JPH11109183A - シリコン・サブストレートへのアルミニウム酸化物構成部品のボンディング - Google Patents
シリコン・サブストレートへのアルミニウム酸化物構成部品のボンディングInfo
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- JPH11109183A JPH11109183A JP10206141A JP20614198A JPH11109183A JP H11109183 A JPH11109183 A JP H11109183A JP 10206141 A JP10206141 A JP 10206141A JP 20614198 A JP20614198 A JP 20614198A JP H11109183 A JPH11109183 A JP H11109183A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 27
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- -1 hofium Chemical compound 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 2
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000009496 Juglans regia Nutrition 0.000 description 1
- 240000007049 Juglans regia Species 0.000 description 1
- 241000219492 Quercus Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000085 cashmere Anatomy 0.000 description 1
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020234 walnut Nutrition 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4244—Mounting of the optical elements
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サブストレートの中のキャビティの内部にマ
ウントされるシリコン・サブストレートと酸化物構成部
品との間の強力なボンディングを提供する。 【解決手段】 チタンの層（３５）がキャビティの壁の
上に堆積され、その後、アルミニウムの層のデポジショ
ン（３６）が続く。その構造は珪化チタン（３７）およ
びチタン‐アルミニウム（３８）界面層を形成するため
にアニールされることが好ましい。次に、その構成部品
がアルミニウム層に対してボンディングされる。
ウントされるシリコン・サブストレートと酸化物構成部
品との間の強力なボンディングを提供する。 【解決手段】 チタンの層（３５）がキャビティの壁の
上に堆積され、その後、アルミニウムの層のデポジショ
ン（３６）が続く。その構造は珪化チタン（３７）およ
びチタン‐アルミニウム（３８）界面層を形成するため
にアニールされることが好ましい。次に、その構成部品
がアルミニウム層に対してボンディングされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サブストレートへ
の酸化物構成部品のボンディングに関し、特に光学的サ
ブアセンブリにおけるシリコン・サブストレートへの光
学的構成部品のボンディングに関する。
の酸化物構成部品のボンディングに関し、特に光学的サ
ブアセンブリにおけるシリコン・サブストレートへの光
学的構成部品のボンディングに関する。
【０００２】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】オ
プトエレクトロニクスの技術分野においては、複数の光
学的構成部品を１つのシリコンのサブストレート上にマ
ウントすること、いわゆる、シリコン・オプティカル・
ベンチ（ＳｉＯＢ）技術としても知られている技術が益
々一般的になってきている（たとえば、アニグボ（Ａｎ
ｉｇｂｏ）の出願日付１９９６年１２月２０日の日本出
願、３４１４４７／１９９６参照）。そのようなアセン
ブリは、通常はシリコン・サブストレートの表面にマウ
ントされている半導体レーザを含み、それはそのシリコ
ン・サブストレートの中に形成されたキャビティの内部
にマウントされている球形レンズなどの、光を導くエレ
メントと位置合わせされている。そのレンズは通常、ス
ピネルまたはガーネットなどの高屈折率材料から作られ
ており、そのサブストレート上に堆積されているアルミ
ニウム層の手段によって、そのキャビティの壁にボンデ
ィングされている。（クウクラス（Ｃｏｕｃｏｕｌａ
ｓ）に対して発行された米国特許第５，１７８，３１９
号参照。）
プトエレクトロニクスの技術分野においては、複数の光
学的構成部品を１つのシリコンのサブストレート上にマ
ウントすること、いわゆる、シリコン・オプティカル・
ベンチ（ＳｉＯＢ）技術としても知られている技術が益
々一般的になってきている（たとえば、アニグボ（Ａｎ
ｉｇｂｏ）の出願日付１９９６年１２月２０日の日本出
願、３４１４４７／１９９６参照）。そのようなアセン
ブリは、通常はシリコン・サブストレートの表面にマウ
ントされている半導体レーザを含み、それはそのシリコ
ン・サブストレートの中に形成されたキャビティの内部
にマウントされている球形レンズなどの、光を導くエレ
メントと位置合わせされている。そのレンズは通常、ス
ピネルまたはガーネットなどの高屈折率材料から作られ
ており、そのサブストレート上に堆積されているアルミ
ニウム層の手段によって、そのキャビティの壁にボンデ
ィングされている。（クウクラス（Ｃｏｕｃｏｕｌａ
ｓ）に対して発行された米国特許第５，１７８，３１９
号参照。）
【０００３】プレーナ・シリコン技術における標準の製
造手段によって、アルミニウムの十分な接着が提供され
るが、筆者らはいくつかのＳｉＯＢの応用の場合、接着
が不十分であるために、サブストレートのソーイング時
および／またはレンズのボンディング時に、アルミニウ
ム層がキャビティから離れる可能性があることを発見し
ている。この問題は少なくとも部分的には、ボンディン
グに先立ってキャビティをクリーンな状態にすることが
困難であることに起因している。
造手段によって、アルミニウムの十分な接着が提供され
るが、筆者らはいくつかのＳｉＯＢの応用の場合、接着
が不十分であるために、サブストレートのソーイング時
および／またはレンズのボンディング時に、アルミニウ
ム層がキャビティから離れる可能性があることを発見し
ている。この問題は少なくとも部分的には、ボンディン
グに先立ってキャビティをクリーンな状態にすることが
困難であることに起因している。
【０００４】したがって、アルミニウムの接着を改善す
ること、およびサブストレートへの構成部品の信頼性の
高いボンディングを提供することが望ましい。
ること、およびサブストレートへの構成部品の信頼性の
高いボンディングを提供することが望ましい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】１つの態様による本発明
は、主表面にキャビティを含んでいる、シリコン・サブ
ストレートを含んでいるオプトエレクトロニクス・デバ
イスである。そのキャビティを含んでいるサブストレー
トの一部分の上に、チタンなどのメタルを含んでいる１
つの層が形成される。そのチタン層の上に、アルミニウ
ムを含んでいる１つの層が形成される。そのアルミニウ
ム層に対して酸化物構成部品がボンディングされる。
は、主表面にキャビティを含んでいる、シリコン・サブ
ストレートを含んでいるオプトエレクトロニクス・デバ
イスである。そのキャビティを含んでいるサブストレー
トの一部分の上に、チタンなどのメタルを含んでいる１
つの層が形成される。そのチタン層の上に、アルミニウ
ムを含んでいる１つの層が形成される。そのアルミニウ
ム層に対して酸化物構成部品がボンディングされる。
【０００６】他の態様による本発明は、主表面に形成さ
れたキャビティを含んでいるシリコン・サブストレート
上の、アルミニウムのメタライゼーション層に対して構
成部品をボンディングする方法である。キャビティを含
んでいるシリコン・サブストレートの表面の一部分の上
に、チタンなどのメタルを含んでいる層が堆積される。
そのチタン層の上に、アルミニウムを含んでいる層が堆
積される。そのアルミニウム層に対して、酸化物構成部
品がボンディングされる。
れたキャビティを含んでいるシリコン・サブストレート
上の、アルミニウムのメタライゼーション層に対して構
成部品をボンディングする方法である。キャビティを含
んでいるシリコン・サブストレートの表面の一部分の上
に、チタンなどのメタルを含んでいる層が堆積される。
そのチタン層の上に、アルミニウムを含んでいる層が堆
積される。そのアルミニウム層に対して、酸化物構成部
品がボンディングされる。
【０００７】
【発明の実施の形態】ここで図面を参照すると（図の中
では類似の、あるいは全く同じ要素は同様な参照番号で
識別されている）、図１は代表的な光学的サブアセンブ
リを示している。この例においては、サブアセンブリ１
０は光学的サブアセンブリであり、それは前に引用され
ているアニグボなどの出願の中で、より詳しく記述され
ている。そのサブアセンブリは半導体サブストレート１
１を含む。それは通常はシリコンである。そのサブスト
レートの表面１２は、この例においては＜１００＞の結
晶面内にある。レーザ１３およびホトダイオード１４が
その表面１２の上にマウントされており、そのホトダイ
オードはレーザの背面からの光を受け取るように位置合
わせされている。また、球形レンズ１６がサブストレー
ト１１の中のキャビティ３０の中にマウントされてお
り、レーザによってキャビティ３０の中に機械的なレジ
ストレーションによってセルフアラインされており、そ
こから受け取られる光をフォーカスする。レンズ１６は
通常はガーネットまたはスピネルなどの高屈折率のアル
ミニウム酸化物材料から作られている。
では類似の、あるいは全く同じ要素は同様な参照番号で
識別されている）、図１は代表的な光学的サブアセンブ
リを示している。この例においては、サブアセンブリ１
０は光学的サブアセンブリであり、それは前に引用され
ているアニグボなどの出願の中で、より詳しく記述され
ている。そのサブアセンブリは半導体サブストレート１
１を含む。それは通常はシリコンである。そのサブスト
レートの表面１２は、この例においては＜１００＞の結
晶面内にある。レーザ１３およびホトダイオード１４が
その表面１２の上にマウントされており、そのホトダイ
オードはレーザの背面からの光を受け取るように位置合
わせされている。また、球形レンズ１６がサブストレー
ト１１の中のキャビティ３０の中にマウントされてお
り、レーザによってキャビティ３０の中に機械的なレジ
ストレーションによってセルフアラインされており、そ
こから受け取られる光をフォーカスする。レンズ１６は
通常はガーネットまたはスピネルなどの高屈折率のアル
ミニウム酸化物材料から作られている。
【０００８】代わりに、このレンズはその表面上にシリ
コン酸化物または他の酸化物材料（たとえば、酸化タン
タル、酸化アルミニウム、二酸化チタン）の層と一緒に
ガーネットまたはスピネルから作ることができる。した
がって、この出願のコンテキストにおいては、酸化物構
成部品は酸化物（たとえば、Ａｌ2Ｏ3）から作られてい
るか、あるいは、そのサブストレートに対してボンディ
ングされる表面上に酸化物が形成されている任意の構成
部品であると考えられている。メタライゼーション２１
〜２４（これは通常はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕである）も、レ
ーザおよびホトダイオードに対する電気的接点を提供す
るためにサブストレートの表面に含まれている。
コン酸化物または他の酸化物材料（たとえば、酸化タン
タル、酸化アルミニウム、二酸化チタン）の層と一緒に
ガーネットまたはスピネルから作ることができる。した
がって、この出願のコンテキストにおいては、酸化物構
成部品は酸化物（たとえば、Ａｌ2Ｏ3）から作られてい
るか、あるいは、そのサブストレートに対してボンディ
ングされる表面上に酸化物が形成されている任意の構成
部品であると考えられている。メタライゼーション２１
〜２４（これは通常はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕである）も、レ
ーザおよびホトダイオードに対する電気的接点を提供す
るためにサブストレートの表面に含まれている。
【０００９】この出願における特に重要なことは、非常
に信頼性の高い構造を実現するために、キャビティ３０
の壁に対してレンズ１６がどのようにボンディングされ
るかということである。クウクラスの特許の中で記述さ
れているようなアルミニウム・ボンディングを使ってい
るシステムにおいては、ボンディング・プロセスの完全
性を劣化させる可能性のあるすべての汚染物質を、マイ
クロ加工されたキャビティから取り除くことは、不可能
でないにしても極端に困難であることを筆者らは発見し
ている。結果として、サブストレートからのアルミニウ
ムの剥離が発生する可能性がある。この場合、その剥離
の原因は少なくとも部分的には、シリコン表面上の炭素
の不純物の存在によるものであった。考えられる炭素の
汚染源は、マイクロ加工されたキャビティ（図１の３
０）においてＡｌのメタライゼーション（図２の３６）
を定義するために使われるホトレジストからの、残され
ている炭素を含んでいる物質である。
に信頼性の高い構造を実現するために、キャビティ３０
の壁に対してレンズ１６がどのようにボンディングされ
るかということである。クウクラスの特許の中で記述さ
れているようなアルミニウム・ボンディングを使ってい
るシステムにおいては、ボンディング・プロセスの完全
性を劣化させる可能性のあるすべての汚染物質を、マイ
クロ加工されたキャビティから取り除くことは、不可能
でないにしても極端に困難であることを筆者らは発見し
ている。結果として、サブストレートからのアルミニウ
ムの剥離が発生する可能性がある。この場合、その剥離
の原因は少なくとも部分的には、シリコン表面上の炭素
の不純物の存在によるものであった。考えられる炭素の
汚染源は、マイクロ加工されたキャビティ（図１の３
０）においてＡｌのメタライゼーション（図２の３６）
を定義するために使われるホトレジストからの、残され
ている炭素を含んでいる物質である。
【００１０】図２は本発明にしたがって、レンズのボン
ディングの前の段階におけるサブストレート１１の一部
分を示している。以前に形成されたレーザ・ボンド・パ
ッド３１および酸化物層３２を含んでいるサブストレー
トの上に、ホトレジストの層４０が堆積され、キャビテ
ィ３０を露光するために、よく知られているホトリソグ
ラフィの技法にしたがってパターン化された。そのホト
レジストは、たとえば、Ｒｉｓｔｏｎの商標で販売され
ているラミネートであってよい。代わりに、シャドウ・
マスク、スピン・オンまたはスプレー・オンのホトレジ
ストを使ってもよい。
ディングの前の段階におけるサブストレート１１の一部
分を示している。以前に形成されたレーザ・ボンド・パ
ッド３１および酸化物層３２を含んでいるサブストレー
トの上に、ホトレジストの層４０が堆積され、キャビテ
ィ３０を露光するために、よく知られているホトリソグ
ラフィの技法にしたがってパターン化された。そのホト
レジストは、たとえば、Ｒｉｓｔｏｎの商標で販売され
ているラミネートであってよい。代わりに、シャドウ・
マスク、スピン・オンまたはスプレー・オンのホトレジ
ストを使ってもよい。
【００１１】キャビティの壁は通常は、よく知られてい
る技法にしたがってＯ2プラズマによってクリーンな状
態にされる。その技法は、たとえば、ホトレジストが塗
布され、パターン化され、そして現像された後、約１０
分の間、４００Ｗの電力および１．０ Ｔｏｒｒの圧力
をかける方法である。次に、チタンの薄い層３５がキャ
ビティの壁の上に、たとえば、電子ビーム蒸着によって
堆積された。そのチタン層の厚さは通常は２００〜３０
０オングストロームであるが、１００〜２０００オング
ストロームの範囲内の厚さを使うことができる。そのチ
タン層の上にアルミニウムを含んでいるもう１つの層３
６が堆積された。これは電子ビーム蒸着のチェンバの場
所に堆積されることが好ましい。そのアルミニウム層の
厚さは５〜８ミクロンの範囲内にあったが、２〜１０ミ
クロンの範囲内の厚さが適切である。
る技法にしたがってＯ2プラズマによってクリーンな状
態にされる。その技法は、たとえば、ホトレジストが塗
布され、パターン化され、そして現像された後、約１０
分の間、４００Ｗの電力および１．０ Ｔｏｒｒの圧力
をかける方法である。次に、チタンの薄い層３５がキャ
ビティの壁の上に、たとえば、電子ビーム蒸着によって
堆積された。そのチタン層の厚さは通常は２００〜３０
０オングストロームであるが、１００〜２０００オング
ストロームの範囲内の厚さを使うことができる。そのチ
タン層の上にアルミニウムを含んでいるもう１つの層３
６が堆積された。これは電子ビーム蒸着のチェンバの場
所に堆積されることが好ましい。そのアルミニウム層の
厚さは５〜８ミクロンの範囲内にあったが、２〜１０ミ
クロンの範囲内の厚さが適切である。
【００１２】その構造は、チタン層３５の少なくとも一
部分がその下にあるシリコン・サブストレートおよびそ
の上を覆っているアルミニウム層３６と十分に反応する
時間および温度においてアニールすることができるので
有利である。図３に示されているように、このステップ
の結果、チタン層３５とサブストレート１１との間の珪
化チタン層３７、およびチタン層とアルミニウム層３６
との間のチタンおよびアルミニウムを含んでいる層３８
が同時に形成される。代表的なアニールの操作は約２．
１℃／分の速度で温度を約３５０℃まで直線的に上昇さ
せ、次に約１時間の間３５０℃で加熱し、そして次に約
５℃／分の速度で７５℃まで直線的に温度を下げ、室温
まで冷却する。このアニールのステップはアルミニウム
とサブストレートとの間のボンディングを促進するのに
役立つことが分かった。一般に、２００〜４００℃の範
囲のピーク温度において、１５分から４時間の範囲内の
時間の間、そして０．５℃／分〜５℃／分の範囲内のラ
ンプ・レートを使うのが有効である。このアニールのス
テップは必ずしも十分なボンディング強度が得られるも
のではないことを理解されたい。
部分がその下にあるシリコン・サブストレートおよびそ
の上を覆っているアルミニウム層３６と十分に反応する
時間および温度においてアニールすることができるので
有利である。図３に示されているように、このステップ
の結果、チタン層３５とサブストレート１１との間の珪
化チタン層３７、およびチタン層とアルミニウム層３６
との間のチタンおよびアルミニウムを含んでいる層３８
が同時に形成される。代表的なアニールの操作は約２．
１℃／分の速度で温度を約３５０℃まで直線的に上昇さ
せ、次に約１時間の間３５０℃で加熱し、そして次に約
５℃／分の速度で７５℃まで直線的に温度を下げ、室温
まで冷却する。このアニールのステップはアルミニウム
とサブストレートとの間のボンディングを促進するのに
役立つことが分かった。一般に、２００〜４００℃の範
囲のピーク温度において、１５分から４時間の範囲内の
時間の間、そして０．５℃／分〜５℃／分の範囲内のラ
ンプ・レートを使うのが有効である。このアニールのス
テップは必ずしも十分なボンディング強度が得られるも
のではないことを理解されたい。
【００１３】次に、図４に示されているように、レンズ
１６がアルミニウム層３６に対してボンディングされ
た。特に、そのレンズは３５０℃の温度において、１０
００グラムの力をレンズに加えることによって熱圧縮ボ
ンディングされた。２５０〜４５０℃の範囲の温度およ
び２００〜４０００グラムの範囲内の力が有効である筈
である。このステップの結果、レンズがアルミニウム層
３６に接触していたＡｌ2Ｏ3‐Ａｌ化合物を含んでい
る、ボンディング領域５０および５１が形成された。さ
らに、強い、連続的な、冶金学的ボンディングが、チタ
ン層３５とシリコン・サブストレート１１との間の界面
（３７）、およびチタン層（３５）とアルミニウム層３
６との間の界面（３８）全体に沿って形成された。した
がって、サブストレート１１からのアルミニウム層３６
の剥離は発生しない。
１６がアルミニウム層３６に対してボンディングされ
た。特に、そのレンズは３５０℃の温度において、１０
００グラムの力をレンズに加えることによって熱圧縮ボ
ンディングされた。２５０〜４５０℃の範囲の温度およ
び２００〜４０００グラムの範囲内の力が有効である筈
である。このステップの結果、レンズがアルミニウム層
３６に接触していたＡｌ2Ｏ3‐Ａｌ化合物を含んでい
る、ボンディング領域５０および５１が形成された。さ
らに、強い、連続的な、冶金学的ボンディングが、チタ
ン層３５とシリコン・サブストレート１１との間の界面
（３７）、およびチタン層（３５）とアルミニウム層３
６との間の界面（３８）全体に沿って形成された。した
がって、サブストレート１１からのアルミニウム層３６
の剥離は発生しない。
【００１４】チタンは炭素と容易に反応して連続的なボ
ンディング層を形成するので、チタン層を使うことによ
って、サブストレートの表面に炭素が残る問題が消滅す
ることが理論付けられる。また、チタンは他のタイプの
不純物とも反応する。
ンディング層を形成するので、チタン層を使うことによ
って、サブストレートの表面に炭素が残る問題が消滅す
ることが理論付けられる。また、チタンは他のタイプの
不純物とも反応する。
【００１５】本発明の各種の変更版がこの分野の技術に
熟達した人にとって明らかとなる。たとえば、純粋のチ
タンおよびアルミニウムの層が好ましいが、これらの元
素を含んでいる合金を採用することもできる。さらに、
接着を改善するためにアルミニウムを使うことが好まし
いが、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビ
ウム、タンタル、クローム、モリブデンおよびタングス
テンなどの他のメタル、またはそれらの合金も使える可
能性がある。
熟達した人にとって明らかとなる。たとえば、純粋のチ
タンおよびアルミニウムの層が好ましいが、これらの元
素を含んでいる合金を採用することもできる。さらに、
接着を改善するためにアルミニウムを使うことが好まし
いが、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビ
ウム、タンタル、クローム、モリブデンおよびタングス
テンなどの他のメタル、またはそれらの合金も使える可
能性がある。
【図１】本発明によって製造することができる１つの光
学的アセンブリの斜視図である。
学的アセンブリの斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による製造の各種の段階に
おけるサブアセンブリの断面図である。
おけるサブアセンブリの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による製造の各種の段階に
おけるサブアセンブリの断面図である。
おけるサブアセンブリの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による製造の各種の段階に
おけるサブアセンブリの断面図である。
おけるサブアセンブリの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミドーガス ファーナンド ダータータス アメリカ合衆国 18011 ペンシルヴァニ ア，アルバーティス，ウインドソア ロー ド 118 (72)発明者 ジェームス エフ． ドアマー アメリカ合衆国 19539 ペンシルヴァニ ア，ライムキルン，ライムキルン ロード 1280 (72)発明者 サイレッシュ マンシン マーチャント アメリカ合衆国 32835 フロリダ，オー ランド，ヴァインランド オークス ブウ ルヴァード 8214 (72)発明者 カシミア ローマン ニジャンダー アメリカ合衆国 08648 ニュージャーシ ィ，ローレンスヴィル，ゴードン アヴェ ニュー 89 (72)発明者 ジョン ウィリアム オーゼンバッハ アメリカ合衆国 19503 ペンシルヴァニ ア，カッツタウン，ウォルナット ドライ ヴ 17
Claims (16)
- 【請求項１】 オプトエレクトロニクス・デバイス（１
０）であって、 主表面にキャビティ（３０）が形成されているシリコン
・サブストレート（１１）と、 前記キャビティを含んでいる前記サブストレートの一部
分の上に形成されたアルミニウムを含んでいる第１の層
（３６）と、 前記アルミニウム層にボンディングされている酸化物構
成部品（１６）とを含み、 チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオ
ビウム、タンタル、クローム、モリブデンおよびタング
ステンから構成されるグループから選択された１つの材
料を含んでいる第２の層が、前記キャビティを含んでい
る前記サブストレートの一部分の上に形成され、前記ア
ルミニウム層が、前記第２の層の上に形成されることを
特徴とするデバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載のデバイスにおいて、前
記構成部品がレンズを含むデバイス。 - 【請求項３】 請求項１に記載のデバイスにおいて、前
記第１および第２の層の間に形成されるチタンおよびア
ルミニウムを含んでいる第３の層（３５）をさらに含む
デバイス。 - 【請求項４】 請求項１に記載のデバイスにおいて、前
記第１の層の厚さが２〜１０ミクロンの範囲内にあり、
そして前記第２の層の厚さが１００〜２００オングスト
ロームの範囲内にあるデバイス。 - 【請求項５】 請求項１に記載のデバイスにおいて、前
記第１の層が本質的にアルミニウムから構成され、前記
第２の層は本質的にチタンから構成されているデバイ
ス。 - 【請求項６】 主表面に形成されたキャビティ（３０）
を含んでいるシリコン・サブストレート（１１）上の１
つの領域に対して酸化物構成部品（１０）をボンディン
グするための方法であって、 前記キャビティを含んでいるシリコン・サブストレート
の一部分の上にチタン、ジルコニウム、ホフニウム、バ
ナジウム、ニオビウム、タンタンル、クローム、モリブ
デン、およびタングステンから構成されているグループ
から選択された１つの材料を含んでいる第１の層（３
５）を堆積させるステップと、 前記第１の層の上にアルミニウムを含んでいる第２の層
（３６）を堆積させるステップと、 前記アルミニウム層に対して酸化物構成部品（１６）を
ボンディングするステップとを含む方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の方法おいて、前記第１
および第２の層が電子ビーム蒸着によって形成される方
法。 - 【請求項８】 請求項６に記載の方法おいて、前記第１
および第２の層はホトレジスト・マスク（４０）の中の
開口部を通して堆積される方法。 - 【請求項９】 請求項６に記載の方法おいて、前記第１
および第２の層はシャドウ・マスクの中の開口部を通し
て堆積される方法。 - 【請求項１０】 請求項６に記載の方法おいて、前記第
１の層は本質的にタンタルから構成され、そして前記第
２の層は本質的にアルミニウムから構成されている方
法。 - 【請求項１１】 請求項６に記載の方法おいて、前記第
１および第２の層のデポジションの後、前記構造のアニ
ールを行うステップをさらに含む方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の方法おいて、アニ
ールは１５分〜４時間の期間にわたって２００〜４００
℃の範囲内のピーク温度で行われる方法。 - 【請求項１３】 請求項６に記載の方法おいて、前記構
成部品は２００〜４０００グラムの範囲内の力をかけな
がら、２５０〜４５０℃の範囲内で加熱することによっ
て、前記構成部品がボンディングされる方法。 - 【請求項１４】 請求項６に記載の方法おいて、前記第
１の層は１００〜２０００オングストロームの範囲内の
厚さに形成され、そして前記第２の層は２〜１０ミクロ
ンの範囲内の厚さに形成される方法。 - 【請求項１５】 請求項１２に記載の方法おいて、前記
第１の層は前記アニールの間に、前記サブストレートと
の珪化物（３７）を形成する方法。 - 【請求項１６】 請求項１０に記載の方法おいて、前記
構造は前記チタンおよびアルミニウムの層のデポジショ
ンの後にアニールされ、そしてこれらの層がチタンおよ
びアルミニウムを含んでいる界面層（３８）を形成する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/899,291 US6034405A (en) | 1995-12-22 | 1997-07-22 | Bonding of aluminum oxide components to silicons substrates |
| US08/899291 | 1997-07-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11109183A true JPH11109183A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=25410739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10206141A Pending JPH11109183A (ja) | 1997-07-22 | 1998-07-22 | シリコン・サブストレートへのアルミニウム酸化物構成部品のボンディング |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6119921A (ja) |
| EP (1) | EP0895111A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11109183A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1376174A1 (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-02 | Avanex Corporation | Optical module and a method for manufacturing an optical module |
| EP1515364B1 (en) | 2003-09-15 | 2016-04-13 | Nuvotronics, LLC | Device package and methods for the fabrication and testing thereof |
| CA2556117A1 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Bonding methods and optical assemblies |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983284A (en) * | 1972-06-02 | 1976-09-28 | Thomson-Csf | Flat connection for a semiconductor multilayer structure |
| US4203800A (en) * | 1977-12-30 | 1980-05-20 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching process for metals |
| US5178319A (en) * | 1991-04-02 | 1993-01-12 | At&T Bell Laboratories | Compression bonding methods |
| US5194105A (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-16 | American Telephone And Telegraph Company | Placement and bonding technique for optical elements |
| US5412748A (en) * | 1992-12-04 | 1995-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor module |
| US5567981A (en) * | 1993-03-31 | 1996-10-22 | Intel Corporation | Bonding pad structure having an interposed rigid layer |
| US5381944A (en) * | 1993-11-04 | 1995-01-17 | The Regents Of The University Of California | Low temperature reactive bonding |
| JPH0829638A (ja) * | 1994-05-12 | 1996-02-02 | Fujitsu Ltd | 光導波路・光ファイバ接続構造及び光導波路・光ファイバ接続方法並びに光導波路・光ファイバ接続に使用される光導波路基板及び同基板の製造方法並びに光導波路・光ファイバ接続に使用されるファイバ基板付き光ファイバ |
| US5881193A (en) * | 1995-12-22 | 1999-03-09 | Lucent Technologies Inc. | Low profile optical subassembly |
| US5935451A (en) * | 1997-02-24 | 1999-08-10 | Lucent Technologies Inc. | Fabrication of etched features |
| US6047876A (en) * | 1997-09-12 | 2000-04-11 | Materials Resources International | Process of using an active solder alloy |
| US5989354A (en) * | 1997-12-22 | 1999-11-23 | Lucent Technologies, Inc. | Method for removing thin, organic materials from semiconductor dies and micro-lenses |
| US6064527A (en) * | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Lucent Technologies Inc. | Semiconductor laser assembly with reduced ripple |
-
1998
- 1998-07-21 EP EP98305814A patent/EP0895111A1/en not_active Withdrawn
- 1998-07-22 JP JP10206141A patent/JPH11109183A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-19 US US09/252,729 patent/US6119921A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6119921A (en) | 2000-09-19 |
| EP0895111A1 (en) | 1999-02-03 |
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