JPH11103116A - 青色レーザー発振装置 - Google Patents
青色レーザー発振装置Info
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- JPH11103116A JPH11103116A JP9263102A JP26310297A JPH11103116A JP H11103116 A JPH11103116 A JP H11103116A JP 9263102 A JP9263102 A JP 9263102A JP 26310297 A JP26310297 A JP 26310297A JP H11103116 A JPH11103116 A JP H11103116A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高変換効率且つ高出力で、波長０．４４−
０．４５μｍの青色光を安定に出力せしめる。 【解決手段】 第２高調波及び和周波発生により、０．
４４−０．４５μｍの波長でコヒーレント光を励起する
青色レーザー発振器であって、励起光源１として１．３
１３−１．３４１４μｍの波長のレーザー光を発振する
Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＧ又はＮｄ：ＹＡＰの各種固
体レーザーを用い、第２高調波、第３高調波発生の非線
形光学素子２、３としてＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結
晶を用いる。ＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶は位相整
合許容角が大きく、しかも励起光に対する出力特性が優
れている。従って、これを非線形光学素子２、３として
用い、位相整合条件を適宜設定することにより、高い変
換効率で安定した出力の青色コヒーレント光が得られ
る。
０．４５μｍの青色光を安定に出力せしめる。 【解決手段】 第２高調波及び和周波発生により、０．
４４−０．４５μｍの波長でコヒーレント光を励起する
青色レーザー発振器であって、励起光源１として１．３
１３−１．３４１４μｍの波長のレーザー光を発振する
Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＧ又はＮｄ：ＹＡＰの各種固
体レーザーを用い、第２高調波、第３高調波発生の非線
形光学素子２、３としてＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結
晶を用いる。ＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶は位相整
合許容角が大きく、しかも励起光に対する出力特性が優
れている。従って、これを非線形光学素子２、３として
用い、位相整合条件を適宜設定することにより、高い変
換効率で安定した出力の青色コヒーレント光が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第２高調波及び和周波
発生により、特に０．４４−０．４５μｍの波長でコヒ
ーレント光を励起する青色レーザー発振器に関するもの
である。
発生により、特に０．４４−０．４５μｍの波長でコヒ
ーレント光を励起する青色レーザー発振器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、非線形光学論系に基づいて、非線
形光学素子（結晶）にコヒーレントな励起光（基本波）
を入力することにより、異なる波長のコヒーレント光を
出力せしめる発振器が知られている。この発振器は、一
般に励起光源と非線形光学素子と、その両側に配置され
た一対の反射鏡とから概略構成されており、上記励起光
と出力光である第２及び第３高調波との間には、次式
〔数１〕、〔数２〕に示す関係が成り立っている。
形光学素子（結晶）にコヒーレントな励起光（基本波）
を入力することにより、異なる波長のコヒーレント光を
出力せしめる発振器が知られている。この発振器は、一
般に励起光源と非線形光学素子と、その両側に配置され
た一対の反射鏡とから概略構成されており、上記励起光
と出力光である第２及び第３高調波との間には、次式
〔数１〕、〔数２〕に示す関係が成り立っている。
【０００３】
【数１】１／λ1 ＋１／λ2 ＝１／λ３
【０００４】
【数２】ｎ１ ／λ1 ＋ｎ2 ／λ2 ＝ｎ3 ／λ3 但し、λ1 は基本波（励起光）の波長、λ2 は第２高調
波の波長、λ3 は第３高調波の波長、ｎ1 は基本波（励
起光）の屈折率、ｎ2 は第２高調波の屈折率、ｎ3 は第
３高調波の屈折率である。
波の波長、λ3 は第３高調波の波長、ｎ1 は基本波（励
起光）の屈折率、ｎ2 は第２高調波の屈折率、ｎ3 は第
３高調波の屈折率である。
【０００５】かかる構成のレーザー発振装置において、
励起光源にはＮｄ：ＹＬＦ（Ｎｄ3+：ＬｉＹＦ4 ）、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ3+：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）、Ｎｄ：ＹＡＰ
（Ｎｄ3+：ＹＡｌＯ3 ）等の各種固体レーザーを用い、
波長０．４４−０．４５μｍの第３高調波発生を行うも
のとしては、非線形光学素子としてＬｉＩＯ3 結晶を用
いて構成されたものが知られている。
励起光源にはＮｄ：ＹＬＦ（Ｎｄ3+：ＬｉＹＦ4 ）、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ3+：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）、Ｎｄ：ＹＡＰ
（Ｎｄ3+：ＹＡｌＯ3 ）等の各種固体レーザーを用い、
波長０．４４−０．４５μｍの第３高調波発生を行うも
のとしては、非線形光学素子としてＬｉＩＯ3 結晶を用
いて構成されたものが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の波長
０．４４−０．４５μｍの第３高調波を発生せしめる従
来のレーザー発振器には以下に述べる問題があった。
０．４４−０．４５μｍの第３高調波を発生せしめる従
来のレーザー発振器には以下に述べる問題があった。
【０００７】即ち、非線形光学素子としてＬｉＩＯ3 結
晶を用いたものは、位相整合角θが、タイプ−１（第１
種の整合）の第２、第３高調波発生として、それぞれ２
４．３°、３５．４°と小さいため、有効非線形光学定
数ＤｅｆｆTYPE-1（ＬｉＩＯ3 ）も１．８Ｐｍ／Ｖ、
２．５Ｐｍ／Ｖと小さく、位相整合許容角Δθ（ＦＷＨ
Ｍ半値幅）も、第２高調波発生ではΔθext ・Ｌ＝０．
９ｍｒａｄ・ｃｍ、第３高調波発生ではΔθext ・Ｌ＝
０．５ｍｒａｄ・ｃｍと極めて小さい。ここで、Δθ
ext は結晶の外部角、Ｌは結晶の長さである。
晶を用いたものは、位相整合角θが、タイプ−１（第１
種の整合）の第２、第３高調波発生として、それぞれ２
４．３°、３５．４°と小さいため、有効非線形光学定
数ＤｅｆｆTYPE-1（ＬｉＩＯ3 ）も１．８Ｐｍ／Ｖ、
２．５Ｐｍ／Ｖと小さく、位相整合許容角Δθ（ＦＷＨ
Ｍ半値幅）も、第２高調波発生ではΔθext ・Ｌ＝０．
９ｍｒａｄ・ｃｍ、第３高調波発生ではΔθext ・Ｌ＝
０．５ｍｒａｄ・ｃｍと極めて小さい。ここで、Δθ
ext は結晶の外部角、Ｌは結晶の長さである。
【０００８】従ってこの場合、屈折率の温度依存性が殆
どないという利点はあるものの、高い変換効率で安定し
た出力光を得ることは出来なかった。
どないという利点はあるものの、高い変換効率で安定し
た出力光を得ることは出来なかった。
【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、高変換効率
且つ高出力で、波長０．４４−０．４５μｍの青色光を
安定に出力せしめ得る青色レーザー発振器を提供するこ
とにある。
れたものであり、その目的とするところは、高変換効率
且つ高出力で、波長０．４４−０．４５μｍの青色光を
安定に出力せしめ得る青色レーザー発振器を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成すべく
本発明者等は種々の検討を試みた結果、第２高調波発生
素子としてＲｂＴｉＡｓＯ4 結晶、第３高調波発生素子
としてＣｅ：ＫＴｉＯＰＯ4 結晶を用いることにより、
変換効率、出力特性のいずれも向上することを見い出し
たものである。
本発明者等は種々の検討を試みた結果、第２高調波発生
素子としてＲｂＴｉＡｓＯ4 結晶、第３高調波発生素子
としてＣｅ：ＫＴｉＯＰＯ4 結晶を用いることにより、
変換効率、出力特性のいずれも向上することを見い出し
たものである。
【００１１】即ち、本発明の青色レーザー発振器は、励
起光源として１．３１３−１．３４１４μｍの波長のレ
ーザー光を発振するＮｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＧ又はＮ
ｄ：ＹＡＰの各種固体レーザーを用い、第２高調波、第
３高調波発生の非線形光学素子としてＲＴＡ結晶及びＣ
ｅ：ＫＴＰ結晶を用いて成るものである。
起光源として１．３１３−１．３４１４μｍの波長のレ
ーザー光を発振するＮｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＧ又はＮ
ｄ：ＹＡＰの各種固体レーザーを用い、第２高調波、第
３高調波発生の非線形光学素子としてＲＴＡ結晶及びＣ
ｅ：ＫＴＰ結晶を用いて成るものである。
【００１２】ＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶は位相整
合許容角が大きく、しかも励起光に対する出力特性が優
れている。従って、これを非線形光学素子として用い、
位相整合条件を適宜設定することにより、高い変換効率
で安定した出力の青色コヒーレント光が得られる。
合許容角が大きく、しかも励起光に対する出力特性が優
れている。従って、これを非線形光学素子として用い、
位相整合条件を適宜設定することにより、高い変換効率
で安定した出力の青色コヒーレント光が得られる。
【００１３】
【実施の形態】以下、図示した実施の形態に基づき本発
明を詳細に説明する。図１は本発明の青色レーザー発振
装置の実施の形態を示す図、図２は第２高調波及び和周
波発生である。図中、１は励起光源、２は非線形光学素
子（第２高調波発生）、３は非線形光学素子（第３高調
波発生）、４は完全反射鏡（基本波及び第２高調波でＲ
＝１００％、第３高調波でＲ≧９０％）、５は部分反射
鏡（基本波及び第２高調波でＲ＝１００％、第３高調波
でＲ≦３０％）、λ1 は励起光の波長、λ2 は第２高調
波の波長、λ3 は第３高調波の波長を示す。
明を詳細に説明する。図１は本発明の青色レーザー発振
装置の実施の形態を示す図、図２は第２高調波及び和周
波発生である。図中、１は励起光源、２は非線形光学素
子（第２高調波発生）、３は非線形光学素子（第３高調
波発生）、４は完全反射鏡（基本波及び第２高調波でＲ
＝１００％、第３高調波でＲ≧９０％）、５は部分反射
鏡（基本波及び第２高調波でＲ＝１００％、第３高調波
でＲ≦３０％）、λ1 は励起光の波長、λ2 は第２高調
波の波長、λ3 は第３高調波の波長を示す。
【００１４】本発明の青色レーザー発振装置は、図１に
示すように励起光を出射する励起光源１と、励起光源上
に配置された第２、第３高調波発生の非線形光学素子２
及び３と、同じく励起光の光軸上で励起光源１と非線形
光学素子３の出射側にそれぞれ配置された完全反射鏡４
と部分反射鏡５とから構成されている。
示すように励起光を出射する励起光源１と、励起光源上
に配置された第２、第３高調波発生の非線形光学素子２
及び３と、同じく励起光の光軸上で励起光源１と非線形
光学素子３の出射側にそれぞれ配置された完全反射鏡４
と部分反射鏡５とから構成されている。
【００１５】励起光源１には、波長１．３１３−１．３
４１４μｍのレーザ光を出力する各種固体レーザーを用
いるが、各種固体レーザーとしては、１．３１３及び
１．３２１μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＬＦ
（Ｎｄ3+：ＬｉＹＦ4 ）、１．３１８８及び１．３３８
２μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＧ（Ｎ
ｄ3+：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）、又は１．３４１４μｍの波長
でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＰ（Ｎｄ3+：ＹＡｌ
Ｏ3 ）等が用いられる。この励起光源１から出射された
励起光λ1 は、完全反射鏡４及び部分反射鏡５を介して
非線形光学素子２及び３に入射するようになっている。
４１４μｍのレーザ光を出力する各種固体レーザーを用
いるが、各種固体レーザーとしては、１．３１３及び
１．３２１μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＬＦ
（Ｎｄ3+：ＬｉＹＦ4 ）、１．３１８８及び１．３３８
２μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＧ（Ｎ
ｄ3+：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）、又は１．３４１４μｍの波長
でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＰ（Ｎｄ3+：ＹＡｌ
Ｏ3 ）等が用いられる。この励起光源１から出射された
励起光λ1 は、完全反射鏡４及び部分反射鏡５を介して
非線形光学素子２及び３に入射するようになっている。
【００１６】第２高調波、第３高調波発生の非線形光学
素子２、３は、タイプ−２（第２種の整合、７０°≦θ
≦７５°、φ＝０°、但し、φはｘ軸からｙ軸方向へ測
定した極座標の角度、θは角度φで引かれたｘｙ面内の
線分へのｚ軸からの極座標の角度である。）で切り出し
たＲｂＴｉＡｓＯ4 結晶（以下、「ＲＴＡ結晶」とい
う）、及びタイプ−２（第２種の整合、８０°≦θ≦９
０°、φ＝０°、但し、θ、φは上記と同一の極座標の
角度）で切り出したＣｅ：ＫＴｉＯＰＯ4 結晶（以下、
「Ｃｅ：ＫＴＰ結晶」という）が用いられている。これ
らＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶は、抵抗過熱炉を用
いた周知のフラックス法により形成したが、非線形光学
定数ｄ32が、ＲＴＡ結晶ではｄ32＝３．７ｐｍ／Ｖ、Ｃ
ｅ：ＫＴＰ結晶ではｄ32＝３．４ｐｍ／Ｖと大きく、し
かも位相整合許容角Δθが、ＲＴＡ結晶ではΔθext ・
Ｌ＝０．５ｍｒａｄ・ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶ではΔθ
ext・Ｌ＝１７ｍｒａｄ・ｃｍと大きく、前記ＬｉＩＯ
3 結晶の約２．５−３５倍の大きさとなるものである。
又、励起光における破壊しきい値が、１００ｎｓ、１ｋ
Ｈｚのパルスで約５００ＭＷ／ｃｍ2 と高く、更に、潮
解性が無く、位相整合条件が温度に対して、ＲＴＡ結晶
ではΔＴ・Ｌ＝３２°Ｃ・ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶では
ΔＴ・Ｌ＝２８°Ｃ・ｃｍと非常に大きく反射防止膜の
コートも簡単に出来るという特性を有している。
素子２、３は、タイプ−２（第２種の整合、７０°≦θ
≦７５°、φ＝０°、但し、φはｘ軸からｙ軸方向へ測
定した極座標の角度、θは角度φで引かれたｘｙ面内の
線分へのｚ軸からの極座標の角度である。）で切り出し
たＲｂＴｉＡｓＯ4 結晶（以下、「ＲＴＡ結晶」とい
う）、及びタイプ−２（第２種の整合、８０°≦θ≦９
０°、φ＝０°、但し、θ、φは上記と同一の極座標の
角度）で切り出したＣｅ：ＫＴｉＯＰＯ4 結晶（以下、
「Ｃｅ：ＫＴＰ結晶」という）が用いられている。これ
らＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶は、抵抗過熱炉を用
いた周知のフラックス法により形成したが、非線形光学
定数ｄ32が、ＲＴＡ結晶ではｄ32＝３．７ｐｍ／Ｖ、Ｃ
ｅ：ＫＴＰ結晶ではｄ32＝３．４ｐｍ／Ｖと大きく、し
かも位相整合許容角Δθが、ＲＴＡ結晶ではΔθext ・
Ｌ＝０．５ｍｒａｄ・ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶ではΔθ
ext・Ｌ＝１７ｍｒａｄ・ｃｍと大きく、前記ＬｉＩＯ
3 結晶の約２．５−３５倍の大きさとなるものである。
又、励起光における破壊しきい値が、１００ｎｓ、１ｋ
Ｈｚのパルスで約５００ＭＷ／ｃｍ2 と高く、更に、潮
解性が無く、位相整合条件が温度に対して、ＲＴＡ結晶
ではΔＴ・Ｌ＝３２°Ｃ・ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶では
ΔＴ・Ｌ＝２８°Ｃ・ｃｍと非常に大きく反射防止膜の
コートも簡単に出来るという特性を有している。
【００１７】励起光源１及び非線形光学素子３の出射側
に配置された完全反射鏡４及び部分反射鏡５は、共に励
起光源１により出射される基本波であるレーザー光の波
長及び第２高調波の波長で高い反射率を有している。完
全反射鏡４は、第３高調波の波長で９０％以上の反射率
Ｒを有し、部分反射鏡５は、第３高調波の波長で７０％
の透過率を有するダイクロイック反射鏡より成ってい
る。
に配置された完全反射鏡４及び部分反射鏡５は、共に励
起光源１により出射される基本波であるレーザー光の波
長及び第２高調波の波長で高い反射率を有している。完
全反射鏡４は、第３高調波の波長で９０％以上の反射率
Ｒを有し、部分反射鏡５は、第３高調波の波長で７０％
の透過率を有するダイクロイック反射鏡より成ってい
る。
【００１８】かかる構成において、励起光源１から図で
右方に出射された基本波λ1 の励起光は、図２に示すよ
うに非線形光学素子２で第２高調波λ2 に変換され、非
線形光学素子３で和周波発生により第３高調波λ3 に変
換され、部分反射鏡５により出射される。位相整合せず
に変換されなかった基本波λ1 及び第２高調波λ2 は、
部分反射鏡５により反射されて再度非線形光学素子３で
第３高調波λ3 に変換される。また励起光源１から左方
に出射される励起光λ1 は、完全反射鏡４により反射さ
れて、上記のプロセスを行って第３高調波λ3 に変換さ
れる。
右方に出射された基本波λ1 の励起光は、図２に示すよ
うに非線形光学素子２で第２高調波λ2 に変換され、非
線形光学素子３で和周波発生により第３高調波λ3 に変
換され、部分反射鏡５により出射される。位相整合せず
に変換されなかった基本波λ1 及び第２高調波λ2 は、
部分反射鏡５により反射されて再度非線形光学素子３で
第３高調波λ3 に変換される。また励起光源１から左方
に出射される励起光λ1 は、完全反射鏡４により反射さ
れて、上記のプロセスを行って第３高調波λ3 に変換さ
れる。
【００１９】従って、例えば励起光源１として波長λ1
＝１．３１８８μｍ及び１．３３８２μｍで発振するＮ
ｄ：ＹＡＧレーザーを用い、これにより励起光を出射し
ながら非線形光学素子２、３を図示したｙ軸を中心に所
定の出力光波長に応じて適宜角度調整すると、コヒーレ
ントな青色レザー光を安定して得ることができる。
＝１．３１８８μｍ及び１．３３８２μｍで発振するＮ
ｄ：ＹＡＧレーザーを用い、これにより励起光を出射し
ながら非線形光学素子２、３を図示したｙ軸を中心に所
定の出力光波長に応じて適宜角度調整すると、コヒーレ
ントな青色レザー光を安定して得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、励起光源として、１．３１３〜１．３４１４
μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ、又はＮｄ：ＹＡＰの各種固体レーザーを用い、非
線形光学素子として、ＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶
を用いて、青色レーザー発振装置を構成するので、青色
コヒーレント光を安定した出力で効率よく得ることがで
きる。
によれば、励起光源として、１．３１３〜１．３４１４
μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ、又はＮｄ：ＹＡＰの各種固体レーザーを用い、非
線形光学素子として、ＲＴＡ結晶及びＣｅ：ＫＴＰ結晶
を用いて、青色レーザー発振装置を構成するので、青色
コヒーレント光を安定した出力で効率よく得ることがで
きる。
【００２１】図２に示すように青色レーザー発振装置に
おいて、励起光源としてＮｄ：ＹＡＧレーザーを用い、
θ＝７５°、φ＝０°に切り出して成る長さ０．５ｃｍ
のＲＴＡ結晶及びθ＝８７°±１、φ＝０°に切り出し
て成る長さ０．８ｃｍのＣｅ：ＫＴＰ結晶を用いて適宜
位相整合角に調整することにより、発振しきい値の約２
倍の入力で、平均出力２００ｍＷの青色レーザー光を２
ｋＨｚで得られた。また、図２に示すようにＲＴＡ結晶
の長さをＬ＝１ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶の長さをＬ＝
０．８ｃｍとした場合、光変換効率は約４倍に上がる計
算となる。
おいて、励起光源としてＮｄ：ＹＡＧレーザーを用い、
θ＝７５°、φ＝０°に切り出して成る長さ０．５ｃｍ
のＲＴＡ結晶及びθ＝８７°±１、φ＝０°に切り出し
て成る長さ０．８ｃｍのＣｅ：ＫＴＰ結晶を用いて適宜
位相整合角に調整することにより、発振しきい値の約２
倍の入力で、平均出力２００ｍＷの青色レーザー光を２
ｋＨｚで得られた。また、図２に示すようにＲＴＡ結晶
の長さをＬ＝１ｃｍ、Ｃｅ：ＫＴＰ結晶の長さをＬ＝
０．８ｃｍとした場合、光変換効率は約４倍に上がる計
算となる。
【図１】 本発明の青色レーザー発振装置の実施の形態
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 非線形光学素子の実施例を示す図である。
１…励起光源、２…非線形光学素子（第２高調波発
生）、３…非線形光学素子（第３高調波発生）、４…完
全反射鏡（基本波及び第２高調波でＲ＝１００％、第３
高調波でＲ≧９０％）、５…部分反射鏡（基本波及び第
２高調波でＲ＝１００％、第３高調波でＲ≦３０％）
生）、３…非線形光学素子（第３高調波発生）、４…完
全反射鏡（基本波及び第２高調波でＲ＝１００％、第３
高調波でＲ≧９０％）、５…部分反射鏡（基本波及び第
２高調波でＲ＝１００％、第３高調波でＲ≦３０％）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畠山 教一 埼玉県草加市栄町２丁目５番23号 103 (72)発明者 田中 詠子 東京都港区白金２丁目５番51号 高岡方
Claims (1)
- 【請求項１】 第２高調波及び和周波発生により、０．
４４−０．４５μｍの波長でコヒーレント光を励起する
青色レーザー発振器であって、励起光源として、１．３
１３及び０．３２１μｍの波長でレーザー発振するＮ
ｄ：ＹＬＦ（Ｎｄ3+：ＬｉＹＦ4 ）、１．３１８８及び
１．３３８２μｍの波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＡ
Ｇ（Ｎｄ3+：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）、又は１．３４１４μｍ
の波長でレーザー発振するＮｄ：ＹＡＰ（Ｎｄ3+：ＹＡ
ｌＯ3 ）の各種固体レーザーを用い、第２高調波、第３
高調波発生の非線形光学素子として、ＲｂＴｉＯＡｓＯ
4 （ＲＴＡ）結晶及びＣｅ：ＫＴｉＯＰＯ4 （Ｃｅ：Ｋ
ＴＰ）結晶を用いたことを特徴とする青色レーザー発振
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9263102A JPH11103116A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 青色レーザー発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9263102A JPH11103116A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 青色レーザー発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103116A true JPH11103116A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17384860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9263102A Pending JPH11103116A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 青色レーザー発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11103116A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100809271B1 (ko) | 2007-04-17 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 파장가변 레이저 장치 |
| CN104319618A (zh) * | 2014-11-12 | 2015-01-28 | 核工业理化工程研究院 | 355nm紫外固体激光器 |
| CN112993735A (zh) * | 2019-12-14 | 2021-06-18 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种高效率蓝光激光器 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP9263102A patent/JPH11103116A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100809271B1 (ko) | 2007-04-17 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 파장가변 레이저 장치 |
| CN104319618A (zh) * | 2014-11-12 | 2015-01-28 | 核工业理化工程研究院 | 355nm紫外固体激光器 |
| CN112993735A (zh) * | 2019-12-14 | 2021-06-18 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种高效率蓝光激光器 |
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