JPH11111508A - サーミスタ素子とその製造方法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサ - Google Patents
サーミスタ素子とその製造方法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサInfo
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- JPH11111508A JPH11111508A JP9268471A JP26847197A JPH11111508A JP H11111508 A JPH11111508 A JP H11111508A JP 9268471 A JP9268471 A JP 9268471A JP 26847197 A JP26847197 A JP 26847197A JP H11111508 A JPH11111508 A JP H11111508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ６００−８００℃でＢ定数の高いサーミスタ
素子を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 主成分が（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏで表さ
れるサーミスタ素子１を形成し、白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入した後、焼成した。このサーミスタ素子１を耐熱
キャップ５内に密封し、白金パイプ２ａ，２ｂには二芯
管３のリード線４ａ，４ｂを溶接し、サーミスタ素子１
からリード線４ａ，４ｂを引き出す。
素子を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 主成分が（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏで表さ
れるサーミスタ素子１を形成し、白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入した後、焼成した。このサーミスタ素子１を耐熱
キャップ５内に密封し、白金パイプ２ａ，２ｂには二芯
管３のリード線４ａ，４ｂを溶接し、サーミスタ素子１
からリード線４ａ，４ｂを引き出す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温領域で使用さ
れ、負の温度係数を有するサーミスタ素子とその製造方
法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサに関する
ものである。
れ、負の温度係数を有するサーミスタ素子とその製造方
法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境問題や燃費向上等の要求によ
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を充分に発揮させるためには、触媒の温度を正確に
測定する必要がある。そのためには、サーミスタ素子の
サーミスタ定数Ｂが大きい方が望ましい。
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を充分に発揮させるためには、触媒の温度を正確に
測定する必要がある。そのためには、サーミスタ素子の
サーミスタ定数Ｂが大きい方が望ましい。
【０００３】従来、最高使用温度７００℃を超える高温
用サーミスタとしては、（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）2Ｏ3系に
代表されるコランダム型のサーミスタ材料が用いられて
いた。
用サーミスタとしては、（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）2Ｏ3系に
代表されるコランダム型のサーミスタ材料が用いられて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のサーミスタ材料
は６００−８００℃間のＢ定数が高々４０００Ｋ程度と
低く、６００−８００℃での温度測定には不利であると
いう問題点を有していた。
は６００−８００℃間のＢ定数が高々４０００Ｋ程度と
低く、６００−８００℃での温度測定には不利であると
いう問題点を有していた。
【０００５】そこで本発明は、６００−８００℃でのＢ
定数が大きいサーミスタ素子とその製造方法及びそのサ
ーミスタ素子を用いた温度センサを提供することを目的
としている。
定数が大きいサーミスタ素子とその製造方法及びそのサ
ーミスタ素子を用いた温度センサを提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のサーミスタ素子は、（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）
Ｏ系組成物を主成分とするものであり、６００−８００
℃でのＢ定数が大きいものとなる。
に、本発明のサーミスタ素子は、（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）
Ｏ系組成物を主成分とするものであり、６００−８００
℃でのＢ定数が大きいものとなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物を主成分とするサ
ーミスタ素子であり、６００−８００℃でのＢ定数が大
きいものである。
は、（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物を主成分とするサ
ーミスタ素子であり、６００−８００℃でのＢ定数が大
きいものである。
【０００８】請求項２に記載の発明は、ＮａＣｌ型の結
晶構造の（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物を用いる請求
項１に記載のサーミスタ素子であり、６００−８００℃
でのＢ定数が大きいものである。
晶構造の（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物を用いる請求
項１に記載のサーミスタ素子であり、６００−８００℃
でのＢ定数が大きいものである。
【０００９】請求項３に記載の発明は、（Ｍｇ，Ｎｉ，
Ｃｏ）Ｏ系組成物として、（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ
（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦
０．９０，０．１０≦ｚ≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）を用いる請求項１に記載のサーミスタ素子であり、
適切な抵抗値を有するものである。
Ｃｏ）Ｏ系組成物として、（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ
（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦
０．９０，０．１０≦ｚ≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）を用いる請求項１に記載のサーミスタ素子であり、
適切な抵抗値を有するものである。
【００１０】請求項４に記載の発明は、ＮａＣｌ型の結
晶構造の（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、０．１
０≦ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，０．１０
≦ｚ≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）を用いる請求項
３に記載のサーミスタ素子であり、適切な抵抗値を有す
るものである。
晶構造の（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、０．１
０≦ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，０．１０
≦ｚ≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）を用いる請求項
３に記載のサーミスタ素子であり、適切な抵抗値を有す
るものである。
【００１１】請求項５に記載の発明は、少なくともＭｇ
化合物と、Ｎｉ化合物と、Ｃｏ化合物とを混合して成形
体を形成する第１の工程と、次にこの成形体を焼成する
第２の工程とを備え、この第２の工程の焼成は、昇温過
程と、保持過程と、降温過程とを有し、降温過程はＣｏ
ＯがＣｏ3Ｏ4に変化しないような速度で降温するサーミ
スタ素子の製造方法であり、適切な抵抗値を有するサー
ミスタ素子を得ることができる。
化合物と、Ｎｉ化合物と、Ｃｏ化合物とを混合して成形
体を形成する第１の工程と、次にこの成形体を焼成する
第２の工程とを備え、この第２の工程の焼成は、昇温過
程と、保持過程と、降温過程とを有し、降温過程はＣｏ
ＯがＣｏ3Ｏ4に変化しないような速度で降温するサーミ
スタ素子の製造方法であり、適切な抵抗値を有するサー
ミスタ素子を得ることができる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、ＣｏＯがＣｏ3
Ｏ4に変化しないように、２００℃／ｈ以上の速度で降
温する請求項５に記載のサーミスタ素子の製造方法であ
り、適切な抵抗値を有するサーミスタ素子を得ることが
できる。
Ｏ4に変化しないように、２００℃／ｈ以上の速度で降
温する請求項５に記載のサーミスタ素子の製造方法であ
り、適切な抵抗値を有するサーミスタ素子を得ることが
できる。
【００１３】請求項７に記載の発明は、第２の工程の焼
成において、保持過程の酸素分圧よりも降温過程の酸素
分圧を低くする請求項５あるいは請求項６に記載のサー
ミスタ素子の製造方法であり、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化
するのを防止できる。
成において、保持過程の酸素分圧よりも降温過程の酸素
分圧を低くする請求項５あるいは請求項６に記載のサー
ミスタ素子の製造方法であり、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化
するのを防止できる。
【００１４】請求項８に記載の発明は、第２の工程の焼
成において、保持過程の温度は、Ｃｏ化合物がＣｏＯに
変化する温度以上である請求項５〜請求項７のいずれか
一つに記載のサーミスタ素子の製造方法であり、ＮａＣ
ｌ型の結晶構造のサーミスタ素子を得ることができる。
成において、保持過程の温度は、Ｃｏ化合物がＣｏＯに
変化する温度以上である請求項５〜請求項７のいずれか
一つに記載のサーミスタ素子の製造方法であり、ＮａＣ
ｌ型の結晶構造のサーミスタ素子を得ることができる。
【００１５】請求項９に記載の発明は、第１の工程後、
成形体を仮焼する請求項５〜請求項８のいずれか一つに
記載のサーミスタ素子の製造方法であり、焼結体密度の
低下を防止できる。
成形体を仮焼する請求項５〜請求項８のいずれか一つに
記載のサーミスタ素子の製造方法であり、焼結体密度の
低下を防止できる。
【００１６】請求項１０に記載の発明は、仮焼の時の最
高温度を第２の工程の焼成における保持過程の温度より
も高くする請求項９に記載のサーミスタ素子の製造方法
であり、ＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ以外の化合物を出発原
料に用いた場合、仮焼によりそれぞれＭｇＯ，ＮｉＯ，
ＣｏＯに変化するので、焼結体密度の低下を防止でき
る。
高温度を第２の工程の焼成における保持過程の温度より
も高くする請求項９に記載のサーミスタ素子の製造方法
であり、ＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ以外の化合物を出発原
料に用いた場合、仮焼によりそれぞれＭｇＯ，ＮｉＯ，
ＣｏＯに変化するので、焼結体密度の低下を防止でき
る。
【００１７】請求項１１に記載の発明は、仮焼の時の酸
素分圧を第２の工程の焼成の時の酸素分圧よりも高くす
る請求項９あるいは請求項１０に記載のサーミスタ素子
の製造方法であり、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化するのを防
止できる。
素分圧を第２の工程の焼成の時の酸素分圧よりも高くす
る請求項９あるいは請求項１０に記載のサーミスタ素子
の製造方法であり、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化するのを防
止できる。
【００１８】請求項１２に記載の発明は、Ｃｏ化合物を
ＣｏＯに変化させてから用いる請求項５〜請求項１１の
いずれか一つに記載のサーミスタ素子の製造方法であ
り、体積変化を防止することができる。
ＣｏＯに変化させてから用いる請求項５〜請求項１１の
いずれか一つに記載のサーミスタ素子の製造方法であ
り、体積変化を防止することができる。
【００１９】請求項１３に記載の発明は、金属製の耐熱
キャップと、この耐熱キャップ内に収納したサーミスタ
素子と、このサーミスタ素子に電気的に接続するととも
に、前記耐熱キャップ外に引き出したリード線とを備
え、前記サーミスタ素子は（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏを主
成分とするとともに、その表面を絶縁体でコーティング
されたものである温度センサであり、６００−８００℃
での高精度な温度測定が可能なものである。
キャップと、この耐熱キャップ内に収納したサーミスタ
素子と、このサーミスタ素子に電気的に接続するととも
に、前記耐熱キャップ外に引き出したリード線とを備
え、前記サーミスタ素子は（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏを主
成分とするとともに、その表面を絶縁体でコーティング
されたものである温度センサであり、６００−８００℃
での高精度な温度測定が可能なものである。
【００２０】請求項１４に記載の発明は、絶縁体をＭｇ
Ｏを主成分とする請求項１３に記載の温度センサであ
り、信頼性が向上する。
Ｏを主成分とする請求項１３に記載の温度センサであ
り、信頼性が向上する。
【００２１】以下、本発明の一実施の形態を説明する。 （実施の形態１）図１は、本実施の形態における触媒温
度検知用の温度センサの断面図であり、サーミスタ素子
１を耐熱キャップ５内に密封し、白金パイプ２ａ，２ｂ
には二芯管３のリード線４ａ，４ｂを溶接し、サーミス
タ素子１からリード線４ａ，４ｂを引き出していた。
度検知用の温度センサの断面図であり、サーミスタ素子
１を耐熱キャップ５内に密封し、白金パイプ２ａ，２ｂ
には二芯管３のリード線４ａ，４ｂを溶接し、サーミス
タ素子１からリード線４ａ，４ｂを引き出していた。
【００２２】図２は図１の温度センサに用いるサーミス
タ素子１の斜視図であり、サーミスタ素子１に白金パイ
プ２ａ，２ｂを挿入して一体焼成したものである。
タ素子１の斜視図であり、サーミスタ素子１に白金パイ
プ２ａ，２ｂを挿入して一体焼成したものである。
【００２３】図３は図２に示すサーミスタ素子を形成す
る材料のＸ線回折パターン図である。
る材料のＸ線回折パターン図である。
【００２４】まずＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯを（Ｍｇx，
Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏにおいてｘ，ｙ，ｚが（表１）及び
（表２）に示す組成になるように所定量秤量し、試料１
〜３６を作製した。
Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏにおいてｘ，ｙ，ｚが（表１）及び
（表２）に示す組成になるように所定量秤量し、試料１
〜３６を作製した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】次に試料１をボールミルにて１６時間混合
し、１２００℃で仮焼した後、再びボールミルで１８時
間粉砕し、乾燥後５重量％のＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）水溶液を１０重量％添加して造粒を行い、最後に
図２に示す形状に成形し、白金パイプ２ａ，２ｂを挿入
した後、２００℃／ｈで昇温し、１６００℃で５時間保
持し、その後２００℃／ｈで降温して焼成し、サーミス
タ素子を得た。試料２〜３６についても同様に作製し
た。
し、１２００℃で仮焼した後、再びボールミルで１８時
間粉砕し、乾燥後５重量％のＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）水溶液を１０重量％添加して造粒を行い、最後に
図２に示す形状に成形し、白金パイプ２ａ，２ｂを挿入
した後、２００℃／ｈで昇温し、１６００℃で５時間保
持し、その後２００℃／ｈで降温して焼成し、サーミス
タ素子を得た。試料２〜３６についても同様に作製し
た。
【００２８】このようにして得られたサーミスタ素子１
の表面をＭｇＯよりなる絶縁体で被覆した後、従来と同
様に図１に示す触媒温度検知用センサ中に組み込んだ。
なお耐熱キャップ５、二芯管３は耐熱材料であるＳＵＳ
３１０Ｓで形成されている。そして、６００℃、８００
℃における抵抗値を測定し、６００−８００℃間のＢ定
数を（数１）により算出し、（表１）、（表２）にＲ６
００、Ｒ８００、Ｂ定数で示した。
の表面をＭｇＯよりなる絶縁体で被覆した後、従来と同
様に図１に示す触媒温度検知用センサ中に組み込んだ。
なお耐熱キャップ５、二芯管３は耐熱材料であるＳＵＳ
３１０Ｓで形成されている。そして、６００℃、８００
℃における抵抗値を測定し、６００−８００℃間のＢ定
数を（数１）により算出し、（表１）、（表２）にＲ６
００、Ｒ８００、Ｂ定数で示した。
【００２９】
【数１】
【００３０】本実施の形態に示すように、（Ｍｇ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ）Ｏによる電気伝導を導入する事により、測定
に好都合な抵抗値及び、６００−８００℃でのＢ定数を
増大させることが可能になる。
ｉ，Ｃｏ）Ｏによる電気伝導を導入する事により、測定
に好都合な抵抗値及び、６００−８００℃でのＢ定数を
増大させることが可能になる。
【００３１】ここで本発明のポイントについて記載して
おく。 （１）Ｂ定数の大きなサーミスタ素子を得るために、
（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏは、ＮａＣｌ型単相の結晶構造
をとるようにする。
おく。 （１）Ｂ定数の大きなサーミスタ素子を得るために、
（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏは、ＮａＣｌ型単相の結晶構造
をとるようにする。
【００３２】（２）（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成とし
て、（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、０．１０≦
ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，０．１０≦ｚ
≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）を用いることが、高
Ｂ定数及び温度センサとして適切な抵抗温度特性を得る
のに望ましい。
て、（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、０．１０≦
ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，０．１０≦ｚ
≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）を用いることが、高
Ｂ定数及び温度センサとして適切な抵抗温度特性を得る
のに望ましい。
【００３３】（３）焼成時にＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化し
ないように、２００℃／ｈ以上の速度で降温する。これ
よりも降温速度が小さいとＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化し
て、ＮａＣｌ型単相でなく、ＮａＣｌ型とスピネル型の
２相になり、Ｂ定数が低くなってしまうからである。
ないように、２００℃／ｈ以上の速度で降温する。これ
よりも降温速度が小さいとＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化し
て、ＮａＣｌ型単相でなく、ＮａＣｌ型とスピネル型の
２相になり、Ｂ定数が低くなってしまうからである。
【００３４】（４）焼成時に、保持過程の酸素分圧より
も降温過程の酸素分圧を低くして、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に
変化するのを防止する。ただし降温過程の酸素分圧は、
サーミスタ素子を構成する金属酸化物が還元されて金属
にならない程度にすることが必要である。本実施の形態
ではＮｉＯが還元されやすいので、気をつけなければな
らない。
も降温過程の酸素分圧を低くして、ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に
変化するのを防止する。ただし降温過程の酸素分圧は、
サーミスタ素子を構成する金属酸化物が還元されて金属
にならない程度にすることが必要である。本実施の形態
ではＮｉＯが還元されやすいので、気をつけなければな
らない。
【００３５】（５）本実施の形態では、焼成時の保持過
程の温度を１６００℃としたが、Ｃｏ化合物がＣｏＯに
変化する温度以上であればよく、大体１０００℃以上で
ある。
程の温度を１６００℃としたが、Ｃｏ化合物がＣｏＯに
変化する温度以上であればよく、大体１０００℃以上で
ある。
【００３６】（６）原料を仮焼することにより、焼結体
密度の低下を防ぎ、サーミスタ素子の強度の低下を防止
することができる。ここでＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ以外
の化合物を出発原料として用いる場合、この仮焼の時の
最高温度を焼成の時の最高温度よりも高くして、それぞ
れＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯにしておくことが好ましい。
密度の低下を防ぎ、サーミスタ素子の強度の低下を防止
することができる。ここでＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ以外
の化合物を出発原料として用いる場合、この仮焼の時の
最高温度を焼成の時の最高温度よりも高くして、それぞ
れＭｇＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯにしておくことが好ましい。
【００３７】また仮焼の時の酸素分圧を焼成の時の酸素
分圧よりも高くすることにより、仮焼の時にＣｏＯに変
化させたものが、焼成によりＣｏ3Ｏ4に変化するのを防
止する。
分圧よりも高くすることにより、仮焼の時にＣｏＯに変
化させたものが、焼成によりＣｏ3Ｏ4に変化するのを防
止する。
【００３８】（７）ＣｏＯ以外のＣｏ化合物はＣｏＯに
変化させてから用いることにより、焼結体密度の低下を
防ぐことができる。
変化させてから用いることにより、焼結体密度の低下を
防ぐことができる。
【００３９】（８）温度センサに組み込む際、サーミス
タ素子の表面を絶縁体でコーティングすることにより、
温度センサとして使用中耐熱キャップ内が還元雰囲気に
なったとしても、サーミスタ素子が還元されるのを防止
できる。
タ素子の表面を絶縁体でコーティングすることにより、
温度センサとして使用中耐熱キャップ内が還元雰囲気に
なったとしても、サーミスタ素子が還元されるのを防止
できる。
【００４０】また絶縁体としては、ＭｇＯのようにサー
ミスタ素子と熱膨張係数が同程度のものを主成分とする
ことにより、絶縁体が破壊するのを防止できる。
ミスタ素子と熱膨張係数が同程度のものを主成分とする
ことにより、絶縁体が破壊するのを防止できる。
【００４１】
【発明の効果】以上本発明によると、６００−８００℃
でのＢ定数が大きく、適切な抵抗値を有するサーミスタ
素子を得ることができる。そしてこのサーミスタ素子を
用いた温度センサは、６００−８００℃での高精度な温
度測定が可能で、信頼性の高いものである。
でのＢ定数が大きく、適切な抵抗値を有するサーミスタ
素子を得ることができる。そしてこのサーミスタ素子を
用いた温度センサは、６００−８００℃での高精度な温
度測定が可能で、信頼性の高いものである。
【図１】本発明の一実施の形態における温度センサの断
面図
面図
【図２】図１に示す温度センサに用いたサーミスタ素子
の斜視図
の斜視図
【図３】図２に示すサーミスタ素子を形成する材料のＸ
線回折パターン図
線回折パターン図
１ サーミスタ素子 ２ａ 白金パイプ ２ｂ 白金パイプ ４ａ リード線 ４ｂ リード線 ５ 耐熱キャップ
Claims (14)
- 【請求項１】 （Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物を主成
分とするサーミスタ素子。 - 【請求項２】 （Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物は、Ｎ
ａＣｌ型の結晶構造である請求項１に記載のサーミスタ
素子。 - 【請求項３】 （Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ系組成物とし
て、（Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、０．１０≦
ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，０．１０≦ｚ
≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）を用いる請求項１に
記載のサーミスタ素子。 - 【請求項４】 （Ｍｇx，Ｎｉy，Ｃｏz）Ｏ（ただし、
０．１０≦ｘ≦０．９０，０．１０≦ｙ≦０．９０，
０．１０≦ｚ≦０．９０，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）は、Ｎ
ａＣｌ型の結晶構造である請求項３に記載のサーミスタ
素子。 - 【請求項５】 少なくともＭｇ化合物と、Ｎｉ化合物
と、Ｃｏ化合物とを混合して成形体を形成する第１の工
程と、次にこの成形体を焼成する第２の工程とを備え、
この第２の工程の焼成は、昇温過程と、保持過程と、降
温過程とを有し、この降温過程はＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変
化しないような速度で降温するサーミスタ素子の製造方
法。 - 【請求項６】 ＣｏＯがＣｏ3Ｏ4に変化しないような速
度は、２００℃／ｈ以上とする請求項５に記載のサーミ
スタ素子の製造方法。 - 【請求項７】 第２の工程の焼成において、保持過程の
酸素分圧よりも降温過程の酸素分圧を低くする請求項５
あるいは請求項６に記載のサーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項８】 第２の工程の焼成において、保持過程の
温度は、Ｃｏ化合物がＣｏＯに変化する温度以上である
請求項５〜請求項７のいずれか一つに記載のサーミスタ
素子の製造方法。 - 【請求項９】 第１の工程後、成形体を仮焼する請求項
５〜請求項８のいずれか一つに記載のサーミスタ素子の
製造方法。 - 【請求項１０】 仮焼の時の最高温度は、第２の工程の
焼成における保持過程の温度よりも高い請求項９に記載
のサーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項１１】 仮焼の時の酸素分圧を第２の工程の焼
成の時の酸素分圧よりも高くする請求項９あるいは請求
項１０に記載のサーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項１２】 Ｃｏ化合物をＣｏＯに変化させてから
用いる請求項５〜請求項１１のいずれか一つに記載のサ
ーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項１３】 金属製の耐熱キャップと、この耐熱キ
ャップ内に収納したサーミスタ素子と、このサーミスタ
素子に電気的に接続するとともに、前記耐熱キャップ外
に引き出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子は
（Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏを主成分とするとともに、その
表面を絶縁体でコーティングされたものである温度セン
サ。 - 【請求項１４】 絶縁体は、ＭｇＯを主成分とする請求
項１３に記載の温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26847197A JP3362644B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | サーミスタ素子とその製造方法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26847197A JP3362644B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | サーミスタ素子とその製造方法及びそのサーミスタ素子を用いた温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111508A true JPH11111508A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3362644B2 JP3362644B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033343A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
| CN108439982A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-08-24 | 济南大学 | 一种轴向复合负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP26847197A patent/JP3362644B2/ja not_active Expired - Fee Related
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