JPH11112273A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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- JPH11112273A JPH11112273A JP29151997A JP29151997A JPH11112273A JP H11112273 A JPH11112273 A JP H11112273A JP 29151997 A JP29151997 A JP 29151997A JP 29151997 A JP29151997 A JP 29151997A JP H11112273 A JPH11112273 A JP H11112273A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型且つ低コストの弾性表面波素子およびその
製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板１１の表面に窪み１９を形成す
る。窪み１９内に素子の電極１２を、表面にボンディン
グパッド１８を形成する。酸化シリコン膜１３により窪
み１９を埋める。ポリシリコン層１４を全面に形成す
る。ボンディングパッド部１８及び酸化シリコン膜１３
の一部を露出する開口１５を設ける。開口１５を介して
酸化シリコン膜１３を除去して、振動用空間１６を形成
する。窒化シリコン１７により開口１５内の隙間２０を
塞ぎ空間１６を気密にする。ボンディングパッド部１８
のみを露出する開口３０を形成する。窪み１９に電極１
２が形成され、窪み１９とポリシリコン層１４との間に
弾性表面波が振動可能な気密空間１６が形成されるの
で、パッケージ等が不要となり小型化でき、チップ化す
る前のウエハの状態で作成できるので、工数が少なくな
り低コストで製造できる。
製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板１１の表面に窪み１９を形成す
る。窪み１９内に素子の電極１２を、表面にボンディン
グパッド１８を形成する。酸化シリコン膜１３により窪
み１９を埋める。ポリシリコン層１４を全面に形成す
る。ボンディングパッド部１８及び酸化シリコン膜１３
の一部を露出する開口１５を設ける。開口１５を介して
酸化シリコン膜１３を除去して、振動用空間１６を形成
する。窒化シリコン１７により開口１５内の隙間２０を
塞ぎ空間１６を気密にする。ボンディングパッド部１８
のみを露出する開口３０を形成する。窪み１９に電極１
２が形成され、窪み１９とポリシリコン層１４との間に
弾性表面波が振動可能な気密空間１６が形成されるの
で、パッケージ等が不要となり小型化でき、チップ化す
る前のウエハの状態で作成できるので、工数が少なくな
り低コストで製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子（共振子、フィルタ等）
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。
【０００３】また、図８に示したように、１チップの弾
性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２に
入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさに
より部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。
性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２に
入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさに
より部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。
【０００４】また、弾性表面波素子を他のＩＣ回路等と
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、圧電基板表面に作られた窪み中に弾
性表面波素子の電極が、そして好ましくは、引出電極
（ボンディングパッド）が窪みの外に形成され、その窪
みを弾性表面波が振動可能であって励振および伝搬可能
な空間として利用でき、かつその空間を覆うように形成
された薄膜層による蓋を持ち、この空間に連通する隙間
が絶縁膜によって塞がれた気密構造の弾性表面波素子と
すれば、パッケージが不要となり、また、このような構
造はチップ化する前のウエハ上で作成できるので、工数
が少なくなり低コストで製造できるということを見いだ
した。
に、本発明者らは、圧電基板表面に作られた窪み中に弾
性表面波素子の電極が、そして好ましくは、引出電極
（ボンディングパッド）が窪みの外に形成され、その窪
みを弾性表面波が振動可能であって励振および伝搬可能
な空間として利用でき、かつその空間を覆うように形成
された薄膜層による蓋を持ち、この空間に連通する隙間
が絶縁膜によって塞がれた気密構造の弾性表面波素子と
すれば、パッケージが不要となり、また、このような構
造はチップ化する前のウエハ上で作成できるので、工数
が少なくなり低コストで製造できるということを見いだ
した。
【０００７】さらに、このような空間を持たせた構造の
弾性表面波素子は、以下の方法で好ましく製造されるこ
とを見いだした。まず、圧電基板表面に図１の如き窪み
を作成する。スパッタリングにより電極となる金属膜を
堆積させ、パターニングする。次に、圧電基板のウエハ
全体に犠牲層になる絶縁膜を窪みの深さと同程度堆積さ
せ、弾性表面波素子の電極パターンのみを覆い隠すよう
に絶縁膜をパターニングし、その後カバー膜を基板全体
に堆積させる。ボンディングパッド部分に対応する部分
に窓開けを行い、先に堆積させた絶縁膜のみを選択的に
ウエットエッチングにより除去し、先に窓開けを行った
部分を第２のカバー膜で埋める。さらに、電極のボンデ
ィングパッド部のみ窓開けを行うことで弾性表面波の励
振部分に空間を持たせ、かつ気密封止を行う。
弾性表面波素子は、以下の方法で好ましく製造されるこ
とを見いだした。まず、圧電基板表面に図１の如き窪み
を作成する。スパッタリングにより電極となる金属膜を
堆積させ、パターニングする。次に、圧電基板のウエハ
全体に犠牲層になる絶縁膜を窪みの深さと同程度堆積さ
せ、弾性表面波素子の電極パターンのみを覆い隠すよう
に絶縁膜をパターニングし、その後カバー膜を基板全体
に堆積させる。ボンディングパッド部分に対応する部分
に窓開けを行い、先に堆積させた絶縁膜のみを選択的に
ウエットエッチングにより除去し、先に窓開けを行った
部分を第２のカバー膜で埋める。さらに、電極のボンデ
ィングパッド部のみ窓開けを行うことで弾性表面波の励
振部分に空間を持たせ、かつ気密封止を行う。
【０００８】本発明は以上の知見に基づくものであり、
請求項１によれば、圧電基板の一主面に設けられた窪み
に弾性表面波素子の電極が形成され、前記窪みを覆って
薄膜層が形成され、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性
表面波が振動可能な空間が形成され、前記空間に連通す
る隙間が絶縁膜によって塞がれ前記空間が気密となって
いることを特徴とする弾性表面波素子が提供される。こ
のような構造とすれば、パッケージが不要となるので小
型化が可能となり、また、これらの窪みや薄膜層および
それらの間の気密空間は、チップ化する前の圧電基板上
で作成できるので、工数が少なくなり低コストで製造で
きる。
請求項１によれば、圧電基板の一主面に設けられた窪み
に弾性表面波素子の電極が形成され、前記窪みを覆って
薄膜層が形成され、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性
表面波が振動可能な空間が形成され、前記空間に連通す
る隙間が絶縁膜によって塞がれ前記空間が気密となって
いることを特徴とする弾性表面波素子が提供される。こ
のような構造とすれば、パッケージが不要となるので小
型化が可能となり、また、これらの窪みや薄膜層および
それらの間の気密空間は、チップ化する前の圧電基板上
で作成できるので、工数が少なくなり低コストで製造で
きる。
【０００９】請求項２によれば、前記弾性表面波素子の
ボンディングパッドが前記窪みの外側の前記一主面に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波素子が提供される。
ボンディングパッドが前記窪みの外側の前記一主面に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波素子が提供される。
【００１０】請求項３によれば、圧電基板の一主面に窪
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに
第１の絶縁膜を選択的に形成して前記第１の絶縁膜によ
り前記窪みを埋める工程と、その後、前記第１の絶縁膜
上および前記一主面上に前記第１の絶縁膜とエッチング
速度が異なる薄膜層を形成する工程と、その後、前記第
１の絶縁膜の一部を露出する隙間を有する開口を前記薄
膜層に形成する工程と、その後、前記隙間および前記開
口を介して前記第１の絶縁膜を選択的にエッチング除去
することにより、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表
面波が振動可能な空間を形成する工程と、その後、前記
隙間を第２の絶縁膜によって塞ぎ前記空間を気密にする
工程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製
造方法が提供される。
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに
第１の絶縁膜を選択的に形成して前記第１の絶縁膜によ
り前記窪みを埋める工程と、その後、前記第１の絶縁膜
上および前記一主面上に前記第１の絶縁膜とエッチング
速度が異なる薄膜層を形成する工程と、その後、前記第
１の絶縁膜の一部を露出する隙間を有する開口を前記薄
膜層に形成する工程と、その後、前記隙間および前記開
口を介して前記第１の絶縁膜を選択的にエッチング除去
することにより、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表
面波が振動可能な空間を形成する工程と、その後、前記
隙間を第２の絶縁膜によって塞ぎ前記空間を気密にする
工程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製
造方法が提供される。
【００１１】請求項４によれば、圧電基板の一主面に窪
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成し、前記一主面上にボンディングパッド
を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに絶縁膜を
選択的に形成して前記絶縁膜により前記窪みを埋める工
程と、その後、前記第１の絶縁膜、前記ボンディングパ
ッドおよび前記一主面上に前記絶縁膜とエッチング速度
が異なる薄膜層を形成する工程と、その後、前記ボンデ
ィングパッドを露出する第１の開口であって前記絶縁膜
の一部を露出する隙間を有する前記第１の開口を前記薄
膜層に形成する工程と、その後、前記隙間および前記第
１の開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチング除去
することにより、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表
面波が振動可能な空間を形成する工程と、その後、前記
第１の開口を埋めると共に前記隙間を塞ぎ前記空間を気
密にする第２の絶縁膜を形成する工程と、その後、前記
第２の絶縁膜を選択的に除去して前記第１の開口内に第
２の開口を設け、前記ボンディングパッドを露出すると
共に前記隙間を前記第２の絶縁膜で塞いだ状態のままと
する工程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子
の製造方法が提供される。
みを形成する工程と、その後、前記窪みに弾性表面波素
子の電極を形成し、前記一主面上にボンディングパッド
を形成する工程と、その後、前記窪み内のみに絶縁膜を
選択的に形成して前記絶縁膜により前記窪みを埋める工
程と、その後、前記第１の絶縁膜、前記ボンディングパ
ッドおよび前記一主面上に前記絶縁膜とエッチング速度
が異なる薄膜層を形成する工程と、その後、前記ボンデ
ィングパッドを露出する第１の開口であって前記絶縁膜
の一部を露出する隙間を有する前記第１の開口を前記薄
膜層に形成する工程と、その後、前記隙間および前記第
１の開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチング除去
することにより、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表
面波が振動可能な空間を形成する工程と、その後、前記
第１の開口を埋めると共に前記隙間を塞ぎ前記空間を気
密にする第２の絶縁膜を形成する工程と、その後、前記
第２の絶縁膜を選択的に除去して前記第１の開口内に第
２の開口を設け、前記ボンディングパッドを露出すると
共に前記隙間を前記第２の絶縁膜で塞いだ状態のままと
する工程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子
の製造方法が提供される。
【００１２】これらの製造方法によれば、窪みに形成さ
れた弾性表面波素子の電極と、窪みを覆って形成された
薄膜層と、窪みと薄膜層との間に弾性表面波が振動可能
な気密空間とを備える構造を、チップ化する前の圧電基
板上で作成できるので、工数が少なくなり低コストで製
造できるようになる。また、このような構造にして製造
される弾性表面波素子においては、パッケージが不要と
なるので小型化が可能となる。
れた弾性表面波素子の電極と、窪みを覆って形成された
薄膜層と、窪みと薄膜層との間に弾性表面波が振動可能
な気密空間とを備える構造を、チップ化する前の圧電基
板上で作成できるので、工数が少なくなり低コストで製
造できるようになる。また、このような構造にして製造
される弾性表面波素子においては、パッケージが不要と
なるので小型化が可能となる。
【００１３】なお、これらの製造方法において、窪み内
のみに絶縁膜を選択的に形成するには、好ましくは、ス
パッタリング等により全面に絶縁膜を窪みの深さと同程
度の厚さに形成しその後窪み内のみに絶縁膜が残るよう
に加工する。
のみに絶縁膜を選択的に形成するには、好ましくは、ス
パッタリング等により全面に絶縁膜を窪みの深さと同程
度の厚さに形成しその後窪み内のみに絶縁膜が残るよう
に加工する。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１５】図１〜図８は、本発明の一実施の形態の弾
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略図であり、図２〜図８は図１のＡ部
の部分拡大図である。そして、図１Ａは概略縦断面図、
図１Ｂは上面図であり、図２Ａ〜図８Ａはそれぞれ図２
Ｂ〜図８ＢのＸＸ線部分縦断面図であり、図２Ｂ〜図８
Ｂは部分上面図である。図９、１０は、本発明の一実施
の形態の弾性表面波素子の製造方法を説明するためのフ
ローチャートである。
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略図であり、図２〜図８は図１のＡ部
の部分拡大図である。そして、図１Ａは概略縦断面図、
図１Ｂは上面図であり、図２Ａ〜図８Ａはそれぞれ図２
Ｂ〜図８ＢのＸＸ線部分縦断面図であり、図２Ｂ〜図８
Ｂは部分上面図である。図９、１０は、本発明の一実施
の形態の弾性表面波素子の製造方法を説明するためのフ
ローチャートである。
【００１６】まず、本実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を工程順に説明する。
造方法を工程順に説明する。
【００１７】工程１） ウエハの加工 まず、図１に示すように、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電材料か
らなる圧電基板１１の表面を加工して窪み１９を３イン
チウエハに２００個存在するように形成する。窪み１９
の深さは、２μｍである。
らなる圧電基板１１の表面を加工して窪み１９を３イン
チウエハに２００個存在するように形成する。窪み１９
の深さは、２μｍである。
【００１８】より詳細には、図９に示すように、まず、
圧電基板１１のウエハを洗浄し、その後、圧電基板１１
の表面上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。
その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フ
ォトレジストをマスクにして圧電基板１１の表面を選択
的にエッチングして窪み１９を加工形成し、その後、レ
ジストを剥離する。
圧電基板１１のウエハを洗浄し、その後、圧電基板１１
の表面上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。
その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フ
ォトレジストをマスクにして圧電基板１１の表面を選択
的にエッチングして窪み１９を加工形成し、その後、レ
ジストを剥離する。
【００１９】工程２） 電極形成 次に、図２に示すように、電極材料として金（Ａｕ）３
２００オングストロームをウエハ全体に堆積させ、その
後パターニングして、窪み１９内には圧電振動子素子の
電極１２を、圧電基板１１の表面上にはボンディングパ
ッド１８をそれぞれ形成した。
２００オングストロームをウエハ全体に堆積させ、その
後パターニングして、窪み１９内には圧電振動子素子の
電極１２を、圧電基板１１の表面上にはボンディングパ
ッド１８をそれぞれ形成した。
【００２０】より詳細には、図９に示すように、まず、
圧電基板１１上に金電極をスパッタで形成する。次に、
フォトレジストを塗布しプリベークを行う。その後、露
光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォトレジス
トをマスクにして金電極を選択的にエッチングして電極
１２およびボンディングパッド１８をパターニング形成
し、その後、レジストを剥離する。
圧電基板１１上に金電極をスパッタで形成する。次に、
フォトレジストを塗布しプリベークを行う。その後、露
光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォトレジス
トをマスクにして金電極を選択的にエッチングして電極
１２およびボンディングパッド１８をパターニング形成
し、その後、レジストを剥離する。
【００２１】工程３） 酸化シリコン膜１３により窪み
１９を埋める 次に、図３に示すように、酸化シリコン膜１３により窪
み１９を埋める。
１９を埋める 次に、図３に示すように、酸化シリコン膜１３により窪
み１９を埋める。
【００２２】より詳細には、図９に示すように、まず、
全面に酸化シリコン膜１３を窪み１９の深さと同程度の
厚さにスパッタで形成する。次に、フォトレジストを塗
布しプリベークを行う。その後、露光、現像し、ポスト
ベークを行う。次に、フォトレジストをマスクにして酸
化シリコン膜１３をウェットエッチングによりパターニ
ングして窪み１９内のみに酸化シリコン膜１３を残す。
その後、レジストを剥離する。
全面に酸化シリコン膜１３を窪み１９の深さと同程度の
厚さにスパッタで形成する。次に、フォトレジストを塗
布しプリベークを行う。その後、露光、現像し、ポスト
ベークを行う。次に、フォトレジストをマスクにして酸
化シリコン膜１３をウェットエッチングによりパターニ
ングして窪み１９内のみに酸化シリコン膜１３を残す。
その後、レジストを剥離する。
【００２３】工程４） ポリシリコンのカバー層の形成 次に、図４に示すように、ポリシリコンのカバー層１４
を全面に形成する。
を全面に形成する。
【００２４】工程５） 素子のボンディングパッド部上
に窓開け 次に、図５に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部１８を露出する開口１５であって酸化シリコ
ン膜１３の一部を露出する隙間２０を有する開口１５を
ポリシリコンのカバー層１４に設ける。
に窓開け 次に、図５に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部１８を露出する開口１５であって酸化シリコ
ン膜１３の一部を露出する隙間２０を有する開口１５を
ポリシリコンのカバー層１４に設ける。
【００２５】より詳細には、図９に示すように、ポリシ
リコンのカバー層１４上にフォトレジストを塗布しプリ
ベークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを
行う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコ
ン膜をウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。
リコンのカバー層１４上にフォトレジストを塗布しプリ
ベークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを
行う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコ
ン膜をウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。
【００２６】工程６） 振動用空間形成 次に、図６に示すように、隙間２０および開口１５を介
して酸化シリコン膜１３をウェットエッチングにより選
択的に除去して、振動用空間１６を窪み１９とポリシリ
コンのカバー層１４との間に形成する。
して酸化シリコン膜１３をウェットエッチングにより選
択的に除去して、振動用空間１６を窪み１９とポリシリ
コンのカバー層１４との間に形成する。
【００２７】工程７） 窒化シリコン膜形成 次に、図７に示すように、窒化シリコン膜１７をスパッ
タにより全面に堆積させ、開口１５を完全に埋め、隙間
２０を完全に塞ぎ振動用空間１６を気密にする。
タにより全面に堆積させ、開口１５を完全に埋め、隙間
２０を完全に塞ぎ振動用空間１６を気密にする。
【００２８】工程８） 素子のボンディングパッド部分
のみに窓開け 次に、図８に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部１８のみを露出すると共に振動用空間１６を
窒化シリコン膜１７で塞いだままとする開口３０を開口
１５内に形成する。
のみに窓開け 次に、図８に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部１８のみを露出すると共に振動用空間１６を
窒化シリコン膜１７で塞いだままとする開口３０を開口
１５内に形成する。
【００２９】より詳細には、図１０に示すように、窒化
シリコン膜１７上にフォトレジストを塗布しプリベーク
を行う。その後、露光、現像し、ポストベークを行う。
次に、フォトレジストをマスクにして窒化シリコン膜１
７をウェットエッチングし、その後、レジストを剥離す
る。
シリコン膜１７上にフォトレジストを塗布しプリベーク
を行う。その後、露光、現像し、ポストベークを行う。
次に、フォトレジストをマスクにして窒化シリコン膜１
７をウェットエッチングし、その後、レジストを剥離す
る。
【００３０】このようにして製造された弾性表面波素子
においては、圧電基板の表面に設けられた窪み１９に弾
性表面波素子の電極１２が形成され、窪み１９を覆って
ポリシリコンのカバー層１４が形成され、窪み１９とポ
リシリコンのカバー層１４との間に弾性表面波が振動可
能な気密空間１６が形成されるので、弾性表面波素子の
特性を確保するためにセラミックパッケージ等が不要と
なって小型化が可能となり、また、チップ化する前のウ
エハの状態で作成できるので、工数が少なくなり低コス
トで製造できる。
においては、圧電基板の表面に設けられた窪み１９に弾
性表面波素子の電極１２が形成され、窪み１９を覆って
ポリシリコンのカバー層１４が形成され、窪み１９とポ
リシリコンのカバー層１４との間に弾性表面波が振動可
能な気密空間１６が形成されるので、弾性表面波素子の
特性を確保するためにセラミックパッケージ等が不要と
なって小型化が可能となり、また、チップ化する前のウ
エハの状態で作成できるので、工数が少なくなり低コス
トで製造できる。
【００３１】なお、ボンディングパッド部１８を露出す
る開口３０（１５）はボンディングパッド部１８への配
線のために使用される。
る開口３０（１５）はボンディングパッド部１８への配
線のために使用される。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、セラミックや缶パッケ
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。
【図１】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面
図、図１Ｂは上面図である。
方法を説明するための図であり、図１Ａは概略縦断面
図、図１Ｂは上面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図２Ａは概略部分縦断
面図、図２Ｂは概略部分上面図である。
方法を説明するための図であり、図２Ａは概略部分縦断
面図、図２Ｂは概略部分上面図である。
【図３】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図３Ａは概略部分縦断
面図、図３Ｂは概略部分上面図である。
方法を説明するための図であり、図３Ａは概略部分縦断
面図、図３Ｂは概略部分上面図である。
【図４】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図４Ａは概略部分縦断
面図、図４Ｂは概略部分上面図である。
方法を説明するための図であり、図４Ａは概略部分縦断
面図、図４Ｂは概略部分上面図である。
【図５】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための図であり、図５Ａは概略部分縦断
面図、図５Ｂは概略部分上面図である。
方法を説明するための図であり、図５Ａは概略部分縦断
面図、図５Ｂは概略部分上面図である。
【図６】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための図であり、図６Ａは概略
部分縦断面図、図６Ｂは概略部分上面図である。
その製造方法を説明するための図であり、図６Ａは概略
部分縦断面図、図６Ｂは概略部分上面図である。
【図７】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための図であり、図７Ａは概略
部分縦断面図、図７Ｂは概略部分上面図である。
その製造方法を説明するための図であり、図７Ａは概略
部分縦断面図、図７Ｂは概略部分上面図である。
【図８】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための図であり、図８Ａは概略
部分縦断面図、図８Ｂは概略部分上面図である。
その製造方法を説明するための図であり、図８Ａは概略
部分縦断面図、図８Ｂは概略部分上面図である。
【図９】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するためのフローチャートである。
方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を説明するためのフローチャートである。
造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】従来の弾性表面波素子のパッケージングを説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【符号の説明】 １１…圧電基板 １２…電極 １３…酸化シリコン膜 １４…ポリシリコン １５、３０…開口 １６…振動用空間 １７…窒化シリコン １８…ボンディングパッド部 １９…窪み ２０…隙間 ２１…パッケージのキャップ ２２…セラミックパッケージ ２３…ボンディングワイヤ ２４…パッケージ電極 ２５…弾性表面波素子 ２６…電極
Claims (4)
- 【請求項１】圧電基板の一主面に設けられた窪みに弾性
表面波素子の電極が形成され、前記窪みを覆って薄膜層
が形成され、前記窪みと前記薄膜層との間に弾性表面波
が振動可能な空間が形成され、前記空間に連通する隙間
が絶縁膜によって塞がれ前記空間が気密となっているこ
とを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】前記弾性表面波素子のボンディングパッド
が前記窪みの外側の前記一主面に形成されていることを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】圧電基板の一主面に窪みを形成する工程
と、 その後、前記窪みに弾性表面波素子の電極を形成する工
程と、 その後、前記窪み内のみに第１の絶縁膜を選択的に形成
して前記第１の絶縁膜により前記窪みを埋める工程と、 その後、前記第１の絶縁膜上および前記一主面上に前記
第１の絶縁膜とエッチング速度が異なる薄膜層を形成す
る工程と、 その後、前記第１の絶縁膜の一部を露出する隙間を有す
る開口を前記薄膜層に形成する工程と、 その後、前記隙間および前記開口を介して前記第１の絶
縁膜を選択的にエッチング除去することにより、前記窪
みと前記薄膜層との間に弾性表面波が振動可能な空間を
形成する工程と、 その後、前記隙間を第２の絶縁膜によって塞ぎ前記空間
を気密にする工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項４】圧電基板の一主面に窪みを形成する工程
と、 その後、前記窪みに弾性表面波素子の電極を形成し、前
記一主面上にボンディングパッドを形成する工程と、 その後、前記窪み内のみに絶縁膜を選択的に形成して前
記絶縁膜により前記窪みを埋める工程と、 その後、前記第１の絶縁膜、前記ボンディングパッドお
よび前記一主面上に前記絶縁膜とエッチング速度が異な
る薄膜層を形成する工程と、 その後、前記ボンディングパッドを露出する第１の開口
であって前記絶縁膜の一部を露出する隙間を有する前記
第１の開口を前記薄膜層に形成する工程と、 その後、前記隙間および前記第１の開口を介して前記絶
縁膜を選択的にエッチング除去することにより、前記窪
みと前記薄膜層との間に弾性表面波が振動可能な空間を
形成する工程と、 その後、前記第１の開口を埋めると共に前記隙間を塞ぎ
前記空間を気密にする第２の絶縁膜を形成する工程と、 その後、前記第２の絶縁膜を選択的に除去して前記第１
の開口内に第２の開口を設け、前記ボンディングパッド
を露出すると共に前記隙間を前記第２の絶縁膜で塞いだ
状態のままとする工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151997A JPH11112273A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151997A JPH11112273A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112273A true JPH11112273A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17769956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29151997A Withdrawn JPH11112273A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001070722A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-01-24 | Ppg Ind Ohio Inc | Polyfunctional thiirane compounds |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP29151997A patent/JPH11112273A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001070722A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-01-24 | Ppg Ind Ohio Inc | Polyfunctional thiirane compounds |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |