JPH11112283A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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- JPH11112283A JPH11112283A JP29151397A JP29151397A JPH11112283A JP H11112283 A JPH11112283 A JP H11112283A JP 29151397 A JP29151397 A JP 29151397A JP 29151397 A JP29151397 A JP 29151397A JP H11112283 A JPH11112283 A JP H11112283A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型且つ低コストの弾性表面波素子およびその
製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板３１上に金電極３２を形成し、そ
の後、全面に窒化シリコン３３を堆積させ、ボンディン
グパッド部３７を露出する開口３８を形成する。次に、
弾性表面波の励振および伝搬部分上に選択的に酸化亜鉛
膜３４を形成する。次に、全面にポリシリコンのカバー
層３５を形成し、酸化亜鉛膜３４を露出する開口３９を
形成する。開口３９を介して酸化亜鉛膜３４をウェット
エッチングにより選択的に除去して、振動空間３６を形
成する。弾性表面波の励振及び伝搬部分上に弾性表面波
の振動及び励振を妨げない厚さの窒化シリコン３３を形
成し、その上に振動空間３６を有するポリシリコンのカ
バー層３５を形成するので、セラミックパッケージ等が
不要となって小型化が可能となり、チップ化する前のウ
エハの状態で作成できるので、工数が少なくなり低コス
トで製造できる。
製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板３１上に金電極３２を形成し、そ
の後、全面に窒化シリコン３３を堆積させ、ボンディン
グパッド部３７を露出する開口３８を形成する。次に、
弾性表面波の励振および伝搬部分上に選択的に酸化亜鉛
膜３４を形成する。次に、全面にポリシリコンのカバー
層３５を形成し、酸化亜鉛膜３４を露出する開口３９を
形成する。開口３９を介して酸化亜鉛膜３４をウェット
エッチングにより選択的に除去して、振動空間３６を形
成する。弾性表面波の励振及び伝搬部分上に弾性表面波
の振動及び励振を妨げない厚さの窒化シリコン３３を形
成し、その上に振動空間３６を有するポリシリコンのカ
バー層３５を形成するので、セラミックパッケージ等が
不要となって小型化が可能となり、チップ化する前のウ
エハの状態で作成できるので、工数が少なくなり低コス
トで製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子（共振子、フィルタ等）
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。
は、励振する電極面を中空かつ気密にするため、セラミ
ック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコス
トの大きな割合を占め、又パッケージを使用するとチッ
プ状態で処理する必要があるため、ウエハ上で処理する
よりも大きな工数が必要となる。
【０００３】また、図１１に示したように、１チップの
弾性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２
に入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさ
により部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。
弾性表面波素子２５を１つのセラミックパッケージ２２
に入れる場合には、セラミックパッケージ２２の大きさ
により部品の大きさが決定されるので小型化が困難であ
り、又弾性表面波素子２５の電極２６とパッケージ電極
２４とを接続するボンディングワイヤ２３とキャップ２
１とが接触しないように、十分な厚さが必要であり、部
品の薄型化にも制約があった。
【０００４】また、弾性表面波素子を他のＩＣ回路等と
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。
共に封止する場合には、封止用の樹脂が励振する電極表
面に触れると所望の電気特性を満足することはできなく
なるので、励振する電極面が露出している弾性表面波素
子をそのままＩＣ回路等と共に樹脂で封止する方法を採
ることもできないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。
技術の問題点であるパッケージの使用に伴う部品の大型
化やパッケージングによって工数がかかるという問題を
解決し、小型であってしかも低コストで製造できる弾性
表面波素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、少なくとも弾性表面波の励振および
伝搬部分上に、弾性表面波の励振および伝搬を妨げず弾
性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さ（数ミクロン程度）
の窒化シリコン保護膜を形成し、その窒化シリコン膜を
覆うポリシリコン層であって弾性表面波の励振および伝
搬部分上の窒化シリコン保護膜上に弾性表面波が振動可
能な中空空間を有するポリシリコン層のカバー膜を設け
た構造とすれば、パッケージが不要となり、また、この
ような構造はチップ化する前のウエハ上で作成できるの
で、工数が少なくなり低コストで製造できるということ
を見いだした。
に、本発明者らは、少なくとも弾性表面波の励振および
伝搬部分上に、弾性表面波の励振および伝搬を妨げず弾
性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さ（数ミクロン程度）
の窒化シリコン保護膜を形成し、その窒化シリコン膜を
覆うポリシリコン層であって弾性表面波の励振および伝
搬部分上の窒化シリコン保護膜上に弾性表面波が振動可
能な中空空間を有するポリシリコン層のカバー膜を設け
た構造とすれば、パッケージが不要となり、また、この
ような構造はチップ化する前のウエハ上で作成できるの
で、工数が少なくなり低コストで製造できるということ
を見いだした。
【０００７】さらに、このような構造の弾性表面波素子
は、以下の方法で好ましく製造されることを見いだし
た。まず、圧電基板上にすだれ状電極（ＩＤＴ：Inter-
Digital Transducer）と反射器もしくはＩＤＴのみから
なる弾性表面波素子を作成する。次に、基板全体に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げない程度（数ミクロン）
の窒化シリコンを堆積させる。さらに、弾性表面波共振
子のパターンを覆い隠すように金属酸化膜をパターニン
グ形成し、その後ポリシリコンを基板全体に堆積させ
る。電極のボンディングパッド部分に対応する部分に窓
開けを行い、先に堆積させた金属酸化膜のみを選択的に
ウェットエッチングによりエッチング除去し弾性表面波
の励振部分に空間を持たせる。この素子を使用する際に
は、素子を回路基板にダイボンディング、ワイヤボンデ
ィングした後、ボンディングパッド部を樹脂で覆うこと
で素子の気密性を保つ。
は、以下の方法で好ましく製造されることを見いだし
た。まず、圧電基板上にすだれ状電極（ＩＤＴ：Inter-
Digital Transducer）と反射器もしくはＩＤＴのみから
なる弾性表面波素子を作成する。次に、基板全体に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げない程度（数ミクロン）
の窒化シリコンを堆積させる。さらに、弾性表面波共振
子のパターンを覆い隠すように金属酸化膜をパターニン
グ形成し、その後ポリシリコンを基板全体に堆積させ
る。電極のボンディングパッド部分に対応する部分に窓
開けを行い、先に堆積させた金属酸化膜のみを選択的に
ウェットエッチングによりエッチング除去し弾性表面波
の励振部分に空間を持たせる。この素子を使用する際に
は、素子を回路基板にダイボンディング、ワイヤボンデ
ィングした後、ボンディングパッド部を樹脂で覆うこと
で素子の気密性を保つ。
【０００８】本発明は以上の知見に基づくものであり、
請求項１によれば、圧電基板の一主面上に形成された電
極を持つ弾性表面波素子において、前記一主面上におけ
る弾性表面波の励振および伝搬部分に設けられた保護膜
であって弾性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さの前記保
護膜と、前記保護膜を覆って前記一主面上に設けられた
薄膜層であって、前記保護膜上に弾性表面波が振動可能
な中空空間を有する前記薄膜層と、を備えることを特徴
とする弾性表面波素子が提供される。
請求項１によれば、圧電基板の一主面上に形成された電
極を持つ弾性表面波素子において、前記一主面上におけ
る弾性表面波の励振および伝搬部分に設けられた保護膜
であって弾性表面波が励振かつ伝搬可能な厚さの前記保
護膜と、前記保護膜を覆って前記一主面上に設けられた
薄膜層であって、前記保護膜上に弾性表面波が振動可能
な中空空間を有する前記薄膜層と、を備えることを特徴
とする弾性表面波素子が提供される。
【０００９】このように、弾性表面波が励振かつ伝搬可
能な厚さの保護膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間
を有する薄膜層とを備える構造とすれば、パッケージが
不要となるので小型化が可能となり、また、これら保護
膜や薄膜層は、チップ化する前の圧電基板上で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。
能な厚さの保護膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間
を有する薄膜層とを備える構造とすれば、パッケージが
不要となるので小型化が可能となり、また、これら保護
膜や薄膜層は、チップ化する前の圧電基板上で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。
【００１０】請求項２によれば、圧電基板の一主面上に
電極を形成する工程と、その後、少なくとも前記一主面
における弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性表面
波が励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜を形成する工程
と、その後、前記一主面における弾性表面波の励振およ
び伝搬部分に、前記保護膜とエッチング速度が異なる絶
縁膜を選択的に形成する工程と、その後、前記保護膜お
よび前記絶縁膜を覆って前記一主面上に前記絶縁膜とエ
ッチング速度が異なる薄膜層を形成する工程と、その
後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層に形
成する工程と、その後、前記開口を介して前記絶縁膜を
選択的にエッチング除去することにより、前記一主面に
おける弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保護膜
上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工程
と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方
法が提供される。
電極を形成する工程と、その後、少なくとも前記一主面
における弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性表面
波が励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜を形成する工程
と、その後、前記一主面における弾性表面波の励振およ
び伝搬部分に、前記保護膜とエッチング速度が異なる絶
縁膜を選択的に形成する工程と、その後、前記保護膜お
よび前記絶縁膜を覆って前記一主面上に前記絶縁膜とエ
ッチング速度が異なる薄膜層を形成する工程と、その
後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層に形
成する工程と、その後、前記開口を介して前記絶縁膜を
選択的にエッチング除去することにより、前記一主面に
おける弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保護膜
上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工程
と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方
法が提供される。
【００１１】請求項３によれば、圧電基板の一主面上に
電極を形成する工程と、その後、前記一主面の全面に弾
性表面波の励振および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコ
ンからなる保護膜を形成する工程と、その後、前記電極
のボンディングパッドを露出する第１の開口を前記保護
膜に形成する工程と、その後、前記一主面における弾性
表面波の励振および伝搬部分のみに、金属酸化膜を選択
的に形成する工程と、その後、前記窒化シリコン保護膜
および前記金属酸化膜を覆って前記一主面上にポリシリ
コンからなる薄膜層を形成する工程と、その後、前記電
極のボンディングパッドに対応する位置において前記金
属酸化膜を露出する第２の開口を前記薄膜層に形成する
工程と、その後、前記第２の開口を介して前記金属酸化
膜を選択的にエッチング除去することにより、前記一主
面における弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保
護膜上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工
程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造
方法が提供される。
電極を形成する工程と、その後、前記一主面の全面に弾
性表面波の励振および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコ
ンからなる保護膜を形成する工程と、その後、前記電極
のボンディングパッドを露出する第１の開口を前記保護
膜に形成する工程と、その後、前記一主面における弾性
表面波の励振および伝搬部分のみに、金属酸化膜を選択
的に形成する工程と、その後、前記窒化シリコン保護膜
および前記金属酸化膜を覆って前記一主面上にポリシリ
コンからなる薄膜層を形成する工程と、その後、前記電
極のボンディングパッドに対応する位置において前記金
属酸化膜を露出する第２の開口を前記薄膜層に形成する
工程と、その後、前記第２の開口を介して前記金属酸化
膜を選択的にエッチング除去することにより、前記一主
面における弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保
護膜上に弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工
程と、を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造
方法が提供される。
【００１２】これらの製造方法によれば、弾性表面波が
励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜又は弾性表面波の励振
および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコンからなる保護
膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間を有する薄膜層
とを備える構造をチップ化する前の圧電基板上で作成で
きるので、工数が少なくなり低コストで製造できるよう
になる。また、このような構造にして製造される弾性表
面波素子においては、パッケージが不要となるので小型
化が可能となる。
励振かつ伝搬可能な厚さの保護膜又は弾性表面波の励振
および伝搬を妨げない厚さの窒化シリコンからなる保護
膜と、弾性表面波が振動可能な中空空間を有する薄膜層
とを備える構造をチップ化する前の圧電基板上で作成で
きるので、工数が少なくなり低コストで製造できるよう
になる。また、このような構造にして製造される弾性表
面波素子においては、パッケージが不要となるので小型
化が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１４】図１〜図８は、本発明の一実施の形態の弾
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略縦部分断面図であり、図９、図１０
は、本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造方法
を説明するためのフローチャートである。
性表面波素子およびその製造方法を説明するために製造
工程順に示した概略縦部分断面図であり、図９、図１０
は、本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造方法
を説明するためのフローチャートである。
【００１５】まず、本実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を工程順に説明する。
造方法を工程順に説明する。
【００１６】工程１） 弾性表面波素子作成工程 まず、図１に示すように、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電材料か
らなる圧電基板３１上に金（Ａｕ）３２００オングスト
ロームの電極３２を形成した弾性表面波素子が３インチ
ウエハ内に約２００チップある基板を用意した。
らなる圧電基板３１上に金（Ａｕ）３２００オングスト
ロームの電極３２を形成した弾性表面波素子が３インチ
ウエハ内に約２００チップある基板を用意した。
【００１７】より詳細には、図９に示すように、まず、
３インチウエハの圧電基板３１を洗浄し、その後圧電基
板３１上に金電極３２を蒸着する。次に、圧電基板３１
上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。その
後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォト
レジストをマスクにして金電極３２を選択的にエッチン
グし、その後、レジストを剥離する。
３インチウエハの圧電基板３１を洗浄し、その後圧電基
板３１上に金電極３２を蒸着する。次に、圧電基板３１
上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。その
後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォト
レジストをマスクにして金電極３２を選択的にエッチン
グし、その後、レジストを剥離する。
【００１８】工程２） 窒化シリコン保護膜形成 次に、図２に示すように、ウエハ全体に保護膜として窒
化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜３３をスパッタにより１μｍ
堆積させる。
化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜３３をスパッタにより１μｍ
堆積させる。
【００１９】工程３） 素子のボンディングパッド部上
への配線用の窓開け 次に、図３に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部３７を露出する開口３８を窒化シリコン膜３
３に設ける。
への配線用の窓開け 次に、図３に示すように、弾性表面波素子のボンディン
グパッド部３７を露出する開口３８を窒化シリコン膜３
３に設ける。
【００２０】より詳細には、図９に示すように、窒化シ
リコン膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行
う。その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次
に、フォトレジストをマスクにして窒化シリコン膜を選
択的にウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。
リコン膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行
う。その後、露光、現像し、ポストベークを行う。次
に、フォトレジストをマスクにして窒化シリコン膜を選
択的にウェットエッチングし、その後、レジストを剥離
する。
【００２１】工程４） 酸化亜鉛膜形成 次に、図４に示すように、ウエハ全体に酸化亜鉛膜３４
をスパッタにより堆積させる。
をスパッタにより堆積させる。
【００２２】工程５） 酸化亜鉛膜のパターニング 次に、図５に示すように、弾性表面波が励振され、かつ
伝搬する部分だけ酸化亜鉛膜３４が残るように酸化亜鉛
膜３４をパターニングする。
伝搬する部分だけ酸化亜鉛膜３４が残るように酸化亜鉛
膜３４をパターニングする。
【００２３】より詳細には、図９に示すように、酸化亜
鉛膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。そ
の後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォ
トレジストをマスクにして酸化亜鉛膜を選択的にエッチ
ングし、その後、レジストを剥離する。
鉛膜上にフォトレジストを塗布しプリベークを行う。そ
の後、露光、現像し、ポストベークを行う。次に、フォ
トレジストをマスクにして酸化亜鉛膜を選択的にエッチ
ングし、その後、レジストを剥離する。
【００２４】工程６） ポリシリコンのカバー層形成 次に、図６に示すように、ウエハ全面にポリシリコンの
カバー層３５を形成する。
カバー層３５を形成する。
【００２５】工程７） ボンディングパッド部窓開け 次に、図７に示すように、素子のボンディングパッド部
３７上においてポリシリコンのカバー層３５に窓開けを
行い、酸化亜鉛膜３４を露出する開口３９を形成する。
３７上においてポリシリコンのカバー層３５に窓開けを
行い、酸化亜鉛膜３４を露出する開口３９を形成する。
【００２６】より詳細には、図１０に示すように、ポリ
シリコンのカバー層上にフォトレジストを塗布しプリベ
ークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを行
う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコン
のカバー層を選択的にエッチングし、その後、レジスト
を剥離する。
シリコンのカバー層上にフォトレジストを塗布しプリベ
ークを行う。その後、露光、現像し、ポストベークを行
う。次に、フォトレジストをマスクにしてポリシリコン
のカバー層を選択的にエッチングし、その後、レジスト
を剥離する。
【００２７】工程８） 振動空間形成 次に、図８に示すように、開口３９を介して酸化亜鉛膜
３４をウェットエッチングにより選択的に除去して、振
動用空間３６を形成すると共に開口３８を介して素子の
ボンディングパッド部３７を露出する。
３４をウェットエッチングにより選択的に除去して、振
動用空間３６を形成すると共に開口３８を介して素子の
ボンディングパッド部３７を露出する。
【００２８】このようにして製造された弾性表面波素子
においては、弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げず、弾性表面波が励振か
つ伝搬可能な厚さの窒化シリコンからなる保護膜が形成
され、さらに、弾性表面波が振動可能な中空空間３６を
有するポリシリコン層３５が弾性表面波素子を覆って形
成されるので、弾性表面波素子の特性を確保するために
セラミックパッケージ等が不要となって小型化が可能と
なり、また、チップ化する前のウエハの状態で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。
においては、弾性表面波の励振および伝搬部分上に弾性
表面波の励振および伝搬を妨げず、弾性表面波が励振か
つ伝搬可能な厚さの窒化シリコンからなる保護膜が形成
され、さらに、弾性表面波が振動可能な中空空間３６を
有するポリシリコン層３５が弾性表面波素子を覆って形
成されるので、弾性表面波素子の特性を確保するために
セラミックパッケージ等が不要となって小型化が可能と
なり、また、チップ化する前のウエハの状態で作成でき
るので、工数が少なくなり低コストで製造できる。
【００２９】なお、ボンディングパッド部３７を露出す
る開口３８、３９はボンディングパッド部３７への配線
のために使用される。
る開口３８、３９はボンディングパッド部３７への配線
のために使用される。
【００３０】また、本実施の形態の弾性表面波素子を使
用する際には、素子を回路基板にダイボンディング、ワ
イヤボンディングした後、ボンディングパッド部を樹脂
で覆うことで素子の気密性を保つ。
用する際には、素子を回路基板にダイボンディング、ワ
イヤボンディングした後、ボンディングパッド部を樹脂
で覆うことで素子の気密性を保つ。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、セラミックや缶パッケ
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。
ージを使用することなく弾性表面波素子を製造すること
が可能である。またウエハ単位のバッチ処理により素子
の表面に振動用の空間を形成するため、従来に比べ後工
程の工程数を大幅に少なくすることができる。以上よ
り、大幅なコスト削減が可能である。さらに、パッケー
ジを使用する必要がないので、素子の小型化が可能であ
る。
【図１】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
方法を説明するための概略縦部分断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子および
その製造方法を説明するための概略縦部分断面図であ
る。
その製造方法を説明するための概略縦部分断面図であ
る。
【図９】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製造
方法を説明するためのフローチャートである。
方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の一実施の形態の弾性表面波素子の製
造方法を説明するためのフローチャートである。
造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】従来の弾性表面波素子のパッケージングを説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
３１…圧電基板 ３２…電極 ３３…窒化シリコン膜 ３４…酸化亜鉛膜 ３５…ポリシリコン ３６…振動空間 ３７…ボンディングパッド部 ３８、３９…開口 ２１…パッケージのキャップ ２２…セラミックパッケージ ２３…ボンディングワイヤ ２４…パッケージ電極 ２５…弾性表面波素子 ２６…電極
Claims (3)
- 【請求項１】圧電基板の一主面上に形成された電極を持
つ弾性表面波素子において、 前記一主面上における弾性表面波の励振および伝搬部分
に設けられた保護膜であって弾性表面波が励振かつ伝搬
可能な厚さの前記保護膜と、 前記保護膜を覆って前記一主面上に設けられた薄膜層で
あって、前記保護膜上に弾性表面波が振動可能な中空空
間を有する前記薄膜層と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】圧電基板の一主面上に電極を形成する工程
と、 その後、少なくとも前記一主面における弾性表面波の励
振および伝搬部分上に弾性表面波が励振かつ伝搬可能な
厚さの保護膜を形成する工程と、 その後、前記一主面における弾性表面波の励振および伝
搬部分に、前記保護膜とエッチング速度が異なる絶縁膜
を選択的に形成する工程と、 その後、前記保護膜および前記絶縁膜を覆って前記一主
面上に前記絶縁膜とエッチング速度が異なる薄膜層を形
成する工程と、 その後、前記絶縁膜の一部を露出する開口を前記薄膜層
に形成する工程と、 その後、前記開口を介して前記絶縁膜を選択的にエッチ
ング除去することにより、前記一主面における弾性表面
波の励振および伝搬部分上の前記保護膜上に弾性表面波
が振動可能な中空空間を形成する工程と、 を備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項３】圧電基板の一主面上に電極を形成する工程
と、 その後、前記一主面の全面に弾性表面波の励振および伝
搬を妨げない厚さの窒化シリコンからなる保護膜を形成
する工程と、 その後、前記電極のボンディングパッドを露出する第１
の開口を前記保護膜に形成する工程と、 その後、前記一主面における弾性表面波の励振および伝
搬部分のみに、金属酸化膜を選択的に形成する工程と、 その後、前記窒化シリコン保護膜および前記金属酸化膜
を覆って前記一主面上にポリシリコンからなる薄膜層を
形成する工程と、 その後、前記電極のボンディングパッドに対応する位置
において前記金属酸化膜を露出する第２の開口を前記薄
膜層に形成する工程と、 その後、前記第２の開口を介して前記金属酸化膜を選択
的にエッチング除去することにより、前記一主面におけ
る弾性表面波の励振および伝搬部分上の前記保護膜上に
弾性表面波が振動可能な中空空間を形成する工程と、を
備えることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151397A JPH11112283A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29151397A JPH11112283A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112283A true JPH11112283A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17769869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29151397A Withdrawn JPH11112283A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109728790A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种滤波器的晶圆级封装结构及其工艺 |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP29151397A patent/JPH11112283A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109728790A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种滤波器的晶圆级封装结构及其工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |