JPH1093132A - 光結合装置 - Google Patents

光結合装置

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JPH1093132A
JPH1093132A JP24147796A JP24147796A JPH1093132A JP H1093132 A JPH1093132 A JP H1093132A JP 24147796 A JP24147796 A JP 24147796A JP 24147796 A JP24147796 A JP 24147796A JP H1093132 A JPH1093132 A JP H1093132A
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JP
Japan
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light
coupling device
optical coupling
receiving element
transmitting resin
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JP24147796A
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Akishi Yamaguchi
陽史 山口
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Sharp Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製品の信頼性を低下させることなく、小型、
薄型化を図る。 【解決手段】 一対の発光側メッキ配線30a,30b
および一対の受光側メッキ配線31a,31bが形成さ
れた基板32と、発光側メッキ配線30aに接続された
発光素子33と、受光側メッキ配線31aに接続された
受光素子34と、両素子33,34を透光性樹脂にて一
体的にモールドしてなる透光性樹脂体35と、発光素子
33と受光素子34とを光学的に分離するためにこれら
の間で透光性樹脂体35が切断されて形成される凹み3
6とを備えてなり、凹み36に、発光素子33から受光
素子34へ直接光が入射することを防ぐ遮光体37が設
けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検出物を光によ
り無接点で検出する光結合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の反射型光結合装置を図7〜図9に
示す。第1の従来例として、図7に示すように、発光用
および受光用の一対の金メッキ等のメッキ配線1a,1
b,2a,2bを施した基板3に発光素子4および受光
素子5をダイボンディングし、それぞれ金線6で内部結
線する。次に発光側および受光側に対応する穴7のあい
た基板8を貼り合わせ、穴7の部分へ透光性樹脂9をポ
ッティングにより流し込んで封止する。このとき、基板
8の遮光壁10によって、発光素子4と受光素子5は光
学的に分離される。基板3,8は平面図において長破線
に示すように上下左右に多連となっており、その後ダイ
シングにより切出した1個づつが製品となる。
【0003】第2の従来例を図8に示す。発光用および
受光用の一対の金メッキ等のメッキ配線11a,11
b,12a,12bを施した立体基板13に発光素子4
および受光素子5をダイボンディングし、それぞれ金線
6で内部結線し、発光素子4および受光素子5をダイボ
ンディングした空間にそれぞれ透光性樹脂14をポッテ
ィングにより流し込んで封止する。このとき、基板13
の遮光壁15によって、発光素子4と受光素子5は光学
的に分離される。基板13は平面図において長破線に示
すように上下左右に多連となっており、その後ダイシン
グにより切出した1個づつが製品となる。
【0004】第3の従来例を図9に示す。リード端子1
6a,17aにそれぞれ発光素子4、受光素子5をボン
ディングし、それぞれのリード端子16a,17aに対
向するリード端子16b,17bへ金線6によって結線
する。なお、発光側リード端子の一方の端子16aと受
光側リード端子の一方の端子17bとは接続用フレーム
部18を介して連結されている。これらリード端子16
a,16b,17a,17bはこの状態で隣接する同様
のセクションとタイバーで連結されており、多連になっ
ている。そして、各素子4,5をボンディングおよび金
線6で結線したリードフレームをトランスファ成形によ
り発光側および受光側にそれぞれ独立して透光性樹脂に
よりモールドして発光側および受光側透光性樹脂体1
9,20を形成する。その後、両透光性樹脂体19,2
0の相対する側面と接続用フレーム部18に囲まれた空
間にポッティングにより遮光性樹脂21を流し込む。さ
らにタイバーを切断し、リード端子16a,16b,1
7a,17bをフォーミングして1個づつの製品とな
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1,第2の従来例の
反射型光結合装置では、製品の光学的特性上、受光側お
よび発光側の間に、発光素子から受光素子へ直接光が入
射しないように遮光壁が存在すれば問題はない。しか
し、従来の反射型光結合装置では受発光素子を被覆する
ために液体状の透光性樹脂を流し込む方式をとっている
ため、遮光壁の他に透光性樹脂が流れ出さないよう枠と
なる部材が必要であり、パッケージの小型、薄型化の妨
げとなっている。
【0006】第3の従来例の光結合装置では、パッケー
ジ本体には光学的特性上必要である受光側と発光側の間
にのみ遮光性樹脂があり、小型化を達成できているが、
パッケージ外部へリード端子が突出しており、実装面積
が大きくなってしまう。また、これらリード端子は透光
性樹脂内にインサート成形され固定されているが、透光
性樹脂には通常透光性のエポキシ樹脂を用いている。こ
の樹脂の熱による軟化点は100〜150℃程度である
ため、製品を半田付けする際半田の熱によりパッケージ
温度が上昇し、リード端子にわずかの力が加わった場合
でもリード端子がパッケージに対して相対的に変位し、
内部の金線が断線したり、リード端子がパッケージより
抜ける問題があり、製品の信頼性が低下する。
【0007】また、透過型光結合装置においても、発光
素子および受光素子がそれぞれ別々のリード端子に搭載
されて透光性樹脂によりモールドされているため、半田
付けの際の熱あるいはリード端子の突出によって上記の
小型、薄型化および信頼性について問題が生じる。
【0008】本発明は、上記に鑑み、製品の信頼性を高
め、小型、薄型化を図った光結合装置の提供を目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、発光側配線および受光側配線が形成された基板
と、前記発光側配線に接続された発光素子と、前記受光
側配線に接続された受光素子と、両素子を透光性樹脂に
てモールドしてなる透光性樹脂体と、前記発光素子と受
光素子とを分離するためにこれらの間で前記透光性樹脂
体が切断されて形成される凹みとを備えてなるものであ
る。
【0010】これを反射型光結合装置とした場合、凹み
には、発光素子から受光素子へ直接光が入射することを
防ぐ遮光体が設けられる。さらに、遮光体は透光性樹脂
体よりも高くされ、発光側の透光性樹脂体から凹みを通
過して受光側の透光性樹脂体に入射する光を完全になく
している。
【0011】また、透過型光結合装置とした場合、発光
側および受光側の透光性樹脂体にそれぞれ反射壁が設け
られ、発光素子から発した光が凹みを通過して受光素子
に達するように光路が形成される。
【0012】さらに、発光側から受光側へ透光性樹脂体
を介して光が伝わるのを防ぐために、凹みは基板の一部
まで達するように形成されている。これによって、発光
側と受光側とは完全に分離される。
【0013】そして、上記構造の光結合装置によれば、
配線付の基板を用い、透光性樹脂体をモールド成形し
て、その発光側と受光側の間に凹みを設けた構造のた
め、リード端子が廃止され、基板を直接実装することに
なり、半田耐熱性が得られ、製品の信頼性が低下しな
い。また、基板上にモールドして透光性樹脂体が形成さ
れるため、透光性樹脂体の周囲からは枠となる部材やリ
ード端子がなくなり、小型、薄型化を図ることができ
る。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の反射型光結
合装置を図1〜図3に基づいて説明する。この反射型光
結合装置は、一対の発光側メッキ配線30a,30bお
よび一対の受光側メッキ配線31a,31bが形成され
た基板32と、発光側メッキ配線30aに接続された発
光素子33と、受光側メッキ配線31aに接続された受
光素子34と、両素子33,34を透光性樹脂にて一体
的にモールドしてなる透光性樹脂体35と、発光素子3
3と受光素子34とを光学的に分離するためにこれらの
間で透光性樹脂体35が切断されて形成される凹み36
とを備えてなり、凹み36に、発光素子33から受光素
子34へ直接光が入射することを防ぐ遮光体37が設け
られている。
【0015】基板32は、1枚の絶縁体の長板とされ、
発光側メッキ配線30a,30bおよび受光側メッキ配
線31a,31bの一対の各配線は互いに対向され、基
板32の上面から側面を経て下面に至る電極を兼ねた金
メッキが施されている。また、発光側メッキ配線30
a,30bと受光側メッキ配線31a,31bとは長手
方向に隣り合って1つのセクションを成しており、これ
が一定間隔をおいて配置され、多連になっている。な
お、基板32の幅方向の側面のうちメッキが施された領
域は少し窪んでおり、この光結合装置を回路基板等に半
田付けにより実装したとき、半田が装置よりも外に広が
らないようにしている。
【0016】透光性樹脂体35は、発光素子33および
発光側メッキ配線30a,30bを覆う発光側透光性樹
脂体35aと受光素子34および受光側メッキ配線31
a,31bを覆う受光側透光性樹脂体35bとからな
り、これらの中間に形成された凹み36によって分離さ
れている。
【0017】凹み36は、ダイシングソーによって透光
性樹脂体35を幅方向にわたって切断して凹状に形成し
ており、基板32に対して深さL(≒0.05mm)だ
け食い込んでいる。これによって、透光性樹脂体35は
分断され、発光側と受光側とは完全に分離されることに
なり、発光素子33からの光が透光性樹脂体35の内部
を伝わって受光素子34に達することがなくなる。
【0018】遮光体37は、例えば熱硬化性エポキシ樹
脂といった遮光性樹脂を凹み36に充填して形成された
遮光壁で、発光側透光性樹脂体35aおよび受光側透光
性樹脂体35bの相対する両側面および基板32に囲ま
れている。上面は各透光性樹脂体35よりもわずかにd
(≒0.1mm)だけ高くなっている。さらに幅方向の
側面は、テーパ状になって、透光性樹脂体35よりも外
側に突出している。このように遮光体37を透光性樹脂
体35よりも一回り大きくしておくことによって、発光
側透光性樹脂体35aから凹み36を通過して受光側透
光性樹脂体35bに直接向かう光が遮られる。
【0019】上記構成の光結合装置の製造方法を説明す
る。まず各メッキ配線30a,30b,31a,31b
が施された基板32の一方のメッキ配線30a,31a
に発光素子33および受光素子34をそれぞれダイボン
ディングして搭載し、他方のメッキ配線30b,31b
に金線38で発光素子33および受光素子34をそれぞ
れワイヤボンディングして結線する。
【0020】これをトランスファ成形により透光性のエ
ポキシ樹脂で一体モールドする。この状態では発光側透
光性樹脂体35aと受光側透光性樹脂体35bとはまだ
分離されていない。次に、透光性樹脂体35の発光側と
受光側との中間部分をダイシングにより取り除いて凹み
36を形成し、発光側透光性樹脂体35aと受光側透光
性樹脂体35bとに分離する。このとき、両樹脂体35
a,35bを完全に分離するため、基板32もダイシン
グにより深さLだけ取り除く。
【0021】続いて、遮光性樹脂を用いてインジェクシ
ョン成形により、凹み36に遮光体37を透光性樹脂体
35よりもはみ出すように形成する。最後に基板32ご
とダイシングすることにより、隣接する同様のセクショ
ンを切り離し、1個づつの製品となり、外観検査、特性
検査が行われて出荷される。
【0022】そして、この光結合装置はOA機器等の小
型機器の回路基板に半田リフロー装置により表面実装さ
れ、発光素子33から発した光は遮光体37に遮られて
直接受光素子34に向かうことはなく、前方にある被検
出物に反射された光を受光素子34により検出すること
により、被検出物の有無を無接点で識別する反射型フォ
トインタラプタとして使用される。
【0023】このように、リード端子を廃止し、発光側
と受光側の透光性樹脂体35a,35bの間だけに遮光
体37が存在した構造のため、半田付け時の熱による悪
影響がなくなり、製品の信頼性を低下させることがな
い。しかも、モールド成形された透光性樹脂体35の側
方には、リード端子がなく、また透光性樹脂を流し込む
ときに枠となる基板等も必要なく、パッケージの小型、
薄型化を実現できる。さらに、この小型、薄型化によ
り、樹脂等の使用材料を削減できたり、金型からの取数
増大となって生産効率の向上を図ることができ、コスト
ダウンにもつながる。
【0024】また、凹み36は透光性樹脂をモールドす
るときに形成しているのではなく、ダイシング等によっ
て透光性樹脂体35を切断して形成しているので、金型
の構造が簡単となり、金型の加工に要する費用や時間を
短縮でき、コストダウンを図ることができる。
【0025】ここで、第1の従来例の光結合装置のパッ
ケージの縦、横、高さの外形寸法は、3.4×3.7×
1.3mm、第2の従来例の光結合装置のパッケージの
外形寸法は、2.4×3.2×1.1mm、第3の従来
例の光結合装置のパッケージの外形寸法は、3.6×
2.4×1.3mmであるが、本発明の光結合装置の外
形寸法は、2.1×2.2×1.0mmとなり、大幅に
小型、薄型化を達成できる。
【0026】以上は反射型光結合装置としての実施形態
を説明したが、応用実施形態として透過型光結合装置に
ついて説明する。この光結合装置では、図4に示すよう
に、一対の発光側メッキ配線30a,30bおよび一対
の受光側メッキ配線31a,31bが形成された基板3
2と、発光側メッキ配線30aに接続された発光素子3
3と、受光側メッキ配線31aに接続された受光素子3
4と、両素子33,34を透光性樹脂にて一体的にモー
ルドしてなる透光性樹脂体35と、発光素子33と受光
素子34を分離するためにこれらの間で透光性樹脂体3
5が切断されて形成される凹み36とを備えてなる。こ
こでは、反射型の場合と比べ厚い基板32が用いられ、
発光側および受光側の透光性樹脂体35a,35bにそ
れぞれ反射壁40,41が設けられ、発光素子33から
発した光が発光側の反射壁40で反射して凹み36を通
過し、受光側の反射壁41で反射して受光素子34に達
するように光路Pが形成されている。
【0027】発光側および受光側の透光性樹脂体35
a,35bは、上面の一部が角度θのテーパーをつけた
形状にトランスファ成形時に同時に成形されており、こ
れが反射壁40,41とされる。なお、光が反射しやす
いように、反射壁40,41の外面を遮光性の樹脂やア
ルミニウム等の金属膜で覆っておくとよい。また、反射
壁40,41は、トランスファ成形によらずに成形後に
切断、研削等によって成形してもよい。
【0028】上記構成の光結合装置の製造方法は、図5
に示すように、発光素子33および受光素子34をダイ
ボンドしてからダイシングにより凹み36を形成して発
光側と受光側に分離するまでの工程は反射型光結合装置
の場合と同じである。
【0029】ただし、発光側と受光側との間をダイシン
グにより分離する際、基板32をL′(≧0.5mm)
だけ取り除く。このように、厚い基板32を用いて深く
取り除くことにより、パッケージの高さ方向の外形寸法
を大きくすることなく被検出物の通過路を確保すること
ができる。
【0030】最後に反射型の場合と同様に隣接するセク
ションを切り離し、1個づつの製品となる。したがっ
て、本実施形態の光結合装置においても、上記実施形態
と同じ効果を達成できる。
【0031】そして、この光結合装置はOA機器等の小
型機器の回路基板に半田リフロー装置により表面実装さ
れて、透過型フォトインタラプタとして使用される。す
なわち、発光素子33から発した光は反射壁40により
反射して凹み36を通過する。このとき、凹み36に被
検出物があれば光は遮られて受光素子34に達せず、被
検出物がなければ光は凹み36を通過して、反射壁41
に反射されて受光素子34に向かい、受光素子34によ
り検出され、被検出物の通過の有無を無接点で識別でき
る。
【0032】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、反射型光結合装置において、遮光性樹脂を用いてイ
ンジェクション成形により遮光体を形成する代わりに、
図6に示すように、金属または遮光性樹脂からなる遮光
体42を別体で成形して、凹み36に露出している基板
32上に接着剤を塗布して、この遮光体42を搭載して
固定してもよい。
【0033】また、凹みを形成するとき、ダイシングの
代わりにレーザー光や超高圧の水流を当てて、切断を行
ってもよい。
【0034】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、配線付きの基板を用いてリード端子を廃止して
いるので、基板を直接実装することになり、半田付け時
の熱による透光性樹脂の軟化といった透光性樹脂体への
悪影響がなくなり、製品の信頼性を低下させることがな
い。しかも、発光側および受光側の透光性樹脂体の間に
凹みを設け、凹みには必要に応じて遮光体のみが設けら
れているので、透光性樹脂体の側方よりも外に突出した
リード端子や基板をなくすことができ、小型、薄型化を
実現できる。さらに、この小型、薄型化により、樹脂等
の使用材料を削減できたり、金型からの取数増大となっ
て生産効率の向上を図ることができ、コストダウンにも
つながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の反射型光結合装置を示す
図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は
D−D断面図
【図2】同じくその製造工程図
【図3】同じくその製造工程のフロー図
【図4】透過型光結合装置を示す図であり、(a)は平
面図、(b)は側面図
【図5】同じくその製造工程のフロー図
【図6】他の反射型光結合装置を示す図であり、(a)
は平面図、(b)は側面図
【図7】第1の従来例の反射型光結合装置を示す図であ
り、(a)は平面図、(b)はA−A断面図
【図8】第2の従来例の反射型光結合装置を示す図であ
り、(a)は平面図、(b)はB−B断面図
【図9】第3の従来例の反射型光結合装置を示す図であ
り、(a)は平面図、(b)はC−C断面図
【符号の説明】
30a,30b 発光側メッキ配線 31a,31b 受光側メッキ配線 32 基板 33 発光素子 34 受光素子 35 透光性樹脂体 36 凹み 37 遮光体

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光側配線および受光側配線が形成され
    た基板と、前記発光側配線に接続された発光素子と、前
    記受光側配線に接続された受光素子と、両素子を透光性
    樹脂にてモールドしてなる透光性樹脂体と、前記発光素
    子と受光素子とを分離するためにこれらの間で前記透光
    性樹脂体が切断されて形成される凹みとを備えてなるこ
    とを特徴とする光結合装置。
  2. 【請求項2】 前記凹みに、発光素子から受光素子へ直
    接光が入射することを防ぐ遮光体が設けられたことを特
    徴とする請求項1記載の光結合装置。
  3. 【請求項3】 前記遮光体が透光性樹脂体よりも高くさ
    れたことを特徴とする請求項2記載の光結合装置。
  4. 【請求項4】 発光側および受光側の透光性樹脂体にそ
    れぞれ反射壁が設けられ、発光素子から発した光が凹み
    を通過して受光素子に達するように光路が形成されたこ
    とを特徴とする請求項1記載の光結合装置。
  5. 【請求項5】 前記凹みが基板の一部まで達しているこ
    とを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光
    結合装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368281A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2004071734A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法
US6880981B2 (en) 2001-05-31 2005-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Optical coupling apparatus and method for manufacturing the same
JP2005116670A (ja) * 2003-09-18 2005-04-28 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法
JP2007059657A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2007059658A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2007109851A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
US9673360B2 (en) 2013-12-17 2017-06-06 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6880981B2 (en) 2001-05-31 2005-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Optical coupling apparatus and method for manufacturing the same
JP2002368281A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
JP2004071734A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法
JP2005116670A (ja) * 2003-09-18 2005-04-28 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法
JP2007059657A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2007059658A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2007109851A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Citizen Electronics Co Ltd フォトインタラプタ
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
US9673360B2 (en) 2013-12-17 2017-06-06 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members
US9997680B2 (en) 2013-12-17 2018-06-12 Nichia Corporation Light emitting device having first and second resin layers

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