JPH11109352A - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
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- JPH11109352A JPH11109352A JP27089897A JP27089897A JPH11109352A JP H11109352 A JPH11109352 A JP H11109352A JP 27089897 A JP27089897 A JP 27089897A JP 27089897 A JP27089897 A JP 27089897A JP H11109352 A JPH11109352 A JP H11109352A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板の温度分布を均一にして被処理膜
の膜質を均質にする。 【解決手段】 微小な粒体が結合されてなる加熱盤10、
加熱盤10の底側方から受容する台本体20、台本体20に備
えられた加熱源3及び排気系4,5とから構成される加熱
台。被処理基板6は加熱盤10上の無数の吸着孔により全
面にわたって均一に吸着される。加熱盤10から被処理基
板6への熱伝導が均一に行われて、温度分布が均一にさ
れるので、全面にはわたって均質な膜が得られる。
の膜質を均質にする。 【解決手段】 微小な粒体が結合されてなる加熱盤10、
加熱盤10の底側方から受容する台本体20、台本体20に備
えられた加熱源3及び排気系4,5とから構成される加熱
台。被処理基板6は加熱盤10上の無数の吸着孔により全
面にわたって均一に吸着される。加熱盤10から被処理基
板6への熱伝導が均一に行われて、温度分布が均一にさ
れるので、全面にはわたって均質な膜が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、表示
装置基板等の製造に当たり、各種処理工程における加熱
処理装置に関する。
装置基板等の製造に当たり、各種処理工程における加熱
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、表示装置等は微細加工技術
の発展に伴い、高集積化、大容量化が進んでいる。この
ため、各種製造工程においては、極めて高い処理精度が
要請され、中でも、近年の液晶、あるいは、有機エレク
トロルミネッセンス等を用いた表示装置では高精細化、
大画面化が実現されつつあり、薄膜形成に当たって、膜
厚及び膜質の均一性が望まれる。
の発展に伴い、高集積化、大容量化が進んでいる。この
ため、各種製造工程においては、極めて高い処理精度が
要請され、中でも、近年の液晶、あるいは、有機エレク
トロルミネッセンス等を用いた表示装置では高精細化、
大画面化が実現されつつあり、薄膜形成に当たって、膜
厚及び膜質の均一性が望まれる。
【０００３】図３は、液晶表示装置において液晶の初期
配向を制御するポリイミド等の有機高分子膜からなる配
向膜の印刷後の乾燥を行うための加熱装置に装備された
被処理基板を載置する加熱台である。加熱盤（１００）
が、その上面を露出して、底側面から受容する台本体
（２００）により支持されている。台本体（２００）に
は、加熱源（３）、排気ポンプ（４）及び排気バルブ
（５）が装備されている。加熱盤（１００）はセラミッ
ク性であり、内部に縦横に走る吸気路（１０１）が設け
られ、更に、吸気路（１０１）から上方に伸びた出口で
ある吸着口（１０２）が加熱盤（１００）上面に多数設
けられている。また、台本体（２００）はステンレス性
であり、内部には通気路（２０１）が設けられ、その出
口（２０２）は、加熱盤（１００）の吸気路（１０１）
の入口（１０３）につながっている。また、通気路（２
０１）の入口（２０３）は排気系（４，５）につながっ
ている。
配向を制御するポリイミド等の有機高分子膜からなる配
向膜の印刷後の乾燥を行うための加熱装置に装備された
被処理基板を載置する加熱台である。加熱盤（１００）
が、その上面を露出して、底側面から受容する台本体
（２００）により支持されている。台本体（２００）に
は、加熱源（３）、排気ポンプ（４）及び排気バルブ
（５）が装備されている。加熱盤（１００）はセラミッ
ク性であり、内部に縦横に走る吸気路（１０１）が設け
られ、更に、吸気路（１０１）から上方に伸びた出口で
ある吸着口（１０２）が加熱盤（１００）上面に多数設
けられている。また、台本体（２００）はステンレス性
であり、内部には通気路（２０１）が設けられ、その出
口（２０２）は、加熱盤（１００）の吸気路（１０１）
の入口（１０３）につながっている。また、通気路（２
０１）の入口（２０３）は排気系（４，５）につながっ
ている。
【０００４】この構成で、排気バルブ（４）を開けて排
気ポンプ（５）を作動させることにより、台本体（２０
０）の通気路（２０１）を通じて、加熱盤（１００）の
吸気路（１０１）が吸い上げられて吸着口（１０２）に
吸引力が生じる。このため、加熱盤（１０１）上に載せ
られた被処理基板（６）が、多数の吸着口（１０２）に
より吸引されて、加熱盤（１００）に吸着される。加熱
盤（１００）はまた台本体（２００）に装備された加熱
源（３）により加熱されているので、加熱盤（１００）
に吸着された被処理基板（６）が均一に加熱される。
気ポンプ（５）を作動させることにより、台本体（２０
０）の通気路（２０１）を通じて、加熱盤（１００）の
吸気路（１０１）が吸い上げられて吸着口（１０２）に
吸引力が生じる。このため、加熱盤（１０１）上に載せ
られた被処理基板（６）が、多数の吸着口（１０２）に
より吸引されて、加熱盤（１００）に吸着される。加熱
盤（１００）はまた台本体（２００）に装備された加熱
源（３）により加熱されているので、加熱盤（１００）
に吸着された被処理基板（６）が均一に加熱される。
【０００５】ここに挙げた載置台は、他に、加熱や乾燥
を行う加熱装置、あるいは、ＣＶＤ、スパッタリング
等、被処理基板の加熱を要する成膜装置においても用い
られる。
を行う加熱装置、あるいは、ＣＶＤ、スパッタリング
等、被処理基板の加熱を要する成膜装置においても用い
られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３の加熱盤（１０
０）には多数の吸着口（１０２）が設けられ、被処理基
板（６）は加熱された加熱盤（１００）に密着されるこ
とにより加熱が行われる。この時、被処理基板（６）の
温度は加熱盤（１００）からの熱の伝導性に依って決ま
る。そして、熱の伝導性はまた加熱盤（１００）と被処
理基板（６）との吸着強度に依って決まる。図３の装置
においては、加熱盤（１００）と被処理基板（６）との
吸着は、加熱盤（１００）に設けられた吸着口（１０
２）からの吸引により行われる。例えば、ポリイミドを
乾燥して配向膜を形成するに当たっては、基板上のポリ
イミドが全ての領域にわたって均一に加熱乾燥されなけ
ればならない。その上、乾燥時間も厳密に設定されてお
り、全面にわたって極めて均一性の良い乾燥を行わなけ
ればならない。
０）には多数の吸着口（１０２）が設けられ、被処理基
板（６）は加熱された加熱盤（１００）に密着されるこ
とにより加熱が行われる。この時、被処理基板（６）の
温度は加熱盤（１００）からの熱の伝導性に依って決ま
る。そして、熱の伝導性はまた加熱盤（１００）と被処
理基板（６）との吸着強度に依って決まる。図３の装置
においては、加熱盤（１００）と被処理基板（６）との
吸着は、加熱盤（１００）に設けられた吸着口（１０
２）からの吸引により行われる。例えば、ポリイミドを
乾燥して配向膜を形成するに当たっては、基板上のポリ
イミドが全ての領域にわたって均一に加熱乾燥されなけ
ればならない。その上、乾燥時間も厳密に設定されてお
り、全面にわたって極めて均一性の良い乾燥を行わなけ
ればならない。
【０００７】近年のセラミック技術の進歩により、加熱
盤（１００）に設けられる通気路（１０１）及び吸着口
（１０２）の細密化が進んでいる。しかしながら、図３
に示す従来の加熱盤（１００）では、吸着口（１０２）
の細密化には限界があり、半導体装置あるいは表示装置
の製造において要請される処理の均一性を十分に満たす
ことはできなかった。特に、絶縁基板上に形成された多
結晶半導体膜にからなる薄膜トランジスタを使った液晶
表示装置においては、高精細化がいっそう進められてい
るが、これに対して、加熱盤（１００）上の吸着口（１
０２）は依然として細密化が不十分であり、吸着口（１
０２）の近傍と、吸着口（１０２）間の中間位置では、
なおも、加熱盤（１００）と被処理基板（６）との密着
力に差があり、被処理基板（６）の温度のばらつきが無
くならなず、被処理膜の均質性が達成されない。
盤（１００）に設けられる通気路（１０１）及び吸着口
（１０２）の細密化が進んでいる。しかしながら、図３
に示す従来の加熱盤（１００）では、吸着口（１０２）
の細密化には限界があり、半導体装置あるいは表示装置
の製造において要請される処理の均一性を十分に満たす
ことはできなかった。特に、絶縁基板上に形成された多
結晶半導体膜にからなる薄膜トランジスタを使った液晶
表示装置においては、高精細化がいっそう進められてい
るが、これに対して、加熱盤（１００）上の吸着口（１
０２）は依然として細密化が不十分であり、吸着口（１
０２）の近傍と、吸着口（１０２）間の中間位置では、
なおも、加熱盤（１００）と被処理基板（６）との密着
力に差があり、被処理基板（６）の温度のばらつきが無
くならなず、被処理膜の均質性が達成されない。
【０００８】他に、各種成膜工程においても、被処理膜
の膜厚や膜質のより高い均一性が求められている。
の膜厚や膜質のより高い均一性が求められている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、この課題を解
決するために成され、被処理基板を載置するとともに加
熱する加熱台を装備した加熱処理装置において、前記加
熱台は、内部に無数の微孔が相互に相通じてなる細孔を
有する加熱盤が、加熱手段及び吸気手段を備えた台本体
により底方及び側方から受容されてなり、前記加熱盤の
底方または／及び側方より前記細孔を通じて吸引するこ
とにより、前記細孔が前記加熱盤上面に露出されてなる
無数の微細な吸着孔に吸引力を生ぜしめ、前記被処理基
板を前記加熱台に均一に吸着し、かつ、加熱をしながら
処理を行う構成である。
決するために成され、被処理基板を載置するとともに加
熱する加熱台を装備した加熱処理装置において、前記加
熱台は、内部に無数の微孔が相互に相通じてなる細孔を
有する加熱盤が、加熱手段及び吸気手段を備えた台本体
により底方及び側方から受容されてなり、前記加熱盤の
底方または／及び側方より前記細孔を通じて吸引するこ
とにより、前記細孔が前記加熱盤上面に露出されてなる
無数の微細な吸着孔に吸引力を生ぜしめ、前記被処理基
板を前記加熱台に均一に吸着し、かつ、加熱をしながら
処理を行う構成である。
【００１０】これにより、加熱台の全面にわたって均一
な吸着力が生じ、加熱台から被処理基板への熱伝導が均
一になり、被処理基板の温度が均一な状態で、処理が行
われる。前記加熱盤は、熱伝導性の無数の粒体が前記微
孔となる細隙をもって相互に結合されてなり、前記細孔
は前記細隙が連続的に一体化されてなる構成である。
な吸着力が生じ、加熱台から被処理基板への熱伝導が均
一になり、被処理基板の温度が均一な状態で、処理が行
われる。前記加熱盤は、熱伝導性の無数の粒体が前記微
孔となる細隙をもって相互に結合されてなり、前記細孔
は前記細隙が連続的に一体化されてなる構成である。
【００１１】これにより、加熱台の上面に極めて微細な
無数の吸着口により、被処理基板が全面にわたって均一
に加熱台に吸着される。特に、前記加熱台表面は、前記
加熱盤の上面とその周縁を囲う前記台本体の上面とが滑
らかに連なってなり、前記被処理基板の周縁部は、前記
台本体の上面に接している構成である。
無数の吸着口により、被処理基板が全面にわたって均一
に加熱台に吸着される。特に、前記加熱台表面は、前記
加熱盤の上面とその周縁を囲う前記台本体の上面とが滑
らかに連なってなり、前記被処理基板の周縁部は、前記
台本体の上面に接している構成である。
【００１２】これにより、吸気の漏れが無く、加熱台に
よる被処理基板の吸着力が向上される。
よる被処理基板の吸着力が向上される。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１に本発明の実施の形態にかか
る加熱処理装置に備えられた加熱台の構成を示す。加熱
盤（１０）が上面を露出して、その底側面から、加熱源
（３）、排気バルブ（４）及び排気ポンプ（５）を備え
た台本体（２０）により密着して受容支持されている。
台本体（２０）はセラミック性であり、その内部には、
加熱盤（１０）の受部をまわるように通気路（２１）が
設けられ、受部内壁に出口（２２）が露出され、加熱盤
（１０）に密接している。排気系（４，５）は、通気路
（２１）の入口（２３）につながっている。
る加熱処理装置に備えられた加熱台の構成を示す。加熱
盤（１０）が上面を露出して、その底側面から、加熱源
（３）、排気バルブ（４）及び排気ポンプ（５）を備え
た台本体（２０）により密着して受容支持されている。
台本体（２０）はセラミック性であり、その内部には、
加熱盤（１０）の受部をまわるように通気路（２１）が
設けられ、受部内壁に出口（２２）が露出され、加熱盤
（１０）に密接している。排気系（４，５）は、通気路
（２１）の入口（２３）につながっている。
【００１４】本発明では、加熱盤（１０）は、図２に一
部拡大断面図を示すように、１０〜１００μｍ程度の大
きさの鉄粉、セラミック粉等の熱伝導性粒体（１１）が
細隙をもって加熱圧縮されてなる板状体である。これら
細隙である無数の微孔は、相互に連続的につながって吸
気細孔（１２）となっている。加熱盤（１０）の上面は
研磨されて平滑化されており、加熱盤（１０）上面に吸
気細孔（１２）が露出されてなる無数の吸着孔（１３）
を有している。また、加熱盤（１０）の上面と、台本体
（２０）の上面は滑らかに連なった平面となっている。
部拡大断面図を示すように、１０〜１００μｍ程度の大
きさの鉄粉、セラミック粉等の熱伝導性粒体（１１）が
細隙をもって加熱圧縮されてなる板状体である。これら
細隙である無数の微孔は、相互に連続的につながって吸
気細孔（１２）となっている。加熱盤（１０）の上面は
研磨されて平滑化されており、加熱盤（１０）上面に吸
気細孔（１２）が露出されてなる無数の吸着孔（１３）
を有している。また、加熱盤（１０）の上面と、台本体
（２０）の上面は滑らかに連なった平面となっている。
【００１５】図３は、本発明の実施の形態にかかる他の
加熱盤（１０）である。この加熱盤（１０）はセラミッ
ク板等が多孔質加工されてなり、無数の微孔が連泡状に
一体的につながってなる吸気細孔（１４）を有してい
る。この吸気細孔（１４）が加熱盤（１０）上面に露出
して吸着孔（１５）をなしている。このような加熱盤
（１０）を受容する台本体（２０）の受部の平面寸法
は、被処理基板（６）よりも若干小さめで、被処理基板
（６）の縁が台本体（２０）の上面に接している。即
ち、加熱盤（１０）は、底側面の台本体（２０）と上面
の被処理基板（６）によって密封された状態にある。
加熱盤（１０）である。この加熱盤（１０）はセラミッ
ク板等が多孔質加工されてなり、無数の微孔が連泡状に
一体的につながってなる吸気細孔（１４）を有してい
る。この吸気細孔（１４）が加熱盤（１０）上面に露出
して吸着孔（１５）をなしている。このような加熱盤
（１０）を受容する台本体（２０）の受部の平面寸法
は、被処理基板（６）よりも若干小さめで、被処理基板
（６）の縁が台本体（２０）の上面に接している。即
ち、加熱盤（１０）は、底側面の台本体（２０）と上面
の被処理基板（６）によって密封された状態にある。
【００１６】この構成で、排気バルブ（４）を開けて排
気ポンプ（５）を作動すると、通気路（２１）が吸い上
げられ、通気路（２１）の出口（２２）に接した加熱盤
（１０）の吸気細孔（１２，１４）が吸気される。これ
に伴って、吸気細孔（１２，１４）と一体の吸着孔（１
３，１５）に吸引力が生じ、被処理基板（６）が加熱盤
（１０）に吸着される。吸着孔（１３，１５）は加熱盤
（１０）上に微細かつ無数に設けられているので、被処
理基板（６）は全面にわたって均一な吸引力で加熱盤
（１０）に吸着される。このため、加熱盤（１０）の温
度が全面にわたって均一に被処理基板（６）に伝えら
れ、被処理基板（６）の温度分布が均一にされる。
気ポンプ（５）を作動すると、通気路（２１）が吸い上
げられ、通気路（２１）の出口（２２）に接した加熱盤
（１０）の吸気細孔（１２，１４）が吸気される。これ
に伴って、吸気細孔（１２，１４）と一体の吸着孔（１
３，１５）に吸引力が生じ、被処理基板（６）が加熱盤
（１０）に吸着される。吸着孔（１３，１５）は加熱盤
（１０）上に微細かつ無数に設けられているので、被処
理基板（６）は全面にわたって均一な吸引力で加熱盤
（１０）に吸着される。このため、加熱盤（１０）の温
度が全面にわたって均一に被処理基板（６）に伝えら
れ、被処理基板（６）の温度分布が均一にされる。
【００１７】従って、例えば、被処理基板（６）上に印
刷塗布された液状のポリイミドを乾燥する際、全面にわ
たって均一な乾燥を行うことができ、膜厚及び膜質の均
一な配向膜を形成することができる。また、本発明の加
熱台は、他に、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等の薄膜
形成装置にも適用できる。これら化学的あるいは物理的
薄膜形成は、膜材料となる不活性ガスやターゲットを化
学的あるいは物理的に分解することより目的物を積層す
る形で行われるが、この際、材料物質の積層、膜形成に
おいては温度が大きく関わってくる。このため、本発明
により、加熱台上の被処理基板の温度分布を均一にする
ことで、形成される膜の膜厚や膜質を極めて高い精度で
全面にわたって均一にすることができる。
刷塗布された液状のポリイミドを乾燥する際、全面にわ
たって均一な乾燥を行うことができ、膜厚及び膜質の均
一な配向膜を形成することができる。また、本発明の加
熱台は、他に、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等の薄膜
形成装置にも適用できる。これら化学的あるいは物理的
薄膜形成は、膜材料となる不活性ガスやターゲットを化
学的あるいは物理的に分解することより目的物を積層す
る形で行われるが、この際、材料物質の積層、膜形成に
おいては温度が大きく関わってくる。このため、本発明
により、加熱台上の被処理基板の温度分布を均一にする
ことで、形成される膜の膜厚や膜質を極めて高い精度で
全面にわたって均一にすることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、被処理基板を加熱しなが
ら各種処理を行う加熱処理装置において、被処理基板が
載置される加熱台の吸着力が全面にわたって均一にさ
れ、加熱台から被処理基板に伝わる温度の分布が全面に
わたって均一にされる。このため、被処理基板上の被処
理膜が極めて高い精度で全面にわたって均質にすること
ができる。
ら各種処理を行う加熱処理装置において、被処理基板が
載置される加熱台の吸着力が全面にわたって均一にさ
れ、加熱台から被処理基板に伝わる温度の分布が全面に
わたって均一にされる。このため、被処理基板上の被処
理膜が極めて高い精度で全面にわたって均質にすること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の加
熱台の構成図である。
熱台の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の加
熱台の一部拡大断面図である。
熱台の一部拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる他の加熱処理装置
の加熱台の一部拡大断面図である。
の加熱台の一部拡大断面図である。
【図４】従来の加熱処理装置の加熱台の構成図である。
１０ 加熱盤 １１ 熱伝導性粒体 １２，１４ 吸気細孔 １３，１５ 吸着孔 ２０ 台本体 ２１ 通気路 ２２ 出口 ２３ 入口
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ // Ｈ０１Ｌ 21/205 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板を載置するとともに加熱する
加熱台を装備した加熱処理装置において、 前記加熱台は、内部に無数の微孔が相互に相通じてなる
細孔を有する加熱盤が、加熱手段及び吸気手段を備えた
台本体により底方及び側方から受容されてなり、前記加
熱盤の底方または／及び側方より前記細孔を通じて吸引
することにより、前記細孔が前記加熱盤上面に露出され
てなる無数の微細な吸着孔に吸引力を生ぜしめ、前記被
処理基板を前記加熱台に均一に吸着し、かつ、加熱をし
ながら処理を行うことを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項２】 前記加熱盤は、熱伝導性の無数の粒体が
前記微孔となる細隙をもって相互に結合されてなり、前
記細孔は前記細隙が連続的に一体化されてなることを特
徴とする請求項１記載の加熱処理装置。 - 【請求項３】 前記加熱台表面は、前記加熱盤の上面と
その周縁を囲う前記台本体の上面とが滑らかに連なって
なり、前記被処理基板の周縁部は、前記台本体の上面に
接していることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27089897A JPH11109352A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27089897A JPH11109352A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11109352A true JPH11109352A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17492525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27089897A Pending JPH11109352A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11109352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339344A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル |
| JP2016225337A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 京セラ株式会社 | 真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法。 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27089897A patent/JPH11109352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339344A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル |
| JP2016225337A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 京セラ株式会社 | 真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法。 |
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