JPH1097734A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH1097734A JPH1097734A JP9109380A JP10938097A JPH1097734A JP H1097734 A JPH1097734 A JP H1097734A JP 9109380 A JP9109380 A JP 9109380A JP 10938097 A JP10938097 A JP 10938097A JP H1097734 A JPH1097734 A JP H1097734A
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- Japan
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- dielectric layer
- layer
- recording
- recording medium
- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高感度、高消去率が得られ、保存安定性と寿命
に優れた光記録媒体を提供する。 【解決手段】記録層に光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能で、かつ、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記
録媒体であって、光記録媒体が透明基板上に、第１誘電
体層、記録層、第２誘電体層および反射層を積層した構
造を有し、記録層がＩｎ、Ｓｅ、ＺｎとＣｄの少なくと
も１種を含み、第２誘電体層が用いる光の波長に対して
透明でないことを特徴とし、また、該記録層がＩｎ、Ｓ
ｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、第２誘電
体層が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が０．０２以
上である物質を必須成分として含有することを特徴とす
る。
に優れた光記録媒体を提供する。 【解決手段】記録層に光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能で、かつ、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記
録媒体であって、光記録媒体が透明基板上に、第１誘電
体層、記録層、第２誘電体層および反射層を積層した構
造を有し、記録層がＩｎ、Ｓｅ、ＺｎとＣｄの少なくと
も１種を含み、第２誘電体層が用いる光の波長に対して
透明でないことを特徴とし、また、該記録層がＩｎ、Ｓ
ｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、第２誘電
体層が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が０．０２以
上である物質を必須成分として含有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関
するものである。
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。
術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。
【０００３】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
【０００４】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.
Yamada et al, Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1
987 p61-66）が知られている。
の材料としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 などの合金（N.
Yamada et al, Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1
987 p61-66）が知られている。
【０００５】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohta et al., SPIE Proc. Vol. 131
6 (1990) pp367 - 373）。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohta et al., SPIE Proc. Vol. 131
6 (1990) pp367 - 373）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来の急冷構造
の書換可能相変化型光記録媒体を用いての従来のディス
ク構造では、記録マークの形成に大きなレーザーパワー
を必要とするし、このため、記録再生用のドライブに大
きなパワーを発振できるレーザーを搭載する必要があ
り、コスト高となるという問題があった。
の書換可能相変化型光記録媒体を用いての従来のディス
ク構造では、記録マークの形成に大きなレーザーパワー
を必要とするし、このため、記録再生用のドライブに大
きなパワーを発振できるレーザーを搭載する必要があ
り、コスト高となるという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる従来の光記録媒体の課題
を解決し、高感度で、さらに高い消去率が得られ、か
つ、保存安定性および寿命に優れた光記録媒体を提供せ
んとするものである。
を解決し、高感度で、さらに高い消去率が得られ、か
つ、保存安定性および寿命に優れた光記録媒体を提供せ
んとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題を
解決するために、次のような手段を採用する。すなわ
ち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成された記録層
に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生
が可能で、かつ、該情報の記録及び消去が、非晶相と結
晶相の間の相変化により行われる光記録媒体であって、
前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層
した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓ
ｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、かつ、該
第２誘電体層が用いる光の波長に対して透明でないこと
を特徴とするものであり、また、基板上に形成された記
録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、
再生が可能で、かつ、該情報の記録および消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、該光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に
積層した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩ
ｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、該
第２誘電体層が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が
０．０２以上である物質を必須成分として含有すること
を特徴とするものである。
解決するために、次のような手段を採用する。すなわ
ち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成された記録層
に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生
が可能で、かつ、該情報の記録及び消去が、非晶相と結
晶相の間の相変化により行われる光記録媒体であって、
前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層
した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓ
ｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、かつ、該
第２誘電体層が用いる光の波長に対して透明でないこと
を特徴とするものであり、また、基板上に形成された記
録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、
再生が可能で、かつ、該情報の記録および消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、該光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に
積層した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩ
ｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、該
第２誘電体層が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が
０．０２以上である物質を必須成分として含有すること
を特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、従来光記録媒体の課題
である、高感度で、かつ、繰り返しオーバライト特性に
すぐれ、さらに保存安定性および寿命に優れた光記録媒
体を提供することについて、鋭意検討したところ、前記
光記録媒体の透明基板上の、第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層および反射層の積層順序と、該記録層が少な
くともＩｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を
含むこと、さらに、該第２誘電体層が、用いる光の波長
に対して透明でないものを採用することによって、意外
にも、上述課題を悉く達成することを究明したものであ
る。
である、高感度で、かつ、繰り返しオーバライト特性に
すぐれ、さらに保存安定性および寿命に優れた光記録媒
体を提供することについて、鋭意検討したところ、前記
光記録媒体の透明基板上の、第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層および反射層の積層順序と、該記録層が少な
くともＩｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を
含むこと、さらに、該第２誘電体層が、用いる光の波長
に対して透明でないものを採用することによって、意外
にも、上述課題を悉く達成することを究明したものであ
る。
【００１０】本発明の第１及び第２誘電体層には、記録
時に基板、記録層などが熱によって変形し、記録特性が
劣化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保
護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コ
ントラストを改善する効果がある。
時に基板、記録層などが熱によって変形し、記録特性が
劣化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保
護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コ
ントラストを改善する効果がある。
【００１１】第１誘電体層の厚さｄ1 は、基板や記録層
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ1
は記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／
ｎ≦ｄ１≦０．７０λ／ｎである。
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ1
は記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／
ｎ≦ｄ１≦０．７０λ／ｎである。
【００１２】本発明において、第２誘電体層は、透明で
ないかまたはその厚みが３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であ
ることが、低パワーでの記録、消去を可能にするために
好ましい。
ないかまたはその厚みが３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であ
ることが、低パワーでの記録、消去を可能にするために
好ましい。
【００１３】ここで、透明でないとは不透明のみならず
半透明も含む。そして本発明において、第２誘電体層の
屈折率の虚部をｋとするとｋが０を越える値であること
が好ましい。ｋが０では、記録及び消去時の低パワー化
が図れないことがある。低パワー記録と、記録再生信号
の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、より好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦１．０であり、さらに好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。
半透明も含む。そして本発明において、第２誘電体層の
屈折率の虚部をｋとするとｋが０を越える値であること
が好ましい。ｋが０では、記録及び消去時の低パワー化
が図れないことがある。低パワー記録と、記録再生信号
の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、より好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦１．０であり、さらに好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。
【００１４】また、第２誘電体層は、その屈折率の虚部
をｋとするとき、低パワーでの記録、消去を可能にする
ために０．０１≦ｋ≦１．０とすることが重要である。
０．０１＞ｋもしくは、ｋ＞１．０では、記録及び消去
時の高感度化が図れない。低パワー記録と、記録再生信
号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、さら
に好ましくは、０．０１≦ｋ≦１．０である。
をｋとするとき、低パワーでの記録、消去を可能にする
ために０．０１≦ｋ≦１．０とすることが重要である。
０．０１＞ｋもしくは、ｋ＞１．０では、記録及び消去
時の高感度化が図れない。低パワー記録と、記録再生信
号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、さら
に好ましくは、０．０１≦ｋ≦１．０である。
【００１５】前述の従来の急冷構造の書換可能相変化型
光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第２誘電体
層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍ
Ｗ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本
発明では、第２誘電体層を透明でなくすることにより、
この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことに
より、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下の
より小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。
通常用いられている光記録媒体の第２誘電体層の屈折率
はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは
透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考
えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第２誘
電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦１．０とする
ことによって、かえって、感度をあげることができ、小
パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。
光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第２誘電体
層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍ
Ｗ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本
発明では、第２誘電体層を透明でなくすることにより、
この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことに
より、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下の
より小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。
通常用いられている光記録媒体の第２誘電体層の屈折率
はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは
透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考
えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第２誘
電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦１．０とする
ことによって、かえって、感度をあげることができ、小
パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。
【００１６】また、さらには、第２誘電体層の厚さを３
０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワーでの記録
が可能となる。
０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワーでの記録
が可能となる。
【００１７】第一誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａ
ｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物
の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高
いことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2
などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さ
いことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あ
るいは、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消
去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率な
どの劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳ
ｉＯ2 と炭素の混合膜が好ましい。
Ｏ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａ
ｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物
の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高
いことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2
などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さ
いことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜あ
るいは、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜は、記録、消
去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率な
どの劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳ
ｉＯ2 と炭素の混合膜が好ましい。
【００１８】本発明における第２誘電体層は、例えば、
ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの
金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合
物の混合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混
合が好ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、
炭素やＧｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、
Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋ
が０．５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられ
る。これらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 と炭素を構成材料として含む混合膜でありことが好
ましく、さらに、第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ2 の
モル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５で
あり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋
ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９９／１〜８０／２０であることが好
ましい。
ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの
金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合
物の混合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混
合が好ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、
炭素やＧｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、
Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋ
が０．５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられ
る。これらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 と炭素を構成材料として含む混合膜でありことが好
ましく、さらに、第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ2 の
モル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５で
あり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋
ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９９／１〜８０／２０であることが好
ましい。
【００１９】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
【００２０】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
【００２１】記録層としては、特に限定するものではな
いが、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−
Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−
Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ合金、Ｇｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−
Ｓｅ−Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ−Ｂｉ合金、
Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合
金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ合金、Ｚｎ
−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ合金、
Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｃｄ−
Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｃｄ−Ｓ
ｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合金などが
ある。
いが、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−
Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−
Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ合金、Ｇｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−
Ｓｅ−Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ−Ｂｉ合金、
Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合
金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ合金、Ｚｎ
−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ合金、
Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｃｄ−
Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｃｄ−Ｓ
ｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合金などが
ある。
【００２２】また、本発明においては、記録、再生に用
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 、記録層の厚さをｄr 、第２誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 、記録層の厚さをｄr 、第２誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
【００２３】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００２４】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。
【００２５】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
【００２６】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。
【００２７】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
【００２８】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
【００２９】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。
【００３０】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。
【００３１】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００３３】（分析，測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）は、スペク
トラムアナライザにより測定した。
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）は、スペク
トラムアナライザにより測定した。
【００３４】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【００３５】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．２μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ
法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。ま
ず、真空容器内を１×１０-3Ｐａまで排気した後、２×
１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ＳｉＯ2 を２０ｍｏ
ｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上に膜厚１５０
ｎｍの屈折率２．１２の第１誘電体層を形成した。さら
に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットをスパ
ッタして、ＡｇＩｎＴｅ2 Ｓｂの膜厚２５ｎｍの記録層
を形成した。さらに次に、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣ（Ｃのｋ値は０．９）の同時スパッタ
で、ＺｎＳとＣのモル混合比が、８：１となるように
（ＺｎＳ／ＳｉＯ2 、モル比＝８／２、（ＺｎＳ＋Ｓｉ
Ｏ2 ）／Ｃモル比＝８／１）膜厚３７ｎｍの第２誘電体
層を形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979合金の
膜厚７０ｎｍの反射層を形成した。
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ
法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。ま
ず、真空容器内を１×１０-3Ｐａまで排気した後、２×
１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ＳｉＯ2 を２０ｍｏ
ｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上に膜厚１５０
ｎｍの屈折率２．１２の第１誘電体層を形成した。さら
に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットをスパ
ッタして、ＡｇＩｎＴｅ2 Ｓｂの膜厚２５ｎｍの記録層
を形成した。さらに次に、ＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣ（Ｃのｋ値は０．９）の同時スパッタ
で、ＺｎＳとＣのモル混合比が、８：１となるように
（ＺｎＳ／ＳｉＯ2 、モル比＝８／２、（ＺｎＳ＋Ｓｉ
Ｏ2 ）／Ｃモル比＝８／１）膜厚３７ｎｍの第２誘電体
層を形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979合金の
膜厚７０ｎｍの反射層を形成した。
【００３６】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し
本発明の光記録媒体を得た。
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し
本発明の光記録媒体を得た。
【００３７】この光記録媒体に波長７９０ｎｍの半導体
レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を
結晶化し、初期化した。
レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を
結晶化し、初期化した。
【００３８】その後、線速度７ｍ／秒の条件で、対物レ
ンズの開口数０．４７、半導体レーザーの波長７８０ｎ
ｍの光学ヘッドを使用して、周波数５．１７ＭＨｚ、ピ
ークパワー８〜１６ｍＷ、ボトムパワー４〜８ｍＷの各
条件に変調した半導体レーザー光で１回記録した後、再
生パワー１．０ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド
幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部
分を１．９４ＭＨｚで、先と同様に変調した半導体レー
ザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、この時
の５．１７ＭＨｚの前記録信号の消去率を測定した。ピ
ークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２
０ｄＢの消去率が得られた。また、５．１７ＭＨｚで１
万回オーバライト記録した後Ｃ／Ｎを測定したところ、
１回記録の場合と同等な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ
た。
ンズの開口数０．４７、半導体レーザーの波長７８０ｎ
ｍの光学ヘッドを使用して、周波数５．１７ＭＨｚ、ピ
ークパワー８〜１６ｍＷ、ボトムパワー４〜８ｍＷの各
条件に変調した半導体レーザー光で１回記録した後、再
生パワー１．０ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド
幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部
分を１．９４ＭＨｚで、先と同様に変調した半導体レー
ザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、この時
の５．１７ＭＨｚの前記録信号の消去率を測定した。ピ
ークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２
０ｄＢの消去率が得られた。また、５．１７ＭＨｚで１
万回オーバライト記録した後Ｃ／Ｎを測定したところ、
１回記録の場合と同等な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ
た。
【００３９】この光記録媒体の一部を記録層と第２誘電
体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘
電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。
体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘
電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。
【００４０】また、さらにこの光記録媒体の断面の一部
を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定
通りになっていた。
を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定
通りになっていた。
【００４１】実施例２ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
たほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施
例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１
０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋ
の値を測定したところ、０．０６であった。
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
たほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施
例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１
０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋ
の値を測定したところ、０．０６であった。
【００４２】実施例３ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０モル％添加し
たＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＣ
のモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほ
かは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１
と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワ
ー５．６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビ
ーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同
様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いず
れも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの
増加もほとんどみられなかった。実施例１と同様にし
て、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０．１であっ
た。
たＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ2 とＣ
のモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほ
かは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１
と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワ
ー５．６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビ
ーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同
様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いず
れも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの
増加もほとんどみられなかった。実施例１と同様にし
て、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０．１であっ
た。
【００４３】実施例４ 実施例１の第２誘電体層の厚みを２０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と
同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ
以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、か
つボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上
の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋの値を
測定したところ、ｋの値は０．０５であった。
は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と
同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ
以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、か
つボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上
の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋの値を
測定したところ、ｋの値は０．０５であった。
【００４４】実施例５ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の
一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同
様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を
測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分
な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４
〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０６であった。
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の
一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同
様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を
測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分
な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４
〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０６であった。
【００４５】実施例６ 実施例１の第１誘電体層をＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７６：１９：５の一
体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同様
にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測
定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な
５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜
７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０５であった。
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ2 とＣのモル混合比が、７６：１９：５の一
体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同様
にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測
定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な
５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜
７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０５であった。
【００４６】実施例７ 実施例１の記録層の組成をＡｇＩｎＴｅ2 ＳｂからＡｇ
3 Ｉｎ3 Ｔｅ6 Ｓｂ7に代えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。
3 Ｉｎ3 Ｔｅ6 Ｓｂ7に代えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。
【００４７】実施例８ 実施例１の記録層の組成をＡｇＩｎＴｅ2ＳｂからＡｇ8
ＶＩｎ6Ｔｅ27Ｓｂ58に変えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。
ＶＩｎ6Ｔｅ27Ｓｂ58に変えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。
【００４８】比較例１ 実施例１の光記録媒体の第２誘電体層をＳｉＯ2 を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを
２０ｎｍにし、反射層の厚みを１４５ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディス
クを作製した。
ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを
２０ｎｍにし、反射層の厚みを１４５ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディス
クを作製した。
【００４９】実施例１と同様に測定したところ、ピーク
パワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、
１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消
去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０
ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となってい
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０であった。
パワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、
１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消
去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０
ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となってい
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０であった。
【００５０】
【発明の効果】本発明は、光記録媒体を透明でない第２
誘電体層を有する構成としたので、以下の効果が得られ
た。 (1) 低パワーで記録消去ができる。 (2) 高い消去率が得られる。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
誘電体層を有する構成としたので、以下の効果が得られ
た。 (1) 低パワーで記録消去ができる。 (2) 高い消去率が得られる。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能で、か
つ、該情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化により行われる光記録媒体であって、前記光記録媒
体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有
し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓｅ、Ｚｎおよ
びＣｄの少なくとも１種を含み、かつ、該第２誘電体層
が用いる光の波長に対して透明でないことを特徴とする
光記録媒体。 - 【請求項２】 該第２誘電体層が、屈折率の虚部をｋと
するとき、該ｋが、用いる光の波長に対して、０を越え
る値である請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 該ｋが、０．０１≦ｋ≦１．０である請
求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 該ｋが、０．０１≦ｋ≦０．３である請
求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 該第１誘電体層の厚さ（ｄ１）が、５０
ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 該第１誘電体層の厚さｄ１が、記録、再
生に用いる光の波長λに対して ０．２５λ／ｎ≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ （ここでｎは自然数を示す。） である請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 該第２誘電体層の厚さ（ｄ２）が、３０
ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍである請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項８】 該第１誘電体層が、少なくともＺｎＳと
ＳｉＯ2 を含む混合膜である請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項９】 該第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳ
ｉＯ2 とＣを構成材料として含む混合膜である請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 該第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ2
のモル比が、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３
５であり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（Ｚｎ
Ｓ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９９／１〜８０／２０である請求
項９記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 基板上に形成された記録層に光を照射
することによって、情報の記録、消去、再生が可能で、
かつ、該情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間
の相変化により行われる光記録媒体において、該光記録
媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造
を有し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓｅ、Ｚｎ
およびＣｄの少なくとも１種を含み、該第２誘電体層
が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が０．０２以上で
ある物質を必須成分として含有することを特徴とする光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109380A JPH1097734A (ja) | 1996-04-26 | 1997-04-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10742196 | 1996-04-26 | ||
| JP8-107421 | 1996-04-26 | ||
| JP9109380A JPH1097734A (ja) | 1996-04-26 | 1997-04-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097734A true JPH1097734A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=26447465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109380A Pending JPH1097734A (ja) | 1996-04-26 | 1997-04-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097734A (ja) |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP9109380A patent/JPH1097734A/ja active Pending
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