JPH1139716A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH1139716A JPH1139716A JP10136689A JP13668998A JPH1139716A JP H1139716 A JPH1139716 A JP H1139716A JP 10136689 A JP10136689 A JP 10136689A JP 13668998 A JP13668998 A JP 13668998A JP H1139716 A JPH1139716 A JP H1139716A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来より短波長領域で、コントラストの高い
光記録媒体を提供する。 【解決手段】 光の照射による非晶相と結晶相の間の相
変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒体に
おいて、透明基板上に少なくとも第１誘電体層／記録層
／第２誘電体層／反射層がこの順に積層されており、各
層の波長３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下での屈折率、消
衰係数、層の厚さが下記の式で表される関係にあること
を特徴とする光記録媒体。 ２．２≦ｎa≦２．３、３０≦ｄa≦５００、２．５８≦
ｎα≦３．３、２．６≦ｋα≦２．９、１．７７≦ｎc
≦２．５、３．２≦ｋc≦３．８、７≦ｄr≦３５（ｎ
ｍ）、２．２５≦ｎb≦２．４、０＜ｄb≦２５（ｎ
ｍ）、０．４≦ｎβ≦０．６、３．８≦ｋβ≦４．２５
光記録媒体を提供する。 【解決手段】 光の照射による非晶相と結晶相の間の相
変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒体に
おいて、透明基板上に少なくとも第１誘電体層／記録層
／第２誘電体層／反射層がこの順に積層されており、各
層の波長３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下での屈折率、消
衰係数、層の厚さが下記の式で表される関係にあること
を特徴とする光記録媒体。 ２．２≦ｎa≦２．３、３０≦ｄa≦５００、２．５８≦
ｎα≦３．３、２．６≦ｋα≦２．９、１．７７≦ｎc
≦２．５、３．２≦ｋc≦３．８、７≦ｄr≦３５（ｎ
ｍ）、２．２５≦ｎb≦２．４、０＜ｄb≦２５（ｎ
ｍ）、０．４≦ｎβ≦０．６、３．８≦ｋβ≦４．２５
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に本発明は、緑色〜青色レーザー
光を用いた記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号
を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カー
ド、光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関す
るものである。
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に本発明は、緑色〜青色レーザー
光を用いた記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号
を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カー
ド、光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】相変化の技術を用いた書換可能な相変化
光記録媒体は、Ｔｅ合金を主成分とする記録層を有して
いるものが知られている。記録時は結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
光記録媒体は、Ｔｅ合金を主成分とする記録層を有して
いるものが知られている。記録時は結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。
【０００３】さらに消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによってアモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによってアモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。
【０００４】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化温度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある（T.Ohta et al, Proc. Int. Symp. on optical Me
mory 1989 p49-50）。これらの書換可能な相変化光記録
媒体として、光ディスクが例にあげられる。光ディスク
はレーザー光を集光して記録再生を行うため、レーザー
光の波長は光ディスクの記録容量を決定する要素の１つ
である。
では、結晶化温度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある（T.Ohta et al, Proc. Int. Symp. on optical Me
mory 1989 p49-50）。これらの書換可能な相変化光記録
媒体として、光ディスクが例にあげられる。光ディスク
はレーザー光を集光して記録再生を行うため、レーザー
光の波長は光ディスクの記録容量を決定する要素の１つ
である。
【０００５】このような光ディスクの記録容量を増加さ
せるために、レーザー光の短波長化、レンズの高ＮＡ化
の開発が進み、現在では波長６８０ｎｍの半導体レーザ
ーを用いた記録再生装置が商品化されている。さらに短
波長化の検討が行われており、波長４７０ｎｍ、４３０
ｎｍ、４１０ｎｍなどのレーザー光の開発も進んでい
る。光ディスクは記録再生消去に用いられる波長に対し
て、良好な記録感度、キャリア対ノイズ比、消去率など
の記録特性を得られるよう設計されており、一般に波長
６８０ｎｍに対応した光ディスクを、４５０ｎｍ以下の
レーザー光下で使用し、同様の特性を得ることは困難で
ある。また光ディスクを構成する各層の屈折率ｎや消衰
係数ｋ、厚さの選択によって非晶状態と結晶状態の反射
率差であるコントラストなどの光学特性が変化する。し
たがって、前述のような短波長域で高いコントラストを
得るには、屈折率や消衰係数、層の厚さの選択に大きな
制限を受けてしまう問題があった。
せるために、レーザー光の短波長化、レンズの高ＮＡ化
の開発が進み、現在では波長６８０ｎｍの半導体レーザ
ーを用いた記録再生装置が商品化されている。さらに短
波長化の検討が行われており、波長４７０ｎｍ、４３０
ｎｍ、４１０ｎｍなどのレーザー光の開発も進んでい
る。光ディスクは記録再生消去に用いられる波長に対し
て、良好な記録感度、キャリア対ノイズ比、消去率など
の記録特性を得られるよう設計されており、一般に波長
６８０ｎｍに対応した光ディスクを、４５０ｎｍ以下の
レーザー光下で使用し、同様の特性を得ることは困難で
ある。また光ディスクを構成する各層の屈折率ｎや消衰
係数ｋ、厚さの選択によって非晶状態と結晶状態の反射
率差であるコントラストなどの光学特性が変化する。し
たがって、前述のような短波長域で高いコントラストを
得るには、屈折率や消衰係数、層の厚さの選択に大きな
制限を受けてしまう問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の光記録媒体の問題を解決し、短波長レーザー光を用い
た記録再生において、高いコントラストが得られる光記
録媒体を提供することである。
の光記録媒体の問題を解決し、短波長レーザー光を用い
た記録再生において、高いコントラストが得られる光記
録媒体を提供することである。
【０００７】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、安価で生産性
に優れた光記録媒体を提供することである。
に優れた光記録媒体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光の照
射による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録
及び消去が行われる光記録媒体において、透明基板上に
少なくとも第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射
層がこの順に積層されており、各層の波長３９０ｎｍ以
上４５０ｎｍ以下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下
記の式で表される関係にあることを特徴とする光記録媒
体によって達成される。
射による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録
及び消去が行われる光記録媒体において、透明基板上に
少なくとも第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／反射
層がこの順に積層されており、各層の波長３９０ｎｍ以
上４５０ｎｍ以下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下
記の式で表される関係にあることを特徴とする光記録媒
体によって達成される。
【００１０】２．２≦ｎa≦２．３ ３０≦ｄa≦５００ ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．５ ３．２≦ｋc≦３．８ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．４ ０＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．６ ３．８≦ｋβ≦４．２５ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体では、波長３
９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の光の照射による記録消去
が行われる場合においても、高いコントラストが得られ
る点から、上記の式にある屈折率及び消衰係数、層の厚
さになるように構成することが重要である。
９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の光の照射による記録消去
が行われる場合においても、高いコントラストが得られ
る点から、上記の式にある屈折率及び消衰係数、層の厚
さになるように構成することが重要である。
【００１２】本発明における第１誘電体層の屈折率が
２．２より小さい場合には、反射率が高くなり、記録感
度が低くなる、あるいは記録、消去を行う光の照射パワ
ーが不足し、高線速下での記録が困難になる、などの問
題点を生じる。また屈折率が２．３より大きい場合に
は、第１誘電体層の厚さに対して記録マークの非晶部と
結晶部の反射率差の変動が大きくなり、再生時の信号コ
ントラストを悪化させてしまう。
２．２より小さい場合には、反射率が高くなり、記録感
度が低くなる、あるいは記録、消去を行う光の照射パワ
ーが不足し、高線速下での記録が困難になる、などの問
題点を生じる。また屈折率が２．３より大きい場合に
は、第１誘電体層の厚さに対して記録マークの非晶部と
結晶部の反射率差の変動が大きくなり、再生時の信号コ
ントラストを悪化させてしまう。
【００１３】第１誘電体層の厚さとしては、層の厚さに
よる反射率やコントラストの変動が非常に小さいため、
およそ３０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板
や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難
いことから、５０〜４００ｎｍがより好ましい。
よる反射率やコントラストの変動が非常に小さいため、
およそ３０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板
や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難
いことから、５０〜４００ｎｍがより好ましい。
【００１４】本発明において誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。
【００１５】本発明の波長４５０ｎｍ以下における第２
誘電体層の屈折率ｎは２．２５≦ｎb≦２．４の範囲と
なるように第２誘電体層を構成することが、良好なＣ／
Ｎ、消去率などの記録特性、光学特性が得られることか
ら好ましい。
誘電体層の屈折率ｎは２．２５≦ｎb≦２．４の範囲と
なるように第２誘電体層を構成することが、良好なＣ／
Ｎ、消去率などの記録特性、光学特性が得られることか
ら好ましい。
【００１６】第２誘電体層の厚さは、およそ０より大き
く２５０ｎｍ程度である。２５ｎｍ以下とすることが、
良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が広いことか
ら好ましい。さらに好ましくは１０〜２０ｎｍとするこ
とが、安定したコントラストが得られることからより好
ましい。
く２５０ｎｍ程度である。２５ｎｍ以下とすることが、
良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が広いことか
ら好ましい。さらに好ましくは１０〜２０ｎｍとするこ
とが、安定したコントラストが得られることからより好
ましい。
【００１７】この誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ2、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
があげられる。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａ
ｌ、などの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化
物の薄膜及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましく使用される。特に下地誘電体層及び第２誘
電体層にはＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜、あるいはＺｎＳ
とＳｉＯ2と炭素の混合膜を用いることが、記録、消去
の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）および消去率（記録後と消去後の再生キャリ
ア信号強度の差）などの劣化が起きにくいことから好ま
しく、内部応力の低減効果の大きい点からはＳｉＯ2 １
５〜３５モル％、炭素１〜１５モル％であることが、さ
らに好ましい。また第２誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ2の
混合膜の層とＳｉＯ2層とを積層するなど、複数の層で
構成してもよい。
Ｏ2、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
があげられる。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａ
ｌ、などの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化
物の薄膜及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高いこと
から好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ2などの
フッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいこと
から好ましく使用される。特に下地誘電体層及び第２誘
電体層にはＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜、あるいはＺｎＳ
とＳｉＯ2と炭素の混合膜を用いることが、記録、消去
の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）および消去率（記録後と消去後の再生キャリ
ア信号強度の差）などの劣化が起きにくいことから好ま
しく、内部応力の低減効果の大きい点からはＳｉＯ2 １
５〜３５モル％、炭素１〜１５モル％であることが、さ
らに好ましい。また第２誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ2の
混合膜の層とＳｉＯ2層とを積層するなど、複数の層で
構成してもよい。
【００１８】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物である。本発明の記録層として、
特に限定するものでないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｃｏ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
などがある。多数回の記録の書換が可能であることか
ら、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが
好ましい。特にＰｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅは、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率
などの記録特性に優れることから好ましく、とりわけ、
Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優
れることからより好ましい。
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物である。本発明の記録層として、
特に限定するものでないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｃｏ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
などがある。多数回の記録の書換が可能であることか
ら、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが
好ましい。特にＰｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅは、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率
などの記録特性に優れることから好ましく、とりわけ、
Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優
れることからより好ましい。
【００１９】また、本発明の波長４５０ｎｍ以下におけ
る記録層の光学定数ｎ、消衰係数ｋは、結晶状態では
１．７７≦ｎC≦２．５、３．２≦ｋC≦３．８であり、
非晶状態では２．５８≦ｎα≦３．３、２．６≦ｋα≦
２．９の範囲となるように記録層の組成を構成すること
が、良好なＣ／Ｎ、消去率などの記録特性が得られるこ
とから好ましい。上記の具体的な合金として、Ｐｄ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｎｂ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。
る記録層の光学定数ｎ、消衰係数ｋは、結晶状態では
１．７７≦ｎC≦２．５、３．２≦ｋC≦３．８であり、
非晶状態では２．５８≦ｎα≦３．３、２．６≦ｋα≦
２．９の範囲となるように記録層の組成を構成すること
が、良好なＣ／Ｎ、消去率などの記録特性が得られるこ
とから好ましい。上記の具体的な合金として、Ｐｄ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｎｂ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。
【００２０】記録層の厚さとしては５〜１５０ｎｍであ
る。特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可
能であり、かつ、コントラストの変動が少ないことか
ら、７〜３５ｎｍとすることが好ましい。
る。特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可
能であり、かつ、コントラストの変動が少ないことか
ら、７〜３５ｎｍとすることが好ましい。
【００２１】本発明の波長４５０ｎｍ以下における反射
層の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、０．４≦ｎβ≦０．６、
３．８≦ｋβ≦４．２５の範囲となるように反射層を構
成することが、優れた熱安定性を有するため、記録特性
の劣化を少なくすることができることから好ましい。
層の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、０．４≦ｎβ≦０．６、
３．８≦ｋβ≦４．２５の範囲となるように反射層を構
成することが、優れた熱安定性を有するため、記録特性
の劣化を少なくすることができることから好ましい。
【００２２】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉ、などの金属窒化物、金属酸化物、
金属カルコゲン化物などの金属化合物混合したものがあ
げられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分
とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くで
きることから好ましい。前述の合金を例としては、Ａｌ
にＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子
％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、ＡｕにＣ
ｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１
種の元素を合計で１原子％以上２０原子％以下加えたも
のなどがあげられる。特に、材料の価格が安いことか
ら、ＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金が好ましく、
とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で０．５原子％以上５原子％
以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性が良好
でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、添
加元素を合計で０．５原子％以上原子％未満含む、Ａｌ
−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、
ＡｌＴｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合
金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のい
ずれかのＡｌを主成分とする合金で構成することが好ま
しい。これらＡｌ合金のうちでも、次式で表される組成
を有するＡｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金は、特に優れた熱安定性
を有するため、多数回の記録、消去の繰り返しにおい
て、記録特性の劣化を少なくすることができる。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉ、などの金属窒化物、金属酸化物、
金属カルコゲン化物などの金属化合物混合したものがあ
げられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分
とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くで
きることから好ましい。前述の合金を例としては、Ａｌ
にＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子
％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、ＡｕにＣ
ｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１
種の元素を合計で１原子％以上２０原子％以下加えたも
のなどがあげられる。特に、材料の価格が安いことか
ら、ＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金が好ましく、
とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で０．５原子％以上５原子％
以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性が良好
でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、添
加元素を合計で０．５原子％以上原子％未満含む、Ａｌ
−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、
ＡｌＴｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合
金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のい
ずれかのＡｌを主成分とする合金で構成することが好ま
しい。これらＡｌ合金のうちでも、次式で表される組成
を有するＡｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金は、特に優れた熱安定性
を有するため、多数回の記録、消去の繰り返しにおい
て、記録特性の劣化を少なくすることができる。
【００２３】ＰｄjＨｆkＡｌ1-j-k ０．００１＜ｊ＜０．０１ ０．００５＜ｋ＜０．１０ ここで、ｊ、ｋは各元素の原子の数（各元素のモル数）
を表す。
を表す。
【００２４】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上２００ｎｍ
以下、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍとするのが好
ましい。
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上２００ｎｍ
以下、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍとするのが好
ましい。
【００２５】また、波長３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下
で、高いコントラストを得るためには、各層の屈折率、
消衰係数、層の厚さが下記の式で表されるいずれかの関
係にあることが好ましい。
で、高いコントラストを得るためには、各層の屈折率、
消衰係数、層の厚さが下記の式で表されるいずれかの関
係にあることが好ましい。
【００２６】波長が３９０ｎｍ以上４２５ｎｍ以下の場
合は、 ２．２≦ｎa≦２．３ ８０ａ＋１００≦ｄa≦８０ａ＋１５０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ あるいは、 ２．２≦ｎa≦２．３ １００ａ＋３０≦ｄa≦１００ａ＋８０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ また、波長が４２５ｎｍを越えて４５０ｎｍ以下の場合
は、 ２．２≦ｎa≦２．２５ １００ａ＋３０≦ｄa≦１００ａ＋７０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ あるいは、 ２．２≦ｎa≦２．２５ １００ａ＋５０≦ｄa≦１００ａ＋１１０（ｎｍ）（ａ
は０を含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ （ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電
体層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折
率、ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層
の結晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係
数、ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の
屈折率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反
射層の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す） 本発明の基板の材料としては、透明な各種の合成樹脂、
透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基板の傷などの
影響をさけるために、透明基板を用い、集束した光ビー
ムで基板側から記録を行うことが好ましく、このような
透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネート、ポ
リメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光
学的複屈折率が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易で
あることからポリカーボネート樹脂、アモルファス・ポ
リオレフィン樹脂が好ましい。
合は、 ２．２≦ｎa≦２．３ ８０ａ＋１００≦ｄa≦８０ａ＋１５０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ あるいは、 ２．２≦ｎa≦２．３ １００ａ＋３０≦ｄa≦１００ａ＋８０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ また、波長が４２５ｎｍを越えて４５０ｎｍ以下の場合
は、 ２．２≦ｎa≦２．２５ １００ａ＋３０≦ｄa≦１００ａ＋７０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ あるいは、 ２．２≦ｎa≦２．２５ １００ａ＋５０≦ｄa≦１００ａ＋１１０（ｎｍ）（ａ
は０を含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ １０≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ （ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電
体層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折
率、ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層
の結晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係
数、ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の
屈折率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反
射層の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す） 本発明の基板の材料としては、透明な各種の合成樹脂、
透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基板の傷などの
影響をさけるために、透明基板を用い、集束した光ビー
ムで基板側から記録を行うことが好ましく、このような
透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネート、ポ
リメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光
学的複屈折率が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易で
あることからポリカーボネート樹脂、アモルファス・ポ
リオレフィン樹脂が好ましい。
【００２７】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度を上げることが困難になる。
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度を上げることが困難になる。
【００２８】基板はフレキシブルなものであってもよい
し、リジットなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着貼合せ構造としてもよい。
し、リジットなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着貼合せ構造としてもよい。
【００２９】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
【００３０】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
【００３１】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。
いて述べる。
【００３２】反射層、誘電体層、記録層を基板上に形成
する方法としては、真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
する方法としては、真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。
【００３３】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。
【００３４】記録層などの形成は、基板を固定したまま
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらでも行
っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基
板を自転させても良く、さらに公転を組み合わせても良
い。
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらでも行
っても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基
板を自転させても良く、さらに公転を組み合わせても良
い。
【００３５】本発明の光記録媒体の好ましい層構成とし
て、透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／
反射層をこの順に積層してなるものがあげられる。但し
これに限定されるものでなく、本発明の効果を著しく損
なわない範囲において、反射層などを形成した後、傷、
変形の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ２などの誘電体
層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要
に応じて設けることができる。光は透明基板側から入射
するものとする。また、反射層などを形成した後、ある
いはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板
を対向して、接着剤で張り合わせても良い。
て、透明基板／第１誘電体層／記録層／第２誘電体層／
反射層をこの順に積層してなるものがあげられる。但し
これに限定されるものでなく、本発明の効果を著しく損
なわない範囲において、反射層などを形成した後、傷、
変形の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ２などの誘電体
層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要
に応じて設けることができる。光は透明基板側から入射
するものとする。また、反射層などを形成した後、ある
いはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板
を対向して、接着剤で張り合わせても良い。
【００３６】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。
【００３７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００３８】（分析、測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製SPS400
0）により確認した。また、反射率は分光測色計（ミノ
ルタ（株）製CM2002）により測定した。
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製SPS400
0）により確認した。また、反射率は分光測色計（ミノ
ルタ（株）製CM2002）により測定した。
【００３９】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【００４０】（実施例１）厚さ１．２ｍｍ、直径１２ｃ
ｍのポリカーボネート製基板を毎分４０回転で回転させ
ながら、スパッタリング法により、記録層、誘電体層、
反射層を形成した。まず、真空容器内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で
ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットＺｎ
Ｓをスパッタし、基板上に膜厚１２０ｎｍの第１誘電体
層を形成した。続いて、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
からなるターゲットをスパッタして、組成Ｎｂ0.006Ｐ
ｄ0.0 01Ｇｅ0.173Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚１０ｎｍの記
録層を形成した。さらに前述の第２誘電体層を１０ｎｍ
形成し、この上に、Ａｌ98.1Ｈｆ1.7Ｐｄ0.2合金をスパ
ッタして膜厚８０ｎｍの反射率を形成し、本発明の光記
録媒体を得た。
ｍのポリカーボネート製基板を毎分４０回転で回転させ
ながら、スパッタリング法により、記録層、誘電体層、
反射層を形成した。まず、真空容器内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で
ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットＺｎ
Ｓをスパッタし、基板上に膜厚１２０ｎｍの第１誘電体
層を形成した。続いて、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
からなるターゲットをスパッタして、組成Ｎｂ0.006Ｐ
ｄ0.0 01Ｇｅ0.173Ｓｂ0.26Ｔｅ0.56の膜厚１０ｎｍの記
録層を形成した。さらに前述の第２誘電体層を１０ｎｍ
形成し、この上に、Ａｌ98.1Ｈｆ1.7Ｐｄ0.2合金をスパ
ッタして膜厚８０ｎｍの反射率を形成し、本発明の光記
録媒体を得た。
【００４１】さらに、反射層形成後に紫外線硬化樹脂
（大日本インキ（株）製SD-101をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し
た。
（大日本インキ（株）製SD-101をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し
た。
【００４２】この光記録媒体に波長８１０ｎｍの半導体
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。
【００４３】次に得られた光記録媒体の波長４１０ｎｍ
における反射率を測定したところ、非晶部９．５％、結
晶部２２．４％が得られ、コントラストは約１３％であ
った。
における反射率を測定したところ、非晶部９．５％、結
晶部２２．４％が得られ、コントラストは約１３％であ
った。
【００４４】またこの光記録媒体と同様にして基板上に
作製した各層の屈折率、消衰係数をエリプソメトリー
（ニコン（株）製NPDM-1000）で測定したところ、第１
誘電体層の屈折率は２．２８、記録層の非晶部の屈折率
は２．９１、消衰係数は２．６７、記録層の結晶部の屈
折率は１．９８、消衰係数は３．３０、第２誘電体層の
屈折率は２．３３、反射層の屈折率は０．４８、消衰係
数は３．９０であった。
作製した各層の屈折率、消衰係数をエリプソメトリー
（ニコン（株）製NPDM-1000）で測定したところ、第１
誘電体層の屈折率は２．２８、記録層の非晶部の屈折率
は２．９１、消衰係数は２．６７、記録層の結晶部の屈
折率は１．９８、消衰係数は３．３０、第２誘電体層の
屈折率は２．３３、反射層の屈折率は０．４８、消衰係
数は３．９０であった。
【００４５】（実施例２）実施例１の光記録媒体の第１
誘電体層の厚さを１６０ｎｍ、第２誘電体層の厚さを２
０ｎｍにしたほかは、実施例１と同様の構成の光記録媒
体を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１
０ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．３％、結晶部３
２．５％、コントラストは約１７％であった。
誘電体層の厚さを１６０ｎｍ、第２誘電体層の厚さを２
０ｎｍにしたほかは、実施例１と同様の構成の光記録媒
体を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１
０ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．３％、結晶部３
２．５％、コントラストは約１７％であった。
【００４６】また実施例１と同様にして、屈折率、消衰
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２８、記録層の非晶部の屈折率は２．９１、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は１．９８、消
衰係数は３．３０、第２誘電体層の屈折率は２．３３、
反射層の屈折率は０．４８、消衰係数は３．９０であっ
た。
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２８、記録層の非晶部の屈折率は２．９１、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は１．９８、消
衰係数は３．３０、第２誘電体層の屈折率は２．３３、
反射層の屈折率は０．４８、消衰係数は３．９０であっ
た。
【００４７】（実施例３）実施例１と同様の構成の光記
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部８．５％、結晶部２１．３％、コント
ラストは約１３％であった。
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部８．５％、結晶部２１．３％、コント
ラストは約１３％であった。
【００４８】また実施例１と同様にして、屈折率、消衰
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２６、記録層の非晶部の屈折率は３．０７、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は２．１４、消
衰係数は３．４０、第２誘電体層の屈折率は２．３０、
反射層の屈折率は０．５３、消衰係数は４．０６であっ
た。
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２６、記録層の非晶部の屈折率は３．０７、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は２．１４、消
衰係数は３．４０、第２誘電体層の屈折率は２．３０、
反射層の屈折率は０．５３、消衰係数は４．０６であっ
た。
【００４９】（実施例４）実施例２と同様の構成の光記
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１４．６％、結晶部３１．６％、コン
トラストは約１７％であった。
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１４．６％、結晶部３１．６％、コン
トラストは約１７％であった。
【００５０】また実施例１と同様にして、屈折率、消衰
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２６、記録層の非晶部の屈折率は３．０７、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は２．１４、消
衰係数は３．４０、第２誘電体層の屈折率は２．３０、
反射層の屈折率は０．５３、消衰係数は４．０６であっ
た。
係数の値を測定したところ、第１誘電体層の屈折率は
２．２６、記録層の非晶部の屈折率は３．０７、消衰係
数は２．６７、記録層の結晶部の屈折率は２．１４、消
衰係数は３．４０、第２誘電体層の屈折率は２．３０、
反射層の屈折率は０．５３、消衰係数は４．０６であっ
た。
【００５１】（実施例５）記録層の組成をＧｅ17.1Ｓｂ
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１１．２％、結晶部２５．
７％、コントラストは１４．５％であった。
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１１．２％、結晶部２５．
７％、コントラストは１４．５％であった。
【００５２】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７３、消衰係数は２．７１、結晶部の屈折率は１．
８０、消衰係数は３．３３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７３、消衰係数は２．７１、結晶部の屈折率は１．
８０、消衰係数は３．３３であった。
【００５３】（実施例６）記録層の組成をＧｅ17.1Ｓｂ
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例２と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１７．３％、結晶部３５．
８％、コントラストは１８．５％であった。
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例２と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１７．３％、結晶部３５．
８％、コントラストは１８．５％であった。
【００５４】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７３、消衰係数は２．７１、結晶部の屈折率は１．
８０、消衰係数は３．３３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７３、消衰係数は２．７１、結晶部の屈折率は１．
８０、消衰係数は３．３３であった。
【００５５】（実施例７）記録層の組成をＧｅ17.1Ｓｂ
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部９．１％、結晶部２２．９
％、コントラストは１３．８％であった。
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部９．１％、結晶部２２．９
％、コントラストは１３．８％であった。
【００５６】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９５、消衰係数は２．７３、結晶部の屈折率は２．
０２、消衰係数は３．４６であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９５、消衰係数は２．７３、結晶部の屈折率は２．
０２、消衰係数は３．４６であった。
【００５７】（実施例８）記録層の組成をＧｅ17.1Ｓｂ
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例２と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１５．７％、結晶部３３．
５％、コントラストは１７．８％であった。
26.4Ｔｅ56.6としただけでそれ以外は実施例２と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１５．７％、結晶部３３．
５％、コントラストは１７．８％であった。
【００５８】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９５、消衰係数は２．７３、結晶部の屈折率は２．
０２、消衰係数は３．４６であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９５、消衰係数は２．７３、結晶部の屈折率は２．
０２、消衰係数は３．４６であった。
【００５９】（実施例９）記録層の組成をＧｅ18.8Ｓｂ
25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１１．６％、結晶部２５．
０％、コントラストは１３．４％であった。
25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様の
構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける反
射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０ｎ
ｍにおける反射率は、非晶部１１．６％、結晶部２５．
０％、コントラストは１３．４％であった。
【００６０】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７０、消衰係数は２．７７、結晶部の屈折率は１．
８６、消衰係数は３．４４であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７０、消衰係数は２．７７、結晶部の屈折率は１．
８６、消衰係数は３．４４であった。
【００６１】（実施例１０）記録層の組成をＧｅ18.8Ｓ
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１８．１％、結晶部３
５．８％、コントラストは１７．７％であった。
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１８．１％、結晶部３
５．８％、コントラストは１７．７％であった。
【００６２】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７０、消衰係数は２．７７、結晶部の屈折率は１．
８６、消衰係数は３．４４であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．７０、消衰係数は２．７７、結晶部の屈折率は１．
８６、消衰係数は３．４４であった。
【００６３】（実施例１１）記録層の組成をＧｅ18.8Ｓ
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部９．５％、結晶部２２．
９％、コントラストは１３．４％であった。
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部９．５％、結晶部２２．
９％、コントラストは１３．４％であった。
【００６４】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９３、消衰係数は２．７９、結晶部の屈折率は２．
０７、消衰係数は３．５８であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９３、消衰係数は２．７９、結晶部の屈折率は２．
０７、消衰係数は３．５８であった。
【００６５】（実施例１２）記録層の組成をＧｅ18.8Ｓ
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１６．４％、結晶部３
３．６％、コントラストは１７．２％であった。
ｂ25.7Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１６．４％、結晶部３
３．６％、コントラストは１７．２％であった。
【００６６】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９３、消衰係数は２．７９、結晶部の屈折率は２．
０７、消衰係数は３．５８であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．９３、消衰係数は２．７９、結晶部の屈折率は２．
０７、消衰係数は３．５８であった。
【００６７】（実施例１３）記録層の組成をＧｅ18.3Ｓ
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１２．９％、結晶部２
６．３％、コントラストは１３．４％であった。
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１２．９％、結晶部２
６．３％、コントラストは１３．４％であった。
【００６８】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．５９、消衰係数は２．８６、結晶部の屈折率は１．
７８、消衰係数は３．４３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．５９、消衰係数は２．８６、結晶部の屈折率は１．
７８、消衰係数は３．４３であった。
【００６９】（実施例１４）記録層の組成をＧｅ18.3Ｓ
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部２０．２％、結晶部３
７．０％、コントラストは１６．８％であった。
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部２０．２％、結晶部３
７．０％、コントラストは１６．８％であった。
【００７０】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．５９、消衰係数は２．８６、結晶部の屈折率は１．
７８、消衰係数は３．４３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．５９、消衰係数は２．８６、結晶部の屈折率は１．
７８、消衰係数は３．４３であった。
【００７１】（実施例１５）記録層の組成をＧｅ18.3Ｓ
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１０．８％、結晶部２
３．８％、コントラストは１３％であった。
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１０．８％、結晶部２
３．８％、コントラストは１３％であった。
【００７２】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．９０、結晶部の屈折率は２．
０１、消衰係数は３．４３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．９０、結晶部の屈折率は２．
０１、消衰係数は３．４３であった。
【００７３】（実施例１６）記録層の組成をＧｅ18.3Ｓ
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１８．４％、結晶部３
４．５％、コントラストは１６．１％であった。
ｂ27.3Ｔｅ54.4としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１８．４％、結晶部３
４．５％、コントラストは１６．１％であった。
【００７４】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．９０、結晶部の屈折率は２．
０１、消衰係数は３．４３であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．９０、結晶部の屈折率は２．
０１、消衰係数は３．４３であった。
【００７５】（実施例１７）記録層の組成をＧｅ22.0Ｓ
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１０．７％、結晶部２
５．０％、コントラストは１４．３％であった。
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１０．７％、結晶部２
５．０％、コントラストは１４．３％であった。
【００７６】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は１．
８５、消衰係数は３．４１であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は１．
８５、消衰係数は３．４１であった。
【００７７】（実施例１８）記録層の組成をＧｅ22.0Ｓ
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部２０．２％、結晶部３
７．０％、コントラストは１６．８％であった。
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４１０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部２０．２％、結晶部３
７．０％、コントラストは１６．８％であった。
【００７８】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は１．
８５、消衰係数は３．４１であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
２．８１、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は１．
８５、消衰係数は３．４１であった。
【００７９】（実施例１９）記録層の組成をＧｅ22.0Ｓ
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部８．９％、結晶部２２．
９％、コントラストは１４％であった。
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例１と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部８．９％、結晶部２２．
９％、コントラストは１４％であった。
【００８０】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
３．０７、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は２．
０６、消衰係数は３．５４であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
３．０７、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は２．
０６、消衰係数は３．５４であった。
【００８１】（実施例２０）記録層の組成をＧｅ22.0Ｓ
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．３％、結晶部３
３．５％、コントラストは１８．２％であった。
ｂ22.3Ｔｅ55.7としただけでそれ以外は実施例２と同様
の構成の光記録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける
反射率を実施例１と同様に、測定を行った。波長４３０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．３％、結晶部３
３．５％、コントラストは１８．２％であった。
【００８２】また実施例１と同様にして、記録層の屈折
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
３．０７、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は２．
０６、消衰係数は３．５４であった。
率、消衰係数の値を測定したところ、非晶部の屈折率は
３．０７、消衰係数は２．８４、結晶部の屈折率は２．
０６、消衰係数は３．５４であった。
【００８３】（比較例１）第１誘電体層の厚さを１６０
ｎｍ、記録層の厚さを５ｎｍ、第２誘電体層の厚さを３
５ｎｍとした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体
を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部７．５％、結晶部１２．
６％、コントラスト約５％であり、非晶部及び結晶部の
反射率が低くなり、コントラストも非常に小さくなって
しまった。
ｎｍ、記録層の厚さを５ｎｍ、第２誘電体層の厚さを３
５ｎｍとした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体
を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部７．５％、結晶部１２．
６％、コントラスト約５％であり、非晶部及び結晶部の
反射率が低くなり、コントラストも非常に小さくなって
しまった。
【００８４】（比較例２）第１誘電体層の厚さを１００
ｎｍ、記録層の厚さを５ｎｍ、第２誘電体層の厚さを３
５ｎｍとした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体
を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．６％、結晶部１
３．９％であり、非晶部と結晶部の反射率が逆転してし
まい、コントラストが全く得られなかった。
ｎｍ、記録層の厚さを５ｎｍ、第２誘電体層の厚さを３
５ｎｍとした他は、実施例１と同様の構成の光記録媒体
を作製し、実施例１と同様の測定を行った。波長４１０
ｎｍにおける反射率は、非晶部１５．６％、結晶部１
３．９％であり、非晶部と結晶部の反射率が逆転してし
まい、コントラストが全く得られなかった。
【００８５】（比較例３）比較例１と同様の構成の光記
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１２．２％、結晶部１８．３％、コン
トラスト約６．２％であり、コントラストが非常に小さ
くなってしまった。
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１２．２％、結晶部１８．３％、コン
トラスト約６．２％であり、コントラストが非常に小さ
くなってしまった。
【００８６】（比較例４）比較例２と同様の構成の光記
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１１．７％、結晶部８．４％であり、
非晶部と結晶部の反射率が逆転してしまい、コントラス
トが全く得られなかった。
録媒体を作製し、波長４３０ｎｍにおける反射率を実施
例１と同様に、測定を行った。波長４３０ｎｍにおける
反射率は、非晶部１１．７％、結晶部８．４％であり、
非晶部と結晶部の反射率が逆転してしまい、コントラス
トが全く得られなかった。
【００８７】
【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られた。 （１）４５０ｎｍ以下の短波長領域で結晶と非晶質の間
の大きな反射率差が得られる。 （２）誘電体層の厚さの幅広い選択が可能である。 （３）スパッタリング法により容易に製作できる。
果が得られた。 （１）４５０ｎｍ以下の短波長領域で結晶と非晶質の間
の大きな反射率差が得られる。 （２）誘電体層の厚さの幅広い選択が可能である。 （３）スパッタリング法により容易に製作できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｃ
Claims (8)
- 【請求項１】 光の照射による非晶相と結晶相の間の相
変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒体に
おいて、透明基板上に少なくとも第１誘電体層／記録層
／第２誘電体層／反射層がこの順に積層されており、各
層の波長３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下での屈折率、消
衰係数、層の厚さが下記の式で表される関係にあること
を特徴とする光記録媒体。 ２．２≦ｎa≦２．３ ３０≦ｄa≦５００ ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．５ ３．２≦ｋc≦３．８ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．４ ０＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．６ ３．８≦ｋβ≦４．２５ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。 - 【請求項２】 各層の波長３９０ｎｍ以上４２５ｎｍ以
下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下記の式で表され
る関係にあることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 ２．２≦ｎa≦２．３ ８０ａ＋１００≦ｄa≦８０ａ＋１５０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。 - 【請求項３】 各層の波長３９０ｎｍ以上４２５ｎｍ以
下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下記の式で表され
る関係にあることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 ２．２≦ｎa≦２．３ １００ａ＋３０≦ｄa≦１００ａ＋８０（ｎｍ）（ａは
０を含む整数） ２．５８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．７７≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．３≦ｎb≦２．４ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．４≦ｎβ≦０．５２ ３．８≦ｋβ≦４．１ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。 - 【請求項４】 各層の波長４２５ｎｍを越えて４５０ｎ
ｍ以下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下記の式で表
される関係にあることを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 ２．２≦ｎa≦２．２５ ８０ａ＋３０≦ｄa≦８０ａ＋７０（ｎｍ）（ａは０を
含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ ０＜ｄb≦１５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。 - 【請求項５】 各層の波長４２５ｎｍより大きく４５０
ｎｍ以下での屈折率、消衰係数、層の厚さが下記の式で
表される関係にあることを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。 ２．２≦ｎa≦２．２５ １００ａ＋５０≦ｄa≦１００ａ＋１１０（ｎｍ）（ａ
は０を含む整数） ２．８≦ｎα≦３．３ ２．６４≦ｋα≦２．９ １．８５≦ｎc≦２．２ ３．２≦ｋc≦３．７ ７≦ｄr≦３５（ｎｍ） ２．２５≦ｎb≦２．３ １５＜ｄb≦２５（ｎｍ） ０．５≦ｎβ≦０．６ ４．０≦ｋβ≦４．２５ ここで、ｎaは第１誘電体層の屈折率、ｄaは第１誘電体
層の厚さ（ｎｍ）、ｎαは記録層の非晶状態の屈折率、
ｋαは記録層の非晶状態の消衰係数、ｎcは記録層の結
晶状態の屈折率、ｋcは記録層の結晶状態の消衰係数、
ｄrは記録層の厚さ（ｎｍ）、ｎbは第２誘電体層の屈折
率、ｄbは第２誘電体層の厚さ（ｎｍ）、ｎβは反射層
の屈折率、ｋβは反射層の消衰係数を表す。 - 【請求項６】 第１誘電体層及び第２誘電体層が少なく
ともＺｎＳ、ＳｉＯ2を含んでいることを特徴とする請
求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 記録層の組成がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元
素もしくはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素とＰｄ、Ｎｂ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種から
なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
光記録媒体。 - 【請求項８】 反射層がＡｌもしくはＡｌ合金であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10136689A JPH1139716A (ja) | 1997-05-22 | 1998-05-19 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13218097 | 1997-05-22 | ||
| JP9-132180 | 1997-05-22 | ||
| JP10136689A JPH1139716A (ja) | 1997-05-22 | 1998-05-19 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1139716A true JPH1139716A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=26466816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10136689A Pending JPH1139716A (ja) | 1997-05-22 | 1998-05-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1139716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6652948B2 (en) | 2000-12-21 | 2003-11-25 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP10136689A patent/JPH1139716A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6652948B2 (en) | 2000-12-21 | 2003-11-25 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium |
| US6790504B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-09-14 | Ricoh Company, Limited | Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium |
| US7048983B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-05-23 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium |
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