JPH11111903A - ブリッジ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ブリッジ型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH11111903A JPH11111903A JP9287868A JP28786897A JPH11111903A JP H11111903 A JPH11111903 A JP H11111903A JP 9287868 A JP9287868 A JP 9287868A JP 28786897 A JP28786897 A JP 28786897A JP H11111903 A JPH11111903 A JP H11111903A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- type semiconductor
- terminal
- bridge
- terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/076—Connecting or disconnecting of strap connectors
- H10W72/07631—Techniques
- H10W72/07636—Soldering or alloying
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/761—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors
- H10W90/766—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置の構造を工夫することにより、端子
間隔が広くできる。半導体チップからの発熱を効果的に
発散でき、生産性の高いものを提供することにある。 【解決手段】本発明のブリッジ型半導体装置は、リード
フレームの交流入力用の第１及び第２端子の一部に第１
及び第２屈曲部を有す構造とし、ブリッジ回路構成した
後、トランスファーモールド法等により樹脂封止し、不
要な部分を切断加工すると共に前記屈曲部の近傍で略直
角方向に折曲げ加工を施すことを特徴とする。このよう
に交流入力用の第１及び第２端子を略直角方向に折曲げ
加工することにより、ブリッジ型半導体装置の端子間距
離を確保することが可能である。
間隔が広くできる。半導体チップからの発熱を効果的に
発散でき、生産性の高いものを提供することにある。 【解決手段】本発明のブリッジ型半導体装置は、リード
フレームの交流入力用の第１及び第２端子の一部に第１
及び第２屈曲部を有す構造とし、ブリッジ回路構成した
後、トランスファーモールド法等により樹脂封止し、不
要な部分を切断加工すると共に前記屈曲部の近傍で略直
角方向に折曲げ加工を施すことを特徴とする。このよう
に交流入力用の第１及び第２端子を略直角方向に折曲げ
加工することにより、ブリッジ型半導体装置の端子間距
離を確保することが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は，電子機器等に使用され
るブリッジ型半導体装置の構造と、その製造方法に関す
るものである。
るブリッジ型半導体装置の構造と、その製造方法に関す
るものである。
【０００２】
（２） 従来より、ブリッジ半導体装置は、既登録第１８９５５
１８号ブリッ型ジ半導体装置に述べられているように、
リードフレーム上に半導体チップを組立した後、トラン
スファーモールド法等により樹脂封止して製造している
が、近年電子機器の小型化、高信頼度に関心が高まり安
全規格を満足する半導体装置が要求されている。特に回
路構成上一次側（交流入力）に使用されるブリッジ型半
導体装置には、絶縁距離に関する沿面、空間距離が一定
距離以上必要となっている。
１８号ブリッ型ジ半導体装置に述べられているように、
リードフレーム上に半導体チップを組立した後、トラン
スファーモールド法等により樹脂封止して製造している
が、近年電子機器の小型化、高信頼度に関心が高まり安
全規格を満足する半導体装置が要求されている。特に回
路構成上一次側（交流入力）に使用されるブリッジ型半
導体装置には、絶縁距離に関する沿面、空間距離が一定
距離以上必要となっている。
【０００３】図４はブリッジ型半導体装置の絶縁距離を
確保するために端子を２次加工した従来例を示し（ａ）
は正面図、（ｂ）は側面図で図中１５はモールド樹脂
部、１２，１２ａ，１２ｂは端子部で中間の端子１２
ａ，１２ｂを上方に折曲げ加工を施している。この構造
は絶縁距離を確保できるが加工性が悪く端子形状が不安
定となり、又プリント基板等に取付る際に端子先端か端
子１２と１２ａ、又は１２ｂが揃わないためトラブルの
原因となり、このために端子１２ａ、１２ｂを端子１２
に比し予め少し長く形成する必要がある。
確保するために端子を２次加工した従来例を示し（ａ）
は正面図、（ｂ）は側面図で図中１５はモールド樹脂
部、１２，１２ａ，１２ｂは端子部で中間の端子１２
ａ，１２ｂを上方に折曲げ加工を施している。この構造
は絶縁距離を確保できるが加工性が悪く端子形状が不安
定となり、又プリント基板等に取付る際に端子先端か端
子１２と１２ａ、又は１２ｂが揃わないためトラブルの
原因となり、このために端子１２ａ、１２ｂを端子１２
に比し予め少し長く形成する必要がある。
【０００４】又予め端子間隔の広いリードフレームを形
成すると使用時にブリッジ型半導体装置が大きくなる等
の欠点があった。又半導体チップから発生する熱を効率
的に発散させるために、ダイパット部の面積を広くした
り、熱伝導の良い材質を使用しているが、ブリッジ型半
導体装置が大きくなり高価となる等の欠点があった。
成すると使用時にブリッジ型半導体装置が大きくなる等
の欠点があった。又半導体チップから発生する熱を効率
的に発散させるために、ダイパット部の面積を広くした
り、熱伝導の良い材質を使用しているが、ブリッジ型半
導体装置が大きくなり高価となる等の欠点があった。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技
術の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、半導
体装置の構造を工夫することにより、端子間隔が広くで
きる。半導体チップからの発熱を効率的に発散でき、生
産性の高いものを提供することにある。
術の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、半導
体装置の構造を工夫することにより、端子間隔が広くで
きる。半導体チップからの発熱を効率的に発散でき、生
産性の高いものを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に係る本発明のブリッジ型半導体装置は、リ
ードフレームの交流入力用の第１及び第２端子の一部に
第１及び第２屈曲部を （３） 有す構造とし、ブリッジ回路構成した後、トランスファ
ーモールド法等により樹脂封止し、不要な部分を切断加
工するとともに、前記屈曲部の近傍で略直角方向に折曲
げ加工を施すことを特徴とする。このように交流入力用
の第１及び第２端子を略直角方向に折曲げ加工すること
により、ブリッジ型半導体装置の端子間の距離を確保す
ることが可能である。請求項２の発明は両端の端子を機
械加工により容易に直角方向に折曲げを可能にするため
に端子の一部を予めＬ字状に形成したものである。又、
請求項３に記載したブリッジ型半導体装置のダイパット
部は、半導体素子から発生する熱を効果的に放熱するた
め、ダイパット部の一部を半導体チップを搭載した面に
対して、略直角方向に折曲げ加工を施し、ダイパット部
の面積を広くなる構造にしたことを特徴とする。このよ
うにダイパット部の面積を広くすれば、放熱性の良い半
導体装置を容易に実現することができる。
に請求項１に係る本発明のブリッジ型半導体装置は、リ
ードフレームの交流入力用の第１及び第２端子の一部に
第１及び第２屈曲部を （３） 有す構造とし、ブリッジ回路構成した後、トランスファ
ーモールド法等により樹脂封止し、不要な部分を切断加
工するとともに、前記屈曲部の近傍で略直角方向に折曲
げ加工を施すことを特徴とする。このように交流入力用
の第１及び第２端子を略直角方向に折曲げ加工すること
により、ブリッジ型半導体装置の端子間の距離を確保す
ることが可能である。請求項２の発明は両端の端子を機
械加工により容易に直角方向に折曲げを可能にするため
に端子の一部を予めＬ字状に形成したものである。又、
請求項３に記載したブリッジ型半導体装置のダイパット
部は、半導体素子から発生する熱を効果的に放熱するた
め、ダイパット部の一部を半導体チップを搭載した面に
対して、略直角方向に折曲げ加工を施し、ダイパット部
の面積を広くなる構造にしたことを特徴とする。このよ
うにダイパット部の面積を広くすれば、放熱性の良い半
導体装置を容易に実現することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る半導体装置の実施形態を説明する。なお、図面の
説明において同一部材には同じ符号を付し、重複する説
明は省略する。図１は本発明の実施例を示す斜視図、図
２は本発明の実施例を説明するための表面の樹脂を除い
た正面図（ａ）、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図であ
る。。この半導体装置１は、図２に示すダイパット部１
１と端子部１７を有するリードフレームに半導体チップ
１４を配置し、接続子１６を用いてブリッジ回路になる
ようにはんだ付け等で接続する。そして、トランスファ
ーモールド法等により樹脂部１５を形成した後、リード
フレームの不要部分を切断により除去してブリッジ型半
導体装置とする。そして、両端に配置された端子部１７
ａ、１７ｂの一部に予め形成されたＬ字状部Ａ，Ｂを内
側より略直角（矢印方向）に折曲げ加工する。このブリ
ッジ型半導体装置の樹脂部は横約２０ｍｍ、高さ約２０
ｍｍ、厚さ約４ｍｍにされており、端子部は厚さ約５ｍ
ｍで、間隔は約５．５ｍｍにされている。なお、図２に
おいて１１ａ、１１ｂはダイパット部の一部を略直角方
向に曲げた折曲げ部である。 （４）
に係る半導体装置の実施形態を説明する。なお、図面の
説明において同一部材には同じ符号を付し、重複する説
明は省略する。図１は本発明の実施例を示す斜視図、図
２は本発明の実施例を説明するための表面の樹脂を除い
た正面図（ａ）、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図であ
る。。この半導体装置１は、図２に示すダイパット部１
１と端子部１７を有するリードフレームに半導体チップ
１４を配置し、接続子１６を用いてブリッジ回路になる
ようにはんだ付け等で接続する。そして、トランスファ
ーモールド法等により樹脂部１５を形成した後、リード
フレームの不要部分を切断により除去してブリッジ型半
導体装置とする。そして、両端に配置された端子部１７
ａ、１７ｂの一部に予め形成されたＬ字状部Ａ，Ｂを内
側より略直角（矢印方向）に折曲げ加工する。このブリ
ッジ型半導体装置の樹脂部は横約２０ｍｍ、高さ約２０
ｍｍ、厚さ約４ｍｍにされており、端子部は厚さ約５ｍ
ｍで、間隔は約５．５ｍｍにされている。なお、図２に
おいて１１ａ、１１ｂはダイパット部の一部を略直角方
向に曲げた折曲げ部である。 （４）
【０００８】図３は複数個の装置を同時に形成するため
の本発明の実施例を示す正面図でリードフレーム１３に
予めブリッジ回路ユニットを同時に樹脂モールドしてユ
ニット１ａ〜１ｄ，２ａ〜２ｄを形成し、不要部切断し
て個々に分離すると共に図示しない移送手段により個々
に移送し夫々ユニットのＬ字状部を略直角方向に折曲げ
加工する。
の本発明の実施例を示す正面図でリードフレーム１３に
予めブリッジ回路ユニットを同時に樹脂モールドしてユ
ニット１ａ〜１ｄ，２ａ〜２ｄを形成し、不要部切断し
て個々に分離すると共に図示しない移送手段により個々
に移送し夫々ユニットのＬ字状部を略直角方向に折曲げ
加工する。
【０００９】
【発明の効果】端子間隔を広くできるので、各種安全規
格を満足する小型で生産性の高いブリッジ型半導体装置
を提供できる。半導体チップからの発熱を効率的に放熱
することができる。
格を満足する小型で生産性の高いブリッジ型半導体装置
を提供できる。半導体チップからの発熱を効率的に放熱
することができる。
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図。
【図２】 本発明実施例の説明図。
【図３】 本発明の実施例を示す正面図。
【図４】 従来例。
１，半導体装置 １ａ〜１ｄ，２ａ〜２ｄ，単位ユニット １１，ダイパット部 １１ａ，１１ｂ，折曲げ部 １２，１２ａ，１２ｂ，端子部 １３，リードフレーム １４，半導体チップ １５，樹脂部 １６，接続子 １７，１７ａ，１７ｂ，端子部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを配置するダイパット部と
実装時に使用する端子部を有するリードフレームを用い
て、交流入力（又は直流出力）用の第１及び第２端子を
両端に配置し、その内側に直流出力（又は交流入力）用
の第３及び第４端子を配置し、各端子の延長上にダイパ
ット部を有し、そのダイパット部にブリッジ回路に半導
体チップを接続した、ブリッジ型半導体装置に於いて、
前記第１及び第２端子の一部を略直角方向に折曲げてい
ることを特徴とするブリッジ型半導体装置。 - 【請求項２】 両端に配置される第１、第２端子又は第
３、第４の端子の夫々一端をＬ字状に形成し、前記Ｌ字
状部を略直角方向に折曲げたことを特徴とする請求項１
記載のブリッジ型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを配置する交流入力（又は
直流出力）用の第１及び第２端子延長上に設けるダイパ
ット部の一部を略直角方向に折曲げ部を有していること
を特徴とする請求項１又は２のブリッジ型半導体装置。 - 【請求項４】 複数個のブリッジ型半導体装置を製造す
るためにリードフレームに複数個のブリッジ回路ユニッ
トを形成する工程と、前記夫々ブリッジ回路ユニットを
同時に樹脂モールドする工程と、モールドユニットを個
別に分離するためにリードフレームの不用枠を切断する
工程と、個別ユニットの両端の端子を直角方向に折曲げ
る工程を含むブリッジ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287868A JPH11111903A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ブリッジ型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9287868A JPH11111903A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ブリッジ型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111903A true JPH11111903A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17722798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9287868A Pending JPH11111903A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | ブリッジ型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192530A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-17 | Du Pont Kk | 成形用ポリアセタール樹脂材料、芳香を発するスライドファスナーなどの成形品、および芳香を発する成形品の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP9287868A patent/JPH11111903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192530A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-17 | Du Pont Kk | 成形用ポリアセタール樹脂材料、芳香を発するスライドファスナーなどの成形品、および芳香を発する成形品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040426 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060809 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061213 |