JPH11119259A - アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示装置Info
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- JPH11119259A JPH11119259A JP9306817A JP30681798A JPH11119259A JP H11119259 A JPH11119259 A JP H11119259A JP 9306817 A JP9306817 A JP 9306817A JP 30681798 A JP30681798 A JP 30681798A JP H11119259 A JPH11119259 A JP H11119259A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】従来技術にみられた走査線冗長性不良による断
線や、酸化膜や信号線の位置ずれによって発生する走査
線−信号線交差部の絶縁不良の問題を解決し、歩留りの
高いＡＭＸ基板を提供することにある。 【解決手段】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜４と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層５
と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレ
イン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電極
と接続し、第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆わ
ないように該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜と
を有する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電
極のいずれか一方と接続する信号線６および他の一方と
接続する画素電極７とから成るアクテイブマトリクス基
板であって、該第一、第二の金属膜を陽極化成の可能な
材料により構成して該走査線を陽極酸化したことにより
達成される。
線や、酸化膜や信号線の位置ずれによって発生する走査
線−信号線交差部の絶縁不良の問題を解決し、歩留りの
高いＡＭＸ基板を提供することにある。 【解決手段】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜４と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層５
と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレ
イン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電極
と接続し、第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆わ
ないように該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜と
を有する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電
極のいずれか一方と接続する信号線６および他の一方と
接続する画素電極７とから成るアクテイブマトリクス基
板であって、該第一、第二の金属膜を陽極化成の可能な
材料により構成して該走査線を陽極酸化したことにより
達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス基
板及びこれを用いた液晶表示装置に係り、特に走査線−
信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基板
及びこれを用いた液晶表示装置に関する。
板及びこれを用いた液晶表示装置に係り、特に走査線−
信号線間短絡の防止に好適なアクティブマトリクス基板
及びこれを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非品質シリコン薄膜トランジスタ（anor
phaous Sillicon Thin Firm Transistor）以下ａ−Ｓｉ
ＴＦＴと略す）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス基板(Active Matrix以下ＡＭＸと略す）
は、クロストーク等の問題がないため各社で研究・開発
が活発に行れている。また、ＡＭＸ基板を用いた液晶デ
ィスプレイも、各社で製品化されている。従来このＡＭ
Ｘ基板は、特開昭６２−６５４６８号に記載のように図
４に（ａ）に示す構造を有していた。即ち、タンメル
（Ｔａ）から成る主走査線３とアルミ（Ａｌ）等タンメ
ル以外の金属膜から成る補助走査線２と、薄膜トランジ
スタ部１２と、アルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）等の金
属膜から成る信号線と画素電極７により構成されてお
り、走査線−信号線交差部の主走査線３とゲート電極１
０上に陽極化成による酸化膜１１が形成されている。ま
た、走査線−信号線交差部の断面図は図４（ｂ）に示す
ように、表面が絶縁膜で形成されているガラス等の基盤
１上にＴａから成る主走査線３と、この上に陽極化成に
より形成された酸化膜１１と、この上に設けられたゲー
ト絶縁膜４とこの上に設けられた半導体層５と半導体層
上に設けられたＡｌやＣｒ等の金属膜から成る信号線６
により構成されていた。また、その製造方法は図５に示
すように、 （ａ）表面が絶縁物で形成された基板１上にＴａから成
る主走査線３とゲート電極１０を形成する工程。
phaous Sillicon Thin Firm Transistor）以下ａ−Ｓｉ
ＴＦＴと略す）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス基板(Active Matrix以下ＡＭＸと略す）
は、クロストーク等の問題がないため各社で研究・開発
が活発に行れている。また、ＡＭＸ基板を用いた液晶デ
ィスプレイも、各社で製品化されている。従来このＡＭ
Ｘ基板は、特開昭６２−６５４６８号に記載のように図
４に（ａ）に示す構造を有していた。即ち、タンメル
（Ｔａ）から成る主走査線３とアルミ（Ａｌ）等タンメ
ル以外の金属膜から成る補助走査線２と、薄膜トランジ
スタ部１２と、アルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）等の金
属膜から成る信号線と画素電極７により構成されてお
り、走査線−信号線交差部の主走査線３とゲート電極１
０上に陽極化成による酸化膜１１が形成されている。ま
た、走査線−信号線交差部の断面図は図４（ｂ）に示す
ように、表面が絶縁膜で形成されているガラス等の基盤
１上にＴａから成る主走査線３と、この上に陽極化成に
より形成された酸化膜１１と、この上に設けられたゲー
ト絶縁膜４とこの上に設けられた半導体層５と半導体層
上に設けられたＡｌやＣｒ等の金属膜から成る信号線６
により構成されていた。また、その製造方法は図５に示
すように、 （ａ）表面が絶縁物で形成された基板１上にＴａから成
る主走査線３とゲート電極１０を形成する工程。
【０００３】（ｂ）走査線−信号線交差部の主走査線３
とゲート電極１０上に陽極化成により酸化膜１１を設け
る工程。
とゲート電極１０上に陽極化成により酸化膜１１を設け
る工程。
【０００４】（ｃ）主走査線３上の一部に補助走査線２
を設ける工程。
を設ける工程。
【０００５】（ｄ）(ａ)〜(ｃ)上にゲート絶縁膜４，半
導体層５を設ける工程。
導体層５を設ける工程。
【０００６】（ｅ）(ｄ)上にＣｒやＡｌから成るソース
電極９・ドレイン電極８とドレイン電極８に接続する信
号線６を形成する工程。
電極９・ドレイン電極８とドレイン電極８に接続する信
号線６を形成する工程。
【０００７】（ｆ）(ｅ)で設けたソース電極９と接続す
る画素電極７を設ける工程。
る画素電極７を設ける工程。
【０００８】から成っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、走
査線−信号線交差部の走査線の構造が金属膜一層である
ため、断線による冗長性が保たれていなかった。また、
陽極化成により部分的に酸化膜を形成しているため、信
号線や、酸化膜の位置ずれにより、走査線−信号線交差
部の絶縁層がゲート絶縁膜一層のみとなり、絶縁不足に
よる短絡発生の危険性が高かった。
査線−信号線交差部の走査線の構造が金属膜一層である
ため、断線による冗長性が保たれていなかった。また、
陽極化成により部分的に酸化膜を形成しているため、信
号線や、酸化膜の位置ずれにより、走査線−信号線交差
部の絶縁層がゲート絶縁膜一層のみとなり、絶縁不足に
よる短絡発生の危険性が高かった。
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術にみられた
走査線冗長性不良による断線や、酸化膜や信号線の位置
ずれによって発生する走査線−信号線交差部の絶縁不良
の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提供するこ
とにある。
走査線冗長性不良による断線や、酸化膜や信号線の位置
ずれによって発生する走査線−信号線交差部の絶縁不良
の問題を解決し、歩留りの高いＡＭＸ基板を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ゲート電極
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層上に対向させ
て設けたソース電極、ドレイン電極とから成る薄膜トラ
ンジスタと、該ゲート電極と接続し、第一の金属膜と該
第一の金属膜の側面を覆わないように該第一の金属膜上
に配置した第二の金属膜とを有する走査線と、該ドレイ
ン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する
信号線および他の一方と接続する画素電極とから成るア
クテイブマトリクス基板であって、該第一、第二の金属
膜を陽極化成の可能な材料により構成して該走査線を陽
極酸化したことにより達成される。
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層上に対向させ
て設けたソース電極、ドレイン電極とから成る薄膜トラ
ンジスタと、該ゲート電極と接続し、第一の金属膜と該
第一の金属膜の側面を覆わないように該第一の金属膜上
に配置した第二の金属膜とを有する走査線と、該ドレイ
ン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する
信号線および他の一方と接続する画素電極とから成るア
クテイブマトリクス基板であって、該第一、第二の金属
膜を陽極化成の可能な材料により構成して該走査線を陽
極酸化したことにより達成される。
【００１２】また、ゲート電極と、該ゲート電極上に設
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ド
レイン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電
極と接続し、第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆
わないように該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜
とを有する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース
電極のいずれか一方と接続する信号線および他の一方と
接続する画素電極とからなり、該第一、第二の金属膜を
陽極化成の可能な材料により構成して該走査線を陽極酸
化した第一の基板と、対向電極を有し、該第一の基板に
対向させて配置した第二の基板と、該第一の基板と該第
二の基板との間に充填された液晶材料とを備えたことに
より達成される。
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ド
レイン電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電
極と接続し、第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆
わないように該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜
とを有する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース
電極のいずれか一方と接続する信号線および他の一方と
接続する画素電極とからなり、該第一、第二の金属膜を
陽極化成の可能な材料により構成して該走査線を陽極酸
化した第一の基板と、対向電極を有し、該第一の基板に
対向させて配置した第二の基板と、該第一の基板と該第
二の基板との間に充填された液晶材料とを備えたことに
より達成される。
【００１３】
【作用】走査線全域を多層構造とし、全面を陽極化成し
て酸化膜を設けているため、走査線の断線や、信号線の
位置づれによる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
また、走査線は陽極化成できうる金属膜の多層構造とす
るため上層膜に欠陥が発生しても下層膜表面には、酸化
膜が形成されるため走査線表面の酸化膜欠陥はない。
て酸化膜を設けているため、走査線の断線や、信号線の
位置づれによる走査線−信号線間の絶縁性低下がない。
また、走査線は陽極化成できうる金属膜の多層構造とす
るため上層膜に欠陥が発生しても下層膜表面には、酸化
膜が形成されるため走査線表面の酸化膜欠陥はない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。使って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。使って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
【００１５】図２に本発明によるＡＭＸ基板の製造方法
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た資料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続する。ＩＴＯ等の透明導電膜から成る
画素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかな
ように、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化膜を
設けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用
いているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露
出しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走
査線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によっ
て絶縁されるため、この間の短絡はない。
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た資料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続する。ＩＴＯ等の透明導電膜から成る
画素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかな
ように、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化膜を
設けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用
いているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露
出しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走
査線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によっ
て絶縁されるため、この間の短絡はない。
【００１６】図３に本発明によるＡＭＸ基板を搭載した
液晶表示素子の構造を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。液晶表示素子は、ＡＭＸ基板の下部に偏
光板１４を、上部に保護膜２０と、この上に設けられた
配向膜板１８から成る基板を下板とし、基板の下部に偏
光板１４を上部にカラフィルタ１５を設け、この上に保
護膜１６と、保護膜１６上に設けられたＩＴＯ等の透明
導電膜による対向電極１７と、この上に設けられた配向
膜１８から成る基板を上板とし、この上板と下板の間に
液晶１９をはさんだ構造を有している。従って、ＡＭＸ
基板の構造歩留りが向上すると、液晶表示素子のコスト
を低減できる。
液晶表示素子の構造を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図である。液晶表示素子は、ＡＭＸ基板の下部に偏
光板１４を、上部に保護膜２０と、この上に設けられた
配向膜板１８から成る基板を下板とし、基板の下部に偏
光板１４を上部にカラフィルタ１５を設け、この上に保
護膜１６と、保護膜１６上に設けられたＩＴＯ等の透明
導電膜による対向電極１７と、この上に設けられた配向
膜１８から成る基板を上板とし、この上板と下板の間に
液晶１９をはさんだ構造を有している。従って、ＡＭＸ
基板の構造歩留りが向上すると、液晶表示素子のコスト
を低減できる。
【００１７】発明者等は、ＡＭＸ基板とその製造方法に
おいて本発明を適用することにより、走査線の断線や走
査線−信号線間短絡がなく、良好な歩留りでＡＭＸ基板
を製造できるという結果を得た。また、本発明によるＡ
ＭＸ基板を液晶表示素子に適用した場合、コストを低減
できるという結果を得た。
おいて本発明を適用することにより、走査線の断線や走
査線−信号線間短絡がなく、良好な歩留りでＡＭＸ基板
を製造できるという結果を得た。また、本発明によるＡ
ＭＸ基板を液晶表示素子に適用した場合、コストを低減
できるという結果を得た。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、走査線を主走査線と補
助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる材料
を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がない。
と共に走査線の断線がない。また、走査線全域に酸化膜
を設けているため信号線の位置づれが生じても、走査線
−信号線間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜により絶縁さ
れるのでこの間での短絡はない。従って、ＡＭＸ基板の
製造歩留りを向上せしめる効果がある。また、これを用
いた液晶表示素子のコストを低減させる効果がある。
助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる材料
を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がない。
と共に走査線の断線がない。また、走査線全域に酸化膜
を設けているため信号線の位置づれが生じても、走査線
−信号線間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜により絶縁さ
れるのでこの間での短絡はない。従って、ＡＭＸ基板の
製造歩留りを向上せしめる効果がある。また、これを用
いた液晶表示素子のコストを低減させる効果がある。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例であるＡＭＸ基板の
平面図、（ｂ）は本発明の一実施例であるＡＭＸ基板の
走査線−信号線間断面図。
平面図、（ｂ）は本発明の一実施例であるＡＭＸ基板の
走査線−信号線間断面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例であるＡＭ
Ｘ基板の製造方法を示す図。
Ｘ基板の製造方法を示す図。
【図３】（ａ）は本発明の一実施例である液晶表示素子
の平面図、（ｂ）は本発明の一実施例である液晶表示素
子の断面構造を示す図。
の平面図、（ｂ）は本発明の一実施例である液晶表示素
子の断面構造を示す図。
【図４】（ａ）はＡＭＸ基板平面図の従来例を示す図
（ｂ）はＡＭＸ基板断面構造の従来例を示す図。
（ｂ）はＡＭＸ基板断面構造の従来例を示す図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）はＡＭＸ基板製造方法の従来例
を示す図。
を示す図。
１…基板、 ２…補助走査線、 ３…主走査線、 ４…ゲート絶縁膜、 ５…半導体層、 ６…信号線、 ７…画素電極、 ８…ドレイン電極、 ９…ソース電極、 10…ゲート電極、 11…酸化膜、 12…薄膜トランジスタ、 13…走査線、 14…偏光板、 15…カラーフィルタ、 16…保護膜、 17…対向電極、 18…配光膜、 19…液晶、 20…保護膜、 21…アクティブマトリクス基板。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ゲート電極
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層の少なくとも
一部と重なるように設けたソース電極、ドレイン電極と
を有する薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接続し、
第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆わないように
該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜とを有する走
査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極のいずれ
か一方と接続する信号線および他の一方と接続する画素
電極とを備えたアクテイブマトリクス基板であって、該
第一、第二の金属膜を陽極化成の可能な材料により構成
し、表示領域に配置された該走査線表面を陽極酸化した
ことにより達成される。
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層の少なくとも
一部と重なるように設けたソース電極、ドレイン電極と
を有する薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接続し、
第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆わないように
該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜とを有する走
査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極のいずれ
か一方と接続する信号線および他の一方と接続する画素
電極とを備えたアクテイブマトリクス基板であって、該
第一、第二の金属膜を陽極化成の可能な材料により構成
し、表示領域に配置された該走査線表面を陽極酸化した
ことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】また、ゲート電極と、該ゲート電極上に設
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層の少なくとも一部と重なるように設け
たソース電極、ドレイン電極とを有する薄膜トランジス
タと、該ゲート電極と接続し、第一の金属膜と該第一の
金属膜の側面を覆わないように該第一の金属膜上に配置
した第二の金属膜とを有する走査線と、該ドレイン電極
あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線
および他の一方と接続する画素電極とを備え、該第一、
第二の金属膜を陽極化成の可能な材料により構成して表
示領域に配置された該走査線表面を陽極酸化した第一の
基板と、対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配
置した第二の基板と、該第一の基板と該第二の基板との
間に充填された液晶材料とを備えたことにより達成され
る。
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層の少なくとも一部と重なるように設け
たソース電極、ドレイン電極とを有する薄膜トランジス
タと、該ゲート電極と接続し、第一の金属膜と該第一の
金属膜の側面を覆わないように該第一の金属膜上に配置
した第二の金属膜とを有する走査線と、該ドレイン電極
あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線
および他の一方と接続する画素電極とを備え、該第一、
第二の金属膜を陽極化成の可能な材料により構成して表
示領域に配置された該走査線表面を陽極酸化した第一の
基板と、対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配
置した第二の基板と、該第一の基板と該第二の基板との
間に充填された液晶材料とを備えたことにより達成され
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【作用】走査線全域を多層構造とし、表示領域に配置さ
れた走査線全面を陽極化成して酸化膜を設けているた
め、走査線の断線や、信号線の位置づれによる走査線−
信号線間の絶縁性低下がない。また、走査線は陽極化成
できうる金属膜の多層構造とするため上層膜に欠陥が発
生しても下層膜表面には、酸化膜が形成されるため走査
線表面の酸化膜欠陥はない。ここで、表示領域とは、実
質的に表示に寄与する領域を意味し、外部回路と接続を
行う領域等は含まない。
れた走査線全面を陽極化成して酸化膜を設けているた
め、走査線の断線や、信号線の位置づれによる走査線−
信号線間の絶縁性低下がない。また、走査線は陽極化成
できうる金属膜の多層構造とするため上層膜に欠陥が発
生しても下層膜表面には、酸化膜が形成されるため走査
線表面の酸化膜欠陥はない。ここで、表示領域とは、実
質的に表示に寄与する領域を意味し、外部回路と接続を
行う領域等は含まない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。従って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
る。本発明によるＡＭＸ基板は、図１（ａ）に示すよう
に、Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆの中から選ばれ
た金属膜から成る主走査線３と主走査線全域をカバーす
るように形成され主走査線以外の金属膜から成る補助走
査線２とＣｒやＡｌから成る信号線６とＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）等の透明導電膜から成る画素電極７と薄膜
トランジスタ部１２により構成される。走査線−信号線
交差部の構造は図１（ｂ）に示すように、ガラス等表面
が絶縁物で形成された基板１上に設けられた補助走査線
２とこの上に設けられた主走査線３と、走査線１３を陽
極化成することによって形成される酸化膜１１と、この
上に設けられたゲート絶縁膜４、半導体層５と、信号線
６によりなっている。従って、走査線−信号線交差部の
走査線は、主走査線３と補助走査線２の多層構造となる
ため冗長性が高まり断線がなくなる。また、陽極化成に
より主走査線表面全体に酸化膜１１を設けているため、
信号線形成時の位置づれが生じても、走査線−信号線交
差部は酸化膜１１とゲート絶縁膜４の２層で絶縁できる
ので走査線３と信号線５の短絡を防げる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】図２に本発明によるＡＭＸ基板の製造方法
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た試料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続するＩＴＯ等の透明導電膜から成る画
素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかなよ
うに、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化膜を設
けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用い
ているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露出
しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走査
線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によって
絶縁されるため、この間の短絡はない。
を示す。（ａ）は少なくとも表面が絶縁物から成る基板
１上にＴａ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの中か
ら選ばれた金属膜により補助走査線２を形成した状態。
（ｂ）は（ａ）で得た試料上に補助走査線２で使用した
以外の金属膜により主走査線３と、これにつながるゲー
ト電極１０を形成した状態。（ｃ）は（ｂ）で得た試料
を陽極化成し、走査線１３とゲート電極１０表面に酸化
膜１１を形成した状態。（ｄ）は（ｃ）で得た試料上に
ゲート絶縁膜４、半導体層５を形成した状態。（ｅ）は
（ｄ）で得た試料上にＡｌやＣｒ等の金属膜により信号
線６と、これにつながるドレイン電極８とドレイン電極
８と対抗するソース電極９を形成した状態。（ｆ）はソ
ース電極９と接続するＩＴＯ等の透明導電膜から成る画
素電極７を形成した状態。（ａ）〜（ｃ）で明らかなよ
うに、補助走査線２と主走査を形成した後に酸化膜を設
けており、かつ、両者とも陽極化成ができる材料を用い
ているため、主査走査線に欠陥が生じ補助走査線が露出
しても補助走査線表面に酸化膜が形成できるので、走査
線と信号線の間は絶えず酸化膜とゲート絶縁膜によって
絶縁されるため、この間の短絡はない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、走査線を主走査線と補
助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる材料
を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がない。
と共に走査線の断線がない。また、表示領域に配置され
た走査線全域に酸化膜を設けているため信号線の位置づ
れが生じても、走査線−信号線間は絶えず酸化膜とゲー
ト絶縁膜により絶縁されるのでこの間での短絡はない。
従って、ＡＭＸ基板の製造歩留りを向上せしめる効果が
ある。また、これを用いた液晶表示素子のコストを低減
させる効果がある。 ─────────────────────────────────────────────────────
助走査線の多層構造とし両者とも陽極酸化できうる材料
を用いているため走査線表面の酸化膜形成不良がない。
と共に走査線の断線がない。また、表示領域に配置され
た走査線全域に酸化膜を設けているため信号線の位置づ
れが生じても、走査線−信号線間は絶えず酸化膜とゲー
ト絶縁膜により絶縁されるのでこの間での短絡はない。
従って、ＡＭＸ基板の製造歩留りを向上せしめる効果が
ある。また、これを用いた液晶表示素子のコストを低減
させる効果がある。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ゲート電極
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層の少なくとも
一部と重なるように設けたソース電極およびドレイン電
極とを有する薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接続
する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極の
いずれか一方と接続する信号線および他の一方と接続す
る画素電極とを備えたアクテイブマトリクス基板であっ
て、該走査線を陽極化成の可能な下層金属膜と該下層金
属膜の側面を覆わないように該下層金属膜上に配置した
陽極化成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配
置された該走査線のほぼ全面が陽極酸化されたことによ
り達成される。
と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート
絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体層の少なくとも
一部と重なるように設けたソース電極およびドレイン電
極とを有する薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接続
する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極の
いずれか一方と接続する信号線および他の一方と接続す
る画素電極とを備えたアクテイブマトリクス基板であっ
て、該走査線を陽極化成の可能な下層金属膜と該下層金
属膜の側面を覆わないように該下層金属膜上に配置した
陽極化成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配
置された該走査線のほぼ全面が陽極酸化されたことによ
り達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】また、ゲート電極と、該ゲート電極上に設
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層の少なくとも一部と重なるように設け
たソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トラン
ジスタと、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレイ
ン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する
信号線および他の一方と接続する画素電極とを備え、該
走査線を陽極化成の可能な下層金属膜と該下層金属膜の
側面を覆わないように該下層金属膜上に配置した陽極化
成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配置され
た該走査線のほぼ全面が陽極酸化された第一の基板と、
対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配置した第
二の基板と、該第一の基板と該第二の基板との間に充填
された液晶材料とを備えたことにより達成される。ま
た、ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁
膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体
層の少なくとも一部と重なるように設けたソース電極お
よびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、該ゲ
ート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極あるいは
該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線および他
の一方と接続する画素電極とを備え、該走査線を陽極化
成の可能な下層金属膜と該下層金属膜上に配置した陽極
化成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配置さ
れた該走査線のほぼ全面が陽極酸化されたアクテイブマ
トリクス基板を有する第一の基板と、対向電極を有し、
該第一の基板に対向させて配置した第二の基板と、該第
一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材料と
を備えたことにより達成される。
けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体
層と、該半導体層の少なくとも一部と重なるように設け
たソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トラン
ジスタと、該ゲート電極と接続する走査線と、該ドレイ
ン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と接続する
信号線および他の一方と接続する画素電極とを備え、該
走査線を陽極化成の可能な下層金属膜と該下層金属膜の
側面を覆わないように該下層金属膜上に配置した陽極化
成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配置され
た該走査線のほぼ全面が陽極酸化された第一の基板と、
対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配置した第
二の基板と、該第一の基板と該第二の基板との間に充填
された液晶材料とを備えたことにより達成される。ま
た、ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲート絶縁
膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、該半導体
層の少なくとも一部と重なるように設けたソース電極お
よびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、該ゲ
ート電極と接続する走査線と、該ドレイン電極あるいは
該ソース電極のいずれか一方と接続する信号線および他
の一方と接続する画素電極とを備え、該走査線を陽極化
成の可能な下層金属膜と該下層金属膜上に配置した陽極
化成の可能な上層金属膜とで構成し、表示領域に配置さ
れた該走査線のほぼ全面が陽極酸化されたアクテイブマ
トリクス基板を有する第一の基板と、対向電極を有し、
該第一の基板に対向させて配置した第二の基板と、該第
一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材料と
を備えたことにより達成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釼持 秋広 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 高野 隆男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中谷 光雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、
該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレイン
電極とから成る薄膜トランジスタと、 該ゲート電極と接続し、第一の金属膜と該第一の金属膜
の側面を覆わないように該第一の金属膜上に配置した第
二の金属膜とを有する走査線と、 該ドレイン電極あるいは該ソース電極のいずれか一方と
接続する信号線および他の一方と接続する画素電極とか
ら成るアクテイブマトリクス基板であって、 該第一、第二の金属膜を陽極化成の可能な材料により構
成して該走査線を陽極酸化したことを特徴とするアクテ
イブマトリクス基板。 - 【請求項２】ゲート電極と、該ゲート電極上に設けたゲ
ート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けた半導体層と、
該半導体層上に対向させて設けたソース電極、ドレイン
電極とから成る薄膜トランジスタと、該ゲート電極と接
続し、第一の金属膜と該第一の金属膜の側面を覆わない
ように該第一の金属膜上に配置した第二の金属膜とを有
する走査線と、該ドレイン電極あるいは該ソース電極の
いずれか一方と接続する信号線および他の一方と接続す
る画素電極とからなり、該第一、第二の金属膜を陽極化
成の可能な材料により構成して該走査線を陽極酸化した
第一の基板と、 対向電極を有し、該第一の基板に対向させて配置した第
二の基板と、 該第一の基板と該第二の基板との間に充填された液晶材
料とを備えたことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306817A JP2000135584A (ja) | 1998-10-28 | 1997-11-10 | 梁孔開け治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306817A JP2000135584A (ja) | 1998-10-28 | 1997-11-10 | 梁孔開け治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119259A true JPH11119259A (ja) | 1999-04-30 |
| JP2000135584A JP2000135584A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17961628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10306817A Pending JP2000135584A (ja) | 1998-10-28 | 1997-11-10 | 梁孔開け治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000135584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100686232B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100759968B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104191272A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-12-10 | 谈茁 | 一种钻多级泵泵体上法兰盘安装孔的钻孔定位夹具 |
| CN106584158B (zh) * | 2017-01-25 | 2019-11-26 | 苏州松翔电通科技有限公司 | 一种钻孔固定装置 |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP10306817A patent/JP2000135584A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100686232B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100759968B1 (ko) * | 2000-11-27 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000135584A (ja) | 2000-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041019 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |