JPH11111640A - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
- Publication number
- JPH11111640A JPH11111640A JP26671197A JP26671197A JPH11111640A JP H11111640 A JPH11111640 A JP H11111640A JP 26671197 A JP26671197 A JP 26671197A JP 26671197 A JP26671197 A JP 26671197A JP H11111640 A JPH11111640 A JP H11111640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- laser
- transmission window
- transparent window
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザアニール装置の、クリーニングサイク
ルを延長する。 【解決手段】 レーザ光を発生させるレーザ発振器１、
発生したレーザ光を整形するビーム整形器２、レーザ光
６を透過窓７を通して内部に導入するチャンバ３、チャ
ンバ３内で被処理基板４を固定、移動するための載置台
５、とを具備し、透過窓７を、レーザ光６が通過する箇
所をずらせるように移動可能とする。
ルを延長する。 【解決手段】 レーザ光を発生させるレーザ発振器１、
発生したレーザ光を整形するビーム整形器２、レーザ光
６を透過窓７を通して内部に導入するチャンバ３、チャ
ンバ３内で被処理基板４を固定、移動するための載置台
５、とを具備し、透過窓７を、レーザ光６が通過する箇
所をずらせるように移動可能とする。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜半導体装置の
製造装置に関し、特に絶縁基板上に形成したシリコン膜
を加熱することを目的としたレーザアニール装置に関す
る。
製造装置に関し、特に絶縁基板上に形成したシリコン膜
を加熱することを目的としたレーザアニール装置に関す
る。
【従来の技術】液晶表示装置等では、ガラスなどの絶縁
基板の上に形成したシリコン膜を多結晶化し、多結晶化
したシリコン膜を活性層として構成したＴＦＴ（Thin
FilmTransistor）を液晶駆動素子及びその周辺回路素子
として用いることが試作的に行われている。そして、前
記シリコン膜を多結晶化する１つの方法としてエキシマ
レーザアニール法が試作的に用いられている。このレー
ザアニール法は、ガラス基板上に形成した非晶質のシリ
コン膜にエキシマレーザ光を照射して加熱・溶融・冷却
して再結晶化するものあり、ガラス基板の温度を４００
度以下の低温で処理することができるので、ガラス基板
として安価なノンアルカリガラスを用いることができる
ほか、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大型化してＴＦＴ
素子の高性能化を図ることができる。この様な処理に用
いられるレーザアニール装置は（例えば、特許公開平成
８−３１６１６９号）、エキシマレーザを発生させるレ
ーザ発振器、絶縁基板の処理室となるチャンバー、及び
チャンバー内に設置され被処理基板を載置する載置台と
を具備しており、前記チャンバーは被処理基板を外気か
ら遮断できるように気密空間を構成できるようになって
いる。そして、レーザ光を斯かる気密空間内に導入する
ため、チャンバーの一部には少なくともレーザ光に対し
て透明な透過窓が設けられており、レーザ光は透過窓を
通してチャンバー内に導入され、被処理基板表面に照射
される。この透過窓は、通常は石英ガラスなどが用いら
れている。
基板の上に形成したシリコン膜を多結晶化し、多結晶化
したシリコン膜を活性層として構成したＴＦＴ（Thin
FilmTransistor）を液晶駆動素子及びその周辺回路素子
として用いることが試作的に行われている。そして、前
記シリコン膜を多結晶化する１つの方法としてエキシマ
レーザアニール法が試作的に用いられている。このレー
ザアニール法は、ガラス基板上に形成した非晶質のシリ
コン膜にエキシマレーザ光を照射して加熱・溶融・冷却
して再結晶化するものあり、ガラス基板の温度を４００
度以下の低温で処理することができるので、ガラス基板
として安価なノンアルカリガラスを用いることができる
ほか、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大型化してＴＦＴ
素子の高性能化を図ることができる。この様な処理に用
いられるレーザアニール装置は（例えば、特許公開平成
８−３１６１６９号）、エキシマレーザを発生させるレ
ーザ発振器、絶縁基板の処理室となるチャンバー、及び
チャンバー内に設置され被処理基板を載置する載置台と
を具備しており、前記チャンバーは被処理基板を外気か
ら遮断できるように気密空間を構成できるようになって
いる。そして、レーザ光を斯かる気密空間内に導入する
ため、チャンバーの一部には少なくともレーザ光に対し
て透明な透過窓が設けられており、レーザ光は透過窓を
通してチャンバー内に導入され、被処理基板表面に照射
される。この透過窓は、通常は石英ガラスなどが用いら
れている。
【発明が解決しようとする課題】気密空間であるチャン
バー内は、真空又はＮ２等の不活性ガスで充満されてい
るものの、被処理基板にレーザ光を照射すると、被処理
基板からこの工程以前に行われたであろう何らかの処理
によって付着した不純物が霧散し、霧散した不純物がチ
ャンバーの内壁及び透過窓の内面に付着する。すると、
付着した不純物にレーザ光が照射されることによって何
らかの光化学反応が生じ、処理ロット数に応じて透過窓
内面のレーザ光が当たる部分だけが白く汚れてくる。こ
の汚れがひどくなると、レーザ光のエネルギーを減衰さ
せて製造上のばらつきを生じさせるので、通常は、前記
汚れを除去するためにチャンバごと月に数回のクリーニ
ング処理を行っていた。しかしながら、クリーニングの
都度その処理に要する時間と、クリーニング後に再度装
置を安定状態にまで引き上げる為の処理に要する時間と
を必要とするので、これが装置の実稼働時間を短縮させ
ていたという欠点があった。
バー内は、真空又はＮ２等の不活性ガスで充満されてい
るものの、被処理基板にレーザ光を照射すると、被処理
基板からこの工程以前に行われたであろう何らかの処理
によって付着した不純物が霧散し、霧散した不純物がチ
ャンバーの内壁及び透過窓の内面に付着する。すると、
付着した不純物にレーザ光が照射されることによって何
らかの光化学反応が生じ、処理ロット数に応じて透過窓
内面のレーザ光が当たる部分だけが白く汚れてくる。こ
の汚れがひどくなると、レーザ光のエネルギーを減衰さ
せて製造上のばらつきを生じさせるので、通常は、前記
汚れを除去するためにチャンバごと月に数回のクリーニ
ング処理を行っていた。しかしながら、クリーニングの
都度その処理に要する時間と、クリーニング後に再度装
置を安定状態にまで引き上げる為の処理に要する時間と
を必要とするので、これが装置の実稼働時間を短縮させ
ていたという欠点があった。
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑み成されたもので、レーザ発振器、ビーム整形器、レ
ーザ光を透過窓を通して内部に導入するチャンバー、チ
ャンバー内で被処理基板を固定、移動するための載置
台、を具備するレーザアニール装置において、前記透過
窓を、レーザ光が通過する箇所をずらせるように移動可
能としたことを特徴とするものである。本発明によれ
ば、白く汚れる箇所はレーザ光が当たる部分だけであり
その周辺は変色していないことから、汚れた箇所をずら
すことにより、装置全体のクリーニングサイクルを大幅
に長大化できる。
鑑み成されたもので、レーザ発振器、ビーム整形器、レ
ーザ光を透過窓を通して内部に導入するチャンバー、チ
ャンバー内で被処理基板を固定、移動するための載置
台、を具備するレーザアニール装置において、前記透過
窓を、レーザ光が通過する箇所をずらせるように移動可
能としたことを特徴とするものである。本発明によれ
ば、白く汚れる箇所はレーザ光が当たる部分だけであり
その周辺は変色していないことから、汚れた箇所をずら
すことにより、装置全体のクリーニングサイクルを大幅
に長大化できる。
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態を
詳細に説明する。図１は、本発明のレーザアニール装置
の概略を示す図である。同図において、レーザアニール
装置は、パルスレーザを発生させるレーザ発振器１と、
レーザ発振器から主射されたレーザ光を整形するための
ビーム整形器２と、ビーム整形器で整形されたレーザ光
を内部に導入する機密性のチャンバ３と、チャンバ３内
に設置されその表面に被処理基板４を載置する載置台５
と、載置台５上方のチャンバ３の一部に設けられ、レー
ザ光６を透過する透過窓７と、レーザ発振器１とビーム
整形器２間のレーザ光の通路を被うカバー８，及びビー
ム整形器２とチャンバ３間のレーザ光の通路を被うカバ
ー９、とを概略具備している。ここでレーザ発振器１
は、例えば紫外線域のＫｒＦエキシマレーザ（発振波長
２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓ）を発生する。発生した
レーザ光は、中央付近でエネルギー強度が高い２×３ｃ
ｍ程度の矩形の形状であるが、これをビーム整形器２に
よって短辺が０．０４〜０．１ｃｍ、長辺が１０〜３０
ｃｍの細長い、且つ強度分布が平坦な線状のレーザ光６
に加工される。レーザ光６を線状とするのは、例えば３
０×６０ｃｍもの大型ガラス基板に対して均等な処理を
行うためである。載置台５は、ＸＹ軸方向に移動可能な
載置台駆動機構に固定され、更には設置したガラス基板
を４００度程度に予備加熱するためのヒータを具備して
いる。チャンバ３は、ステンレスなどの頑丈な筐体から
成り、内部を真空に排気し且つ内部に窒素などの不活性
ガスを導入するためのガス供給排気機構を備えている。
また、チャンバ３には外部に置かれた被処理基板４を内
部の載置台５上に載置し、処理済みの被処理基板４を外
部に排出する為の搬送機構が接続されている。そして、
透過窓７は、チャンバ３上部の被処理基板４と対向する
部分に配置されており、これはチャンバ３と共にチャン
バ内部を気密状態に保つ隔壁として機能する。透過窓７
自体は大きさが縦４０ｃｍ×横２０ｃｍ×厚さ１ｃｍ程
度の石英ガラスから成る。図２は透過窓付近を拡大して
示す図である。ＴＦＴ−ＬＣＤ装置の製造プロセスにお
いては、窒素雰囲気で気密・減圧されたチャンバ３内部
の載置台５上に非晶質のシリコン薄膜を形成した被処理
基板４（ガラス基板）を固定し、図示せぬヒータによっ
て基板４を４００度程度に加熱した状態に保持し、上方
からビーム整形器２によって整形した線状のパルスレー
ザ光６を透過窓７を通して被処理基板４表面に照射す
る。この時のエネルギー密度は２００〜５００ｍＪ／ｃ
ｍ２であり、レーザ照射によって前記非晶質のシリコン
膜が溶融・冷却して多結晶化する。また、レーザ照射は
２００〜３００パルス／ｓの間隔でパルス状に繰り返し
照射される。この時の基板４は載置台５に設けられた図
示せぬＸＹ駆動機構により水平に図面矢印方向（符号１
０）に約２〜３０ｍｍ／ｓの速度で移動しており、上記
のパルス間隔と基板４の移動速度及びレーザ光６の線幅
とにより、隣り合うレーザ光６が端部でのみ重なり合う
ようにして断続的に照射される。そして、基板４全体に
対してレーザ照射が成された基板４は、上記の搬送機構
によって排出される。而して、本発明の特徴は、チャン
バ３上部に設置された透過窓７を、レーザ光の幅（短
辺）方向に移動可能にした（図示符号１１）点にある。
上記のレーザ照射時において、レーザ光６自体には何の
移動手段も持たないので、レーザ光６は透過窓７の特定
箇所（符号１２）だけを通過している。該特定箇所１２
の大きさはレーザ光６のビームの大きさに等しく、透過
窓７自体の大きさより十分に小さい（細い）。従来例で
述べた”白い汚れ”は透過窓７のチャンバ３内部側の面
の、レーザ光６が通過する特定箇所１２だけに発生する
のであるから、透過窓７を少なくとも線状ビームの短辺
幅より大きくずらすことによって、未だ汚れていない透
明な部分を使用することができるのである。図３と図４
に、透過窓７をずらすときの透過窓７の状態を示した。
図３（Ａ）を参照して、先ず通常のレーザ光６照射時に
おいて、透過窓７はチャンバ３の外壁１３に形成した貫
通孔１４を塞ぐように図示せぬ機構によって押圧固定さ
れており、これによってチャンバ３内部の気密室１５の
気密又は真空度が保たれている。尚１６は透過窓７と外
壁１３との密着を補助する環状のパッキング、１７はチ
ャンバ３の気密室１５側に設けられたゲートバルブ、１
８は気密室１５内部に導入するガスと同じ不活性ガス
（窒素ガスなど）の導入孔である。図３（Ｂ）を参照し
て、透過窓７をずらす場合は、先ず気密室１５側に設け
たゲートバルブ１７によって貫通孔１４を内側から密閉
し、気密室１５の気密を維持する。そしてガス導入孔１
８から不活性ガス１９を貫通孔１４内部に導入し、貫通
孔１４内部を大気圧にする。図３（Ｃ）を参照して、図
示せぬ機構によって透過窓７を上方に移動し、パッキン
１６から持ち上げる。この時不活性ガス１９は供給し続
けるものとし、大気が貫通孔１４内部に進入しないよう
にする。図４（Ａ）を参照して、図示せぬ機構によって
透過窓７を水平方向にレーザ光６の幅（短辺）より大き
く移動する。尚、図３（Ｃ）の移動と図４（Ａ）の移動
とが一体化して、軌跡がループを描くような機構でもよ
い。依然としてガス導入孔１８からは不活性ガス１９が
供給されているものとする。図４（Ｂ）を参照して、再
び透過窓７を外壁１３のパッキン１６に押圧し、固定す
る。固定した後少しタイミングを遅らせて、導入孔１８
からの不活性ガス１９の供給を停止し、気密室１５の状
態にあわせて例えば真空状態であれば導入孔１８を介し
て貫通孔１４内部を減圧する。図４（Ｃ）を参照して、
今まで気密を保っていたゲートバルブ１７を再び開けて
透過窓７による気密状態を復活し、レーザ光６の照射を
再開する。この様に、気密室１５側に設けたゲートバル
ブと連携させることにより、気密室１５の気密（又は真
空度）を保ったままで、透過窓７をずらすことが可能と
なる。この移動では装置全体のコンディションを崩すこ
とはなく、従って移動前の安定状態を継続して直ちに次
のロットを処理することが可能である。最後に、斯かる
透過窓７の移動は従来のクリーニングサイクルと同様に
月に数回程度行えば安定状態を維持することができ、移
動を数回繰り返して透過窓全体が汚れたときに初めて透
過窓７を含むチャンバ３内部のクリーニング処理を行え
ばよい。これによって、チャンバ３のクリーニングサイ
クルを従来の５倍程度に引き延ばすことができた。
詳細に説明する。図１は、本発明のレーザアニール装置
の概略を示す図である。同図において、レーザアニール
装置は、パルスレーザを発生させるレーザ発振器１と、
レーザ発振器から主射されたレーザ光を整形するための
ビーム整形器２と、ビーム整形器で整形されたレーザ光
を内部に導入する機密性のチャンバ３と、チャンバ３内
に設置されその表面に被処理基板４を載置する載置台５
と、載置台５上方のチャンバ３の一部に設けられ、レー
ザ光６を透過する透過窓７と、レーザ発振器１とビーム
整形器２間のレーザ光の通路を被うカバー８，及びビー
ム整形器２とチャンバ３間のレーザ光の通路を被うカバ
ー９、とを概略具備している。ここでレーザ発振器１
は、例えば紫外線域のＫｒＦエキシマレーザ（発振波長
２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓ）を発生する。発生した
レーザ光は、中央付近でエネルギー強度が高い２×３ｃ
ｍ程度の矩形の形状であるが、これをビーム整形器２に
よって短辺が０．０４〜０．１ｃｍ、長辺が１０〜３０
ｃｍの細長い、且つ強度分布が平坦な線状のレーザ光６
に加工される。レーザ光６を線状とするのは、例えば３
０×６０ｃｍもの大型ガラス基板に対して均等な処理を
行うためである。載置台５は、ＸＹ軸方向に移動可能な
載置台駆動機構に固定され、更には設置したガラス基板
を４００度程度に予備加熱するためのヒータを具備して
いる。チャンバ３は、ステンレスなどの頑丈な筐体から
成り、内部を真空に排気し且つ内部に窒素などの不活性
ガスを導入するためのガス供給排気機構を備えている。
また、チャンバ３には外部に置かれた被処理基板４を内
部の載置台５上に載置し、処理済みの被処理基板４を外
部に排出する為の搬送機構が接続されている。そして、
透過窓７は、チャンバ３上部の被処理基板４と対向する
部分に配置されており、これはチャンバ３と共にチャン
バ内部を気密状態に保つ隔壁として機能する。透過窓７
自体は大きさが縦４０ｃｍ×横２０ｃｍ×厚さ１ｃｍ程
度の石英ガラスから成る。図２は透過窓付近を拡大して
示す図である。ＴＦＴ−ＬＣＤ装置の製造プロセスにお
いては、窒素雰囲気で気密・減圧されたチャンバ３内部
の載置台５上に非晶質のシリコン薄膜を形成した被処理
基板４（ガラス基板）を固定し、図示せぬヒータによっ
て基板４を４００度程度に加熱した状態に保持し、上方
からビーム整形器２によって整形した線状のパルスレー
ザ光６を透過窓７を通して被処理基板４表面に照射す
る。この時のエネルギー密度は２００〜５００ｍＪ／ｃ
ｍ２であり、レーザ照射によって前記非晶質のシリコン
膜が溶融・冷却して多結晶化する。また、レーザ照射は
２００〜３００パルス／ｓの間隔でパルス状に繰り返し
照射される。この時の基板４は載置台５に設けられた図
示せぬＸＹ駆動機構により水平に図面矢印方向（符号１
０）に約２〜３０ｍｍ／ｓの速度で移動しており、上記
のパルス間隔と基板４の移動速度及びレーザ光６の線幅
とにより、隣り合うレーザ光６が端部でのみ重なり合う
ようにして断続的に照射される。そして、基板４全体に
対してレーザ照射が成された基板４は、上記の搬送機構
によって排出される。而して、本発明の特徴は、チャン
バ３上部に設置された透過窓７を、レーザ光の幅（短
辺）方向に移動可能にした（図示符号１１）点にある。
上記のレーザ照射時において、レーザ光６自体には何の
移動手段も持たないので、レーザ光６は透過窓７の特定
箇所（符号１２）だけを通過している。該特定箇所１２
の大きさはレーザ光６のビームの大きさに等しく、透過
窓７自体の大きさより十分に小さい（細い）。従来例で
述べた”白い汚れ”は透過窓７のチャンバ３内部側の面
の、レーザ光６が通過する特定箇所１２だけに発生する
のであるから、透過窓７を少なくとも線状ビームの短辺
幅より大きくずらすことによって、未だ汚れていない透
明な部分を使用することができるのである。図３と図４
に、透過窓７をずらすときの透過窓７の状態を示した。
図３（Ａ）を参照して、先ず通常のレーザ光６照射時に
おいて、透過窓７はチャンバ３の外壁１３に形成した貫
通孔１４を塞ぐように図示せぬ機構によって押圧固定さ
れており、これによってチャンバ３内部の気密室１５の
気密又は真空度が保たれている。尚１６は透過窓７と外
壁１３との密着を補助する環状のパッキング、１７はチ
ャンバ３の気密室１５側に設けられたゲートバルブ、１
８は気密室１５内部に導入するガスと同じ不活性ガス
（窒素ガスなど）の導入孔である。図３（Ｂ）を参照し
て、透過窓７をずらす場合は、先ず気密室１５側に設け
たゲートバルブ１７によって貫通孔１４を内側から密閉
し、気密室１５の気密を維持する。そしてガス導入孔１
８から不活性ガス１９を貫通孔１４内部に導入し、貫通
孔１４内部を大気圧にする。図３（Ｃ）を参照して、図
示せぬ機構によって透過窓７を上方に移動し、パッキン
１６から持ち上げる。この時不活性ガス１９は供給し続
けるものとし、大気が貫通孔１４内部に進入しないよう
にする。図４（Ａ）を参照して、図示せぬ機構によって
透過窓７を水平方向にレーザ光６の幅（短辺）より大き
く移動する。尚、図３（Ｃ）の移動と図４（Ａ）の移動
とが一体化して、軌跡がループを描くような機構でもよ
い。依然としてガス導入孔１８からは不活性ガス１９が
供給されているものとする。図４（Ｂ）を参照して、再
び透過窓７を外壁１３のパッキン１６に押圧し、固定す
る。固定した後少しタイミングを遅らせて、導入孔１８
からの不活性ガス１９の供給を停止し、気密室１５の状
態にあわせて例えば真空状態であれば導入孔１８を介し
て貫通孔１４内部を減圧する。図４（Ｃ）を参照して、
今まで気密を保っていたゲートバルブ１７を再び開けて
透過窓７による気密状態を復活し、レーザ光６の照射を
再開する。この様に、気密室１５側に設けたゲートバル
ブと連携させることにより、気密室１５の気密（又は真
空度）を保ったままで、透過窓７をずらすことが可能と
なる。この移動では装置全体のコンディションを崩すこ
とはなく、従って移動前の安定状態を継続して直ちに次
のロットを処理することが可能である。最後に、斯かる
透過窓７の移動は従来のクリーニングサイクルと同様に
月に数回程度行えば安定状態を維持することができ、移
動を数回繰り返して透過窓全体が汚れたときに初めて透
過窓７を含むチャンバ３内部のクリーニング処理を行え
ばよい。これによって、チャンバ３のクリーニングサイ
クルを従来の５倍程度に引き延ばすことができた。
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、レーザアニール装置の透過窓７のクリーニング回
数を減らし、これによってチャンバ３のクリーニングサ
イクルを長くして、装置の実稼働時間を大幅に延ばすこ
とができる。
明は、レーザアニール装置の透過窓７のクリーニング回
数を減らし、これによってチャンバ３のクリーニングサ
イクルを長くして、装置の実稼働時間を大幅に延ばすこ
とができる。
【図１】本発明のレーザアニール装置の概略構成を示す
図である。
図である。
【図２】透過窓付近を示す図である。
【図３】透過窓を移動させるときの手順を示すための図
である。
である。
【図４】透過窓を移動させるときの手順を示すための図
である。
である。
【符号の説明】 １ レーザ発振器 ２ ビーム整形器 ３ チャンバ ４ 被処理基板 ５ 載置台 ６ レーザ光 ７ 透過窓
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光を発生するレーザ発振器と、該
レーザ発振器から出射されたレーザ光を整形するビーム
整形器と、整形されたレーザ光を透過窓を通して内部に
導入するチャンバーと、該チャンバー内で被処理基板を
固定、移動するための載置台と、を具備するレーザアニ
ール装置において、 前記透過窓を、前記レーザ光が通過する箇所をずらせる
ように移動可能としたことを特徴とするレーザアニール
装置。 - 【請求項２】 前記チャンバーと前記透過窓とが気密空
間を構成することを特徴とする請求項１記載のレーザア
ニール装置。 - 【請求項３】 前記チャンバー内で加工される被処理基
板がガラス基板であり加熱対象が前記ガラス基板上に形
成されたシリコン薄膜であることを特徴とする請求項１
記載のレーザアニール装置。 - 【請求項４】 前記透過窓付近に、前記透過窓を移動す
る際に前記チャンバー内の気密を維持するゲートバルブ
を具備することを特徴とする請求項１記載のレーザアニ
ール装置。 - 【請求項５】 前記透過窓と前記ゲートバルブとの間の
空間に不活性ガスを導入するためのガス導入孔を具備す
ることを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26671197A JPH11111640A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26671197A JPH11111640A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | レーザアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111640A true JPH11111640A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17434626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26671197A Pending JPH11111640A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111640A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796611B1 (ko) | 2006-11-06 | 2008-01-22 | 코닉시스템 주식회사 | 어닐링 윈도우 |
| CN103172256A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | Ap系统股份有限公司 | 退火装置 |
| WO2025069355A1 (ja) * | 2023-09-28 | 2025-04-03 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び化合物半導体デバイスの製造方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26671197A patent/JPH11111640A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796611B1 (ko) | 2006-11-06 | 2008-01-22 | 코닉시스템 주식회사 | 어닐링 윈도우 |
| CN103172256A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | Ap系统股份有限公司 | 退火装置 |
| JP2013138200A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-11 | Ap Systems Inc | アニーリング装置 |
| TWI462884B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-12-01 | Ａｐ系統股份有限公司 | 退火裝置 |
| WO2025069355A1 (ja) * | 2023-09-28 | 2025-04-03 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び化合物半導体デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5058205B2 (ja) | レーザー照射装置 | |
| KR100324915B1 (ko) | 처리장치 및 제조장치 | |
| CN102077322B (zh) | 激光退火装置 | |
| JP2002118076A (ja) | シリコン膜のエキシマレーザー処理時に多結晶シリコン膜に混入する酸素量を制御する装置 | |
| US20040053480A1 (en) | Method for processing thin film and apparatus for processing thin film | |
| JP3573811B2 (ja) | 線状レーザー光の照射方法 | |
| KR100366010B1 (ko) | 반도체박막의결정화방법및레이저광조사장치 | |
| JPH11111640A (ja) | レーザアニール装置 | |
| JP2002093738A (ja) | 多結晶半導体膜の製造装置 | |
| JP4001647B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
| JP3735394B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH09162124A (ja) | 半導体処理方法 | |
| JPH05275336A (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法及びレーザアニール装置 | |
| JP3196132B2 (ja) | 液晶ディスプレイ基板の製造方法、半導体結晶の評価方法、半導体結晶薄膜の製造方法及び半導体結晶薄膜の製造装置 | |
| JP3204188B2 (ja) | シリコン薄膜の形成方法及びシリコン薄膜の形成装置 | |
| JPH06208133A (ja) | 液晶ディスプレイ基板の製造方法 | |
| JP2006108271A (ja) | アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するための方法および装置 | |
| JP3797257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、および半導体製造装置 | |
| JP3315738B2 (ja) | レーザアニール方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4429575B2 (ja) | レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法 | |
| JP3545213B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPH11111641A (ja) | レーザアニール装置 | |
| KR100769475B1 (ko) | 국부적 불활성 기체 분위기에서 결정화시키는 레이저결정화 장치 | |
| JP2001358087A (ja) | パルスレーザ光照射装置及び照射方法 | |
| JPH04180624A (ja) | パターンの形成方法 |