JPS62293645A - 半導体装置の配線形成方法 - Google Patents
半導体装置の配線形成方法Info
- Publication number
- JPS62293645A JPS62293645A JP13697586A JP13697586A JPS62293645A JP S62293645 A JPS62293645 A JP S62293645A JP 13697586 A JP13697586 A JP 13697586A JP 13697586 A JP13697586 A JP 13697586A JP S62293645 A JPS62293645 A JP S62293645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- asi
- wiring
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-silicon-copper Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005360 mashing Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 210000001215 vagina Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板上に微細な電極配線を形成するた
めの半導体装置の配線形成方法に関するものである。
めの半導体装置の配線形成方法に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体装置の集積化に伴い、半導体素子内の各部
分が、微細化されてきており、最近では１．０μｍ内外
の寸法をもった電極配線を精度良く仕上げる必要性も生
じてきた。
分が、微細化されてきており、最近では１．０μｍ内外
の寸法をもった電極配線を精度良く仕上げる必要性も生
じてきた。
従来、このような分野の技術としては、特開昭・５６−
１５３３号公報、特開昭８０−１５３１４．８号公報、
及び特開昭ＧＯ−１５４５３８号公報に記載されるもの
があった。以下、その構成を図を用いて説明する。
１５３３号公報、特開昭８０−１５３１４．８号公報、
及び特開昭ＧＯ−１５４５３８号公報に記載されるもの
があった。以下、その構成を図を用いて説明する。
第２図（１）、（２）は従来の半導体装置の配線形成方
法を示す製造工程図である。
法を示す製造工程図である。
半導体基板上に配線パターンを形成するには。
第２図（１）に示されるように、半導体基板ｌを選択的
に覆う絶縁膜２上に、アルミニウムーシリコン（ＡＱ、
−Ｓｉ） 、アルミニウムーシリコン−銅（ＡＱ、−
５ｉ−Ｃｕ）等の政系合金からなる配線層３を被着した
後、その上にホトレジスト膜４を形成する。次に、クロ
ムパターン５ａが形成されたホトマスク５を用い、光Ｈ
を照射してホトレジス）Ｉｌｆｆ４の所望部分を露光し
た後、そのホトレジスト膜４を現像して第２図（２）の
ようなレジストバターン４ａを形成する。
に覆う絶縁膜２上に、アルミニウムーシリコン（ＡＱ、
−Ｓｉ） 、アルミニウムーシリコン−銅（ＡＱ、−
５ｉ−Ｃｕ）等の政系合金からなる配線層３を被着した
後、その上にホトレジスト膜４を形成する。次に、クロ
ムパターン５ａが形成されたホトマスク５を用い、光Ｈ
を照射してホトレジス）Ｉｌｆｆ４の所望部分を露光し
た後、そのホトレジスト膜４を現像して第２図（２）の
ようなレジストバターン４ａを形成する。
その後、レジストパターン４ａをマスクにして配線層３
の露出部分をエツチングにより除去し、次いでレジスト
パターン４ａを除去すれば、所望のパターンをもった配
線が形成される。
の露出部分をエツチングにより除去し、次いでレジスト
パターン４ａを除去すれば、所望のパターンをもった配
線が形成される。
ところが、この種の配線形成方法において、配線層３は
通常、ＡＱ、系合金で形成されるが、このＡＱ、系合金
は反射率が高いため、ホトリソ露光時の光Ｈがその配線
層３の表面で乱反射し、必要でないところまでホトレジ
スト膜４が露光されてしまう、そのため、このホトレジ
スト＠４を現像すると、レジストパターン４ａはその幅
が第２図（２）の一点鎖線で示すように所定値よりも小
さくなり、いわゆる“細り”という現象が生じる。この
“細り”現象が生じると、所望の寸法をもつ配線を精度
良く仕上げることが困難になる。
通常、ＡＱ、系合金で形成されるが、このＡＱ、系合金
は反射率が高いため、ホトリソ露光時の光Ｈがその配線
層３の表面で乱反射し、必要でないところまでホトレジ
スト膜４が露光されてしまう、そのため、このホトレジ
スト＠４を現像すると、レジストパターン４ａはその幅
が第２図（２）の一点鎖線で示すように所定値よりも小
さくなり、いわゆる“細り”という現象が生じる。この
“細り”現象が生じると、所望の寸法をもつ配線を精度
良く仕上げることが困難になる。
そこで、特開昭５ｆ３−１５３３号の技術では、配線層
３の上にアモルファスシリコン（非晶質シリコン、ａＳ
ｉ ）を被着（デポジション）するようにしている。こ
の方法によれば、ａＳｉ ／ Ａｌｌ・Ｓｉ反射率のａ
Ｓｉ膜厚依存特性を表わす第３図に示すように、波長入
が４３８ｎｍのＧ線を用いて配ＳＩＡ層３の反射率を測
定した場合、ａＳｉの膜厚が８５０〜７５０人で該反射
率が４０％程度になる。これは、 ＡＱ、系合金単独
の反射率が８０〜９０％に比べて半分以下に減少するこ
とになり、ホトリソ時におけるレジストパターン４ａの
“細り”の問題が殆んど解消される。
３の上にアモルファスシリコン（非晶質シリコン、ａＳ
ｉ ）を被着（デポジション）するようにしている。こ
の方法によれば、ａＳｉ ／ Ａｌｌ・Ｓｉ反射率のａ
Ｓｉ膜厚依存特性を表わす第３図に示すように、波長入
が４３８ｎｍのＧ線を用いて配ＳＩＡ層３の反射率を測
定した場合、ａＳｉの膜厚が８５０〜７５０人で該反射
率が４０％程度になる。これは、 ＡＱ、系合金単独
の反射率が８０〜９０％に比べて半分以下に減少するこ
とになり、ホトリソ時におけるレジストパターン４ａの
“細り”の問題が殆んど解消される。
しかし、この方法においては、ＡＱｉ系合金とＳｉが比
較的低温（１００〜１５０℃）でも容易に相互拡散する
ため、ＡＱ、系合金中のＳｉ量の増加による配線の信頼
性の低下や、ａＳｉ除去の際にＡＱ、系合金配線に損傷
を与える等の新たな問題が生じる。
較的低温（１００〜１５０℃）でも容易に相互拡散する
ため、ＡＱ、系合金中のＳｉ量の増加による配線の信頼
性の低下や、ａＳｉ除去の際にＡＱ、系合金配線に損傷
を与える等の新たな問題が生じる。
これらの問題を解決する技術として、特開昭８０−１５
３１４８号公報に記載されているように、 ＡＱ。
３１４８号公報に記載されているように、 ＡＱ。
または純系合金の表面に、アルミナＡｕ２０ａの酸化膜
を形成して該Ａｑ系合金等とＳｉとの相互拡散を防止す
る方法や、あるいは特開昭ε０−１５４５３８号公報に
記載されているように、窒素Ｎ２ガスでＳｉをスパッタ
して餞またはＡ９系合金の表面にシリコン窒化膜Ｓｉ、
Ｎｙを形成し、これを反射防止膜とする方法等が提案さ
れている。
を形成して該Ａｑ系合金等とＳｉとの相互拡散を防止す
る方法や、あるいは特開昭ε０−１５４５３８号公報に
記載されているように、窒素Ｎ２ガスでＳｉをスパッタ
して餞またはＡ９系合金の表面にシリコン窒化膜Ｓｉ、
Ｎｙを形成し、これを反射防止膜とする方法等が提案さ
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の特開昭８０−１５３１４８号の方
法では、ＡＱ、系合金等とＳｉとの相互拡散を防ぐほど
の酸化膜を形成することは非常に難しい。また、特開昭
８０−１５４５３８号の方法では、 ＳｉｘＮｙ膜のみ
で反射を防止しているため、ＳｉＮ ／ Ａ（１−Ｓｉ
反射率のＳｉＮ膜厚依存特性を表わす第４図に示すよう
に、波長入が４３８ｎｍのＧ線を用いて反射率を測定し
た場合、その反射率は６５％程度までしか低下せず、充
分な反射防止効果が得られないという問題点があった。
法では、ＡＱ、系合金等とＳｉとの相互拡散を防ぐほど
の酸化膜を形成することは非常に難しい。また、特開昭
８０−１５４５３８号の方法では、 ＳｉｘＮｙ膜のみ
で反射を防止しているため、ＳｉＮ ／ Ａ（１−Ｓｉ
反射率のＳｉＮ膜厚依存特性を表わす第４図に示すよう
に、波長入が４３８ｎｍのＧ線を用いて反射率を測定し
た場合、その反射率は６５％程度までしか低下せず、充
分な反射防止効果が得られないという問題点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、充
分な相互拡散防止機能をもつ酸化膜の形成が困難な点、
充分な反射防止効果が得られない点について解決した半
導体装置の配線形成方法を提供するものである。
分な相互拡散防止機能をもつ酸化膜の形成が困難な点、
充分な反射防止効果が得られない点について解決した半
導体装置の配線形成方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記問題点を解決するために、半導体基板上に
絶縁膜を介して形成されたＡＱ、を含む配線層から所望
のパターンをもつ配線を形成する半導体装置の配線形成
方法において、配線層の形成後に、その上にアルゴンＡ
ｒガスと窒素Ｎ２ガスによりＳｉ、Ｎｙ膜を形成し、次
にそのＳｉ、Ｎｙ脱膜上Ａ「ガスによりａＳｉ膜を形成
するようにしたものである。
絶縁膜を介して形成されたＡＱ、を含む配線層から所望
のパターンをもつ配線を形成する半導体装置の配線形成
方法において、配線層の形成後に、その上にアルゴンＡ
ｒガスと窒素Ｎ２ガスによりＳｉ、Ｎｙ膜を形成し、次
にそのＳｉ、Ｎｙ脱膜上Ａ「ガスによりａＳｉ膜を形成
するようにしたものである。
（作 用）
本発明によれば、以上のように半導体装置の配線形成方
法を構成したので、Ｓｉ、Ｎｙ膜及びａＳｉ膜は反射防
止膜を構成し、そのａＳｉ膜を適宜な厚さにすることに
より反射率を所望の値に低下させるように働くと共に、
ＳｉｘＮｙ膜の介在によってａＳｉ膜と配線層中の膣と
の相互拡散を防止するように働く、従って前記問題点を
除去できるのである。
法を構成したので、Ｓｉ、Ｎｙ膜及びａＳｉ膜は反射防
止膜を構成し、そのａＳｉ膜を適宜な厚さにすることに
より反射率を所望の値に低下させるように働くと共に、
ＳｉｘＮｙ膜の介在によってａＳｉ膜と配線層中の膣と
の相互拡散を防止するように働く、従って前記問題点を
除去できるのである。
（実施例）
第１図（１）〜（３）は本発明の一実施例に係る半導体
装置の配線形成方法を示す製造工程図である。半導体装
置の配線は次のような工程を経て製造される。
装置の配線形成方法を示す製造工程図である。半導体装
置の配線は次のような工程を経て製造される。
■ 第１図（１）の工程
先ず、不純物拡散層等が形成されたＳｉ等の半導体基板
１１上に、 ５ｉ０２等の絶縁膜１２を形成し、その絶
縁膜１２をホトリン技術を用いて選択的に開孔した後、
例えばＡＱ、 −Ｓｉをスパッタ法を用いて無加熱で被
着し、厚さ例えば６０００人の配線層１３を形成する。
１１上に、 ５ｉ０２等の絶縁膜１２を形成し、その絶
縁膜１２をホトリン技術を用いて選択的に開孔した後、
例えばＡＱ、 −Ｓｉをスパッタ法を用いて無加熱で被
着し、厚さ例えば６０００人の配線層１３を形成する。
この時のＡＱ、 −Ｓｉの反射率は９０％であった。
次に、このウェハを例えばスパッタ装置内に入れ、Ａｒ
ガス圧＝ ５．０ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２ガス圧＝ １＋Ｏ
ｍＴｏｒｒの下で、Ｓｉを数分間、例えば５分間スパッ
タした後、Ｎ２ガスを止めてＡｒガスのみでＳｉのスパ
ッタを続ける。
ガス圧＝ ５．０ｍＴｏｒｒ、 Ｎ２ガス圧＝ １＋Ｏ
ｍＴｏｒｒの下で、Ｓｉを数分間、例えば５分間スパッ
タした後、Ｎ２ガスを止めてＡｒガスのみでＳｉのスパ
ッタを続ける。
ここで、Ａｒガスのみによるスパッタ時間を変え、形成
されるａＳｉの膜厚と反射率の関係を示したのが第５図
である。この第５図では波長入が４３８ｎｍのＧ線を用
いて反射率が測定されている。
されるａＳｉの膜厚と反射率の関係を示したのが第５図
である。この第５図では波長入が４３８ｎｍのＧ線を用
いて反射率が測定されている。
最初の５分間のＮ２ガスによる反応性スパッタでは、約
３００λのＳｉｘＮｙ膜１４が形成される。 ５ｉｘｔ
ｙ膜１４が３００人の時、その上に形成されるａｓｉｌ
Ｑ１５は厚さが５００〜７００人であり、その反射率は
第５図に示すように４０％以下となる。なお、Ｘ線分析
装置（ｘｐｓ ）による分析の結果、 ５ｉｘｔｙ膜
１４はややＳｉ過多であり、その屈折率が１．８０であ
った。これらＳｉ、Ｎｙ膜膜種４ａＳｉ膜１５との２層
で、反射防止膜が構成される。
３００λのＳｉｘＮｙ膜１４が形成される。 ５ｉｘｔ
ｙ膜１４が３００人の時、その上に形成されるａｓｉｌ
Ｑ１５は厚さが５００〜７００人であり、その反射率は
第５図に示すように４０％以下となる。なお、Ｘ線分析
装置（ｘｐｓ ）による分析の結果、 ５ｉｘｔｙ膜
１４はややＳｉ過多であり、その屈折率が１．８０であ
った。これらＳｉ、Ｎｙ膜膜種４ａＳｉ膜１５との２層
で、反射防止膜が構成される。
次に、ａＳｉＳｉ膜上５上トレジスト膜１Ｂを形成し、
例えばクロムパターン１７ａが形成されたホトマスク１
７を用い、光Ｈを照射してホトレジスト膜１６の所望部
分を露光する。
例えばクロムパターン１７ａが形成されたホトマスク１
７を用い、光Ｈを照射してホトレジスト膜１６の所望部
分を露光する。
■ 第１図（２）の工程
露光後のホトレジスト膜１６を現像し、てレジストパタ
ーン１ｆ３ａを形成する。前記工程において、Ｓ＋ｘＮ
ｙ［１４が３００λの時、 ａＳｉ膜１５はその厚さが
５００〜７００人であり、反射率が４０％以下のため、
“細り”のない良好なレジストパターンｌｅａが得られ
た。
ーン１ｆ３ａを形成する。前記工程において、Ｓ＋ｘＮ
ｙ［１４が３００λの時、 ａＳｉ膜１５はその厚さが
５００〜７００人であり、反射率が４０％以下のため、
“細り”のない良好なレジストパターンｌｅａが得られ
た。
■ 第１図（３）の工程
ホトリソ技術により、レジストパターンｌｅａ ヲマス
クにして露出部分をエツチングし、レジストパターン１
８ａの外側に位置するＳｉ、Ｎｙ膜膜種４びａＳｉ膜１
５を除去する。その後、酸素プラズマ中のマッシング等
によりレジストパターン１６ａを除去し、次いでフッ素
Ｃ１４ガス等によりＳｉ、Ｎｙ膜膜種４びａＳｉ膜１５
を除去すれば、所望のパターンを有する配線ｆ３ａが得
られる。
クにして露出部分をエツチングし、レジストパターン１
８ａの外側に位置するＳｉ、Ｎｙ膜膜種４びａＳｉ膜１
５を除去する。その後、酸素プラズマ中のマッシング等
によりレジストパターン１６ａを除去し、次いでフッ素
Ｃ１４ガス等によりＳｉ、Ｎｙ膜膜種４びａＳｉ膜１５
を除去すれば、所望のパターンを有する配線ｆ３ａが得
られる。
この第１図（３）の工程において、ａＳｉ膜１５＝８０
０人としてこノミＳｉ膜１５及び５ｉＪｙ膜１４からな
る反射防止膜を除去せずに、温度４５０℃で３０分間ア
ニール（加熱処理）したが、配線層１３におけるＡＱ、
−Ｓｉ中のＳｉ量の増加は見られなかった。さらに、前
記反射防止膜を除去しても、配線１３ａの損傷は見られ
なかった。
０人としてこノミＳｉ膜１５及び５ｉＪｙ膜１４からな
る反射防止膜を除去せずに、温度４５０℃で３０分間ア
ニール（加熱処理）したが、配線層１３におけるＡＱ、
−Ｓｉ中のＳｉ量の増加は見られなかった。さらに、前
記反射防止膜を除去しても、配線１３ａの損傷は見られ
なかった。
本実施例の利点をまとめれば、次のようになる。反射防
止膜として、反射率が小さく、熱処理が不要なａＳｉを
スパッタする際、最初の数分間Ｎ２ガスを流して反応性
スパッタとし、配線層１３と接する部分のａＳｉを５ｉ
ｘｔｙ としたので、ａＳｉ ／ ＳｉｘＮｙの２層構
造となる。Ｓｉ、Ｎｙ膜膜種４配線層１３のＡＱ、は高
温においても殆んど反応しないから、 Ｓｉ、Ｎ、膜１
４の存在によりａｓｉｉ とＡ９の相互拡散が防止でき
、信頼性の高い配線１３ａが得られる。また、 ａＳｉ
／ ５ｉｘｔｙにおけるａＳｉの膜厚を適当に選ぶこ
とにより、反射率を充分に下げることができるため、パ
ターン寸法精度の高い配線１３ａが得られる。
止膜として、反射率が小さく、熱処理が不要なａＳｉを
スパッタする際、最初の数分間Ｎ２ガスを流して反応性
スパッタとし、配線層１３と接する部分のａＳｉを５ｉ
ｘｔｙ としたので、ａＳｉ ／ ＳｉｘＮｙの２層構
造となる。Ｓｉ、Ｎｙ膜膜種４配線層１３のＡＱ、は高
温においても殆んど反応しないから、 Ｓｉ、Ｎ、膜１
４の存在によりａｓｉｉ とＡ９の相互拡散が防止でき
、信頼性の高い配線１３ａが得られる。また、 ａＳｉ
／ ５ｉｘｔｙにおけるａＳｉの膜厚を適当に選ぶこ
とにより、反射率を充分に下げることができるため、パ
ターン寸法精度の高い配線１３ａが得られる。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である。例えば、上記実施例では、Ｓｉ、Ｎｙ膜
膜種４厚さ３ｏｏ人としたが、通常のホトリソ・エツチ
ング工程でさらされる温度（２００℃前後、あるいはそ
れ以下）の下で、ＡＱ。
が可能である。例えば、上記実施例では、Ｓｉ、Ｎｙ膜
膜種４厚さ３ｏｏ人としたが、通常のホトリソ・エツチ
ング工程でさらされる温度（２００℃前後、あるいはそ
れ以下）の下で、ＡＱ。
とＳｉの相互拡散を防止するだけなら、例えば厚さ２０
０Ａで充分である。
０Ａで充分である。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、配線層上
にＡｒガスと８２ガスによりＳｒｘｓｙＭを形成し、次
いでＡｒガスによりａＳｉ膜を形成するので、Ｓｉ、Ｎ
ｙ膜によってａＳｉ膜と配線層中のＡＱ、との相互拡散
を防止できる。しかも、ａＳｉ膜の厚みを適宜選定する
ことにより、露光時の反射率を充分に下げることができ
る。そのため、信頼性と寸法精度の高い配線が簡易、的
確に製造できる。
にＡｒガスと８２ガスによりＳｒｘｓｙＭを形成し、次
いでＡｒガスによりａＳｉ膜を形成するので、Ｓｉ、Ｎ
ｙ膜によってａＳｉ膜と配線層中のＡＱ、との相互拡散
を防止できる。しかも、ａＳｉ膜の厚みを適宜選定する
ことにより、露光時の反射率を充分に下げることができ
る。そのため、信頼性と寸法精度の高い配線が簡易、的
確に製造できる。
第１図（１）〜（３）は本発明の一実施例を示す製造工
程図、第２図（１）、（２）は従来の製造工程図、第３
図は従来におけるａＳｉ ／ Ａｌｌ・Ｓｉ反射率のａ
Ｓｉ Ｗ！Ｊ厚依存特性図、第４図は従来におけるＳｉ
Ｎ ／ ＡＱ、・Ｓｉ反射率のＳｉＮ膜厚依存特性図、
第５図は本発明の実施例におけるａＳｉ ／ＳｉＮ ／
ＡＱ、・Ｓｉ反射率のａＳｉ膜厚依存特性図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁膜
、１３・・・・・・配線層、Ｉ３ａ・・・・・・配線、
Ｉ４・・・・・・シリコン窒化膜（５ｉｘｓ、ＩＫり
、 １５・・・・・・アモルファスシリコン膜（ａＳｉ
１ｌｑ） 、 Ｉｆｔ・・団・ホトレジスト膜、ｌｅ
ａ・旧・・レジストパターン、１７・・・・・・ホトマ
スク。 出願人代理人 柿 本 恭 成従来の製造工
程図 第２図 ａ、ＳｔＯ膜厚〔ス］ ａｓｔ／ＡＪ−３Ｌ反射章のαＳＬ膜厚依存す寺性図第
３図 スパッタ５ｔＮＷＬＣＡ］ ＳＬＮ／ハ１．Ｓｉ反射年の３ＬＮＲ厚依存特１圧図第
４図 アモルファス５Ｌ膜厚（ス〕 Ｑ、Ｓｉ／ＳＬＮ／Ａ１３ｉ、反射率のａｓＬ、ｌ厚依
存特１）生図第５図
程図、第２図（１）、（２）は従来の製造工程図、第３
図は従来におけるａＳｉ ／ Ａｌｌ・Ｓｉ反射率のａ
Ｓｉ Ｗ！Ｊ厚依存特性図、第４図は従来におけるＳｉ
Ｎ ／ ＡＱ、・Ｓｉ反射率のＳｉＮ膜厚依存特性図、
第５図は本発明の実施例におけるａＳｉ ／ＳｉＮ ／
ＡＱ、・Ｓｉ反射率のａＳｉ膜厚依存特性図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・絶縁膜
、１３・・・・・・配線層、Ｉ３ａ・・・・・・配線、
Ｉ４・・・・・・シリコン窒化膜（５ｉｘｓ、ＩＫり
、 １５・・・・・・アモルファスシリコン膜（ａＳｉ
１ｌｑ） 、 Ｉｆｔ・・団・ホトレジスト膜、ｌｅ
ａ・旧・・レジストパターン、１７・・・・・・ホトマ
スク。 出願人代理人 柿 本 恭 成従来の製造工
程図 第２図 ａ、ＳｔＯ膜厚〔ス］ ａｓｔ／ＡＪ−３Ｌ反射章のαＳＬ膜厚依存す寺性図第
３図 スパッタ５ｔＮＷＬＣＡ］ ＳＬＮ／ハ１．Ｓｉ反射年の３ＬＮＲ厚依存特１圧図第
４図 アモルファス５Ｌ膜厚（ス〕 Ｑ、Ｓｉ／ＳＬＮ／Ａ１３ｉ、反射率のａｓＬ、ｌ厚依
存特１）生図第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 選択的に開孔された絶縁膜で覆われた半導体基板上にア
ルミニウムを含む配線層を形成し、その配線層上にアル
ゴンガスと窒素ガスによりシリコン窒化膜を形成し、 次にそのシリコン窒化膜上にアルゴンガスによりアモル
ファスシリコン膜を形成することを特徴とする半導体装
置の配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697586A JPS62293645A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置の配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697586A JPS62293645A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置の配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293645A true JPS62293645A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15187842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13697586A Pending JPS62293645A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 半導体装置の配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293645A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292649A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02148731A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Sony Corp | 金属配線パターン形成方法 |
| JPH0346331A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法 |
| JPH08330249A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13697586A patent/JPS62293645A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292649A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02148731A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Sony Corp | 金属配線パターン形成方法 |
| JPH0346331A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法 |
| JPH08330249A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4820611A (en) | Titanium nitride as an antireflection coating on highly reflective layers for photolithography | |
| US6043547A (en) | Circuit structure with an anti-reflective layer | |
| JPH08255752A (ja) | 反射防止被膜を有する半導体素子およびその製造方法 | |
| US4657629A (en) | Bilevel resist process | |
| JPH08501190A (ja) | 反射防止層及びリソグラフィにより層を構造化するための方法 | |
| JPH03156927A (ja) | アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法 | |
| US5665641A (en) | Method to prevent formation of defects during multilayer interconnect processing | |
| JPS62293645A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH07201700A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3353473B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201825A (ja) | 微細パターンの製造方法と半導体装置の製造方法 | |
| JPH04144230A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03142833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0289174B1 (en) | Antireflection coatings for use in photolithography | |
| JPH08162460A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH08330249A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218023A (ja) | 半導体装置のパターン形成方法 | |
| JPH01165142A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH05166947A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06132286A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001351861A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02264433A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0590418A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04340255A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0367260B2 (ja) |