JPH1096633A - 角速度検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 振動子と基板との間に発生するエアダンピン
グを小さくし、振動子の振動を大きくする。また、励振
手段からのノイズが変位検出手段に漏洩するのを防止す
る。 【解決手段】 基板２２のうち、振動子３３の下側に位
置する部位に多数の連通孔３０を形成する。これによ
り、振動子３３が矢示Ｚ方向に振動したとき、振動子３
３と基板２２との間に存在する気体は各連通孔３０を通
過して基板２２の裏面側に流出するため、エアダンピン
グを小さくできる。また、基板２２に凹陥部２８を設
け、基板２２のうち変位検出電極３７の下側に位置する
部位を絶縁膜２４のみからなる薄肉部２９とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車、カ
メラ等に搭載されるジャイロ等に用いられ、角速度の検
出を行う角速度検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術による角速度検出装置を図１９
および図２０に基づいて説明する。

【０００３】図１９において、１はマイクロマシニング
技術により作製された角速度検出装置である。２は例え
ば高抵抗な単結晶のシリコン材料からなる基板であり、
該基板２のには、図２０に示すように、表面を酸化させ
ることにより絶縁層２Ａが形成されている。

【０００４】３，３は絶縁層２Ａを介して基板２上に設
けられた支持部である。４は基板２の表面から離間した
状態で設けられた振動子を示し、該振動子４は４本の支
持梁５，５，…を介して支持部３に支持され、基板２に
対して平行方向、直交方向に変位可能となっている。ま
た、該振動子４は、例えば長さ寸法が８００μｍ程度、
幅寸法が４００μｍ程度、厚さ寸法が５μｍ程度の薄板
状に形成されている。さらに、図２０に示すように、該
振動子４と基板２との離間距離Ｓは微小であり、例えば
１μｍ程度である。

【０００５】また、前記各支持部３，振動子４，各支持
梁５、例えば、Ｐ，Ｂ，Ｓｂ等の不純物がドーピングさ
れた低抵抗なポリシリコンをエッチング処理することに
より形成されている。

【０００６】６，６，…は振動子４に多数形成されたエ
ッチングホールを示し、該各エッチングホール６は振動
子４の表面側と裏面側との間を貫通するように形成され
ている。

【０００７】ここで、該各エッチングホール６は、角速
度検出装置１を製造するときに、振動子４と基板２との
間に形成した犠牲層をエッチング溶液により確実に除去
するために形成されたものである。

【０００８】即ち、振動子４と基板２との間の離間距離
Ｓを確保するように、振動子４を基板２の表面から微小
間隔だけ浮かした状態で設けるためには、まず、基板２
上に犠牲層を形成し、この犠牲層の上に振動子４を形成
するためのポリシリコンを積層して形成する。次に、前
記ポリシリコンの一部をエッチングにより除去して振動
子４を成形する。そして、振動子４と基板２との間の犠
牲層をエッチング溶液により除去する。このとき、振動
子４と基板２との間の離間距離Ｓは小さく、エッチング
溶液が流れ込みにくいため、振動子４と基板２との間の
犠牲層を所定時間内に確実に除去するのは容易でない。

【０００９】そこで、振動子４に多数のエッチングホー
ル６を形成し、振動子４と基板２との間の犠牲層をエッ
チング溶液により除去するときには、このエッチング液
を該各エッチングホール６を介して振動子４と基板２と
の間に多量に流通させるようにしている。これにより、
振動子４と基板２との間の犠牲層を確実に除去すること
ができる。

【００１０】７，７は振動子４の両側に位置し、絶縁層
２Ａを介して基板２上に設けられた電極支持部であり、
８，８は振動子４を矢示Ｘ方向に振動させる励振手段と
しての励振電極である。該各励振電極８は、振動子４に
くし状に設けられた電極板８Ａ，８Ａ，…と、該各電極
板８Ａと離間した状態で噛合するように前記各電極支持
部７にくし状に設けられた電極板８Ｂ，８Ｂ，…とから
構成されている。また、前記各電極支持部７、電極板８
Ａ，８Ｂは、例えば、Ｐ，Ｂ，Ｓｂ等の不純物がドーピ
ングされた低抵抗なポリシリコンをエッチング処理する
ことにより形成されている。

【００１１】９は振動子４の下側に位置し、該振動子４
に対向するように基板２の表面に設けられた変位検出手
段としての変位検出電極を示し、該変位検出電極９は、
例えば、Ｐ，Ｓｂ等の不純物を基板２の表面に高密度に
ドーピングすることにより導電性を有するように形成さ
れている。そして、該変位検出電極９は、振動子４がコ
リオリ力により矢示Ｚ方向に変位したときに、その変位
量を検出するものである。

【００１２】１０，１０は各電極支持部７上にそれぞれ
固着された励振用の電極パットを示し、該各電極パット
１０は、各電極支持部７に設けられた各電極板８Ｂに電
気的に導通している。そして、各電極パッド１０には各
励振電極８の各電極板８Ｂに振動信号としての励振信号
を印加するための発振回路等（図示せず）が接続されて
いる。

【００１３】１１は支持部３上に固着された検出用の電
極パッド、１２は引出し線１２Ａを介して変位検出電極
９に接続された検出用の電極パッドを示し、該電極パッ
ド１１，１２には、振動子４と変位検出電極９との間の
静電容量の変化を検出するための検出回路等（図示せ
ず）が接続されている。

【００１４】従来技術による角速度検出装置は上述した
ような構成を有するもので、次にその動作について説明
する。

【００１５】前記発振回路から各電極パッド１０を介し
て各励振電極８の各電極板８Ｂに、互いに逆位相の励振
信号を印加すると、振動子４は基板２に対して平行方向
（矢示Ｘ方向）に振動する。この状態で回転軸Ｙ回りの
回転が作用すると、この回転の角速度に対応したコリオ
リ力が発生するため、振動子４が基板２に対して直交方
向（矢示Ｚ方向）に変位する。そして、該振動子４が矢
示Ｚ方向に変位すると、該振動子４と、該振動子４の下
側に設けられた変位検出電極９との離間距離が変化する
ため、該振動子４と変位検出電極９との間の静電容量が
変化する。この静電容量の変化を、電極パッド１１，１
２に接続された検出回路により検出し、当該角速度検出
装置１に作用した角速度を求める。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による角速度検出装置１では、振動子４と基板２
との離間距離Ｓが小さければ小さいほど角速度の検出感
度が向上するため、この離間距離Ｓを例えば１μｍ程度
の微小なものに設定している。

【００１７】しかし、振動子４と基板２の離間距離Ｓを
微小に設定すると、振動子４がコリオリ力により矢示Ｚ
方向に振動するとき、振動子４と基板２との間における
エアダンピング（空気の流動抵抗）が大きくなる。この
ため、振動子４と基板２との間に存在する空気抵抗によ
り振動子４の矢示Ｚ方向の振動が妨げられ、振動子４が
大きく振動変位できないという問題がある。この結果、
角速度が作用しても、振動子４と基板２との間の静電容
量の変化が小さくなり、角速度の検出感度が低下すると
いう問題がある。

【００１８】なお、振動子４には多数のエッチングホー
ル６が形成され、該各エッチングホール６は振動子４を
貫通しているため、振動子４が矢示Ｚ方向に振動したと
き、振動子４と基板２との間に存在する空気の一部は、
該各エッチングホール６を通過して振動子４の表面側に
流出する。従って、該各エッチングホール６によってエ
アダンピングを小さくすることが可能であると考えるこ
とができる。

【００１９】しかし、該各エッチングホール６は振動子
４を形成するときにエッチング溶液を流通させるための
穴であり、穴径が小さいため、該各エッチングホール６
を通過して振動子４の表面側に逃げる空気の量は僅かで
ある。また、振動子４の強度を維持するために、エッチ
ングホール６の穴径を大きくしたり、数を増やしたりす
るのは困難である。この結果、実際には、該各エッチン
グホール６のみでは、振動子４と基板２との間における
エアダンピングを十分に小さくすることができない。

【００２０】一方、上述した従来技術による角速度検出
装置１では、基板２の表面に変位検出電極９を形成し、
コリオリ力により振動子４が矢示Ｚ方向に変位したとき
に、振動子４と基板２との間の静電容量が変化するのを
検出し、角速度を求めるようにしている。

【００２１】しかし、振動子４を矢示Ｘ方向に振動させ
るために、発振回路から各電極パッド１０を介して各励
振電極８の各電極板８Ｂに印加している励振信号が、図
２０中の矢示Ａに示すように、基板２を伝達して変位検
出電極９に漏洩する場合がある。そして、この漏洩した
励振信号が、振動子４と基板２との間の静電容量の変化
を検出する際のノイズとなり、角速度の検出感度を低下
させるという問題がある。

【００２２】なお、基板２は高抵抗な単結晶のシリコン
材料から形成され、各電極支持部７は基板２上に絶縁層
２Ａを介して設けられている。この結果、図２０中の矢
示Ａ方向に漏洩する励振信号の電流は微小である。しか
し、振動子４が矢示Ｚ方向に変位することによる振動子
４と基板２との間の静電容量の変化も微小であるため、
この微小な静電容量の変化を前記検出回路等で増幅して
角速度を検出する場合には、変位検出電極９に微小な漏
洩電流が流れ込むだけでも、それが相対的に無視できな
いノイズとなり、角速度の検出感度を低下させる要因と
なる。

【００２３】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明は、振動子と基板との間における
気体のダンピング（流動抵抗）を小さくすることによ
り、角速度が作用したときに、振動子が基板に対して直
交方向に抵抗なく変位することができるようにした角速
度検出装置を提供することを目的としている。

【００２４】また、本発明は、励振手段等からのノイズ
が基板を介して変位検出手段に漏洩するのを防止できる
ようにした角速度検出装置を提供することを目的として
いる。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項１に係る発明は、基板と、該基板の表面に
固着して設けられた支持部と、基端側が該支持部に設け
られた支持梁と、該基板の表面から離間した状態で前記
支持梁の先端側に支持され前記基板に対して変位可能な
振動子と、該振動子を一定の励振方向に振動させる励振
手段と、該励振手段により前記振動子を励振方向に振動
させた状態で角速度が作用したときに、該角速度に対応
して前記振動子が励振方向と直交する方向に変位するの
を検出する変位検出手段とからなる構成を採用してい
る。

【００２６】そして、請求項１に係る発明の特徴は、基
板のうち、振動子と対向する位置に該基板の表面側と裏
面側との間を連通する連通孔を設け、該連通孔により前
記基板の表面側と裏面側との間で気体を流通させる構成
としたことにある。

【００２７】上記構成より、励振手段により振動子が一
定の励振方向に振動した状態で、角速度が作用したと
き、該振動子はコリオリ力により励振方向と直交する方
向に変位する。ここで、振動子の励振方向が基板に対し
て平行方向の場合には、該振動子はコリオリ力により基
板に対して直交方向に変位する。一方、振動子の励振方
向が基板に対して直交方向の場合には、該振動子はコリ
オリ力により基板に対して平行方向に変位する。

【００２８】上述したいずれの場合であっても、振動子
が基板に対して直交方向に変位するとき、振動子と基板
との間に存在する気体は、前記連通孔を介して基板の表
面側から裏面側に向けて流出する。これにより、振動子
と基板との間における気体のダンピング（流動抵抗）が
小さくなり、振動子が基板に対して直交方向に変位し易
くなる。

【００２９】請求項２に係る発明は、基板のうち、振動
子と対向する部位が薄肉部となるように前記基板の裏面
側に凹陥部を設け、前記薄肉部には該基板の表面側と裏
面側とを連通する連通孔を設け、該連通孔により前記基
板の表面側と裏面側との間で気体を流通させる構成とし
たことにある。

【００３０】上記構成より、基板の薄肉部に連通孔を設
けることによって、連通孔の流入口から流出口までの距
離が短くなる。これにより、基板の表面側から裏面側
（凹陥部内）に向かう空気の流通路が短くなるため、振
動子が基板に対して直交方向に変位したときに、振動子
と基板との間に存在する空気を基板の裏面側に容易に流
出させることができる。

【００３１】請求項３に係る発明は、表面に絶縁膜を有
する基板と、該基板の表面に固着して設けられた支持部
と、基端側が該支持部に設けられた支持梁と、該基板の
表面から離間した状態で前記支持梁の先端側に支持され
前記基板に対して変位可能な振動子と、該振動子を一定
の励振方向に振動させる励振手段と、前記振動子と対向
するように前記基板の表面に設けられ、該励振手段によ
り前記振動子を励振方向に振動させた状態で角速度が作
用したときに、該角速度に対応して前記振動子が励振方
向と直交する方向に変位するのを検出する変位検出手段
とからなる構成を採用している。

【００３２】そして、請求項３に係る発明の特徴は、基
板のうち、振動子と対向する部位が絶縁膜のみからなる
薄肉部となるように基板の裏面側に凹陥部を設け、前記
薄肉部には該基板の表面側と裏面側とを連通する連通孔
を設け、該連通孔により前記基板の表面側と裏面側との
間で気体を流通させる構成としたことにある。

【００３３】上記構成より、励振手段は、例えば発振回
路等によって出力される電気的な振動信号を、静電力等
を利用して機械的振動に変換し、振動子を一定の励振方
向に振動させるものである。また、変位検出手段は、コ
リオリ力により振動子が励振方向と直交する方向に変位
するのを、振動子と変位検出手段との間の静電容量の変
化等として検出し、これに基づいて角速度を求めるもの
である。

【００３４】ここで、振動子の励振方向が基板に対して
平行方向の場合には、変位検出手段は、振動子の下側に
位置して基板の表面に設けられた例えば導電体（電極）
である。この場合、基板のうち変位検出手段が設けられ
た部位の下側は、絶縁膜のみからなる薄肉部となってい
るから、振動子を基板に対して平行方向に振動させるた
めに励振手段から出力される励振信号等が基板側に漏洩
しても、この基板側に漏洩した励振信号等が基板を伝達
して変位検出手段に流れ込むことない。即ち、基板側に
漏洩した励振信号等を前記薄肉部によって遮断すること
ができる。

【００３５】一方、振動子の励振方向が基板に対して直
交方向の場合には、励振手段は振動子の下側に位置して
基板の表面に設けられた例えば導電体（電極）である。
この場合、基板のうち励振手段が設けられた部位の下側
は、絶縁膜のみからなる薄肉部となっているから、励振
手段から出力される励振信号を前記薄肉部によって遮断
することができる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に従って詳述する。

【００３７】ここで、図１ないし図３は本発明の第１の
実施例による角速度検出装置を示している。

【００３８】図１において、２１は本実施例による角速
度検出装置を示す。２２は基板を示し、該基板２２は、
図２に示すように、例えば高抵抗な単結晶のシリコン材
料、ガラス材料等からなる基板本体２３と、該基板本体
２３上に形成された例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）か
らなる絶縁膜２４と、該絶縁膜２４上に形成された高抵
抗なシリコン材料からなるシリコン膜２５とから構成さ
れている。

【００３９】そして、前記シリコン膜２５は、基板２２
のうち、後述する各支持部３１、各電極支持部３５、電
極パッド４０が設けられている部分と、振動子３３の下
側位置にのみ形成され、それ以外の部分は当該角速度検
出装置２１の製造過程でエッチング処理により除去され
ている。また、該シリコン膜２５上には窒化シリコン
（ＳｉＮ）からなる窒化シリコン膜２６が形成されてい
る。

【００４０】さらに、図２に示すように、振動子３３の
下側位置に形成されたシリコン膜２５と、各電極支持部
３５が設けられている部分に形成されたシリコン膜２５
との間には、溝２７，２７が形成され、該溝２７を介し
て各シリコン膜２５は離間している。これにより、振動
子３３の下側位置に形成されたシリコン膜２５を、各電
極支持部３５が設けられている部分に形成されたシリコ
ン膜２５に対して絶縁することができる。従って、振動
子３３の下側に位置するシリコン膜２５に形成された後
述の変位検出電極３７を、振動子を振動させるための励
振信号が印加される各電極支持部３５等に対してから完
全に絶縁することができる。これと同様に、振動子３３
の下側位置に形成されたシリコン膜２５と、各支持部３
１が設けられている部分に形成されたシリコン膜２５と
の間にも、溝２７，２７が形成され、該溝２７を介して
各シリコン膜２５は離間している。

【００４１】２８は基板２２の裏面側に形成された凹陥
部を示し、該凹陥部２８は、変位検出電極３７が設けら
れた部分の下側に位置する基板本体２３を、エッチャン
トとしての水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（Ｔ
ＭＡＨ）等によって除去することにより形成されてい
る。即ち、基板２２のうち、変位検出電極３７が設けら
れた部位の下側は絶縁膜２４のみからなる薄肉部２９と
なっている。

【００４２】３０，３０，…は振動子３３と対向するよ
うに該振動子３３の下側に位置して基板２２の薄肉部２
９に多数設けられた連通孔を示し、該各連通孔３０は、
基板２２の表面側と裏面側との間を連通するように形成
されている。さらに詳しく説明すると、基板２２のうち
振動子３３の下側に位置する部位は、図３に示すように
凹陥部２８が形成され、基板本体２３が除去されてい
る。このため、該各連通孔３０は、基板２２の窒化シリ
コン膜２６、シリコン膜２５および絶縁膜２４を貫通す
ることにより、基板２２の表面側と凹陥部２８内との間
を連通するように形成されている。

【００４３】そして、該各連通孔３０は、基板２２の表
面側と裏面側との間で、図３中の矢示Ｂ方向に空気を流
通させるための穴であり、該各連通孔３０の穴径は、空
気の流通を可能とすると共に、基板２２の強度を保持す
る程度の大きさに設定されている。さらに、該各連通孔
３０は基板２２の薄肉部２９に形成されているため、該
各連通孔３０の流入口から流出口までの距離が短い。

【００４４】３１，３１はシリコン膜２５および窒化シ
リコン膜２６を介して基板２２上に固着して設けられた
支持部を示し、該各支持部３１は振動子３３を挟むよう
に該振動子３３の両側に対向するように配置されてい
る。

【００４５】３２，３２，…は基端側が各支持部３１に
支持され、先端側が振動子３３に向けて基板２２に対し
て平行方向に伸長する４本の支持梁を示し、該各支持梁
３２の先端側には振動子３３が一体形成されている。そ
して、該各支持梁３２は直線の棒状に形成され、後述す
る励振電極３６の各電極板３６Ｂに励振信号が付与され
たときには、該各支持梁３２が僅かに撓み、振動子３３
を振動させるようになっている。

【００４６】３３は基板２２の表面から離間した状態で
前記各支持梁３２の先端側に支持された振動子を示し、
該振動子３３は、例えば長さ寸法が８００μｍ程度、幅
寸法が４００μｍ程度、厚さ寸法が５μｍ程度の薄板状
に形成されている。また、振動子３３と基板２２の表面
（絶縁膜２４の表面）からの離間距離は例えば１μｍ程
度である。なお、振動子３３の長さ寸法、幅寸法、厚さ
寸法および振動子３３と基板２２表面との離間距離は上
記数値に限定するものではない。

【００４７】そして、該振動子３３は、励振電極３６の
各電極板３６Ｂに励振信号が付与されたときには、基板
２２に対して平行方向（矢示Ｘ方向）に振動する。ま
た、該振動子３３が平行方向に振動した状態で、回転軸
Ｙ周りの角速度が作用したときには、該振動子３３はコ
リオリ力により基板２２に対して直交方向（矢示Ｚ方
向）に振動する。

【００４８】また、該振動子３３には多数のエッチング
ホール３４，３４，…が形成されている。該各エッチン
グホール３４は従来技術による振動子４に形成された各
エッチングホール６と同様に、振動子３３の表面側と裏
面側との間を貫通するように形成されている。

【００４９】３５，３５はシリコン膜２５および窒化シ
リコン膜２６を介して基板２２上に固着して設けられた
電極支持部を示し、該各電極支持部３５は振動子３３の
両側に位置して配設されている。

【００５０】３６は振動子３３を基板２２に対して平行
方向（矢示Ｘ方向）に振動させる励振手段としての励振
電極を示し、該励振電極３６は、振動子３３にくし状に
設けられた電極板３６Ａ，３６Ａ，…と、該各電極板３
６Ａと離間した状態で噛合するように前記各電極支持部
３５に設けられた電極板３６Ｂ，３６Ｂ，…とから構成
されている。そして、該励振電極３６に外部に設けられ
た発振回路（図示せず）から、振動信号としての励振信
号を印加することにより、各電極板３６Ａ，３６Ｂ間に
静電力を発生させ、この静電力により振動子３３を矢示
Ｘ方向に振動させる。

【００５１】ここで、前述した各支持部３１、各支持梁
３２、振動子３３、各電極支持部３５、および励振電極
３６の電極板３６Ａ，３６Ｂは、例えばＰ，Ｂ，Ｓｂ等
の不純物がドーピングされた低抵抗なポリシリコンをエ
ッチング処理することにより形成されている。

【００５２】３７は基板２２上のシリコン膜２５に形成
された変位検出手段としての変位検出電極を示し、該変
位検出電極３７は振動子３３に対向するように該振動子
３３の下側位置に配置されている。また、該変位検出電
極３７は、シリコン膜２５に例えばＰ，Ｓｂ等の不純物
をドーピングすることにより導電性を有するように形成
されている。そして、該変位検出電極３７は、振動子３
３がコリオリ力により矢示Ｚ方向に変位したときに、そ
の変位量を振動子３３と変位検出電極３７との間の静電
容量の変化として検出する。

【００５３】３８，３８は各電極支持部３５上にそれぞ
れ固着された励振用の電極パッドを示し、該各電極パッ
ド３８は、例えばＡｕ等の金属材料から形成され、各電
極支持部３５に設けられた各電極板３６Ｂに電気的に導
通している。そして、各電極パッド３８には各励振電極
３６に励振信号を印加するための発振回路等（図示せ
ず）が接続されている。

【００５４】３９は支持部３１上に固着された電極パッ
ド、４０は引出し線４０Ａを介して変位検出電極３７に
接続された検出用の電極パッドを示し、該電極パッド３
９，４０は、前記電極パッド３８と同様に、例えばＡｕ
等の金属材料から形成されている。そして、電極パッド
３９，４０には、振動子３３と変位検出電極３７との間
の静電容量の変化を検出するための検出回路等（図示せ
ず）が接続されている。

【００５５】本実施例による角速度検出装置２１は上述
のような構成を有するものであり、次にその製造方法に
ついて図４ないし図１０を参照しつつ説明する。

【００５６】まず、図４に示す基板加工工程では、単結
晶のシリコン材料からなる基板本体２３の表面を酸化さ
せることにより絶縁膜２４を形成する。そして、該絶縁
膜２４の上に、シリコン材料からなるシリコン膜２５を
形成し、当該角速度検出装置２１の基板２２を形成す
る。

【００５７】次に、図５に示す変位検出電極形成工程で
は、シリコン膜２５の所定位置に例えばＰ，Ｂ，Ｓｂ等
の不純物を拡散させ、変位検出電極３７を形成する。そ
の後、シリコン膜２５上に窒化シリコンからなる窒化シ
リコン膜２６を形成する。

【００５８】次に、図６に示す連通孔形成工程では、窒
化シリコン膜２６上をレジストによりマスクし、ＲＩＥ
（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）により
基板２２の所定位置に連通孔３０，３０，…を形成す
る。このとき、該各連通孔３０は基板２２の表面側から
窒化シリコン膜２６、シリコン膜２５、絶縁膜２４を貫
通し、基板本体２３の途中まで穿設する。さらに、シリ
コン膜２５および窒化シリコン膜２６の一部を、ＲＩＥ
により除去し、溝２７，２７を形成する。その後、各連
通孔３０、各溝２７の内部側面に酸化シリコン膜５１を
形成する。

【００５９】次に、図７に示す犠牲層形成工程では、当
該角速度検出装置２１の完成時に振動子３３を基板２２
の表面から離間した状態で形成するために、基板２２上
のうち、振動子３３、各支持梁３２等が位置する部分
に、リンドープ酸化シリコンからなる犠牲層５２（ＰＳ
Ｇ膜）をＣＶＤ等の手段により形成する。そして、該犠
牲層５２上に酸化シリコン膜５３を着膜形成する。

【００６０】次に、図８に示すポリシリコン膜形成工程
では、基板２２、犠牲層５２上に例えばＰ，Ｂ，Ｓｂ等
がドーピングされたポリシリコン膜５４を形成する。

【００６１】次に、図９に示す振動子形成工程では、ド
ライエッチングまたはウエットエッチングにより該ポリ
シリコン膜５４の一部を除去し、図１に示すように、各
支持部３１、各支持梁３２、振動子３３、各電極支持部
３５、電極板３６Ａ，３６Ｂ等を成形する。その後、ポ
リシリコン膜５４の上面および側面と、シリコン膜２５
の側面と、基板本体２３の裏面に酸化シリコン膜５５を
形成する。さらに、電極支持部３５等を形成するポリシ
リコン膜５４上に形成された酸化シリコン膜５５の一部
を除去し、各電極支持部３５上に電極パッド３８，３８
を形成する。同様に、電極パッド３９，４０を所定の位
置に形成する。

【００６２】次に、図１０に示す凹陥部形成工程では、
基板本体２３の裏面に酸化シリコン膜マスク５６を形成
した後、基板２２の裏面側から基板本体２３の一部を、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）等
によりエッチングする。即ち、変位検出電極３７が形成
された部分の下側に位置する基板本体２３を除去し、基
板２２の裏面側から見て、絶縁膜２４および酸化シリコ
ン膜５１が露出するまでエッチングを行う。これによ
り、基板２２の裏面側に凹陥部２８が形成され、基板２
２のうち変位検出電極３７が形成された下側位置に薄肉
部２９が形成される。そして、犠牲層５２、酸化シリコ
ン膜５１，５３，５５，５６をフッ酸化合物により除去
することにより、図２に示すような角速度検出装置２１
が完成する。

【００６３】次に、本実施例による角速度検出装置２１
の角速度検出動作と基板２２に形成した各連通孔３０の
作用について説明する。

【００６４】発振回路から各電極パッド３８を介して各
励振電極３６の各電極板３６Ｂに、互いに逆位相の励振
信号を印加すると、振動子３３は基板２２に対して矢示
Ｘ方向に振動する。この状態で回転軸Ｙ回りの回転が作
用すると、この回転の角速度に対応したコリオリ力が発
生するため、振動子３３が基板２２に対して矢示Ｚ方向
に振動（変位）する。そして、該振動子３３が矢示Ｚ方
向に振動すると、該振動子３３と、該振動子３３の下側
に設けられた変位検出電極３７との離間距離が変化する
ため、該振動子３３と変位検出電極３７との間の静電容
量が変化する。この静電容量の変化を、電極パッド３
９，４０に接続された検出回路により検出し、当該角速
度検出装置２１に作用した角速度を求める。

【００６５】ここで、図３に示すように、基板２２のう
ち、振動子３３の下側位置には、多数の連通孔３０が形
成されている。これにより、振動子３３がコリオリ力に
より矢示Ｚ方向に振動したとき、該振動子３３と基板２
２との間の隙間に存在する空気が、各連通孔３０を通っ
て、基板２２の裏面側に位置する凹陥部２８内に流出す
る。

【００６６】このように、各連通孔３０が振動子３３と
基板２２との間の空気の逃げ道となるため、振動子３３
が矢示Ｚ方向に振動するときに発生するエアダンピング
（流動抵抗）を大幅に小さくすることができる。これに
より、振動子３３が振動するときに該振動子３３に作用
する空気抵抗が大幅に低減するため、振動子３３を矢示
Ｚ方向に大きく振動させることができる。そして、振動
子３３の矢示Ｚ方向の振動が大きくなると、振動子３３
と変位検出電極３７との間隙の変位量が大きくなり、振
動子３３と変位検出電極３７との間の静電容量の変化量
が大きくなる。

【００６７】さらに、該各連通孔３０は基板２２の薄肉
部２９に形成され、該各連通孔３０の流入口と流出口と
の間の距離は短い。このため、振動子３３と基板２２と
の間の空気が凹陥部２８内に容易に流出する。これによ
り、エアダンピングをより一層小さくすることができ、
振動子３３を矢示Ｚ方向により一層大きく振動させるこ
とができる。

【００６８】次に、本実施例による角速度検出装置２１
に設けられた凹陥部２８、薄肉部２９によって励振信号
の漏洩を防止する点について説明する。

【００６９】振動子３３は、発振回路から出力される励
振信号が印加されることによって矢示Ｘ方向に振動す
る。即ち、発振回路から出力された励振信号は発振回路
から各電極パッド３８、各電極支持部３５を通って各励
振電極３６の各電極板３６Ｂに供給される。このとき、
該励振信号は高周波の交流信号であるため、絶縁体であ
る窒化シリコン膜２６、絶縁膜２４を通過して基板本体
２３側に僅かに漏洩する場合がある。

【００７０】ところが、基板２２の裏面側には凹陥部２
８が形成され、変位検出電極３７の下側に位置する基板
２２は、絶縁膜２４のみからなる薄肉部２９となってい
る。このため、変位検出電極３７は基板本体２３から大
きく離間した状態となっており、該変位検出電極３７
は、その周辺から完全に絶縁されている。

【００７１】これにより、励振信号が基板本体２３側に
漏洩しても、この漏洩した励振信号が変位検出電極３７
に流れ込むことはない。即ち、基板本体２３側に漏洩し
た励振信号は絶縁膜２４のみからなる薄肉部２９によっ
て確実に遮断される。従って、振動子３３と変位検出電
極３７との間の静電容量を検出するに際し、その検出信
号から励振信号によるノイズを確実に除去することがで
きる。

【００７２】また、図３に示すように、各電極支持部３
５と基板２２との間に設けられたシリコン膜２５と、振
動子３３の下側に位置して変位検出電極３７が形成され
たシリコン膜２５とは、溝２７を介して離間しており、
各シリコン膜２５は溝２７によって絶縁されている。こ
れにより、励振信号が各電極支持部３５と基板２２との
間に設けられたシリコン膜２５に漏洩しても、その漏洩
した励振信号が変位検出電極３７の形成されたシリコン
膜２５に伝わり、変位検出電極３７に流入するのを確実
に防止することができる。

【００７３】かくして、本実施例によれば、基板２２の
うち、振動子３３と対向する位置に、多数の連通孔３０
を設ける構成としたから、コリオリ力により振動子３３
が矢示Ｚ方向に振動したときに、振動子３３と基板２２
との間に発生するエアダンピングを小さくすることがで
き、振動子３３を矢示Ｚ方向に大きく振動させることが
できる。従って、角速度が作用したときに、振動子３３
と変位検出電極３７間の静電容量の変化を大きくするこ
とができ、角速度の検出感度を向上させることができ
る。

【００７４】さらに、各連通孔３０を薄肉部２９に形成
し、該各連通孔３０の長さを短くしたから、空気の流通
性を向上させることができる。これにより、エアダンピ
ングをより一層小さくでき、振動子３３の振動をより一
層大きくできる。従って、角速度の検出感度をより一層
向上させることができる。

【００７５】また、基板２２に多数の連通孔３０を設け
る構成としたから、当該角速度検出装置２１の製造時に
おいて下記の効果を奏する。

【００７６】即ち、図９に示す振動子形成工程におい
て、ポリシリコン膜５４に振動子３３、電極支持部３５
等を成形したときや、図１０に示す凹陥部形成工程にお
いて、基板２２に凹陥部２８を形成したときのように、
ウエットエッチングを行った後には、エッチング溶液を
純水により洗浄し、乾燥させる作業を行う。このとき、
純水が残存する場合があり、この残存した純水の表面張
力により振動子３３が基板２２の表面に張り付いてしま
う場合がある。

【００７７】このような場合には、基板２２の裏面側か
ら各連通孔３０を介して基板２２と振動子３３との間に
ガスを送り込むことで、振動子３３を基板２２の表面か
ら剥離させることができる。従って、当該角速度検出装
置２１の歩留を向上させることができる。

【００７８】次に、本発明の第２の実施例による角速度
検出装置を図１１に基づいて説明する。なお、本実施例
では、前述した第１の実施例の構成要素と同一の構成要
素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとす
る。

【００７９】即ち、本実施例による角速度検出装置６１
は、基板２２の構成、該基板２２に形成された凹陥部２
８、薄肉部２９、連通孔３０については、第１の実施例
による角速度検出装置２１と同一である。また、基板２
２上に設けられた支持部、支持梁、振動子３３、電極支
持部３５の形状についても、第１の実施例による角速度
検出装置２１と同一である。

【００８０】ところが、本実施例による角速度検出装置
６１は、振動子３３の下側に位置して基板２２の表面に
形成された電極が励振電極６２となり、振動子３３と各
電極支持部３５との間に形成された各電極が変位検出電
極６３，６３となっている。

【００８１】本実施例による角速度検出装置６１は上述
したような構成を有するもので、次に、当該角速度検出
装置６１の基本的動作と、連通孔３０の作用について説
明する。

【００８２】即ち、励振電極６２に励振信号を印加する
ことにより、振動子３３は基板２２に対して直交方向
（矢示Ｚ方向）に振動する。また、該振動子３３が矢示
Ｚ方向に振動した状態で、図１に示す回転軸Ｙと同様の
回転軸周りの角速度が作用したときには、振動子３３は
コリオリ力により基板２２に対して平行方向（矢示Ｘ方
向）に振動する。これにより、振動子３３に設けれられ
た電極板６３Ａと電極支持部３５に設けられた電極板６
３Ｂとの間の静電容量が変化するため、この静電容量の
変化を検出することにより角速度を求める。

【００８３】ここで、基板２２のうち、振動子３３の下
側位置には、多数の連通孔３０が形成されている。これ
により、振動子３３が励振電極６２により矢示Ｚ方向に
振動したとき、該振動子３３と基板２２との間の隙間に
存在する空気が、各連通孔３０を通って、基板２２の裏
面側に位置する凹陥部２８内に流出する。

【００８４】このように、各連通孔３０が振動子３３と
基板２２との間の空気の逃げ道となるため、振動子３３
が矢示Ｚ方向に振動するときに発生するエアダンピング
を大幅に小さくすることができる。これにより、空気抵
抗を低減させて振動子３３を矢示Ｚ方向に大きく振動さ
せることができる。そして、振動子３３の矢示Ｚ方向の
振動が大きくなると、角速度が作用したときに、振動子
３３が矢示Ｘ方向に大きく振動するようになる。これに
より、振動子３３に設けられた電極板６３Ａと電極支持
部３５に設けられた電極板６３Ｂとの間における離間距
離の変位量が大きくなり、各電極板６３Ａ，６３Ｂ間の
静電容量の変化量が大きくなる。従って、角速度の検出
感度を向上させることができる。

【００８５】次に、本実施例による角速度検出装置６１
に設けられた凹陥部２８、薄肉部２９により励振信号の
漏洩を防止する点について説明する。

【００８６】励振電極６２には、振動子３３を振動させ
るために、高周波の交流信号である励振信号が印加され
る。ここで、励振電極６２の下側に位置には凹陥部２８
が形成され、励振電極６２の下側位置に位置する基板２
２は絶縁膜２４のみからなる薄肉部２９となっている。
これにより、励振信号が励振電極６２に印加されても、
この励振信号は薄肉部２９によって遮断され、励振電極
６２の外部に漏洩することはない。従って、励振信号が
支持部や電極支持部３５に向けて漏洩するのを確実に防
止でき、変位検出電極６３から出力される検出信号（静
電容量）に励振信号によるノイズがのるのを確実に防止
することができる。

【００８７】かくして、本実施例による角速度検出装置
６１によっても、前述した第１の実施例による角速度検
出装置２１とほぼ同様の効果を得ることができる。

【００８８】次に、本発明の第３の実施例による角速度
検出装置を図１２に基づいて説明する。本実施例の特徴
は、第１の実施例のように基板の裏面側に凹陥部を設け
ず、製造工程を簡略化すると共に、基板の強度を向上さ
せたことにある。なお、本実施例では、前述した第１の
実施例の構成要素と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。

【００８９】図１２において、７１は本実施例による角
速度検出装置を示す。７２は基板を示し、該基板７２
は、前記第１の実施例による角速度検出装置２１と同様
に、高抵抗な単結晶のシリコン材料からなる基板本体７
３と、酸化シリコンからなる絶縁膜７４と、高抵抗な単
結晶のシリコン材料からなるシリコン膜７５とから構成
されている。また、該シリコン膜７５上には窒化シリコ
ン膜７６が形成されている。さらに、前記シリコン膜７
５には、第１の実施例による角速度検出装置２１と同様
に溝７７，７７が形成されている。

【００９０】７８，７８，…は振動子３３と対向するよ
うに該振動子３３の下側に位置して基板７２に多数設け
られた連通孔を示し、該各連通孔７８は、基板７２の表
面側と裏面側との間を連通するように形成されている。
さらに詳しく説明すると、該各連通孔７８は、基板７２
の窒化シリコン膜７６、シリコン膜７５、絶縁膜７４お
よび基板本体７３を貫通することにより、基板７２の表
面側と裏面側との間を連通するように形成されている。

【００９１】そして、該各連通孔７８は、基板７２の表
面側と裏面側との間で、図１１中の矢示Ｄ方向に空気を
流通させるための穴であり、該各連通孔７８の穴径は、
空気の流通を可能とすると共に、基板７２の強度を保持
する程度の大きさに設定されている。さらに、本実施例
による角速度検出装置７１は、前述した第１の実施例に
よる角速度検出装置２１と異なり、基板７２の裏面側に
凹陥部が設けられていない。従って、本実施例による角
速度検出装置７１は第１の実施例による角速度検出装置
２１と比較して、基板７２の強度が高い。これにより、
基板７２に形成された各連通孔７８の穴径は、第１の実
施例による角速度検出装置２１の各連通孔３０の穴径よ
り大きい。

【００９２】次に、本実施例による角速度検出装置７１
の製造方法について図１３ないし図１８を参照しつつ説
明する。

【００９３】まず、図１３に示す基板加工工程では、単
結晶のシリコン材料からなる基板本体７３の表面を酸化
させることにより絶縁膜７４を形成する。そして、該絶
縁膜７４の上に、シリコン材料からなるシリコン膜７５
を形成し、当該角速度検出装置７１の基板７２を形成す
る。

【００９４】次に、図１４に示す変位検出電極形成工程
では、シリコン膜７５の所定位置に例えばＰ，Ｂ，Ｓｂ
等の不純物を拡散させ、変位検出電極３７を形成する。
その後、シリコン膜７５上に窒化シリコン膜７６を形成
する。

【００９５】次に、図１５に示す連通孔形成工程では、
窒化シリコン膜７６上をレジストによりマスクし、ＲＩ
Ｅ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）によ
り基板７２の所定位置に連通孔７８，７８，…を形成す
る。このとき、該各連通孔７８は基板２２の表面側から
窒化シリコン膜７６、シリコン膜７５、絶縁膜７４およ
び基板本体７３を貫通するように穿設する。さらに、シ
リコン膜７５および窒化シリコン膜７６の一部を、ＲＩ
Ｅにより除去し、溝７７，７７を形成する。その後、各
連通孔７８、各溝７７の内部側面に酸化シリコン膜８１
を形成する。

【００９６】次に、図１６に示す犠牲層形成工程では、
当該角速度検出装置７１の完成時に振動子３３を基板７
２の表面から離間した状態で形成するために、基板７２
上のうち、振動子３３、各支持梁３２等が位置する部分
に犠牲層８２を形成する。

【００９７】次に、図１７に示すポリシリコン膜形成工
程では、基板７２、犠牲層８２上に例えばＰ，Ｂ，Ｓｂ
等がドーピングされたポリシリコン膜８３を形成する。

【００９８】次に、図１８に示す振動子形成工程では、
ドライエッチングまたはウエットエッチングにより該ポ
リシリコン膜８３の一部を除去し、振動子３３、電極支
持部３５等を成形する。そして、該ポリシリコン膜８３
上に電極パッド３８，３８等を形成する。さらに、犠牲
層８２、酸化シリコン膜８１をフッ酸化合物により除去
することにより、図１２に示すような角速度検出装置７
１が完成する。

【００９９】本実施例による角速度検出装置７１は上述
したような構成を有するものであり、角速度の検出動作
は第１の実施例による角速度検出装置２１と同様であ
る。

【０１００】然るに、基板７２に各連通孔７８を設けた
ことにより、振動子３３が矢示Ｚ方向に振動するとき
に、振動子３３と基板７２との間に発生するエアダンピ
ングを小さくすることができ、振動子３３を矢示Ｚ方向
に大きく振動させることができる。従って、振動子３３
と変位検出電極３７との間の静電容量の変化を大きくで
き、角速度の検出感度を向上させることができる。

【０１０１】また、本実施例では、第１の実施例の角速
度検出装置２１のように、基板７２の裏面側に凹陥部を
設けず、各連通孔７８を基板７２の表面側から裏面側ま
で貫通させる構成としたから、製造工程を簡略化できる
と共に、基板７２の強度を向上させることができる。

【０１０２】なお、前記各実施例では、励振電極３６
（変位検出電極６３）を振動子３３の両側に設けられた
くし状の電極板３６Ａ（６３Ａ）と、電極支持部３５に
設けられたくし状の電極板３６Ｂ（６３Ｂ）とにより構
成するものとして述べたが、本発明はこれに限るもので
なく、該各電極板３６Ａ（６３Ａ），３６Ｂ（６３Ｂ）
を設けず、振動子３３の側面、電極支持部３５の側面を
それぞれ平面状に形成してもよい。

【０１０３】また、前記各実施例では、基板２２（７
２）上に一対の支持部３１を設け、合計４本の支持梁３
２により振動子３３を支持する構成としたが、本発明は
これに限るものでなく、例えば、基板上に単一の支持部
を設け、該支持部に１本または２本の支持梁を介して振
動子を支持する、いわゆる片持構造の角速度検出装置に
も適用できる。

【０１０４】

【発明の効果】以上詳述したとおり、請求項１に係る発
明によれば、基板のうち、振動子と対向する位置に、該
基板の表面側と裏面側との間を連通する連通孔を設け、
該連通孔により前記基板の表面側と裏面側との間で気体
を流通させる構成としたから、振動子が基板に対して直
交方向に振動したときに、振動子と基板との間に存在す
る気体を基板の裏面側に逃すことができる。これによ
り、振動子と基板との間における気体のダンピング（流
動抵抗）を小さくすることができ、振動子を基板に対し
て直交方向に抵抗なく大きく振動させることができる。
従って、角速度の検出感度を向上させることができる。

【０１０５】請求項２に係る発明によれば、基板のうち
振動子と対向する部位が薄肉部となるように該基板の裏
面側に凹陥部を設け、前記薄肉部には基板の表面側と裏
面側との間を連通する連通孔を設け、該連通孔により前
記基板の表面側と裏面側との間で気体を流通させる構成
としたから、連通孔の流入口から流出口までの距離を短
くでき、基板の表面側から裏面側（凹陥部内）に向かう
空気の通路を短縮できる。これにより、連通孔に空気が
流通し易くなるため、振動子が基板に対して直交方向に
振動したときに発生する気体のダンピングをより一層小
さくすることができる。従って、振動子を基板に対して
直交方向に抵抗なく、より一層大きく振動させることが
でき、角速度の検出感度をより一層向上させることがで
きる。

【０１０６】請求項３に係る発明によれば、基板のう
ち、振動子と対向する部位が該基板の表面に形成された
絶縁膜のみからなる薄肉部となるように、該基板の裏面
側に凹陥部を設け、前記薄肉部には、基板の表面側と裏
面側との間を連通し該基板の表面側と裏面側との間で気
体を流通させる連通孔を設ける構成としたから、振動子
を励振方向に振動させるために励振手段に印加する励振
信号等が漏洩して、変位検出手段にノイズとなって作用
するのを防止することができる。従って、振動子と変位
検出手段との間の静電容量の変化等を検出するときのノ
イズを大幅に低減でき、角速度の検出感度を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による角速度検出装置を
示す斜視図である。

【図２】図１中の角速度検出装置を矢示II−II方向から
みた断面図である。

【図３】図２中の角速度検出装置の要部を拡大して示す
断面図である。

【図４】第１の実施例に適用する角速度検出装置の製造
方法における基板加工工程を示す断面図である。

【図５】変位検出電極形成工程で基板に変位検出電極を
形成した状態を示す断面図である。

【図６】連通孔形成工程で基板に連通孔等を形成した状
態を示す断面図である。

【図７】犠牲層形成工程で基板上に犠牲層を形成した状
態を示す断面図である。

【図８】ポリシリコン膜形成工程でポリシリコン膜を形
成した状態を示す断面図である。

【図９】第１の実施例の振動子形成工程において基板上
に振動子、電極支持部等を形成した状態を示す断面図で
ある。

【図１０】第１の実施例の凹陥部形成工程において基板
に凹陥部を形成した状態を示す断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施例による角速度検出装置
を示す図２と同様位置の断面図である。

【図１２】本発明の第３の実施例による角速度検出装置
を示す図２と同様位置の断面図である。

【図１３】第３の実施例に適用する角速度検出装置の製
造方法における基板加工工程を示す断面図である。

【図１４】変位検出電極形成工程で基板に変位検出電極
を形成した状態を示す断面図である。

【図１５】連通孔形成工程で基板に連通孔等を形成した
状態を示す断面図である。

【図１６】犠牲層形成工程で基板上に犠牲層を形成した
状態を示す断面図である。

【図１７】ポリシリコン膜形成工程でポリシリコン膜を
形成した状態を示す断面図である。

【図１８】振動子形成工程で基板上に振動子、電極支持
部等を形成した状態を示す断面図である。

【図１９】従来技術による角速度検出装置を示す断面図
である。

【図２０】図１９中の角速度検出装置を矢示XX−XX方向
からみた断面図である。

【符号の説明】

２１，６１，７１ 角速度検出装置 ２２，７２ 基板 ２３，７３ 基板本体 ２４，７４ 絶縁膜 ２８ 凹陥部 ２９ 薄肉部 ３０，７８ 連通孔 ３１ 支持部 ３２ 支持梁 ３３ 振動子 ３６ 励振電極（励振手段） ３７ 変位検出電極（変位検出手段）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、該基板の表面に固着して設けら
   れた支持部と、基端側が該支持部に設けられた支持梁
   と、該基板の表面から離間した状態で前記支持梁の先端
   側に支持され前記基板に対して変位可能な振動子と、該
   振動子を一定の励振方向に振動させる励振手段と、該励
   振手段により前記振動子を励振方向に振動させた状態で
   角速度が作用したときに、該角速度に対応して前記振動
   子が励振方向と直交する方向に変位するのを検出する変
   位検出手段とからなる角速度検出装置において、 前記基板には前記振動子と対向する位置に該基板の表面
   側と裏面側との間を連通する連通孔を設け、該連通孔に
   より前記基板の表面側と裏面側との間で気体を流通させ
   る構成としたことを特徴とする角速度検出装置。
2. 【請求項２】 基板と、該基板の表面に固着して設けら
   れた支持部と、基端側が該支持部に設けられた支持梁
   と、該基板の表面から離間した状態で前記支持梁の先端
   側に支持され前記基板に対して変位可能な振動子と、該
   振動子を一定の励振方向に振動させる励振手段と、該励
   振手段により前記振動子を励振方向に振動させた状態で
   角速度が作用したときに、該角速度に対応して前記振動
   子が励振方向と直交する方向に変位するのを検出する変
   位検出手段とからなる角速度検出装置において、 前記基板には前記振動子と対向する部位が薄肉部となる
   ように前記基板の裏面側に凹陥部を設け、前記薄肉部に
   は該基板の表面側と裏面側とを連通する連通孔を設け、
   該連通孔により前記基板の表面側と裏面側との間で気体
   を流通させる構成としたことを特徴とする角速度検出装
   置。
3. 【請求項３】 表面に絶縁膜を有する基板と、該基板の
   表面に固着して設けられた支持部と、基端側が該支持部
   に設けられた支持梁と、該基板の表面から離間した状態
   で前記支持梁の先端側に支持され前記基板に対して変位
   可能な振動子と、該振動子を一定の励振方向に振動させ
   る励振手段と、前記振動子と対向するように前記基板の
   表面に設けられ、該励振手段により前記振動子を励振方
   向に振動させた状態で角速度が作用したときに、該角速
   度に対応して前記振動子が励振方向と直交する方向に変
   位するのを検出する変位検出手段とからなる角速度検出
   装置において、 前記基板には前記振動子と対向する部位が絶縁膜のみか
   らなる薄肉部となるように前記基板の裏面側に凹陥部を
   設け、前記薄肉部には該基板の表面側と裏面側とを連通
   する連通孔を設け、該連通孔により前記基板の表面側と
   裏面側との間で気体を流通させる構成としたことを特徴
   とする角速度検出装置。