JPH11228261A - ヒートシンク用材料及びその製造方法 - Google Patents
ヒートシンク用材料及びその製造方法Info
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- JPH11228261A JPH11228261A JP3537898A JP3537898A JPH11228261A JP H11228261 A JPH11228261 A JP H11228261A JP 3537898 A JP3537898 A JP 3537898A JP 3537898 A JP3537898 A JP 3537898A JP H11228261 A JPH11228261 A JP H11228261A
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Landscapes
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のヒートシンク用の材料では、それが金
属の場合では熱膨張などに、セラミックスの場合では耐
衝撃性などに問題があった。 【解決手段】 Ｓｉの含有量が５〜２０重量％で、Ｍｇ
の含有量が２重量％以下のアルミニウムまたはその合金
から成るマトリックス中に、粉末充填率が６０体積％以
上で、平均粒径が１０〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡ
ｌＮ粉末を分散させた１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を
有する金属−セラミックス複合材料から成ることとした
ヒートシンク用材料。１０〜７０μｍの平均粒径を有す
るＳｉＣまたはＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加えて
混合し、成形し、焼成してプリフォームを形成した後、
該プリフォームにＳｉを５〜２０重量％、Ｍｇを２重量
％以下含む溶融されたアルミニウムまたはその合金を高
圧で含浸させることとしたヒートシンク用材料の製造方
法。
属の場合では熱膨張などに、セラミックスの場合では耐
衝撃性などに問題があった。 【解決手段】 Ｓｉの含有量が５〜２０重量％で、Ｍｇ
の含有量が２重量％以下のアルミニウムまたはその合金
から成るマトリックス中に、粉末充填率が６０体積％以
上で、平均粒径が１０〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡ
ｌＮ粉末を分散させた１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を
有する金属−セラミックス複合材料から成ることとした
ヒートシンク用材料。１０〜７０μｍの平均粒径を有す
るＳｉＣまたはＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加えて
混合し、成形し、焼成してプリフォームを形成した後、
該プリフォームにＳｉを５〜２０重量％、Ｍｇを２重量
％以下含む溶融されたアルミニウムまたはその合金を高
圧で含浸させることとしたヒートシンク用材料の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒートシンク用材
料及びその製造方法に関し、特に金属−セラミックス複
合材料を用いたヒートシンク用材料及びその製造方法に
関する。
料及びその製造方法に関し、特に金属−セラミックス複
合材料を用いたヒートシンク用材料及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
ヒートシンクに用いられる材料としては、Ｃｕあるいは
Ｃｕを主成分とする合金が主流であった。しかしなが
ら、この材料では、ヒートシンクと接合される部材にセ
ラミックスなどの低熱膨張の材料が使用されると、熱膨
張係数の大きなヒートシンクとの間でマッチングが悪く
なり、歪を発生するという問題があった。また、軽量化
を図るためにヒートシンクを薄板形状にすると、剛性が
不足し、たわみが発生することがあった。
ヒートシンクに用いられる材料としては、Ｃｕあるいは
Ｃｕを主成分とする合金が主流であった。しかしなが
ら、この材料では、ヒートシンクと接合される部材にセ
ラミックスなどの低熱膨張の材料が使用されると、熱膨
張係数の大きなヒートシンクとの間でマッチングが悪く
なり、歪を発生するという問題があった。また、軽量化
を図るためにヒートシンクを薄板形状にすると、剛性が
不足し、たわみが発生することがあった。
【０００３】そのため、熱膨張の小さいセラミックスが
ヒートシンクの材料として用いられるようになった。こ
の材料は、熱膨張が小さい上に剛性が高いので、歪は勿
論たわみの問題も発生しない。しかしながら、この材料
は脆性材料であるため衝撃に弱く、振動などが発生する
環境下にあっては破損することすらあった。
ヒートシンクの材料として用いられるようになった。こ
の材料は、熱膨張が小さい上に剛性が高いので、歪は勿
論たわみの問題も発生しない。しかしながら、この材料
は脆性材料であるため衝撃に弱く、振動などが発生する
環境下にあっては破損することすらあった。
【０００４】本発明は、上述したヒートシンク用材料が
有する課題に鑑みなされたものであって、その目的は、
歪、たわみは勿論衝撃にも強いヒートシンク用材料を提
供し、その製造方法をも提供することにある。
有する課題に鑑みなされたものであって、その目的は、
歪、たわみは勿論衝撃にも強いヒートシンク用材料を提
供し、その製造方法をも提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するため鋭意研究した結果、ヒートシンクの材料
として金属−セラミックス複合材料を用いれば、歪、た
わみは勿論衝撃にも強いヒートシンク用材料が得られる
との知見を得て本発明を完成するに至った。
を達成するため鋭意研究した結果、ヒートシンクの材料
として金属−セラミックス複合材料を用いれば、歪、た
わみは勿論衝撃にも強いヒートシンク用材料が得られる
との知見を得て本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち本発明は、（１）Ｓｉの含有量が５〜
２０重量％で、Ｍｇの含有量が２重量％以下のアルミニ
ウムまたはその合金から成るマトリックス中に、粉末充
填率が６０体積％以上で、平均粒径が１０〜７０μｍの
ＳｉＣ粉末またはＡｌＮ粉末を分散させた１５０Ｗ／ｍ
Ｋ以上の熱伝導率を有する金属−セラミックス複合材料
から成ることを特徴とするヒートシンク用材料（請求項
１）とし、また、（２）１０〜７０μｍの平均粒径を有
するＳｉＣまたはＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加え
て混合し、その混合物を成形し、得られた成形物を焼成
してプリフォームを形成した後、該プリフォームにＳｉ
を５〜２０重量％、Ｍｇを２重量％以下含む溶融された
アルミニウムまたはその合金を高圧で含浸させることを
特徴とするヒートシンク用材料の製造方法（請求項２）
とすることを要旨とする。以下さらに詳細に説明する。
２０重量％で、Ｍｇの含有量が２重量％以下のアルミニ
ウムまたはその合金から成るマトリックス中に、粉末充
填率が６０体積％以上で、平均粒径が１０〜７０μｍの
ＳｉＣ粉末またはＡｌＮ粉末を分散させた１５０Ｗ／ｍ
Ｋ以上の熱伝導率を有する金属−セラミックス複合材料
から成ることを特徴とするヒートシンク用材料（請求項
１）とし、また、（２）１０〜７０μｍの平均粒径を有
するＳｉＣまたはＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加え
て混合し、その混合物を成形し、得られた成形物を焼成
してプリフォームを形成した後、該プリフォームにＳｉ
を５〜２０重量％、Ｍｇを２重量％以下含む溶融された
アルミニウムまたはその合金を高圧で含浸させることを
特徴とするヒートシンク用材料の製造方法（請求項２）
とすることを要旨とする。以下さらに詳細に説明する。
【０００７】上記ヒートシンク用材料としては、Ｓｉの
含有量が５〜２０重量％で、Ｍｇの含有量が２重量％以
下のアルミニウムまたはその合金から成るマトリックス
中に、粉末充填率が６０体積％以上で、平均粒径が１０
〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡｌＮ粉末を分散させた
１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する金属−セラミッ
クス複合材料から成る材料とした（請求項１）。ヒート
シンク用材料が金属−セラミックス複合材料から成ると
したのは、この複合材料が金属に比べて熱膨張が小さい
こと、剛性も高いこと、セラミックスに比べ耐衝撃性に
優れていることなどで金属またはセラミックスの欠点を
是正できることによる。
含有量が５〜２０重量％で、Ｍｇの含有量が２重量％以
下のアルミニウムまたはその合金から成るマトリックス
中に、粉末充填率が６０体積％以上で、平均粒径が１０
〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡｌＮ粉末を分散させた
１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する金属−セラミッ
クス複合材料から成る材料とした（請求項１）。ヒート
シンク用材料が金属−セラミックス複合材料から成ると
したのは、この複合材料が金属に比べて熱膨張が小さい
こと、剛性も高いこと、セラミックスに比べ耐衝撃性に
優れていることなどで金属またはセラミックスの欠点を
是正できることによる。
【０００８】その複合材料中の金属をアルミニウムまた
はその合金としたのは、それら金属の熱伝導率が特に高
く、熱膨張係数も従来のＣｕ合金より小さくできること
による。そして、それら金属中のＳｉの含有量を５〜２
０重量％とし、Ｍｇの含有量を２重量％以下としたの
は、Ｓｉの含有量が５重量％より少ないと、複合材料の
熱膨張係数が大きくなり、２０重量％より多いと、アル
ミニウム合金の延性が失われて複合材料が脆くなり、ま
た、Ｍｇの含有量が２重量％より多いと、複合材料の熱
伝導率が低下するので、いずれも好ましくないことによ
る。
はその合金としたのは、それら金属の熱伝導率が特に高
く、熱膨張係数も従来のＣｕ合金より小さくできること
による。そして、それら金属中のＳｉの含有量を５〜２
０重量％とし、Ｍｇの含有量を２重量％以下としたの
は、Ｓｉの含有量が５重量％より少ないと、複合材料の
熱膨張係数が大きくなり、２０重量％より多いと、アル
ミニウム合金の延性が失われて複合材料が脆くなり、ま
た、Ｍｇの含有量が２重量％より多いと、複合材料の熱
伝導率が低下するので、いずれも好ましくないことによ
る。
【０００９】一方、セラミックス粉末をＳｉＣ粉末また
はＡｌＮ粉末としたのは、それら粉末の熱伝導率が特に
高いためである。そして、それらセラミックス粉末の充
填率を６０体積％以上としたのは、６０体積％より低い
と、複合材料の剛性が低下し、さらに熱膨張係数も高く
なって好ましくないことによる。また、その平均粒径を
１０〜７０μｍとしたのは、１０μｍより細かいと、形
成するプリフォーム中の粉末粒子間の間隙が狭くなり、
マトリックスであるアルミニウムまたはその合金の含浸
が難しくなり、７０μｍより粗いと、複合材料の強度が
低下することによる。
はＡｌＮ粉末としたのは、それら粉末の熱伝導率が特に
高いためである。そして、それらセラミックス粉末の充
填率を６０体積％以上としたのは、６０体積％より低い
と、複合材料の剛性が低下し、さらに熱膨張係数も高く
なって好ましくないことによる。また、その平均粒径を
１０〜７０μｍとしたのは、１０μｍより細かいと、形
成するプリフォーム中の粉末粒子間の間隙が狭くなり、
マトリックスであるアルミニウムまたはその合金の含浸
が難しくなり、７０μｍより粗いと、複合材料の強度が
低下することによる。
【００１０】その複合材料の熱伝導率を室温で１５０Ｗ
／ｍＫ以上としたのは、実用化されているセラミックス
製のヒートシンクの熱伝導率が、１５０Ｗ／ｍＫ程度で
あるので、これ以上の値であれば十分満足できることに
よる。
／ｍＫ以上としたのは、実用化されているセラミックス
製のヒートシンクの熱伝導率が、１５０Ｗ／ｍＫ程度で
あるので、これ以上の値であれば十分満足できることに
よる。
【００１１】このヒートシンク用材料の製造方法として
は、１０〜７０μｍの平均粒径を有するＳｉＣ粉末また
はＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加えて混合し、その
混合物を成形し、得られた成形体を焼成してプリフォー
ムを形成した後、該プリフォームにＳｉを５〜２０重量
％、Ｍｇを２重量％以下含む溶融されたアルミニウムま
たはその合金を高圧で含浸させることとする製造方法と
した（請求項２）。溶融された金属を高圧法で含浸させ
るのは、ヒートシンクとしての特性がマトリックスであ
る金属の組成に大きく影響されるため、どんな組成の金
属でも含浸させることのできる高圧法が好ましいことに
よる。
は、１０〜７０μｍの平均粒径を有するＳｉＣ粉末また
はＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加えて混合し、その
混合物を成形し、得られた成形体を焼成してプリフォー
ムを形成した後、該プリフォームにＳｉを５〜２０重量
％、Ｍｇを２重量％以下含む溶融されたアルミニウムま
たはその合金を高圧で含浸させることとする製造方法と
した（請求項２）。溶融された金属を高圧法で含浸させ
るのは、ヒートシンクとしての特性がマトリックスであ
る金属の組成に大きく影響されるため、どんな組成の金
属でも含浸させることのできる高圧法が好ましいことに
よる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のヒートシンク用材料の製
造方法をさらに詳細に述べると、先ずセラミックス粉末
として平均粒径が１０〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡ
ｌＮ粉末を用意する。それら粉末に無機バインダーを加
え混合し、得られた混合物はそのまま、あるいは必要に
応じて乾燥し、それを成形用の型に充填し、プレス成形
する方法、あるいは無機バインダー及び溶媒を加え混合
し、得られた懸濁液をフィルターなどでプレスする方法
で成形し、その成形体を焼成してプリフォームを形成す
る。
造方法をさらに詳細に述べると、先ずセラミックス粉末
として平均粒径が１０〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡ
ｌＮ粉末を用意する。それら粉末に無機バインダーを加
え混合し、得られた混合物はそのまま、あるいは必要に
応じて乾燥し、それを成形用の型に充填し、プレス成形
する方法、あるいは無機バインダー及び溶媒を加え混合
し、得られた懸濁液をフィルターなどでプレスする方法
で成形し、その成形体を焼成してプリフォームを形成す
る。
【００１３】次いで、形成したプリフォームにアルミニ
ウムまたはその合金を高圧で含浸させる。その方法は、
例えば、アルミニウム鋳造用の金型内にプリフォームを
セットし、その金型を予熱し、別に７００〜８５０℃の
温度で溶融したアルミニウムまたはその合金を前記した
金型内に注入し、５０ＭＰａ以上の圧力で高圧鋳造して
セラミックス粒子間に金属を含浸させ、冷却してヒート
シンク用の金属−セラミックス複合材料を作製する。
ウムまたはその合金を高圧で含浸させる。その方法は、
例えば、アルミニウム鋳造用の金型内にプリフォームを
セットし、その金型を予熱し、別に７００〜８５０℃の
温度で溶融したアルミニウムまたはその合金を前記した
金型内に注入し、５０ＭＰａ以上の圧力で高圧鋳造して
セラミックス粒子間に金属を含浸させ、冷却してヒート
シンク用の金属−セラミックス複合材料を作製する。
【００１４】以上の方法で金属−セラミックス複合材料
を作製すれば、歪、たわみは勿論衝撃にも強く、しかも
１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有するヒートシンク用
の材料が得られる。
を作製すれば、歪、たわみは勿論衝撃にも強く、しかも
１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有するヒートシンク用
の材料が得られる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に具体的
に挙げ、本発明をより詳細に説明する。
に挙げ、本発明をより詳細に説明する。
【００１６】（実施例１〜３） （１）プリフォームの形成 ＳｉＣ粉末（信濃電気精錬社製、平均粒径２０μｍ）ま
たはシリカコーティングしたＡｌＮ粉末（ダウケミカル
社製、平均粒径２０μｍ）１００重量部に無機バインダ
ー（アルミナゾル、日産化学社製）を２重量部、水を３
０重量部加え、混合し、混合した懸濁液をフィルタープ
レスした後、成形し、得られた成形体を１０００℃で５
時間加熱して縦１００×横１００×厚さ３０ｍｍのプリ
フォームを得た。なお、粉末充填率の増減は、プレス圧
を加減することで調整した。
たはシリカコーティングしたＡｌＮ粉末（ダウケミカル
社製、平均粒径２０μｍ）１００重量部に無機バインダ
ー（アルミナゾル、日産化学社製）を２重量部、水を３
０重量部加え、混合し、混合した懸濁液をフィルタープ
レスした後、成形し、得られた成形体を１０００℃で５
時間加熱して縦１００×横１００×厚さ３０ｍｍのプリ
フォームを得た。なお、粉末充填率の増減は、プレス圧
を加減することで調整した。
【００１７】（２）金属−セラミックス複合材料の作製 このプリフォームを８００℃に加熱し、それを３００℃
に予熱した鋳造用金型内にセットし、別に８５０℃で溶
融した８４％Ａｌ−１５％Ｓｉ−１％Ｍｇ組成のアルミ
ニウム合金を金型内に注入し、窒素雰囲気中で５０ＭＰ
ａの圧力でアルミニウム合金をプリフォームに含浸さ
せ、冷却してヒートシンク用の金属−セラミックス複合
材料を作製した。
に予熱した鋳造用金型内にセットし、別に８５０℃で溶
融した８４％Ａｌ−１５％Ｓｉ−１％Ｍｇ組成のアルミ
ニウム合金を金型内に注入し、窒素雰囲気中で５０ＭＰ
ａの圧力でアルミニウム合金をプリフォームに含浸さ
せ、冷却してヒートシンク用の金属−セラミックス複合
材料を作製した。
【００１８】（３）評価 得られたプリフォームの嵩比重をアルキメデス法で測定
し、セラミックス粉末の充填率を求めた。また、得られ
た複合材料から３×４×４０ｍｍの試験片を切り出し、
その試験片で曲げ強度をＪＩＳ Ｒ１６０１で、ヤング
率をＪＩＳ Ｒ１６０２で、熱膨張係数をＴＭＡ３００
（セイコー電子工業社製）を用いてＪＩＳ Ｒ１６１８
で測定し、さらに、レーザーフラッシュ（理学電機社
製）を用いて熱伝導率をＪＩＳ Ｒ１６１１で、アイゾ
ットインパクトテスター（東洋精機製作所製）を用いて
衝撃値をＪＩＳ Ｋ７１１０で測定した。さらにまた、
複合材料を切断し、その切断面を目視観察し、アルミニ
ウム合金の含浸状態を調べた。それらの結果を表１に示
す。
し、セラミックス粉末の充填率を求めた。また、得られ
た複合材料から３×４×４０ｍｍの試験片を切り出し、
その試験片で曲げ強度をＪＩＳ Ｒ１６０１で、ヤング
率をＪＩＳ Ｒ１６０２で、熱膨張係数をＴＭＡ３００
（セイコー電子工業社製）を用いてＪＩＳ Ｒ１６１８
で測定し、さらに、レーザーフラッシュ（理学電機社
製）を用いて熱伝導率をＪＩＳ Ｒ１６１１で、アイゾ
ットインパクトテスター（東洋精機製作所製）を用いて
衝撃値をＪＩＳ Ｋ７１１０で測定した。さらにまた、
複合材料を切断し、その切断面を目視観察し、アルミニ
ウム合金の含浸状態を調べた。それらの結果を表１に示
す。
【００１９】（比較例１〜７）比較のために、比較例１
では、セラミックス粉末の種類を本発明の範囲外にした
他は、比較例２では、ＳｉＣ粉末の充填率を本発明の範
囲外にした他は、比較例３、４では、ＳｉＣ粉末の平均
粒径を本発明の範囲外にした他は、比較例５、６では、
アルミニウム合金中のＳｉの含有量を本発明の範囲外に
した他は、比較例７では、アルミニウム合金中のＭｇの
含有量を本発明の範囲外にした他は実施例１と同様にプ
リフォームを形成し、複合材料を作製し、評価した。そ
れらの結果を表１に示す。
では、セラミックス粉末の種類を本発明の範囲外にした
他は、比較例２では、ＳｉＣ粉末の充填率を本発明の範
囲外にした他は、比較例３、４では、ＳｉＣ粉末の平均
粒径を本発明の範囲外にした他は、比較例５、６では、
アルミニウム合金中のＳｉの含有量を本発明の範囲外に
した他は、比較例７では、アルミニウム合金中のＭｇの
含有量を本発明の範囲外にした他は実施例１と同様にプ
リフォームを形成し、複合材料を作製し、評価した。そ
れらの結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１〜３に
おいては、いずれもセラミックス粉末の充填率と平均粒
径が本発明の範囲内にあり、さらにアルミニウム合金中
のＳｉとＭｇの含有量も本発明の範囲内にあるので、ア
ルミニウム合金の含浸に不良なものは認められず、ま
た、その材料特性の値がいずれも優れた値を示してい
た。このことは、得られた複合材料が、ヒートシンク用
の材料として十分な特性を有していることを示してい
る。
おいては、いずれもセラミックス粉末の充填率と平均粒
径が本発明の範囲内にあり、さらにアルミニウム合金中
のＳｉとＭｇの含有量も本発明の範囲内にあるので、ア
ルミニウム合金の含浸に不良なものは認められず、ま
た、その材料特性の値がいずれも優れた値を示してい
た。このことは、得られた複合材料が、ヒートシンク用
の材料として十分な特性を有していることを示してい
る。
【００２２】これに対して比較例１では、セラミックス
粉末がＡｌ2Ｏ3粉末であるため、熱伝導率が極めて低
く、熱膨張係数も大きかった。また、比較例２では、Ｓ
ｉＣ粉末の含有率が６０体積％より低いため、剛性を示
すヤング率が低下し、熱膨張係数も大きくなった。さら
に、比較例３では、ＳｉＣ粉末の平均粒径が１０μｍよ
り細かすぎたので、含浸不良が認められ、比較例４で
は、ＳｉＣ粉末の平均粒径が粗すぎたので、強度が低下
した。さらにまた、比較例５では、Ｓｉの含有量が少な
すぎたので、熱膨張係数が大きくなり、比較例６では、
Ｓｉの含有量が多すぎたので、衝撃値が低くなった。そ
してまた、比較例７では、Ｍｇの含有量が多すぎたの
で、熱伝導率が低くなった。
粉末がＡｌ2Ｏ3粉末であるため、熱伝導率が極めて低
く、熱膨張係数も大きかった。また、比較例２では、Ｓ
ｉＣ粉末の含有率が６０体積％より低いため、剛性を示
すヤング率が低下し、熱膨張係数も大きくなった。さら
に、比較例３では、ＳｉＣ粉末の平均粒径が１０μｍよ
り細かすぎたので、含浸不良が認められ、比較例４で
は、ＳｉＣ粉末の平均粒径が粗すぎたので、強度が低下
した。さらにまた、比較例５では、Ｓｉの含有量が少な
すぎたので、熱膨張係数が大きくなり、比較例６では、
Ｓｉの含有量が多すぎたので、衝撃値が低くなった。そ
してまた、比較例７では、Ｍｇの含有量が多すぎたの
で、熱伝導率が低くなった。
【００２３】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、歪、たわ
みは勿論衝撃にも強いヒートシンク用の材料を得ること
ができるようになった。このことにより、組み合わせ部
品とも問題なく接合できるようになり、電気、通信、自
動車分野などで用いられるヒートシンクに幅広い適用が
可能となった。
みは勿論衝撃にも強いヒートシンク用の材料を得ること
ができるようになった。このことにより、組み合わせ部
品とも問題なく接合できるようになり、電気、通信、自
動車分野などで用いられるヒートシンクに幅広い適用が
可能となった。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉの含有量が５〜２０重量％で、Ｍｇ
の含有量が２重量％以下のアルミニウムまたはその合金
から成るマトリックス中に、粉末充填率が６０体積％以
上で、平均粒径が１０〜７０μｍのＳｉＣ粉末またはＡ
ｌＮ粉末を分散させた１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を
有する金属−セラミックス複合材料から成ることを特徴
とするヒートシンク用材料。 - 【請求項２】 １０〜７０μｍの平均粒径を有するＳｉ
ＣまたはＡｌＮ粉末に、無機バインダーを加えて混合
し、その混合物を成形し、得られた成形物を焼成してプ
リフォームを形成した後、該プリフォームにＳｉを５〜
２０重量％、Ｍｇを２重量％以下含む溶融されたアルミ
ニウムまたはその合金を高圧で含浸させることを特徴と
するヒートシンク用材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3537898A JPH11228261A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | ヒートシンク用材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3537898A JPH11228261A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | ヒートシンク用材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228261A true JPH11228261A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12440245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3537898A Pending JPH11228261A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | ヒートシンク用材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11228261A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1114807A4 (en) * | 1999-06-14 | 2002-02-06 | Sumitomo Electric Industries | COMPOSED MATERIAL AND SEMICONDUCTOR CONTAINING THIS |
| WO2002077304A1 (fr) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Element dissipant la chaleur pour appareil electronique et procede de production de celui-ci |
| WO2002077303A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method for manufacturing radiating member for electronic equipment |
| WO2009141266A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung mit einem varistor und einem halbleiterbauelement |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP3537898A patent/JPH11228261A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1114807A4 (en) * | 1999-06-14 | 2002-02-06 | Sumitomo Electric Industries | COMPOSED MATERIAL AND SEMICONDUCTOR CONTAINING THIS |
| WO2002077304A1 (fr) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Element dissipant la chaleur pour appareil electronique et procede de production de celui-ci |
| WO2002077303A1 (en) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Method for manufacturing radiating member for electronic equipment |
| US7364632B2 (en) | 2001-03-26 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Radiator member for electronic appliances and processes for producing the same |
| WO2009141266A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung mit einem varistor und einem halbleiterbauelement |
| US8378455B2 (en) | 2008-05-21 | 2013-02-19 | Epcos Ag | Electronic component arrangement comprising a varistor and a semiconductor component |
| KR101529364B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2015-06-16 | 에프코스 아게 | 배리스터 및 반도체 소자를 포함하는 전기 소자 장치 |
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