JPS59143379A - 光導電体およびその製造方法 - Google Patents
光導電体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS59143379A JPS59143379A JP58016508A JP1650883A JPS59143379A JP S59143379 A JPS59143379 A JP S59143379A JP 58016508 A JP58016508 A JP 58016508A JP 1650883 A JP1650883 A JP 1650883A JP S59143379 A JPS59143379 A JP S59143379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- hydrogen
- amorphous hydrogenated
- photoconductor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
２・・−ジ
本発明は、光導電体とくに撮像管ターゲット、固体撮像
装置、電子写真用感光板等のイメージデバイス用の光導
電体薄膜に関するものである。
装置、電子写真用感光板等のイメージデバイス用の光導
電体薄膜に関するものである。
従来例の構成とその問題点
非晶質水素化シリコン膜は、付着強度が大きい。
無公害、感度が高い、硬度が高い、吸収係数が大きい、
大面積化容易等多くの特長をもっている。
大面積化容易等多くの特長をもっている。
このため、太陽電池、撮像装置、電子写真感光板等の応
用に対する研究が近年精力的に行なわれている。しかし
、太陽電池は膜の抵抗を小さくする方向であるのに対し
、撮像装置、電子写真用感光板のイメージデバイスは、
光電変換されたキャリアを各絵素ごとに保持するため、
膜の抵抗は高いほどよい。従来の太陽電池に用いられて
いるグロホ゛ 一放電法によりシラン（ＳｉＨ４）、ジΦラン（Ｂ２Ｈ
６）、フォスフイン（ＰＨ３） を分解して得られる
ｎｉｐ構造の光導電体を、撮像装置、電子写真感光板等
のイメージデバイスに用いると、感度は十分であるが、
解像度は不十分である。これは。
用に対する研究が近年精力的に行なわれている。しかし
、太陽電池は膜の抵抗を小さくする方向であるのに対し
、撮像装置、電子写真用感光板のイメージデバイスは、
光電変換されたキャリアを各絵素ごとに保持するため、
膜の抵抗は高いほどよい。従来の太陽電池に用いられて
いるグロホ゛ 一放電法によりシラン（ＳｉＨ４）、ジΦラン（Ｂ２Ｈ
６）、フォスフイン（ＰＨ３） を分解して得られる
ｎｉｐ構造の光導電体を、撮像装置、電子写真感光板等
のイメージデバイスに用いると、感度は十分であるが、
解像度は不十分である。これは。
枕
ｎ層、ｐ層の比抵轡が小さいこともさることなが３ペー
ジ ら、ｉ層自身の比抵抗が小さいことも原因となっている
。この対策として、ｎ層、ｐ層にメタン等も同時に分解
して高抵抗化する試みや、ｉ層にＢ、、Ｈ６を少量ドー
プして高抵抗化する試みがなされている。
ジ ら、ｉ層自身の比抵抗が小さいことも原因となっている
。この対策として、ｎ層、ｐ層にメタン等も同時に分解
して高抵抗化する試みや、ｉ層にＢ、、Ｈ６を少量ドー
プして高抵抗化する試みがなされている。
一刀、このグロー放電法による非晶質水素化シリコンよ
りも反応性スパッタ法やイオンブレーティング法によシ
作成されたものは、比抵抗が高いことが知られている。
りも反応性スパッタ法やイオンブレーティング法によシ
作成されたものは、比抵抗が高いことが知られている。
このことは、イメージデバイスへの応用に有利と考えら
れる。発明者らの実験によると、たとえば多結晶シリコ
ンをターゲットとして、ＡｒとＨ２の混合気体中で全圧
５×１０ＴＯｒｒ＋ 基板温度２５０’Ｃ，、放電パワ
ー２００Ｗでの反応性スパッタ法によって形成した膜の
暗比抵抗は第１図に示すようになり、水素分圧のかなり
広い範囲で１０１０ΩＣｒｎ以上の比抵抗の非晶質水素
化シリコンが得られている。また、反応性スノくツタ法
は、水素濃度を容易に変化するに適している製造方法で
あると考えられる。
れる。発明者らの実験によると、たとえば多結晶シリコ
ンをターゲットとして、ＡｒとＨ２の混合気体中で全圧
５×１０ＴＯｒｒ＋ 基板温度２５０’Ｃ，、放電パワ
ー２００Ｗでの反応性スパッタ法によって形成した膜の
暗比抵抗は第１図に示すようになり、水素分圧のかなり
広い範囲で１０１０ΩＣｒｎ以上の比抵抗の非晶質水素
化シリコンが得られている。また、反応性スノくツタ法
は、水素濃度を容易に変化するに適している製造方法で
あると考えられる。
一刀、非晶質水素化シリコンは、可視光のみで感度があ
り、この領域で量子効率γが１と仮定しても、０．１１
Ｍ の光電面照度で元電流工βは、約２×１６ｊＯＡ／
、Ａ となり、Ｉ＃／Ｉｄ＞１のＳ／Ｎ比を得るには暗
電流Ｉｄは約１Ｏ−１０Ａ／−以下である必要がある。
り、この領域で量子効率γが１と仮定しても、０．１１
Ｍ の光電面照度で元電流工βは、約２×１６ｊＯＡ／
、Ａ となり、Ｉ＃／Ｉｄ＞１のＳ／Ｎ比を得るには暗
電流Ｉｄは約１Ｏ−１０Ａ／−以下である必要がある。
量子効率γが１を超えるような注入型の光導電膜では応
答がおそくなるので、高速応答の必要なイメージデバイ
スでは素子効率は１以下と考えてよい。
答がおそくなるので、高速応答の必要なイメージデバイ
スでは素子効率は１以下と考えてよい。
反応性スパック法により形成した非晶質水素化シリコン
のＶ−Ｉ特性を第２図に示す。１，３はＰＨ２／ｆＰＨ
２＋ｐＡｒ）−、ｏ、４．２，４はＰＨ２／（ＰＨ２＋
ＰＡｒ）＝０．０４の水素分圧で形成した場合を示す。
のＶ−Ｉ特性を第２図に示す。１，３はＰＨ２／ｆＰＨ
２＋ｐＡｒ）−、ｏ、４．２，４はＰＨ２／（ＰＨ２＋
ＰＡｒ）＝０．０４の水素分圧で形成した場合を示す。
水素分圧が低い場合、Ｉｄは多いが低印加電圧から感度
がある。水素分圧が高い場合、Ｉｄは小さいが印加電圧
を高くしないと感度が大きくならない。
がある。水素分圧が高い場合、Ｉｄは小さいが印加電圧
を高くしないと感度が大きくならない。
したがって、低電圧で光感度が高く、低暗電流の膜を得
るには、水素分圧の低い膜の少なくとも一刀を阻止形の
構成にして暗電流低下をはかればよいことが推察される
。以上のようなグロー放電法によるｎｉｐ構造、スパッ
タ法によるｉ層の実験６ページ から約１０１０Ωｃｍ以下の比抵抗層がキャリア走行中
に存在すると解像度の劣化が認められた。
るには、水素分圧の低い膜の少なくとも一刀を阻止形の
構成にして暗電流低下をはかればよいことが推察される
。以上のようなグロー放電法によるｎｉｐ構造、スパッ
タ法によるｉ層の実験６ページ から約１０１０Ωｃｍ以下の比抵抗層がキャリア走行中
に存在すると解像度の劣化が認められた。
水素濃度を増加させる製造方法としては、（１）水素分
圧を増加させる、（２）放電電力を減少させる。
圧を増加させる、（２）放電電力を減少させる。
（３）基板温度を低下させる等の方法が考えられる。
このうち、基板温度を低下させると高温処理に耐えられ
なくなり、膜質も低下する。水素分圧を増加させる方法
は、下地と相互作用しやすく、たとえば透明電極となる
Ｉｎ２Ｏ５等は多量の水素によりダメージをうける。ま
た、水素分圧を変化させるとき、圧力が安定するまで時
間がかかり制御が困難であることが判明した。
なくなり、膜質も低下する。水素分圧を増加させる方法
は、下地と相互作用しやすく、たとえば透明電極となる
Ｉｎ２Ｏ５等は多量の水素によりダメージをうける。ま
た、水素分圧を変化させるとき、圧力が安定するまで時
間がかかり制御が困難であることが判明した。
なお、水素量を変化させる光導電体としては、特開昭５
６−１４６１４２号公報および特開昭５６−１５０７５
２号公報に開示されているが。
６−１４６１４２号公報および特開昭５６−１５０７５
２号公報に開示されているが。
これらは製造途中で禁止帯幅の小さい１０９ｃｍ以下の
層をつくり長波長感度をのばすということを記載してい
る。
層をつくり長波長感度をのばすということを記載してい
る。
発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点を解消する６ページ
もので、応答が速く、解像度が高く、感度の高い非晶質
水素化シリコン光導電体およびその製造方法に関するも
のである。
水素化シリコン光導電体およびその製造方法に関するも
のである。
発明の構成
本発明は解像度劣化のないように、水素含有量の異なる
比抵抗１ｏ１０Ωｃｍ以上の２層以上の非晶質水素化シ
リコンからなる。しかもこの非晶質水素化シリコンの少
なくとも一方の界面において水量含有量大なる禁止帯幅
の広い層を設けることにより、キャリアの注入阻止帯を
形成し、低暗電流化をはかるものである。そして本発明
の光導電体の製造方法としては、ドーピングなしでも比
抵抗１ｏ１０ΩｃｒｒＬ以上の非晶質水素化シリコンが
容易に得られ、水素量の制御が容易な反応性スパッタ法
がもっともよい、しかも、この水素量の変化させる方法
として放電電力の変化させる方法を用いることにより、
本発明の良質の光導電体を実現しうる。
比抵抗１ｏ１０Ωｃｍ以上の２層以上の非晶質水素化シ
リコンからなる。しかもこの非晶質水素化シリコンの少
なくとも一方の界面において水量含有量大なる禁止帯幅
の広い層を設けることにより、キャリアの注入阻止帯を
形成し、低暗電流化をはかるものである。そして本発明
の光導電体の製造方法としては、ドーピングなしでも比
抵抗１ｏ１０ΩｃｒｒＬ以上の非晶質水素化シリコンが
容易に得られ、水素量の制御が容易な反応性スパッタ法
がもっともよい、しかも、この水素量の変化させる方法
として放電電力の変化させる方法を用いることにより、
本発明の良質の光導電体を実現しうる。
実施例の説明
第３図体）は本発明の第１の実施例における光導７ペー
ジ 型素子の要部断面図である。スパッタ法によりＭｏ膜１
２を単結晶Ｓｔウェートー１１上に形成する。こうして
形成した基板をマグネトロンスパッタ装置中に設置し、
２ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒに排気した後、基板を２
６０℃に保ち、多結晶シリコンをターゲットとしアルゴ
ン圧力４．５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ 。
ジ 型素子の要部断面図である。スパッタ法によりＭｏ膜１
２を単結晶Ｓｔウェートー１１上に形成する。こうして
形成した基板をマグネトロンスパッタ装置中に設置し、
２ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒに排気した後、基板を２
６０℃に保ち、多結晶シリコンをターゲットとしアルゴ
ン圧力４．５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ 。
水素圧力５×１０−’Ｔｏｒｒの雰囲気で１００Ｗの放
電電力により、６０分で水素量の多い厚さ０．２〜０．
３μｍの非晶質水素化シリコン層１３を形成し、連続し
て放電電力２００Ｗに変化させて９Ｏ分で１．５〜１．
８μｍの水素量の少ない非晶質水素化シリコン１４を形
成し、次にＩｎ２Ｏ３１５をスパッタ法で約１０００人
形成する。この非晶質水素化シリコン層１３．１４はい
ずれも１０１００ｃｍ以上の比抵抗を有する。この透明
電極１５を負極性。
電電力により、６０分で水素量の多い厚さ０．２〜０．
３μｍの非晶質水素化シリコン層１３を形成し、連続し
て放電電力２００Ｗに変化させて９Ｏ分で１．５〜１．
８μｍの水素量の少ない非晶質水素化シリコン１４を形
成し、次にＩｎ２Ｏ３１５をスパッタ法で約１０００人
形成する。この非晶質水素化シリコン層１３．１４はい
ずれも１０１００ｃｍ以上の比抵抗を有する。この透明
電極１５を負極性。
ＭＯ膜を正極性にして電圧を印加したときの暗電流を第
４図２１に示し、これに波長４３５ｎｍの元（０，５μ
Ｗ／ｃＡ ）を照射したときの光電流を２２に示す。
４図２１に示し、これに波長４３５ｎｍの元（０，５μ
Ｗ／ｃＡ ）を照射したときの光電流を２２に示す。
比較のため、第３図０））の断面図のように、水素量の
多い層１３のない場合の暗電流、光電流全３３．３４に
示す。両者を比較すると暗電流がほぼ同程度にもかかわ
らず、第３図体）の本発明の構造の方が低電圧での光電
流が増加し、第３図（ａ）に示す水素量の多い層１３を
形成する効果は明らかである。これは、水素量の多い層
１３は、１層１４に対して禁止帯幅の広いｎ層の働きを
しており、ｉ層のバンドの曲りをキャリアの走行しやす
い内部電界が形成する方向に変化させるものと推測され
る。
多い層１３のない場合の暗電流、光電流全３３．３４に
示す。両者を比較すると暗電流がほぼ同程度にもかかわ
らず、第３図体）の本発明の構造の方が低電圧での光電
流が増加し、第３図（ａ）に示す水素量の多い層１３を
形成する効果は明らかである。これは、水素量の多い層
１３は、１層１４に対して禁止帯幅の広いｎ層の働きを
しており、ｉ層のバンドの曲りをキャリアの走行しやす
い内部電界が形成する方向に変化させるものと推測され
る。
次に本発明の第２の実施例を示す。第１層目をＡｒ圧力
４．ＯＸ １０７３Ｔｏｒｒ 、 Ｈ２圧力１ 、ＯＸ
１Ｏ−３Ｔｏｒｒ とする以外は実施例１と同一条
件で膜形成を行なう。この第２の実施例においては、第
１層目の刀が２層目より放電電力が小、水素分圧が犬と
同時に２つのパラメータを動かし、水素含有量を変化さ
せている。この場合の、赤色光（６００ｎ ｍ ＋ ２
μｍ ／ ｃｉｉ、 ）に対する光電流は、第１の実施
例に比較して光電流の飽和特性がすぐれている。
４．ＯＸ １０７３Ｔｏｒｒ 、 Ｈ２圧力１ 、ＯＸ
１Ｏ−３Ｔｏｒｒ とする以外は実施例１と同一条
件で膜形成を行なう。この第２の実施例においては、第
１層目の刀が２層目より放電電力が小、水素分圧が犬と
同時に２つのパラメータを動かし、水素含有量を変化さ
せている。この場合の、赤色光（６００ｎ ｍ ＋ ２
μｍ ／ ｃｉｉ、 ）に対する光電流は、第１の実施
例に比較して光電流の飽和特性がすぐれている。
これはＭＯ膜、１２との界面が改善されているもの９ペ
ージ と推測される。
ージ と推測される。
さらに暗電流を減少させるだめの本発明の第３の実施例
を次に述べる。第５図（ａ）の断面図に示すように第２
の実施例における層１４の形成の後、アルゴン圧力４
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 、水素圧力ｌＸ１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒ、ジボラｙ（Ｂ２Ｈ６）、圧力Ｉ Ｘ １０−５Ｔ
ｏｒｒとし、２００Ｗの放電電力のまま水素量を増加し
かつホウ素をドープした非晶質シリコン１６を０．１μ
ｍの厚さで形成し、その後透明電極１５を形成する。実
施例１と同じ条件で測定したこの素子の光電流、暗電流
をそれぞれ第６図３６ 、３５に示す。比較のため本実
施例の層１６の代りに、ジボランヲヤ導入せず、他は層
１６と同一条件で非ドープの水素量の多い層１７を形成
した第５図（ｂ）の場合の光電流、暗電流を３８．３７
に示す。
を次に述べる。第５図（ａ）の断面図に示すように第２
の実施例における層１４の形成の後、アルゴン圧力４
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 、水素圧力ｌＸ１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒ、ジボラｙ（Ｂ２Ｈ６）、圧力Ｉ Ｘ １０−５Ｔ
ｏｒｒとし、２００Ｗの放電電力のまま水素量を増加し
かつホウ素をドープした非晶質シリコン１６を０．１μ
ｍの厚さで形成し、その後透明電極１５を形成する。実
施例１と同じ条件で測定したこの素子の光電流、暗電流
をそれぞれ第６図３６ 、３５に示す。比較のため本実
施例の層１６の代りに、ジボランヲヤ導入せず、他は層
１６と同一条件で非ドープの水素量の多い層１７を形成
した第５図（ｂ）の場合の光電流、暗電流を３８．３７
に示す。
第５図（ｂ）の構成も本発明の実施例の１つであるが、
実施例１の場合に比較して暗電流は低下するが、耐圧が
悪くなる。第５図体）のようにボロンドープした層１６
にすると暗電流の低下、ｉ層圧の向上と特性がさらに改
善される。表面の水素量の多１０ページ い層の効果は明らかである。
実施例１の場合に比較して暗電流は低下するが、耐圧が
悪くなる。第５図体）のようにボロンドープした層１６
にすると暗電流の低下、ｉ層圧の向上と特性がさらに改
善される。表面の水素量の多１０ページ い層の効果は明らかである。
第７図は本発明を用いた固体撮像装置の一例を示すもの
で、信号走査機能をもつＣＯＤ半導体基板４ｏの上に第
５図体）の構造の光導電膜４１を形成したものである。
で、信号走査機能をもつＣＯＤ半導体基板４ｏの上に第
５図体）の構造の光導電膜４１を形成したものである。
第８図は、第６図に示した構成の固体撮像装置の１絵累
を複数個配列した場合の平面図である。
を複数個配列した場合の平面図である。
これらの図において、Ｐ型Ｓ１基板４２に、ｎ＋型領領
域４３（４３−１、２、３）を形成し）゛イオード領域
とする。４４は、ダイオード領域４３より移された信号
電荷を垂直方向に読み出すための電荷転送段であり、絶
縁層４４を介したゲート電極４５ （４５−１、２、３
）により駆動される。
域４３（４３−１、２、３）を形成し）゛イオード領域
とする。４４は、ダイオード領域４３より移された信号
電荷を垂直方向に読み出すための電荷転送段であり、絶
縁層４４を介したゲート電極４５ （４５−１、２、３
）により駆動される。
膜厚約５０００人のポ１Ｊｓｉで形成されたゲート電極
４６は、信号電荷を垂直方向に転送する転送電極として
作用するとともに、ダイオード領域４３に蓄積された信
号電荷を電荷転送段４４に読み込むためのゲート電極の
作用も兼ねている。
４６は、信号電荷を垂直方向に転送する転送電極として
作用するとともに、ダイオード領域４３に蓄積された信
号電荷を電荷転送段４４に読み込むためのゲート電極の
作用も兼ねている。
４７は、入射光４８により光導電膜４１で発生した信号
電荷を集めるための第一電極であり、ダイ１１ページ オード領域４３と電気的に接続されている。第一電極４
７とゲート電極４６とは、ＰＥＧ等の低融点ガラス層４
６により絶縁されている。１６は。
電荷を集めるための第一電極であり、ダイ１１ページ オード領域４３と電気的に接続されている。第一電極４
７とゲート電極４６とは、ＰＥＧ等の低融点ガラス層４
６により絶縁されている。１６は。
光導電体４１０表面に形成された透明電極であり。
入射４８は、透明電極１６側より入射する。
このような固体撮像装置により解像度を検討したが、十
分に実用に耐える解像度を有することを確めた。
分に実用に耐える解像度を有することを確めた。
次に撮像管とした場合の第５の実施例を述べる。
１００Ｗ、３０分間で第１層目を形成し、次に２００Ｗ
で１２０分で第２層目を形成する。他の条件は実施例１
と同一である。このようにして形成した非晶質水素化シ
リコンの上に電子ビームランディング層として５ｂ２Ｓ
ｘ ｆ １０００人形成し。
で１２０分で第２層目を形成する。他の条件は実施例１
と同一である。このようにして形成した非晶質水素化シ
リコンの上に電子ビームランディング層として５ｂ２Ｓ
ｘ ｆ １０００人形成し。
撮像管ターゲットとする本実施例の主な撮像管特性を表
に示す。
に示す。
これから第１層がない場合に比較して特性がすぐれてい
る。この場合の解像度は、５ｂ２Ｓｓ膜を用いた撮像管
（商品名ビジコン）と同一であり、通常の撮像に十分耐
えうる解像度を有している。
る。この場合の解像度は、５ｂ２Ｓｓ膜を用いた撮像管
（商品名ビジコン）と同一であり、通常の撮像に十分耐
えうる解像度を有している。
なお１本発明は電子写真感光体の阻止型構成の光導電体
への応用も可能である。
への応用も可能である。
発明の効果
以上のように、本発明は、反応性スパッタ法等による高
抵抗非晶質水素化シリコンを用いて、水素の組成大なる
禁止帯幅の広い層により正孔捷たは電子の注入を阻する
構成を用いて高感度で高解像度を有する光導電体を得る
ことができるすぐれた作用効果を発揮することができる
。
抵抗非晶質水素化シリコンを用いて、水素の組成大なる
禁止帯幅の広い層により正孔捷たは電子の注入を阻する
構成を用いて高感度で高解像度を有する光導電体を得る
ことができるすぐれた作用効果を発揮することができる
。
１３ページ
第１図は反応性スパッタ法による非晶質水素化シリコン
の比抵抗の水素分圧依存性を示す図、第２図は同シリコ
ンの光電流、暗電流の印加電圧依存性を示す図、第３図
（ａ）は本発明の第１の実施例の光導電体の断面図、同
（ｂ）は比較例の断面図、第４図は本発明の第１の実施
例のＶ−Ｉ特性図、第６図（ａ） 、 （ｂ）は本発明
の第３の実施例の光導電体の断面図、第６図は第３の実
施例のＶ−４特性図。 毒鼻 第７，８図は本発明の第２の実施例を応用した固体撮像
装置の断面図、平面図である。 １１．４０・・・・・・基板、１３．１４．１６．１７
・・・・・・非晶質水素化シリコン層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｙＦ−，９−＋Ｎ Ｆ’ｔ’ｘ／ｐＨ，＋Ｆｋ第６図 ′らｐノロ噌ヒλＥ（ｖ） 第８図 ４ ５−１ ４３−２〜
の比抵抗の水素分圧依存性を示す図、第２図は同シリコ
ンの光電流、暗電流の印加電圧依存性を示す図、第３図
（ａ）は本発明の第１の実施例の光導電体の断面図、同
（ｂ）は比較例の断面図、第４図は本発明の第１の実施
例のＶ−Ｉ特性図、第６図（ａ） 、 （ｂ）は本発明
の第３の実施例の光導電体の断面図、第６図は第３の実
施例のＶ−４特性図。 毒鼻 第７，８図は本発明の第２の実施例を応用した固体撮像
装置の断面図、平面図である。 １１．４０・・・・・・基板、１３．１４．１６．１７
・・・・・・非晶質水素化シリコン層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｙＦ−，９−＋Ｎ Ｆ’ｔ’ｘ／ｐＨ，＋Ｆｋ第６図 ′らｐノロ噌ヒλＥ（ｖ） 第８図 ４ ５−１ ４３−２〜
Claims (2)
- （１）基板上に形成された非晶質水素化シリコンを主成
分とする比抵抗１ｏ１０ΩｃｒｒＬ以上の第１の層と、
前記第１の層の基板側界面または表面の少なくとも一方
に形成された。前記第１の層より水素含有量の犬なる非
晶質水素化シリコンを主成分とする第２の層とを有する
ことを特徴とする光導電体。 - （２）ターゲットをシリコンを主成分とし、水素を反応
ガスとして含む雰囲気中で反応性スパッタ法により基板
上に非晶質水素化シリコンの第１の層を形成する工程と
、前記第１の層上に前記第１の工程に比較して放電電力
を変えた第２の層を形成する第２の工程とを有すること
を特徴とする光導電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016508A JPS59143379A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光導電体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016508A JPS59143379A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光導電体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143379A true JPS59143379A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11918208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58016508A Pending JPS59143379A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光導電体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143379A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784185A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric converter |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP58016508A patent/JPS59143379A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784185A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric converter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6288435B1 (en) | Continuous amorphous silicon layer sensors using doped poly-silicon back contact | |
| US6300648B1 (en) | Continuous amorphous silicon layer sensors using sealed metal back contact | |
| US4980736A (en) | Electric conversion device | |
| US5053844A (en) | Amorphous silicon photosensor | |
| WO1985002691A1 (fr) | Organe photosensible pour electrophotographie | |
| JP4187328B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPH0652428B2 (ja) | 光導電体 | |
| JPS6211792B2 (ja) | ||
| JPS6322074B2 (ja) | ||
| JP3245962B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH0614560B2 (ja) | フォトセンサ | |
| JP2904370B2 (ja) | フォトダイオード | |
| JPS61224368A (ja) | 半導体装置 | |
| US5115123A (en) | Contact type photoelectric transducer | |
| JPH0766380A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6322465B2 (ja) | ||
| JPS5918685A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH04261070A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3451833B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS6190476A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2782984B2 (ja) | 増幅型光電変換素子 | |
| JPH05145110A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
| JPH0673371B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61232663A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0997919A (ja) | 光導電膜及びその製造方法並びにその膜を用いた光起電力素子 |