JPH1097054A - 立体フォトマスクの製造方法 - Google Patents
立体フォトマスクの製造方法Info
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- JPH1097054A JPH1097054A JP24979396A JP24979396A JPH1097054A JP H1097054 A JPH1097054 A JP H1097054A JP 24979396 A JP24979396 A JP 24979396A JP 24979396 A JP24979396 A JP 24979396A JP H1097054 A JPH1097054 A JP H1097054A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路形成しようとする基体に被着して用いる
立体フォトマスクの製造方法であって、該基体が複雑な
形状の立体基体であっても、簡単に、高精度に、耐久性
良好に立体フォトマスクを製造できる方法を提供する。 【解決手段】 回路形成すべき３次元面１１を有する基
体１を成形するための成形用型２を用いて仮型３Ａ（又
は３Ｂ）を成形する工程と、仮型３Ａ（３Ｂ）におけ
る、基体１の回路形成すべき３次元面１１に対応する面
ａ（ｂ）に該回路に応じた遮光パターンＰを形成する工
程と、該仮型の少なくとも遮光パターンＰを形成した領
域部分を溶融又は軟化した透光性樹脂８Ａ（８Ｂ）に接
触させて該樹脂を硬化させるとともに該樹脂に遮光パタ
ーンＰを転写し保持させる工程と、仮型３Ａ（３Ｂ）を
除去する工程とを含む立体フォトマスクＡ（Ｂ）の製造
方法。
立体フォトマスクの製造方法であって、該基体が複雑な
形状の立体基体であっても、簡単に、高精度に、耐久性
良好に立体フォトマスクを製造できる方法を提供する。 【解決手段】 回路形成すべき３次元面１１を有する基
体１を成形するための成形用型２を用いて仮型３Ａ（又
は３Ｂ）を成形する工程と、仮型３Ａ（３Ｂ）におけ
る、基体１の回路形成すべき３次元面１１に対応する面
ａ（ｂ）に該回路に応じた遮光パターンＰを形成する工
程と、該仮型の少なくとも遮光パターンＰを形成した領
域部分を溶融又は軟化した透光性樹脂８Ａ（８Ｂ）に接
触させて該樹脂を硬化させるとともに該樹脂に遮光パタ
ーンＰを転写し保持させる工程と、仮型３Ａ（３Ｂ）を
除去する工程とを含む立体フォトマスクＡ（Ｂ）の製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路形成基体の製作
に用いる立体フォトマスクの製造方法に関する。
に用いる立体フォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高密度化、省
資源化の要求から三次元形状を有する立体回路形成基体
が提案されており、そのための基体に立体回路パターン
を形成する方法として、平面回路基板において汎用され
ているフォトレジスト法を応用した手段が提案されてい
る。
資源化の要求から三次元形状を有する立体回路形成基体
が提案されており、そのための基体に立体回路パターン
を形成する方法として、平面回路基板において汎用され
ているフォトレジスト法を応用した手段が提案されてい
る。
【０００３】中でも量産性に優れた方法として、基体の
回路形成すべき３次元面に対応した内表面を有する透光
性樹脂材料製のマスクに遮光性パターンを形成してなる
立体フォトマスクを用いる方法が提案されている（特開
平２−２５１９５９号公報参照）。そして、立体フォト
マスクの製造方法として、あらかじめ形成された回路形
成用樹脂成形品を所定の型内にセットし、該型内に紫外
線透過型の樹脂を注入し、該樹脂を固化して前記回路形
成用樹脂成形品表面に適合する面を有する成形体を形成
し、この成形体を型から取り出し、次いで該成形体の前
記適合面上に紫外線不透過性塗膜を形成し、この紫外線
不透過性塗膜に、樹脂成形品に形成すべき回路パターン
に応じたパターンを刻設し、この刻設部分で前記成形体
を露出させて紫外線透過可能とする立体フォトマスクの
製造方法が提案されている（特開平３−２８８４９２号
公報参照）。このマスク製造方法は、立体フォトマスク
の製造に際して、新規に金型を製造する必要のない点及
び回路形成すべき樹脂成形品との整合性が良好な点で優
れている。
回路形成すべき３次元面に対応した内表面を有する透光
性樹脂材料製のマスクに遮光性パターンを形成してなる
立体フォトマスクを用いる方法が提案されている（特開
平２−２５１９５９号公報参照）。そして、立体フォト
マスクの製造方法として、あらかじめ形成された回路形
成用樹脂成形品を所定の型内にセットし、該型内に紫外
線透過型の樹脂を注入し、該樹脂を固化して前記回路形
成用樹脂成形品表面に適合する面を有する成形体を形成
し、この成形体を型から取り出し、次いで該成形体の前
記適合面上に紫外線不透過性塗膜を形成し、この紫外線
不透過性塗膜に、樹脂成形品に形成すべき回路パターン
に応じたパターンを刻設し、この刻設部分で前記成形体
を露出させて紫外線透過可能とする立体フォトマスクの
製造方法が提案されている（特開平３−２８８４９２号
公報参照）。このマスク製造方法は、立体フォトマスク
の製造に際して、新規に金型を製造する必要のない点及
び回路形成すべき樹脂成形品との整合性が良好な点で優
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この立
体フォトマスクの製造方法によると、回路成形用樹脂成
形品の形状が複雑な場合、前記のように該樹脂成形品を
所定の型内にセットし、該型内に紫外線透過型の樹脂を
注入し、該樹脂を固化して成形体を形成し、これを該型
から取り出すとき、その取り出しが困難であるという問
題がある。
体フォトマスクの製造方法によると、回路成形用樹脂成
形品の形状が複雑な場合、前記のように該樹脂成形品を
所定の型内にセットし、該型内に紫外線透過型の樹脂を
注入し、該樹脂を固化して成形体を形成し、これを該型
から取り出すとき、その取り出しが困難であるという問
題がある。
【０００５】また、取り出した成形体に設けた紫外線不
透過性塗膜に、樹脂成形品に形成すべき回路パターンに
応じたパターンを刻設するとき、複雑な立体形状を有す
るパターンを高精度に刻設するのは困難であり、さらに
刻設部分の耐久性が劣るという問題がある。そこで本発
明は、回路形成しようとする基体に被着して用いる立体
フォトマスクの製造方法であって、該基体が複雑な形状
の立体基体であっても、簡単に、高精度に、耐久性良好
に立体フォトマスクを製造できる方法を提供することを
課題とする。
透過性塗膜に、樹脂成形品に形成すべき回路パターンに
応じたパターンを刻設するとき、複雑な立体形状を有す
るパターンを高精度に刻設するのは困難であり、さらに
刻設部分の耐久性が劣るという問題がある。そこで本発
明は、回路形成しようとする基体に被着して用いる立体
フォトマスクの製造方法であって、該基体が複雑な形状
の立体基体であっても、簡単に、高精度に、耐久性良好
に立体フォトマスクを製造できる方法を提供することを
課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の立体フォトマスクの製造方法は、回路形成すべき３
次元面を有する基体を成形するための成形用型を用いて
仮型を成形する工程と、該仮型における、前記基体の回
路形成すべき３次元面に対応する面に該回路に応じた遮
光パターンを形成する工程と、該仮型の少なくとも遮光
パターンを形成した領域部分を溶融又は軟化した透光性
樹脂に接触させて該樹脂を硬化させるとともに該樹脂に
前記遮光パターンを転写し保持させる工程と、前記仮型
を除去する工程とを含むことを特徴としている。
明の立体フォトマスクの製造方法は、回路形成すべき３
次元面を有する基体を成形するための成形用型を用いて
仮型を成形する工程と、該仮型における、前記基体の回
路形成すべき３次元面に対応する面に該回路に応じた遮
光パターンを形成する工程と、該仮型の少なくとも遮光
パターンを形成した領域部分を溶融又は軟化した透光性
樹脂に接触させて該樹脂を硬化させるとともに該樹脂に
前記遮光パターンを転写し保持させる工程と、前記仮型
を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【０００７】本発明の立体フォトマスクの製造方法によ
ると、仮型は、別途金型を準備する必要なく、回路形成
すべき３次元面を有する基体を成形するための成形用型
を用いて射出成形、プレス成形等により成形されるの
で、簡単に精度良く得られる。この高精度の仮型上の遮
光パターンは後述するように簡単に、精度良く形成でき
る。
ると、仮型は、別途金型を準備する必要なく、回路形成
すべき３次元面を有する基体を成形するための成形用型
を用いて射出成形、プレス成形等により成形されるの
で、簡単に精度良く得られる。この高精度の仮型上の遮
光パターンは後述するように簡単に、精度良く形成でき
る。
【０００８】そしてかかる仮型の少なくとも遮光パター
ンを形成した領域部分を溶融又は軟化した透光性樹脂に
接触させて該樹脂を硬化させ、このとき同時に該樹脂に
遮光パターンを転写し保持させる。そのあと仮型を除去
することで、高精度で耐久性良好な立体フォトマスクが
得られる。前記仮型に関してしは、代表例として次の事
項を挙げることができる。すなわち、 前記仮型を加熱により溶融する熱溶融性材料から成形
し、前記仮型の除去工程では該仮型を加熱溶融させて除
去する。 前記仮型を溶剤可溶性材料で成形し、前記仮型の除去
工程では該仮型を溶剤で溶かして除去する。
ンを形成した領域部分を溶融又は軟化した透光性樹脂に
接触させて該樹脂を硬化させ、このとき同時に該樹脂に
遮光パターンを転写し保持させる。そのあと仮型を除去
することで、高精度で耐久性良好な立体フォトマスクが
得られる。前記仮型に関してしは、代表例として次の事
項を挙げることができる。すなわち、 前記仮型を加熱により溶融する熱溶融性材料から成形
し、前記仮型の除去工程では該仮型を加熱溶融させて除
去する。 前記仮型を溶剤可溶性材料で成形し、前記仮型の除去
工程では該仮型を溶剤で溶かして除去する。
【０００９】仮型材料としての熱溶融性材料としては、
熱溶融性の樹脂、中でもワックス等の低融点樹脂であっ
て特に融点７０℃〜１００℃程度の樹脂が好適である。
また、仮型材料としての溶剤可溶性材料としては、溶媒
易溶性の材料、例えば変成ＰＰＥ樹脂（変成ポリフェニ
レンエーテル）、スチレン樹脂等を挙げることができ、
二種以上を併用してもよい。これらの樹脂を溶解する溶
剤としては、キシレン等の有機溶剤等を挙げることがで
きる。
熱溶融性の樹脂、中でもワックス等の低融点樹脂であっ
て特に融点７０℃〜１００℃程度の樹脂が好適である。
また、仮型材料としての溶剤可溶性材料としては、溶媒
易溶性の材料、例えば変成ＰＰＥ樹脂（変成ポリフェニ
レンエーテル）、スチレン樹脂等を挙げることができ、
二種以上を併用してもよい。これらの樹脂を溶解する溶
剤としては、キシレン等の有機溶剤等を挙げることがで
きる。
【００１０】仮型上の遮光パターンは、金属箔、金属
板、各種遮光性樹脂乃至塗料（遮光可能に着色したもの
を含む）等の材料で形成できるが、いずれにしても、前
記透光性樹脂に転写され、保持されることが可能で、仮
型を加熱、溶剤等により除去するときに損傷しない材料
で形成する。いずれにしても耐久性の観点からは金属材
で形成することが望ましい。
板、各種遮光性樹脂乃至塗料（遮光可能に着色したもの
を含む）等の材料で形成できるが、いずれにしても、前
記透光性樹脂に転写され、保持されることが可能で、仮
型を加熱、溶剤等により除去するときに損傷しない材料
で形成する。いずれにしても耐久性の観点からは金属材
で形成することが望ましい。
【００１１】遮光パターンの形成方法は特に制限はな
く、遮光性樹脂等（遮光性ペースト等）の塗布、メッ
キ、遮光性部材の接着等の方法で行うことができる。遮
光性ペースト等の塗布による場合は、回路形成すべき基
体の３次元面に対応する仮型上の部分に、該回路に応じ
て透光させたい部分にテープ等を用いてマスキングを行
い、筆等でペーストを塗布し乾燥させた後マスキングテ
ープを剥離する方法（手書き法）等の手法を用いること
ができる。
く、遮光性樹脂等（遮光性ペースト等）の塗布、メッ
キ、遮光性部材の接着等の方法で行うことができる。遮
光性ペースト等の塗布による場合は、回路形成すべき基
体の３次元面に対応する仮型上の部分に、該回路に応じ
て透光させたい部分にテープ等を用いてマスキングを行
い、筆等でペーストを塗布し乾燥させた後マスキングテ
ープを剥離する方法（手書き法）等の手法を用いること
ができる。
【００１２】メッキにより製造する場合は、予め仮型の
全面に化学メッキ、電解メッキ等によりメッキを施した
後、レジスト液に浸漬させる等の方法で全面若しくは一
部面にレジスト被膜を設け、次いで平面フォトマスクを
用いたオフコンタクト法（平行光を用いて角度を変えて
複数回繰り返し露光を行う方法）や、手書き法等により
フォトマスクを施し、露光、現像、エッチングを行う等
の方法を用いることができる。
全面に化学メッキ、電解メッキ等によりメッキを施した
後、レジスト液に浸漬させる等の方法で全面若しくは一
部面にレジスト被膜を設け、次いで平面フォトマスクを
用いたオフコンタクト法（平行光を用いて角度を変えて
複数回繰り返し露光を行う方法）や、手書き法等により
フォトマスクを施し、露光、現像、エッチングを行う等
の方法を用いることができる。
【００１３】接着により製造する場合は、片面に接着剤
を塗布した金属膜等の金属部材を細帯状に加工し、仮型
の遮光パターンを形成すべき部分に所望のパターンを形
成するように該細帯状金属部材を接着する方法等を用い
ることができる。いずれかの手法により遮光パターンを
精度良く形成できる。なお、前記遮光パターンを形成す
るに先立って該パターンを形成すべき仮型面に、回路形
成のための光照射に先立って前記基体上に形成される回
路形成前駆体層（例えば導電性膜とその上に形成された
レジスト膜からなる層）の厚さと略同厚さの厚さ代用膜
を形成し、該厚さ代用膜上に前記遮光パターンを形成
し、前記仮型除去工程のあとに、該厚さ代用膜を除去す
るようにしてもよい。これにより、立体フォトマスク寸
法を回路形成すべき基体であって回路形成前駆体層を設
けたものに近似させることができ、かかる基体に立体フ
ォトマスクを寸法精度よく被着することができる。この
場合、かかる厚さ代用膜は、銀や銅等の金属、エポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリメチルメタクリレート系樹
脂等の光硬化性樹脂等の材料でメッキやペースト塗布等
により形成できる。厚さについては、一般的な回路形成
前駆体層の厚さからして、１５〜１３０μｍ程度の厚さ
代用膜を設けておいてもよい。またかかる厚さ代用膜を
形成する場合、前記仮型材料として熱溶融性材料を採用
するときに該厚さ代用膜を該仮型材料より耐熱性に優れ
た材料を用いて形成したり、前記仮型材料として溶剤可
溶性材料を採用するときに該厚さ代用膜を該仮型材料よ
り耐溶剤性のある材料を用いて形成することができ、そ
うすると、仮型溶融除去時に遮光パターンを効果的に保
護することができる。該厚さ代用膜は、エッチング等に
より容易に除去することができる。
を塗布した金属膜等の金属部材を細帯状に加工し、仮型
の遮光パターンを形成すべき部分に所望のパターンを形
成するように該細帯状金属部材を接着する方法等を用い
ることができる。いずれかの手法により遮光パターンを
精度良く形成できる。なお、前記遮光パターンを形成す
るに先立って該パターンを形成すべき仮型面に、回路形
成のための光照射に先立って前記基体上に形成される回
路形成前駆体層（例えば導電性膜とその上に形成された
レジスト膜からなる層）の厚さと略同厚さの厚さ代用膜
を形成し、該厚さ代用膜上に前記遮光パターンを形成
し、前記仮型除去工程のあとに、該厚さ代用膜を除去す
るようにしてもよい。これにより、立体フォトマスク寸
法を回路形成すべき基体であって回路形成前駆体層を設
けたものに近似させることができ、かかる基体に立体フ
ォトマスクを寸法精度よく被着することができる。この
場合、かかる厚さ代用膜は、銀や銅等の金属、エポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリメチルメタクリレート系樹
脂等の光硬化性樹脂等の材料でメッキやペースト塗布等
により形成できる。厚さについては、一般的な回路形成
前駆体層の厚さからして、１５〜１３０μｍ程度の厚さ
代用膜を設けておいてもよい。またかかる厚さ代用膜を
形成する場合、前記仮型材料として熱溶融性材料を採用
するときに該厚さ代用膜を該仮型材料より耐熱性に優れ
た材料を用いて形成したり、前記仮型材料として溶剤可
溶性材料を採用するときに該厚さ代用膜を該仮型材料よ
り耐溶剤性のある材料を用いて形成することができ、そ
うすると、仮型溶融除去時に遮光パターンを効果的に保
護することができる。該厚さ代用膜は、エッチング等に
より容易に除去することができる。
【００１４】前記仮型と透光性樹脂との接触について
は、簡易な方法として、容器に収納され、溶融又は軟化
状態にある透光性樹脂に前記仮型の少なくとも前記遮光
パターンを形成した領域部分を押し込む方法を例示でき
る。本発明の立体フォトマスクの主体材料、すなわち、
前記仮型の少なくとも遮光パターンを形成した領域部分
を溶融又は軟化した透光性樹脂に接触させて該樹脂を硬
化させるとともに該樹脂に前記遮光パターンを転写し保
持させる工程を実施するときの該透光性樹脂は、溶融又
は軟化し得る透光性の樹脂であって、溶融又は軟化状態
から加熱、冷却、紫外線照射もしくは化学反応等により
硬化し得る樹脂であり、且つ、フォトレジストを露光可
能な紫外線、可視光、電子ビーム、Ｘ線等（本明細書で
はこれらを「光線」と総称する。）に対して透過性を有
する樹脂である。また、前記仮型材料として熱溶融性材
料を採用するときには該仮型材料より耐熱性に優れた樹
脂が好ましく、前記仮型材料として溶剤可溶性材料を採
用するときに該仮型材料より耐溶剤性のある樹脂が好ま
しい。また、好ましくはメッキ性を有するものがよい。
具体例としては、エポキシ樹脂、弾性エポキシ樹脂、透
明シリコン樹脂、変成シリコン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、メチルメタクリルアミド等を挙げることができ
る。
は、簡易な方法として、容器に収納され、溶融又は軟化
状態にある透光性樹脂に前記仮型の少なくとも前記遮光
パターンを形成した領域部分を押し込む方法を例示でき
る。本発明の立体フォトマスクの主体材料、すなわち、
前記仮型の少なくとも遮光パターンを形成した領域部分
を溶融又は軟化した透光性樹脂に接触させて該樹脂を硬
化させるとともに該樹脂に前記遮光パターンを転写し保
持させる工程を実施するときの該透光性樹脂は、溶融又
は軟化し得る透光性の樹脂であって、溶融又は軟化状態
から加熱、冷却、紫外線照射もしくは化学反応等により
硬化し得る樹脂であり、且つ、フォトレジストを露光可
能な紫外線、可視光、電子ビーム、Ｘ線等（本明細書で
はこれらを「光線」と総称する。）に対して透過性を有
する樹脂である。また、前記仮型材料として熱溶融性材
料を採用するときには該仮型材料より耐熱性に優れた樹
脂が好ましく、前記仮型材料として溶剤可溶性材料を採
用するときに該仮型材料より耐溶剤性のある樹脂が好ま
しい。また、好ましくはメッキ性を有するものがよい。
具体例としては、エポキシ樹脂、弾性エポキシ樹脂、透
明シリコン樹脂、変成シリコン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、メチルメタクリルアミド等を挙げることができ
る。
【００１５】これらの樹脂の中でも伸縮可能の弾性を有
する透光性樹脂が望ましい。例えば弾性エポキシ樹脂や
変成シリコン樹脂等は透光性に優れ、伸縮可能な弾性を
有しているため、これを用いて本発明方法により作られ
る立体フォトマスクを回路形成すべき基体へその伸縮弾
性を利用して容易に、確実に密着するように被せ着ける
ことができ、それにより遮光パターンを回路形成すべき
３次元面に密着させて精度の高い露光処理を実施でき、
また被せ着ける際の破損が生じ難いため一層耐久性の優
れた立体フォトマスクを提供できる。
する透光性樹脂が望ましい。例えば弾性エポキシ樹脂や
変成シリコン樹脂等は透光性に優れ、伸縮可能な弾性を
有しているため、これを用いて本発明方法により作られ
る立体フォトマスクを回路形成すべき基体へその伸縮弾
性を利用して容易に、確実に密着するように被せ着ける
ことができ、それにより遮光パターンを回路形成すべき
３次元面に密着させて精度の高い露光処理を実施でき、
また被せ着ける際の破損が生じ難いため一層耐久性の優
れた立体フォトマスクを提供できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
説明する。図１（Ａ）は本発明方法により製作した立体
フォトマスクＡの断面図である。図１（Ｂ）は本発明方
法により製作した立体フォトマスクＢの断面図である。
図２は回路形成すべき３次元面１１を有する合成樹脂製
の中空立体基体１の斜視図である。
説明する。図１（Ａ）は本発明方法により製作した立体
フォトマスクＡの断面図である。図１（Ｂ）は本発明方
法により製作した立体フォトマスクＢの断面図である。
図２は回路形成すべき３次元面１１を有する合成樹脂製
の中空立体基体１の斜視図である。
【００１７】図１に示す立体フォトマスクＡ、Ｂは、透
明の、伸縮可能な弾性を有する樹脂を主体とするもの
で、基体１の回路形成すべき３次元面１１に被着可能な
立体形状に形成されており、該３次元面１１に当てがわ
れる内面ａ、ｂには遮光パターンＰが該内面と面位置が
一致する状態で形成されている。以下、かかる立体フォ
トマスクＡ、Ｂを製造する本発明方法の実施例について
説明する。 実施例１（立体フォトマスクＡの製造） （１） 立体基体１を射出成形する射出成形用金型２を
用いるとともに成形材料として融点８０℃のワックスを
用い、基体１と同形状寸法のワックス製仮型３Ａを成形
した（図３参照）。 （２） 仮型３Ａの全面に厚さ６０μｍの銅膜４を化学
メッキ法及び電解メッキ法により形成した（図４参
照）。 （３） 該銅膜４の全面にレジストを塗布してレジスト
膜５を形成した（図５参照）。 （４） 該レジスト膜５の一面に対し、前記基体１に形
成する回路パターンの一部に対応する遮光パターンを有
する平面フォトマスク６１を配置し、このマスク６１の
上から該マスクに垂直なレジスト露光用平行光Ｌを照射
し、引き続きレジスト膜５の前記一面に連なるもう一つ
の面に対し、前記基体１に形成する回路パターンの残部
に対応する遮光パターンを有する平面フォトマスク６２
を配置し、このマスク６２の上から該マスクに垂直なレ
ジスト露光用平行光Ｌを照射した（図６参照）。 （５） レジスト膜５の未露光部分をレジスト溶剤で溶
かし流した（図７参照）。 （６） 全体を銅用エッチング液に浸漬して銅膜４のう
ちレジスト膜で覆われていない部分をエッチングし（図
８参照）、引き続き、残留しているレジスト５１を露光
レジスト用エッチング液でエッチング除去した（図９参
照）。
明の、伸縮可能な弾性を有する樹脂を主体とするもの
で、基体１の回路形成すべき３次元面１１に被着可能な
立体形状に形成されており、該３次元面１１に当てがわ
れる内面ａ、ｂには遮光パターンＰが該内面と面位置が
一致する状態で形成されている。以下、かかる立体フォ
トマスクＡ、Ｂを製造する本発明方法の実施例について
説明する。 実施例１（立体フォトマスクＡの製造） （１） 立体基体１を射出成形する射出成形用金型２を
用いるとともに成形材料として融点８０℃のワックスを
用い、基体１と同形状寸法のワックス製仮型３Ａを成形
した（図３参照）。 （２） 仮型３Ａの全面に厚さ６０μｍの銅膜４を化学
メッキ法及び電解メッキ法により形成した（図４参
照）。 （３） 該銅膜４の全面にレジストを塗布してレジスト
膜５を形成した（図５参照）。 （４） 該レジスト膜５の一面に対し、前記基体１に形
成する回路パターンの一部に対応する遮光パターンを有
する平面フォトマスク６１を配置し、このマスク６１の
上から該マスクに垂直なレジスト露光用平行光Ｌを照射
し、引き続きレジスト膜５の前記一面に連なるもう一つ
の面に対し、前記基体１に形成する回路パターンの残部
に対応する遮光パターンを有する平面フォトマスク６２
を配置し、このマスク６２の上から該マスクに垂直なレ
ジスト露光用平行光Ｌを照射した（図６参照）。 （５） レジスト膜５の未露光部分をレジスト溶剤で溶
かし流した（図７参照）。 （６） 全体を銅用エッチング液に浸漬して銅膜４のう
ちレジスト膜で覆われていない部分をエッチングし（図
８参照）、引き続き、残留しているレジスト５１を露光
レジスト用エッチング液でエッチング除去した（図９参
照）。
【００１８】かくして、基体１の３次元面１１に形成す
べき回路に対応する遮光パターンＰを有する仮型３０Ａ
を得た。 （７） 一方、容器（型）７に溶融させたシリコン変成
エポキシ樹脂８Ａを所定量入れ、この溶融樹脂８Ａに、
仮型３０Ａをその遮光パターンＰが該樹脂に接触するよ
うに向けて押し込み、該溶融樹脂８Ａを仮型３０Ａの周
側面まで排除押し上げし、この状態で該樹脂の室温下に
おける硬化を待った（図１０参照）。 （８） 樹脂８Ａが硬化したあと、仮型３０Ａとともに
容器７から外し出し（図１１参照）、これら全体を８０
℃以上、且つ、樹脂８Ａが損傷しない程度に加熱して仮
型３０Ａのワックス部分３Ａを溶融させて除去し（図１
２参照）、図１（Ａ）に示す立体フォトマスクＡを得
た。 実施例２（立体フォトマスクＢの製造方法） 実施例１の前記工程（１）において、成形材料とし
てワックスに代え、ＰＰＥ（ポリフエニレンエーテル）
を用い、基体１と同形状寸法の仮型３Ｂを射出成形した
（図３参照）。 仮型３Ｂの全面に厚さ６０μｍの銅膜４を化学メッ
キ法及び電解メッキ法により形成した（図４参照）。 実施例１の工程（３）〜（６）と同様にフォトイメ
ージング法により、基体１の３次元面１１に形成すべき
回路に対応する遮光パターンＰを有する仮型３０Ｂを得
た（図５〜図９参照）。 一方、容器（型）７に溶融させたウレタン変成エポ
キシ樹脂８Ｂを所定量入れ、この溶融樹脂８Ｂに、仮型
３０Ｂをその遮光パターンＰが該樹脂に接触するように
向けて押し込み、該溶融樹脂８Ｂを仮型３０Ｂの周側面
まで排除押し上げし、この状態で室温下に略２４時間放
置して該樹脂の硬化を待った（図１０参照）。 樹脂８Ｂが硬化したあと、仮型３０Ｂとともに容器
７から取り出し（図１１参照）、該仮型の樹脂部分３Ｂ
をキシレンで溶融させて除去し（図１２参照）、図１
（Ｂ）に示す立体フォトマスクＢを得た。 立体フォトマスクＡ、Ｂはいずれも例えば次のように用
いられる。
べき回路に対応する遮光パターンＰを有する仮型３０Ａ
を得た。 （７） 一方、容器（型）７に溶融させたシリコン変成
エポキシ樹脂８Ａを所定量入れ、この溶融樹脂８Ａに、
仮型３０Ａをその遮光パターンＰが該樹脂に接触するよ
うに向けて押し込み、該溶融樹脂８Ａを仮型３０Ａの周
側面まで排除押し上げし、この状態で該樹脂の室温下に
おける硬化を待った（図１０参照）。 （８） 樹脂８Ａが硬化したあと、仮型３０Ａとともに
容器７から外し出し（図１１参照）、これら全体を８０
℃以上、且つ、樹脂８Ａが損傷しない程度に加熱して仮
型３０Ａのワックス部分３Ａを溶融させて除去し（図１
２参照）、図１（Ａ）に示す立体フォトマスクＡを得
た。 実施例２（立体フォトマスクＢの製造方法） 実施例１の前記工程（１）において、成形材料とし
てワックスに代え、ＰＰＥ（ポリフエニレンエーテル）
を用い、基体１と同形状寸法の仮型３Ｂを射出成形した
（図３参照）。 仮型３Ｂの全面に厚さ６０μｍの銅膜４を化学メッ
キ法及び電解メッキ法により形成した（図４参照）。 実施例１の工程（３）〜（６）と同様にフォトイメ
ージング法により、基体１の３次元面１１に形成すべき
回路に対応する遮光パターンＰを有する仮型３０Ｂを得
た（図５〜図９参照）。 一方、容器（型）７に溶融させたウレタン変成エポ
キシ樹脂８Ｂを所定量入れ、この溶融樹脂８Ｂに、仮型
３０Ｂをその遮光パターンＰが該樹脂に接触するように
向けて押し込み、該溶融樹脂８Ｂを仮型３０Ｂの周側面
まで排除押し上げし、この状態で室温下に略２４時間放
置して該樹脂の硬化を待った（図１０参照）。 樹脂８Ｂが硬化したあと、仮型３０Ｂとともに容器
７から取り出し（図１１参照）、該仮型の樹脂部分３Ｂ
をキシレンで溶融させて除去し（図１２参照）、図１
（Ｂ）に示す立体フォトマスクＢを得た。 立体フォトマスクＡ、Ｂはいずれも例えば次のように用
いられる。
【００１９】すなわち、射出成形金型２により合成樹脂
材料を用いて射出成形した立体基体１の回路形成すべき
３次元面１１に、図１３に示すように、メッキ法等によ
り例えば銅製の導電性膜１２を形成し、この膜１２上に
レジスト膜１３を形成して、これらの膜で光照射前の回
路形成前駆体層１０を形成し、この前駆体層１０の上か
ら立体フォトマスクＡ又はＢを被着する。そして、該マ
スクＡ又はＢのうえから光照射し、該マスクにおける遮
光パターンを除く部分を通過する光でレジスト膜１３を
露光する。以後はマスクＡ（又はＢ）が基体１から取り
外され、基体１については未露光レジストの除去、レジ
スト除去により現れた導電性膜部分のエッチング、及び
露光レジスト部分の除去により所定の回路が３次元面１
１に形成された基体１が得られる。
材料を用いて射出成形した立体基体１の回路形成すべき
３次元面１１に、図１３に示すように、メッキ法等によ
り例えば銅製の導電性膜１２を形成し、この膜１２上に
レジスト膜１３を形成して、これらの膜で光照射前の回
路形成前駆体層１０を形成し、この前駆体層１０の上か
ら立体フォトマスクＡ又はＢを被着する。そして、該マ
スクＡ又はＢのうえから光照射し、該マスクにおける遮
光パターンを除く部分を通過する光でレジスト膜１３を
露光する。以後はマスクＡ（又はＢ）が基体１から取り
外され、基体１については未露光レジストの除去、レジ
スト除去により現れた導電性膜部分のエッチング、及び
露光レジスト部分の除去により所定の回路が３次元面１
１に形成された基体１が得られる。
【００２０】マスクＡ（Ｂ）は基体１を成形する金型２
で成形された仮型３Ａ（３Ｂ）を基にして安価に簡単に
形成される。また、基体１を成形する金型２で成形され
た仮型３Ａ（３Ｂ）を基にして形成されているため全体
の寸法精度が良好で、基体１に整合性よく被着すること
ができ、基体１に対し遮光パターンＰを位置精度よく配
置することができるとともに、基体１に対する着脱時の
損傷も抑制でき、この点で耐久性良好である。
で成形された仮型３Ａ（３Ｂ）を基にして安価に簡単に
形成される。また、基体１を成形する金型２で成形され
た仮型３Ａ（３Ｂ）を基にして形成されているため全体
の寸法精度が良好で、基体１に整合性よく被着すること
ができ、基体１に対し遮光パターンＰを位置精度よく配
置することができるとともに、基体１に対する着脱時の
損傷も抑制でき、この点で耐久性良好である。
【００２１】また、遮光パターンＰが精度良く形成され
ており、しかも該遮光パターンＰは立体フォトマスクの
主体となっている透明樹脂部分に位置精度よく、確実に
転写保持されているので、この点でも基体１に対し遮光
パターンＰを位置精度よく配置することができるととも
に耐久性良好である。また、マスクＡ（Ｂ）は伸縮弾性
のある樹脂を主体に形成されているので、基体１へその
伸縮弾性を利用して容易に、確実に密着するように被せ
着けることができ、それにより遮光パターンＰを回路形
成すべき３次元面１１に密着させて精度の高い露光処理
を実施でき、また被せ着ける際の破損が生じ難いため一
層耐久性の優れたものとなっている。
ており、しかも該遮光パターンＰは立体フォトマスクの
主体となっている透明樹脂部分に位置精度よく、確実に
転写保持されているので、この点でも基体１に対し遮光
パターンＰを位置精度よく配置することができるととも
に耐久性良好である。また、マスクＡ（Ｂ）は伸縮弾性
のある樹脂を主体に形成されているので、基体１へその
伸縮弾性を利用して容易に、確実に密着するように被せ
着けることができ、それにより遮光パターンＰを回路形
成すべき３次元面１１に密着させて精度の高い露光処理
を実施でき、また被せ着ける際の破損が生じ難いため一
層耐久性の優れたものとなっている。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、回
路形成しようとする基体に被着して用いる立体フォトマ
スクの製造方法であって、該基体が複雑な形状の立体基
体であっても、簡単に、高精度に、耐久性良好に立体フ
ォトマスクを製造できる方法を提供することができる。
路形成しようとする基体に被着して用いる立体フォトマ
スクの製造方法であって、該基体が複雑な形状の立体基
体であっても、簡単に、高精度に、耐久性良好に立体フ
ォトマスクを製造できる方法を提供することができる。
【図１】図（Ａ）は本発明方法により得られる立体フォ
トマスクの１例の断面図であり、図（Ｂ）は本発明方法
により得られる立体フォトマスクの他の例の断面図であ
る。
トマスクの１例の断面図であり、図（Ｂ）は本発明方法
により得られる立体フォトマスクの他の例の断面図であ
る。
【図２】回路形成すべき３次元面を有する合成樹脂製の
立体基体の斜視図である。
立体基体の斜視図である。
【図３】図２に示す基体の成形に用いる射出成形用金型
により仮型を成形している状態を示す概略断面図であ
る。
により仮型を成形している状態を示す概略断面図であ
る。
【図４】仮型全面に銅膜を形成した状態の断面図であ
る。
る。
【図５】銅膜全面にレジスト膜を形成した状態の断面図
である。
である。
【図６】レジスト膜に対し平面フォトマスクを配置し、
露光用平行光を照射する状態を示す断面図である。
露光用平行光を照射する状態を示す断面図である。
【図７】レジスト膜の未露光部分を除去した状態の断面
図である。
図である。
【図８】露出した銅膜をエッチング処理した状態の断面
図である。
図である。
【図９】残留しているレジストを除去した状態の断面図
である。
である。
【図１０】容器（型）に入れられた溶融樹脂に、仮型を
押し込んだ状態を示す断面図である。
押し込んだ状態を示す断面図である。
【図１１】立体フォトマスクを仮型とともに取り出した
状態の図である。
状態の図である。
【図１２】仮型を立体フォトマスクから加熱又は溶剤に
より溶融させて除去している状態の図である。
より溶融させて除去している状態の図である。
【図１３】本発明に係る立体フォトマスクの使用状態を
示す図である。
示す図である。
Ａ、Ｂ 立体フォトマスク ａ、ｂ フォトマスク内面 Ｐ 遮光パターン １ 立体基体 １１ 回路形成すべき３次元面 ２ 射出成形用金型 ３Ａ 仮型（ワックス部分） ３Ｂ 仮型（溶剤可溶性樹脂部分） ４ 銅膜 ５ レジスト膜 ５１ 残留レジスト部分 ６１、６２ 平面フォトマスク Ｌ レジスト露光用平行光 ７ 容器（型） ８Ａ、８Ｂ 立体フォトマスクの主体をなす樹脂 ３０Ａ、３０Ｂ 遮光パターンＰを有する仮型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｃ 33/52 Ｂ２９Ｃ 33/52
Claims (6)
- 【請求項１】回路形成すべき３次元面を有する基体を成
形するための成形用型を用いて仮型を成形する工程と、
該仮型における、前記基体の回路形成すべき３次元面に
対応する面に該回路に応じた遮光パターンを形成する工
程と、該仮型の少なくとも遮光パターンを形成した領域
部分を溶融又は軟化した透光性樹脂に接触させて該樹脂
を硬化させるとともに該樹脂に前記遮光パターンを転写
し保持させる工程と、前記仮型を除去する工程とを含む
ことを特徴とする立体フォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】前記仮型を加熱により溶融する熱溶融性材
料から成形し、前記仮型の除去工程では該仮型を加熱溶
融させて除去する請求項１記載の立体フォトマスクの製
造方法。 - 【請求項３】前記仮型を溶剤可溶性材料で成形し、前記
仮型の除去工程では該仮型を溶剤で溶かして除去する請
求項１記載の立体フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】前記遮光パターンを形成するに先立って該
パターンを形成すべき仮型面に、回路形成のための光照
射に先立って前記基体上に形成される回路形成前駆体層
の厚さと略同厚さの厚さ代用膜を形成し、該厚さ代用膜
上に前記遮光パターンを形成し、前記仮型除去工程のあ
とに、該厚さ代用膜を除去する請求項１から３のいずれ
かに記載の立体フォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】前記仮型と透光性樹脂との接触を、容器に
収容され、溶融又は軟化状態にある透光性樹脂に該仮型
の少なくとも前記遮光パターンを形成した領域部分を押
し込むことで行う請求項１から４のいずれかに記載の立
体フォトマスクの製造方法。 - 【請求項６】前記透光性樹脂として、伸縮可能の弾性を
有する透光性樹脂を採用する請求項１から５のいずれか
に記載の立体フォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24979396A JPH1097054A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 立体フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24979396A JPH1097054A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 立体フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097054A true JPH1097054A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17198308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24979396A Pending JPH1097054A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 立体フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097054A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7468141B2 (en) * | 2003-05-23 | 2008-12-23 | Sony Corporation | Method for decorating die surface as well as die |
| JP2014186140A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Nippon Soken Inc | パターン形成方法 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP24979396A patent/JPH1097054A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7468141B2 (en) * | 2003-05-23 | 2008-12-23 | Sony Corporation | Method for decorating die surface as well as die |
| JP2014186140A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Nippon Soken Inc | パターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070619 |