JPH11111641A - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
- Publication number
- JPH11111641A JPH11111641A JP27277597A JP27277597A JPH11111641A JP H11111641 A JPH11111641 A JP H11111641A JP 27277597 A JP27277597 A JP 27277597A JP 27277597 A JP27277597 A JP 27277597A JP H11111641 A JPH11111641 A JP H11111641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- enclosure
- inert gas
- output mirror
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ発振器の光学系を被うカバーを設け外
気と遮断することによりアニール装置のクリーニングサ
イクルを延長する。 【解決手段】 レーザ光を発生させるレーザ発振器１１
内にレーザ光を発生させるレーザ管２１、放電用電極２
２、光学窓２３、反射鏡２４と出力鏡２５とを具備し、
光学窓２３及び反射鏡２４と出力鏡２５を被うカバー２
８を設けて静室２９を構成する。静室２９内部に不活性
ガスを供給する。
気と遮断することによりアニール装置のクリーニングサ
イクルを延長する。 【解決手段】 レーザ光を発生させるレーザ発振器１１
内にレーザ光を発生させるレーザ管２１、放電用電極２
２、光学窓２３、反射鏡２４と出力鏡２５とを具備し、
光学窓２３及び反射鏡２４と出力鏡２５を被うカバー２
８を設けて静室２９を構成する。静室２９内部に不活性
ガスを供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜半導体装置の
製造装置に関し、特に絶縁基板上に形成したシリコン膜
を加熱することを目的としたレーザアニール装置に関す
る。
製造装置に関し、特に絶縁基板上に形成したシリコン膜
を加熱することを目的としたレーザアニール装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置等では、ガラスなどの絶縁
基板の上に形成したシリコン膜を多結晶化し、多結晶化
したシリコン膜を活性層として構成したＴＦＴ（Thin
FilmTransistor）を液晶駆動素子及びその周辺回路素子
として用いることが試作的に行われている。そして、前
記シリコン膜を多結晶化する１つの方法としてエキシマ
レーザアニール法が試作的に用いられている。このレー
ザアニール法は、ガラス基板上に形成した非晶質のシリ
コン膜にエキシマレーザ光を照射して加熱・溶融・冷却
して再結晶化するものあり、ガラス基板の温度を４００
度以下の低温で処理することができるので、ガラス基板
として安価なノンアルカリガラスを用いることができる
ほか、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大型化してＴＦＴ
素子の高性能化を図ることができる。
基板の上に形成したシリコン膜を多結晶化し、多結晶化
したシリコン膜を活性層として構成したＴＦＴ（Thin
FilmTransistor）を液晶駆動素子及びその周辺回路素子
として用いることが試作的に行われている。そして、前
記シリコン膜を多結晶化する１つの方法としてエキシマ
レーザアニール法が試作的に用いられている。このレー
ザアニール法は、ガラス基板上に形成した非晶質のシリ
コン膜にエキシマレーザ光を照射して加熱・溶融・冷却
して再結晶化するものあり、ガラス基板の温度を４００
度以下の低温で処理することができるので、ガラス基板
として安価なノンアルカリガラスを用いることができる
ほか、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大型化してＴＦＴ
素子の高性能化を図ることができる。
【０００３】この様な処理に用いられるレーザアニール
装置は（例えば、特開平８−３１６１６９号）、図２に
示すように、エキシマレーザを発生させるレーザ発振器
１と、レーザ発振器１から主射されたレーザ光を整形す
るためのビーム整形器２と、ビーム整形器で整形された
レーザ光を内部に導入する気密性のチャンバ３と、チャ
ンバ３内に設置されその表面に被処理基板４を載置する
載置台５と、を具備しており、レーザ発振器１内部に
は、発光ガスを封入したレーザ管６と、レーザ管の両端
に設置した光学窓７と、同じくレーザ管の両端に設けた
共振器ミラー８とが設置されており、これらを被う本体
カバー９内はクリーンルーム内の外気が導入されてい
る。
装置は（例えば、特開平８−３１６１６９号）、図２に
示すように、エキシマレーザを発生させるレーザ発振器
１と、レーザ発振器１から主射されたレーザ光を整形す
るためのビーム整形器２と、ビーム整形器で整形された
レーザ光を内部に導入する気密性のチャンバ３と、チャ
ンバ３内に設置されその表面に被処理基板４を載置する
載置台５と、を具備しており、レーザ発振器１内部に
は、発光ガスを封入したレーザ管６と、レーザ管の両端
に設置した光学窓７と、同じくレーザ管の両端に設けた
共振器ミラー８とが設置されており、これらを被う本体
カバー９内はクリーンルーム内の外気が導入されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜半
導体装置の製造現場においては作業者が発するアンモニ
ア、サルファー、水分等が外気中に蒸気の状態で霧散し
ており、更には製造工程で用いられる多種多様の化学薬
品が同じく蒸気の状態で霧散している。その為、これら
の化学物質がレーザ発振器１の光学窓７および共振器ミ
ラー８表面に付着し、レーザ光が照射される箇所だけに
何らかの光ＣＶＤ反応によって生成物が徐々に付着して
くる。この様な”白い汚れ”が付着すると、レーザ光の
透過率及び反射率を低下させて、薄膜半導体装置製造上
のばらつきの要因となっていた。これらの”白い汚れ”
は、人体から発するアンモニア等を要因とする硫酸アン
モニウム、薄膜半導体層値製造において用いられる薬品
（シリコン系接着剤等）を要因とするシリコン酸化物や
低分子シロキサン等で構成されている。
導体装置の製造現場においては作業者が発するアンモニ
ア、サルファー、水分等が外気中に蒸気の状態で霧散し
ており、更には製造工程で用いられる多種多様の化学薬
品が同じく蒸気の状態で霧散している。その為、これら
の化学物質がレーザ発振器１の光学窓７および共振器ミ
ラー８表面に付着し、レーザ光が照射される箇所だけに
何らかの光ＣＶＤ反応によって生成物が徐々に付着して
くる。この様な”白い汚れ”が付着すると、レーザ光の
透過率及び反射率を低下させて、薄膜半導体装置製造上
のばらつきの要因となっていた。これらの”白い汚れ”
は、人体から発するアンモニア等を要因とする硫酸アン
モニウム、薄膜半導体層値製造において用いられる薬品
（シリコン系接着剤等）を要因とするシリコン酸化物や
低分子シロキサン等で構成されている。
【０００５】通常は、前記汚れを除去するために月に数
回のクリーニング処理を行うが、クリーニングの都度製
造ラインをストップさせるので、これが装置の実稼働時
間を短縮させていたという欠点があった。
回のクリーニング処理を行うが、クリーニングの都度製
造ラインをストップさせるので、これが装置の実稼働時
間を短縮させていたという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑み成されたもので、レーザ発振器、ビーム整形器、レ
ーザ光を透過窓を通して内部に導入するチャンバー、チ
ャンバー内で被処理基板を固定、移動するための載置
台、を具備するレーザアニール装置において、前記レー
ザ発振器内の光学窓及び共振器ミラーをカバーで被い、
該カバー内に不活性ガスを導入可能ならしめて原因環境
から遮断することを骨子とするものである。
鑑み成されたもので、レーザ発振器、ビーム整形器、レ
ーザ光を透過窓を通して内部に導入するチャンバー、チ
ャンバー内で被処理基板を固定、移動するための載置
台、を具備するレーザアニール装置において、前記レー
ザ発振器内の光学窓及び共振器ミラーをカバーで被い、
該カバー内に不活性ガスを導入可能ならしめて原因環境
から遮断することを骨子とするものである。
【０００７】本発明によれば、レーザ光が通過する光学
系を全て外気から遮断することにより、光ＣＶＤ反応の
発生を防止することができる。
系を全て外気から遮断することにより、光ＣＶＤ反応の
発生を防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態を
詳細に説明する。図１は、本発明のレーザアニール装置
の概略を示す図である。同図において、レーザアニール
装置は、パルスレーザを発生させるレーザ発振器１１
と、レーザ発振器から主射されたレーザ光を整形するた
めのビーム整形器１２と、ビーム整形器で整形されたレ
ーザ光を内部に導入する気密性のチャンバ１３と、チャ
ンバ１３内に設置されその表面に被処理基板１４を載置
する載置台１５と、載置台１５上方のチャンバ１３の一
部に設けられ、レーザ光１６を透過する透過窓１７と、
レーザ発振器１１とビーム整形器１２間のレーザ光の通
路を被うカバー１８、及びビーム整形器１２とチャンバ
１３間のレーザ光の通路を被うカバー１９、とを概略具
備している。
詳細に説明する。図１は、本発明のレーザアニール装置
の概略を示す図である。同図において、レーザアニール
装置は、パルスレーザを発生させるレーザ発振器１１
と、レーザ発振器から主射されたレーザ光を整形するた
めのビーム整形器１２と、ビーム整形器で整形されたレ
ーザ光を内部に導入する気密性のチャンバ１３と、チャ
ンバ１３内に設置されその表面に被処理基板１４を載置
する載置台１５と、載置台１５上方のチャンバ１３の一
部に設けられ、レーザ光１６を透過する透過窓１７と、
レーザ発振器１１とビーム整形器１２間のレーザ光の通
路を被うカバー１８、及びビーム整形器１２とチャンバ
１３間のレーザ光の通路を被うカバー１９、とを概略具
備している。
【０００９】ここで載置台５は、ＸＹ軸方向に移動可能
な載置台駆動機構に固定され、更には設置したガラス基
板を４００度程度に予備加熱するためのヒータを具備し
ている。チャンバ１３は、ステンレスなどの頑丈な筐体
から成り、内部を真空に排気し且つ内部に窒素などの不
活性ガスを導入するためのガス供給排気機構を備えてい
る。また、チャンバ１３には外部に置かれた被処理基板
１４を内部の載置台１５上に載置し、処理済みの被処理
基板１４を外部に排出する為の搬送機構が接続されてい
る。透過窓１７は、チャンバ１３上部の被処理基板１４
と対向する部分に配置されており、これはチャンバ１３
と共にチャンバ内部を気密状態に保つ隔壁として機能す
る。透過窓１７自体は大きさが縦４０ｃｍ×横２０ｃｍ
×厚さ１ｃｍ程度の石英ガラスから成る。
な載置台駆動機構に固定され、更には設置したガラス基
板を４００度程度に予備加熱するためのヒータを具備し
ている。チャンバ１３は、ステンレスなどの頑丈な筐体
から成り、内部を真空に排気し且つ内部に窒素などの不
活性ガスを導入するためのガス供給排気機構を備えてい
る。また、チャンバ１３には外部に置かれた被処理基板
１４を内部の載置台１５上に載置し、処理済みの被処理
基板１４を外部に排出する為の搬送機構が接続されてい
る。透過窓１７は、チャンバ１３上部の被処理基板１４
と対向する部分に配置されており、これはチャンバ１３
と共にチャンバ内部を気密状態に保つ隔壁として機能す
る。透過窓１７自体は大きさが縦４０ｃｍ×横２０ｃｍ
×厚さ１ｃｍ程度の石英ガラスから成る。
【００１０】さらにレーザ発振器１１は、全体が本体カ
バー２０で被われており、その内部には発光ガスを封入
したレーザ管２１、レーザ管２１内部に設置された一対
の放電用電極２２、レーザ管２１の両端部に設置されレ
ーザ管２１内部の気密を保つ光学窓２３、光学窓２３の
更に外側に設けられた反射鏡２４と出力鏡２５から成る
共振器ミラーが設置されている。尚、２６は本体に設け
られたシャッターである。
バー２０で被われており、その内部には発光ガスを封入
したレーザ管２１、レーザ管２１内部に設置された一対
の放電用電極２２、レーザ管２１の両端部に設置されレ
ーザ管２１内部の気密を保つ光学窓２３、光学窓２３の
更に外側に設けられた反射鏡２４と出力鏡２５から成る
共振器ミラーが設置されている。尚、２６は本体に設け
られたシャッターである。
【００１１】レーザ管２１の内部には図示せぬガス供給
系からハロゲンガスと希釈ガスから成るレーザガスが供
給され、放電用電極２２で放電させることにより発光さ
せ、発光させた光を反射鏡２４と出力鏡２５との間で共
振器内を往復させることによって増幅し、パルス状のエ
キシマレーザ光２７としてビーム整形器１２に出力す
る。出力するときはシャッター２６が開けられる。
系からハロゲンガスと希釈ガスから成るレーザガスが供
給され、放電用電極２２で放電させることにより発光さ
せ、発光させた光を反射鏡２４と出力鏡２５との間で共
振器内を往復させることによって増幅し、パルス状のエ
キシマレーザ光２７としてビーム整形器１２に出力す
る。出力するときはシャッター２６が開けられる。
【００１２】例えば希ガスとしてキセノン、ネオン、ハ
ロゲンガスとしてＨＣｌを用いた場合は、発振波長３０
８ｎｍのエキシマレーザ２７を発生する。発生したレー
ザ光は、中央付近でエネルギー強度が高い２×３ｃｍ程
度の矩形の形状であるが、これをビーム整形器１２によ
って短辺が０．４〜１．０ｍｍ、長辺が１０〜３０ｃｍ
の細長い、且つ強度分布が平坦な線状のレーザ光１６に
加工される。レーザ光１６を線状とするのは、例えば３
０×６０ｃｍもの大型ガラス基板に対して均等な処理を
行うためである。
ロゲンガスとしてＨＣｌを用いた場合は、発振波長３０
８ｎｍのエキシマレーザ２７を発生する。発生したレー
ザ光は、中央付近でエネルギー強度が高い２×３ｃｍ程
度の矩形の形状であるが、これをビーム整形器１２によ
って短辺が０．４〜１．０ｍｍ、長辺が１０〜３０ｃｍ
の細長い、且つ強度分布が平坦な線状のレーザ光１６に
加工される。レーザ光１６を線状とするのは、例えば３
０×６０ｃｍもの大型ガラス基板に対して均等な処理を
行うためである。
【００１３】而して、レーザ発振器１１内部の光学窓２
３、及び反射鏡２４と出力鏡２５は、例えばステンレス
系の頑丈な筐体からなるカバー２８で被われ、カバー２
８がレーザ管２１と一体になって静室２９を形成する。
静室２９内部には不活性ガスとしてＮ２ガスが図示せぬ
給排気機構から供給され、光学窓２３、及び反射鏡２４
と出力鏡２５を外気から遮断している。出力鏡２５側の
カバー２８にはレーザ光２７が通過する箇所に開口部３
０が設けられており、少なくとも出力鏡２５側のカバー
２８内には常時外気圧よりも気圧が高くなるように前記
不活性ガスを供給し続けている。更に、本体カバー２０
内部にはケミカルフィルター３１を通して、アンモニ
ア、サルファー等を除去したエアーを供給するようにな
っている。
３、及び反射鏡２４と出力鏡２５は、例えばステンレス
系の頑丈な筐体からなるカバー２８で被われ、カバー２
８がレーザ管２１と一体になって静室２９を形成する。
静室２９内部には不活性ガスとしてＮ２ガスが図示せぬ
給排気機構から供給され、光学窓２３、及び反射鏡２４
と出力鏡２５を外気から遮断している。出力鏡２５側の
カバー２８にはレーザ光２７が通過する箇所に開口部３
０が設けられており、少なくとも出力鏡２５側のカバー
２８内には常時外気圧よりも気圧が高くなるように前記
不活性ガスを供給し続けている。更に、本体カバー２０
内部にはケミカルフィルター３１を通して、アンモニ
ア、サルファー等を除去したエアーを供給するようにな
っている。
【００１４】以上の本発明によれば、光学系を構成する
光学窓２３、反射鏡２４及び出力鏡２５を外気から遮断
したので、光ＣＶＤ反応の発生を防止することができ
る。更に、本体カバー２０内部にケミカルフィルター３
１を通して化学的に清浄な空気を送り込むことによっ
て、上記の光ＣＶＤ反応をより一層防止することが可能
となる。これによって、従来は月に数回程度光学系のク
リーニングが必要であったものが、本発明により、クリ
ーニングサイクルを従来の５倍程度に引き延ばすことが
できた。
光学窓２３、反射鏡２４及び出力鏡２５を外気から遮断
したので、光ＣＶＤ反応の発生を防止することができ
る。更に、本体カバー２０内部にケミカルフィルター３
１を通して化学的に清浄な空気を送り込むことによっ
て、上記の光ＣＶＤ反応をより一層防止することが可能
となる。これによって、従来は月に数回程度光学系のク
リーニングが必要であったものが、本発明により、クリ
ーニングサイクルを従来の５倍程度に引き延ばすことが
できた。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、レーザ発振器２１の光学系のクリーニング回数を
減らし、これによって装置の実稼働時間を大幅に延ばす
ことができる。
明は、レーザ発振器２１の光学系のクリーニング回数を
減らし、これによって装置の実稼働時間を大幅に延ばす
ことができる。
【図１】本発明のレーザアニール装置の概略構成を示す
図である。
図である。
【図２】従来のレーザアニール装置の概略構成を示す図
である。
である。
１１ レーザ発振器 １２ ビーム整形器 １３ チャンバ １５ 載置台 ２１ レーザ管 ２３ 光学窓 ２４ 共振器ミラーの反射鏡 ２５ 共振器ミラーの出力鏡 ２７ レーザ光 ２８ カバー ２９ 静室 ３１ ケミカルフィルタ
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ管の両端に光学窓及び共振器ミラ
ーを設置したレーザ発振器からレーザ光を発生させ、前
記レーザ発振器から出射されたレーザ光をビーム整形器
で整形し、整形されたレーザ光をチャンバー内部に設置
した被処理基板に照射するレーザアニール装置におい
て、 前記レーザ発振器の両端に、前記光学窓及び共振器ミラ
ーを被うカバーを設置し、前記カバー内に不活性ガスを
供給可能としたことを特徴とするレーザアニール装置。 - 【請求項２】 前記レーザ発振器と前記共振器ミラーと
が本体カバー内に設置され、該本体カバー内の給気機構
にケミカルフィルターを設置したことを特徴とする請求
項１記載のレーザアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27277597A JPH11111641A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27277597A JPH11111641A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111641A true JPH11111641A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17518581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27277597A Pending JPH11111641A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157376A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Japan Display Central Co Ltd | レーザアニール装置 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27277597A patent/JPH11111641A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013157376A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Japan Display Central Co Ltd | レーザアニール装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5058205B2 (ja) | レーザー照射装置 | |
| KR20040105567A (ko) | 유기층 제거 방법 및 장치 | |
| JP2002015970A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3028741B2 (ja) | 基板材料の切断方法及びその装置 | |
| JPH11111641A (ja) | レーザアニール装置 | |
| CN107498194B (zh) | 激光晶化设备和方法 | |
| JP2002093738A (ja) | 多結晶半導体膜の製造装置 | |
| JPS6235811B2 (ja) | ||
| JP3735394B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2003224117A (ja) | 絶縁膜の製造装置 | |
| KR20180131667A (ko) | 고체 레이저 결정화 장치 | |
| JPH11111640A (ja) | レーザアニール装置 | |
| JP3653980B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP3944296B2 (ja) | 有機汚染除去装置およびこれを用いた液晶表示装置の製造装置 | |
| JP2004162124A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP3315738B2 (ja) | レーザアニール方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4429575B2 (ja) | レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法 | |
| JPH1110101A (ja) | 光洗浄装置 | |
| JP2000150551A (ja) | リードフレームの表面処理機構およびその方法 | |
| JP2717855B2 (ja) | アッシング方法 | |
| JP3957777B2 (ja) | レーザー照射方法 | |
| JP3214154B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法 | |
| JPH09270390A (ja) | 基板の光照射式熱処理装置 | |
| JP3797257B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、および半導体製造装置 | |
| JP2003109910A (ja) | レーザアニール装置及び方法 |