JPH11126979A - 多層基板及びその母材 - Google Patents
多層基板及びその母材Info
- Publication number
- JPH11126979A JPH11126979A JP9289989A JP28998997A JPH11126979A JP H11126979 A JPH11126979 A JP H11126979A JP 9289989 A JP9289989 A JP 9289989A JP 28998997 A JP28998997 A JP 28998997A JP H11126979 A JPH11126979 A JP H11126979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- layer
- substrate
- interface
- polyimide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックと有機高分子との密着性に優れた
多層基板及びその母材を提供すること。 【解決手段】 多層基板１は、集積回路が搭載される基
板であり、セラミック基板２の表面に、複数のポリイミ
ド層からなる絶縁層３が積層されたものである。絶縁層
３は、セラミック基板２の表面に直接に接合される厚さ
３μｍの界面部ポリイミド層４と、界面部ポリイミド層
４の上に積層される４層の上ポリイミド層５、即ち界面
部ポリイミド層４側から、厚さ２２μｍの上第１ポリイ
ミド層６、厚さ２５μｍの上第２ポリイミド層７、厚さ
２５μｍの上第３ポリイミド層８、上第４ポリイミド層
９から構成されている。このうち、界面部ポリイミド層
４は、比較的大きな熱膨張係数を有する通常ポリイミド
からなり、また、４層の上ポリイミド層５の各々は、熱
膨張係数が小さな低膨張ポリイミドからなる。
多層基板及びその母材を提供すること。 【解決手段】 多層基板１は、集積回路が搭載される基
板であり、セラミック基板２の表面に、複数のポリイミ
ド層からなる絶縁層３が積層されたものである。絶縁層
３は、セラミック基板２の表面に直接に接合される厚さ
３μｍの界面部ポリイミド層４と、界面部ポリイミド層
４の上に積層される４層の上ポリイミド層５、即ち界面
部ポリイミド層４側から、厚さ２２μｍの上第１ポリイ
ミド層６、厚さ２５μｍの上第２ポリイミド層７、厚さ
２５μｍの上第３ポリイミド層８、上第４ポリイミド層
９から構成されている。このうち、界面部ポリイミド層
４は、比較的大きな熱膨張係数を有する通常ポリイミド
からなり、また、４層の上ポリイミド層５の各々は、熱
膨張係数が小さな低膨張ポリイミドからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板の
表面にポリイミド等の有機高分子からなる絶縁層を積層
してなる例えばＩＣ基板等に用いられる多層基板及びそ
の母材に関する。
表面にポリイミド等の有機高分子からなる絶縁層を積層
してなる例えばＩＣ基板等に用いられる多層基板及びそ
の母材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば集積回路基板（ＩＣ基
板）等の基板として、セラミック基板の表面にポリイミ
ド等の有機高分子からなる絶縁層を積層してなる多層基
板が知られている。
板）等の基板として、セラミック基板の表面にポリイミ
ド等の有機高分子からなる絶縁層を積層してなる多層基
板が知られている。
【０００３】この多層基板に関する技術として、例えば
特開昭６３−１４８６５９号公報には、ポリイミドを層
間絶縁層とした場合に、ポリイミド下の電極又は配線金
属の表面を、ポリイミドとの密着に優れた物質で覆う技
術が記載されている。また、実開平１−１１３３８７号
公報には、下層のポリイミド絶縁層の端部を、セラミッ
ク基板の上面に達するまで覆う技術が記載されている。
特開昭６３−１４８６５９号公報には、ポリイミドを層
間絶縁層とした場合に、ポリイミド下の電極又は配線金
属の表面を、ポリイミドとの密着に優れた物質で覆う技
術が記載されている。また、実開平１−１１３３８７号
公報には、下層のポリイミド絶縁層の端部を、セラミッ
ク基板の上面に達するまで覆う技術が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術では、直接に有機高分子層とセラミック基板との
密着性を上げることができないので、必ずしも十分では
ない。つまり、従来では、セラミック基板の表面にポリ
イミド等からなる有機高分子層を積層すると、密着強度
が不足して、製造時等に有機高分子層が歪んで膨れる
「フクレ」や、有機高分子層がセラミック基板から剥が
れる「剥がれ」が生じるという問題があった。
た技術では、直接に有機高分子層とセラミック基板との
密着性を上げることができないので、必ずしも十分では
ない。つまり、従来では、セラミック基板の表面にポリ
イミド等からなる有機高分子層を積層すると、密着強度
が不足して、製造時等に有機高分子層が歪んで膨れる
「フクレ」や、有機高分子層がセラミック基板から剥が
れる「剥がれ」が生じるという問題があった。
【０００５】また、セラミック基板上に有機高分子層を
複数積層した多層基板を製造する場合には、一挙に多く
の多層基板を製造するために、目的とする寸法より大き
な多層基板の母材を製造し、それを切断して所望の寸法
の多層基板を多数切り出しているが、その切断の際に、
セラミック基板と有機高分子層との間で剥がれが生じ、
不良品が多発するという問題があった。
複数積層した多層基板を製造する場合には、一挙に多く
の多層基板を製造するために、目的とする寸法より大き
な多層基板の母材を製造し、それを切断して所望の寸法
の多層基板を多数切り出しているが、その切断の際に、
セラミック基板と有機高分子層との間で剥がれが生じ、
不良品が多発するという問題があった。
【０００６】更に、有機高分子としてポリイミドを用い
る際には、セラミック基板の反りを低減するために、セ
ラミック基板と接する層に低膨張ポリイミドを使用する
ことがあるが、この場合には、分子鎖が剛直で直線状な
ため、密着強度は更に低下するという問題もあった。
る際には、セラミック基板の反りを低減するために、セ
ラミック基板と接する層に低膨張ポリイミドを使用する
ことがあるが、この場合には、分子鎖が剛直で直線状な
ため、密着強度は更に低下するという問題もあった。
【０００７】そこで、本発明は、セラミックと有機高分
子との密着性に優れた多層基板及びその母材を提供する
ことを目的とする。
子との密着性に優れた多層基板及びその母材を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１に記載の発明は、セラミック基板の
表面に、有機高分子からなる絶縁層を多数積層してなる
多層基板において、セラミック基板の表面の面粗度を、
０．２５μｍＲａ以上、１．０μｍＲａ以下とすること
を特徴とする多層基板を要旨とする。
になされた請求項１に記載の発明は、セラミック基板の
表面に、有機高分子からなる絶縁層を多数積層してなる
多層基板において、セラミック基板の表面の面粗度を、
０．２５μｍＲａ以上、１．０μｍＲａ以下とすること
を特徴とする多層基板を要旨とする。
【０００９】つまり、セラミック基板の面粗度を０．２
５μｍＲａ以上とすると、表面の凹凸が適度に粗くなっ
て、有機高分子からなる絶縁層（以下有機高分子層とも
記す）との密着性が高まる。それによって、製造時等に
おける有機高分子層の「フクレ」や「剥がれ」を防止す
ることができる。また、多くの多層基板を母材から切断
して切り出す場合にも、有機高分子層が剥がれ難く、不
良品の発生を防止できる。
５μｍＲａ以上とすると、表面の凹凸が適度に粗くなっ
て、有機高分子からなる絶縁層（以下有機高分子層とも
記す）との密着性が高まる。それによって、製造時等に
おける有機高分子層の「フクレ」や「剥がれ」を防止す
ることができる。また、多くの多層基板を母材から切断
して切り出す場合にも、有機高分子層が剥がれ難く、不
良品の発生を防止できる。
【００１０】また、上述した様に、面粗度が所定値より
高い方が密着性が高く好ましいが、面粗度が１．０μｍ
Ｒａを越える場合は、抵抗値のばらつきが大きくなると
いう別な問題が生じる。従って、１．０μｍＲａ以下の
ものは、抵抗値のばらつきが小さく好適である。
高い方が密着性が高く好ましいが、面粗度が１．０μｍ
Ｒａを越える場合は、抵抗値のばらつきが大きくなると
いう別な問題が生じる。従って、１．０μｍＲａ以下の
ものは、抵抗値のばらつきが小さく好適である。
【００１１】この抵抗値が悪くなるのは、面粗度が大き
くなると、セラミック基板の表面に形成する電極層の寸
法のばらつき、及び抵抗層の寸法ばらつきが大きくな
り、また、シート抵抗（セラミック基板側の抵抗）もば
らつくため、全体として抵抗層における抵抗値のばらつ
きが大きくなると考えられる。
くなると、セラミック基板の表面に形成する電極層の寸
法のばらつき、及び抵抗層の寸法ばらつきが大きくな
り、また、シート抵抗（セラミック基板側の抵抗）もば
らつくため、全体として抵抗層における抵抗値のばらつ
きが大きくなると考えられる。
【００１２】ここで、Ｒａとは、ＪＩＳにて規定される
中心線平均粗さである。また、セラミック基板の材料と
しては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、マグ
ネシウム、窒化珪素、スピネル等の焼結セラミックや、
結晶化ガラス、ガラス−セラミック複合体等の低温焼成
材料などが挙げられる。
中心線平均粗さである。また、セラミック基板の材料と
しては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、マグ
ネシウム、窒化珪素、スピネル等の焼結セラミックや、
結晶化ガラス、ガラス−セラミック複合体等の低温焼成
材料などが挙げられる。
【００１３】請求項２の発明は、セラミック基板の表面
の面粗度を、０．４μｍＲａ以上とすることを特徴とす
る請求項１に記載の多層基板を要旨とする。特に面粗度
が０．４μｍＲａ以上の場合には、一層密着力が高く、
前記請求項１の発明によって得られる効果が一層顕著と
なるので好適である。
の面粗度を、０．４μｍＲａ以上とすることを特徴とす
る請求項１に記載の多層基板を要旨とする。特に面粗度
が０．４μｍＲａ以上の場合には、一層密着力が高く、
前記請求項１の発明によって得られる効果が一層顕著と
なるので好適である。
【００１４】請求項３の発明は、有機高分子がポリイミ
ドであることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層
基板を要旨とする。つまり、本発明では、絶縁層の材料
として、有機高分子であるポリイミドを採用することが
できる。
ドであることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層
基板を要旨とする。つまり、本発明では、絶縁層の材料
として、有機高分子であるポリイミドを採用することが
できる。
【００１５】請求項４の発明は、絶縁層は、セラミック
基板の表面に接する通常の熱膨張係数を有する通常ポリ
イミドからなる界面部ポリイミド層と、界面部ポリイミ
ド層に積層される通常より小さい熱膨張係数を有する低
膨張ポリイミドからなる上ポリイミド層とを備えること
を特徴とする請求項３に記載の多層基板を要旨とする。
基板の表面に接する通常の熱膨張係数を有する通常ポリ
イミドからなる界面部ポリイミド層と、界面部ポリイミ
ド層に積層される通常より小さい熱膨張係数を有する低
膨張ポリイミドからなる上ポリイミド層とを備えること
を特徴とする請求項３に記載の多層基板を要旨とする。
【００１６】つまり、本発明では、従来とは逆に、熱膨
張率が大きな通常ポリイミドを用いて界面部ポリイミド
層を形成するとともに、熱膨張係数の小さな低膨張ポリ
イミドを用いて上ポリイミド層を形成している。この通
常ポリイミドは、低膨張ポリイミドに比べて、分子鎖が
比較的柔軟で直線状ではないため、セラミック基板に対
する密着性が高い。また、低膨張ポリイミドは、分子鎖
が剛直で直線状であるため、基板の反りに対する耐性が
高い。
張率が大きな通常ポリイミドを用いて界面部ポリイミド
層を形成するとともに、熱膨張係数の小さな低膨張ポリ
イミドを用いて上ポリイミド層を形成している。この通
常ポリイミドは、低膨張ポリイミドに比べて、分子鎖が
比較的柔軟で直線状ではないため、セラミック基板に対
する密着性が高い。また、低膨張ポリイミドは、分子鎖
が剛直で直線状であるため、基板の反りに対する耐性が
高い。
【００１７】従って、本発明によれば、通常ポリイミド
により密着性を高め、低膨張ポリイミドによって反りを
防止するので、密着性及び反りにおいて共に高い性能を
実現することができる。ここで、通常ポリイミドとは、
熱膨張係数が、３０×１０-6／℃以上のものを示し、一
方、低膨張ポリイミドとは、通常ポリイミドより熱膨張
係数が小さな、好ましくは２０×１０-6／℃以下のもの
を示す。例えば通常ポリイミドとしては、熱膨張係数が
５８［×１０-6／℃］の日立化成工業社製のＰＩＱ（商
品名）を採用でき、一方、低膨張ポリイミドとしては、
熱膨張係数が１０［×１０-6／℃］の日立化成工業社製
のＰＩＸ−Ｌ１１０ＳＸ（商品名）や、熱膨張係数が２
０［×１０-6／℃］の東レ社製のＵＲ−５１００ＦＸ
（商品名）等を採用できる。
により密着性を高め、低膨張ポリイミドによって反りを
防止するので、密着性及び反りにおいて共に高い性能を
実現することができる。ここで、通常ポリイミドとは、
熱膨張係数が、３０×１０-6／℃以上のものを示し、一
方、低膨張ポリイミドとは、通常ポリイミドより熱膨張
係数が小さな、好ましくは２０×１０-6／℃以下のもの
を示す。例えば通常ポリイミドとしては、熱膨張係数が
５８［×１０-6／℃］の日立化成工業社製のＰＩＱ（商
品名）を採用でき、一方、低膨張ポリイミドとしては、
熱膨張係数が１０［×１０-6／℃］の日立化成工業社製
のＰＩＸ−Ｌ１１０ＳＸ（商品名）や、熱膨張係数が２
０［×１０-6／℃］の東レ社製のＵＲ−５１００ＦＸ
（商品名）等を採用できる。
【００１８】請求項５の発明は、界面部ポリイミド層の
厚さが、０．１μｍ以上、２５μｍ以下であることを特
徴とする請求項４に記載の多層基板を要旨とする。つま
り、界面部ポリイミドの厚さが０．１μｍ以上である
と、セラミックとポリイミド層との密着性が確保できる
という利点があり、２５μｍ以下であると、基板の反り
が小さく抑えられるという利点があるので、この範囲が
好適である。
厚さが、０．１μｍ以上、２５μｍ以下であることを特
徴とする請求項４に記載の多層基板を要旨とする。つま
り、界面部ポリイミドの厚さが０．１μｍ以上である
と、セラミックとポリイミド層との密着性が確保できる
という利点があり、２５μｍ以下であると、基板の反り
が小さく抑えられるという利点があるので、この範囲が
好適である。
【００１９】請求項６の発明は、界面部ポリイミド層の
厚さが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴と
する請求項５に記載の多層基板を要旨とする。つまり、
界面部ポリイミドの厚さが１μｍ以上、１０μｍ以下で
あると、前記請求項５に記載した利点が一層大きくなる
ので、この範囲が一層好適である。
厚さが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴と
する請求項５に記載の多層基板を要旨とする。つまり、
界面部ポリイミドの厚さが１μｍ以上、１０μｍ以下で
あると、前記請求項５に記載した利点が一層大きくなる
ので、この範囲が一層好適である。
【００２０】請求項７の発明は、多層基板が切り出され
る母材であって、請求項１〜６のいずれかに記載の多層
基板と同様な構成を有することを特徴とする多層基板の
母材を要旨とする。つまり、本発明では、母材から切り
出された多層基板ではなく、母材自身を示している。こ
の母材は、上述した多層基板と寸法は異なるものの同様
な構成を有しているので、高い密着性や抵抗のばらつき
の少なさ等の同様な効果を奏する。
る母材であって、請求項１〜６のいずれかに記載の多層
基板と同様な構成を有することを特徴とする多層基板の
母材を要旨とする。つまり、本発明では、母材から切り
出された多層基板ではなく、母材自身を示している。こ
の母材は、上述した多層基板と寸法は異なるものの同様
な構成を有しているので、高い密着性や抵抗のばらつき
の少なさ等の同様な効果を奏する。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の多層基板及びその母材の
例（実施例）を図に基づいて説明する。 ａ）図１に本実施例の多層基板１の一部を破断して示す
が、多層基板１は、集積回路（ＩＣ）が搭載される基板
であり、セラミック基板２の表面に、複数のポリイミド
層からなる絶縁層３が積層されたものである。
例（実施例）を図に基づいて説明する。 ａ）図１に本実施例の多層基板１の一部を破断して示す
が、多層基板１は、集積回路（ＩＣ）が搭載される基板
であり、セラミック基板２の表面に、複数のポリイミド
層からなる絶縁層３が積層されたものである。
【００２２】前記セラミック基板２は、アルミナからな
り、縦横各２０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍである。一方、絶
縁層３は、セラミック基板２の表面に直接に接合される
厚さ３μｍの界面部ポリイミド層４と、界面部ポリイミ
ド層４の上に積層される４層の上ポリイミド層５、即ち
界面部ポリイミド層４側から、厚さ２２μｍの上第１ポ
リイミド層６、厚さ２５μｍの上第２ポリイミド層７、
厚さ２５μｍの上第３ポリイミド層８、厚さ２５μｍの
上第４ポリイミド層９から構成されている。
り、縦横各２０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍである。一方、絶
縁層３は、セラミック基板２の表面に直接に接合される
厚さ３μｍの界面部ポリイミド層４と、界面部ポリイミ
ド層４の上に積層される４層の上ポリイミド層５、即ち
界面部ポリイミド層４側から、厚さ２２μｍの上第１ポ
リイミド層６、厚さ２５μｍの上第２ポリイミド層７、
厚さ２５μｍの上第３ポリイミド層８、厚さ２５μｍの
上第４ポリイミド層９から構成されている。
【００２３】このうち、界面部ポリイミド層４は、比較
的大きな熱膨張係数を有する通常ポリイミドからなり、
例えば熱膨張係数が５８［×１０-6／℃］の日立化成工
業社製のＰＩＱ（商品名）から構成されている。また、
４層の上ポリイミド層５の各々は、熱膨張係数が小さな
低膨張ポリイミドからなり、例えば熱膨張係数が１０
［×１０-6／℃］の日立化成工業社製のＰＩＸ−Ｌ１１
０ＳＸ（商品名）、又は熱膨張係数が２０［×１０-6／
℃］の東レ社製のＵＲ−５１００ＦＸ（商品名）から構
成されている。
的大きな熱膨張係数を有する通常ポリイミドからなり、
例えば熱膨張係数が５８［×１０-6／℃］の日立化成工
業社製のＰＩＱ（商品名）から構成されている。また、
４層の上ポリイミド層５の各々は、熱膨張係数が小さな
低膨張ポリイミドからなり、例えば熱膨張係数が１０
［×１０-6／℃］の日立化成工業社製のＰＩＸ−Ｌ１１
０ＳＸ（商品名）、又は熱膨張係数が２０［×１０-6／
℃］の東レ社製のＵＲ−５１００ＦＸ（商品名）から構
成されている。
【００２４】また、前記セラミック基板２の表面や、上
ポリイミド層５の各々の層の層間もしくは表面には、例
えばＣｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕからなる表面配線層
１１やＣｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｕからなる内部配線層１
１’が設けられ、各配線層１１，１１’を基板の厚み方
向に接続するために、例えばＣｕが孔に充填されてなる
ビア１２が設けられている。
ポリイミド層５の各々の層の層間もしくは表面には、例
えばＣｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕからなる表面配線層
１１やＣｒ−Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｕからなる内部配線層１
１’が設けられ、各配線層１１，１１’を基板の厚み方
向に接続するために、例えばＣｕが孔に充填されてなる
ビア１２が設けられている。
【００２５】従って、前記界面部ポリイミド層４は、セ
ラミック基板２の表面のうち表面配線層１１の設けられ
ていないセラミック部分を覆うとともに、表面配線層１
１の表面をも覆っている。 ｂ）次に、本実施例の多層基板１の製造方法について、
図２に基づいて説明する。
ラミック基板２の表面のうち表面配線層１１の設けられ
ていないセラミック部分を覆うとともに、表面配線層１
１の表面をも覆っている。 ｂ）次に、本実施例の多層基板１の製造方法について、
図２に基づいて説明する。
【００２６】図２は、多層基板１の製造過程を模式的に
示したものであり（特に縦方向を横方向より大きく拡大
している）、ここでは、本実施例の構成を明瞭にするた
めに、従来例（比較例）をも合わせて記載する。 セラミック板形成工程 まず、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣａＯ等のセラミック材料
と有機成形助剤を用い、ドクターブレード法によりグリ
ーンシートを形成し、これを、脱バインダー後、１５０
０〜１５５０℃の条件で焼成して、セラミック基板２の
切断前の板であるセラミック板２１を製造する。
示したものであり（特に縦方向を横方向より大きく拡大
している）、ここでは、本実施例の構成を明瞭にするた
めに、従来例（比較例）をも合わせて記載する。 セラミック板形成工程 まず、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣａＯ等のセラミック材料
と有機成形助剤を用い、ドクターブレード法によりグリ
ーンシートを形成し、これを、脱バインダー後、１５０
０〜１５５０℃の条件で焼成して、セラミック基板２の
切断前の板であるセラミック板２１を製造する。
【００２７】このセラミック板２１は、縦横各１１０ｍ
ｍ×厚さ１．０ｍｍのアルミナセラミック製の板材であ
り、後述する様に、多層基板母材（母材）２２を縦横各
々５列に切断することにより、５×５＝合計２５個の多
層基板１が切り出される。 研磨工程 次に、セラミック板２１の表面を、所定の範囲（即ち
０．２５μｍＲａ以上、１μｍＲａ以下）の面粗度とな
る様に、所定の粗さの研磨材を使用して研磨する。ここ
では、研磨により０．２７μｍＲａの面粗度とした。
尚、従来例は、０．０２μｍＲａである。
ｍ×厚さ１．０ｍｍのアルミナセラミック製の板材であ
り、後述する様に、多層基板母材（母材）２２を縦横各
々５列に切断することにより、５×５＝合計２５個の多
層基板１が切り出される。 研磨工程 次に、セラミック板２１の表面を、所定の範囲（即ち
０．２５μｍＲａ以上、１μｍＲａ以下）の面粗度とな
る様に、所定の粗さの研磨材を使用して研磨する。ここ
では、研磨により０．２７μｍＲａの面粗度とした。
尚、従来例は、０．０２μｍＲａである。
【００２８】界面部ポリイミド層形成工程 次に、セラミック板２１表面の必要な箇所に、フォトレ
ジストの技術を用い、メッキによって配線層１１を形成
した後に、セラミック板２１表面及び配線層１１の表面
に前記の通常ポリイミドを塗布し、その後乾燥させて、
界面部ポリイミド層４を形成する。尚、図２では、前記
図１で示した配線層１１，１１’及びビア１２は省略し
てある。
ジストの技術を用い、メッキによって配線層１１を形成
した後に、セラミック板２１表面及び配線層１１の表面
に前記の通常ポリイミドを塗布し、その後乾燥させて、
界面部ポリイミド層４を形成する。尚、図２では、前記
図１で示した配線層１１，１１’及びビア１２は省略し
てある。
【００２９】上ポリイミド層形成工程 次に、界面部ポリイミド層４の表面に、前記の低膨張ポ
リイミドを塗布し、その後乾燥させて、上第１ポリイミ
ド層６を形成する。その後、界面部ポリイミド層４及び
上第１ポリイミド層６の必要な箇所、即ちセラミック板
２１上の配線層１１と接触可能な箇所に、フォトリソグ
ラフ等によって、ビア１２となるスルーホール（図示せ
ず）を明ける。
リイミドを塗布し、その後乾燥させて、上第１ポリイミ
ド層６を形成する。その後、界面部ポリイミド層４及び
上第１ポリイミド層６の必要な箇所、即ちセラミック板
２１上の配線層１１と接触可能な箇所に、フォトリソグ
ラフ等によって、ビア１２となるスルーホール（図示せ
ず）を明ける。
【００３０】次に、上第１ポリイミド層６の表面の必要
な箇所に、フォトレジストの技術を用い、メッキによっ
て配線層１１を形成するとともに、スルーホール内にＣ
ｕペーストを充填する。以下同様にして、上第２〜上第
４ポリイミド層７〜９を形成するとともに、各層におい
て配線層１１及びビア１２を形成し、多層基板母材２２
を製造する。
な箇所に、フォトレジストの技術を用い、メッキによっ
て配線層１１を形成するとともに、スルーホール内にＣ
ｕペーストを充填する。以下同様にして、上第２〜上第
４ポリイミド層７〜９を形成するとともに、各層におい
て配線層１１及びビア１２を形成し、多層基板母材２２
を製造する。
【００３１】切断工程 次に、多層基板母材２２を、切断器（図示せず）を用い
て、縦横各々５列に切断して、合計２５個の多層基板１
を切り出す。この様に、本実施例では、セラミック基板
２の表面の面粗度を、０．２７μｍＲａの様に０．２５
μｍＲａ以上としているので、セラミック基板２と界面
部ポリイミド層４との密着強度が大きい。そのため、絶
縁層３のフクレを防止できるとともに、図３に示す様
に、多層基板母材２２を切断する際の絶縁層３の（比較
例の様な）剥がれを防止することができる。
て、縦横各々５列に切断して、合計２５個の多層基板１
を切り出す。この様に、本実施例では、セラミック基板
２の表面の面粗度を、０．２７μｍＲａの様に０．２５
μｍＲａ以上としているので、セラミック基板２と界面
部ポリイミド層４との密着強度が大きい。そのため、絶
縁層３のフクレを防止できるとともに、図３に示す様
に、多層基板母材２２を切断する際の絶縁層３の（比較
例の様な）剥がれを防止することができる。
【００３２】また、本実施例では、界面部ポリイミド層
４に、それほど剛直ではない通常ポリイミドを使用して
いるので、その点からも、セラミック基板２への密着性
に優れている。更に、本実施例では、絶縁層３の大部分
を占める上ポリイミド層５に、剛直な低膨張ポリイミド
を使用しているので、多層基板１の反りを防止できると
いう効果がある。 ＜実験例＞次に、本実施例の多層基板の効果を確認する
ために行った実験例について説明する。
４に、それほど剛直ではない通常ポリイミドを使用して
いるので、その点からも、セラミック基板２への密着性
に優れている。更に、本実施例では、絶縁層３の大部分
を占める上ポリイミド層５に、剛直な低膨張ポリイミド
を使用しているので、多層基板１の反りを防止できると
いう効果がある。 ＜実験例＞次に、本実施例の多層基板の効果を確認する
ために行った実験例について説明する。
【００３３】ここでは、セラミック基板の表面の面粗度
（表面粗度）を変更するとともに、界面部ポリイミド層
及び上ポリイミド層を構成するポリイミドの種類を変更
した。そして、下記の様にしてカッターナイフ評価、
切断時の剥がれ、基板の反り量、抵抗バラツキを
測定した。その結果を、下記表１に記す。
（表面粗度）を変更するとともに、界面部ポリイミド層
及び上ポリイミド層を構成するポリイミドの種類を変更
した。そして、下記の様にしてカッターナイフ評価、
切断時の剥がれ、基板の反り量、抵抗バラツキを
測定した。その結果を、下記表１に記す。
【００３４】カッターナイフ評価 カッターナイフをセラミック基板と界面部ポリイミド層
との間に差込み、剥がれ易いか否かを調べた。表１にお
いて、１，２，３，４，５のうち数値が大きいほど剥が
れ易いことを示している。
との間に差込み、剥がれ易いか否かを調べた。表１にお
いて、１，２，３，４，５のうち数値が大きいほど剥が
れ易いことを示している。
【００３５】切断時の剥がれ 切断により１００個の多層基板を製造した場合におい
て、界面部ポリイミド層がセラミック基板から剥がれた
ものの個数を示した。 基板の反り量 多層基板母材において、図４（ａ）に示す様な反り量を
測定した。
て、界面部ポリイミド層がセラミック基板から剥がれた
ものの個数を示した。 基板の反り量 多層基板母材において、図４（ａ）に示す様な反り量を
測定した。
【００３６】抵抗バラツキ 図４（ｂ），（ｃ）に示す様に、セラミック基板上に電
極層（縦３００μｍ×横３００μｍ×厚さ５μｍ）を形
成し、この電極層間に、Ｔａ3Ｎからなる縦横２００μ
ｍの寸法の抵抗層を形成してその抵抗値を測定した。そ
して、目標とする抵抗値（５０Ω）に対してどの程度バ
ラツキがあるかを調べた。
極層（縦３００μｍ×横３００μｍ×厚さ５μｍ）を形
成し、この電極層間に、Ｔａ3Ｎからなる縦横２００μ
ｍの寸法の抵抗層を形成してその抵抗値を測定した。そ
して、目標とする抵抗値（５０Ω）に対してどの程度バ
ラツキがあるかを調べた。
【００３７】尚、以下の表において、総合の評価の欄
は、×，△，○，◎の順で評価が高くなることを示して
いる。
は、×，△，○，◎の順で評価が高くなることを示して
いる。
【００３８】
【表１】
【００３９】更に、界面部ポリイミド層の厚さを変更し
て複数の多層基板を製造して、セラミック基板との密着
性及び基板の反り量を確認した。その結果を表２に記
す。
て複数の多層基板を製造して、セラミック基板との密着
性及び基板の反り量を確認した。その結果を表２に記
す。
【００４０】
【表２】
【００４１】また、表１及び表２のポリイミドの種類
Ａ，Ｂ，Ｃを下記表３に記す。
Ａ，Ｂ，Ｃを下記表３に記す。
【００４２】
【表３】
【００４３】i）前記表１から明かな様に、面粗度が
０．２５μｍＲａ以上の場合には、剥がれが少なく好適
である。また、抵抗バラツキは、面粗度が小さいほど小
さく、特に、面粗度が１．０μｍＲａ以下の場合には、
±１０％以内であるので、好適である。
０．２５μｍＲａ以上の場合には、剥がれが少なく好適
である。また、抵抗バラツキは、面粗度が小さいほど小
さく、特に、面粗度が１．０μｍＲａ以下の場合には、
±１０％以内であるので、好適である。
【００４４】従って、剥がれ及び抵抗バラツキを考慮す
ると、面粗度が０．２５μｍＲａ以上、１μｍＲａ以下
の範囲内が好適である。尚、面粗度が０．４μｍＲａ以
上の場合には、剥がれが更に少なく一層好適である。
ると、面粗度が０．２５μｍＲａ以上、１μｍＲａ以下
の範囲内が好適である。尚、面粗度が０．４μｍＲａ以
上の場合には、剥がれが更に少なく一層好適である。
【００４５】ii）更に、多層基板の反りに関しては、界
面部ポリイミド層と上ポリイミド層とが、低膨張ポリイ
ミドＡ−低膨張ポリイミドＡ、低膨張ポリイミドＡ−低
膨張ポリイミドＡ、通常ポリイミドＣ−低膨張ポリイミ
ドＡの関係の場合が好適であるが、カッターナイフ評価
及び切断時の剥がれの実験結果によって示される密着性
は、界面部ポリイミド層が通常ポリイミドから形成され
ているものが高い。
面部ポリイミド層と上ポリイミド層とが、低膨張ポリイ
ミドＡ−低膨張ポリイミドＡ、低膨張ポリイミドＡ−低
膨張ポリイミドＡ、通常ポリイミドＣ−低膨張ポリイミ
ドＡの関係の場合が好適であるが、カッターナイフ評価
及び切断時の剥がれの実験結果によって示される密着性
は、界面部ポリイミド層が通常ポリイミドから形成され
ているものが高い。
【００４６】従って、反りが少なく且つ密着性の高いも
のは、界面部ポリイミド層と上ポリイミド層とが、通常
ポリイミドＣ−低膨張ポリイミドＡの関係のものである
ことが分かる。尚、界面部ポリイミド層と上ポリイミド
層とが、低膨張ポリイミドＡ−低膨張ポリイミドＡ、低
膨張ポリイミドＡ−低膨張ポリイミドＡの関係の場合で
も、面粗度が、０．２５μｍＲａ以上、１．０μｍＲａ
以下の範囲内であれば、ある程度密着性が高いという効
果はある。
のは、界面部ポリイミド層と上ポリイミド層とが、通常
ポリイミドＣ−低膨張ポリイミドＡの関係のものである
ことが分かる。尚、界面部ポリイミド層と上ポリイミド
層とが、低膨張ポリイミドＡ−低膨張ポリイミドＡ、低
膨張ポリイミドＡ−低膨張ポリイミドＡの関係の場合で
も、面粗度が、０．２５μｍＲａ以上、１．０μｍＲａ
以下の範囲内であれば、ある程度密着性が高いという効
果はある。
【００４７】iii）また、前記表２から明かな様に、界
面部ポリイミド層の厚さが、０．１μｍ以上、２５μｍ
以下の場合には、密着性を確保しつつ、基板の反り量も
少ない点で好適であり、特に、界面部ポリイミド層の厚
さが、１μｍ以上、１０μｍ以下の場合は、その効果が
一層顕著になる。
面部ポリイミド層の厚さが、０．１μｍ以上、２５μｍ
以下の場合には、密着性を確保しつつ、基板の反り量も
少ない点で好適であり、特に、界面部ポリイミド層の厚
さが、１μｍ以上、１０μｍ以下の場合は、その効果が
一層顕著になる。
【００４８】
【発明の効果】上述した様に、請求項１に記載の発明で
は、セラミック基板の表面の面粗度を、０．２５μｍＲ
ａ以上、１．０μｍＲａ以下とするので、有機高分子か
らなる絶縁層との密着性が高く、該絶縁層の「フクレ」
や「剥がれ」を防止することができる。また、抵抗値の
ばらつきが小さく好適である。
は、セラミック基板の表面の面粗度を、０．２５μｍＲ
ａ以上、１．０μｍＲａ以下とするので、有機高分子か
らなる絶縁層との密着性が高く、該絶縁層の「フクレ」
や「剥がれ」を防止することができる。また、抵抗値の
ばらつきが小さく好適である。
【００４９】請求項２の発明では、セラミック基板の表
面の面粗度を、０．４μｍＲａ以上とするので、一層密
着力が高く好適である。請求項３の発明では、絶縁層の
材料として、有機高分子であるポリイミドを用いるの
で、絶縁性や耐熱性などに優れている。
面の面粗度を、０．４μｍＲａ以上とするので、一層密
着力が高く好適である。請求項３の発明では、絶縁層の
材料として、有機高分子であるポリイミドを用いるの
で、絶縁性や耐熱性などに優れている。
【００５０】請求項４の発明では、セラミック基板の表
面に界面部ポリイミド層を積層し、更に上ポリイミド層
を積層するので、セラミック基板に対する密着性が高
く、しかも、基板の反りに対する耐性が高い。請求項５
の発明では、界面部ポリイミド層の厚さが、０．１μｍ
以上、２５μｍ以下であるので、セラミック基板に対す
る密着性を高く維持し、基板の反りを小さく抑えられ
る。
面に界面部ポリイミド層を積層し、更に上ポリイミド層
を積層するので、セラミック基板に対する密着性が高
く、しかも、基板の反りに対する耐性が高い。請求項５
の発明では、界面部ポリイミド層の厚さが、０．１μｍ
以上、２５μｍ以下であるので、セラミック基板に対す
る密着性を高く維持し、基板の反りを小さく抑えられ
る。
【００５１】請求項６の発明では、界面部ポリイミド層
の厚さが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、一層
上記の効果が大きい。請求項７の発明では、多層基板が
切り出される母材は、多層基板と同様な構成を有してい
るので、高い密着性や抵抗のばらつきの少なさ等の同様
な効果を奏する。
の厚さが、１μｍ以上、１０μｍ以下であるので、一層
上記の効果が大きい。請求項７の発明では、多層基板が
切り出される母材は、多層基板と同様な構成を有してい
るので、高い密着性や抵抗のばらつきの少なさ等の同様
な効果を奏する。
【図１】 実施例の多層基板を一部破断して示す説明
図。
図。
【図２】 実施例の多層基板の製造方法を、従来例とと
もに示す説明図である。
もに示す説明図である。
【図３】 切断後の多層基板の状態を示す説明図であ
る。
る。
【図４】 実験例を示し、（ａ）は反りを示す説明図、
（ｂ）は抵抗の実験例を示す平面図、（ｃ）は（ｂ）の
Ｉ−Ｉ断面図である。
（ｂ）は抵抗の実験例を示す平面図、（ｃ）は（ｂ）の
Ｉ−Ｉ断面図である。
１…多層基板 ２…セラミック基板 ３…絶縁層 ４…界面部ポリイミド層 ５…上ポリイミド層 ６…上第１ポリイミド層 ７…上第２ポリイミド層 ８…上第３ポリイミド層 ９…上第４ポリイミド層 １１…表面配線層 １１’…内部配線層 １２…ビア ２１…セラミック板 ２２…多層基板母材
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面に、有機高分子か
らなる絶縁層を多数積層してなる多層基板において、 前記セラミック基板の表面の面粗度を、０．２５μｍＲ
ａ以上、１．０μｍＲａ以下とすることを特徴とする多
層基板。 - 【請求項２】 前記セラミック基板の表面の面粗度を、
０．４μｍＲａ以上とすることを特徴とする前記請求項
１に記載の多層基板。 - 【請求項３】 前記有機高分子がポリイミドであること
を特徴とする前記請求項１又は２に記載の多層基板。 - 【請求項４】 前記絶縁層は、前記セラミック基板の表
面に接する通常の熱膨張係数を有する通常ポリイミドか
らなる界面部ポリイミド層と、該界面部ポリイミド層に
積層される通常より小さい熱膨張係数を有する低膨張ポ
リイミドからなる上ポリイミド層とを備えることを特徴
とする前記請求項３に記載の多層基板。 - 【請求項５】 前記界面部ポリイミド層の厚さが、０．
１μｍ以上、２５μｍ以下であることを特徴とする前記
請求項４に記載の多層基板。 - 【請求項６】 前記界面部ポリイミド層の厚さが、１μ
ｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする前記請求
項５に記載の多層基板。 - 【請求項７】 多層基板が切り出される母材であって、 前記請求項１〜６のいずれかに記載の多層基板と同様な
構成を有することを特徴とする多層基板の母材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289989A JPH11126979A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 多層基板及びその母材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9289989A JPH11126979A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 多層基板及びその母材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126979A true JPH11126979A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17750347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9289989A Pending JPH11126979A (ja) | 1997-10-22 | 1997-10-22 | 多層基板及びその母材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115894989A (zh) * | 2022-09-16 | 2023-04-04 | 深圳职业技术学院 | 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法、聚酰亚胺薄膜及其应用 |
| WO2025047034A1 (ja) * | 2023-08-30 | 2025-03-06 | 株式会社村田製作所 | 複合基板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04262593A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-17 | Hitachi Ltd | 多層配線構造体およびその製造方法とその用途 |
| JPH0637206A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜多層基板およびその製造方法 |
| JPH0661369A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜多層基板の製造方法 |
| JPH06310855A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Tokuyama Soda Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
| JPH07263864A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層基板及びその製造方法 |
| JPH09135077A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板製造方法 |
-
1997
- 1997-10-22 JP JP9289989A patent/JPH11126979A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04262593A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-17 | Hitachi Ltd | 多層配線構造体およびその製造方法とその用途 |
| JPH0637206A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜多層基板およびその製造方法 |
| JPH0661369A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜多層基板の製造方法 |
| JPH06310855A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Tokuyama Soda Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
| JPH07263864A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層基板及びその製造方法 |
| JPH09135077A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115894989A (zh) * | 2022-09-16 | 2023-04-04 | 深圳职业技术学院 | 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法、聚酰亚胺薄膜及其应用 |
| WO2025047034A1 (ja) * | 2023-08-30 | 2025-03-06 | 株式会社村田製作所 | 複合基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7618843B2 (en) | Method of fabricating multilayer ceramic substrate | |
| JPH08139230A (ja) | セラミック回路基板とその製造方法 | |
| JP3854160B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP4454105B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP3543521B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2003008225A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| KR101070148B1 (ko) | 다층 세라믹 기판의 소성용 세터 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판의 제조방법 | |
| JP4718314B2 (ja) | 誘電体積層構造体、その製造方法、及び配線基板 | |
| JPH1051108A (ja) | 転写シート及びそれを用いた配線基板の製造方法 | |
| JP3456072B2 (ja) | 多層プリント回路基板 | |
| JP3574730B2 (ja) | 電子部品用セラミック基板及びチップ抵抗器 | |
| JP2004214586A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH07273447A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| EP0924755A2 (en) | Method of fabricating a multilayer circuit board | |
| JP2002076628A (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP4022105B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2001068852A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2004095753A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0221157B2 (ja) | ||
| JP3872339B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH0669611A (ja) | プリント配線板 | |
| JP2000269380A (ja) | 多層セラミックチップサイズパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2003204159A (ja) | 多層配線基板 | |
| CN120955044A (zh) | 封装基板及其制法 | |
| JP2003224362A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060801 |