JPH1096963A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH1096963A JPH1096963A JP9244796A JP24479697A JPH1096963A JP H1096963 A JPH1096963 A JP H1096963A JP 9244796 A JP9244796 A JP 9244796A JP 24479697 A JP24479697 A JP 24479697A JP H1096963 A JPH1096963 A JP H1096963A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 48
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
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- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一なセルギャップを有する液晶表示装置を
提供する。又、ブラックマトリクス、又はその顔料によ
る液晶の汚染を防ぐ液晶表示装置を提供する。又、配向
膜のラビング不良のため、ブラックマトリクスの段差部
分で生じる光の漏れを防ぐ液晶表示装置を提供する。
又、開口率が向上された液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板上にスイッチング素子を形成す
る工程と、スイッチングを覆うように一定の厚さの無機
絶縁層123を蒸着する工程と、無機絶縁層123の上にスイ
ッチング素子を覆うようにブラックマトリクス110を形
成する工程と、ブラックマトリクス110等が形成された
第１基板の上に段差を減らす有機絶縁層156等を塗布
し、スイッチング素子のドレイン電極部の上に覆われて
いる無機絶縁層123と有機絶縁層156の一部をエッチング
などの方法で除去し、コンタクトホール131を形成する
工程と、コンタクトホール131を通してドレイン電極115
bに連結される画素電極140を形成する段階と、画素電極
140が形成された第１基板の上に配向膜100を形成する。
提供する。又、ブラックマトリクス、又はその顔料によ
る液晶の汚染を防ぐ液晶表示装置を提供する。又、配向
膜のラビング不良のため、ブラックマトリクスの段差部
分で生じる光の漏れを防ぐ液晶表示装置を提供する。
又、開口率が向上された液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板上にスイッチング素子を形成す
る工程と、スイッチングを覆うように一定の厚さの無機
絶縁層123を蒸着する工程と、無機絶縁層123の上にスイ
ッチング素子を覆うようにブラックマトリクス110を形
成する工程と、ブラックマトリクス110等が形成された
第１基板の上に段差を減らす有機絶縁層156等を塗布
し、スイッチング素子のドレイン電極部の上に覆われて
いる無機絶縁層123と有機絶縁層156の一部をエッチング
などの方法で除去し、コンタクトホール131を形成する
工程と、コンタクトホール131を通してドレイン電極115
bに連結される画素電極140を形成する段階と、画素電極
140が形成された第１基板の上に配向膜100を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関する。特に、本発明は薄膜トランジス
タを有する液晶表示装置の基板及びその製造方法に関す
る。
その製造方法に関する。特に、本発明は薄膜トランジス
タを有する液晶表示装置の基板及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の構造について、図
１を参照して説明する。液晶表示装置は、画素がマトリ
クス状に配列された第１基板3を有する。前記第１基板3
上には画素電極4が形成されており、該各々の画素電極4
はゲートバス配線17及びデータバス配線15によって囲ま
れている。又、前記ゲートバス配線17から分岐するゲー
ト電極17aと、前記データバス配線15から分岐するソー
ス電極15aが形成されている。薄膜トランジスタ8は、前
記ゲートバス配線17と前記データバス配線15との交差点
に形成されている。前記薄膜トランジスタのドレイン電
極15bは、前記画素電極4に電気的にコンタクトするよう
に形成されている。ブラックマトリクス（光遮断層）
は、前記薄膜トランジスタ8、ゲートバス配線17及びデ
ータバス配線15を覆うように形成されている。配向膜
（配向層）は、前記ブラックマトリクスを含む前記基板
の全面上に形成されている。
１を参照して説明する。液晶表示装置は、画素がマトリ
クス状に配列された第１基板3を有する。前記第１基板3
上には画素電極4が形成されており、該各々の画素電極4
はゲートバス配線17及びデータバス配線15によって囲ま
れている。又、前記ゲートバス配線17から分岐するゲー
ト電極17aと、前記データバス配線15から分岐するソー
ス電極15aが形成されている。薄膜トランジスタ8は、前
記ゲートバス配線17と前記データバス配線15との交差点
に形成されている。前記薄膜トランジスタのドレイン電
極15bは、前記画素電極4に電気的にコンタクトするよう
に形成されている。ブラックマトリクス（光遮断層）
は、前記薄膜トランジスタ8、ゲートバス配線17及びデ
ータバス配線15を覆うように形成されている。配向膜
（配向層）は、前記ブラックマトリクスを含む前記基板
の全面上に形成されている。
【０００３】カラーフィルタ層37を有する第２基板2
は、ギャップを持って前記第１基板3と対向するように
配置されている。第１基板と第２基板とのギャップに液
晶物質40が封入されている。前記第１基板及び第２基板
の外側面に偏光板1、1aが付着されることで、従来の液
晶表示装置のパネルが完成される。
は、ギャップを持って前記第１基板3と対向するように
配置されている。第１基板と第２基板とのギャップに液
晶物質40が封入されている。前記第１基板及び第２基板
の外側面に偏光板1、1aが付着されることで、従来の液
晶表示装置のパネルが完成される。
【０００４】従来の液晶表示装置の第１基板の構造につ
いて、図２、図３を参照して詳しく説明する。図２、図
３は、図１のI−I´線に沿った断面図である。従来の液
晶表示装置の第１基板3の製造方法及び構造について
は、図２を参照して説明する。
いて、図２、図３を参照して詳しく説明する。図２、図
３は、図１のI−I´線に沿った断面図である。従来の液
晶表示装置の第１基板3の製造方法及び構造について
は、図２を参照して説明する。
【０００５】ゲートバス配線17から分岐するゲート電極
17aは、透明基板3上に形成されている。陽極酸化膜35
は、絶縁特性の向上及びヒロックの防ぎのために、前記
ゲート電極17a上に形成されている。SiNx、又はSiO2の
ような無機物質から成るゲート絶縁膜23は、前記ゲート
電極17aを含む基板の全面に形成されている。アモルフ
ァスシリコン（a-Si）から成る半導体層22は、前記ゲー
ト電極17a上のゲート絶縁膜23上に形成されている。そ
の上に不純物が添加されたアモルファスシリコン（n+ a
-Si）のような不純物半導体層25が形成されている。デ
ータバス配線15から分岐するソース電極15a及びドレイ
ン電極15bは、前記不純物半導体層25上に一定の間隔を
隔てて形成されている。それで、前記ソース電極15a及
び前記ドレイン電極15bは、前記不純物半導体層25とオ
ーミックコンタクトになっている。SiNxのような無機保
護膜26は、前記ソース電極15a及び前記ドレイン電極15b
を含む前記基板の全面を覆うように形成されている。画
素電極4は、前記ドレイン電極15b上の前記保護膜26に形
成されたコンタクトホールを通して前記ドレイン電極15
bに電気的なコンタクトを成し、前記保護膜26上に形成
されている。そして、ブラックマトリクス10は、前記薄
膜トランジスタ8、前記ゲートバス配線17及び前記デー
タバス配線15を覆うように形成されている（図４及び図
５）。続いて、その上に例えば、ポリイミドから成る配
向膜11がコーティングによって形成されている。
17aは、透明基板3上に形成されている。陽極酸化膜35
は、絶縁特性の向上及びヒロックの防ぎのために、前記
ゲート電極17a上に形成されている。SiNx、又はSiO2の
ような無機物質から成るゲート絶縁膜23は、前記ゲート
電極17aを含む基板の全面に形成されている。アモルフ
ァスシリコン（a-Si）から成る半導体層22は、前記ゲー
ト電極17a上のゲート絶縁膜23上に形成されている。そ
の上に不純物が添加されたアモルファスシリコン（n+ a
-Si）のような不純物半導体層25が形成されている。デ
ータバス配線15から分岐するソース電極15a及びドレイ
ン電極15bは、前記不純物半導体層25上に一定の間隔を
隔てて形成されている。それで、前記ソース電極15a及
び前記ドレイン電極15bは、前記不純物半導体層25とオ
ーミックコンタクトになっている。SiNxのような無機保
護膜26は、前記ソース電極15a及び前記ドレイン電極15b
を含む前記基板の全面を覆うように形成されている。画
素電極4は、前記ドレイン電極15b上の前記保護膜26に形
成されたコンタクトホールを通して前記ドレイン電極15
bに電気的なコンタクトを成し、前記保護膜26上に形成
されている。そして、ブラックマトリクス10は、前記薄
膜トランジスタ8、前記ゲートバス配線17及び前記デー
タバス配線15を覆うように形成されている（図４及び図
５）。続いて、その上に例えば、ポリイミドから成る配
向膜11がコーティングによって形成されている。
【０００６】又、従来の液晶表示装置の第１基板3の他
の構造については、図２の構成要素と等しい図３を参照
して説明する。この場合は、前記ブラックマトリクスの
近傍の配向膜11にラビング不良が生ずることを防ぐため
に、ブラックマトリクス10の形成の前に配向膜11が形成
されている。
の構造については、図２の構成要素と等しい図３を参照
して説明する。この場合は、前記ブラックマトリクスの
近傍の配向膜11にラビング不良が生ずることを防ぐため
に、ブラックマトリクス10の形成の前に配向膜11が形成
されている。
【０００７】しかし、図２、又は図３の構造を有する前
記液晶表示装置は、次の如く問題を有する。第一に、図
２に示すように、第１基板の構造において前記配向膜
は、前記画素電極4及びブラックマトリクス10によって
形成された段差部を有する。その結果、配向膜の段差部
分でラビング不良が発生し、光が漏れる。従って、液晶
表示装置のコントラスト特性が低下する。配向膜のラビ
ング工程及び構造の理解のために、図６及び図７を参照
して以下に詳しく説明する。
記液晶表示装置は、次の如く問題を有する。第一に、図
２に示すように、第１基板の構造において前記配向膜
は、前記画素電極4及びブラックマトリクス10によって
形成された段差部を有する。その結果、配向膜の段差部
分でラビング不良が発生し、光が漏れる。従って、液晶
表示装置のコントラスト特性が低下する。配向膜のラビ
ング工程及び構造の理解のために、図６及び図７を参照
して以下に詳しく説明する。
【０００８】図６は、図５のIII−III´線に沿った断面
図である。図２に示す前記配向膜11は、印刷ローラーに
ポリアミド、ポリイミド及び酸化シリコンのような配向
膜の物質を印刷し、前記ブラックマトリクス10を含む前
記第１基板3の全表面上に転写することによって形成さ
れる。そして、前記配向膜を固化させた後、液晶が一定
の方向で配向されるようにラビング工程を実施する。前
記ラビング工程は、図７に示すようにラビングドラム13
1を使用して前記配向膜上に一定方向の溝（図の波形の
ような部分）を形成させる。前記ラビングドラム131
は、ラビング布130で覆われており、Ｂ方向に一定の圧
力で押しながらＡ方向に回転し、Ｃ方向に移動する。図
５の斜線によって示されたＤ0部分（図７の133部分）
は、前記ブラックマトリクス10によって生じた段差のた
めに、ラビング不良が発生する。前記ブラックマトリク
スの厚さが１〜２.５μｍである時、図４のＤ0の幅は１
〜２μｍである。このような領域は、ポリビニルシンナ
メイト（polyvinylcinnamate(PVCN)）、ポリビニルフル
オロシンナメイト（polyvinylfluorocinnamate(PVCN-
F)）、ポリシロキサン（polysiloxanes）、又はポリ塩
化ビニル（polyvinylchloride(PVC)）を配向膜で使用
し、光配向することによって無くすことが出来る。しか
し、セルギャップの不良の問題は、解消できない。
図である。図２に示す前記配向膜11は、印刷ローラーに
ポリアミド、ポリイミド及び酸化シリコンのような配向
膜の物質を印刷し、前記ブラックマトリクス10を含む前
記第１基板3の全表面上に転写することによって形成さ
れる。そして、前記配向膜を固化させた後、液晶が一定
の方向で配向されるようにラビング工程を実施する。前
記ラビング工程は、図７に示すようにラビングドラム13
1を使用して前記配向膜上に一定方向の溝（図の波形の
ような部分）を形成させる。前記ラビングドラム131
は、ラビング布130で覆われており、Ｂ方向に一定の圧
力で押しながらＡ方向に回転し、Ｃ方向に移動する。図
５の斜線によって示されたＤ0部分（図７の133部分）
は、前記ブラックマトリクス10によって生じた段差のた
めに、ラビング不良が発生する。前記ブラックマトリク
スの厚さが１〜２.５μｍである時、図４のＤ0の幅は１
〜２μｍである。このような領域は、ポリビニルシンナ
メイト（polyvinylcinnamate(PVCN)）、ポリビニルフル
オロシンナメイト（polyvinylfluorocinnamate(PVCN-
F)）、ポリシロキサン（polysiloxanes）、又はポリ塩
化ビニル（polyvinylchloride(PVC)）を配向膜で使用
し、光配向することによって無くすことが出来る。しか
し、セルギャップの不良の問題は、解消できない。
【０００９】第二に、図２及び図３に示すように、従来
の液晶表示装置において前記第１基板3は、ブラックマ
トリクス10を含む多層構造によって表面に段差がある。
これは液晶表示装置において、不均一なセルギャップを
招く。従って、不均一なセルギャップは、液晶の注入を
不安定にさせるために、液晶表示装置の表示品質及び歩
留まりを低下させる。さらに、図３に示すように、前記
液晶が前記ブラックマトリクスに直接接触すると、液晶
表示装置の画質特性が維持されない。前記ブラックマト
リクス、又は顔料が液晶を汚染させる。一般に、ブラッ
クマトリクスは黒色顔料を含むネガフォトレジストから
成る。
の液晶表示装置において前記第１基板3は、ブラックマ
トリクス10を含む多層構造によって表面に段差がある。
これは液晶表示装置において、不均一なセルギャップを
招く。従って、不均一なセルギャップは、液晶の注入を
不安定にさせるために、液晶表示装置の表示品質及び歩
留まりを低下させる。さらに、図３に示すように、前記
液晶が前記ブラックマトリクスに直接接触すると、液晶
表示装置の画質特性が維持されない。前記ブラックマト
リクス、又は顔料が液晶を汚染させる。一般に、ブラッ
クマトリクスは黒色顔料を含むネガフォトレジストから
成る。
【００１０】第三に、従来の液晶表示装置において、第
１基板の表面に段差が形成され、配向膜のラビング不良
が発生し、無機絶縁膜（保護膜26）の低い誘電率のため
に、画素電極はデータ及びゲートバス配線等に重畳して
形成することは不可能であった。もし、画素電極が無機
絶縁膜の下に位置したデータバス配線と重畳されるよう
に形成すると、前記データバス配線の電圧と前記画素電
極の電圧間の干渉のために画面表示にちらつきが生じ
る。又、前記重畳部分では、ラビング不良による光の漏
れが発生する。従って、一般に前記画素電極は、データ
バス配線から一定間隔を隔てて位置させられる。この場
合、図８に示すように、高い開口率を得ることは、不可
能である。図８においてSiNx、又はSiO2のような無機絶
縁膜26は、段差があるデータバス配線15を覆い、又画素
電極4は前記データバス配線15からＤ2だけ離れた位置に
形成されている。前記Ｄ1は、前記第１基板と前記第２
基板との貼り合わせマージンを考慮して形成された領域
である。従って、従来の液晶表示装置において前記開口
率は、Ｄ3＝（Ｄ1＋Ｄ2）分だけの損失がある。
１基板の表面に段差が形成され、配向膜のラビング不良
が発生し、無機絶縁膜（保護膜26）の低い誘電率のため
に、画素電極はデータ及びゲートバス配線等に重畳して
形成することは不可能であった。もし、画素電極が無機
絶縁膜の下に位置したデータバス配線と重畳されるよう
に形成すると、前記データバス配線の電圧と前記画素電
極の電圧間の干渉のために画面表示にちらつきが生じ
る。又、前記重畳部分では、ラビング不良による光の漏
れが発生する。従って、一般に前記画素電極は、データ
バス配線から一定間隔を隔てて位置させられる。この場
合、図８に示すように、高い開口率を得ることは、不可
能である。図８においてSiNx、又はSiO2のような無機絶
縁膜26は、段差があるデータバス配線15を覆い、又画素
電極4は前記データバス配線15からＤ2だけ離れた位置に
形成されている。前記Ｄ1は、前記第１基板と前記第２
基板との貼り合わせマージンを考慮して形成された領域
である。従って、従来の液晶表示装置において前記開口
率は、Ｄ3＝（Ｄ1＋Ｄ2）分だけの損失がある。
【００１１】以上の説明のように、前記第１基板は、ブ
ラックマトリクスによって表面に段差が形成され、前記
ブラックマトリクスは液晶物質と直接に接触する。従っ
て、前記ブラックマトリクスの近傍で光の漏れが生じ、
セルギップの不均一の不良、液晶の汚染及び低い開口率
を招く。
ラックマトリクスによって表面に段差が形成され、前記
ブラックマトリクスは液晶物質と直接に接触する。従っ
て、前記ブラックマトリクスの近傍で光の漏れが生じ、
セルギップの不均一の不良、液晶の汚染及び低い開口率
を招く。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、均一なセル
ギャップを有する液晶表示装置を提供することを目的と
する。又、本発明は、液晶表示装置においてブラックマ
トリクス、又はその顔料による液晶の汚染を防ぐことを
他の目的とする。又、本発明は、液晶表示装置において
配向膜のラビング不良のため、ブラックマトリクスの段
差部分で生じる光の漏れを防ぐことを他の目的とする。
又、本発明は、開口率が向上された液晶表示装置を提供
することを目的とする。
ギャップを有する液晶表示装置を提供することを目的と
する。又、本発明は、液晶表示装置においてブラックマ
トリクス、又はその顔料による液晶の汚染を防ぐことを
他の目的とする。又、本発明は、液晶表示装置において
配向膜のラビング不良のため、ブラックマトリクスの段
差部分で生じる光の漏れを防ぐことを他の目的とする。
又、本発明は、開口率が向上された液晶表示装置を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述した問題点を解決す
るための本発明による液晶表示装置の第１基板の製造方
法は、透明基板上にデータバス配線及びゲートバス配線
を形成する段階と、前記データバス配線及びゲートバス
配線に連結されるスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子を覆うブラックマトリクスを形成
する段階と、前記データバス配線、前記ゲートバス配線
及び前記ブラックマトリクスを覆う平坦化膜を形成する
段階と、前記平坦化膜上に配向膜を形成する段階とを含
む。
るための本発明による液晶表示装置の第１基板の製造方
法は、透明基板上にデータバス配線及びゲートバス配線
を形成する段階と、前記データバス配線及びゲートバス
配線に連結されるスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子を覆うブラックマトリクスを形成
する段階と、前記データバス配線、前記ゲートバス配線
及び前記ブラックマトリクスを覆う平坦化膜を形成する
段階と、前記平坦化膜上に配向膜を形成する段階とを含
む。
【００１４】本発明による液晶表示装置の第１基板の構
造は、基板と、前記透明基板上に形成されたゲートバス
配線及びデータバス配線に連結されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子を覆うブラックマトリクス
と、前記ブラックマトリクス、前記データバス配線、前
記ゲートバス配線及び前記透明基板を覆う平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆う配向膜と、から構成される。
造は、基板と、前記透明基板上に形成されたゲートバス
配線及びデータバス配線に連結されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子を覆うブラックマトリクス
と、前記ブラックマトリクス、前記データバス配線、前
記ゲートバス配線及び前記透明基板を覆う平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆う配向膜と、から構成される。
【００１５】又、本発明による液晶表示装置の第１基板
の他の構造は、基板と、前記基板上のゲート電極、ソー
ス電極、及びドレイン電極を有するトランジスタと、前
記トランジスタ上の保護層と、前記トランジスタ上の前
記保護層の一部に形成された光遮断層と、前記光遮断層
及び前記保護層上に形成され、前記ソース電極、又は前
記ドレイン電極上にコンタクトホールを有する平坦化膜
と、前記平坦化膜の前記コンタクトホールを通して前記
ソース電極、又は前記ドレイン電極に接触する画素電極
と、前記画素電極上の配向膜とから構成される。
の他の構造は、基板と、前記基板上のゲート電極、ソー
ス電極、及びドレイン電極を有するトランジスタと、前
記トランジスタ上の保護層と、前記トランジスタ上の前
記保護層の一部に形成された光遮断層と、前記光遮断層
及び前記保護層上に形成され、前記ソース電極、又は前
記ドレイン電極上にコンタクトホールを有する平坦化膜
と、前記平坦化膜の前記コンタクトホールを通して前記
ソース電極、又は前記ドレイン電極に接触する画素電極
と、前記画素電極上の配向膜とから構成される。
【００１６】本発明による液晶表示装置の第１基板の他
の製造方法は、基板上にゲート電極、ドレイン電極及び
ソース電極を有するトランジスタを形成する段階と、前
記トランジスタ上に光遮断層を形成する段階と、前記光
遮断層を含む前記基板の全表面上に平坦化膜を形成する
段階と、前記平坦化膜上に配向膜を形成する段階とから
構成される。
の製造方法は、基板上にゲート電極、ドレイン電極及び
ソース電極を有するトランジスタを形成する段階と、前
記トランジスタ上に光遮断層を形成する段階と、前記光
遮断層を含む前記基板の全表面上に平坦化膜を形成する
段階と、前記平坦化膜上に配向膜を形成する段階とから
構成される。
【００１７】本発明による液晶表示装置の第１基板の他
の構造は、基板と、前記基板上にゲート電極、ソース電
極及びドレイン電極を有するトランジスタと、前記ソー
ス電極、又はドレイン電極にコンタクトする画素電極
と、前記トランジスタ及び前記画素電極上の保護層と、
前記トランジスタの前記保護層の一部分上の光遮断層
と、前記光遮断層及び前記保護層上の平坦化膜と、前記
平坦化膜上の配向層と、から構成される。
の構造は、基板と、前記基板上にゲート電極、ソース電
極及びドレイン電極を有するトランジスタと、前記ソー
ス電極、又はドレイン電極にコンタクトする画素電極
と、前記トランジスタ及び前記画素電極上の保護層と、
前記トランジスタの前記保護層の一部分上の光遮断層
と、前記光遮断層及び前記保護層上の平坦化膜と、前記
平坦化膜上の配向層と、から構成される。
【００１８】
（実施例１）本発明の実施例１による液晶表示装置の第
１基板の製造方法を図９〜図１８を参照して説明する。
第１透明基板103上にアルミニウムの金属が堆積され
る。その上にフォトレジストをコーティングし、パター
ニングする。図９に示すように前記アルミニウム膜は、
ゲート電極117a及びゲートバス配線を形成するために例
えば、ウエットエッチング法でエッチされる。前記ゲー
ト電極117aは、段差を解消するためにテーパの形状で形
成するのが望ましい。又、図１０に示すように前記ゲー
ト電極117aは、ヒロックを防ぎ、又絶縁を向上させるた
めに陽極酸化し、陽極酸化膜135が形成される。その上
にSiNx、又はSiO2から成るゲート絶縁膜123、a−Si 122
及びn+a-Si 125が連続的に堆積される。前記表面上にフ
ォトレジストをコーティングし、パターニングする。図
１２に示すように、前記パターニングされたフォトレジ
ストに従って前記a-Si及びn+a-Siをエッチングし、半導
体層122及び不純物半導体層125を形成する。
１基板の製造方法を図９〜図１８を参照して説明する。
第１透明基板103上にアルミニウムの金属が堆積され
る。その上にフォトレジストをコーティングし、パター
ニングする。図９に示すように前記アルミニウム膜は、
ゲート電極117a及びゲートバス配線を形成するために例
えば、ウエットエッチング法でエッチされる。前記ゲー
ト電極117aは、段差を解消するためにテーパの形状で形
成するのが望ましい。又、図１０に示すように前記ゲー
ト電極117aは、ヒロックを防ぎ、又絶縁を向上させるた
めに陽極酸化し、陽極酸化膜135が形成される。その上
にSiNx、又はSiO2から成るゲート絶縁膜123、a−Si 122
及びn+a-Si 125が連続的に堆積される。前記表面上にフ
ォトレジストをコーティングし、パターニングする。図
１２に示すように、前記パターニングされたフォトレジ
ストに従って前記a-Si及びn+a-Siをエッチングし、半導
体層122及び不純物半導体層125を形成する。
【００１９】続いて、金属膜を形成するために基板の全
面にCr、又はAlから成る金属が堆積される。前記ゲート
電極の形成方法と同じ方法によってソース電極115a、デ
ータバス配線及びドレイン電極 115bが形成される。前
記ソース電極115a及び前記ドレイン電極115bをエッチン
グマスクとして前記不純物半導体層125の中央部をエッ
チングして除去する（図１３）。不純物半導体層125は
それぞれ前記ソース電極115a及び前記ドレイン電極115b
にオーミックコンタクトされた二つの分離された部分を
形成する。そして、図１４に示すように、保護膜126
（厚さ200〜500Å）は、SiNx又はSiO2のような無機物質
の蒸着によって形成される。一般に、前記半導体層122
上部に形成されるこの絶縁膜は、薄膜トランジスタ108
を保護するために、そしてブラックマトリクス110から
の汚染を防止するために形成される。しかし、前記ブラ
ックマトリクスの汚染があまり問題にならない場合は、
前記保護膜126を省略してもよい。
面にCr、又はAlから成る金属が堆積される。前記ゲート
電極の形成方法と同じ方法によってソース電極115a、デ
ータバス配線及びドレイン電極 115bが形成される。前
記ソース電極115a及び前記ドレイン電極115bをエッチン
グマスクとして前記不純物半導体層125の中央部をエッ
チングして除去する（図１３）。不純物半導体層125は
それぞれ前記ソース電極115a及び前記ドレイン電極115b
にオーミックコンタクトされた二つの分離された部分を
形成する。そして、図１４に示すように、保護膜126
（厚さ200〜500Å）は、SiNx又はSiO2のような無機物質
の蒸着によって形成される。一般に、前記半導体層122
上部に形成されるこの絶縁膜は、薄膜トランジスタ108
を保護するために、そしてブラックマトリクス110から
の汚染を防止するために形成される。しかし、前記ブラ
ックマトリクスの汚染があまり問題にならない場合は、
前記保護膜126を省略してもよい。
【００２０】前記保護膜126の表面に黒色樹脂（厚さ1μ
m以上）が堆積される。ポリイミドに黒色顔料を含むネ
ガフォトレジストは、前記黒色樹脂として使用される。
この物質の処理温度は、約260℃である。図１５に示す
ように、前記黒色樹脂をパターニングしてブラックマト
リクス110（光遮断層）を形成する。そして、図１６に
示すように、基板の全表面にベンゾシクロブテン（BC
B）、PFCB、フッ素が添加されたパリレン（fluorinated
parylene）、テフロン（teflon）、サイトップ（cyto
p）、又はフルオロポリアリールエーテル（fluoropolya
rylether）等のSi基を有する有機物質、又はガラス基板
上にスピン塗布された物質（spin on glass(SOG)）から
成る平坦化膜156が形成される。前記平坦化膜156は、下
部の多層構造の段差を解消して平坦な表面を有する。前
記平坦化膜は、前記二つの基板間のセルギャップを均一
にし、前記セルギャップに液晶を注入する時、不安定性
を減少させることによって液晶表示装置の品質を改善さ
せる。又、本発明の前記平坦化膜は、配向膜の均一なラ
ビングを提供することによってブラックマトリクスの段
差近傍からの光の漏れを防ぐことが出来る。
m以上）が堆積される。ポリイミドに黒色顔料を含むネ
ガフォトレジストは、前記黒色樹脂として使用される。
この物質の処理温度は、約260℃である。図１５に示す
ように、前記黒色樹脂をパターニングしてブラックマト
リクス110（光遮断層）を形成する。そして、図１６に
示すように、基板の全表面にベンゾシクロブテン（BC
B）、PFCB、フッ素が添加されたパリレン（fluorinated
parylene）、テフロン（teflon）、サイトップ（cyto
p）、又はフルオロポリアリールエーテル（fluoropolya
rylether）等のSi基を有する有機物質、又はガラス基板
上にスピン塗布された物質（spin on glass(SOG)）から
成る平坦化膜156が形成される。前記平坦化膜156は、下
部の多層構造の段差を解消して平坦な表面を有する。前
記平坦化膜は、前記二つの基板間のセルギャップを均一
にし、前記セルギャップに液晶を注入する時、不安定性
を減少させることによって液晶表示装置の品質を改善さ
せる。又、本発明の前記平坦化膜は、配向膜の均一なラ
ビングを提供することによってブラックマトリクスの段
差近傍からの光の漏れを防ぐことが出来る。
【００２１】続いて、コンタクトホールは、前記平坦化
膜156及び前記保護膜126を通して前記ドレイン電極上に
形成される。そして、図１７に示すように、ITO（indiu
m tin oxide）は、基板の全表面上に蒸着され、パター
ニングされて画素電極104になる。
膜156及び前記保護膜126を通して前記ドレイン電極上に
形成される。そして、図１７に示すように、ITO（indiu
m tin oxide）は、基板の全表面上に蒸着され、パター
ニングされて画素電極104になる。
【００２２】最後に、図１８に示すように、ポリイミ
ド、ポリアミド、又は酸化シリコンから成る配向膜111
（配向層）が形成され、その表面に溝（波形のようなパ
ターン）を有するようにラビングされる。又、前記波形
のようなパターンは、例えばポリビニルシンナメイト
（polyvinylcinnamate(PVCN)）、ポリビニルフルオロシ
ンナメイト（polyvinylfluorocinnamate(PVCN-F)）、ポ
リシロキサン（polysiloxanes）、又はポリ塩化ビニル
（polyvinylchloride(PVC)）膜をフォトアライン（光配
向）することによって得ることも出来る。
ド、ポリアミド、又は酸化シリコンから成る配向膜111
（配向層）が形成され、その表面に溝（波形のようなパ
ターン）を有するようにラビングされる。又、前記波形
のようなパターンは、例えばポリビニルシンナメイト
（polyvinylcinnamate(PVCN)）、ポリビニルフルオロシ
ンナメイト（polyvinylfluorocinnamate(PVCN-F)）、ポ
リシロキサン（polysiloxanes）、又はポリ塩化ビニル
（polyvinylchloride(PVC)）膜をフォトアライン（光配
向）することによって得ることも出来る。
【００２３】一般に、本発明の前記平坦化膜156は、従
来の無機絶縁膜より低い誘電率を有する物質を使用す
る。従って、前記画素電極104は、データ、又はゲート
バス配線に重畳するように拡大して形成することも出来
る。前記拡大された画素電極104の構造については、図
１９、図２０及び図２１を参照して説明する。前記ブラ
ックマトリクス110は、前記データバス配線115が不透明
の物質である場合には省略することも可能である。しか
し、光の漏れを完璧に無くすためには、前記データバス
配線115上に前記ブラックマトリクス110を形成すること
が好ましい。図１９はＩ型チャンネルを有する薄膜トラ
ンジスタ108を示す第１基板の平面図であり、図２０は
Ｌ型チャンネルを有する薄膜トランジスタ108を示す第
１基板の平面図である。図２１は、図１９のIV−IV´線
に沿った断面図である。この図から分かるように、ブラ
ックマトリクス110は、前記データバス配線115と一致す
るように形成されている。そして、前記画素電極104
は、前記データバス配線115に重畳されるように形成さ
れる。従って、有効画素電極の領域（図２１のｄ幅は含
まない）が増加する。又、有効の画素領域では、ラビン
グ不良も無い。
来の無機絶縁膜より低い誘電率を有する物質を使用す
る。従って、前記画素電極104は、データ、又はゲート
バス配線に重畳するように拡大して形成することも出来
る。前記拡大された画素電極104の構造については、図
１９、図２０及び図２１を参照して説明する。前記ブラ
ックマトリクス110は、前記データバス配線115が不透明
の物質である場合には省略することも可能である。しか
し、光の漏れを完璧に無くすためには、前記データバス
配線115上に前記ブラックマトリクス110を形成すること
が好ましい。図１９はＩ型チャンネルを有する薄膜トラ
ンジスタ108を示す第１基板の平面図であり、図２０は
Ｌ型チャンネルを有する薄膜トランジスタ108を示す第
１基板の平面図である。図２１は、図１９のIV−IV´線
に沿った断面図である。この図から分かるように、ブラ
ックマトリクス110は、前記データバス配線115と一致す
るように形成されている。そして、前記画素電極104
は、前記データバス配線115に重畳されるように形成さ
れる。従って、有効画素電極の領域（図２１のｄ幅は含
まない）が増加する。又、有効の画素領域では、ラビン
グ不良も無い。
【００２４】本発明を一層詳しく説明するために、本発
明の図２１と従来の図７とを比べて説明する。図７のデ
ータバス配線15と、図２１のデータバス配線115とは、
同一の幅を有することと仮定する。ここで、図２１の前
記画素電極104は、データ配線の両側で図７の画素電極4
よりＤ3だけ広い。図２１において、前記画素電極104の
一部分であるｄ領域は、前記ブラックマトリクス110に
よって光が遮断されるので、有効の画素電極領域に成ら
ない。
明の図２１と従来の図７とを比べて説明する。図７のデ
ータバス配線15と、図２１のデータバス配線115とは、
同一の幅を有することと仮定する。ここで、図２１の前
記画素電極104は、データ配線の両側で図７の画素電極4
よりＤ3だけ広い。図２１において、前記画素電極104の
一部分であるｄ領域は、前記ブラックマトリクス110に
よって光が遮断されるので、有効の画素電極領域に成ら
ない。
【００２５】又、ブラックマトリクス110が前記薄膜ト
ランジスタ108及びゲートバス配線117と一致するように
形成して、画素電極104のサイズを一層大きくすること
ができる。従って、前記ブラックマトリクス110上の平
坦化膜156の適用は、液晶表示装置の開口率を向上させ
る。しかも、前記平坦化膜はブラックマトリクス110か
ら液晶を隔離するので、前記ブラックマトリクス110、
又はその色顔料による液晶物質の汚染を防ぐことも可能
である。
ランジスタ108及びゲートバス配線117と一致するように
形成して、画素電極104のサイズを一層大きくすること
ができる。従って、前記ブラックマトリクス110上の平
坦化膜156の適用は、液晶表示装置の開口率を向上させ
る。しかも、前記平坦化膜はブラックマトリクス110か
ら液晶を隔離するので、前記ブラックマトリクス110、
又はその色顔料による液晶物質の汚染を防ぐことも可能
である。
【００２６】（実施例２）図２２は、本発明の実施例２
を示す。実施例１は、画素電極104が保護膜126の上に形
成された場合（ITO on passivation film：IOP）を示し
ているが、実施例２は、図２２に示すように前記画素電
極104が保護膜126の下に形成された構造に平坦化膜156
が適用されたものである。
を示す。実施例１は、画素電極104が保護膜126の上に形
成された場合（ITO on passivation film：IOP）を示し
ているが、実施例２は、図２２に示すように前記画素電
極104が保護膜126の下に形成された構造に平坦化膜156
が適用されたものである。
【００２７】前記実施例２による本発明の利点は、前記
実施例１と等しい。前記実施例２に関する詳細な説明
は、前記実施例１の説明と等しいので省略する。本発明
による液晶表示装置の第１基板の製造方法は、ブラック
マトリクス等によって段差ができた表面上に平坦化膜を
形成することに関する。前記平坦化膜は、開口率の向
上、前記ブラックマトリクスの近傍領域での光の漏れの
抑制及び液晶の安定的な注入に要求される均一なセルギ
ャップを提供する。さらに、ブラックマトリクス、又は
その顔料から液晶物質の汚染を防ぐことによって高画質
の液晶表示装置が得られる。これは前記平坦化膜が液晶
物質を前記ブラックマトリクスから隔離するからであ
る。
実施例１と等しい。前記実施例２に関する詳細な説明
は、前記実施例１の説明と等しいので省略する。本発明
による液晶表示装置の第１基板の製造方法は、ブラック
マトリクス等によって段差ができた表面上に平坦化膜を
形成することに関する。前記平坦化膜は、開口率の向
上、前記ブラックマトリクスの近傍領域での光の漏れの
抑制及び液晶の安定的な注入に要求される均一なセルギ
ャップを提供する。さらに、ブラックマトリクス、又は
その顔料から液晶物質の汚染を防ぐことによって高画質
の液晶表示装置が得られる。これは前記平坦化膜が液晶
物質を前記ブラックマトリクスから隔離するからであ
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、第１基板の製造方法に平坦化
膜を利用し、前記平坦化膜は、配向膜を形成する前にブ
ラックマトリクスを含む多層構造の段差を均一に、又平
坦にさせる。従って、前記平坦化膜が平坦な表面を有す
るから、次に形成される配向膜も平坦な表面を有する。
この結果、液晶表示装置の基板間の均一なセルギャップ
が得られる。又、配向膜の全表面に均一な溝を形成する
ことができ、光の漏れを防ぐことが出来る。前記平坦化
膜は前記ブラックマトリクスから液晶を隔離するので、
液晶の汚染を防ぐことも出来る。又、本発明の平坦化膜
の誘電率が従来の無機絶縁膜の誘電率より低いため、画
素電極をデータバス配線に重畳して形成させることも出
来る。従って、開口率が向上される。
膜を利用し、前記平坦化膜は、配向膜を形成する前にブ
ラックマトリクスを含む多層構造の段差を均一に、又平
坦にさせる。従って、前記平坦化膜が平坦な表面を有す
るから、次に形成される配向膜も平坦な表面を有する。
この結果、液晶表示装置の基板間の均一なセルギャップ
が得られる。又、配向膜の全表面に均一な溝を形成する
ことができ、光の漏れを防ぐことが出来る。前記平坦化
膜は前記ブラックマトリクスから液晶を隔離するので、
液晶の汚染を防ぐことも出来る。又、本発明の平坦化膜
の誘電率が従来の無機絶縁膜の誘電率より低いため、画
素電極をデータバス配線に重畳して形成させることも出
来る。従って、開口率が向上される。
【図１】従来の液晶表示装置の構造を示す斜視図。
【図２】従来の液晶表示装置において第１基板を示す断
面図。
面図。
【図３】従来の液晶表示装置において第１基板を示す断
面図。
面図。
【図４】従来のブラックマトリクスのパターンを示す平
面図。
面図。
【図５】従来の液晶表示装置において、ブラックマトリ
クスの近傍で光の漏れを示す平面図。
クスの近傍で光の漏れを示す平面図。
【図６】従来の液晶表示装置において、配向膜のコーテ
ィング工程を示す断面図。
ィング工程を示す断面図。
【図７】従来の液晶表示装置において、配向膜のラビン
グ工程を説明するための断面図。
グ工程を説明するための断面図。
【図８】図３のII−II´線に沿った断面図。
【図９】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１基
板の製造工程を説明するための断面図。
板の製造工程を説明するための断面図。
【図１０】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１１】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１２】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１３】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１４】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１５】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１６】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１７】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１８】本発明による実施例１の液晶表示装置の第１
基板の製造工程を説明するための断面図。
基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１９】本発明による実施例１の液晶表示装置を示す
平面図。
平面図。
【図２０】本発明による実施例１の液晶表示装置を示す
平面図。
平面図。
【図２１】図１９のIV −IV´線に沿った断面図。
【図２２】本発明の実施例２による液晶表示装置を示す
断面図。
断面図。
２ 第２基板 ３、１０３ 第１基板 ４、１０４ 画素電極 ８、１０８ 薄膜トランジスタ １０、１１０ ブラックマトリクス １１、１１１ 配向膜 １５、１１５ データバス配線 １５ａ、１１５ａ ソース電極 １５ｂ、１１５ｂ ドレイン電極 １７、１１７ ゲートバス配線 １７ａ、１１７ｂ ゲート電極 １５、１１５ データバス配線 １５ａ、１１５ａ ソース電極 １５ｂ、１１５ｂ ドレイン電極 ２２、１２２ 半導体層 ２３、１２３ ゲート絶縁層 ２５、１２５ 不純物半導体層 ２６、１２６ 無機保護膜 ３７ カラーフィルタ層 ４０ 液晶物質 １５６ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キム、ジォン ヒュン 大韓民国京機道安養市東安区虎渓洞533番 地 エルジー電子株式会社第１研究団地Ｌ ＣＤ研究所内 (72)発明者 林 京男 大韓民国京機道安養市東安区虎渓洞533番 地 エルジー電子株式会社第１研究団地Ｌ ＣＤ研究所内
Claims (31)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極
を有するトランジスタと、 前記トランジスタ上の保護層と、 前記トランジスタ上の前記保護層の一部分上の光遮断層
と、 前記光遮断層及び前記保護層上に形成され、前記ソース
電極、又は前記ドレイン電極の上にコンタクトホールを
有する平坦化層と、 前記平坦化層上に形成され、前記コンタクトホールを通
して前記ソース電極、又は前記ドレイン電極に接触され
る画素電極と、 前記画素電極上の配向層と、から構成されることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記基板上にゲートバス配線及びデータ
バス配線が加えて構成され、前記ゲートバス配線は前記
トランジスタの前記ゲート電極に連結され、前記データ
バス配線は前記ソース電極、又は前記ドレイン電極に連
結され、前記光遮断層は前記ゲートバス配線及び前記デ
ータバス配線を覆うことを特徴とする請求項１記載の液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記画素電極の一部分は、前記データバ
ス配線及び前記ゲートバス配線に選択的に重畳されるこ
とを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記平坦化膜は、有機絶縁物質であるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記有機絶縁物質は、ベンゾシクロブテ
ンを含むことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記平坦化膜は、ガラス基板上にスピン
塗布された物質を含むことを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記保護層は、無機絶縁層を含むことを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記無機絶縁層は、SiNx、又はSiO2であ
ることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記平坦化膜は、ガラス基板上にスピン
塗布された物質を含むことを特徴とする請求項７記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記平坦化膜は、有機絶縁物質を含む
ことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記有機絶縁物質は、ベンゾシクロブ
テンを含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１２】 基板上にゲート電極、ドレイン電極及
びソース電極を有するトランジスタを形成する段階と、 前記トランジスタ上に光遮断層を形成する段階と、 前記光遮断層を含む前記基板の全表面上に平坦化層を形
成する段階と、 そして、前記平坦化層上に配向層を形成する段階を含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記光遮断層の形成段階の前に、前記
トランジスタ上に保護層を加えて形成することを特徴と
する請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記保護層は、SiNx、又はSiO2である
ことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 前記平坦化層は、有機絶縁物質を含む
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１６】 前記有機絶縁物質は、ベンゾシクロブ
テンを含むことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記平坦化層は、ガラス基板上にスピ
ン塗布された物質を含むことを特徴とする請求項１２記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記基板上に前記トランジスタの前記
ゲート電極に連結されるゲートバス配線を形成する段階
と、 前記基板上に前記ソース電極、又前記ドレイン電極に連
結されるデータバス配線を形成する段階を加えて含み、 前記光遮断層は、前記ゲートバス配線及び前記データバ
ス配線も覆うように形成することを特徴とする請求項１
２記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記配向層の形成段階の前に、前記平
坦化層上に前記ソース電極、又はドレイン電極に連結さ
れる画素電極を加えて形成することを特徴とする請求項
１８記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記画素電極の一部分は、前記データ
バス配線及び前記ゲートバス配線に選択的に重畳される
ように形成することを特徴とする請求項１９記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項２１】 基板と、 前記基板の上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電
極を有するトランジスタと、 前記ソース電極、又はドレイン電極に接触する画素電極
と、 前記トランジスタ及び前記画素電極上の保護層と、 前記トランジスタ上の前記保護層の一部分上の光遮断層
と、 前記光遮断層及び前記保護層上の平坦化層と、 前記平坦化層上の配向層と、から構成されることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２２】 前記基板上にゲートバス配線及びデー
タバス配線が加えて構成され、前記ゲートバス配線は前
記トランジスタの前記ゲート電極に連結され、前記デー
タバス配線は前記ソース電極、又は前記ドレイン電極に
連結され、前記光遮断層は前記ゲートバス配線及び前記
データバス配線を覆うことを特徴とする請求項２１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項２３】 前記画素電極の一部分は、前記データ
バス配線及び前記ゲートバス配線中に選択的に重畳され
ることを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。 - 【請求項２４】 前記平坦化膜は、有機絶縁物質である
ことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。 - 【請求項２５】 前記有機絶縁物質は、ベンゾシクロブ
テンを含むことを特徴とする請求項２４記載の液晶表示
装置。 - 【請求項２６】 前記平坦化層は、ガラス基板上にスピ
ン塗布された物質を含むことを特徴とする請求項２１記
載の液晶表示装置。 - 【請求項２７】 前記保護層は、無機絶縁層を含むこと
を特徴とする、請求項２１記載の液晶表示装置。 - 【請求項２８】 前記無機絶縁層は、SiNx、又はSiO2で
あることを特徴とする請求項２７記載の液晶表示装置。 - 【請求項２９】 前記平坦化層は、ガラス基板上にスピ
ン塗布された物質を含むことを特徴とする請求項２７記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３０】 前記平坦化層は、有機絶縁物質を含む
ことを特徴とする請求項２７記載の液晶表示装置。 - 【請求項３１】 前記有機絶縁物質は、ベンゾシクロブ
テンを含むことを特徴とする請求項３０記載の液晶表示
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960036947A KR100244450B1 (ko) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조 되는 기판의 구조 |
| KR1996-36947 | 1996-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1096963A true JPH1096963A (ja) | 1998-04-14 |
| JP4374084B2 JP4374084B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=19471838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24479697A Expired - Lifetime JP4374084B2 (ja) | 1996-08-30 | 1997-08-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4374084B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244450B1 (ja) |
| DE (1) | DE19737372C2 (ja) |
| FR (1) | FR2752988B1 (ja) |
| GB (1) | GB2316793B (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2752988B1 (fr) | 2002-09-27 |
| GB2316793B (en) | 1999-07-21 |
| GB9716573D0 (en) | 1997-10-08 |
| DE19737372C2 (de) | 2002-04-25 |
| FR2752988A1 (fr) | 1998-03-06 |
| KR100244450B1 (ko) | 2000-02-01 |
| GB2316793A (en) | 1998-03-04 |
| KR19980017194A (ko) | 1998-06-05 |
| DE19737372A1 (de) | 1998-03-05 |
| JP4374084B2 (ja) | 2009-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 19990930 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A625 | Written request for application examination (by other person) |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040430 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060905 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060908 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090901 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090907 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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