JPH11106848A - セラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法 - Google Patents
セラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法Info
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- JPH11106848A JPH11106848A JP27259497A JP27259497A JPH11106848A JP H11106848 A JPH11106848 A JP H11106848A JP 27259497 A JP27259497 A JP 27259497A JP 27259497 A JP27259497 A JP 27259497A JP H11106848 A JPH11106848 A JP H11106848A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ合金素地中にセラミックス粉末（特にＳ
ｉＣ粉末）が緻密に分散したセラミックス粉末高含有Ａ
ｌ合金基複合材料の製造方法を提供する。 【解決手段】 均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末と平均粒
径の最も小さなＳｉＣ粉末の比が１．２〜１００の範囲
内にあり、かつ平均粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の占め
る割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均
粒径の異なる２種類以上のＳｉＣ粉末を配合し混合して
ＳｉＣ混合粉末を作製し、このＳｉＣ混合粉末にＡｌ合
金粉末を、ＳｉＣ混合粉末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合してＡｌ合金
−ＳｉＣ混合粉末を作製し、Ａｌ合金−ＳｉＣ混合粉末
を温度：１００〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａ
で予備成形し、ついで、Ａｌ合金の液相線温度からＡｌ
合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら
３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形する。
ｉＣ粉末）が緻密に分散したセラミックス粉末高含有Ａ
ｌ合金基複合材料の製造方法を提供する。 【解決手段】 均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末と平均粒
径の最も小さなＳｉＣ粉末の比が１．２〜１００の範囲
内にあり、かつ平均粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の占め
る割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均
粒径の異なる２種類以上のＳｉＣ粉末を配合し混合して
ＳｉＣ混合粉末を作製し、このＳｉＣ混合粉末にＡｌ合
金粉末を、ＳｉＣ混合粉末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合してＡｌ合金
−ＳｉＣ混合粉末を作製し、Ａｌ合金−ＳｉＣ混合粉末
を温度：１００〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａ
で予備成形し、ついで、Ａｌ合金の液相線温度からＡｌ
合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら
３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ａｌ合金素地中
にセラミックス粉末が緻密に分散している高密度のセラ
ミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法に関
するものであり、特に、Ａｌ合金素地中にＳｉＣ粉末が
緻密に分散している高密度のＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金
基複合材料の製造方法に関するものである。
にセラミックス粉末が緻密に分散している高密度のセラ
ミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法に関
するものであり、特に、Ａｌ合金素地中にＳｉＣ粉末が
緻密に分散している高密度のＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金
基複合材料の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ａｌ合金粉末素地中に、セラミッ
クス粉末、セラミックス繊維またはそれらの混合物が分
散している組織を有するセラミックス含有Ａｌ合金基複
合材料は、耐熱性および耐摩耗性に優れるところから内
燃機関の部品または電子部品の材料として広く用いられ
ている。特に、ＳｉＣ含有Ａｌ合金基複合材料はＳｉチ
ップをＡｌ合金製リードフレームとの間に挿入して、Ｓ
ｉチップで生じた熱をＡｌ合金製リードフレームに逃が
すヒートシンク材として使用される。
クス粉末、セラミックス繊維またはそれらの混合物が分
散している組織を有するセラミックス含有Ａｌ合金基複
合材料は、耐熱性および耐摩耗性に優れるところから内
燃機関の部品または電子部品の材料として広く用いられ
ている。特に、ＳｉＣ含有Ａｌ合金基複合材料はＳｉチ
ップをＡｌ合金製リードフレームとの間に挿入して、Ｓ
ｉチップで生じた熱をＡｌ合金製リードフレームに逃が
すヒートシンク材として使用される。
【０００３】これらセラミックス含有Ａｌ合金基複合材
料は、通常、（ａ）Ａｌ合金溶湯にセラミックス粉末、
セラミックス繊維またはそれらの混合物を添加して強撹
拌することによりセラミックス粉末、セラミックス繊維
またはそれらの混合物をＡｌ合金溶湯中に分散させる溶
湯撹拌法、（ｂ）一定の気孔率を有するセラミックス粉
末、セラミックス繊維またはそれらの混合物の予備成形
体または焼成体を作製し、高圧によりＡｌ合金溶湯を前
記予備成形体または焼成体中に含浸させる加圧含浸法、
（ｃ）マグネシウムを含有するＡｌ合金粉末を窒素雰囲
気中でセラミックス粉末、セラミックス繊維またはそれ
らの混合物を非加圧下で複合させる非加圧含浸法、
（ｄ）Ａｌ合金粉末と、セラミックス粉末、セラミック
ス繊維またはそれらの混合物との化学反応を利用して複
合させるＩｎ−ｓｉｔｕ法、などの方法により作られる
ことは一般に知られている。
料は、通常、（ａ）Ａｌ合金溶湯にセラミックス粉末、
セラミックス繊維またはそれらの混合物を添加して強撹
拌することによりセラミックス粉末、セラミックス繊維
またはそれらの混合物をＡｌ合金溶湯中に分散させる溶
湯撹拌法、（ｂ）一定の気孔率を有するセラミックス粉
末、セラミックス繊維またはそれらの混合物の予備成形
体または焼成体を作製し、高圧によりＡｌ合金溶湯を前
記予備成形体または焼成体中に含浸させる加圧含浸法、
（ｃ）マグネシウムを含有するＡｌ合金粉末を窒素雰囲
気中でセラミックス粉末、セラミックス繊維またはそれ
らの混合物を非加圧下で複合させる非加圧含浸法、
（ｄ）Ａｌ合金粉末と、セラミックス粉末、セラミック
ス繊維またはそれらの混合物との化学反応を利用して複
合させるＩｎ−ｓｉｔｕ法、などの方法により作られる
ことは一般に知られている。
【０００４】しかし、前記溶湯撹拌法は、Ａｌ合金素地
中にセラミックス粉末、セラミックス繊維またはそれら
の混合物を均一に分散させることは容易にできることで
はなく、また、この方法ではセラミックス粉末、セラミ
ックス繊維またはそれらの混合物を３０ｖｏｌ％以上含
有させることは困難である。さらに、前記加圧含浸法ま
たは非加圧含浸法は、予備成形体の製造に際しては気孔
のコントロールを必要とすると共に、圧力および雰囲気
の正確なコントロールを必要とするところからコストが
高くなることが避けられないという欠点がある。また、
Ｉｎ−ｓｉｔｕ法は化学反応を利用して複合させるもの
であるから、特定のマトリックスと強化材の組み合わせ
しか利用できず、汎用性のない方法である。
中にセラミックス粉末、セラミックス繊維またはそれら
の混合物を均一に分散させることは容易にできることで
はなく、また、この方法ではセラミックス粉末、セラミ
ックス繊維またはそれらの混合物を３０ｖｏｌ％以上含
有させることは困難である。さらに、前記加圧含浸法ま
たは非加圧含浸法は、予備成形体の製造に際しては気孔
のコントロールを必要とすると共に、圧力および雰囲気
の正確なコントロールを必要とするところからコストが
高くなることが避けられないという欠点がある。また、
Ｉｎ−ｓｉｔｕ法は化学反応を利用して複合させるもの
であるから、特定のマトリックスと強化材の組み合わせ
しか利用できず、汎用性のない方法である。
【０００５】これら方法の欠点を解決するために「軽金
属」Ｖｏｌ．３９（１９８９）、第２５５〜２６１ペー
ジに詳細に記載されている液相成形法が開発された。こ
の方法は、Ａｌ合金粉末と、アルミナ粉末、アルミナ繊
維またはそれらの混合物とを混合して得られたＡｌ合金
−アルミナ混合粉末を予備成形して予備成形体を作製
し、この予備成形体をＡｌ合金の液相線温度以上に加熱
して加圧成形する方法であって、簡単な製造方法である
にもかかわらず、アルミナ粉末を高含有したＡｌ合金基
複合材料が得られる方法である。この液相成形法による
成形理論は、Ａｌ合金粉末とアルミナ粉末を混合して得
られたＡｌ合金−アルミナ混合粉末の予備成形体をＡｌ
合金の液相線温度以上に加熱すると、Ａｌ合金粉末は表
面が強固な酸化膜で覆われているので、粉末の内部が溶
融状態になっても溶融金属は流出することなく酸化膜内
部に充填された状態になっており、次に、加熱保持され
たＡｌ合金−アルミナ混合粉末に外部より酸化膜を破壊
するに必要な応力を加えると、Ａｌ合金粉末の酸化膜内
部の溶融金属が流出し、引き続く外部応力の負荷で溶融
金属はアルミナ粉末を濡らすと共にアルミナ粉末間の隙
間に浸透し、凝固してセラミックス含有Ａｌ合金基複合
材料が製造されるされている
属」Ｖｏｌ．３９（１９８９）、第２５５〜２６１ペー
ジに詳細に記載されている液相成形法が開発された。こ
の方法は、Ａｌ合金粉末と、アルミナ粉末、アルミナ繊
維またはそれらの混合物とを混合して得られたＡｌ合金
−アルミナ混合粉末を予備成形して予備成形体を作製
し、この予備成形体をＡｌ合金の液相線温度以上に加熱
して加圧成形する方法であって、簡単な製造方法である
にもかかわらず、アルミナ粉末を高含有したＡｌ合金基
複合材料が得られる方法である。この液相成形法による
成形理論は、Ａｌ合金粉末とアルミナ粉末を混合して得
られたＡｌ合金−アルミナ混合粉末の予備成形体をＡｌ
合金の液相線温度以上に加熱すると、Ａｌ合金粉末は表
面が強固な酸化膜で覆われているので、粉末の内部が溶
融状態になっても溶融金属は流出することなく酸化膜内
部に充填された状態になっており、次に、加熱保持され
たＡｌ合金−アルミナ混合粉末に外部より酸化膜を破壊
するに必要な応力を加えると、Ａｌ合金粉末の酸化膜内
部の溶融金属が流出し、引き続く外部応力の負荷で溶融
金属はアルミナ粉末を濡らすと共にアルミナ粉末間の隙
間に浸透し、凝固してセラミックス含有Ａｌ合金基複合
材料が製造されるされている
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の液
相成形法で製造したＡｌ合金基複合材料は、Ａｌ合金に
対するセラミックス粉末の含有量は４０ｖｏｌ％が限度
であり、４０ｖｏｌ％を越えてセラミックス粉末を添加
したＡｌ合金−セラミックス混合粉末を予備成形し、液
相成形しても、得られたセラミックス粉末高含有Ａｌ合
金基複合材料は多孔質で密度が低下し、各種機械部品ま
たは電子部品の材料として使用に供することはできず、
特にセラミックス粉末がＳｉＣ粉末である場合は、高密
度のＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料を製造するこ
とができず、従って、ヒートシンクの材料として提供す
ることができないという課題があった。
相成形法で製造したＡｌ合金基複合材料は、Ａｌ合金に
対するセラミックス粉末の含有量は４０ｖｏｌ％が限度
であり、４０ｖｏｌ％を越えてセラミックス粉末を添加
したＡｌ合金−セラミックス混合粉末を予備成形し、液
相成形しても、得られたセラミックス粉末高含有Ａｌ合
金基複合材料は多孔質で密度が低下し、各種機械部品ま
たは電子部品の材料として使用に供することはできず、
特にセラミックス粉末がＳｉＣ粉末である場合は、高密
度のＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料を製造するこ
とができず、従って、ヒートシンクの材料として提供す
ることができないという課題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％を越える高密
度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料、特に
ＳｉＣ粉末の含有量が４０ｖｏｌ％を越える高密度のＳ
ｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料を製造することので
きる方法を開発すべく研究を行なった結果、（ａ）平均
粒径の異なったセラミックス粉末を混合して得られたセ
ラミックス混合粉末をＡｌ合金粉末に対して添加し混合
してＡｌ合金−セラミックス混合粉末を作製し、このＡ
ｌ合金−セラミックス混合粉末を予備成形して予備成形
体を作製し、ついでこの予備成形体をＡｌ合金の液相線
温度以上に加熱して加圧成形すると従来よりも十分に充
填することができる、（ｂ）Ａｌ合金−セラミックス混
合粉末を予備成形して予備成形体を作製する条件を温
度：１００〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａの条
件で行うことが好ましい、（ｃ）予備成形体を液相成形
する条件は、温度：Ａｌ合金の液相線温度〜Ａｌ合金の
液相線温度＋１５０℃、圧力：３０〜３００ＭＰａの範
囲内で行うことが好ましい、という研究結果を得たので
ある。
セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％を越える高密
度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料、特に
ＳｉＣ粉末の含有量が４０ｖｏｌ％を越える高密度のＳ
ｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料を製造することので
きる方法を開発すべく研究を行なった結果、（ａ）平均
粒径の異なったセラミックス粉末を混合して得られたセ
ラミックス混合粉末をＡｌ合金粉末に対して添加し混合
してＡｌ合金−セラミックス混合粉末を作製し、このＡ
ｌ合金−セラミックス混合粉末を予備成形して予備成形
体を作製し、ついでこの予備成形体をＡｌ合金の液相線
温度以上に加熱して加圧成形すると従来よりも十分に充
填することができる、（ｂ）Ａｌ合金−セラミックス混
合粉末を予備成形して予備成形体を作製する条件を温
度：１００〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａの条
件で行うことが好ましい、（ｃ）予備成形体を液相成形
する条件は、温度：Ａｌ合金の液相線温度〜Ａｌ合金の
液相線温度＋１５０℃、圧力：３０〜３００ＭＰａの範
囲内で行うことが好ましい、という研究結果を得たので
ある。
【０００８】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、（１）平均粒径の最も大きなセ
ラミックス粉末と平均粒径の最も小さなセラミックス粉
末の比が１．２〜１００の範囲内にあり、かつ平均粒径
の最も小さなセラミックス粉末の占める割合が１０〜７
０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均粒径の異なる２種
類以上のセラミックス粉末を配合し混合してセラミック
ス混合粉末を作製し、前記セラミックス混合粉末にＡｌ
合金粉末を、セラミックス混合粉末：４０超〜７０ｖｏ
ｌ％、残部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合して
Ａｌ合金−セラミックス混合粉末を作製し、前記Ａｌ合
金−セラミックス混合粉末を１００〜４００℃の温度に
保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で予備成形して予
備成形体を作製し、ついで、前記予備成形体をＡｌ合金
の液相線温度からＡｌ合金の液相線温度＋１５０℃の範
囲の温度に保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で液相
成形するセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の
製造方法、に特徴を有するものである。
なされたものであって、（１）平均粒径の最も大きなセ
ラミックス粉末と平均粒径の最も小さなセラミックス粉
末の比が１．２〜１００の範囲内にあり、かつ平均粒径
の最も小さなセラミックス粉末の占める割合が１０〜７
０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均粒径の異なる２種
類以上のセラミックス粉末を配合し混合してセラミック
ス混合粉末を作製し、前記セラミックス混合粉末にＡｌ
合金粉末を、セラミックス混合粉末：４０超〜７０ｖｏ
ｌ％、残部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合して
Ａｌ合金−セラミックス混合粉末を作製し、前記Ａｌ合
金−セラミックス混合粉末を１００〜４００℃の温度に
保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で予備成形して予
備成形体を作製し、ついで、前記予備成形体をＡｌ合金
の液相線温度からＡｌ合金の液相線温度＋１５０℃の範
囲の温度に保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で液相
成形するセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の
製造方法、に特徴を有するものである。
【０００９】この発明において、前記セラミックス粉末
はＳｉＣ粉末であることが好ましい。従って、この発明
は、（２）平均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末と平均粒径
の最も小さなＳｉＣ粉末の比が１．２〜１００の範囲内
にあり、かつ平均粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の占める
割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均粒
径の異なる２種類以上のＳｉＣ粉末を配合し混合してＳ
ｉＣ混合粉末を作製し、前記ＳｉＣ混合粉末にＡｌ合金
粉末を、ＳｉＣ混合粉末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合してＡｌ合金
−ＳｉＣ混合粉末を作製し、前記Ａｌ合金−ＳｉＣ混合
粉末を１００〜４００℃の温度に保ちながら３０〜３０
０ＭＰａの圧力で予備成形して予備成形体を作製し、つ
いで、前記予備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡｌ
合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら
３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形するＳｉＣ粉末高
含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法、に特徴を有するも
のである。
はＳｉＣ粉末であることが好ましい。従って、この発明
は、（２）平均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末と平均粒径
の最も小さなＳｉＣ粉末の比が１．２〜１００の範囲内
にあり、かつ平均粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の占める
割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平均粒
径の異なる２種類以上のＳｉＣ粉末を配合し混合してＳ
ｉＣ混合粉末を作製し、前記ＳｉＣ混合粉末にＡｌ合金
粉末を、ＳｉＣ混合粉末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末となるように配合し混合してＡｌ合金
−ＳｉＣ混合粉末を作製し、前記Ａｌ合金−ＳｉＣ混合
粉末を１００〜４００℃の温度に保ちながら３０〜３０
０ＭＰａの圧力で予備成形して予備成形体を作製し、つ
いで、前記予備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡｌ
合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら
３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形するＳｉＣ粉末高
含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法、に特徴を有するも
のである。
【００１０】この発明のセラミックス粉末高含有Ａｌ合
金基複合材料の製造方法のＡｌ合金−セラミックス混合
粉末を作製し、予備成形して予備成形体を作製し、得ら
れた予備成形体を液相成形する工程における条件を前記
のごとく限定した理由を以下に説明する。
金基複合材料の製造方法のＡｌ合金−セラミックス混合
粉末を作製し、予備成形して予備成形体を作製し、得ら
れた予備成形体を液相成形する工程における条件を前記
のごとく限定した理由を以下に説明する。
【００１１】（Ａ）セラミックス混合粉末：１種類の平
均粒径を有するセラミックス粉末では、粒径が小さい場
合には粒子総表面積がおおきすぎて液相成形時の溶融Ａ
ｌ合金が粒子間に浸透するのを妨げるので好ましくな
く、逆に粒径が大きい場合には粒子間に多くの間隙が形
成されるので好ましくない。従って、この発明では平均
粒径の異なったセラミックス粉末を混合してして得られ
るセラミックス混合粉末を使用する必要があるが、その
場合、平均粒径の大きなセラミックス粉末の平均粒径Ｄ
A と平均粒径の小さなセラミックス粉末の平均粒径ＤB
とすると、粒径比（以下、ＤA ／ＤB で示す）が１．２
未満であり、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉
末の占める割合が１０ｖｏｌ％未満であったり、また
は、粒径比（ＤA ／ＤB ）が１００を越え、かつ平均粒
径の小さなセラミックス粉末の占める割合が７０ｖｏｌ
％を越えたりすると、粒子間に多くの間隙が形成される
ので好ましくない。従って、ＤA ／Ｄ B は１．２〜１０
０（好ましくは、１．５≦ＤA ／ＤB ≦１０）の範囲内
にあり、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の
占める割合が１０〜７０ｖｏｌ％（好ましくは、２５〜
５５ｖｏｌ％）の範囲内にあるように定めた。
均粒径を有するセラミックス粉末では、粒径が小さい場
合には粒子総表面積がおおきすぎて液相成形時の溶融Ａ
ｌ合金が粒子間に浸透するのを妨げるので好ましくな
く、逆に粒径が大きい場合には粒子間に多くの間隙が形
成されるので好ましくない。従って、この発明では平均
粒径の異なったセラミックス粉末を混合してして得られ
るセラミックス混合粉末を使用する必要があるが、その
場合、平均粒径の大きなセラミックス粉末の平均粒径Ｄ
A と平均粒径の小さなセラミックス粉末の平均粒径ＤB
とすると、粒径比（以下、ＤA ／ＤB で示す）が１．２
未満であり、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉
末の占める割合が１０ｖｏｌ％未満であったり、また
は、粒径比（ＤA ／ＤB ）が１００を越え、かつ平均粒
径の小さなセラミックス粉末の占める割合が７０ｖｏｌ
％を越えたりすると、粒子間に多くの間隙が形成される
ので好ましくない。従って、ＤA ／Ｄ B は１．２〜１０
０（好ましくは、１．５≦ＤA ／ＤB ≦１０）の範囲内
にあり、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の
占める割合が１０〜７０ｖｏｌ％（好ましくは、２５〜
５５ｖｏｌ％）の範囲内にあるように定めた。
【００１２】また、２種類以上の異なった平均粒径Ｄma
x …Ｄmin を有するセラミックス粉末を混合した場合、
平均粒径の最も大きなセラミックス粉末の平均粒径Ｄma
x と平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の平均粒径
Ｄmin の粒径比（以下、Ｄmax ／Ｄmin で示す）が１．
２〜１００（好ましくは、１．５〜１０）の範囲内にあ
り、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の占め
る割合が１０〜７０ｖｏｌ％（好ましくは、２５〜５５
ｖｏｌ％）の範囲内にあることが好ましいことは同じ理
由によるものである。
x …Ｄmin を有するセラミックス粉末を混合した場合、
平均粒径の最も大きなセラミックス粉末の平均粒径Ｄma
x と平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の平均粒径
Ｄmin の粒径比（以下、Ｄmax ／Ｄmin で示す）が１．
２〜１００（好ましくは、１．５〜１０）の範囲内にあ
り、かつ平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の占め
る割合が１０〜７０ｖｏｌ％（好ましくは、２５〜５５
ｖｏｌ％）の範囲内にあることが好ましいことは同じ理
由によるものである。
【００１３】（Ｂ）Ａｌ合金−セラミックス混合粉末：
前記セラミックス混合粉末とＡｌ合金粉末を混合してＡ
ｌ合金−セラミックス混合粉末を作る場合のセラミック
ス混合粉末の添加量は、セラミックス混合粉末が４０ｖ
ｏｌ％以下では十分にセラミックス粉末を含有している
とはいえず、一方、セラミックス混合粉末の添加量が７
０ｖｏｌ％を越えると得られたＡｌ合金基複合材料が脆
すぎるところから好ましくない。従って、Ａｌ合金−セ
ラミックス混合粉末に含まれるセラミックス粉末の量は
４０超〜７０ｖｏｌ％に定めた。
前記セラミックス混合粉末とＡｌ合金粉末を混合してＡ
ｌ合金−セラミックス混合粉末を作る場合のセラミック
ス混合粉末の添加量は、セラミックス混合粉末が４０ｖ
ｏｌ％以下では十分にセラミックス粉末を含有している
とはいえず、一方、セラミックス混合粉末の添加量が７
０ｖｏｌ％を越えると得られたＡｌ合金基複合材料が脆
すぎるところから好ましくない。従って、Ａｌ合金−セ
ラミックス混合粉末に含まれるセラミックス粉末の量は
４０超〜７０ｖｏｌ％に定めた。
【００１４】（Ｃ）予備成形：前記Ａｌ合金−セラミッ
クス混合粉末を予備成形するための条件を温度：１００
〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａに定めた理由
は、予備成形温度が１００℃未満、予備成形圧力が３０
ＭＰａ未満ではＡｌ合金粉末が変形しにくく、一定の形
状を有する予備成形体の作製が困難になるほか、ポアも
増加して十分な強度の予備成形体が得られないことによ
るものであり、一方、予備成形温度が４００℃を越え、
予備成形圧力が３００ＭＰａを越えた条件で予備成形す
ると半焼結状態となり、かえって次の工程の液相成形時
の成形効率を低下させるので好ましくないことによるも
のである。予備成形条件の一層好ましい範囲は、温度：
２００〜３００℃、圧力：１５０〜２５０ＭＰａであ
る。
クス混合粉末を予備成形するための条件を温度：１００
〜４００℃、圧力：３０〜３００ＭＰａに定めた理由
は、予備成形温度が１００℃未満、予備成形圧力が３０
ＭＰａ未満ではＡｌ合金粉末が変形しにくく、一定の形
状を有する予備成形体の作製が困難になるほか、ポアも
増加して十分な強度の予備成形体が得られないことによ
るものであり、一方、予備成形温度が４００℃を越え、
予備成形圧力が３００ＭＰａを越えた条件で予備成形す
ると半焼結状態となり、かえって次の工程の液相成形時
の成形効率を低下させるので好ましくないことによるも
のである。予備成形条件の一層好ましい範囲は、温度：
２００〜３００℃、圧力：１５０〜２５０ＭＰａであ
る。
【００１５】（Ｄ）液相成形：予備成形して得られた予
備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡｌ合金の液相線
温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら３０〜３００
ＭＰａの圧力で液相成形する理由は、温度がＡｌ合金の
液相線温度より低く、３０ＭＰａ未満の圧力で液相成形
しても十分な密度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基
複合材料が得られず、一方、液相成形温度をＡｌ合金の
液相線温度＋１５０℃よりも高くしかつ圧力を３００Ｍ
Ｐａよりも高くしてもより一層の効果が得られないとこ
ろから、液相成形温度：Ａｌ合金の液相線温度〜Ａｌ合
金の液相線温度＋１５０℃、圧力：３０〜３００ＭＰａ
に定めた。液相成形温度の一層好ましい範囲はＡｌ合金
の液相線温度〜Ａｌ合金の液相線温度＋１００℃、圧
力：１５０〜２５０ＭＰａである。
備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡｌ合金の液相線
温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちながら３０〜３００
ＭＰａの圧力で液相成形する理由は、温度がＡｌ合金の
液相線温度より低く、３０ＭＰａ未満の圧力で液相成形
しても十分な密度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基
複合材料が得られず、一方、液相成形温度をＡｌ合金の
液相線温度＋１５０℃よりも高くしかつ圧力を３００Ｍ
Ｐａよりも高くしてもより一層の効果が得られないとこ
ろから、液相成形温度：Ａｌ合金の液相線温度〜Ａｌ合
金の液相線温度＋１５０℃、圧力：３０〜３００ＭＰａ
に定めた。液相成形温度の一層好ましい範囲はＡｌ合金
の液相線温度〜Ａｌ合金の液相線温度＋１００℃、圧
力：１５０〜２５０ＭＰａである。
【００１６】
実施例１ 平均粒径：１４μｍのＳｉＣ粉末および平均粒径：３０
μｍのＳｉＣ粉末を用意し、これらＳｉＣ粉末を、平均
粒径：１４μｍのＳｉＣ粉末：平均粒径：３０μｍのＳ
ｉＣ粉末＝５：５の割合に配合し混合して平均粒径の異
なるＳｉＣ粉末の混合粉末（以下、ＳｉＣ混合粉末とい
う）を作製した。このようにして得られたＳｉＣ混合粉
末の平均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末の平均粒径と平均
粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の平均粒径の粒径比は３０
μｍ／１４μｍ（＝２．１４）となり、平均粒径の最も
小さなＳｉＣ粉末の占める割合は５０ｖｏｌ％である。
このＳｉＣ混合粉末を前記平均粒径：６０μｍのＡｌ合
金粉末に対して、ＳｉＣ混合粉末：６２ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末の割合で配合し、ボールミルによって
混合してＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を作製した。このＡ
ｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を予備成形用金型に充填し、温
度：３００℃、圧力：２００ＭＰａで予備成形し、得ら
れた予備成形体を温度：６２０℃（Ａｌ合金の液相線温
度＋１０℃）および圧力：２００ＭＰａで液相成形する
ことによりセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料
を作製し、本発明法１を実施した。
μｍのＳｉＣ粉末を用意し、これらＳｉＣ粉末を、平均
粒径：１４μｍのＳｉＣ粉末：平均粒径：３０μｍのＳ
ｉＣ粉末＝５：５の割合に配合し混合して平均粒径の異
なるＳｉＣ粉末の混合粉末（以下、ＳｉＣ混合粉末とい
う）を作製した。このようにして得られたＳｉＣ混合粉
末の平均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末の平均粒径と平均
粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の平均粒径の粒径比は３０
μｍ／１４μｍ（＝２．１４）となり、平均粒径の最も
小さなＳｉＣ粉末の占める割合は５０ｖｏｌ％である。
このＳｉＣ混合粉末を前記平均粒径：６０μｍのＡｌ合
金粉末に対して、ＳｉＣ混合粉末：６２ｖｏｌ％、残
部：Ａｌ合金粉末の割合で配合し、ボールミルによって
混合してＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を作製した。このＡ
ｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を予備成形用金型に充填し、温
度：３００℃、圧力：２００ＭＰａで予備成形し、得ら
れた予備成形体を温度：６２０℃（Ａｌ合金の液相線温
度＋１０℃）および圧力：２００ＭＰａで液相成形する
ことによりセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料
を作製し、本発明法１を実施した。
【００１７】従来例１ 一方、比較のために、平均粒径：３０μｍのＳｉＣ粉末
と前記平均粒径：６０μｍのＡｌ合金粉末を、ＳｉＣ粉
末：６２ｖｏｌ％、残部：Ａｌ合金粉末となるように配
合し、ボールミルによって混合してＡｌ合金−ＳｉＣ粉
末を作製した。このＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を予備成
形用金型に充填し、常温で圧力：２００ＭＰａで予備成
形し、得られた予備成形体を温度：６２０℃（Ａｌ合金
の液相線温度＋１０℃）および圧力：２００ＭＰａで液
相成形することによりＡｌ合金基複合材料を作製し、従
来法１を実施した。
と前記平均粒径：６０μｍのＡｌ合金粉末を、ＳｉＣ粉
末：６２ｖｏｌ％、残部：Ａｌ合金粉末となるように配
合し、ボールミルによって混合してＡｌ合金−ＳｉＣ粉
末を作製した。このＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を予備成
形用金型に充填し、常温で圧力：２００ＭＰａで予備成
形し、得られた予備成形体を温度：６２０℃（Ａｌ合金
の液相線温度＋１０℃）および圧力：２００ＭＰａで液
相成形することによりＡｌ合金基複合材料を作製し、従
来法１を実施した。
【００１８】本発明法１および従来法１で得られたＡｌ
合金基複合材料の密度比、熱伝導率および熱膨張率を測
定し、その結果を表１に示した。
合金基複合材料の密度比、熱伝導率および熱膨張率を測
定し、その結果を表１に示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１に示される結果から、ＳｉＣ粉末の含
有量が６２ｖｏｌ％で同じであっても、平均粒径の異な
ったＳｉＣ粉末を混合して得られたＳｉＣ混合粉末を温
度：３００℃で予備成形し、得られた予備成形体を温
度：６２０℃（Ａｌ合金の液相線温度＋１０℃）、圧
力：２００ＭＰａで液相成形する本発明法１で作製した
ＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料は、均一な平均粒
径のＳｉＣ粉末を常温で予備成形する従来法１により得
られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料と比べて密
度比が向上し、熱伝導率が大きくかつ熱膨張率の小さ
く、この材料はヒートシンク材料として優れた特性を有
することが分かる。
有量が６２ｖｏｌ％で同じであっても、平均粒径の異な
ったＳｉＣ粉末を混合して得られたＳｉＣ混合粉末を温
度：３００℃で予備成形し、得られた予備成形体を温
度：６２０℃（Ａｌ合金の液相線温度＋１０℃）、圧
力：２００ＭＰａで液相成形する本発明法１で作製した
ＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料は、均一な平均粒
径のＳｉＣ粉末を常温で予備成形する従来法１により得
られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料と比べて密
度比が向上し、熱伝導率が大きくかつ熱膨張率の小さ
く、この材料はヒートシンク材料として優れた特性を有
することが分かる。
【００２１】実施例２ 平均粒径：０．５μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ0.5 と記
す）、平均粒径：５μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ5 と記
す）、平均粒径：１４μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ14と
記す）、平均粒径：３０μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ30
と記す）、平均粒径：５０μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ
50と記す）、および平均粒径：５５μｍのＳｉＣ粉末
（以下、Ｓ55と記す）を用意した。さらに、Ａｌ−１０
ｗｔ％Ｓｉ−１ｗｔ％Ｍｇからなる組成のＡｌ合金溶湯
をエアーアトマイズすることにより、平均粒径：６０μ
ｍのＡｌ合金粉末を作製した。
す）、平均粒径：５μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ5 と記
す）、平均粒径：１４μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ14と
記す）、平均粒径：３０μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ30
と記す）、平均粒径：５０μｍのＳｉＣ粉末（以下、Ｓ
50と記す）、および平均粒径：５５μｍのＳｉＣ粉末
（以下、Ｓ55と記す）を用意した。さらに、Ａｌ−１０
ｗｔ％Ｓｉ−１ｗｔ％Ｍｇからなる組成のＡｌ合金溶湯
をエアーアトマイズすることにより、平均粒径：６０μ
ｍのＡｌ合金粉末を作製した。
【００２２】配合したＳｉＣ粉末の内の最も大きな平均
粒径をＤmax 、配合したＳｉＣ粉末の内の最も小さな平
均粒径をＤmin とし、平均粒径の異なったＳｉＣ粉末
（Ｓ0. 5 、Ｓ5 、Ｓ14、Ｓ30、Ｓ50およびＳ55）を表２
〜表３に示される割合で混合することによりＳｉＣ混合
粉末を作製した。これらＳｉＣ混合粉末を前記Ａｌ合金
粉末に対して、表２〜表３に示される割合で配合し、ボ
ールミルによって混合してＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を
作製し、このＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を表２〜表３に
示される温度および圧力で予備成形し、得られた予備成
形体を表２〜表３に示される温度および圧力で液相成形
することにより本発明法２〜１０および比較法１〜５を
実施することによりＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材
料を作製した。本発明法２〜１０および比較法１〜５に
より得られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の密
度比、熱伝導率および熱膨張率を測定し、その結果を表
４〜表５に示した。
粒径をＤmax 、配合したＳｉＣ粉末の内の最も小さな平
均粒径をＤmin とし、平均粒径の異なったＳｉＣ粉末
（Ｓ0. 5 、Ｓ5 、Ｓ14、Ｓ30、Ｓ50およびＳ55）を表２
〜表３に示される割合で混合することによりＳｉＣ混合
粉末を作製した。これらＳｉＣ混合粉末を前記Ａｌ合金
粉末に対して、表２〜表３に示される割合で配合し、ボ
ールミルによって混合してＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を
作製し、このＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を表２〜表３に
示される温度および圧力で予備成形し、得られた予備成
形体を表２〜表３に示される温度および圧力で液相成形
することにより本発明法２〜１０および比較法１〜５を
実施することによりＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材
料を作製した。本発明法２〜１０および比較法１〜５に
より得られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の密
度比、熱伝導率および熱膨張率を測定し、その結果を表
４〜表５に示した。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【発明の効果】表２〜表５に示される結果から、本発明
法２〜１０で作製したＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合
材料は、比較法１〜５で作製したＳｉＣ粉末高含有Ａｌ
合金基複合材料に比べていずれも密度比が高く、熱伝導
率が大きくかつ熱膨張率の小さく、従って、ヒートシン
ク材として優れた材料であることが分かる。しかし、こ
の発明の範囲から外れた比較法１〜５（表３において、
この発明の条件から外れている値に＊印をつけて示し
た）により得られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材
料は密度比、熱伝導率または熱膨張率がやや劣ることが
分かる。
法２〜１０で作製したＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合
材料は、比較法１〜５で作製したＳｉＣ粉末高含有Ａｌ
合金基複合材料に比べていずれも密度比が高く、熱伝導
率が大きくかつ熱膨張率の小さく、従って、ヒートシン
ク材として優れた材料であることが分かる。しかし、こ
の発明の範囲から外れた比較法１〜５（表３において、
この発明の条件から外れている値に＊印をつけて示し
た）により得られたＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材
料は密度比、熱伝導率または熱膨張率がやや劣ることが
分かる。
【００２８】なお、この実施例１および２では平均粒径
の異なった２種類のＳｉＣ粉末を混合した実施例を示し
たが、平均粒径の異なった３種類以上ののＳｉＣ粉末を
混合したＳｉＣ混合粉末を用いて製造したＳｉＣ粉末高
含有Ａｌ合金基複合材料についても同じ結果が得られ
た。上述のように、この発明の製造方法は、従来よりも
特性の優れた高密度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金
基複合材料を提供することができ、工業上有用な効果を
もたらすものである。
の異なった２種類のＳｉＣ粉末を混合した実施例を示し
たが、平均粒径の異なった３種類以上ののＳｉＣ粉末を
混合したＳｉＣ混合粉末を用いて製造したＳｉＣ粉末高
含有Ａｌ合金基複合材料についても同じ結果が得られ
た。上述のように、この発明の製造方法は、従来よりも
特性の優れた高密度のセラミックス粉末高含有Ａｌ合金
基複合材料を提供することができ、工業上有用な効果を
もたらすものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 平均粒径の最も大きなセラミックス粉末
と平均粒径の最も小さなセラミックス粉末の比が１．２
〜１００の範囲内にあり、かつ平均粒径の最も小さなセ
ラミックス粉末の占める割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範
囲内にあるように平均粒径の異なる２種類以上のセラミ
ックス粉末を配合し混合してセラミックス混合粉末を作
製し、 前記セラミックス混合粉末にＡｌ合金粉末を、セラミッ
クス混合粉末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残部：Ａｌ合金
粉末となるように配合し混合してＡｌ合金−セラミック
ス混合粉末を作製し、 前記Ａｌ合金−セラミックス混合粉末を１００〜４００
℃の温度に保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で予備
成形して予備成形体を作製し、 ついで、前記予備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡ
ｌ合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちなが
ら３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形する、ことを特
徴とするセラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の
製造方法。 - 【請求項２】 平均粒径の最も大きなＳｉＣ粉末と平均
粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の比が１．２〜１００の範
囲内にあり、かつ平均粒径の最も小さなＳｉＣ粉末の占
める割合が１０〜７０ｖｏｌ％の範囲内にあるように平
均粒径の異なる２種類以上のＳｉＣ粉末を配合し混合し
てＳｉＣ混合粉末を作製し、 前記ＳｉＣ混合粉末にＡｌ合金粉末を、ＳｉＣ混合粉
末：４０超〜７０ｖｏｌ％、残部：Ａｌ合金粉末となる
ように配合し混合してＡｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を作製
し、 前記Ａｌ合金−ＳｉＣ混合粉末を１００〜４００℃の温
度に保ちながら３０〜３００ＭＰａの圧力で予備成形し
て予備成形体を作製し、 ついで、前記予備成形体をＡｌ合金の液相線温度からＡ
ｌ合金の液相線温度＋１５０℃の範囲の温度に保ちなが
ら３０〜３００ＭＰａの圧力で液相成形する、ことを特
徴とするＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方
法。 - 【請求項３】 ＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材料
は、ヒートシンク用ＳｉＣ粉末高含有Ａｌ合金基複合材
料であることを特徴とする請求項２記載のＳｉＣ粉末高
含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27259497A JPH11106848A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | セラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27259497A JPH11106848A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | セラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11106848A true JPH11106848A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17516102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27259497A Pending JPH11106848A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | セラミックス粉末高含有Ａｌ合金基複合材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11106848A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002285259A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Toyota Industries Corp | 電子機器用放熱部材およびその製造方法 |
| WO2002077303A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method for manufacturing radiating member for electronic equipment |
| KR100413547B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2003-12-31 | 한국기계연구원 | 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료 및 그 제조방법 |
| KR100453518B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2004-10-20 | 한국과학기술연구원 | 반도체 소자용 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법 |
| JP2010024077A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
| WO2013011668A1 (ja) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 日本軽金属株式会社 | 放熱基板用複合材料、及びその製造方法 |
| WO2016056567A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 日本発條株式会社 | 放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法 |
| WO2024157588A1 (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-02 | アドバンスコンポジット株式会社 | 高強度金属基複合体及び高強度金属基複合体の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27259497A patent/JPH11106848A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002285259A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Toyota Industries Corp | 電子機器用放熱部材およびその製造方法 |
| WO2002077304A1 (fr) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Element dissipant la chaleur pour appareil electronique et procede de production de celui-ci |
| WO2002077303A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method for manufacturing radiating member for electronic equipment |
| US7364632B2 (en) | 2001-03-26 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Radiator member for electronic appliances and processes for producing the same |
| KR100413547B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2003-12-31 | 한국기계연구원 | 플라즈마 용사에 의한 고열전도도와 저열팽창계수를 가지는 전자패키징용 알루미늄기지 복합재료 및 그 제조방법 |
| KR100453518B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2004-10-20 | 한국과학기술연구원 | 반도체 소자용 박스형 구조재용 Si-Al 합금의 제조방법 |
| JP2010024077A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
| WO2013011668A1 (ja) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 日本軽金属株式会社 | 放熱基板用複合材料、及びその製造方法 |
| US8945466B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-02-03 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Composite material for heat dissipating plate and method of production of same |
| EP2735391A4 (en) * | 2011-07-15 | 2015-03-25 | Nippon Light Metal Co | COMPOSITE MATERIAL FOR A HEAT-RESISTANT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE COMPOSITE MATERIAL FOR A HEAT-DISINTERANT SUBSTRATE |
| WO2016056567A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 日本発條株式会社 | 放熱部材用積層体、ヒートシンク付き基板、および放熱部材用積層体の製造方法 |
| WO2024157588A1 (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-02 | アドバンスコンポジット株式会社 | 高強度金属基複合体及び高強度金属基複合体の製造方法 |
| JP2024106304A (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-07 | アドバンスコンポジット株式会社 | 高強度金属基複合体及び高強度金属基複合体の製造方法 |
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