローコントローラー ４２２１〜４２２６ 原料ガスボンベ ４２３１〜４２３６ 原料ガスボンベバルブ ４２４１〜４２４６ ガス流入バルブ ４２５１〜４２５６ ガス流出バルブ ４２６１〜４２６６ 圧力調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１６ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１６ ３３１ ３３１

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性支持体上に、水素原子または／及
    びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層を少なくとも有する電子写真用光受
    容部材において、該光導電層は、水素原子または／及び
    ハロゲン原子の含有量が１０〜３０原子％、光学的バン
    ドギャップが１．７５〜１．８５ｅＶ、光吸収スペクト
    ルの指数関数裾から得られる特性エネルギーが５５〜６
    ５ｍｅＶであって、該光導電層に入射する光を一定量吸
    収する第２の層領域を表面側に、その他の第１の層領域
    を支持体側に有し、第２の層領域の周期律表第IIIb族元
    素の含有量が第１の層領域よりも少ないことを特徴とす
    る電子写真用光受容部材。
  2. 【請求項２】 導電性支持体上に、水素原子または／及
    びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層を少なくとも有する電子写真用光受
    容部材において、該光導電層は、水素原子または／及び
    ハロゲン原子の含有量が１０〜２０原子％、光学的バン
    ドギャップが１．７５ｅＶ以下、光吸収スペクトルの指
    数関数裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ以下
    であって、該光導電層に入射する光を一定量吸収する第
    ２の層領域を表面側に、その他の第１の層領域を支持体
    側に有し、第２の層領域の周期律表第IIIb族元素の含有
    量が第１の層領域よりも少ないことを特徴とする電子写
    真用光受容部材。
  3. 【請求項３】 導電性支持体上に、水素原子または／及
    びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層を少なくとも有する電子写真用光受
    容部材において、該光導電層は、水素原子または／及び
    ハロゲン原子の含有量が２５〜３５原子％、光学的バン
    ドギャップが１．８０ｅＶ以上、光吸収スペクトルの指
    数関数裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ以下
    であって、該光導電層に入射する光を一定量吸収する第
    ２の層領域を表面側に、その他の第１の層領域を支持体
    側に有し、第２の層領域の周期律表第IIIb族元素の含有
    量が第１の層領域よりも少ないことを特徴とする電子写
    真用光受容部材。
  4. 【請求項４】 第２の層領域が、像露光のピーク波長光
    を５０〜９０％吸収する層領域である請求項１、２又は
    ３記載の電子写真用光受容部材。
  5. 【請求項５】 第２の層領域の周期律表第IIIb族元素の
    含有量に対する、第１の層領域の周期律表第IIIb族元素
    の含有量の比が１．２〜２００である請求項１〜４のい
    ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
  6. 【請求項６】 第２の層領域の周期律表第IIIb族元素の
    含有量がシリコン原子に対して０．０３〜５ｐｐｍであ
    る請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真用光受
    容部材。
  7. 【請求項７】 第１の層領域の周期律表第IIIb族元素の
    含有量がシリコン原子に対して０．２〜２５ｐｐｍであ
    る請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真用光受
    容部材。
  8. 【請求項８】 導電性支持体上に、水素原子または／及
    びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層を少なくとも有する電子写真用光受
    容部材において、水素原子または／及びハロゲン原子の
    含有量が２０〜３０原子％、光学的バンドギャップが
    １．７５〜１．８５ｅＶ、光吸収スペクトルの指数関数
    裾から得られる特性エネルギーが５５〜６５ｍｅＶであ
    る支持体側の第１の層領域と、水素原子または／及びハ
    ロゲン原子の含有量が１０〜２５原子％、光学的バンド
    ギャップが１．７０〜１．８０ｅＶ、光吸収スペクトル
    の指数関数裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ
    以下である表面側の第２の層領域を前記光導電層が有
    し、第２の層領域の光学的バンドギャップが第１の層領
    域より小さく、且つ、第２の層領域の周期律表第IIIb族
    元素の含有量が第１の層領域より少ないことを特徴とす
    る電子写真用光受容部材。
  9. 【請求項９】 導電性支持体上に、水素原子または／及
    びハロゲン原子と周期律表第IIIb族の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された光導電層を少なくとも有する電子写真用光受
    容部材において、水素原子または／及びハロゲン原子の
    含有量が２５〜４０原子％、光学的バンドギャップが
    １．８０〜１．９０ｅＶ、光吸収スペクトルの指数関数
    裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ以下である
    支持体側の第１の層領域と、水素原子または／及びハロ
    ゲン原子の含有量が１０〜２５原子％、光学的バンドギ
    ャップが１．７０〜１．８０ｅＶ、光吸収スペクトルの
    指数関数裾から得られる特性エネルギーが５５ｍｅＶ以
    下である表面側の第２の層領域を前記光導電層が有し、
    第２の層領域の光学的バンドギャップが第１の層領域よ
    り小さく、且つ、第２の層領域の周期律表第IIIb族元素
    の含有量が第１の層領域より少ないことを特徴とする電
    子写真用光受容部材。
  10. 【請求項１０】 第１の層領域の周期律表第IIIb族元素
    の含有量がシリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍで
    ある請求項８記載の電子写真用光受容部材。
  11. 【請求項１１】 第１の層領域の周期律表第IIIb族元素
    の含有量がシリコン原子に対して０．２〜２５ｐｐｍで
    ある請求項９記載の電子写真用光受容部材。
  12. 【請求項１２】 第２の層領域の周期律表第IIIb族元素
    の含有量がシリコン原子に対して０．０１〜１０ｐｐｍ
    である請求項８〜１１のいずれか１項に記載の電子写真
    用光受容部材。
  13. 【請求項１３】 第２の層領域における、像露光のピー
    ク波長光を７０％以上吸収するに要する表面側からの層
    領域の周期律表第IIIb族元素の含有量が、シリコン原子
    に対して０．０１〜５ｐｐｍである請求項８〜１２のい
    ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
  14. 【請求項１４】 第２の層領域が、像露光のピーク波長
    光を８０〜９５％吸収する層領域である請求項８〜１３
    のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
  15. 【請求項１５】 光導電層の全層厚に対する、第２の層
    領域の層厚の比が０．０５〜０．５である請求項８〜１
    ４のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
  16. 【請求項１６】 光導電層における周期律表第IIIb族元
    素の含有量が、支持体側から表面側へ向かって減少して
    いる請求項１〜１５のいずれかに１項に記載の電子写真
    用光受容部材。
  17. 【請求項１７】 光導電層中に、炭素、酸素、窒素の少
    なくとも一種の元素を含有する請求項１〜１６のいずれ
    か１項に記載の電子写真用光受容部材。
  18. 【請求項１８】 光導電層の厚さが２０〜５０μｍであ
    る請求項１〜１７のいずれか１項に記載の電子写真用光
    受容部材。
  19. 【請求項１９】 炭素、酸素、窒素の少なくとも一種の
    元素を含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
    構成された表面層を有する請求項１〜１８のいずれか１
    項に記載の電子写真用光受容部材。
  20. 【請求項２０】 表面層の厚さが０．０１〜３μｍであ
    る請求項１９記載の電子写真用光受容部材。
  21. 【請求項２１】 水素原子または／及びハロゲン原子
    と、炭素、酸素、窒素の少なくとも一種の元素と、周期
    律表第IIIb族または第Ｖｂ族の少なくとも一種の元素を
    含有しシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成さ
    れた電荷注入阻止層を有し、該電荷注入阻止層上に光導
    電層が設けられた請求項１〜２０のいずれか１項に記載
    の電子写真用光受容部材。
  22. 【請求項２２】 電荷注入阻止層の厚さが０．１〜５μ
    ｍである請求項２１記載の電子写真用光受容部材。
JP8240409A 1996-09-11 1996-09-11 電子写真用光受容部材 Pending JPH1090929A (ja)

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