JPH11126847A - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents
電子部品収納用パッケージInfo
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- JPH11126847A JPH11126847A JP9289695A JP28969597A JPH11126847A JP H11126847 A JPH11126847 A JP H11126847A JP 9289695 A JP9289695 A JP 9289695A JP 28969597 A JP28969597 A JP 28969597A JP H11126847 A JPH11126847 A JP H11126847A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子部品を収容する容器の気密封止の信頼性が
低い。 【解決手段】上面外周部に枠部2を有するセラミックス
基体1と、該枠部2上面に被着された枠状のメタライズ
金属層7と、該メタライズ金属層7にロウ付けされた金
属枠体8と、該金属枠体8に溶接される金属製蓋体3と
から成り、内部に電子部品4を気密に収容する電子部品
収納用パッケージであって、前記枠状メタライズ金属層
7の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域にロウ材
の非接触領域Bを形成した。
低い。 【解決手段】上面外周部に枠部2を有するセラミックス
基体1と、該枠部2上面に被着された枠状のメタライズ
金属層7と、該メタライズ金属層7にロウ付けされた金
属枠体8と、該金属枠体8に溶接される金属製蓋体3と
から成り、内部に電子部品4を気密に収容する電子部品
収納用パッケージであって、前記枠状メタライズ金属層
7の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域にロウ材
の非接触領域Bを形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や水晶振
動子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するための電
子部品収納用パッケージに関するものである。
動子、弾性表面波素子等の電子部品を収容するための電
子部品収納用パッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子や水晶振動子、弾性表
面波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用
パッケージは、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電
気絶縁材料から成り、上面外周部に枠部を有するセラミ
ックス基体と、該セラミックス基体の枠部内側から外側
にかけて導出するタングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層と、セラ
ミックス基体の枠部上面に取着され、鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等から成る金属製蓋体と
から構成されており、セラミックス基体の枠部内側に半
導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するとともに
該電子部品の各電極をボンディングワイヤを介して所定
のメタライズ配線層に接続し、しかる後、セラミックス
基体の枠部上面に金属製蓋体を溶接し、セラミックス基
体と金属製蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に
封止することによって最終製品としての電子装置とな
る。
面波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用
パッケージは、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電
気絶縁材料から成り、上面外周部に枠部を有するセラミ
ックス基体と、該セラミックス基体の枠部内側から外側
にかけて導出するタングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層と、セラ
ミックス基体の枠部上面に取着され、鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等から成る金属製蓋体と
から構成されており、セラミックス基体の枠部内側に半
導体素子や水晶振動子等の電子部品を収容するとともに
該電子部品の各電極をボンディングワイヤを介して所定
のメタライズ配線層に接続し、しかる後、セラミックス
基体の枠部上面に金属製蓋体を溶接し、セラミックス基
体と金属製蓋体とから成る容器内部に電子部品を気密に
封止することによって最終製品としての電子装置とな
る。
【0003】なお、前記従来の電子部品収納用パッケー
ジは通常、酸化アルミニウム質焼結体等から成るセラミ
ックス基体の枠部上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や
鉄ーニッケル合金等の金属材料から成る金属枠体を予め
銀ロウ等のロウ材を介して取着させておき、該金属枠体
に金属製蓋体をシームウエルド法等により溶接させるこ
とによって金属製蓋体はセラミックス基体の上面に取着
され、これによってセラミックス基体と金属製蓋体とか
ら成る容器の内部が気密に封止される。
ジは通常、酸化アルミニウム質焼結体等から成るセラミ
ックス基体の枠部上面に鉄ーニッケルーコバルト合金や
鉄ーニッケル合金等の金属材料から成る金属枠体を予め
銀ロウ等のロウ材を介して取着させておき、該金属枠体
に金属製蓋体をシームウエルド法等により溶接させるこ
とによって金属製蓋体はセラミックス基体の上面に取着
され、これによってセラミックス基体と金属製蓋体とか
ら成る容器の内部が気密に封止される。
【0004】また前記セラミックス基体の枠部上面への
金属枠体の取着はまずセラミックス基体の枠部上面に金
属枠体より若干大きめの面積にタングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金
属層を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用
することによって被着形成しておき、次に前記メタライ
ズ金属層上に銀ロウ等のロウ材と金属枠体とを順次載置
させ、最後に前記ロウ材に約800℃の温度を印加し、
ロウ材を加熱溶融させることによって行われる。
金属枠体の取着はまずセラミックス基体の枠部上面に金
属枠体より若干大きめの面積にタングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成るメタライズ金
属層を従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用
することによって被着形成しておき、次に前記メタライ
ズ金属層上に銀ロウ等のロウ材と金属枠体とを順次載置
させ、最後に前記ロウ材に約800℃の温度を印加し、
ロウ材を加熱溶融させることによって行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
電子機器はその小型化が急激に進み、該電子機器に実装
される電子装置、強いては電子部品収納用パッケージも
極めて小型のものが要求されるようになり、セラミック
ス基体の上面外周部に形成されている枠部の幅は0.4
mm程度と狭いものになって枠部上面に被着されている
メタライズ金属層と金属枠体とのロウ付け面積が狭く、
ロウ付け強度が極めて弱いものとなってきた。
電子機器はその小型化が急激に進み、該電子機器に実装
される電子装置、強いては電子部品収納用パッケージも
極めて小型のものが要求されるようになり、セラミック
ス基体の上面外周部に形成されている枠部の幅は0.4
mm程度と狭いものになって枠部上面に被着されている
メタライズ金属層と金属枠体とのロウ付け面積が狭く、
ロウ付け強度が極めて弱いものとなってきた。
【0006】そこで金属枠体をメタライズ金属層に強固
にロウ付けするためにロウ材の量を多くし、金属枠体の
側面とメタライズ金属層の外周辺との間にロウ材の溜ま
り部を形成することが考えられる。
にロウ付けするためにロウ材の量を多くし、金属枠体の
側面とメタライズ金属層の外周辺との間にロウ材の溜ま
り部を形成することが考えられる。
【0007】しかしながら、金属枠体の側面とメタライ
ズ金属層の外周辺との間にロウ材の溜まり部を形成した
場合、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層
にロウ付けされている金属枠体に金属製蓋体を溶接によ
り取着する際、セラミックス基体に比して熱膨張係数が
大きい金属枠体のみが約700℃の高温となるため金属
枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者の熱膨張係
量の相違に伴う大きな応力が発生するとともに該応力が
ロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属層の外周辺に
集中作用してしまい、その結果、メタライズ金属層がセ
ラミックス基体の枠部上面より剥離し、容器の気密封止
が破れて容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
ズ金属層の外周辺との間にロウ材の溜まり部を形成した
場合、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層
にロウ付けされている金属枠体に金属製蓋体を溶接によ
り取着する際、セラミックス基体に比して熱膨張係数が
大きい金属枠体のみが約700℃の高温となるため金属
枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者の熱膨張係
量の相違に伴う大きな応力が発生するとともに該応力が
ロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属層の外周辺に
集中作用してしまい、その結果、メタライズ金属層がセ
ラミックス基体の枠部上面より剥離し、容器の気密封止
が破れて容器内部に収容する電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
【0008】本発明は容器の気密封止を完全とし、容器
の内部に収容される電子部品を長期間にわたり正常、か
つ安定に作動させることができる電子部品収納用パッケ
ージを提供することにある。
の内部に収容される電子部品を長期間にわたり正常、か
つ安定に作動させることができる電子部品収納用パッケ
ージを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面外周部に
枠部を有するセラミックス基体と、該枠部上面に被着さ
れた枠状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層に
ロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金
属製蓋体とから成り、内部に電子部品を気密に収容する
電子部品収納用パッケージであって、前記枠状メタライ
ズ金属層の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域に
ロウ材の非接触領域を形成したことを特徴とするもので
ある。
枠部を有するセラミックス基体と、該枠部上面に被着さ
れた枠状のメタライズ金属層と、該メタライズ金属層に
ロウ付けされた金属枠体と、該金属枠体に溶接される金
属製蓋体とから成り、内部に電子部品を気密に収容する
電子部品収納用パッケージであって、前記枠状メタライ
ズ金属層の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域に
ロウ材の非接触領域を形成したことを特徴とするもので
ある。
【0010】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層に
金属枠体を、該金属枠体の側面とメタライズ金属層の上
面との間にロウ材の溜まり部を形成しつつロウ付け取着
するにあたり、メタライズ金属層の外周辺より少なくと
も30μmの幅の領域にロウ材の非接触領域を形成する
ようになしたことからセラミックス基体の枠部上面のメ
タライズ金属層にロウ付けされている金属枠体に金属製
蓋体を溶接により取着する際、金属枠体のみが高温とな
って金属枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者の
熱膨張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとしても
その応力はロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属層
の外周辺に集中作用することはなく、その結果、セラミ
ックス基体の枠部上面にメタライズ金属層が、またメタ
ライズ金属層に金属枠体が各々に強固に接合し、容器の
気密封止を完全として容器の内部に収容する電子部品を
長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能
となる。
ば、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層に
金属枠体を、該金属枠体の側面とメタライズ金属層の上
面との間にロウ材の溜まり部を形成しつつロウ付け取着
するにあたり、メタライズ金属層の外周辺より少なくと
も30μmの幅の領域にロウ材の非接触領域を形成する
ようになしたことからセラミックス基体の枠部上面のメ
タライズ金属層にロウ付けされている金属枠体に金属製
蓋体を溶接により取着する際、金属枠体のみが高温とな
って金属枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者の
熱膨張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとしても
その応力はロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属層
の外周辺に集中作用することはなく、その結果、セラミ
ックス基体の枠部上面にメタライズ金属層が、またメタ
ライズ金属層に金属枠体が各々に強固に接合し、容器の
気密封止を完全として容器の内部に収容する電子部品を
長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能
となる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図1及び図2は本発明の電子部品収納用
パッケージを半導体素子を収容するパッケージに適用し
た場合の一実施例を示し、1は上面外周部に枠部2を有
するセラミックス基体、3は金属製蓋体である。この枠
部2を有するセラミックス基体1と金属製蓋体3とで内
部に半導体素子4を収容するための容器が構成される。
細に説明する。図1及び図2は本発明の電子部品収納用
パッケージを半導体素子を収容するパッケージに適用し
た場合の一実施例を示し、1は上面外周部に枠部2を有
するセラミックス基体、3は金属製蓋体である。この枠
部2を有するセラミックス基体1と金属製蓋体3とで内
部に半導体素子4を収容するための容器が構成される。
【0012】前記上面外周部に枠部2を有するセラミッ
クス基体1は酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼
結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、
ガラスセラミックス焼結体から成り、その枠部2内側の
セラミックス基体1上面中央部には半導体素子4が載置
される載置部1aが設けてあり、該載置部1aには半導
体素子4がロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取
着される。
クス基体1は酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼
結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、
ガラスセラミックス焼結体から成り、その枠部2内側の
セラミックス基体1上面中央部には半導体素子4が載置
される載置部1aが設けてあり、該載置部1aには半導
体素子4がロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取
着される。
【0013】前記上面外周部に枠部2を有するセラミッ
クス基体1は例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成
る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てグリーンシート(生シート)を形成し、しかる後、前
記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
複数枚積層し、高温(約1800℃)で焼成することに
よって製作される。
クス基体1は例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成
る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てグリーンシート(生シート)を形成し、しかる後、前
記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに
複数枚積層し、高温(約1800℃)で焼成することに
よって製作される。
【0014】また前記セラミックス基体1には枠部2の
内側からセラミックス基体1の下面にかけて導出する複
数個のメタライズ配線層5が被着形成されており、該メ
タライズ配線層5の枠部2内側には半導体素子4の電極
がボンデイングワイヤ6を介して電気的に接続され、ま
たセラミックス基体1の下面に導出した部位は外部電気
回路基板の配線導体(不図示)が半田等を介して電気的
に接続される。
内側からセラミックス基体1の下面にかけて導出する複
数個のメタライズ配線層5が被着形成されており、該メ
タライズ配線層5の枠部2内側には半導体素子4の電極
がボンデイングワイヤ6を介して電気的に接続され、ま
たセラミックス基体1の下面に導出した部位は外部電気
回路基板の配線導体(不図示)が半田等を介して電気的
に接続される。
【0015】前記セラミックス基体1に設けた複数個の
メタライズ配線層5はタングステン、モリブデン、マン
ガン等の金属粉末から成り、該メタライズ配線層5は半
導体素子4の各電極を所定の外部電気回路に電気的に接
続する作用をなす。
メタライズ配線層5はタングステン、モリブデン、マン
ガン等の金属粉末から成り、該メタライズ配線層5は半
導体素子4の各電極を所定の外部電気回路に電気的に接
続する作用をなす。
【0016】前記メタライズ配線層5は例えば、タング
ステン等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得
た金属ペーストをセラミックス基体1となるグリーンシ
ートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パタ
ーンに印刷塗布しておくことによって枠部枠部2内側か
らセラミックス基体1の下面にかけて所定パターンに被
着導出される。
ステン等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得
た金属ペーストをセラミックス基体1となるグリーンシ
ートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パタ
ーンに印刷塗布しておくことによって枠部枠部2内側か
らセラミックス基体1の下面にかけて所定パターンに被
着導出される。
【0017】なお、前記メタライズ配線層5はその露出
する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法によリ1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくとメタライズ配線層
5の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層5とボンデイングワイヤ6との接続及び
メタライズ配線層5と外部電気回路基板の配線導体との
接続を強固なものとなすことができる。従って、前記メ
タライズ配線層5の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に
優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により
1.0乃至20.0μmの厚みに被着させておくことが
好ましい。
する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法によリ1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくとメタライズ配線層
5の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ配線層5とボンデイングワイヤ6との接続及び
メタライズ配線層5と外部電気回路基板の配線導体との
接続を強固なものとなすことができる。従って、前記メ
タライズ配線層5の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に
優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属をメッキ法により
1.0乃至20.0μmの厚みに被着させておくことが
好ましい。
【0018】また前記セラミックス基体1の枠部2上面
には枠状のメタライズ金属層7が被着形成されており、
該メタライズ金属層7には金属枠体8がロウ材9を介し
てロウ付けされている。
には枠状のメタライズ金属層7が被着形成されており、
該メタライズ金属層7には金属枠体8がロウ材9を介し
てロウ付けされている。
【0019】前記セラミックス基体1の枠部2上面のメ
タライズ金属層7はタングステン、モリブデン、マンガ
ン等の高融点金属粉末から成り、該メタライズ金属層7
は金属枠体8をセラミックス基体1にロウ付けする際の
下地金属層として作用する。
タライズ金属層7はタングステン、モリブデン、マンガ
ン等の高融点金属粉末から成り、該メタライズ金属層7
は金属枠体8をセラミックス基体1にロウ付けする際の
下地金属層として作用する。
【0020】前記メタライズ金属層7はタングステン等
の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストをセラミックス基体1と成るグリーンシー
ト上に従来周知のスクリーン印刷法等により予め所定厚
み、所定パターンに印刷塗布しておくことによってセラ
ミックス基体1の枠部2上面に枠状に被着形成される。
の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストをセラミックス基体1と成るグリーンシー
ト上に従来周知のスクリーン印刷法等により予め所定厚
み、所定パターンに印刷塗布しておくことによってセラ
ミックス基体1の枠部2上面に枠状に被着形成される。
【0021】なお、前記メタライズ金属層7はその露出
する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法によリ1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくとメタライズ金属層
7の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ金属層7と金属枠体8とのロウ付けを強固なも
のとなすことができる。従って、前記メタライズ金属層
7の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法によリ1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくとメタライズ金属層
7の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメ
タライズ金属層7と金属枠体8とのロウ付けを強固なも
のとなすことができる。従って、前記メタライズ金属層
7の表面にはニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ
材と濡れ性の良い金属をメッキ法により1.0乃至2
0.0μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0022】更に前記メタライズ金属層7にロウ材9を
介してロウ付けされる金属枠体8は金属製蓋体3をセラ
ミックス基体1に取着する際の下地金属部材として作用
し、金属枠体8に金属製蓋体3をシームウエルド法等に
より溶接することによって金属製蓋体3はセラミックス
基体1の枠部2上に取着される。
介してロウ付けされる金属枠体8は金属製蓋体3をセラ
ミックス基体1に取着する際の下地金属部材として作用
し、金属枠体8に金属製蓋体3をシームウエルド法等に
より溶接することによって金属製蓋体3はセラミックス
基体1の枠部2上に取着される。
【0023】前記金属枠体8は鉄ーニッケルーコバルト
合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルトのインゴット(塊)に圧延
加工法、プレス打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工
法を施すことによって所定の枠状に形成され、銀ロウ等
のロウ材9によってメタライズ金属層7上に取着され
る。
合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルトのインゴット(塊)に圧延
加工法、プレス打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工
法を施すことによって所定の枠状に形成され、銀ロウ等
のロウ材9によってメタライズ金属層7上に取着され
る。
【0024】前記金属枠体8のメタライズ金属層7上へ
の取着は、メタライズ金属層7上に板状のロウ材9と金
属枠体8とを順次、載置させ、しかる後、これを約90
0℃の温度に加熱し、ロウ材9を溶融させることによっ
て行われる。
の取着は、メタライズ金属層7上に板状のロウ材9と金
属枠体8とを順次、載置させ、しかる後、これを約90
0℃の温度に加熱し、ロウ材9を溶融させることによっ
て行われる。
【0025】また前記メタライズ金属層7上にロウ材9
を介して取着された金属枠体8は、図2に示すように、
金属枠体8の側面とメタライズ金属層7の上面との間に
ロウ材9の溜まり部Aが形成されており、該ロウ材9の
溜まり部Aによって、メタライズ金属層7に対する金属
枠体8のロウ付け取着強度が高いものとなっている。
を介して取着された金属枠体8は、図2に示すように、
金属枠体8の側面とメタライズ金属層7の上面との間に
ロウ材9の溜まり部Aが形成されており、該ロウ材9の
溜まり部Aによって、メタライズ金属層7に対する金属
枠体8のロウ付け取着強度が高いものとなっている。
【0026】更に前記メタライズ金属層7に金属枠体8
をロウ材9を介して取着する場合、メタライズ金属層7
の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域にロウ材9
が存在しないロウ材の非接触領域Bを形成しておく。こ
のロウ材の非接触領域Bはメタライズ金属層7の外周辺
に応力が集中するのを防止する作用をなし、該ロウ材の
非接触領域Bを設けておくことによって、セラミックス
基体1の枠部2上面に被着させたメタライズ金属層7に
ロウ付けされている金属枠体8に金属製蓋体3を溶接に
より取着する際、金属枠体8のみが高温となって金属枠
体8とセラミックス基体1の枠部2との間に両者の熱膨
張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとしてもその
応力はメタライズ金属層7の外周辺より30μm以上離
れた位置に作用して外周辺に集中作用することはなく、
その結果、メタライズ金属層7がその外周辺においてセ
ラミックス基体1の枠部2上面より剥離するのが有効に
防止され、これによってセラミックス基体1の枠部2上
面にメタライズ金属層7を強固に被着させておくことが
できるとともにメタライズ金属層7に金属枠体8を強固
にロウ付け取着することができ、容器の気密封止を完全
として容器の内部に収容する半導体素子4を長期間にわ
たり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
をロウ材9を介して取着する場合、メタライズ金属層7
の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域にロウ材9
が存在しないロウ材の非接触領域Bを形成しておく。こ
のロウ材の非接触領域Bはメタライズ金属層7の外周辺
に応力が集中するのを防止する作用をなし、該ロウ材の
非接触領域Bを設けておくことによって、セラミックス
基体1の枠部2上面に被着させたメタライズ金属層7に
ロウ付けされている金属枠体8に金属製蓋体3を溶接に
より取着する際、金属枠体8のみが高温となって金属枠
体8とセラミックス基体1の枠部2との間に両者の熱膨
張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとしてもその
応力はメタライズ金属層7の外周辺より30μm以上離
れた位置に作用して外周辺に集中作用することはなく、
その結果、メタライズ金属層7がその外周辺においてセ
ラミックス基体1の枠部2上面より剥離するのが有効に
防止され、これによってセラミックス基体1の枠部2上
面にメタライズ金属層7を強固に被着させておくことが
できるとともにメタライズ金属層7に金属枠体8を強固
にロウ付け取着することができ、容器の気密封止を完全
として容器の内部に収容する半導体素子4を長期間にわ
たり正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0027】なお、前記ロウ材の非接触領域Bはメタラ
イズ金属層7の外周辺より30μm未満の幅の領域であ
ると金属枠体8に金属製蓋体3を溶接により取着する際
に発生する応力がメタライズ金属層7の外周辺に集中作
用し、メタライズ金属層7がセラミックス基体1の枠部
2上面より剥離してしまう。従って、メタライズ金属層
7がセラミックス基体1の枠部2上面より剥離しないよ
うにするには前記ロウ材の非接触領域Bはメタライズ金
属層7の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域に形
成する必要がある。
イズ金属層7の外周辺より30μm未満の幅の領域であ
ると金属枠体8に金属製蓋体3を溶接により取着する際
に発生する応力がメタライズ金属層7の外周辺に集中作
用し、メタライズ金属層7がセラミックス基体1の枠部
2上面より剥離してしまう。従って、メタライズ金属層
7がセラミックス基体1の枠部2上面より剥離しないよ
うにするには前記ロウ材の非接触領域Bはメタライズ金
属層7の外周辺より少なくとも30μmの幅の領域に形
成する必要がある。
【0028】また前記ロウ材の非接触領域Bはメタライ
ズ金属層7の上面に金属枠体8をロウ材9を介してロウ
付け取着する際、予めメタライズ金属層7上面の外周辺
より少なくとも30μmの幅の領域にカーボンインクや
アルミナ粉末ペースト等を塗布しておくことによって、
或いはメタライズ金属層7の上面に金属枠体8をロウ材
9でロウ付け取着した後、メタライズ金属層7上面の外
周辺より少なくとも30μmの幅の領域に被着している
ロウ材9をシアン化ナトリウムやシアン化カリウム等を
含むシアン系のロウ材剥離液で除去することによって形
成される。
ズ金属層7の上面に金属枠体8をロウ材9を介してロウ
付け取着する際、予めメタライズ金属層7上面の外周辺
より少なくとも30μmの幅の領域にカーボンインクや
アルミナ粉末ペースト等を塗布しておくことによって、
或いはメタライズ金属層7の上面に金属枠体8をロウ材
9でロウ付け取着した後、メタライズ金属層7上面の外
周辺より少なくとも30μmの幅の領域に被着している
ロウ材9をシアン化ナトリウムやシアン化カリウム等を
含むシアン系のロウ材剥離液で除去することによって形
成される。
【0029】かくして上述のパッケージによればセラミ
ックス基体1の枠部2内側に位置する載置部1aに半導
体素子4をロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取
着するとともに該半導体素子4の各電極をボンデイング
ワイヤ6を介してメタライズ配線層5に電気的に接続
し、しかる後、セラミックス基体1の枠部2上面にロウ
付けした金属枠体8に金属製蓋体3をシームウエルド法
等により溶接し、上面外周部に枠部2を有するセラミッ
クス基体1と金属製蓋体3とから成る容器内部に半導体
素子4を気密に封止することによって最終製品としての
電子装置となる。
ックス基体1の枠部2内側に位置する載置部1aに半導
体素子4をロウ材、ガラス、樹脂等の接着剤を介して取
着するとともに該半導体素子4の各電極をボンデイング
ワイヤ6を介してメタライズ配線層5に電気的に接続
し、しかる後、セラミックス基体1の枠部2上面にロウ
付けした金属枠体8に金属製蓋体3をシームウエルド法
等により溶接し、上面外周部に枠部2を有するセラミッ
クス基体1と金属製蓋体3とから成る容器内部に半導体
素子4を気密に封止することによって最終製品としての
電子装置となる。
【0030】なお、本発明は上述したパッケージに限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
あれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例
ではセラミックス基体1の下面に導出するメタライズ配
線層5を直接、外部電気回路基板の配線導体に接続する
と説明したが、メタライズ配線層5に外部リード端子を
予めロウ付けしておき、該外部リード端子を外部電気回
路に接続させることによって容器の内部に収容される電
子部品を外部電気回路に接続されるようにしておいても
よい。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
あれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例
ではセラミックス基体1の下面に導出するメタライズ配
線層5を直接、外部電気回路基板の配線導体に接続する
と説明したが、メタライズ配線層5に外部リード端子を
予めロウ付けしておき、該外部リード端子を外部電気回
路に接続させることによって容器の内部に収容される電
子部品を外部電気回路に接続されるようにしておいても
よい。
【0031】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層
に金属枠体を、該金属枠体の側面とメタライズ金属層の
上面との間にロウ材の溜まり部を形成しつつロウ付け取
着するにあたり、メタライズ金属層の外周辺より少なく
とも30μmの幅の領域にロウ材の非接触領域を形成す
るようになしたことからセラミックス基体の枠部上面の
メタライズ金属層にロウ付けされている金属枠体に金属
製蓋体を溶接により取着する際、金属枠体のみが高温と
なって金属枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者
の熱膨張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとして
もその応力はロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属
層の外周辺に集中作用することはなく、その結果、セラ
ミックス基体の枠部上面にメタライズ金属層が、またメ
タライズ金属層に金属枠体が各々の強固に接合し、容器
の気密封止を完全として容器の内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
れば、セラミックス基体の枠部上面のメタライズ金属層
に金属枠体を、該金属枠体の側面とメタライズ金属層の
上面との間にロウ材の溜まり部を形成しつつロウ付け取
着するにあたり、メタライズ金属層の外周辺より少なく
とも30μmの幅の領域にロウ材の非接触領域を形成す
るようになしたことからセラミックス基体の枠部上面の
メタライズ金属層にロウ付けされている金属枠体に金属
製蓋体を溶接により取着する際、金属枠体のみが高温と
なって金属枠体とセラミックス基体の枠部との間に両者
の熱膨張係量の相違に伴う大きな応力が発生したとして
もその応力はロウ材の溜まり部を介してメタライズ金属
層の外周辺に集中作用することはなく、その結果、セラ
ミックス基体の枠部上面にメタライズ金属層が、またメ
タライズ金属層に金属枠体が各々の強固に接合し、容器
の気密封止を完全として容器の内部に収容する電子部品
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品収納用パッケージを半導体素
子を収容するパッケージに適用した場合の一実施例を示
す断面図である。
子を収容するパッケージに適用した場合の一実施例を示
す断面図である。
【図2】図1に示すパッケージの要部拡大断面図であ
る。
る。
1・・・・・セラミックス基体 2・・・・・枠部 3・・・・・金属製蓋体 4・・・・・半導体素子(電子部品) 5・・・・・メタライズ配線層 7・・・・・メタライズ金属層 8・・・・・金属枠体 9・・・・・ロウ材 A・・・・・ロウ材の溜まり部 B・・・・・ロウ材の非接触領域
Claims (1)
- 【請求項1】上面外周部に枠部を有するセラミックス基
体と、該枠部上面に被着された枠状のメタライズ金属層
と、該メタライズ金属層にロウ付けされた金属枠体と、
該金属枠体に溶接される金属製蓋体とから成り、内部に
電子部品を気密に収容する電子部品収納用パッケージで
あって、前記枠状メタライズ金属層の外周辺より少なく
とも30μmの幅の領域にロウ材の非接触領域を形成し
たことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289695A JPH11126847A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 電子部品収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289695A JPH11126847A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 電子部品収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126847A true JPH11126847A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17746555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9289695A Pending JPH11126847A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 電子部品収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126847A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260949A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ及びその製造方法 |
| JP2001068575A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用のシールリングとそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2002043701A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 多数個取りセラミック配線基板およびセラミック配線基板 |
| JP2003163421A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
| JP2007290027A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Kyocera Corp | セラミック部材と金属部材との接合体 |
| JP2013251476A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックパッケージ |
| JP2014060239A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | 電子部品素子収納用パッケージ |
| WO2014125630A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 株式会社島津製作所 | 放電イオン化電流検出器 |
| JP2016225606A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックパッケージおよびその製造方法 |
| JP2020508878A (ja) * | 2017-02-28 | 2020-03-26 | ローズマウント インコーポレイテッド | 脆性材料のための接合 |
-
1997
- 1997-10-22 JP JP9289695A patent/JPH11126847A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260949A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ及びその製造方法 |
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| JP2014060239A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | 電子部品素子収納用パッケージ |
| WO2014125630A1 (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 株式会社島津製作所 | 放電イオン化電流検出器 |
| JP5987969B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2016-09-07 | 株式会社島津製作所 | 放電イオン化電流検出器 |
| JP2016225606A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックパッケージおよびその製造方法 |
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