JPH11101995A - 波長変換レーザー - Google Patents
波長変換レーザーInfo
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- JPH11101995A JPH11101995A JP9261960A JP26196097A JPH11101995A JP H11101995 A JPH11101995 A JP H11101995A JP 9261960 A JP9261960 A JP 9261960A JP 26196097 A JP26196097 A JP 26196097A JP H11101995 A JPH11101995 A JP H11101995A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体レーザー結晶を光によってポンピング
し、それにより発せられた固体レーザービームを、共振
器内に配した非線形光学結晶により波長変換するレーザ
ーにおいて、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
結晶を用いても、高品位なビーム特性や良好な立ち上が
り特性が得られるようにする。 【解決手段】 固体レーザービーム18を波長変換する非
線形光学結晶15の＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂのそれぞれ
の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分を、
金属コート40等によって互いに電気的に接続する。
し、それにより発せられた固体レーザービームを、共振
器内に配した非線形光学結晶により波長変換するレーザ
ーにおいて、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
結晶を用いても、高品位なビーム特性や良好な立ち上が
り特性が得られるようにする。 【解決手段】 固体レーザービーム18を波長変換する非
線形光学結晶15の＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂのそれぞれ
の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分を、
金属コート40等によって互いに電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換機能を備
えた固体レーザーに関し、特に詳細には、周期ドメイン
反転構造を有する非線形光学結晶により波長変換する波
長変換レーザーに関するものである。
えた固体レーザーに関し、特に詳細には、周期ドメイン
反転構造を有する非線形光学結晶により波長変換する波
長変換レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号に示されるよ
うに、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザー結
晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポンピ
ングする固体レーザーが公知となっている。またこの種
の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザービー
ムを得るために、その共振器内に非線形光学材料の結晶
（非線形光学結晶）からなる光波長変換素子を配置し
て、固体レーザービームを第２高調波等に波長変換する
ことも広く行なわれている。
うに、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザー結
晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポンピ
ングする固体レーザーが公知となっている。またこの種
の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザービー
ムを得るために、その共振器内に非線形光学材料の結晶
（非線形光学結晶）からなる光波長変換素子を配置し
て、固体レーザービームを第２高調波等に波長変換する
ことも広く行なわれている。
【０００３】ところで上述の光波長変換素子として、例
えば特開平5-5920号に示されているように、強誘電体か
らなる非線形光学結晶の自発分極（ドメイン）を周期的
に反転させた領域を設けたものが知られている。このよ
うな光波長変換素子を用いる場合は、ドメイン反転部の
周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。
えば特開平5-5920号に示されているように、強誘電体か
らなる非線形光学結晶の自発分極（ドメイン）を周期的
に反転させた領域を設けたものが知られている。このよ
うな光波長変換素子を用いる場合は、ドメイン反転部の
周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この周期ドメ
イン反転構造を有する非線形光学結晶を用いる従来の波
長変換レーザーにおいては、ビーム特性が悪い、立ち上
がりが遅い、といった問題が認められている。
イン反転構造を有する非線形光学結晶を用いる従来の波
長変換レーザーにおいては、ビーム特性が悪い、立ち上
がりが遅い、といった問題が認められている。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
を用いても、高品位なビーム特性や良好な立ち上がり特
性が得られる波長変換レーザーを提供することを目的と
する。
であり、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
を用いても、高品位なビーム特性や良好な立ち上がり特
性が得られる波長変換レーザーを提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の波長
変換レーザーは、前述したようにレーザー結晶を光によ
って励起し、それによって発せられた固体レーザービー
ムを、共振器内に配した周期ドメイン反転構造を有する
非線形光学結晶により波長変換する波長変換レーザーに
おいて、非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれ
の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分が、
互いに電気的に接続されていることを特徴とするもので
ある。
変換レーザーは、前述したようにレーザー結晶を光によ
って励起し、それによって発せられた固体レーザービー
ムを、共振器内に配した周期ドメイン反転構造を有する
非線形光学結晶により波長変換する波長変換レーザーに
おいて、非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれ
の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分が、
互いに電気的に接続されていることを特徴とするもので
ある。
【０００７】また本発明による第２の波長変換レーザー
は、上記と同様にレーザー結晶を光によって励起し、そ
れによって発せられた固体レーザービームを、共振器内
に配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
により波長変換する波長変換レーザーにおいて、非線形
光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の一方の、少なくとも固体レ
ーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を介して導電性材
料が取り付けられ、非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の
他方の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分
と上記導電性材料とが電気的に接続されていることを特
徴とするものである。
は、上記と同様にレーザー結晶を光によって励起し、そ
れによって発せられた固体レーザービームを、共振器内
に配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
により波長変換する波長変換レーザーにおいて、非線形
光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の一方の、少なくとも固体レ
ーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を介して導電性材
料が取り付けられ、非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の
他方の、少なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分
と上記導電性材料とが電気的に接続されていることを特
徴とするものである。
【０００８】また本発明による第３の波長変換レーザー
は、上記と同様にレーザー結晶を光によって励起し、そ
れによって発せられた固体レーザービームを、共振器内
に配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
により波長変換する波長変換レーザーにおいて、非線形
光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれの、少なくとも固
体レーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を介して導電
性材料が取り付けられ、これらの導電性材料が互いに電
気的に接続されていることを特徴とするものである。
は、上記と同様にレーザー結晶を光によって励起し、そ
れによって発せられた固体レーザービームを、共振器内
に配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶
により波長変換する波長変換レーザーにおいて、非線形
光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれの、少なくとも固
体レーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を介して導電
性材料が取り付けられ、これらの導電性材料が互いに電
気的に接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の効果】上述のように、非線形光学結晶の＋ｃ面
と−ｃ面の固体レーザービーム光路の近傍部分を直接的
に、あるいは絶縁層を介して電気的に接続しておくと、
後に具体例を示す通り、高品位なビーム特性や良好な立
ち上がり特性が得られるようになる。
と−ｃ面の固体レーザービーム光路の近傍部分を直接的
に、あるいは絶縁層を介して電気的に接続しておくと、
後に具体例を示す通り、高品位なビーム特性や良好な立
ち上がり特性が得られるようになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の１つの実
施形態であるレーザーダイオード励起固体レーザーの側
面形状を示すものである。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の１つの実
施形態であるレーザーダイオード励起固体レーザーの側
面形状を示すものである。
【００１１】このレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープさ
れた固体レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶）13と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側
（半導体レーザー11と反対側）に配された共振器ミラー
14とを有している。
ーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープさ
れた固体レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶）13と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側
（半導体レーザー11と反対側）に配された共振器ミラー
14とを有している。
【００１２】またＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13と共振器ミラー
14との間には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13側から順にブリュ
ースタ板17、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
材料であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープされ
たＬｉＮｂＯ3 ）結晶15、エタロン16が配設されてい
る。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶
15、エタロン16、ブリュースタ板17および共振器ミラー
14は銅製のブロック21（図１では形状を簡略化してあ
る）に接着固定され、板状のベースプレート30およびペ
ルチェ素子31を介してパッケージベース32に固定されて
いる。
14との間には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13側から順にブリュ
ースタ板17、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
材料であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープされ
たＬｉＮｂＯ3 ）結晶15、エタロン16が配設されてい
る。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶
15、エタロン16、ブリュースタ板17および共振器ミラー
14は銅製のブロック21（図１では形状を簡略化してあ
る）に接着固定され、板状のベースプレート30およびペ
ルチェ素子31を介してパッケージベース32に固定されて
いる。
【００１３】なお、共振器部に取り付けられたサーミス
タ33により共振器内の温度が検出され、温度制御回路
（図示せず）によりこの検出温度が所定の温度となるよ
うにペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温
度が所定温度に維持される。
タ33により共振器内の温度が検出され、温度制御回路
（図示せず）によりこの検出温度が所定の温度となるよ
うにペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温
度が所定温度に維持される。
【００１４】半導体レーザー11は中心波長809 ｎｍのレ
ーザービーム10を発するものであり、ホルダー20に圧入
固定されている。またエタロン16は厚さ0.3 ｍｍの石英
板からなり、その１つの光透過面が銅製のエタロンホル
ダー（図示せず）に接着固定された上で、光軸に対して
45′傾けて配置されている。ブリュースタ板17は、厚さ
0.385ｍｍの石英板からなる。
ーザービーム10を発するものであり、ホルダー20に圧入
固定されている。またエタロン16は厚さ0.3 ｍｍの石英
板からなり、その１つの光透過面が銅製のエタロンホル
ダー（図示せず）に接着固定された上で、光軸に対して
45′傾けて配置されている。ブリュースタ板17は、厚さ
0.385ｍｍの石英板からなる。
【００１５】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13は、入射したレーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶13の入射端面13ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反
射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励
起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％
以上）コーティングが施されている。またこのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶13の他の端面には、波長1064ｎｍの光を良好
に透過させるコーティングが施されている。
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶13の入射端面13ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反
射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励
起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％
以上）コーティングが施されている。またこのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶13の他の端面には、波長1064ｎｍの光を良好
に透過させるコーティングが施されている。
【００１６】一方共振器ミラー14のミラー面14ａには、
波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コーティングが施されている。
波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コーティングが施されている。
【００１７】したがって、上記波長1064ｎｍの光はそれ
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面
13ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発
振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発
生する。このレーザービーム18はＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上で、波
長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変換さ
れ、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射
する。
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面
13ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発
振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発
生する。このレーザービーム18はＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上で、波
長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変換さ
れ、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射
する。
【００１８】なお本例において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13
の厚さは１ｍｍである。またＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶
15の長さは２ｍｍ、凹面鏡である共振器ミラー14の曲率
半径は50ｍｍ、共振器を構成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端
面13ａとミラー面14ａとの間の距離は約11ｍｍである。
の厚さは１ｍｍである。またＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶
15の長さは２ｍｍ、凹面鏡である共振器ミラー14の曲率
半径は50ｍｍ、共振器を構成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端
面13ａとミラー面14ａとの間の距離は約11ｍｍである。
【００１９】次に、高品位なビーム特性および良好な立
ち上がり特性を得るための構成について説明する。図２
に正面形状を示すように、直方体状とされたＭｇＯ：Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶15は、２つの光通過面を除く４面、つま
り＋ｃ面15ａ、−ｃ面15ｂおよびそれらに連続する２つ
の側面が、Ｔａからなる金属コート40によって全面的に
覆われ、この状態で接着剤41により銅製ブロック21に固
定されている。
ち上がり特性を得るための構成について説明する。図２
に正面形状を示すように、直方体状とされたＭｇＯ：Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶15は、２つの光通過面を除く４面、つま
り＋ｃ面15ａ、−ｃ面15ｂおよびそれらに連続する２つ
の側面が、Ｔａからなる金属コート40によって全面的に
覆われ、この状態で接着剤41により銅製ブロック21に固
定されている。
【００２０】したがってＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の
＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂとは、レーザービーム18の光路
（光軸を図中Ｏで示す）の近傍部分を含む全面が、導電
性材料であるＴａによって互いに電気的に接続されてい
る。
＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂとは、レーザービーム18の光路
（光軸を図中Ｏで示す）の近傍部分を含む全面が、導電
性材料であるＴａによって互いに電気的に接続されてい
る。
【００２１】固体レーザーモジュールの個体間でのレー
ザービーム拡がり角ばらつきは、従来装置では一般に15
％pp程度であったのに対し、上記構成を有する本装置に
おいては３％ppまで抑えられた。また立ち上がり時間
は、従来装置では１時間程度であったのに対し、本装置
においては５分まで短縮された。
ザービーム拡がり角ばらつきは、従来装置では一般に15
％pp程度であったのに対し、上記構成を有する本装置に
おいては３％ppまで抑えられた。また立ち上がり時間
は、従来装置では１時間程度であったのに対し、本装置
においては５分まで短縮された。
【００２２】なお、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の＋ｃ
面15ａと−ｃ面15ｂとを電気的に接続するには、上述の
ような金属コート40を用いる代わりに、そのコート範囲
にプロトン交換等の低抵抗化処理を施すようにしてもよ
い。
面15ａと−ｃ面15ｂとを電気的に接続するには、上述の
ような金属コート40を用いる代わりに、そのコート範囲
にプロトン交換等の低抵抗化処理を施すようにしてもよ
い。
【００２３】次に図３〜５を参照して、本発明の別の実
施形態について説明する。これらの図３〜５は、図２の
構成に代えて用いられ得る構成を示している。なお図３
〜５において、図２中の要素と同等の要素には同番号を
付し、それらについての重複した説明は省略する。
施形態について説明する。これらの図３〜５は、図２の
構成に代えて用いられ得る構成を示している。なお図３
〜５において、図２中の要素と同等の要素には同番号を
付し、それらについての重複した説明は省略する。
【００２４】図３の構成においては、ＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 結晶15の−ｃ面15ｂが、非導電性接着剤50により銅
製ブロック21に固定されている。またＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3結晶15の＋ｃ面15ａには、レーザービーム18の光路
に沿った部分において、Ｔａからなる金属コート51が形
成されている。そして銅製ブロック21には例えば銅等か
らなる板バネ52の基端部が固定され、この板バネ52の先
端部は上記金属コート51に圧接している。
Ｏ3 結晶15の−ｃ面15ｂが、非導電性接着剤50により銅
製ブロック21に固定されている。またＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3結晶15の＋ｃ面15ａには、レーザービーム18の光路
に沿った部分において、Ｔａからなる金属コート51が形
成されている。そして銅製ブロック21には例えば銅等か
らなる板バネ52の基端部が固定され、この板バネ52の先
端部は上記金属コート51に圧接している。
【００２５】つまりこの構成においては、ＭｇＯ：Ｌｉ
ＮｂＯ3 結晶15の−ｃ面15ｂの、レーザービーム18の光
路に沿った部分を含む全面が、絶縁層である非導電性接
着剤50を介して導電性のブロック21に取り付けられ、Ｍ
ｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の＋ｃ面15ａのレーザービー
ム18の光路に沿った部分が金属コート51および板バネ52
を介して、上記ブロック21と電気的に接続されている。
ＮｂＯ3 結晶15の−ｃ面15ｂの、レーザービーム18の光
路に沿った部分を含む全面が、絶縁層である非導電性接
着剤50を介して導電性のブロック21に取り付けられ、Ｍ
ｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の＋ｃ面15ａのレーザービー
ム18の光路に沿った部分が金属コート51および板バネ52
を介して、上記ブロック21と電気的に接続されている。
【００２６】この図３の構成を図１の固体レーザーに適
用した場合も、固体レーザーモジュールの個体間でのレ
ーザービーム拡がり角ばらつきは、３％ppまで抑えられ
た。また立ち上がり時間も、従来装置の１時間程度に対
し、５分まで短縮された。
用した場合も、固体レーザーモジュールの個体間でのレ
ーザービーム拡がり角ばらつきは、３％ppまで抑えられ
た。また立ち上がり時間も、従来装置の１時間程度に対
し、５分まで短縮された。
【００２７】なお、上述のような金属コート51を用いる
代わりに、そのコート範囲にプロトン交換等の低抵抗化
処理を施すようにしてもよい。
代わりに、そのコート範囲にプロトン交換等の低抵抗化
処理を施すようにしてもよい。
【００２８】またＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の−ｃ面
15ｂの、レーザービーム18の光路に沿った部分に非導電
性接着剤50を配置する代わりに、図４に示すように、空
気層等の気体層60が絶縁層として存在するようにしても
よい。さらには、図３や図４の構成において、ブロック
21に固定されている−ｃ面15ｂの、少なくともレーザー
ビーム光路近傍に金属コート、もしくはプロトン交換等
の低抵抗化処理を施すようにしてもよい。
15ｂの、レーザービーム18の光路に沿った部分に非導電
性接着剤50を配置する代わりに、図４に示すように、空
気層等の気体層60が絶縁層として存在するようにしても
よい。さらには、図３や図４の構成において、ブロック
21に固定されている−ｃ面15ｂの、少なくともレーザー
ビーム光路近傍に金属コート、もしくはプロトン交換等
の低抵抗化処理を施すようにしてもよい。
【００２９】また、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の−ｃ
面15ｂとブロック21との間に絶縁層を介在させずに両者
を固定し、金属コート51、板バネ52およびブロック21に
よって＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂとを電気的に接続するよ
うにしてもよい。
面15ｂとブロック21との間に絶縁層を介在させずに両者
を固定し、金属コート51、板バネ52およびブロック21に
よって＋ｃ面15ａと−ｃ面15ｂとを電気的に接続するよ
うにしてもよい。
【００３０】図５の構成においては、ＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 結晶15の−ｃ面15ｂが、非導電性接着剤50により銅
製ブロック21に固定されている。またＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3結晶15の＋ｃ面15ａには、非導電性接着剤70により
銅板71が接着されている。そしてこの銅板71と銅製ブロ
ック21とが、導電性接着剤72により電気的に接続されて
いる。
Ｏ3 結晶15の−ｃ面15ｂが、非導電性接着剤50により銅
製ブロック21に固定されている。またＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3結晶15の＋ｃ面15ａには、非導電性接着剤70により
銅板71が接着されている。そしてこの銅板71と銅製ブロ
ック21とが、導電性接着剤72により電気的に接続されて
いる。
【００３１】この図５の構成を図１の固体レーザーに適
用した場合も、固体レーザーモジュールの個体間でのレ
ーザービーム拡がり角ばらつき、および立ち上がり時間
は、既述の実施形態におけるのと同様であった。
用した場合も、固体レーザーモジュールの個体間でのレ
ーザービーム拡がり角ばらつき、および立ち上がり時間
は、既述の実施形態におけるのと同様であった。
【００３２】なお図５の構成において、非導電性接着剤
50および70の少なくとも一方を省いても、上記と同様の
効果を得ることができる。また図５の構成において、＋
ｃ面15ａおよび／または−ｃ面15ｂの、少なくともレー
ザービーム光路近傍に金属コート、もしくはプロトン交
換等の低抵抗化処理を施すようにしてもよい。
50および70の少なくとも一方を省いても、上記と同様の
効果を得ることができる。また図５の構成において、＋
ｃ面15ａおよび／または−ｃ面15ｂの、少なくともレー
ザービーム光路近傍に金属コート、もしくはプロトン交
換等の低抵抗化処理を施すようにしてもよい。
【図１】本発明の一実施形態による波長変換レーザーを
示す概略側面図
示す概略側面図
【図２】上記波長変換レーザーの要部を示す正面図
【図３】本発明の別の実施形態による波長変換レーザー
の要部を示す斜視図
の要部を示す斜視図
【図４】本発明のさらに異なる実施形態による波長変換
レーザーの要部を示す正面図
レーザーの要部を示す正面図
【図５】本発明のさらに異なる実施形態による波長変換
レーザーの要部を示す正面図
レーザーの要部を示す正面図
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 14 共振器ミラー 15 ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶 15ａ ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶の＋ｃ面 15ｂ ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶の−ｃ面 16 エタロン 17 ブリュースタ板 18 固体レーザービーム（基本波） 19 第２高調波 20 ホルダー 21 銅製ブロック 30 ベースプレート 31 ペルチェ素子 33 サーミスタ 40 金属コート 41 接着剤 50 非導電性接着剤 51 金属コート 52 板バネ 60 気体層 70 非導電性接着剤 71 銅板 72 導電性接着剤
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザー結晶を光によって励起し、それ
によって発せられた固体レーザービームを、共振器内に
配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶に
より波長変換する波長変換レーザーにおいて、 前記非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれの、少
なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分が互いに電
気的に接続されていることを特徴とする波長変換レーザ
ー。 - 【請求項２】 レーザー結晶を光によって励起し、それ
によって発せられた固体レーザービームを、共振器内に
配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶に
より波長変換する波長変換レーザーにおいて、 前記非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の一方の、少なく
とも固体レーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を介し
て導電性材料が取り付けられ、 前記非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面の他方の、少なく
とも固体レーザービーム光路の近傍部分と前記導電性材
料とが電気的に接続されていることを特徴とする波長変
換レーザー。 - 【請求項３】 レーザー結晶を光によって励起し、それ
によって発せられた固体レーザービームを、共振器内に
配した周期ドメイン反転構造を有する非線形光学結晶に
より波長変換する波長変換レーザーにおいて、 前記非線形光学結晶の＋ｃ面と−ｃ面のそれぞれの、少
なくとも固体レーザービーム光路の近傍部分に絶縁層を
介して導電性材料が取り付けられ、 これらの導電性材料が互いに電気的に接続されているこ
とを特徴とする波長変換レーザー。 - 【請求項４】 前記周期ドメイン反転構造を有する非線
形光学結晶がＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶であることを特
徴とする請求項１から３いずれか１項記載の波長変換レ
ーザー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26196097A JP3415407B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 波長変換レーザー |
| US09/160,345 US6047009A (en) | 1997-09-26 | 1998-09-25 | Wavelength conversion laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26196097A JP3415407B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 波長変換レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11101995A true JPH11101995A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3415407B2 JP3415407B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=17369053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26196097A Expired - Fee Related JP3415407B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 波長変換レーザー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6047009A (ja) |
| JP (1) | JP3415407B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170108988A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Hyundai Motor Company | Method and apparatus for recognizing a touch drag gesture on a curved screen |
| JP6912025B1 (ja) * | 2020-08-26 | 2021-07-28 | 三菱電機株式会社 | 波長変換装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1441242B1 (en) * | 2001-11-01 | 2013-03-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Waveplate, wavelength filter and wavelength monitor |
| DE102008009110A1 (de) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlasermodul |
| JP5570537B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-08-13 | パナソニック株式会社 | レーザ光源装置及びそれを用いた画像表示装置 |
| HK1255314A1 (zh) * | 2015-10-05 | 2019-08-16 | 量子位安科有限公司 | 双光子可调谐源 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4656635A (en) * | 1985-05-01 | 1987-04-07 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
| JP2727262B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1998-03-11 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換素子 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26196097A patent/JP3415407B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-25 US US09/160,345 patent/US6047009A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170108988A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Hyundai Motor Company | Method and apparatus for recognizing a touch drag gesture on a curved screen |
| JP6912025B1 (ja) * | 2020-08-26 | 2021-07-28 | 三菱電機株式会社 | 波長変換装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
| WO2022044144A1 (ja) * | 2020-08-26 | 2022-03-03 | 三菱電機株式会社 | 波長変換装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6047009A (en) | 2000-04-04 |
| JP3415407B2 (ja) | 2003-06-09 |
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