JPH11110757A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH11110757A JPH11110757A JP27027897A JP27027897A JPH11110757A JP H11110757 A JPH11110757 A JP H11110757A JP 27027897 A JP27027897 A JP 27027897A JP 27027897 A JP27027897 A JP 27027897A JP H11110757 A JPH11110757 A JP H11110757A
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- magnetic
- magnetic layer
- recording medium
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】再現性良く磁性粒子を微細化し且つ孤立化し
て、効率の良い高記録密度磁気記録媒体の製造方法を提
供する。 【解決手段】磁性層１にイオン注入を施して磁性層を微
細化し且つ孤立化させる。磁性層１に例えばCoCrTa系合
金が用いられる。保護層５を介して磁性層にイオン注入
することもできる。
て、効率の良い高記録密度磁気記録媒体の製造方法を提
供する。 【解決手段】磁性層１にイオン注入を施して磁性層を微
細化し且つ孤立化させる。磁性層１に例えばCoCrTa系合
金が用いられる。保護層５を介して磁性層にイオン注入
することもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は磁気記録媒体の内
の磁性層の製造方法に係り、特に高記録密度媒体の製造
方法に関する。
の磁性層の製造方法に係り、特に高記録密度媒体の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体であるハードディスクがコ
ンピュータの主記憶装置に使用される。従来のハードデ
ィスクは例えばAl基体の上にニッケルリンＮｉＰ層，Ｃ
ｒ下地層，Ｃｏ系合金磁性層，カーボン保護層，液体潤
滑層が順次積層されたものである。ＮｉＰ層は約１０μ
ｍの膜厚を有しAl基体上にメッキ付けされる。Ｃｒ下地
層は５０ｎｍの膜厚でスパッタ法により成膜される。Ｃ
ｏ系合金磁性層は２０〜３０ｎｍ，カーボン系保護層は
１５ｎｍの膜厚でそれぞれスパッタ法で成膜される。液
体潤滑層は２ｎｍの膜厚でディップ法で形成される。
ンピュータの主記憶装置に使用される。従来のハードデ
ィスクは例えばAl基体の上にニッケルリンＮｉＰ層，Ｃ
ｒ下地層，Ｃｏ系合金磁性層，カーボン保護層，液体潤
滑層が順次積層されたものである。ＮｉＰ層は約１０μ
ｍの膜厚を有しAl基体上にメッキ付けされる。Ｃｒ下地
層は５０ｎｍの膜厚でスパッタ法により成膜される。Ｃ
ｏ系合金磁性層は２０〜３０ｎｍ，カーボン系保護層は
１５ｎｍの膜厚でそれぞれスパッタ法で成膜される。液
体潤滑層は２ｎｍの膜厚でディップ法で形成される。
【０００３】高記録密度の磁気記録媒体を得るために、
磁性層の個々の結晶粒子を微細化し、かつ隣接する磁性
結晶粒子を相互に磁気的に孤立化させノイズレベルを低
減することが行われる。微細化し且つ孤立化した磁性結
晶粒子を形成するために例えば磁性材に非磁性材を添加
したスパッタリングターゲットを用い、 スパッタリング
の条件を最適化して磁性結晶粒子のまわりを非磁性の結
晶粒子が取り囲む構造にして、磁性粒子を微細化し且つ
孤立化させる方法が一般的に用いられる。
磁性層の個々の結晶粒子を微細化し、かつ隣接する磁性
結晶粒子を相互に磁気的に孤立化させノイズレベルを低
減することが行われる。微細化し且つ孤立化した磁性結
晶粒子を形成するために例えば磁性材に非磁性材を添加
したスパッタリングターゲットを用い、 スパッタリング
の条件を最適化して磁性結晶粒子のまわりを非磁性の結
晶粒子が取り囲む構造にして、磁性粒子を微細化し且つ
孤立化させる方法が一般的に用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うなスパッタリングの方法によるときは磁性層製造の際
の結晶粒子成長の制御性が悪いために再現性良く磁性粒
子を微細化し且つ孤立化させることができず、その結果
磁気記録媒体のノイズレペルを充分に低減することがで
きないという問題があった。
うなスパッタリングの方法によるときは磁性層製造の際
の結晶粒子成長の制御性が悪いために再現性良く磁性粒
子を微細化し且つ孤立化させることができず、その結果
磁気記録媒体のノイズレペルを充分に低減することがで
きないという問題があった。
【０００５】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、再現性良く磁性粒子を微細化し且つ孤立化して、
効率の良い高記録密度磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることにある。
的は、再現性良く磁性粒子を微細化し且つ孤立化して、
効率の良い高記録密度磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば磁性層にイオン注入を施して磁性層を微細化し且
つ孤立化させることにより達成される。上述の発明にお
いて磁性層はCoCrTa系合金であること、または保護層を
介してイオン注入を施すことが有効である。
よれば磁性層にイオン注入を施して磁性層を微細化し且
つ孤立化させることにより達成される。上述の発明にお
いて磁性層はCoCrTa系合金であること、または保護層を
介してイオン注入を施すことが有効である。
【０００７】
【発明の実施の形態】磁性層には例えばCoCrTa系合金，
CoCrTaPt系合金，Co金属, CoCrNiTa系合金，CoCrNiPt系
合金，等が用いられる。イオン注入にはH 、 He 、Li、
あるいは B等のイオンが用いられる。磁性層上には例え
ばa-C:H （ダイアモンドライクカーボン DLC）を用いて
保護層が形成される。
CoCrTaPt系合金，Co金属, CoCrNiTa系合金，CoCrNiPt系
合金，等が用いられる。イオン注入にはH 、 He 、Li、
あるいは B等のイオンが用いられる。磁性層上には例え
ばa-C:H （ダイアモンドライクカーボン DLC）を用いて
保護層が形成される。
【０００８】
実施例１ 基板上に磁性層(CoCrTa 系合金、30nm ）を一般的な長手
方向磁気記録媒体作製条件によって形成し、 その後イオ
ン注入法によりH 、 He 、Li、あるいは Bを媒体に注入
したのち、磁性層上にa-C:H （ダイアモンドライクカー
ボン, DLC ）で保護層を形成した。イオン注入条件は、
エネルギーが100 keV 、ドーズ量が 1×1010 cm -2で
ある。
方向磁気記録媒体作製条件によって形成し、 その後イオ
ン注入法によりH 、 He 、Li、あるいは Bを媒体に注入
したのち、磁性層上にa-C:H （ダイアモンドライクカー
ボン, DLC ）で保護層を形成した。イオン注入条件は、
エネルギーが100 keV 、ドーズ量が 1×1010 cm -2で
ある。
【０００９】図１はこの発明の実施例に係るイオン注入
による結晶欠陥を示す模式断面図である。イオンビーム
３が磁性層１に注入されると結晶欠陥４が生成し磁性粒
子が微細化し且つ孤立化する。２は磁性層以外の層を示
す。図３はHeをイオン注入した磁気記録媒体磁性層を透
過型電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図であ
る。これは透過型電子顕微鏡写真のスケッチ（視野260
nm角）である。
による結晶欠陥を示す模式断面図である。イオンビーム
３が磁性層１に注入されると結晶欠陥４が生成し磁性粒
子が微細化し且つ孤立化する。２は磁性層以外の層を示
す。図３はHeをイオン注入した磁気記録媒体磁性層を透
過型電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図であ
る。これは透過型電子顕微鏡写真のスケッチ（視野260
nm角）である。
【００１０】図４は従来の磁気記録媒体磁性層を透過型
電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図である。
イオン注入により磁性層の磁性粒子６が微細化している
ことがわかる。ここで注入エネルギーが低過ぎると、ス
パッタリングや一次イオンの後方散乱が起こり、所望の
結晶欠陥は形成されない。エネルギーを増大させると注
入イオンの到達深さは大きくなるが、注入イオンは磁性
層に結晶欠陥を形成さえすれば磁性層にとどまる必要が
ないため、注入エネルギーは十分に磁性層を通過できる
大きさとした。またドーズ量は小さ過ぎると十分な量の
結晶欠陥が得られず、また大きすぎると結晶欠陥量が増
大して磁性層全体が非晶質化することより適当な値が決
定された。
電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図である。
イオン注入により磁性層の磁性粒子６が微細化している
ことがわかる。ここで注入エネルギーが低過ぎると、ス
パッタリングや一次イオンの後方散乱が起こり、所望の
結晶欠陥は形成されない。エネルギーを増大させると注
入イオンの到達深さは大きくなるが、注入イオンは磁性
層に結晶欠陥を形成さえすれば磁性層にとどまる必要が
ないため、注入エネルギーは十分に磁性層を通過できる
大きさとした。またドーズ量は小さ過ぎると十分な量の
結晶欠陥が得られず、また大きすぎると結晶欠陥量が増
大して磁性層全体が非晶質化することより適当な値が決
定された。
【００１１】以上の方法で作成した磁気記録媒体に同一
の条件でビット長約0.25 μm トラック幅約5 μm で記
録ビットを書き込み、再生時のノイズを測定した。磁性
層上から注入したイオン種とノイズが表１に示される。
の条件でビット長約0.25 μm トラック幅約5 μm で記
録ビットを書き込み、再生時のノイズを測定した。磁性
層上から注入したイオン種とノイズが表１に示される。
【００１２】
【表１】 表１から明らかなように、イオン注入により明らかに信
号再生時のノイズが減少している。このことはイオン注
入を行うと、イオン注入を行わない媒体に比しノイズを
低減して記録密度を向上させることができる。 実施例２ 基板上に一般的な条件によって長手方向磁気記録媒体を
作製し、 最上層であるa-C:H （ダイアモンドライクカー
ボン, DLC ）上よりイオン注入法によりH 、 He 、Li、
あるいは Bを媒体に注入した。イオン注入条件は100 ke
V 、ドーズ量は1 ×1010 cm -2である。
号再生時のノイズが減少している。このことはイオン注
入を行うと、イオン注入を行わない媒体に比しノイズを
低減して記録密度を向上させることができる。 実施例２ 基板上に一般的な条件によって長手方向磁気記録媒体を
作製し、 最上層であるa-C:H （ダイアモンドライクカー
ボン, DLC ）上よりイオン注入法によりH 、 He 、Li、
あるいは Bを媒体に注入した。イオン注入条件は100 ke
V 、ドーズ量は1 ×1010 cm -2である。
【００１３】図２はこの発明の異なる実施例に係るイオ
ン注入による結晶欠陥を示す模式断面図である。５は保
護層である。以上の方法で作成した磁気記録媒体に同一
の条件でビット長約0.25 μm トラック幅約 5μm で記
録ビットを書き込み、再生時のノイズを測定した。磁性
層上から注入したイオン種とノイズが表２に示される。
ン注入による結晶欠陥を示す模式断面図である。５は保
護層である。以上の方法で作成した磁気記録媒体に同一
の条件でビット長約0.25 μm トラック幅約 5μm で記
録ビットを書き込み、再生時のノイズを測定した。磁性
層上から注入したイオン種とノイズが表２に示される。
【００１４】
【表２】 表２から明らかなように、本発明によるイオン注入によ
り明らかに信号再生時のノイズが減少している。このよ
うにして保護層の上からイオンを注入してノイズを減ら
し記録密度を向上させることができる。保護層の上から
イオンを注入するときはスパッタリングによる媒体の製
造後にイオン注入を行うので媒体製造の効率が高まる。
り明らかに信号再生時のノイズが減少している。このよ
うにして保護層の上からイオンを注入してノイズを減ら
し記録密度を向上させることができる。保護層の上から
イオンを注入するときはスパッタリングによる媒体の製
造後にイオン注入を行うので媒体製造の効率が高まる。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば例えばCoCrTa系合金か
らなる磁性層にイオン注入を施すので、磁性層が再現性
良く微細化し且つ孤立化し、効率良く高記録密度磁気記
録媒体を製造することができる。保護層を介してイオン
注入を施すときは高記録密度磁気記録媒体の製造効率が
高まる。
らなる磁性層にイオン注入を施すので、磁性層が再現性
良く微細化し且つ孤立化し、効率良く高記録密度磁気記
録媒体を製造することができる。保護層を介してイオン
注入を施すときは高記録密度磁気記録媒体の製造効率が
高まる。
【図１】この発明の実施例に係るイオン注入による結晶
欠陥を示す模式断面図
欠陥を示す模式断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係るイオン注入によ
る結晶欠陥を示す模式断面図
る結晶欠陥を示す模式断面図
【図３】Heをイオン注入した磁気記録媒体磁性層を透過
型電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図
型電子顕微鏡を用いて観察した磁性粒子の構造図
【図４】従来の磁気記録媒体磁性層を透過型電子顕微鏡
を用いて観察した磁性粒子の構造図
を用いて観察した磁性粒子の構造図
1 磁性層 2 磁性層以外の層 3 イオンビーム 4 結晶欠陥 5 保護層 6 磁性粒子
Claims (3)
- 【請求項１】磁性層にイオン注入を施して磁性層を微細
化し且つ孤立化させることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項２】磁性層はCoCrTa系合金である請求項１に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】保護層を介してイオン注入を施す請求項１
に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27027897A JPH11110757A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27027897A JPH11110757A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110757A true JPH11110757A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17484037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27027897A Pending JPH11110757A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11110757A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003006830A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Oki Noboru | 磁気記録媒体及びその作成方法 |
| KR100438833B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 전하를 이용한 정보저장장치 |
| US7425353B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-09-16 | International Business Machines Corporation | Enhancement of magnetic media recording performance using ion irradiation to tailor exchange coupling |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27027897A patent/JPH11110757A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003006830A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Oki Noboru | 磁気記録媒体及びその作成方法 |
| KR100438833B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 전하를 이용한 정보저장장치 |
| US7425353B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-09-16 | International Business Machines Corporation | Enhancement of magnetic media recording performance using ion irradiation to tailor exchange coupling |
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