JPH11117060A - 金属被覆ポリイミド基板 - Google Patents
金属被覆ポリイミド基板Info
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- JPH11117060A JPH11117060A JP29778097A JP29778097A JPH11117060A JP H11117060 A JPH11117060 A JP H11117060A JP 29778097 A JP29778097 A JP 29778097A JP 29778097 A JP29778097 A JP 29778097A JP H11117060 A JPH11117060 A JP H11117060A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面改質処理によりポリイミドフィルム表面
に変質ポリイミド層を形成させる方法において、変質ポ
リイミド層の分子構造を最適化することにより、ポリイ
ミドフィルムと第１金属層間の密着性を向上させた金属
被覆ポリイミド基板を提供すること。 【解決手段】 ポリイミドフィルムの少くとも一面に、
接着剤を介することなく複数層の金属層が形成され、か
つ前記金属層のうちポリイミドフィルムに接する第１金
属層が乾式めっき法により形成された基板において、該
第１金属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イ
ミド環が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環
の窒素および／またはイミド環が開環して生成した第二
アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも１つの水
酸基が付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を
形成してなる金属被覆ポリイミド基板を特徴とする。
に変質ポリイミド層を形成させる方法において、変質ポ
リイミド層の分子構造を最適化することにより、ポリイ
ミドフィルムと第１金属層間の密着性を向上させた金属
被覆ポリイミド基板を提供すること。 【解決手段】 ポリイミドフィルムの少くとも一面に、
接着剤を介することなく複数層の金属層が形成され、か
つ前記金属層のうちポリイミドフィルムに接する第１金
属層が乾式めっき法により形成された基板において、該
第１金属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イ
ミド環が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環
の窒素および／またはイミド環が開環して生成した第二
アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも１つの水
酸基が付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を
形成してなる金属被覆ポリイミド基板を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
フレキシブルプリント基板、ＴＡＢテープ等の電子部品
の素材として用いられる金属被覆ポリイミド基板に関す
るものである。
フレキシブルプリント基板、ＴＡＢテープ等の電子部品
の素材として用いられる金属被覆ポリイミド基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂（以下、単に「ポリイミ
ド」という）は優れた耐熱性を有し、また機械的、電気
的および化学的特性においても他のプラスチック材料に
比べて遜色のないところから、ごく薄肉に加工したポリ
イミドフィルムは、例えばプリント配線板（ＰＷＢ）、
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、テープ自動ボン
ディング用テープ（ＴＡＢテープ）等の電子部品の絶縁
基板用素材として多用されている。このようなＰＷＢ、
ＦＰＣ、またはＴＡＢテープは、ポリイミドフィルムの
一面または両面に金属導体層として主として銅箔を被覆
した金属被覆ポリイミド基板を加工して得られている。
ド」という）は優れた耐熱性を有し、また機械的、電気
的および化学的特性においても他のプラスチック材料に
比べて遜色のないところから、ごく薄肉に加工したポリ
イミドフィルムは、例えばプリント配線板（ＰＷＢ）、
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、テープ自動ボン
ディング用テープ（ＴＡＢテープ）等の電子部品の絶縁
基板用素材として多用されている。このようなＰＷＢ、
ＦＰＣ、またはＴＡＢテープは、ポリイミドフィルムの
一面または両面に金属導体層として主として銅箔を被覆
した金属被覆ポリイミド基板を加工して得られている。
【０００３】上記した金属被覆ポリイミド基板には、ポ
リイミドフィルムと金属箔とを接着剤層を介して接合し
たいわゆる３層基板と、ポリイミドフィルムに接着剤を
介さずに直接金属層を形成したいわゆる２層基板とがあ
り、現在では接合界面の信頼性が高く、かつポリイミド
フィルムおよび金属層の厚みを自由に設定できる２層基
板が注目されている。
リイミドフィルムと金属箔とを接着剤層を介して接合し
たいわゆる３層基板と、ポリイミドフィルムに接着剤を
介さずに直接金属層を形成したいわゆる２層基板とがあ
り、現在では接合界面の信頼性が高く、かつポリイミド
フィルムおよび金属層の厚みを自由に設定できる２層基
板が注目されている。
【０００４】このような２層基板においては、金属導体
層の厚付けを容易にできる電気めっき法が多く採用され
ている。しかしポリイミドフィルムの表面に直接に金属
の前記めっきを施すことは不可能であるので、一般には
電気めっきが可能となるように、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の乾式めっき法または無
電解めっき法等の湿式めっき法により第１層の金属層を
形成してから、その外表面に第２層以降の導体金属層を
形成する方法が採られている。
層の厚付けを容易にできる電気めっき法が多く採用され
ている。しかしポリイミドフィルムの表面に直接に金属
の前記めっきを施すことは不可能であるので、一般には
電気めっきが可能となるように、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の乾式めっき法または無
電解めっき法等の湿式めっき法により第１層の金属層を
形成してから、その外表面に第２層以降の導体金属層を
形成する方法が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１金
属層の形成に乾式めっき法を用いた場合には、第１金属
層とポリイミドフィルム間の密着性が不十分となり、こ
の密着性は基板の信頼性に係る重要な要素であるところ
から好ましくなかった。そこで最近、乾式めっきを施す
前のポリイミドフィルム表面をプラズマ、コロナ放電、
または薬品等を使用した表面改質処理を行ってポリイミ
ド表層部の分子構造を変質させ、いわゆる変質ポリイミ
ド層を形成させることにより乾式めっきによる金属の密
着性を向上させる方法が提案されているが、現在までの
ところ、この方法を採用しても十分に満足し得るような
密着性を持った第１金属層を形成させることはできなか
った。
属層の形成に乾式めっき法を用いた場合には、第１金属
層とポリイミドフィルム間の密着性が不十分となり、こ
の密着性は基板の信頼性に係る重要な要素であるところ
から好ましくなかった。そこで最近、乾式めっきを施す
前のポリイミドフィルム表面をプラズマ、コロナ放電、
または薬品等を使用した表面改質処理を行ってポリイミ
ド表層部の分子構造を変質させ、いわゆる変質ポリイミ
ド層を形成させることにより乾式めっきによる金属の密
着性を向上させる方法が提案されているが、現在までの
ところ、この方法を採用しても十分に満足し得るような
密着性を持った第１金属層を形成させることはできなか
った。
【０００６】本発明は、上記した表面改質処理によりポ
リイミドフィルム表面に変質ポリイミド層を形成させる
方法において、変質ポリイミド層の分子構造を最適化す
ることによって、ポリイミドフィルムと第１金属層間の
密着性を向上させ、ＰＷＢ、ＦＰＣ、ＴＡＢテープ等に
おいて要求されている９０°ピール（９０度方向に引き
剥がし）強度が１．０ｋｇｆ／ｃｍ以上の接合強度を有
する第１金属層を乾式めっき法により被着させた金属被
覆ポリイミド基板を提供することを目的とするものであ
る。
リイミドフィルム表面に変質ポリイミド層を形成させる
方法において、変質ポリイミド層の分子構造を最適化す
ることによって、ポリイミドフィルムと第１金属層間の
密着性を向上させ、ＰＷＢ、ＦＰＣ、ＴＡＢテープ等に
おいて要求されている９０°ピール（９０度方向に引き
剥がし）強度が１．０ｋｇｆ／ｃｍ以上の接合強度を有
する第１金属層を乾式めっき法により被着させた金属被
覆ポリイミド基板を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく変質ポリイミド層の分子構造と乾式めっ
きによる第１金属層の密着性との関係について鋭意研究
を重ねた結果、第１金属層の密着性を向上させることが
できるような変質ポリイミド分子構造を見出すことに成
功し、本発明を完成した。
的を達成すべく変質ポリイミド層の分子構造と乾式めっ
きによる第１金属層の密着性との関係について鋭意研究
を重ねた結果、第１金属層の密着性を向上させることが
できるような変質ポリイミド分子構造を見出すことに成
功し、本発明を完成した。
【０００８】すなわち、上記の目的を達成するための本
発明は、ポリイミドフィルムの少くとも一面に、接着剤
を介することなく複数層の金属層が形成され、かつ前記
金属層のうちポリイミドフィルムに接する第１金属層が
乾式めっき法により形成された基板において、該第１金
属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イミド環
が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素
および／またはイミド環が開環して生成した第二アミド
の窒素と結合したベンゼン環に少くとも１つの水酸基が
付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を形成し
てなる金属被覆ポリイミド基板を特徴とするものであ
る。
発明は、ポリイミドフィルムの少くとも一面に、接着剤
を介することなく複数層の金属層が形成され、かつ前記
金属層のうちポリイミドフィルムに接する第１金属層が
乾式めっき法により形成された基板において、該第１金
属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イミド環
が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素
および／またはイミド環が開環して生成した第二アミド
の窒素と結合したベンゼン環に少くとも１つの水酸基が
付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を形成し
てなる金属被覆ポリイミド基板を特徴とするものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の詳細について説明す
る。本発明において絶縁性基板材料として用いられるポ
リイミドフィルムは、特にこれらに限定されないが、例
えばカプトンＨＮ、ＶＮおよびＥＮ（東レ・デュポン社
製：商品名）、ＮＰＩ（鐘淵化学社製：商品名）、ユー
ピレックスＳ（宇部興産社製：商品名）等の市販の硬化
ポリイミドフィルムであり、以下の化学式１に示される
基本骨格を有するものである。
る。本発明において絶縁性基板材料として用いられるポ
リイミドフィルムは、特にこれらに限定されないが、例
えばカプトンＨＮ、ＶＮおよびＥＮ（東レ・デュポン社
製：商品名）、ＮＰＩ（鐘淵化学社製：商品名）、ユー
ピレックスＳ（宇部興産社製：商品名）等の市販の硬化
ポリイミドフィルムであり、以下の化学式１に示される
基本骨格を有するものである。
【化１】 ［但し、Ｒ１は以下の化学式２または化学式３
【化２】
【化３】 Ｒ２は以下の化学式４または結合基なし
【化４】 で表される。］
【００１０】これらの市販のポリイミドフィルムに表面
改質処理を施すことにより表層部に形成される本発明の
変質ポリイミド層は、次の化学式５に例示されるような
イミド環が開環して生成したカルボキシル基（−ＣＯＯ
Ｈ）と、イミド環の窒素および／またはイミド環が開環
して生成した第二アミド（Ｎ−Ｈ）の窒素と結合したベ
ンゼン環に少くとも１個の水酸基（−ＯＨ）が付加され
た分子構造を有するものである。なお、化学式５に例示
したものは水酸基１個が付加された場合のものであり、
水酸基を２個以上有するものも本発明の範囲に属する。
改質処理を施すことにより表層部に形成される本発明の
変質ポリイミド層は、次の化学式５に例示されるような
イミド環が開環して生成したカルボキシル基（−ＣＯＯ
Ｈ）と、イミド環の窒素および／またはイミド環が開環
して生成した第二アミド（Ｎ−Ｈ）の窒素と結合したベ
ンゼン環に少くとも１個の水酸基（−ＯＨ）が付加され
た分子構造を有するものである。なお、化学式５に例示
したものは水酸基１個が付加された場合のものであり、
水酸基を２個以上有するものも本発明の範囲に属する。
【化５】 ［但し、Ｒ１は以下の化学式６または化学式７
【化６】
【化７】 Ｒ２は以下の化学式８はたは結合基なし
【化８】 で表される。］
【００１１】上記したポリイミドフィルム表面層に形成
された変質ポリイミド層におけるカルボキシル基と水酸
基とが乾式めっき法によって形成された第１金属層の金
属原子と強い結合性を持つために、第１金属層に９０°
ピール強度が１．０ｋｇｆ／ｃｍ以上の高い接合強度を
もたらすことができたものと推定される。なお、「ポリ
マー科学、Ａ．ポリマー化学（Ｊ．ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ Ａ Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」第３０巻、第１４２５〜１４３
１頁（１９９２年）には、イミド環が開環してカルボキ
シル基が生成したのみの変質ポリイミド層が記載されて
いるが、このような構造のものでは金属層と高い密着性
を得ることが困難であることが確認された。
された変質ポリイミド層におけるカルボキシル基と水酸
基とが乾式めっき法によって形成された第１金属層の金
属原子と強い結合性を持つために、第１金属層に９０°
ピール強度が１．０ｋｇｆ／ｃｍ以上の高い接合強度を
もたらすことができたものと推定される。なお、「ポリ
マー科学、Ａ．ポリマー化学（Ｊ．ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ Ａ Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」第３０巻、第１４２５〜１４３
１頁（１９９２年）には、イミド環が開環してカルボキ
シル基が生成したのみの変質ポリイミド層が記載されて
いるが、このような構造のものでは金属層と高い密着性
を得ることが困難であることが確認された。
【００１２】次に本発明の変質ポリイミド層の分子構造
の特定方法について説明する。分子構造の解析にはＸ線
光電子分光分析法（ＸＰＳ）が用いられた。表面改質処
理前のポリイミドフィルム（カプトンＶＮを使用）と表
面改質処理後の変質ポリイミド層とのＸＰＳによる炭素
のＣ１ｓスペクトルを、それぞれ図１（ａ）および図２
（ａ）に示す。また、表面改質処理前の分子構造式と表
面改質処理後に変化していると考えられる分子構造式と
を各図における炭素をピーク分離した各ピークの帰属と
ともにそれぞれ図１（ｂ）および図２（ｂ）として示し
た。またさらに、表１に測定されたスペクトルからピー
ク分離して求めたピーク面積の強度比と分子構造式から
計算により求めた強度比とを対比して示した。
の特定方法について説明する。分子構造の解析にはＸ線
光電子分光分析法（ＸＰＳ）が用いられた。表面改質処
理前のポリイミドフィルム（カプトンＶＮを使用）と表
面改質処理後の変質ポリイミド層とのＸＰＳによる炭素
のＣ１ｓスペクトルを、それぞれ図１（ａ）および図２
（ａ）に示す。また、表面改質処理前の分子構造式と表
面改質処理後に変化していると考えられる分子構造式と
を各図における炭素をピーク分離した各ピークの帰属と
ともにそれぞれ図１（ｂ）および図２（ｂ）として示し
た。またさらに、表１に測定されたスペクトルからピー
ク分離して求めたピーク面積の強度比と分子構造式から
計算により求めた強度比とを対比して示した。
【００１３】
【表１】 （％） ─────────────────────────────────── スペクトルからの測定値 分子構造からの計算値 処 理 前 処 理 後 処 理 前 処 理 後 ─────────────────────────────────── ピークα ３６．０ ３１．０ ３６．４ ３１．８ ピークβ ３７．０ ２８．７ ３６．４ ２７．３ ピークχ １１．０ １４．４ ９．１ １３．６ ピークε − １０．５ − ９．１ ピークδ １６．０ １０．３ １８．２ １３．６ ピークφ − ５．１ − ４．５ ───────────────────────────────────
【００１４】ＸＰＳでは炭素の化学状態によりＣ１ｓス
ペクトルのピーク位置がシフトすることを利用して分子
構造の解析を行うことができる。すなわち、表面改質処
理前のポリイミドフィルム（カプトンＶＮ）の単一分子
構造ユニット中の２２個の炭素を、その化学状態によっ
て４つに分類し、ピーク分離により求めたピーク面積の
強度比と、分子構造から求めた強度比とは表１に示すよ
うによく一致していることが分かる。また表面改質造処
理後のポリイミドフィルムについても同様の手法で解析
したところ、同様に表１に示すように、化学式２で示さ
れる分子構造において、測定により求めたピーク面積強
度比と計算により求めた強度比とがよく一致した。さら
にＸＰＳによる炭素、窒素、酸素の半定量分析結果から
も、表２に示すようにこれらの分子構造において測定値
と計算値とはよく一致していることが分かる。
ペクトルのピーク位置がシフトすることを利用して分子
構造の解析を行うことができる。すなわち、表面改質処
理前のポリイミドフィルム（カプトンＶＮ）の単一分子
構造ユニット中の２２個の炭素を、その化学状態によっ
て４つに分類し、ピーク分離により求めたピーク面積の
強度比と、分子構造から求めた強度比とは表１に示すよ
うによく一致していることが分かる。また表面改質造処
理後のポリイミドフィルムについても同様の手法で解析
したところ、同様に表１に示すように、化学式２で示さ
れる分子構造において、測定により求めたピーク面積強
度比と計算により求めた強度比とがよく一致した。さら
にＸＰＳによる炭素、窒素、酸素の半定量分析結果から
も、表２に示すようにこれらの分子構造において測定値
と計算値とはよく一致していることが分かる。
【００１５】
【表２】 （ａｔ％） ─────────────────────────────────── スペクトルからの測定値 分子構造からの計算値 処 理 前 処 理 後 処 理 前 処 理 後 ─────────────────────────────────── 炭 素 ７６．６ ７１．５ ７５．９ ７１．０ 窒 素 ６．４ ５．７ ６．９ ６．４ 酸 素 １７．０ ２２．８ １７．２ ２２．６ ─────────────────────────────────── 注：半定量分析結果は、炭素、窒素、酸素のピーク面積強度に元素間相対感度 補正係数を乗じ３元素の合計が１００ａｔ％となるように換算した値であ る。
【００１６】上記した結果および飛行時間型二次イオン
質量分析計（ＴｏＦ−ＳＩＭＳ）によるフラグメントイ
オンの解析を行ったところ、表面改質処理後のポリイミ
ドフィルム表層部でのカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）と
水酸基（−ＯＨ）の検出強度が増加したところから、本
発明の変質ポリイミド層の分子構造、つまりイミド環が
開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素お
よび／またはイミド環が開環して生成した第二アミド
（Ｎ−Ｈ）の窒素と結合したベンゼン環に少くとも１個
の水酸基が付加された分子構造を正確に特定することが
できた。
質量分析計（ＴｏＦ−ＳＩＭＳ）によるフラグメントイ
オンの解析を行ったところ、表面改質処理後のポリイミ
ドフィルム表層部でのカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）と
水酸基（−ＯＨ）の検出強度が増加したところから、本
発明の変質ポリイミド層の分子構造、つまりイミド環が
開環して生成したカルボキシル基と、イミド環の窒素お
よび／またはイミド環が開環して生成した第二アミド
（Ｎ−Ｈ）の窒素と結合したベンゼン環に少くとも１個
の水酸基が付加された分子構造を正確に特定することが
できた。
【００１７】なお、図２（ｂ）に示した変質ポリイミド
層の構造式は、先に例示した化学式５の構造式とは異な
るが、本発明のイミド環が開環して生成したカルボキシ
ル基（−ＣＯＯＨ）と、イミド環の窒素および／または
イミド環が開環して生成した第二アミド（Ｎ−Ｈ）の窒
素と結合したベンゼン環に水酸基（−ＯＨ）が付加され
た分子構造のうち、イミド環の窒素と結合したベンゼン
環に水酸基が付加されたものに相当するものであり、本
発明の変質ポリイミド層の他の例を示すものであること
は明らかである。
層の構造式は、先に例示した化学式５の構造式とは異な
るが、本発明のイミド環が開環して生成したカルボキシ
ル基（−ＣＯＯＨ）と、イミド環の窒素および／または
イミド環が開環して生成した第二アミド（Ｎ−Ｈ）の窒
素と結合したベンゼン環に水酸基（−ＯＨ）が付加され
た分子構造のうち、イミド環の窒素と結合したベンゼン
環に水酸基が付加されたものに相当するものであり、本
発明の変質ポリイミド層の他の例を示すものであること
は明らかである。
【００１８】本発明において、表面改質処理によりポリ
イミドフィルム表面に変質ポリイミド層を形成するため
の方法としては、公知の方法、すなわちプラズマまたは
コロナ放電等の物理的手段および薬品等による化学的手
段等を採用すればよく、そのいずれかを限定するもので
はないが、得られた変質ポリイミド層の分子構造が本発
明の分子構造を有するものでなくてはならない。例えば
同じプラズマ放電法を採用するにしても酸素プラズマに
よるときは本発明の分子構造を有する変質ポリイミド層
を形成することができるが、アルゴンプラズマによる場
合には本発明の分子構造を有する変質ポリイミド層を形
成することはできない。したがって本発明の金属被覆ポ
リイミド基板を作成するに際しては、上記した分子構造
特定手段を用いて、表面改質処理により形成された変質
ポリイミド層が本発明の分子構造を有するものか否かの
確認を行ってからその作製を行う必要がある。
イミドフィルム表面に変質ポリイミド層を形成するため
の方法としては、公知の方法、すなわちプラズマまたは
コロナ放電等の物理的手段および薬品等による化学的手
段等を採用すればよく、そのいずれかを限定するもので
はないが、得られた変質ポリイミド層の分子構造が本発
明の分子構造を有するものでなくてはならない。例えば
同じプラズマ放電法を採用するにしても酸素プラズマに
よるときは本発明の分子構造を有する変質ポリイミド層
を形成することができるが、アルゴンプラズマによる場
合には本発明の分子構造を有する変質ポリイミド層を形
成することはできない。したがって本発明の金属被覆ポ
リイミド基板を作成するに際しては、上記した分子構造
特定手段を用いて、表面改質処理により形成された変質
ポリイミド層が本発明の分子構造を有するものか否かの
確認を行ってからその作製を行う必要がある。
【００１９】また、表面改質処理後のポリイミドフィル
ム上に乾式めっき法により形成される第１金属層の金属
種のうち、好ましい金属種として、ニッケル、クロム、
銅またはそれらの合金、あるいはそれらの金属の酸化物
等が挙げられるが、特にこれらの材料に限定されるもの
ではない。また乾式めっきは、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の公知の方法を採用して行
えばよい。
ム上に乾式めっき法により形成される第１金属層の金属
種のうち、好ましい金属種として、ニッケル、クロム、
銅またはそれらの合金、あるいはそれらの金属の酸化物
等が挙げられるが、特にこれらの材料に限定されるもの
ではない。また乾式めっきは、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の公知の方法を採用して行
えばよい。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例について同時に行った比
較例とともに説明する。 実施例１：厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・
デュポン社製、製品名「カプトン１００ＶＮ」）の片面
を酸素プラズマ中に数秒間さらした。ＸＰＳで表層部の
分子構造を解析したところ、イミド環が開環して生成し
たカルボキシル基と、イミド環の窒素と結合したベンゼ
ン環に水酸基が付加された分子構造となっていた。表面
改質処理後のポリイミドフィルム上にスパッタリング法
によってクロムを３００オングストローム、また銅を１
０００オングストロームの厚さに被着させて第１金属層
を形成し、しかる後第２金属層として電気めっき法によ
る銅を３５μｍの厚さに厚付けして金属被覆ポリイミド
基板を得た。得られた基板を、９０μｍ配線幅のＴＡＢ
テープパターンに加工した後、９０度方向に引き剥がし
て接合強度を測定したところ、１．６ｋｇｆ／ｃｍであ
り、十分に実用に供することのできる値を示した。
較例とともに説明する。 実施例１：厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・
デュポン社製、製品名「カプトン１００ＶＮ」）の片面
を酸素プラズマ中に数秒間さらした。ＸＰＳで表層部の
分子構造を解析したところ、イミド環が開環して生成し
たカルボキシル基と、イミド環の窒素と結合したベンゼ
ン環に水酸基が付加された分子構造となっていた。表面
改質処理後のポリイミドフィルム上にスパッタリング法
によってクロムを３００オングストローム、また銅を１
０００オングストロームの厚さに被着させて第１金属層
を形成し、しかる後第２金属層として電気めっき法によ
る銅を３５μｍの厚さに厚付けして金属被覆ポリイミド
基板を得た。得られた基板を、９０μｍ配線幅のＴＡＢ
テープパターンに加工した後、９０度方向に引き剥がし
て接合強度を測定したところ、１．６ｋｇｆ／ｃｍであ
り、十分に実用に供することのできる値を示した。
【００２１】比較例１：表面改質処理を施さなかった以
外は実施例１と同様の手順で金属被覆ポリイミド基板を
得た。得られた基板を実施例１と同様に９０μｍ配線幅
のＴＡＢテープパターンに加工した後、９０度方向に引
き剥がして接合強度を測定したところ、１９０ｇｆ／ｃ
ｍの値を示した。この値は到底実用に供することのでき
る値ではない。
外は実施例１と同様の手順で金属被覆ポリイミド基板を
得た。得られた基板を実施例１と同様に９０μｍ配線幅
のＴＡＢテープパターンに加工した後、９０度方向に引
き剥がして接合強度を測定したところ、１９０ｇｆ／ｃ
ｍの値を示した。この値は到底実用に供することのでき
る値ではない。
【００２２】比較例２：厚さ２５μｍのポリイミドフィ
ルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン１００Ｖ
Ｎ」）の片面をアルゴンプラズマ中に数秒間さらした。
ＸＰＳで表層部の分子構造を解析したところ、イミド環
が開環してカルボキシル基を生成しているが、イミド環
の窒素および／またはイミド環が開環して生成した第二
アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも１個の水
酸基が付加された分子構造にはなっていなかった。この
表面改質処理を施した後、実施例１と同様の手順で金属
被覆ポリイミド基板を得た。得られた基板を実施例１と
同様に９０μｍ配線幅のＴＡＢテープパターンに加工し
た後、９０度方向に引き剥がして接合強度を測定したと
ころ、４００ｇｆ／ｃｍの値を示したが、この値は到底
実用に供することのできる値ではない。
ルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン１００Ｖ
Ｎ」）の片面をアルゴンプラズマ中に数秒間さらした。
ＸＰＳで表層部の分子構造を解析したところ、イミド環
が開環してカルボキシル基を生成しているが、イミド環
の窒素および／またはイミド環が開環して生成した第二
アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも１個の水
酸基が付加された分子構造にはなっていなかった。この
表面改質処理を施した後、実施例１と同様の手順で金属
被覆ポリイミド基板を得た。得られた基板を実施例１と
同様に９０μｍ配線幅のＴＡＢテープパターンに加工し
た後、９０度方向に引き剥がして接合強度を測定したと
ころ、４００ｇｆ／ｃｍの値を示したが、この値は到底
実用に供することのできる値ではない。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属被覆ポ
リイミド基板は、ポリイミドフィルムと金属層との密着
性が高いので、本発明による金属被覆ポリイミド基板を
用いれば、信頼性の高いプリント配線板（ＰＷＢ）、フ
レキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング用テープ（ＴＡＢテープ）等の電子部品を得るこ
とができる。
リイミド基板は、ポリイミドフィルムと金属層との密着
性が高いので、本発明による金属被覆ポリイミド基板を
用いれば、信頼性の高いプリント配線板（ＰＷＢ）、フ
レキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング用テープ（ＴＡＢテープ）等の電子部品を得るこ
とができる。
【図１】表面改質処理前のポリイミドフィルムの状態を
示す図で、（ａ）はＸＰＳ解析したときの、炭素のＣ１
ｓスペクトルを示した図、（ｂ）は表面改質処理前の構
造式を示す図である（図１（ａ）中の記号α、β、δ、
χの各ピークは、個別ピークに分離させた後のピークを
示し、それらのピークが図１（ｂ）に示した構造式の何
処に所属するかを記号により対応させて示したものであ
る。）。
示す図で、（ａ）はＸＰＳ解析したときの、炭素のＣ１
ｓスペクトルを示した図、（ｂ）は表面改質処理前の構
造式を示す図である（図１（ａ）中の記号α、β、δ、
χの各ピークは、個別ピークに分離させた後のピークを
示し、それらのピークが図１（ｂ）に示した構造式の何
処に所属するかを記号により対応させて示したものであ
る。）。
【図２】表面改質処理後のポリイミドフィルムの状態を
示す図で（ａ）はＸＰＳ解析したときの、炭素Ｃ１ｓス
ペクトルを示した図、（ｂ）は表面改質処理後の構造式
を示す図である（図２（ａ）中の記号α、β、δ、ε、
φ、χの各ピークは、個別ピークに分離させた後のピー
クを示し、それらのピークが図２（ｂ）に示した構造式
の何処に所属するかを記号により対応させて示したもの
である。また、構造式中の構造は、イミド環が開環し
てカルボキシル基を生成している箇所、構造は、イミ
ド環の窒素と結合したベンゼン環に水酸基が付加された
箇所を示すものである。）。
示す図で（ａ）はＸＰＳ解析したときの、炭素Ｃ１ｓス
ペクトルを示した図、（ｂ）は表面改質処理後の構造式
を示す図である（図２（ａ）中の記号α、β、δ、ε、
φ、χの各ピークは、個別ピークに分離させた後のピー
クを示し、それらのピークが図２（ｂ）に示した構造式
の何処に所属するかを記号により対応させて示したもの
である。また、構造式中の構造は、イミド環が開環し
てカルボキシル基を生成している箇所、構造は、イミ
ド環の窒素と結合したベンゼン環に水酸基が付加された
箇所を示すものである。）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐光 武文 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (72)発明者 石井 芳朗 千葉県市川市中国分３−18−５ 住友金属 鉱山株式会社中央研究所内 (72)発明者 稲守 忠広 京都府京都市伏見区竹田向代町125 株式 会社尾池開発研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムの少くとも一面に、
接着剤を介することなく複数層の金属層が形成され、か
つ前記金属層のうちポリイミドフィルムに接する第１金
属層が乾式めっき法により形成された基板において、該
第１金属層と接するポリイミドフィルムの表層部に、イ
ミド環が開環して生成したカルボキシル基と、イミド環
の窒素および／またはイミド環が開環して生成した第二
アミドの窒素と結合したベンゼン環に少くとも１つの水
酸基が付加された分子構造を有する変質ポリイミド層を
形成してなることを特徴とする金属被覆ポリイミド基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29778097A JPH11117060A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属被覆ポリイミド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29778097A JPH11117060A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属被覆ポリイミド基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11117060A true JPH11117060A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17851091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29778097A Pending JPH11117060A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 金属被覆ポリイミド基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11117060A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022412B2 (en) | 1999-11-26 | 2006-04-04 | Hitachi, Ltd. | Member having metallic layer, its manufacturing method and its application |
| JP2008078276A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高耐熱密着力を有する銅被覆ポリイミド基板 |
| WO2009075397A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating flexible film |
| WO2009075396A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Lg Electronics Inc. | Flexible film |
| JP2011100846A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ２層フレキシブル基板とその製造方法、２層フレキシブル配線板とその製造方法並びにプラズマ処理装置 |
| WO2012108265A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ２層銅張積層材及びその製造方法 |
| JP2016155121A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 東京応化工業株式会社 | 液体の精製方法、薬液又は洗浄液の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP29778097A patent/JPH11117060A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022412B2 (en) | 1999-11-26 | 2006-04-04 | Hitachi, Ltd. | Member having metallic layer, its manufacturing method and its application |
| JP2008078276A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高耐熱密着力を有する銅被覆ポリイミド基板 |
| WO2009075397A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating flexible film |
| WO2009075396A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Lg Electronics Inc. | Flexible film |
| JP2011100846A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ２層フレキシブル基板とその製造方法、２層フレキシブル配線板とその製造方法並びにプラズマ処理装置 |
| WO2012108265A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ２層銅張積層材及びその製造方法 |
| JP2016155121A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 東京応化工業株式会社 | 液体の精製方法、薬液又は洗浄液の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060906 |
|
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|
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