JPH11135261A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高輝度・高発光効率、発光劣化が少なく、か
つ高温での使用や保存性に優れた信頼性の高いエレクト
ロルミネッセンス素子材料、および有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 一般式［１］からなる有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレク
トロルミネッセンス素子。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、アリール基を表し、かつ少
なくとも１つは置換もしくは未置換の９−フェナントリ
ル基である。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる高輝度の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素
子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。

【０００３】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は数１０００ｃ
ｄ／ｍ² 、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。

【０００４】しかしながら、現在までの有機ＥＬ素子
は、構成の改善により発光強度はかなり改良されている
が、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな問題を
持っている。また、特に車載使用時などの室温より高い
温度での耐性に劣り、短時間で大きく劣化していた。こ
の改良のため、従来から正孔注入材料として用いられた
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン
（２Ｍｅ−ＴＰＤ）に代えてよりガラス転移温度の高い
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）
−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−Ｎ
ＰＤ、特開平５−２３４６８１）などの縮合芳香環を分
子中に有する化合物を用いる発明もなされたが、高温耐
性という面では未だ十分とはいえなかった。以上の理由
により、高い発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用
時や高温時の安定性の優れた有機ＥＬ素子の開発のため
に、優れた正孔注入能力を有し、耐久性、特に高温耐性
のある正孔注入材料の開発が望まれている。

【０００５】また、有機ＥＬ素子の輝度、効率、寿命な
どの改善や特に発光色を変えるために、膜形成性の良好
な材料からなる発光層中に有機蛍光色素を少量添加す
る、いわゆるドーピングという手法がしばしば採られ
る。しかし、ドーピング材料である有機蛍光色素の開発
例が多く、層の母体となるホスト材料の開発例は非常に
少ない。特に素子を真空蒸着などの乾式製膜法で作成す
る場合には、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ア
ルミニウム錯体をホスト材料とするものが、実際例の大
部分であった（特開昭６３−２６４６９２号公報、特開
平３−２５５１９０号公報、特開平５−７０７７３号公
報）。このため、ＥＬ素子の特性がホスト材料の性能に
より限定されたり、蛍光色素としては優秀な特性を持つ
ものでも、ホスト材料の性質と合致しないために、本来
有している能力を発揮していないと考えられるものもあ
った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た正孔注入能力を有し、耐久性、特に高温耐性のある正
孔注入材料を提供することにあり、さらにこの正孔注入
材料を正孔注入層や発光層ホスト材料として使用するこ
とにより、高い発光効率で長時間発光することの出来る
有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。

【０００７】本発明者らは鋭意検討した結果、一般式
［１］または一般式［３］で示される有機ＥＬ素子用発
光材料は、正孔注入能力が大きく、これを正孔注入層や
発光層ホストに用いて作製した有機ＥＬ素子の素子特
性、保存および駆動寿命、特に高温時の寿命が優れてい
ることを見いだし本発明に至った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス素子材
料に関する。 一般式［１］

【０００９】

【化６】

【００１０】［式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、置換もしくは
未置換のアリール基を表し、かつ少なくとも一つは下記
一般式［２］で示される置換もしくは未置換の９−フェ
ナントリル基である。］ 一般式［２］

【００１１】

【化７】

【００１２】［式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基を表す。ま
た、Ｒ¹〜Ｒ⁹ は隣接した置換基同士で結合して新たな
飽和環もしくは芳香環を形成しても良い。］

【００１３】さらに本発明は、下記一般式［３］で示さ
れる有機エレクトロルミネッセンス素子材料である。 一般式［３］

【００１４】

【化８】

【００１５】［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基を表す。］

【００１６】さらに本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少な
くとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材
料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素
子である。

【００１７】さらに本発明は、発光層と陽極との間の正
孔注入帯域中の少なくとも一層が上記有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクト
ロルミネッセンス素子である。

【００１８】さらに本発明は、発光層が上記有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有し、さらに有機蛍光
色素を添加した層である有機エレクトロルミネッセンス
素子である。

【００１９】さらに本発明は、上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子材料を含有する層と陽極との間に正孔注
入層を設ける有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。

【００２０】さらに本発明は、上記正孔注入層が芳香族
三級アミン誘導体および／またはフタロシアニン誘導体
を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子
である。

【００２１】さらに本発明は、発光層が金属錯体化合
物、π共役重合体、下記一般式［４］、もしくは一般式
［５］のいずれかの化合物を含有する層である上記有機
エレクトロルミネッセンス素子である。 一般式［４］

【００２２】

【化９】

【００２３】［式中、Ｚ¹ は、置換もしくは未置換の窒
素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリ
ーレン基もしくはアリーレン基部分を有する２価の基で
ある。Ｒ²¹〜Ｒ²⁴は、それぞれ独立に、水素原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシ
クロアルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリール基を表
す。］ 一般式［５］

【００２４】

【化１０】

【００２５】［式中、Ｚ² は、置換もしくは未置換の窒
素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリ
ーレン基もしくはアリーレン基部分を有する２価の基で
ある。Ａｒ⁵ 〜Ａｒ⁸ は、それぞれ独立に、置換もしく
は未置換の炭素原子数６〜２０のアリール基を表す。］

【００２６】さらに本発明は、発光層と陰極との間の電
子注入帯域中の少なくとも一層が金属錯体化合物および
／または含窒素五員芳香環誘導体を含有する層である上
記有機エレクトロルミネッセンス素子である。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明における一般式［１］で示
される化合物のＡｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、置換もしくは未置換
のアリール基を表し、かつ少なくとも一つは一般式
［２］で示される置換もしくは未置換の９−フェナント
リル基である。置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル
基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル
基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル
基、４−クロロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４
−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メ
チルチオフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、
３，５−ジシアノフェニル基、４−トリフルオロメトキ
シフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシリ
ル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基、
４−フェノキシフェニル基、４−（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノ
フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、５
−メチルナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、
アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル
基、アントリル基、アントラキノリル基、３−メチルア
ントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、
ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−１−クリセニ
ル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−クロロペリレニ
ル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェ
ニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビ
セニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタ
フェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバ
レニル基等がある。

【００２８】本発明における一般式［２］で示される基
のＲ¹ 〜Ｒ⁹ および一般式［３］で示される化合物のＲ
¹¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基を表す。Ｒ ¹ 〜Ｒ⁹ およびＲ¹¹〜Ｒ
¹⁴の具体例は、ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素、置換もしくは未置換のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリ
クロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、
α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル
基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジト
リフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、
α−ベンジルオキシベンジル基等がある。置換もしくは
未置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチ
ルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリクロロメトキシ
基、１，１，１−テトラフルオロエトキシ基、ベンジル
オキシ基等がある。また、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ は隣接した置換基
同士で結合して新たな飽和環もしくは芳香環を形成して
も良い。ここで、隣接した置換基とは、同一環上の置換
基だけでなく、Ｒ¹ とＲ² のように縮合した隣接環上の
置換基同士、あるいはＲ⁵ とＲ⁶ のように隣接しない環
上の置換基であっても、距離的に近接し容易に環を形成
できるものも含む。この結果形成される環置換基として
は、６−アセフェナントリル基、５−クリセニル基、６
−クリセニル基、６−ペンタフェニル基、４−ピレニル
基、５−ピセニル基、６−ピセニル基、１３−ピセニル
基、ベンゾフェナントリル基、ジベンゾフェナントリル
基、ベンゾアントリル基、９−（４，５−メチレン）フ
ェナントリル基等である。

【００２９】本発明における化合物は剛直な９−フェナ
ントリル基を構造中に有するため、ガラス転移点や融点
が高くなる。このため、電界発光時における有機層中、
有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生するジュ
ール熱に対する耐性（耐熱性）および高温環境下での耐
性が向上するので、有機ＥＬ素子の正孔注入材料や発光
層ホスト材料として使用した場合、高い発光輝度を示
し、長時間発光させる際にも有利である。

【００３０】本発明の一般式［１］または一般式［３］
で示される化合物の一般的な合成方法を以下に示す。
４，４’−ジハロゲノビフェニル１部とジアリールアミ
ン誘導体２部、またはＮ，Ｎ’−ジアリール−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン１部とアリールハラ
イド２部を、窒素雰囲気下、有機溶媒中または無溶媒
で、塩基および触媒の存在下で、所定の温度、所定の時
間反応させて得ることができる。この時アリール基の少
なくとも一つは９−フェナントリル誘導体である。また
ここで、同一分子中に異なるハロゲンやアリールを有す
る誘導体や、２種以上のハロゲン誘導体やアミン誘導
体、さらにはそれぞれの化合物の反応性に応じて仕込み
部数や順序を変えることにより、多種多様な９−フェナ
ントリル誘導体基を有する芳香族三級ジアミン誘導体を
得ることができる。

【００３１】本発明における誘導体化合物のハロゲン置
換基としては、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。本発
明で使用される塩基は、炭酸カリウム、水酸化リチウ
ム、水酸化ナトリウムのような無機塩基、ピリジン、ピ
コリン、トリエチルアミン、Ｎ−メチルピロリドン、
１，５−アザビシクロ［５，４，０］ウンデセン（ＤＢ
Ｕ）のような有機塩基が挙げられる。本発明で使用され
る触媒は、金属銅、酸化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅等が
挙げられる。本発明で使用しても良い溶媒は、反応を比
較的高い温度で行う場合が多いことから、ある程度高沸
点であることが好ましい。例えば、トルエン、キシレ
ン、ニトロベンゼン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の溶媒が挙げられる。さらに詳
しくは、対応する芳香族２級アミン化合物に置換させた
い基のヨード化物またはブロモ化物を１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン等の高沸点有機溶媒中で、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基および塩化第一銅
を触媒として、脱ハロゲン反応により、目的の化合物を
製造することができる。

【００３２】以下に、本発明の一般式［１］または一般
式［３］の化合物の代表例を、表１に具体的に例示する
が、本発明は、この代表例に限定されるものではない。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】本発明の一般式［１］または一般式［３］
で示される化合物は、陽極からの優れた正孔注入性およ
び正孔輸送性を持っているので、正孔注入材料として有
効に使用することができる。また、陰極からの電子注入
性および電子輸送性を持ち合わせているので、発光層ホ
スト材料としても有効に使用することができる。更に
は、他の正孔注入性材料、電子注入性材料もしくはドー
ピング材料を併せて使用してもさしつかえない。

【００３８】有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸
送させるために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を
含有しても良い。しかしながら、本発明の材料を発光層
ホスト材料に用いた場合は、高い正孔輸送能力および電
子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することがで
き、かつ発光量子効率の高いドーピング材料をその膜中
に均一に分散させることができるので、本発明の発光層
ホスト材料とドーピング材料のみで発光層を形成するこ
とも可能である。多層型は、（陽極／正孔注入帯域／発
光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入帯域／陰
極）、（陽極／正孔注入帯域／発光層／電子注入帯域／
陰極）の多層構成で積層した有機ＥＬ素子がある。本発
明の一般式［１］または一般式［３］で示される有機Ｅ
Ｌ素子材料は、陽極から有機層への正孔注入機能、およ
び注入した正孔を輸送し発光層に注入する機能を有して
いるので、正孔注入帯域が二層以上で構成される場合で
も、いずれの正孔注入層にも使用することが出来る。一
般式［１］または一般式［３］の化合物により形成され
る薄膜は非晶質性があるので、薄膜にした場合の長期間
の保存や素子を駆動させた場合の発光寿命等においても
有利である。また、一般式［１］または一般式［３］の
化合物は、膜のイオン化ポテンシャルが低く、ＩＴＯ等
の陽極に対する密着性も良好であるので、ＩＴＯ電極
（陽極）に接する正孔注入層に使用しても好適であり、
膜の平滑性や発光材料への正孔の注入性の点から、発光
材料に接する正孔注入層に使用しても好適である。さら
には、一般式［１］または一般式［３］の化合物は、正
孔注入性、正孔輸送特性および電子注入性、電子輸送特
性を合わせもっているので、発光層ホスト材料として発
光層にも使用できる。

【００３９】発光層には、必要があれば、本発明の一般
式［１］または一般式［３］の化合物およびドーピング
材料である有機蛍光色素に加えて、さらなる公知の発光
材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもで
きる。有機ＥＬ素子は、多層構造にすることにより、ク
エンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができ
る。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注
入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することが出
来る。また、ドーピング材料の選択により、発光輝度や
発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもでき
る。また、正孔注入帯域、発光層、電子注入帯域は、そ
れぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その
際には、正孔注入帯域の場合、電極から正孔を注入する
層を第一正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発
光層に正孔を注入する層を第二正孔注入層と呼ぶ。同様
に、電子注入帯域の場合、電極から電子を注入する層を
第一電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層
に電子を注入する層を第二電子注入層と呼ぶ。これらの
各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層もしく
は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用
される。

【００４０】本発明においては、陽極と陰極の間に発光
層ホスト材料とドーピング材料が均一に混合された層の
一層のみを設けても、十分に効果が得られるが、さら
に、発光輝度、効率を高める、あるいは寿命を向上させ
るために、一方または両方の電極側にドーピング材料を
含まない、ホスト材料のみの層あるいはホスト材料と蛍
光色素ではない添加物との混合層を設けたり、正孔注入
材料や電子注入材料を用いて、電極側に新たな層を設
け、多層型にすることができる。このような構成にする
ことにより、正孔および電子の注入効率を上げるととも
に、素子中に注入された正孔と電子が再結合せずに対抗
電極まで達してしまうことや、再結合により生じた励起
子が電極に逃げるのを防止することができる。特に本発
明においては、一般式［１］または一般式［３］の化合
物がどちらかというと電子注入・輸送性よりも正孔注入
・輸送性の方が高いため、本発明の構成からなる発光層
の陰極側に電子注入層を挿入することによって、電子の
注入性を高め、正孔の陰極への移動を防止することで、
素子の発光輝度、効率を大きく向上できる。

【００４１】一般式［１］または一般式［３］の化合物
と共に、または別個に発光層に使用できる発光材料、発
光層ホスト材料、ないしはドーピング材料としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯
体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセ
ン、ジアミノカルバゾール、トリフェニルアミン、ベン
ジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフ
ェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミンピラン、
チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾール
キレート化オキシノイド化合物、ポルフィリン金属錯
体、フタロシアニン錯体、希土類金属錯体、キナクリド
ン、ルブレン、ルビセンおよび色素レーザー用や増白用
の蛍光色素等があるが、これらに限定されるものではな
い。特に本発明の化合物に有機蛍光色素と総称される上
記の化合物を添加した場合には、発光層中で正孔と電子
の再結合により発生する励起エネルギーが効率よく有機
蛍光色素に移動することにより、この蛍光色素本来の強
い発光色を得ることができる。

【００４２】発光材料、発光層ホスト材料、ないしはド
ーピング材料として効果的な材料の具体例としては、ト
リス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ト
リス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アル
ミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリ
ウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナー
ト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナ
ート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−
ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リナート）フェノラートガリウム、μ−オキソ−ビス
（ジ（２−メチル−８−キノリナート）ガリウム）、ビ
ス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラート）亜
鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラー
ト）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリアゾリル）フェ
ノラート）亜鉛などの金属錯体化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（４−（α, α’−ジメチルベンジ
ル）フェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、
９，１０−ビス（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニ
ル）アントラセンなどの芳香族アミン系化合物、４，
４’−ビス（β, β−ジフェニルビニル）ビフェニル、
４，４−ビス（β−（Ｎ−エチル−３−カルバゾリル）
ビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（ｐ−ジフェニル
アミノスチリル）ビフェニルなどのビススチリル系化合
物、ペリレン、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド誘導
体、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルア
ミノクマリン（クマリン６）、４−ジシアノメチレン−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ニールレッド、ジフェニルアン
トラセンおよびその誘導体、キナクリドンおよびその誘
導体、ルブレンおよびその誘導体、ルビセンおよびその
誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。
以下に、特にドーピング材料として効果的な材料の代表
例を、表２に具体的に例示する。

【００４３】

【表２】

【００４４】

【００４５】

【００４６】本発明の一般式［１］または一般式［３］
の化合物を正孔注入材料として用いた時に、発光層に特
に好適な材料としては、金属錯体化合物、π共役重合
体、一般式［４］、もしくは一般式［５］で示される化
合物がある。金属錯体化合物の具体例としては上記に挙
げたアルミニウム、ガリウム、ベリリウム、亜鉛等を中
心金属とし、ヒドロキシキノリン誘導体、ベンゾオキサ
ゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾトリア
ゾール誘導体等を配位子とする一連の化合物がある。

【００４７】π共役重合体とは、二重結合と単結合が交
互に並ぶ構造を持つ重合体であって、本発明におけるπ
共役重合体としては、それぞれ置換基を有しても良いベ
ンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ピロール環、
フラン環等の芳香環もしくは複素芳香環が直接連結した
もの、あるいは置換を有しても良いビニレン基を介して
連結したものが好適である。具体例としては、ポリ（ｐ
−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（２，５−ジペンチル−ｐ−フェニレンビニレン）、
ポリ（２，５−ジペンチル−ｍ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジオクチル−ｐ−フェニレンビニ
レン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニ
レンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｍ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルチ
オ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メト
キシ−５−ヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ポリ（３
−ｎ−オクチル−２，５−チエニレンビニレン）、ポリ
（１，４−ナフタレンビニレン）、ポリ（９，１０−ア
ントラセンビニレン）、ポリ（２，５−チエニレン）、
ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）、ポリ（３
−オクチル−２，５−チエニレン）、ポリ（３−ヘキシ
ルオキシ−２，５−チエニレン）等がある。

【００４８】本発明の一般式［４］で示される化合物
は、一般的にビススチリル系化合物と呼ばれるものであ
る。式中のＺ¹ は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸
素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基も
しくはアリーレン基部分を有する２価の基である。具体
的な連結基としては、置換基を有しても良いベンゼン
環、ナフタレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ア
ントラセン環、ピレン環、チオフェン環、ビチオフェン
環、ピロール環、ピラジン環、フラン環、トリフェニル
アミン、Ｎ−エチルカルバゾールの２価残基等がある。
Ｒ²¹〜Ｒ²⁴は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロア
ルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素原子も
しくは硫黄原子を含んでも良いアリール基を表す。置換
もしくは未置換のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フ
ェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフル
オロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル
基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェ
ニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジ
ル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベン
ジル基等がある。置換もしくは未置換のシクロアルキル
基としては、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、
１，３−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテニ
ル基、２，４−シクロペンタジエニル基等がある。

【００４９】置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル
基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル
基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル
基、４−クロロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４
−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メ
チルチオフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、
３，５−ジシアノフェニル基、４−トリフルオロメトキ
シフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシリ
ル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基、
４−フェノキシフェニル基、４−（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノ
フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、５
−メチルナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、
アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル
基、アントリル基、アントラキノリル基、３−メチルア
ントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、
ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−１−クリセニ
ル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−クロロペリレニ
ル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェ
ニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビ
セニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタ
フェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバ
レニル基等があり、これには縮合環も含まれる。また、
チエニル基、フリル基、ピロリル基、オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、フラザニル基、ピ
ラニル基、トリアゾリル基、ピリジル基、ピラジニル
基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル
基、ベンゾフリル基、インドリル基、インドリニル基、
イソインドリル基、イソインドリニル基、インダゾリル
基、クロメニル基、クロマニル基、キノリル基、イソキ
ノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾ
リニル基、クマリニル基、ジベンゾフリル基、キサンテ
ニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニ
ル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ベン
ゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダ
ゾリル基、２−メチルピリジル基、３−シアノピリジル
基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基等のよう
に、環中に窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含ん
でも良い。一般式［４］の化合物の代表例としては、
４，４’−ビス（β, β−ジフェニルビニル）ビフェニ
ル、４，４−ビス（β−（Ｎ−エチル−３−カルバゾリ
ル）ビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（ｐ−ジフェ
ニルアミノスチリル）ビフェニル、２，５−ビス（β,
β−ジフェニルビニル）ピラジン、２, ６−ビス（ｐ−
ジフェニルアミノスチリル）−４−ジシアノメチレン−
４Ｈ−ピラン等がある。

【００５０】本発明の一般式［５］で示される化合物
は、一般的に芳香族ジアミン系化合物と呼ばれるもので
ある。式中のＺ² は、置換もしくは未置換の窒素原子、
酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基
もしくはアリーレン基部分を有する２価の基である。具
体的な連結基としては、置換基を有しても良いベンゼン
環、ナフタレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ア
ントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、チオフェ
ン環、ビチオフェン環、ピロール環、ピラジン環、フラ
ン環、トリフェニルアミン、Ｎ−エチルカルバゾール、
ジフェニルアントラセン、ジアントリルエチレン、１，
１−ジフェニルシクロヘキサン、９，９−ジフェニルフ
ルオレン、ジベンゾチオフェンスルホン等の２価残基等
がある。Ａｒ⁵ 〜Ａｒ⁸ は、それぞれ独立に、置換もし
くは未置換の炭素原子数６〜２０のアリール基を表す。
具体的には上記一般式［４］の説明中に挙げた基があ
る。一般式［５］の化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−ｍ−フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メ
チルフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、ビス（４−（ジ−ｐ−ト
リルアミノ）フェニル）メタン、１，１−ビス（４−
（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン、
９，９−ビス（４−（ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニ
ル）フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ブチルフェニル）フェナントレ
ン−９，１０−ジアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリ
フェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４
−（α, α’−ジメチルベンジル）フェニル）アントラ
セン−９，１０−ジアミン、９，１０−ビス（４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）フェニル）アントラセン、α，
α’−ビス（１０−（４−（ジ−ｐ−メトキシフェニル
アミノ）アントリル）エテン、３，７−ビス（４−（ジ
−ｐ−フェノキシフェニルアミノ）ジベンゾチオフェン
スルホン等がある。以下に、発光層として用いられる材
料の代表例を、表３に具体的に例示する。

【００５１】

【表３】

【００５２】

【００５３】本発明の発光層に用いられるこれらの化合
物は、上記の代表例に限定されるものではない。また、
これらの化合物は、単独で用いても良いし、２種類以上
を混合しても良い。

【００５４】本発明において発光層に請求項記載の材料
またはその他の材料のうちの２種以上を混合して用いる
場合、これらの材料の発光層中での存在比率は、どれが
主成分であっても良い。つまり、材料の組み合わせによ
り、同一の材料が発光層ホスト材料にもドーピング材料
にも成り得る。ただし、一般的には発光層中で実際に発
光する材料の重量比は０．０１ｗｔ％〜５０ｗｔ％の範
囲が好ましい。０．０１ｗｔ％未満であると発光する材
料の膜中の絶対量が少なすぎるため、この材料からの発
光が十分に得られなく、５０ｗｔ％を越えると、材料の
種類により状況は異なるが、成膜性が低下したり、濃度
消光という現象により発光輝度、効率が著しく低下する
場合が多い。

【００５５】正孔注入材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の電子注入帯域または電子注入材料への移動
を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられ
る。具体的には、本発明の一般式［１］または一般式
［３］の化合物の他にフタロシアニン誘導体、ナフタロ
シアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、
オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミ
ダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロ
ン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサ
ジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリ
ールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ヘキサアルコ
キシトリフェニレン、ベンジジン型トリフェニルアミ
ン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型
トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリ
ビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高
分子材料等があるが、これらに限定されるものではな
い。以下に、正孔注入材料の代表例を、表４に具体的に
例示する。

【００５６】

【表４】

【００５７】

【００５８】

【００５９】本発明の有機ＥＬ素子において使用できる
正孔注入材料の中で、本発明の一般式［１］または一般
式［３］の化合物の他にさらに効果的な正孔注入材料
は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘
導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体例として
は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジ
フェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メ
チルフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフ
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ブチルフェニル）フ
ェナントレン−９，１０−ジアミン、４，４’，４”−
トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）トリフェニルアミン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ
−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等、もしくは
これらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもし
くはポリマー等があるが、これらに限定されるものでは
ない。

【００６０】フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例と
しては、Ｈ₂ Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、Ｚ
ｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰ
ｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ
₂ ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、Ｖ
ＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−Ｇａ
Ｐｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン
誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。

【００６１】電子注入材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、陰極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の正孔注入帯域への移動を防止し、かつ薄膜
形成能力の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオ
レノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオ
ピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。

【００６２】本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８
−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキ
シキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナー
ト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）
アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキ
ノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロ
キシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチ
ル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフ
トラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−
メチル−８−キノリナート）フェノラートガリウム、μ
−オキソ−ビス（ジ（２−メチル−８−キノリナート）
ガリウム）、ビス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）フ
ェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリ
ル）フェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリ
アゾリル）フェノラート）亜鉛等があるが、これらに限
定されるものではない。また、含窒素五員誘導体として
は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チ
アジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。
具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，
４−オキサゾール、１，４−ビス（２−（４−メチル−
５−フェニルオキサゾリル））ベンゼン、２，５−ビス
（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−
ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(
４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、
２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジ
アゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルオキサジ
アゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−( ５−フェ
ニルオキサジアゾリル) −４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−
( ４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、
２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジア
ゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルチアジアゾ
リル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）−５−( ４”−ビフェニル) −１，３，４−トリ
アゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４
−トリアゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルト
リアゾリル) ］ベンゼン等があるが、これらに限定され
るものではない。以下に、電子注入材料の代表例を、表
５に具体的に例示する。

【００６３】

【表５】

【００６４】

【００６５】本有機ＥＬ素子においては、正孔注入帯域
あるいは発光層中に、一般式［１］または一般式［３］
の化合物を用いた場合、これらの材料以外の発光材料、
ドーピング材料、正孔注入材料および電子注入材料の少
なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発
明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気
等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層
を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を
保護することも可能である。

【００６６】有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材
料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、
さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性
樹脂が用いられる。

【００６７】陰極に使用される導電性物質としては、４
ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグ
ネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリ
ウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム
等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定さ
れるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、
マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等
が代表例として挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空
度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極お
よび陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成
されていても良い。

【００６８】有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明性を有するものであれば限定される
ものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレ
ン板、ポリエチレンテレフテレート板、ポリエーテルサ
ルフォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられ
る。

【００６９】本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレ
ーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれ
の方法を適用することができる。膜厚は特に限定される
ものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜
厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加
電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピ
ンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝
度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範
囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさ
らに好ましい。

【００７０】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜
を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜の
ピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用して
も良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等
の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチ
オフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン等の
導電性樹脂を挙げることができる。ただし、本発明の一
般式［１］または一般式［３］で示される化合物の場
合、非晶質性が高いので、樹脂を混合しなくても、非常
に良好な膜を形成することができる。また、添加剤とし
ては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げるこ
とができる。

【００７１】以上のように、有機ＥＬ素子の発光層に本
発明の化合物を用いることにより、発光効率、最大発光
輝度等の有機ＥＬ素子特性を改良することができた。ま
た、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さ
らには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得
られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に
低下させることができた。

【００７２】本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。また、本発明の材料は、有
機ＥＬ素子の他に、電子写真感光体、光電変換素子、太
陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用でき
る。

【００７３】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。ＤＳＣ分析によれば、本発明の一般式
［１］または［３］で示される化合物の多くはガラス転
移温度が１００℃以上であり、非結晶性正孔注入材料と
して従来まで使用されているＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン（２Ｍｅ−ＴＰＤ）の６３
℃、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α
−ＮＰＤ）の９６℃に比べて、ガラス転移温度が高く、
有機ＥＬ素子の正孔注入材料として、高い耐熱性を有し
ていることがわかる。例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（９−フェナントリル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンは、ガラス転移温度が１４
４℃とα−ＮＰＤと比較して５０℃近くも高くなってい
る。このため、高温時の駆動あるいは保存において非常
に有利である。また、本発明の一般式［１］または
［３］で示される全ての化合物は、低結晶性化合物であ
るので、陽極基板や有機薄膜層との密着性も良好であ
り、有機薄膜としての環境に対する耐性や、有機ＥＬ素
子を駆動した際の寿命および素子の保存性についても大
きな優位性がある。

【００７４】実施例１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（１）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１）を真空蒸着して膜
厚５０ｎｍの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極
を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒ
ｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この
素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度１５０（ｃｄ／
ｍ² ）、最大発光輝度１７７００（ｃｄ／ｍ² ）、発光
効率１．８（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７５】実施例２ 正孔注入層を、クロロホルムに溶解した表１の化合物
（５）をスピンコート法で形成する以外は、実施例１と
同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度２９０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光
輝度１５７００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率１．６（ｌｍ
／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７６】実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−８）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次いで、表１の化合物（２）を真空蒸着し
て、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表
３の化合物（Ｌ−２）を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発
光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１
で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有
機ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電
圧５Ｖで発光輝度５７０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度
１８６００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．５（ｌｍ／
Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７７】実施例４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、無金属フタロシ
アニンを真空蒸着して、膜厚５ｎｍの第一正孔注入層を
得た。次いで、表１の化合物（４）を真空蒸着して、膜
厚３０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表３の化
合物（Ｌ−１）を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を
作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを２５：１
で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有
機ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電
圧５Ｖで発光輝度２９０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度
２３９００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．７（ｌｍ／
Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７８】実施例５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フ
ェニレンビニレン）をクロロホルムに溶解させ、スピン
コーティング法により膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さ
らに、表５の化合物（Ｅ−１）を真空蒸着して膜厚３０
ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、アルミニウムと
リチウムを２５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔ
ｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度１４０（ｃｄ／ｍ
² ）、最大発光輝度２５９００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効
率１．８（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７９】実施例６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（７）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレ
ン）をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法
により膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化
合物（Ｅ−９）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入
層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で
混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機
ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧
５Ｖで発光輝度２４０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度１
６４００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率１．４（ｌｍ／Ｗ）
の発光特性が得られた。

【００８０】実施例７ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（６）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１１）を真空蒸着し
て、膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化合
物（Ｅ−１）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層
を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混
合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機Ｅ
Ｌ素子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５
Ｖで発光輝度１７０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度２１
５００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．８（ｌｍ／Ｗ）の
発光特性が得られた。

【００８１】実施例８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−６）を真空蒸着して、
膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化合物
（Ｅ−１１）を真空蒸着して膜厚１０ｎｍの第二電子注
入層を作成し、次いで、表５の化合物（Ｅ−５）を真空
蒸着して膜厚３０ｎｍの第一電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度８
００（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度４６６００（ｃｄ／
ｍ² ）、発光効率６．２（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得ら
れた。

【００８２】実施例９〜２４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３に示した化合物を真空蒸着して膜厚５
０ｎｍの発光層を作成し、さらに表５に示した化合物を
真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各層は１０ ^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条
件下で蒸着した。この素子は表６で示された発光特性が
得られた。

【００８３】

【表６】

【００８４】実施例２５〜４０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注入層を
得た。次いで、表１に示した化合物を真空蒸着して、膜
厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表３に示
した化合物を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
し、さらに表５に示した化合物を真空蒸着して膜厚３０
ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、アルミニウムと
リチウムを２５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０^-6Ｔ
ｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着し
た。この素子は表７で示された発光特性が得られた。

【００８５】

【表７】

【００８６】実施例４１ 表３の化合物（Ｌ−１）と表２の化合物（Ｄ−１０）を
重量比１００：１で蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を
得る以外は実施例１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製
した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度６１０（ｃ
ｄ／ｍ² ）、最大発光輝度５２４００（ｃｄ／ｍ² ）、
発光効率５．１（ｌｍ／Ｗ）の黄緑色発光が得られた。

【００８７】実施例４２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（８）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１０）と表２の化合物
（Ｄ−２）を重量比１００：３で真空蒸着して膜厚５０
ｎｍの発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−３）
を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得
た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝
度３７０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度４１０００（ｃ
ｄ／ｍ² ）、発光効率３．６（ｌｍ／Ｗ）の黄橙色発光
が得られた。

【００８８】実施例４３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−７）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層
を得た。次に、表１の化合物（４）と表２の化合物（Ｄ
−４）を重量比１００：５で真空蒸着して膜厚５０ｎｍ
の発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−６）を真
空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
２５０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度１８７００（ｃｄ
／ｍ² ）、発光効率２．４（ｌｍ／Ｗ）の青色発光が得
られた。

【００８９】実施例４４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−８）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次に、表４の化合物（Ｈ−２）を真空蒸着
して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、
表１の化合物（６）と表２の化合物（Ｄ−９）を重量比
１００：３で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
し、次いで、表５の化合物（Ｅ−４）を真空蒸着して膜
厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシ
ウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０
^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度６９０（ｃｄ
／ｍ² ）、最大発光輝度３３８００（ｃｄ／ｍ² ）、発
光効率３．２（ｌｍ／Ｗ）の緑色発光が得られた。

【００９０】実施例４５〜６７ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表１に示した化合物と表２に示した化合物
を表８に示した重量比で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発
光層を作成し、さらに表５に示した化合物を真空蒸着し
て膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグ
ネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎ
ｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０
^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着
した。この素子は表９で示された発光特性が得られた。

【００９１】

【表８】

【００９２】

【表９】

【００９３】実施例６８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表１の化合物（３）と表２の化合物（Ｄ−
１５）を重量比１０００：５で真空蒸着して膜厚５０ｎ
ｍの発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−２）を
真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝
度７０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度５５００（ｃｄ／
ｍ² ）、発光効率０．８（ｌｍ／Ｗ）の赤色発光が得ら
れた。

【００９４】実施例６９ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（１０）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を
得た。次いで、表１の化合物（８）と表２の化合物（Ｄ
−１２）を重量比１０：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍ
の発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−８）を真
空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
３２０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度３９３００（ｃｄ
／ｍ² ）、発光効率３．９（ｌｍ／Ｗ）の黄緑色発光が
得られた。

【００９５】実施例７０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−９）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次いで、表１の化合物（１４）を真空蒸着
して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、
表１の化合物（１２）と表２の化合物（Ｄ−１７）を重
量比２：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
した。次いで、表５の化合物（Ｅ−５）を真空蒸着して
膜厚３０ｎｍの第二電子注入層を作成し、次いで、表５
の化合物（Ｅ−６）を真空蒸着して膜厚２０ｎｍの第一
電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１
０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成し
て、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの
真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧５Ｖで発光輝度４９０（ｃｄ／ｍ² ）、最
大発光輝度１８７００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．５
（ｌｍ／Ｗ）の橙色発光が得られた。

【００９６】比較例１ 表１の化合物（１）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例１と同
様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、室温
下、直流電圧５Ｖで発光輝度１３０（ｃｄ／ｍ² ）、発
光効率１．６（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しか
し、８０℃下では発光効率が０．６（ｌｍ／Ｗ）に低下
し、また経時的に輝度が低下した。

【００９７】比較例２ 表１の化合物（３）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例
８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子
は、直流電圧５Ｖで発光輝度５６０（ｃｄ／ｍ² ）、発
光効率３．９（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しか
し、８０℃下では発光効率が０．９（ｌｍ／Ｗ）に低下
し、また経時的に輝度が低下した。

【００９８】比較例３ 表１の化合物（６）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例４４と
同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度２８０（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率
１．７（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しかし、８
０℃下では発光効率が０．８（ｌｍ／Ｗ）に低下し、ま
た経時的に輝度が低下した。

【００９９】本実施例で示された全ての有機ＥＬ素子に
ついて、３（ｍＡ／ｃｍ² ）で連続発光させたところ、
１０００時間以上初期輝度の５０％以上の輝度を観測出
来たが、比較例の素子を同様の条件で連続発光させたと
ころ、２００時間で初期輝度の５０％以下になり、素子
の未発光部分であるダークスポットの数も増加した。ま
た、比較例２の素子については、２５０時間以降に駆動
電圧の低下を伴う急激な輝度低下が生じた。さらに、本
実施例で示された全ての有機ＥＬ素子について、１００
℃に２４時間保持後、室温で測定を行ったところ、上記
実施例で示した値とほぼ同等の値を得たが、比較例の素
子については、半分以下の特性となった。加えて８０℃
下での駆動においても、実施例の素子は室温下の測定の
８０％以上の特性を示した。

【０１００】本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率、発光
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。

【０１０１】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子材料を発光材料と
して使用した有機ＥＬ素子は、特に高温時において従来
に比べて高い発光効率で高輝度の発光を示し、長寿命の
有機ＥＬ素子を得ることができた。以上により本発明で
示した化合物を、有機ＥＬ素子の少なくとも一層に使用
すること、および、本発明の素子構成により形成された
有機ＥＬ素子は、高輝度、高発光効率、長寿命であり、
特に高温時の特性が優れた有機ＥＬ素子を容易に作製す
ることが可能となった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真木 伸一郎 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式［１］で示される有機エレク
   トロルミネッセンス素子材料。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、置換もしくは未置換のアリ
   ール基を表し、かつ少なくとも一つは下記一般式［２］
   で示される置換もしくは未置換の９−フェナントリル基
   である。］ 一般式［２］ 【化２】 ［式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁹ は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
   ロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
   しくは未置換のアルコキシ基を表す。また、Ｒ¹〜Ｒ⁹
   は隣接した置換基同士で結合して新たな飽和環もしくは
   芳香環を形成しても良い。］
2. 【請求項２】 下記一般式［３］で示される有機エレク
   トロルミネッセンス素子材料。 一般式［３］ 【化３】 ［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
   ロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
   しくは未置換のアルコキシ基を表す。］
3. 【請求項３】 一対の電極間に、発光層または発光層を
   含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
   トロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請
   求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス
   素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセ
   ンス素子。
4. 【請求項４】 発光層と陽極との間の正孔注入帯域中の
   少なくとも一層が請求項１または２に記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子材料を含有する層である請求項
   ３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 【請求項５】 発光層が請求項１または２に記載の有機
   エレクトロルミネッセンス素子材料を含有し、さらに有
   機蛍光色素を添加した層である請求項３記載の有機エレ
   クトロルミネッセンス素子。
6. 【請求項６】 請求項１または２に記載の有機エレクト
   ロルミネッセンス素子材料を含有する層と陽極との間に
   正孔注入層を設ける請求項３ないしは５のいずれかに記
   載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 【請求項７】 正孔注入層が芳香族三級アミン誘導体お
   よび／またはフタロシアニン誘導体を含有する層である
   請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 【請求項８】 発光層が金属錯体化合物、π共役重合
   体、下記一般式［４］、もしくは一般式［５］のいずれ
   かの化合物を含有する層である請求項３ないしは７のい
   ずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 一般式［４］ 【化４】 ［式中、Ｚ¹ は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
   原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基もし
   くはアリーレン基部分を有する２価の基である。Ｒ²¹〜
   Ｒ²⁴は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置
   換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル
   基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素原子もしくは
   硫黄原子を含んでも良いアリール基を表す。］ 一般式［５］ 【化５】 ［式中、Ｚ² は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
   原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基もし
   くはアリーレン基部分を有する２価の基である。Ａｒ⁵
   〜Ａｒ⁸ は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭
   素原子数６〜２０のアリール基を表す。］
9. 【請求項９】 発光層と陰極との間の電子注入帯域中の
   少なくとも一層が金属錯体化合物および／または含窒素
   五員芳香環誘導体を含有する層である請求項３ないしは
   ８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素
   子。